TWI545117B - 雜環化合物及使用該化合物之有機電場發光裝置 - Google Patents

雜環化合物及使用該化合物之有機電場發光裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI545117B
TWI545117B TW104122707A TW104122707A TWI545117B TW I545117 B TWI545117 B TW I545117B TW 104122707 A TW104122707 A TW 104122707A TW 104122707 A TW104122707 A TW 104122707A TW I545117 B TWI545117 B TW I545117B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
group
heterocyclic compound
light
organic electroluminescent
Prior art date
Application number
TW104122707A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201617329A (zh
Inventor
如曼 班
黃賀隆
姚烝琮
謝博偉
陳暉旭
Original Assignee
昱鐳光電科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 昱鐳光電科技股份有限公司 filed Critical 昱鐳光電科技股份有限公司
Priority to CN201510511020.XA priority Critical patent/CN105585555B/zh
Publication of TW201617329A publication Critical patent/TW201617329A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI545117B publication Critical patent/TWI545117B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D333/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom
    • C07D333/50—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D333/76—Dibenzothiophenes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D307/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D307/77—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom ortho- or peri-condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D307/91—Dibenzofurans; Hydrogenated dibenzofurans
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
    • C07D409/04—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings directly linked by a ring-member-to-ring-member bond
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/90—Multiple hosts in the emissive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
  • Furan Compounds (AREA)

Description

雜環化合物及使用該化合物之有機電場發光裝置
本發明係有關於用於有機電場發光裝置之雜環化合物，尤係關於在核心骨架中包含二苯并噻吩或二苯并呋喃分子結構之雜環化合物，以及使用該化合物之磷光有機電場發光裝置。
近日，有機電場發光裝置(OLED)被認為是較其他顯示器技術例如：液晶顯示器(LCDs)以及發光二極體(LEDs)具有競爭力的發射顯示器技術。由於OLED裝置係具有優異亮度、高效率、低驅動電壓的高密度像素顯示器。此外，具有全彩以及較長操作穩定性的OLED裝置更是具有商業吸引力。
典型的OLED包括至少一夾置於陽極與陰極間之發光層。當施加電流時，陽極注入電洞，陰極注入電子至該一層或多層有機層。被注入的電洞及電子各自遷移(migrate)至相反的帶電荷電極。當電子及電洞侷限在相同的分子上時，形成「激子(exciton)」，該激子係具有受激發能態的侷限化電子-電洞對。當激子通過發光機制鬆弛時，釋放出光 能。為了改善此等裝置的電荷傳輸能力及發光效率，已於發光層周圍合併一層或多層之額外層體，例如：電子傳輸層及/或電洞傳輸層，或電子阻擋層及/或一層或多層電洞阻擋層。先前技術文獻中已充分發表在主體材料外，另摻雜客體材料，以增進裝置性能及調整色度。相關文獻可參考全文併入本文之第4769292、5844363及5707745號美國專利，其中，敘述多種OLED材料及裝置組構。
最近，具有自三重態(磷光)發光之發光材料的OLEDs業已被證明在文獻中，其全文併入本文參考文獻包括Nature,1998,No.395,p.151以及Appl.Phys.Lett.,1999,No.3,p.4，以及第7279704號美國專利。
特別是因為主體材料之非發射三重激發態必須高於客體磷(摻雜劑)者，故磷光OLEDs之主體材料的選擇變得困難。此外，主體材料必須具有用於高效OLED之良好的電荷傳輸性質，第2001-313178號日本專利揭露以CBP(4,4’-雙(N-咔唑基)-1,1’-聯苯)作為主體材料，其特徵在於具有良好的電洞傳輸，但電子傳輸性質卻不佳。於是，對於三(2-苯基吡啶)銥(以下稱為Ir(ppy)3)(綠色磷光發射子)，作為主體材料之CBP的使用干擾了電子電荷的平衡注入，導致過多的電洞流向電子傳輸層，因而減少發光效率。再者，由於CBP的低分子量，使其傾向於結晶，因此不適用於OLED裝置。
解決上述問題之其中一種手段係如第2002-305083號日本專利所描述於發光層及電子傳輸層間導入電洞阻擋 層，此電洞阻擋層有效地在發光層中累積電洞，且有助於增加電洞及電子復合的可能性。目前，一般所使用之電洞-阻擋材料包括2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啉(本文稱為BCP)以及苯基苯酚-雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1,08)鋁(本文稱為BAlq)。然而，BCP甚至易於在室溫下結晶，且作為電洞阻擋材料之可靠性不足，以及該裝置之壽命極短；而BAlq卻具有不足之電洞阻擋能力。
對於高發光及高效OLEDs，主體材料必須具有非發射之高三重態能量以及平衡電子電荷(電洞/電子)注入/傳輸特性。再者，主體材料也應具備良好的電化學穩定性、高熱阻及優異的薄膜穩定性。然而，直到現在尚未已知能夠從實際考慮滿足所有性質的化合物。
如WO2003-78451、WO2005-76668及WO2008-123189、第2006-51616號美國專利、第2008-280330以及2009-21336號日本專利所揭露，業已嘗試導入如咔唑或三芳基胺之具有優異電洞傳輸性質的分子部分，以及將如嘧啶或三嗪等具有優異電子傳輸性質的其他部分導入一個或相同分子骨架中作為磷光主體材料。
二苯并噻吩(DBT)以及二苯并呋喃(DBF)是具有高三重態能量及高移動率的一些雜環部分，其在可見區域中不顯示具有強吸收。該共面性(co-planarity)非常有利於分子間的相互作用。第8007927及8409729號美國專利、第20140151649號美國專利以及第20110085784號韓國專利揭露用於發光裝置之苯并二噻吩或二苯並呋喃的用途。
然而，仍有需要開發具有高亮度、操作穩定性及降低驅動電壓之OLED。
本發明提供在核心骨架中包含二苯并噻吩或二苯并呋喃分子結構之雜環化合物以及包含該雜環化合物之OLED。
本發明之雜環化合物係以下式(1)所示：
其中，X表示雜原子；L1表示C6-C30伸芳基；Ar1表示經C6-C9芳基、二-(C6-C9)芳基胺基、或至少一C1-C30烷基取代或未經取代之C6-C15芳基；以及Ar2表示經C6-C9芳基、二-(C6-C9)芳基胺基、或至少一C1-C30烷基取代或未經取代之C6-C15芳基；或Ar2、N以及L1結合在一起以形成經取代或未經取代之咔唑部分，其中，Ar1及Ar2之至少一者具備具有10至15個碳原子之芳香烴部分。
本發明之OLED包含基材；形成於該基材上之陽極；形成於該陽極之上的陰極；以及至少一層形成於該陽極及該陰極間之發光層，其中，該發光層包括磷光摻雜劑以及作為主體材料之本發明雜環化合物。
根據該發明，該式(1)雜環化合物係作為發光主體，並存在於發光層中。舉例而言，該式(1)雜環化合物可與摻雜劑以及其他主體組合，以提升有機電場發光裝置之發光效率及降低驅動電壓。
100、200、300‧‧‧有機電場發光裝置
110、210、310‧‧‧基材
120、220、320‧‧‧陽極
130、230、330‧‧‧電洞注入層
140、240、340‧‧‧電洞傳輸層
150、250、350‧‧‧發光層
160、260、360‧‧‧電子傳輸層
170、270、370‧‧‧電子注入層
180、280、380‧‧‧陰極
245、355‧‧‧激子阻擋層
第1圖係根據本發明之一具體實施例所繪示之有機電場發光裝置之剖面圖；第2圖係根據本發明之其他具體實施例所繪示之有機電場發光裝置之剖面圖；第3圖係根據本發明之另一具體實施例所繪示之有機電場發光裝置之剖面圖；第4圖顯示根據本發明之發綠色磷光之裝置的電場發光光譜；第5圖顯示根據本發明之發紅色磷光之裝置的電場發光光譜；第6圖顯示根據本發明之發綠色磷光之裝置的亮度對電流密度之圖表；以及第7圖顯示根據本發明之發紅色磷光之裝置的亮度對電流密度之圖表。
以下係藉由特定的具體實施例說明本發明，熟習此專業之人士可根據包含在本發明說明書所揭露內容想到本發明之其他優點及功效。
本發明之雜環化合物係以下式(1)表示：
其中，X表示雜原子；L1表示C6-C30伸芳基；Ar1表示經C6-C9芳基、二-(C6-C9)芳基胺基、或至少一C1-C30烷基取代或未經取代之C6-C15芳基；以及Ar2表示經C6-C9芳基、二-(C6-C9)芳基胺基、或至少一C1-C30烷基取代或未經取代之C6-C15芳基；或Ar2、N以及L1結合在一起以形成經取代或未經取代之咔唑部分，其中，Ar1及Ar2之至少一者具備具有10至15個碳原子之芳香烴部分。
於一具體實施例中，該咔唑部分係2,9-伸咔唑或3,9-伸咔唑。
於一具體實施例中，該咔唑部分係以C6-C15芳基取代。較佳者，於該上述雜環化合物中，該咔唑部分係以苯基、萘基、或聯苯基取代。
於一具體實施例中，於該上述雜環化合物中，Ar1及Ar2各獨立經取代或未經取代。
於進一步具體實施例中，取代Ar1及Ar2之取代基係各獨立選自C6-C9芳基、二-(C6-C9)芳基胺基、或至少一C1-C30烷基。於一具體實施例中，該C1-C30烷基係甲基，該C6-C9芳基係苯基，該二-(C6-C9)芳基胺基係二苯基胺基。
該取代基可經由被取代基團之任一位置連結。舉例而言，該二苯基胺基經由對位(para-position)連結至該苯基。然而，該二芳基胺基不經由鄰位(ortho-position)連結至該苯基。
於該上述雜環化合物之一具體實施例中，Ar1及Ar2各獨立地表示苯基、萘基、聯苯基、二甲基茀基或(二苯基胺基)苯基。
於一具體實施例中，X表示S或O；L1表示伸苯基；以及Ar1及Ar2各獨立地表示苯基、萘基、聯苯基、二甲基茀基或(二苯基胺基)苯基。於一具體實施例中，Ar1表示二甲基茀基，Ar2表示苯基、萘基、聯苯基或(二苯基胺基)苯基。
於一具體實施例中，X表示S或O；Ar1表示苯基、萘基、聯苯基、二甲基茀基或(二苯基胺基)苯基；以及Ar2、N及L1結合在一起形成經取代或未經取代之咔唑部分。上述式(1)所示之雜環化合物之較佳實例顯示如下，但不限於此。
以下說明式(1)所示化合物的典型合成途徑之一，其係遵守文獻中提到的鈴木偶合(Suzuki coupling)以及哈特維 胺化作用(Hartwig amination)的條件。
本發明之OLED包含基材；形成於該基材上之陽極；陰極；以及至少一層形成於該陽極及該陰極間之發光層，其中，該發光層包括磷光摻雜劑以及該上述作為主體材料之雜環化合物。
本發明之OLED進一步包含至少一層形成於該陽極以及該發光層間之電洞輔助層，以及該至少一電洞輔助層係選自電洞注入層以及電洞傳輸層所組成群組。舉例而言，本發明之OLED進一步包含電洞注入層及/或電洞傳輸層。
於本發明之OLED之一具體實施例中，該至少一電洞輔助層含有該上述雜環化合物。
本發明之OLED進一步包含至少一層形成於該發光層以及該陰極間之電子輔助層，且該至少一電子輔助層係選自電子傳輸層以及電子注入層所組成群組。舉例而言，本發明之OLED進一步包含電子傳輸層及/或電子注入層。
於本發明之OLED之一具體實施例中，該至少一電子 輔助層含有該上述雜環化合物。
本發明之OLED可進一步包含形成於該陽極以及該發光層間或該發光層以及該陰極間之激子阻擋層。舉例而言，該激子阻擋層係形成於該電洞輔助層(例如：電洞注入層以及電洞傳輸層)以及該發光層間。以其他實例而言，該激子阻擋層係形成於該電子輔助層(例如：電子傳輸層以及電子注入層)以及該發光層間。
於本發明之OLED之一具體實施例中，該激子阻擋層含有該上述雜環化合物。
用於該發光層之磷光摻雜劑較佳為包含至少一種選自釕、銠、鈀、銀、錸、鋨、銥、鉑金、以及金之金屬的有機金屬錯合物。此種有機金屬錯合物在前述的專利文獻中係為已知，且合適之錯合物可選自前述的專利文獻，並用於本發明。
用於該發光層中之磷光摻雜劑含量較佳為在3重量%(wt%)至15wt%之範圍內。
本發明之較佳具體實施例
以下參照圖式說明本發明之有機電場發光裝置的結構，但不限於此。
第1圖係繪示根據本發明之一具體實施例之有機電場發光裝置的示意圖。有機電場發光裝置100包括基材110、陽極120、電洞注入層130、電洞傳輸層140、發光層150、電子傳輸層160、電子注入層170、以及陰極180。可依序沉積該等所描述之層，以製造有機電場發光裝置100。
第2圖係繪示根據本發明之其他具體實施例之有機電場發光裝置的示意圖。有機電場發光裝置200包括基材210、陽極220、電洞注入層230、電洞傳輸層240、激子阻擋層245、發光層250、電子傳輸層260、電子注入層270、以及陰極280。
第3圖係繪示根據本發明之其他具體實施例之有機電場發光裝置的示意圖。有機電場發光裝置300包括基材310、陽極320、電洞注入層330、電洞傳輸層340、發光層350、激子阻擋層355、電子傳輸層360、電子注入層370、以及陰極380。
可反向製造第1至3圖所示結構之有機電場發光裝置。在該相反結構中，可視需要增加或移除一層或多層。
用於電洞注入層、電洞傳輸層、激子阻擋層、電洞阻擋層、發光層、電子注入層之材料可選自他處引用文獻中所發表之材料。
此外，其全文併入參考之第5844363號美國專利揭露一種撓性及透明基板-陽極組合。如全文併入參考之第20030230980號美國專利所揭露的實例，p-摻雜電洞傳輸層係以50：1的莫耳比在m-MTDATA中摻雜有F4-TCNQ。如全文併入參考之第20030230980號美國專利所揭露的實例，n-摻雜電子傳輸層係以1：1的莫耳比在之BPhen中摻雜有Li。如其全文併入參考之第5703436及5707745號美國專利所揭露，陰極的實例包含具有上覆有透明、導電性、濺鍍沉積之ITO層之金屬(如鎂：銀)薄層的陰極。阻擋層 的原理及使用係揭露於全文併入參考之第6097147號美國專利與第20030230980號美國專利。全文併入參考之第20040174116號美國專利則提供注入層的實例。保護層的說明則可見於全文併入參考之第20040174116號美國專利。
亦可使用未詳細述及的結構及材料，例如其全文併入參考之第5247190號美國專利揭露的聚合性材料(PLEDs)構成之OLEDs。再者，可使用具有單層有機層之OLEDs。可如其全文併入參考之第5707745號美國專利將OLEDs堆疊。
除非另有詳細說明，各種具體實施例的任意層可藉由任何合適的方法沉積。對於該有機層，較佳方法包括：例如其全文併入參考之第6013982及6087196號美國專利所敘述之熱蒸鍍法(thermal evaporation)、噴墨法(ink-jet)；例如其全文併入參考之第6337102號美國專利所述之有機氣相沉積法(OVPD)；以及例如其全文併入參考之第10/233,470號美國專利所述之藉由有機蒸氣噴射印刷(organic vapor jet printing OVJP)之沉積法。其他適用的沉積方法包括旋塗法及其他溶液為主的製程。以溶液為主的方法係在氮或惰性氣體氛圍中進行為佳。對於其他層，較佳的方法包括熱蒸鍍法。較佳的圖案化方法包括，例如其全文併入參考之第6294398和6468819號美國專利所敘述通過光罩之沉積、冷焊；以及與沉積法有關的圖案化，例如噴墨法及OVJD。當然地，可使用其他方法。可改質待沉積之材料使其與特定沉積法相容。
本發明的有機電場發光裝置可應用於單一裝置、與其結構配置成陣列之裝置、或配置成X-Y矩陣且具有陽極與陰極之裝置。相較於傳統的裝置，當與該發光層中之磷光摻雜劑組合使用時，本發明顯著改善有機電場發光裝置的發光效率及驅動穩定性，再者，當應用於全色彩或多色彩面板時，本發明之有機電場發光裝置可表現更為優異。
實施例
以下將參照實施例更詳細地說明本發明；然而，不應受限於這些實施例，且除非該等實施超過本發明的實質內容，可將其簡化成以各種模式實施。
合成例1
於80℃攪拌二苯并噻吩-4-硼酸(10克(g))、1,4-二溴苯(9.4g)、肆(三苯基膦)鈀(2.42g)、甲苯(120毫升(mL))、乙醇(16毫升(mL))、水(46mL)以及碳酸鉀(14.44g)之混合物5小時。以薄層層析法監測該反應；於完成該反應後，以水(100mL)淬滅該反應混合物且使用乙酸乙酯(100mL)萃取，以水(3 x 30ml)萃取該有機層，並以無水硫酸鈉乾燥。使該收集之乙酸乙酯層通過矽藻土管柱層析法用以進一步純化。隨之，真空下於旋轉蒸發器中蒸發乙酸乙酯層至乾燥以產生13.52g之4-(4’-溴苯基)二苯并噻吩。將4-(4’-溴苯基)二苯并噻吩(10g)、雙(4-聯苯基)胺基(13.08g)、雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)(0.152g)、第三丁醇鈉(6.52g)、甲苯 (125ml)、三(第三丁基)膦(0.274g)之混合物添加在一起，且於氮氣氛圍下迴流，以薄層層析法監測該反應。於完成該反應後，以水(50ml)淬滅該反應混合物，且使用乙酸乙酯(100ml)萃取。以水(3 x 30ml)萃取該有機層且以無水硫酸鈉乾燥。使所收集之乙酸乙酯層通過矽藻土管柱層析法用以進一步純化。隨之，在真空下用旋轉蒸發器蒸發乙酸乙酯層至乾燥。藉由添加200mL甲醇進一步沈澱該殘留物，真空下過濾及乾燥。獲得HPLC純度超過99%且呈黃色固體之10.38g化合物1-1(44%)。化合物1-1之熔點為278.3℃且玻璃轉化溫度為102.9℃。
1H NMR(CDCl3,δ)：8.16-8.11(m,2H)；7.79-7.77(m,1 H)；7.58-7.39(m,18H)；7.33-7.22(m,8H)。
合成例2
於250mL燒瓶中，使4-(4’-溴苯基)二苯并噻吩(10g)、N-苯基-2-萘胺(N-Phenylnaphthalen-2-amine，7.75g)、雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)(0.59g)、第三丁醇鈉(6.5g)、甲苯(150ml)、三(第三丁基)膦(0.55g)之混合物於氮氣氛圍下迴流，以薄層層析法監測該反應。於完成該反應後，以水(50mL)淬滅該反應混合物，且使用乙酸乙酯(70mL)萃取。以水(3 x 50mL)萃取該有機層且以無水硫酸鈉乾燥。使所收集之乙酸乙酯層通過矽藻土管柱層析法用以進一步純化。隨之，在真空下用旋轉蒸發器蒸發乙酸乙酯層至乾燥。將該殘留物進一步沈澱於甲醇(100ml)中，真空下過濾 及乾燥。獲得HPLC純度超過99%且呈黃色固體之7g化合物1-3(49%)。
化合物1-3之熔點為202.21℃以及玻璃轉化溫度為82.08℃。
1H NMR(CDCl3,δ)：8.30-8.17(m,1H)；8.16-8.10(m,1H)；7.88-7.83(m,1H)；7.82-7.76(m 2H)；7.68-7.63(m,3H)；7.58-7.30(m,9H)；7.29-7.22(m,5H)；7.14-7.08(m,1H)。
合成例3
於80℃攪拌4-二苯并呋喃硼酸(13.3g)、1,4-二溴苯(10g)、肆(三苯基膦)鈀(3.02g)、甲苯(158mL)、乙醇(65mL)、水(65ml)以及碳酸鉀(21.69g)之混合物5小時，以薄層層析法監測該反應。於完成該反應後，以水(100mL)淬滅該反應混合物，且使用乙酸乙酯(100mL)萃取。以水(3 x 30ml)萃取該有機層且以無水硫酸鈉乾燥。將所收集之乙酸乙酯層通過矽藻土管柱層析法用以進一步純化。隨之，真空下於旋轉蒸發器中蒸發乙酸乙酯層至乾燥以產生13.7g之4-(4’-溴苯基)二苯并呋喃。
於500mL燒瓶中，使4-(4’-溴苯基)二苯并呋喃(10g)、雙(4-聯苯基)胺基(12.7g)、雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)(0.62g)、第三丁醇鈉(6.9g)、二甲苯(150mL)、三(第三丁基)膦(0.58g)之混合物於氮氣氛圍下迴流，以薄層層析法監測該反應。於完成該反應後，以水(50mL)淬滅該反應混合物，且使用乙酸乙酯(70mL)萃取。以水(3 x 50mL)萃取 該有機層且以無水硫酸鈉乾燥。將所收集之乙酸乙酯層通過矽藻土管柱層析法用以進一步純化。隨之，在真空下用旋轉蒸發器蒸發乙酸乙酯層至乾燥。將該殘留物進一步沈澱於甲醇(100ml)中，真空下過濾及乾燥。獲得HPLC純度超過99%且呈淡黃色固體之7.67g化合物1-7(44%)。
化合物1-7之玻璃轉化溫度為96.57℃。
1H NMR(CDCl3,δ)：8.00(d,1H)；7.98-7.87(m,3 H)；7.63-7.53(m,10 H)；7.49-7.38(m,15 H)。
合成例4
於500mL燒瓶中，使4-(4’-溴苯基)二苯并呋喃(4.2g)、N-(4-聯苯基)-(9,9-二甲基茀-2-基)胺基(5g)、雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)(0.24g)、第三丁醇鈉(2.65g)、甲苯(75mL)、三(第三丁基)膦(0.22g)之混合物於氮氣氛圍下迴流。於完成該反應後，以水(50mL)淬滅該反應混合物，且使用乙酸乙酯(70mL)萃取。以水(3 x 50mL)萃取該有機層且以無水硫酸鈉乾燥。將所收集之乙酸乙酯層通過矽藻土管柱層析法用以進一步純化。隨之，在真空下用旋轉蒸發器蒸發乙酸乙酯層至乾燥，獲得HPLC純度超過99%且呈黃色固體之3.45g化合物1-13(44%)。
化合物1-13之玻璃轉化溫度為110.5℃。
1H NMR(CDCl3,δ)：8.01-7.99(d,1H)；7.92-7.88(m,3 H)；7.69-7.55(m,11 H)；7.49-7.26(m,17 H)；7.20-7.18(dd,1H)。
合成例5
於80℃攪拌4-二苯并呋喃硼酸(13.3g)、1,3-二溴苯(10g)、肆(三苯基膦)鈀(3.02g)、甲苯(158mL)、乙醇(65mL)、水(65mL)以及碳酸鉀(21.69g)之混合物5小時，以薄層層析法監測該反應。於完成該反應後，以水(100mL)淬滅該反應混合物，且使用乙酸乙酯(100mL)萃取。以水(3 x 30mL)萃取該有機層且以無水硫酸鈉乾燥。將所收集之乙酸乙酯層通過矽藻土管柱層析法用以進一步純化。隨之，真空下於旋轉蒸發器中蒸發乙酸乙酯層至乾燥以產生13.7g之4-(3’-溴苯基)二苯并呋喃。
使4-(3’-溴苯基)二苯并呋喃(7.4g)、N-(4-聯苯基)-(9,9-二甲基茀-2-基)胺基(10g)、雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)(0.46g)、第三丁醇鈉(5.1g)、甲苯(110mL)、三(第三丁基)膦(0.43g)之混合物於氮氣氛圍下迴流，以薄層層析法監測該反應。於完成該反應後，以水(50mL)淬滅該反應混合物，且使用乙酸乙酯(70mL)萃取，以水(3 x 50mL)萃取該有機層且以無水硫酸鈉乾燥。將所收集之乙酸乙酯層通過矽藻土管柱層析法用以進一步純化。隨之，在真空下用旋轉蒸發器蒸發乙酸乙酯層至乾燥，獲得HPLC純度超過99%且呈黃色固體之6.12g化合物1-17(44%)。
化合物1-17之玻璃轉化溫度為103.11℃。
1H NMR(CDCl3,δ)：8.09-7.93(d,1H)；7.92-7.89(d,1 H)；7.73-7.72(t,1 H)；7.71-7.60(m,6 H)；7.57-7.30(m,22H)；7.29-7.2(d,d,2H)。
合成例6
於80℃攪拌二苯并[b,d]噻吩-4-基硼酸(10g，38.4毫莫耳(mmol))、1,3-二溴苯(9.5g，40.33mmol)、肆(三苯基膦)鈀(2.3g，2.01mmol)、甲苯(130ml)、乙醇(17ml)、H2O(45ml)以及碳酸鉀(13.9g，100mmol)之混合物添5小時，以薄層層析法監測該反應。於完成該反應後，以水(100mL)淬滅該反應混合物，且使用乙酸乙酯(100mL)萃取，以水(3 x 30mL)萃取該有機層且以無水硫酸鈉乾燥。將所收集之乙酸乙酯層通過矽藻土管柱層析法用以進一步純化。隨之，在真空下於旋轉蒸發器中蒸發乙酸乙酯層至乾燥，產生4-(3-溴苯基)二苯并[b,d]噻吩(8.2g)。
使4-(3-溴苯基)二苯并[b,d]噻吩(8.2g)(3.5g，10.31mmol)、雙(4-聯苯基)胺基(3.48g，10.83mmol)、雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)(0.19g，0.32mmol)、第三丁醇鈉(2g，21.65mmol)、二甲苯(40ml)、三第三丁基膦(0.17g，0.86mmole)之混合物於氮氣氛圍下迴流，以薄層層析法監測該反應。於完成該反應後，以水(30mL)淬滅該反應混合物，且使用乙酸乙酯(50mL)萃取，以水(3 x 30mL)萃取該有機層且以無水硫酸鈉乾燥。將所收集之乙酸乙酯層通過矽藻土管柱層析法用以進一步純化。隨之，在真空下用旋轉蒸發器蒸發乙酸乙酯層至乾燥，獲得HPLC純度超過99%之呈黃色固體之3.0g化合物1-21(50%)。
化合物1-21之熔點為191.22℃以及玻璃轉化溫度為 93.21℃。
1H NMR(CDCl3,δ)：8.18-8.10(m,2H)；7.82-7.78(m,1 H)；7.62-7.49(m,6H)；7.48-7.38(m,11 H)；7.34-7.22(m,9H)。
合成例7
於250mL燒瓶中，使4-(3’-溴苯基)二苯并噻吩(5g)、N-(4-聯苯基)-(9,9-二甲基茀-2-基)胺基(6.39g)、雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)(0.29g)、第三丁醇鈉(3.27g)、甲苯(95mL)、三(第三丁基)膦(0.28g)之混合物於氮氣氛圍下迴流，以薄層層析法監測該反應。於完成該反應後，以水(50mL)淬滅該反應混合物，且使用乙酸乙酯(70mL)萃取，以水(3 x 50mL)萃取該有機層且以無水硫酸鈉乾燥。將所收集之乙酸乙酯層通過矽藻土管柱層析法用以進一步純化。隨之，在真空下用旋轉蒸發器蒸發乙酸乙酯層至乾燥，獲得HPLC純度超過99%且呈黃色固體之3.0g化合物1-29(32%)。
化合物1-29之熔點為202.82℃以及玻璃轉化溫度107.65℃。
1H NMR(CDCl3,δ)：7.77-7.43(m,1H)；7.68-7.62(m,3H)；7.62-7.58(m,3H)；7.55-7.47(m,5H)；7.46-7.23(m,20H)；7.20-7.16(m,1H)。
合成例8
使4-(3’-溴苯基)二苯并呋喃(2.7g)、雙(4-聯苯基)胺 基(3.1g)、雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)(0.14g)、第三丁醇鈉(1.6g)、二甲苯(40ml)、三第三丁基膦(0.13g)之混合物於氮氣氛圍下迴流，以薄層層析法監測該反應。於完成該反應後，以水(30mL)淬滅該反應混合物，且使用乙酸乙酯(50mL)萃取，以水(3 x 30mL)萃取該有機層且以無水硫酸鈉乾燥。將所收集之乙酸乙酯層通過矽藻土管柱層析法用以進一步純化。隨之，在真空下用旋轉蒸發器蒸發乙酸乙酯層至乾燥，藉由添加200mL甲醇進一步沈澱該殘留物，真空下過濾及乾燥。獲得HPLC純度超過99%且呈黃色固體之3g化合物1-32(63%)。
化合物1-32之熔點為177℃以及玻璃轉化溫度為86.8℃。
1H NMR(CDCl3,δ)：7.97-7.94(d,1H)；7.92-7.88(m,1H)；7.77-7.74(t,1H)；7.64-7.54(m,10H)；7.51-7.30(m,15H)；7.30-7.26(m,1H)。
合成例9
使4-(3’-溴苯基)二苯并[b,d]噻吩(2.6g)、N1-(萘-1-基)-N4,N4-二苯基苯-1,4-二胺(3.55g)、雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)(0.15g)、第三丁醇鈉(1.7g)、甲苯(50mL)、三第三丁基膦(0.14g)之混合物於氮氣氛圍下迴流，以薄層層析法監測該反應。於完成該反應後，以水(30mL)淬滅該反應混合物，且使用乙酸乙酯(50mL)萃取，以水(3 x 30mL)萃取該有機層且以無水硫酸鈉乾燥。將所收集之乙酸乙酯層通 過矽藻土管柱層析法用以進一步純化。隨之，在真空下用旋轉蒸發器蒸發乙酸乙酯層至乾燥，藉由添加200mL甲醇進一步沈澱該殘留物，真空下過濾及乾燥。獲得HPLC純度超過99%且呈黃色固體之2g化合物1-40(40%)。
化合物1-40之熔點為167.01℃以及玻璃轉化溫度為99.93℃。
1H NMR(CDCl3,δ)：8.14-8.06(m,7H)；7.93-7.90(d,3H)；7.71-7.73(m,1H)；7.68-7.62(t,2H)；7.62-7.58(m,2H)；7.55-7.47(m,4H)；7.46-7.67(m,3H)；7.52-7.39(m,19H)。
合成例10
於250mL燒瓶中，使4-(4’-溴苯基)二苯并[b,d]呋喃(10g)、四氫呋喃(90mL)之混合物於氮氣氛圍下攪拌且冷卻至-78℃，於-78℃注入正-丁基鋰溶液(18.8ml，2.5M於正己烷中)，且於-78℃攪拌2小時。2小時後，注入硼酸三甲酯(16g)且使該反應平衡至室溫過夜，以薄層層析法監測該反應。於完成該反應後，添加2N鹽酸溶液(60mL)於該反應混合物且攪拌1小時，以水(50mL)淬滅該反應混合物，且使用乙酸乙酯(70mL)萃取，以水(3 x 50mL)萃取該有機層且以無水硫酸鈉乾燥。隨之，真空下於旋轉蒸發器中蒸發乙酸乙酯層至乾燥以產生4-(二苯并呋喃-4’-基)苯基硼酸(5g)。
使4-(二苯并呋喃-4’-基)苯基硼酸(5g)、2-溴咔唑(4.7g)、肆(三苯基膦)鈀(1g)、甲苯(64mL)、乙醇(7mL)、水(20 mL)以及碳酸鉀(6.6g)之混合物於迴流下攪拌，以薄層層析法監測該反應。於完成該反應後，以水(100mL)淬滅該反應混合物，且使用乙酸乙酯(100mL)萃取，以水(3 x 30mL)萃取該有機層且以無水硫酸鈉乾燥。將所收集之乙酸乙酯層通過矽藻土管柱層析法用以進一步純化。隨之，真空下於旋轉蒸發器中蒸發乙酸乙酯層至乾燥以產生HPLC純度超過99%之化合物1-44(1g，39%)。
化合物1-44之熔點為246.35℃以及玻璃轉化溫度為95.24℃。
1H NMR(CDCl3,δ)：8.34-8.27(m,1H)；8.26-8.02(m,3H)；7.98-7.88(m,2H)；7.86-7.80(m,1H)；7.58-7.66(d,2H)；7.60-7.40(m,7H)；7.38-7.30(m,1H)；7.29-7.21(m,7H)；7.20-7.10(m,1H)。
合成例11
於250mL燒瓶中，在迴流下攪拌二苯并[b,d]噻吩-4-基硼酸(5g，20.31mmol)、3-溴咔唑(4.9g，21.33mmol)、肆(三苯基膦)鈀(1.2g，1.01mmol)、甲苯(60ml)、乙醇(8ml)、H2O(20ml)以及碳酸鉀(7.4g，53.33mmol)之混合物5小時，以薄層層析法監測該反應。於完成該反應後，以水(30mL)淬滅該反應混合物，且使用乙酸乙酯(50mL)萃取，以水(3 x 30mL)萃取該有機層且以無水硫酸鈉乾燥。將所收集之乙酸乙酯層通過矽藻土管柱層析法用以進一步純化。隨之，真空下於旋轉蒸發器中蒸發乙酸乙酯層至乾燥 以產生2-(二苯并[b,d]噻吩-4-基)-9H-咔唑(3g)。
使2-(二苯并[b,d]噻吩-4-基)-9H-咔唑(2g，58.72mmol)、2-溴萘(1.3g，6.29mmol)、雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)(0.1g，0.17mmol)、第三丁醇鈉(1.1g，11.44mmol)、甲苯(30ml)、三(第三丁基)膦(0.09g，0.45mmole)之混合物於氮氣氛圍下迴流，以薄層層析法監測該反應。於完成該反應後，以水(20mL)淬滅該反應混合物，且使用乙酸乙酯(50mL)萃取，以水(3 x 20mL)萃取該有機層且以無水硫酸鈉乾燥。將所收集之乙酸乙酯層通過矽藻土管柱層析法用以進一步純化。隨之，在真空下用旋轉蒸發器蒸發乙酸乙酯層至乾燥。進一步藉由添加200mL甲醇沈澱該殘留物，真空下過濾及乾燥。獲得HPLC純度超過99%且呈黃色固體之1g化合物1-47(36%)。
化合物1-47之熔點為187.51℃以及玻璃轉化溫度為101.31℃。
1H NMR(CDCl3,δ)：8.56-8.53(d,1H)；8.25-8.14(m,3H)；7.13-7.09(m,2H)；8.02-7.92(m,2H)；7.85-7.79(m,2H)；7.76-7.72(m,1H)；7.64-7.57(m,5H)；7.53-7.42(m,4H)；7.37-7.31(m,1H)。
合成例12
於150mL燒瓶中，使2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-9H-咔唑(3.5g)、4-溴三苯基胺(3.7g)、雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)(0.18g)、第三丁醇鈉(2g)、甲苯(53mL)、三(第三丁基)膦 (0.17g)之混合物於氮氣氛圍下迴流，以薄層層析法監測該反應。於完成該反應後，以水(30mL)淬滅該反應混合物，且使用乙酸乙酯(50mL)萃取，以水(3 x 30mL)萃取該有機層且以無水硫酸鈉乾燥。將所收集之乙酸乙酯層通過矽藻土管柱層析法用以進一步純化。隨之，在真空下用旋轉蒸發器蒸發乙酸乙酯層至乾燥。進一步藉由添加甲醇沈澱該殘留物，真空下過濾及乾燥。獲得HPLC純度超過99%且呈黃色固體之3.5g化合物1-50(57%)。
化合物1-50之熔點為283.3℃以及玻璃轉化溫度為94.64℃。
1H NMR(CDCl3,δ)：8.29-8.27(d,1H)；8.20-8.18(d,1H)；8.01-8.00(m,2H)；7.95-7.94(m,1H)；7.85-7.83(d,1H)；7.71-7.69(m,1H)；7.55-7.54(d,1H)；7.50-7.43(m,7H)；7.39-7.36(t,1H)；7.31-7.20(m,10H)；7.08-7.07(t,2H)。
綠色磷光裝置 實施例1
使用前，在基板裝載至蒸鍍系統前，將基板先用溶劑去除油污，並在UV臭氧中清洗。接著將基板移至真空沉積腔室，以將所有其他的層體沉積在基板頂部上。在接近10-6Torr(托)的真空下，從受熱的晶舟(boat)藉由沉積法依下列順序沉積如第1圖中所示之下列層體：a)電洞注入層，30奈米(nm)厚，HAT-CN，b)電洞傳輸層，110nm厚，N,N'-四(4-聯苯基)聯苯胺 (HT1)；c)發光層，30nm厚，包含摻雜有5wt% GD之PH1與化合物1-1(PH1係富有電子之磷光主體(來自昱鐳光電科技股份有限公司，台灣))，PH1與化合物1-1之體積最佳比率為1：1；d)電子傳輸層，30nm厚，以1：1比率摻雜有羥基喹啉鋰之如下式ET之化合物；e)電子注入層，1nm厚，LiF；以及f)陰極，大約150nm厚，包括Al。
裝置結構可標示為：ITO/HAT-CN(30nm)/HT1(110nm)/PH1：化合物1-1：5% GD(30nm)/ET：Liq(30nm)/LiF(1nm)/Al(150nm)。
於沉積這些層體之後，將該裝置從沉積腔室移至封裝用之乾燥箱中，並接著用UV-可固化環氧樹脂與含水氣吸 氣劑的玻璃蓋封裝該裝置。該有機電場發光裝置具有3mm2的發光面積。將獲得的有機電場發光裝置連接至外部電源，且施加直流電壓，測得表1中所示發光特性。
在室溫下使用固定電流源(KEITHLEY 2400 Source Meter,Keithley Instruments,Inc.,Cleveland,Ohio製造)以及光度計(PHOTO RESEARCH SpectraScan PR 650,Photo Research,Inc.,Chatsworth,Calif.製造)評估所有製得之裝置的EL特性。使用國際照明委員會(Commission Internationalede l’Eclairage；CIE)的色座標描述顏色。
實施例2至7與比較例1
除了以列於表1之合適化合物替換發光層之化合物1-1之外，以相似於實施例1之層體結構製作綠色磷光OLED裝置。
紅色磷光裝置 實施例8
除了將紅色磷光摻雜劑用於發光層之外，以相似於實施例1之層體結構製作紅色磷光裝置。裝置結構可標示為：ITO/HAT-CN(20nm)/HT1(160nm)/PH1：化合物1-1：3% RD(30nm)/ET：Liq(30nm)/LiF(1nm)/Al(150nm)。
實施例9-10以及比較例2
除了以列於表1之合適化合物替換發光層之化合物 1-1之外，以相似於實施例1之層體結構製作紅色磷光OLED裝置。
該等例子中所製作的OLED之發射光之波峰波長、最大發光效率及驅動電壓顯示於表1。第4圖及第5圖顯示該裝置實施例1-10及比較例1及2的EL光譜，第6圖及第7圖顯示電流密度相對亮度之圖表。
本發明不應受限於上述具體實施例、方法及實施例，而全部具體實施例及方法係落入所主張之本發明範籌與精神。
產業利用性
如上述詳細說明，使用本發明之用於EL裝置之材料之OLED因其具有高發光效率、高熱穩定性、以及足夠低的驅動電壓而極為有用。因此，本發明之OLED可應用於平面顯示器、行動電話顯示器、利用平面發光特性的光源、訊息看板(sign-boards)，且具有高科技價值。
200‧‧‧有機電場發光裝置
210‧‧‧基材
220‧‧‧陽極
230‧‧‧電洞注入層
240‧‧‧電洞傳輸層
245‧‧‧激子阻擋層
250‧‧‧發光層
260‧‧‧電子傳輸層
270‧‧‧電子注入層
280‧‧‧陰極

Claims (15)

  1. 一種以下式(1)表示之雜環化合物： 其中，X表示S或O；L1表示C6-C30伸芳基；Ar1表示(二苯基胺基)苯基；以及Ar2表示苯基、萘基或(二苯基胺基)苯基；或Ar2、N以及L1結合在一起以形成經取代或未經取代之咔唑部分。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之雜環化合物，其中，該咔唑部分以C6-C15芳基取代。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之雜環化合物，其中，該咔唑部分以苯基、萘基、或聯苯基取代。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之雜環化合物，其中，L1表示伸苯基。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之雜環化合物，其中，該式(1)化合物係選自下列所組成群組： 、以及
  6. 如申請專利範圍第4項所述之雜環化合物，其中，該式(1)化合物係選自下列所組成群組： 、以及
  7. 一種有機電場發光裝置，包含：基材；陽極，係形成於該基材上；陰極，係形成於該陽極之上；以及至少一層形成於該陽極以及該陰極間之發光層，其中，該發光層包括磷光摻雜劑以及如申請專利範圍第1項所述之雜環化合物作為主體材料。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機電場發光裝置，其中，該磷光摻雜劑係包含至少一種選自釕、銠、鈀、銀、錸、鋨、銥、鉑金以及金所組成群組之金屬的有機金屬錯合物。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之有機電場發光裝置，其中，該發光層包含3wt%至15wt%範圍之該磷光摻雜劑。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之有機電場發光裝置，進一步包含至少一層形成於該陽極以及該發光層間之電洞輔助層，其中，該至少一電洞輔助層係選自電洞注入層以及電洞傳輸層所組成群組。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之有機電場發光裝置，其中，該至少一電洞輔助層含有如申請專利範圍第1項所述之雜環化合物。
  12. 如申請專利範圍第7項所述之有機電場發光裝置，進一步包含至少一層形成於該發光層以及該陰極間之電子輔助層，其中，該至少一電子輔助層係選自電子傳輸層以及電子注入層所組成群組。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之有機電場發光裝置，其中，該至少一電子輔助層含有如申請專利範圍第1項所述之雜環化合物。
  14. 如申請專利範圍第7項所述之有機電場發光裝置，進一步包含激子阻擋層，係形成於該陽極以及該發光層之間或該發光層以及該陰極之間。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之有機電場發光裝置，其中，該激子阻擋層含有如申請專利範圍第1項所述之雜環化合物。
TW104122707A 2014-11-12 2015-07-14 雜環化合物及使用該化合物之有機電場發光裝置 TWI545117B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510511020.XA CN105585555B (zh) 2014-11-12 2015-08-19 杂环化合物及使用该化合物的有机电致发光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/538,969 US10014480B2 (en) 2014-11-12 2014-11-12 Heterocyclic compounds and organic electroluminescent devices using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201617329A TW201617329A (zh) 2016-05-16
TWI545117B true TWI545117B (zh) 2016-08-11

Family

ID=55912951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104122707A TWI545117B (zh) 2014-11-12 2015-07-14 雜環化合物及使用該化合物之有機電場發光裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10014480B2 (zh)
JP (1) JP6275679B2 (zh)
KR (1) KR101768763B1 (zh)
TW (1) TWI545117B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI702207B (zh) * 2018-11-02 2020-08-21 昱鐳光電科技股份有限公司 芳胺化合物及其有機電激發光裝置
TWI706946B (zh) * 2017-12-29 2020-10-11 昱鐳光電科技股份有限公司 經咔唑取代之三嗪化合物及其有機電激發光元件

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6516433B2 (ja) * 2014-10-06 2019-05-22 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP6556995B2 (ja) * 2014-10-28 2019-08-07 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2017103732A1 (ja) * 2015-12-17 2017-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、照明装置、照明システムおよび誘導システム
CN106654050B (zh) * 2017-01-16 2019-07-30 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板及装置
US10446778B2 (en) * 2017-10-16 2019-10-15 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED panel, OLED display and manufacturing method of OLED panel
US20210376241A1 (en) * 2017-11-08 2021-12-02 Sfc Co., Ltd. Amine-substituted naphthalene derivatives and organic light emitting diodes including the same
JP7253502B2 (ja) 2018-01-29 2023-04-06 出光興産株式会社 化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR102169567B1 (ko) 2018-12-21 2020-10-23 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20220081343A (ko) * 2019-10-11 2022-06-15 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자 및 전자 기기

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2177516A4 (en) * 2007-08-06 2013-03-27 Idemitsu Kosan Co AROMATIC AMINE DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE USING THE SAME
JP6060530B2 (ja) 2012-06-12 2017-01-18 ソニー株式会社 有機電界発光素子及び表示装置
JP5966736B2 (ja) 2012-07-31 2016-08-10 東ソー株式会社 カルバゾール化合物、その製造法、及びその用途
EP2915199B1 (de) 2012-10-31 2021-03-31 Merck Patent GmbH Elektronische vorrichtung
KR20140061968A (ko) 2012-11-13 2014-05-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 조명 장치, 및 전자 기기
WO2014097866A1 (ja) 2012-12-18 2014-06-26 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
KR101684979B1 (ko) * 2012-12-31 2016-12-09 제일모직 주식회사 유기광전자소자 및 이를 포함하는 표시장치
KR101820865B1 (ko) * 2013-01-17 2018-01-22 삼성전자주식회사 유기광전자소자용 재료, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치
JP6137898B2 (ja) 2013-03-26 2017-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、照明装置、発光装置、表示装置、電子機器
KR102201319B1 (ko) 2014-01-14 2021-01-11 삼성전자주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
JP6556995B2 (ja) 2014-10-28 2019-08-07 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2016092297A (ja) 2014-11-07 2016-05-23 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機電界発光素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI706946B (zh) * 2017-12-29 2020-10-11 昱鐳光電科技股份有限公司 經咔唑取代之三嗪化合物及其有機電激發光元件
TWI702207B (zh) * 2018-11-02 2020-08-21 昱鐳光電科技股份有限公司 芳胺化合物及其有機電激發光裝置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101768763B1 (ko) 2017-08-16
JP6275679B2 (ja) 2018-02-07
TW201617329A (zh) 2016-05-16
JP2016094408A (ja) 2016-05-26
US10014480B2 (en) 2018-07-03
US20160133848A1 (en) 2016-05-12
KR20160056767A (ko) 2016-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI545117B (zh) 雜環化合物及使用該化合物之有機電場發光裝置
KR102005723B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
KR101838675B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
KR101719173B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
KR101759966B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
KR101707799B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
JP5697599B2 (ja) 有機電界発光素子
KR101631079B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
JP2013526014A (ja) 新規有機電界発光化合物およびこれを使用する有機電界発光素子
KR101877327B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
TWI567069B (zh) 有機電場發光元件
KR101941529B1 (ko) 함질소 방향족 화합물 및 유기 전계 발광 소자
KR20120031684A (ko) 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계 발광 소자
KR20150100860A (ko) 유기전계발광 소자용 재료 및 이것을 사용한 유기전계발광 소자
KR20190020514A (ko) 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자
KR101226701B1 (ko) 방향족 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR20160059733A (ko) 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR20210022272A (ko) 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20130069431A (ko) 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자
JP5520972B2 (ja) カルバゾール誘導体とそれを用いた有機エレクトロルミネセンス装置及びその製造方法
TWI667331B (zh) 可產生發光激態複體之有機發光元件
JP5591066B2 (ja) 有機電界発光素子及び電荷輸送材料
KR102135223B1 (ko) 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
TWI475092B (zh) 咔唑衍生物及其有機電激發光裝置及製造方法
CN105585555B (zh) 杂环化合物及使用该化合物的有机电致发光装置