TWI539221B - A liquid crystal display panel and a liquid crystal display device provided with the liquid crystal display panel - Google Patents

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TWI539221B TW101111927A TW101111927A TWI539221B TW I539221 B TWI539221 B TW I539221B TW 101111927 A TW101111927 A TW 101111927A TW 101111927 A TW101111927 A TW 101111927A TW I539221 B TWI539221 B TW I539221B
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Hiroshi Matsukizono
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Description

液晶顯示面板及具備其之液晶顯示裝置
本發明係關於一種液晶顯示面板及具備其之液晶顯示裝置，尤其係關於一種使用將氧化物半導體用於通道層之TFT(Thin Film Transistor：薄膜電晶體)之液晶顯示面板及具備其之液晶顯示裝置。
近年來，將氧化物半導體用於通道層之TFT受到關注。由於包含該氧化物半導體之薄膜(以下，亦稱為「氧化物半導體膜」)為高遷移率，且可視光之透過性較高，故用於液晶顯示裝置等之用途。作為氧化物半導體膜，例如已知有包含將銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、及氧(O)作為主成份之作為氧化物半導體之InGaZnOx(以下，稱為「IGZO」)者。
又，液晶顯示面板中，存在由於向TFT之通道層之光入射而產生該TFT之臨限值變動之問題。尤其，已知在將IGZO用於通道層之TFT(以下，有時稱為「IGZO-TFT」)中，可視光之短波長側中由於光吸收而導致導電性變動(例如，參照專利文獻1)。即，在將IGZO用於通道層之TFT中，藉由短波長之可視光入射至通道層，產生臨限值變動。此成為液晶顯示面板之可靠性降低之原因。
與本發明相關，專利文獻2中，揭示有在彩色濾光片基板上相對於陣列基板之TFT之位置配置有最好地吸收短波長之光之紅色之彩色濾光片圖案之液晶顯示面板。根據如 此之構成，由於可防止短波長之光向TFT之通道層入射，故可抑制TFT之臨限值變動。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-250984號公報[專利文獻2]日本特開2001-91971號公報
然而，在專利文獻2中記載之液晶顯示面板中，相對於藍色及綠色之次像素形成部之TFT之位置上配置有紅色之彩色濾光片圖案。即，互不相同之顏色之彩色濾光片鄰近設置。因此，自TFT周邊漏泄之紅色光混於藍色或綠色之顯示中。其結果，由於藍色或綠色之顯示中混入紅色，故顯示品質降低。
因此，本發明之目的在於提供一種一面抑制顯示品質之降低，一面提高薄膜電晶體之可靠性之液晶顯示面板及具備其之液晶顯示裝置。
本發明之第1態樣係提供一種液晶顯示面板，其特徵為，其係用以顯示基於特定數之原色之彩色圖像者，且具備：相互對向之第1基板及第2基板；夾於上述第1基板與上述第2基板之間之液晶層；以相互交叉之方式配置於上述第1基板上之複數之影像 信號線及複數之掃描信號線；沿著上述複數之影像信號線及上述複數之掃描信號線以矩陣狀配置之複數之像素形成部；及上述特定數之原色之各者之著色層；各像素形成部包含分別與上述特定數之原色對應之複數之次像素形成部；各次像素形成部含有：與沿著該次像素形成部之上述影像信號線與上述掃描信號線對應配置，且通道層包含氧化物半導體之薄膜電晶體；及連接於上述薄膜電晶體，且與該次像素形成部所對應之原色之著色層對向之像素電極；且在各像素形成部中，上述複數之次像素形成部之像素電極排列於特定方向；連接於在上述特定方向上鄰接於與上述特定數之原色中波長最短之原色之著色層對向之像素電極之一方之像素電極之薄膜電晶體，相對於該一方之像素電極，配置於該與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之相反側；連接於上述與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之薄膜電晶體、與該與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之距離，大於連接於上述一方之像素電極之薄膜電晶體與該一方之像素電極之距離；連接於在上述特定方向上鄰接於上述與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之另一方之像素電極之薄膜電晶 體、與該與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之距離，為連接於該與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之薄膜電晶體、與該與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之距離以上。
本發明之第2態樣，如本發明之第1態樣，其中：上述特定方向係上述複數之掃描信號線之延伸方向；連接於在上述複數之掃描信號線之延伸方向上鄰接於上述與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之另一方之像素電極之薄膜電晶體、與該與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之距離，大於連接於該與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之薄膜電晶體、與該與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之距離。
本發明之第3態樣，如本發明之第2態樣，其中：連接於上述與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之薄膜電晶體、與連接於上述另一方之像素電極之薄膜電晶體，配置於包夾與其各自連接之上述影像信號線而相互對向之位置。
本發明之第4態樣，如本發明之第1態樣，其中：上述特定方向係上述複數之影像信號線之延伸方向；連接於在上述複數之影像信號線之延伸方向上鄰接於上述與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之另一方之像素電極之薄膜電晶體、與該與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之距離，與連接於該與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之薄膜電晶體、與該與波長最短之原色之著色層 對向之像素電極之距離相等。
本發明之第5態樣，如本發明之第1態樣，其中於與各薄膜電晶體對向之位置上配置有遮光層。
本發明之第6態樣，如本發明之第1態樣，其中上述著色層配置於上述第2基板上。
本發明之第7態樣，如本發明之第1態樣，其中上述著色層配置於與該著色層對向之像素電極上。
本發明之第8態樣，如本發明之第1態樣，其中上述波長最短之原色為藍色。
本發明之第9態樣，如本發明之第8態樣，其中上述彩色圖像基於紅色、綠色、及藍色而顯示。
本發明之第10態樣，如本發明之第8態樣，其中上述彩色圖像基於紅色、綠色、藍色、及黃色而顯示。
本發明之第11態樣係提供一種液晶顯示裝置，其特徵為具備本發明之第1態樣至第10態樣中任一項之液晶顯示面板。
根據本發明之第1態樣，在用以顯示基於特定數之原色之彩色圖像之液晶顯示面板中，與上述特定數之原色中波長最短之原色對應之次像素形成部之薄膜電晶體配置於距該波長最短之原色之著色層較先前更遠離之位置。再者，配置於在特定方向上連續排列之與第1原色之著色層對向之像素電極和與第2原色之著色層對向之像素電極之間之薄膜電晶體中，與上述波長最短之原色對應之次像素形成 部之薄膜電晶體以外之薄膜電晶體亦配置於距上述波長最短之原色之著色層較先前更遠離之位置。其結果，由於可抑制上述波長最短之原色之光向與波長最短之原色對應之次像素形成部之薄膜電晶體與配置於在上述特定方向上連續排列之與第1原色之著色層對向之像素電極和與第2原色之著色層對向之像素電極之間之薄膜電晶體中，與上述波長最短之原色對應之次像素形成部之薄膜電晶體以外之薄膜電晶體之入射，故該等之薄膜電晶體之臨限值變動減小。因此，可提高液晶顯示面板之薄膜電晶體之可靠性。另，由於未採用將互不相同之原色之彩色濾光片設置於接近位置之上述專利文獻2所示之構成，故可抑制次像素形成部中之顯示中混入其他原色所致之顯示品質之降低。
根據本發明之第2態樣或第3態樣，在著色層於複數之掃描信號線之延伸方向以條狀形成之液晶顯示面板中，可發揮與本發明之第1態樣相同之效果。
根據本發明之第4態樣，在著色層於複數之影像信號線之延伸方向以條狀形成之液晶顯示面板中，可發揮與本發明之第1態樣相同之效果。
根據本發明之第5態樣，由於向各薄膜電晶體之光之入射受到抑制，故該薄膜電晶體之臨限值變動減小。藉此，可進一步提高液晶顯示面板之薄膜電晶體之可靠性。
根據本發明之第6態樣，在著色層配置於第2基板側之液晶顯示面板中，可發揮與本發明之第1態樣相同之效果。
根據本發明之第7態樣，在著色層配置於第1基板側之液 晶顯示面板中，可發揮與本發明之第1態樣相同之效果。
根據本發明之第8態樣，由於可抑制藍色光向與藍色對應之薄膜電晶體與配置於在上述特定方向上連續排列之與第1原色之著色層對向之像素電極和與第2原色之著色層對向之像素電極之間之薄膜電晶體中與藍色對應之次像素形成部之薄膜電晶體以外之薄膜電晶體之之入射，故該等之薄膜電晶體之臨限值變動減小。因此，可提高液晶顯示面板之薄膜電晶體之可靠性。
根據本發明之第9態樣，在用以顯示基於紅色．綠色．藍色之3原色之彩色圖像之液晶顯示面板中，可發揮與本發明之第8態樣相同之效果。
根據本發明之第10態樣，在用以顯示基於紅色．綠色．藍色．黃色之4原色之彩色圖像之液晶顯示面板中，可發揮與本發明之第8態樣相同之效果。
根據本發明之第11態樣，在液晶顯示裝置中，可發揮與本發明之第1態樣至第10態樣中任一者相同之效果。
<0.基礎研究>
在就本發明之實施形態進行說明前，為解決上述問題就由本發明者完成之基礎研究進行說明。
<0.1實驗>
本發明者測定一面使用氙氣燈光源將紅色(λ=640 nm)、綠色(λ=520 nm)、及藍色(λ=460 nm)之單色光分別照射至IGZO-TFT一面將閘極偏壓應力賦予該IGZO-TFT之情形、 與不照射光而將閘極偏壓應力賦予IGZO-TFT之情形之臨限值之變動量(以下，稱為「臨限值變動」)。
圖11係顯示用於本測定之IGZO-TFT之構成之剖面圖。如圖11所示，該IGZO-TFT為蝕刻終止構造之底閘極型TFT。
包含玻璃等之絕緣基板111上形成有閘極電極121。閘極電極121為鈦(Ti)膜、鋁(Al)膜、Ti膜依序成膜之積層膜。
閘極電極121上，以覆蓋閘極電極121之方式成膜有閘極絕緣膜122。閘極絕緣膜122為氮化矽(SiNx)膜、氧化矽(SiO2)膜依序成膜之積層膜。
閘極絕緣膜122上，形成有包含通道長為7~16 μm、膜厚為35~55 nm之IGZO之通道層123。
通道層123之圖11之左側上部、右側上部、及中央上部中形成有包含SiO2之蝕刻終止層124。
以覆蓋圖11之左側上部之蝕刻終止層124、表面露出於該左側上部之蝕刻終止層124及中央上部之蝕刻終止層124之間之通道層123、與中央上部之蝕刻終止層124之左側端部之方式形成有源極電極125s。又，以覆蓋右側上部之蝕刻終止層124、表面露出於該右側上部之蝕刻終止層124及中央上部之蝕刻終止層124之間之通道層123、與中央上部之蝕刻終止層124之右側端部之方式形成有汲極電極125d。
左側上部之蝕刻終止層124及中央上部之蝕刻終止層124之間形成有接觸孔，源極電極125s與通道層123利用該接 觸孔連接。同樣地，右側上部之蝕刻終止層124及中央上部之蝕刻終止層124之間形成有接觸孔，汲極電極125d與通道層123利用該接觸孔連接。源極電極125s及汲極電極125d為Ti膜、Al膜、Ti膜依序成膜之積層膜。
以覆蓋形成有源極電極125s及汲極電極125d之絕緣基板111整體之方式成膜有包含SiO2之無機保護膜126。
圖12係表示相對於賦予閘極偏壓應力之時間(以下，稱為「應力時間」)之臨限值變動△Vth之圖。此處，將實驗溫度設為85℃，將閘極施加電壓設為-30 V。如圖12所示，在無光照射之情形(「Dark」之圖表)下，即使經過應力時間，臨限值變動仍幾乎不產生。另一方面，在照射紅色之單色光之情形(「λ=640 nm」之圖表)、照射綠色之單色光之情形(「λ=520 nm」之圖表)、及照射藍色之單色光之情形(「λ=460 nm」之圖表)下，隨著經過應力時間，臨限值變動變大。照射至IGZO-TFT之光之波長越短，該臨限值變動越大。尤其，在照射可視光中波長較短之藍色光之情形下，臨限值變動最大。
該原因如下思考。即，雖IGZO一般作為透明氧化物半導體材料而眾所周知，但相對於可視光則並非完全透明。尤其，可視光中波長較短之藍色光易被吸收。藉此，在IGZO中形成有特定之能階。又，即使在閘極絕緣膜122與通道層(IGZO)123之界面中，波長較短之藍色光仍易被吸收。因此，在閘極絕緣膜122與通道層(IGZO)123之界面中形成有特定之能階。其結果，由於IGZO之導電率增加， 故產生臨限值變動(臨限值降低)。另，認為如此之問題係不限於IGZO，其他之氧化物半導體亦會產生。又，認為照射黃色之單色光之情形之臨限值變動較照射綠色之單色光之情形之臨限值變動小，且，較照射紅色之單色光之情形之臨限值變動大。
<0.2先前之液晶顯示面板之構造>
圖13係顯示先前之液晶顯示面板中尤其TFT基板側之一部份之構造之俯視圖。圖14係圖13之B-B'線剖面圖。該先前之液晶顯示面板以基於3原色而顯示彩色圖像之方式構成。如圖14所示，該液晶顯示面板係由TFT基板110、與TFT基板110對向之對向基板140、夾於TFT基板110與對向基板140之液晶層180構成。
如圖13所示，對應源極線SL(i)及閘極線GL(j)之交叉點配置有R用TFT120r，該R用TFT120r之汲極電極上連接有R用像素電極130r。在與該R用像素電極130r對向之位置上，配置有紅色之彩色濾光片152r(以下，稱為「R彩色濾光片152r」)。同樣地，對應源極線SL(i+1)及閘極線GL(j)之交叉點配置有G用TFT120g，該G用TFT120g之汲極電極上連接有G用像素電極130g。在與該G用像素電極130g對向之位置上，配置有綠色之彩色濾光片152g(以下，稱為「G彩色濾光片152g」)。又同樣地，對應源極線SL(i+2)及閘極線GL(j)之交叉點配置有B用TFT120b，該B用TFT120b之汲極電極上連接有B用像素電極130b。在與該B用像素電極130b對向之位置上，配置有藍色之彩色濾光片 152b(以下，稱為「B彩色濾光片152b」)。如圖13及圖14所示，彩色濾光片之間，形成有黑色矩陣151。
以下，在未區分R用TFT120r、G用TFT120g、及B用TFT120b之情形下，將該等稱為「TFT120」。同樣地，在未區分R用像素電極130r、G用像素電極130g、及B用像素電極130b之情形下，將該等稱為「像素電極130」。
在如此之液晶顯示面板中，外部光及背光光入射至該液晶顯示面板內。如此入射之光藉由通過彩色濾光片成為紅色、綠色或藍色之任一色之光。如上述之實驗結果所示，若光入射至TFT之通道層則產生臨限值變動，在入射光為藍色之情形下，尤其其臨限值變動變大。
如圖14所示，入射至液晶顯示面板內之外部光及背光光通過B彩色濾光片152b。且，該等外部光及背光光成為藍色光。該藍色光在液晶顯示面板內反復反射後，入射至B用TFT120b之通道層123。因此，B用TFT120b中產生較大之臨限值變動。另，該藍色光不僅入射至B用TFT120b之通道層123，亦會入射至於源極線SL(i+3)上連接有源極電極之R用TFT120r之通道層123。因此，有R用TFT120r中亦產生較大之臨限值變動之虞。
為抑制如此之臨限值變動，即使採用專利文獻2中記載之構成，仍如上所述，由於在與藍色及綠色之次像素形成部之TFT相對之位置上配置有紅色之彩色濾光片圖案，故來自該TFT周邊之漏泄之光會混入藍色及綠色之顯示中。即，於藍色及綠色之顯示中混入紅色。因此，顯示品質降 低。
就基於以上之基礎研究而由本發明者完成之本發明之實施形態，以下，一面參照添附圖面一面進行說明。
<1. 第1實施形態>
<1.1 液晶顯示裝置之構成>
圖1係顯示具備本發明之第1實施形態之液晶顯示面板100之液晶顯示裝置之構成之方塊圖。如圖1所示，該液晶顯示裝置由液晶顯示面板100、源極驅動器(影像信號線驅動電路)200、閘極驅動器(掃描信號線驅動電路)300、及顯示控制電路400等構成。本實施形態之液晶顯示面板100可為反射型、透過型、半透過型之任一者，在為透過型或半透過型之情形下，於液晶顯示面板100之背面配置背光。
液晶顯示面板100由一對電極基板及被該等夾持之液晶層構成，於各電極基板之外表面上貼附有偏光板。上述一對電極基板之一方為稱為TFT基板之主動矩陣型基板。該TFT基板(第1基板)由在玻璃基板等之絕緣基板上，以相互交叉之方式配置成格狀之複數之源極線(影像信號線)SL(1)~SL(n)(以下，在未區分該等之情形下稱為「源極線SL」)及複數之閘極線(掃描信號線)GL(1)~GL(m)(以下，在未區分該等之情形下稱為「閘極線GL」)、與對應源極線SL及閘極線GL之各交叉點而設置之TFT、像素電極、及輔助電容電極構成。上述一對電極基板之另一方稱為對向基板，由玻璃基板等之絕緣基板、及遍及該絕緣基板上之全面而形成之共同電極等構成。由像素電極及與其對向 之後述之共同電極形成液晶電容，由像素電極與輔助電容電極形成輔助電容。以下，有時將該等液晶電容及輔助電容合稱為「像素電容」。另，就液晶顯示面板100之詳細之說明於後述。
顯示控制電路400自外部接收顯示資料DAT及時序控制信號TS，作為用以使顯示資料DAT所表示之圖像在液晶顯示面板100中顯示之信號，而輸出圖像信號DV、源極啟動脈衝信號SSP、源極時脈信號SCK、閘極啟動脈衝信號GSP、及閘極時脈信號GCK等。該顯示控制電路400典型地作為IC(Integrated Circuit：積體電路)而實現。
源極驅動器200接收自顯示控制電路400輸出之圖像信號DV、源極啟動脈衝信號SSP、源極時脈信號SCK等，且於源極線SL(1)~SL(n)上分別施加源極信號SS(1)~SS(n)(以下，在未區分該等之情形下稱為「源極信號SS」)。該源極驅動器200典型地作為IC而實現。
閘極驅動器300接收自顯示控制電路400輸出之閘極啟動脈衝信號GSP及閘極時脈信號GCK等，在用以在液晶顯示面板100中顯示圖像之各圖框時間(各垂直掃描時間)中，每1水平掃描時間依序選擇閘極線GL(1)~GL(m)，且於選擇之閘極線GL(1)~GL(m)上分別施加主動之閘極信號GS(1)~GS(m)(以下，在未區分該等之情形下稱為「閘極信號GS」)。另，該閘極驅動器300可作為IC而實現，亦可藉由與液晶顯示面板100一體形成而實現。
另，與像素電極對向之後述之共同電極中，利用未圖示 之共同電極驅動電路，賦予成為應施加於液晶顯示面板100之液晶層之電壓之基準之共同電位Vcom。輔助電容電極中，可自共同電極驅動電路賦予共同電位Vcom，亦可自其他之驅動電路賦予電位。
如此，對各源極線SL施加有源極信號SS，對各閘極線GL施加有閘極信號GS，藉此，在液晶顯示面板100之各像素電極中將共同電位Vcom作為基準，與應顯示之像素之像素值對應之電壓經由TFT賦予，並保持於像素電容中。藉此，液晶層中，施加有相當於各像素電極與共同電極之電位差之電壓。其結果，液晶顯示面板100中，顯示有基於自外部傳送之顯示資料DAT之圖像。
<1.2液晶顯示面板之構成>
其次，就本實施形態之液晶顯示面板100之詳細之構成(電性構成及構造)，一面參照圖2~圖4一面進行說明。
<1.2.1電性構成>
首先，就本實施形態之液晶顯示面板100之電性構成進行說明。圖2係顯示本實施形態之液晶顯示面板100之像素形成部之電性構成之電路圖。如圖2所示，本實施形態之液晶顯示面板100以基於3原色(紅色．綠色．藍色)顯示彩色圖像之方式構成。即，各像素形成部MP由顯示紅色(R)成份之次像素形成部SPr(以下，稱為「R次像素形成部SPr」)、顯示綠色(G)成份之次像素形成部SPg(以下，稱為「G次像素形成部SPg」)、及顯示藍色(B)成份之次像素形成部SPb(以下，稱為「B次像素形成部SPb」)構成。如此 之像素形成部MP沿著源極線SL及閘極線GL以矩陣狀配置。以下，在未區分R次像素形成部SPr、G次像素形成部SPg、及B次像素形成部SPb之情形下，將該等稱為「次像素形成部SP」。
R次像素形成部SPr由閘極端子連接於通過對應之交叉點之閘極線GL(j)且源極端子連接於通過該交叉點之源極線SL(i)之R用TFT120r、連接於該R用TFT120r之汲極端子之R用像素電極130r與未圖示之輔助電容電極構成。另，該輔助電容電極並非必須之構成。如上所述，由像素電極130r與與其對向之後述之共同電極形成液晶電容，由像素電極130r與輔助電容電極形成輔助電容。由該等液晶電容及輔助電容形成像素電容Cp。
G次像素形成部SPg及B次像素形成部SPb分別，除了R用TFT120r及R用像素電極130r外，與R次像素形成部SPr為相同之構成。即，G次像素形成部SPg，取代R用TFT120r及R用像素電極130r，具有閘極端子連接於通過對應之交叉點之閘極線GL(j)且源極端子連接於通過該交叉點之源極線SL(i+1)之G用TFT120g與連接於該G用TFT120g之汲極端子之G用像素電極130g。同樣地，B次像素形成部SPb，取代R用TFT120r及R用像素電極130r，具有閘極端子連接於通過對應之交叉點之閘極線GL(j)且源極端子連接於通過該交叉點之源極線SL(i+2)之B用TFT120b與連接於該B用TFT120b之汲極端子之B用像素電極130b。
<1.2.2構造>
其次，就本實施形態之液晶顯示面板100之構造進行說明。圖3係顯示本實施形態之液晶顯示面板100中尤其TFT基板側之一部份之構造之俯視圖。圖4係圖3之A-A'線剖面圖。
如圖4所示，液晶顯示面板100由TFT基板110、與TFT基板110對向之對向基板140與夾於TFT基板110及對向基板140間之液晶層180構成。另，TFT基板110及對向基板140之各自之外表面上貼附有偏光板(未圖示)。
TFT基板110藉由形成玻璃基板等之絕緣基板111，在該絕緣基板111上以相互交叉之方式格狀配置之閘極線GL及源極線SL，閘極電極(閘極端子)121連接於閘極線GL且源極電極(源極端子)125s連接於源極線SL之TFT120，與經由接觸孔CH連接於TFT120之汲極電極(汲極端子)125d之像素電極130而構成。另，閘極線GL與連接於此之閘極電極121實際上連續形成。同樣地，源極線SL與連接於此之源極電極125s實際上連續形成。
更詳細而言，以覆蓋形成有閘極線GL之絕緣基板111整體之方式形成有閘極絕緣膜122，且經由該閘極絕緣膜122等閘極線GL與源極線SL相互交叉。又，以覆蓋形成有閘極線GL、源極線SL及TFT120之絕緣基板111整體之方式，無機保護膜126及有機保護膜127依序積層。該等無機保護膜126及有機保護膜127之一部份上形成有接觸孔CH，且以經由該接觸孔CH連接於TFT120之汲極電極125d之方式像素電極130形成於有機保護膜127上。另，有機保護膜 127為用以平坦地形成像素電極130者，並非必須之構成。
如圖3所示，自閘極線GL之延伸方向(以下，稱為「閘極線延伸方向」)之前方起，R用像素電極130r、G用像素電極130g、B用像素電極130b依序排列。此處，所謂閘極線延伸方向之前方，指閘極線GL連接於閘極驅動器300之側。又，將與閘極線延伸方向之前方成相反之側作為閘極線延伸方向之後方。
源極線SL之延伸方向(以下，稱為「源極線延伸方向」)上，排列有同一原色用之像素電極130(未圖示)。以下，將源極線SL連接於源極驅動器200之側稱為源極線延伸方向之前方，將與該前方成相反之側稱為源極線延伸方向之後方。
本實施形態中雖如上所述，自閘極線延伸方向之前方起依序排列R用像素電極130r、G用像素電極130g、B用像素電極130b，但像素電極130之排列順序並非限定於此。例如，亦可為自閘極線延伸方向之前方起依序排列R用像素電極130r、B用像素電極130b、G用像素電極130g之順序等。
又，本實施形態及後述之各實施形態中，絕緣基板111上中，與各像素電極130之一部份對向之位置上形成有輔助電容電極132。另，該輔助電容電極132之形成位置並非限定於本實施形態及後述之各實施形態之態樣者。又，不如上所述般形成該輔助電容電極132亦可。
對向基板140包含：玻璃基板等之絕緣基板141；形成於 該絕緣基板141上之作為遮光層之黑色矩陣151；作為紅色之著色層之R彩色濾光片152r、作為綠色之著色層之G彩色濾光片152g、及作為藍色之著色層之B彩色濾光片152b(以下，在未區分該等之情形下稱為「彩色濾光片152」)；以覆蓋黑色矩陣151及彩色濾光片152之方式形成之保護膜153；及形成於保護膜153上之共同電極160。各彩色濾光片152於源極線延伸方向上以條狀形成。本說明書中，將如此於源極線延伸方向上以條狀形成之彩色濾光片稱為「縱條狀之彩色濾光片」。
為充分抑制外部光及背光光之漏泄，如圖4所示，期望使黑色矩陣151之一部份與彩色濾光片152之一部份重疊。另，保護膜153為用以平坦地形成共同電極160者，並非必須之構成要件。
如圖3及圖4所示，R用像素電極130r與R彩色濾光片152r相互對向。同樣地，G用像素電極130g與G彩色濾光片152g相互對向，B用像素電極130b與B彩色濾光片152b相互對向。又，為抑制外部光及背光光之漏泄，期望使像素電極130之端部與黑色矩陣151對向。
此處，就TFT120之構成，舉R用TFT120r為例進行說明。如圖4所示，R用TFT120r為蝕刻終止構造之底閘極型TFT。R用TFT120r形成於絕緣基板111上，且自絕緣基板111側起依序積層有閘極電極121(閘極線GL(j))、閘極絕緣膜122、包含IGZO之通道層123、蝕刻終止層124、源極電極125s(源極線SL(i+3))．汲極電極125d、無機保護膜126而 構成。另，通道層123以外之各層．各膜．各電極之材料並非特別限定者。又，各層．各膜．各電極亦並非特別限定者。由於G用TFT120g及B用TFT120b為與R用TFT120r相同之構成，故省略其說明。
其次，就本實施形態之TFT120之配置進行說明。如圖3所示，本實施形態中，汲極電極125d連接於在閘極線延伸方向上鄰接在B用像素電極130b之前方之G用像素電極130g(一方之像素電極)之G用TFT120g相對於該G用像素電極130g，配置於B用像素電極130b之相反側。汲極電極125d連接於B用像素電極130b之B用TFT120b與該B用像素電極130b之距離較汲極電極125d連接於G用像素電極130g(一方之像素電極)之G用TFT120g與該G用像素電極130g之距離大。汲極電極125d連接於在閘極線延伸方向上鄰接在B用像素電極130b之後方之R用像素電極130r(另一方之像素電極)之R用TFT120r與B用像素電極130b之距離較連接於B用像素電極130b之B用TFT120b與該B用像素電極130b之距離大。
又，如圖3所示，連接有B用TFT120b之源極電極125s之源極線SL(i+2)與連接有R用TFT120r之源極電極125s之源極線SL(i+3)於閘極線延伸方向上相互鄰接。即，汲極電極125d連接於B用像素電極130b之B用TFT120b與汲極電極125d連接於在閘極線延伸方向上鄰接在該B用像素電極130b之後方之R用像素電極130r(另一方之像素電極)之R用TFT120r，配置於包夾分別連接有該B用TFT120b及R用 TFT120r之源極電極125s之源極線SL(i+2)及SL(i+3)而相互對向之位置。
再者，如圖3所示，源極電極125s連接於源極線SL(i)或源極線SL(i+3)之R用TFT120r、及源極電極125s連接於源極線SL(i+1)之G用TFT120g與先前相同，分別配置於R用像素電極130r及G用像素電極130g之附近(缺口部份)。相對於此，源極電極125s連接於源極線SL(i+2)之B用TFT120b配置於距B用像素電極130b較先前更遠離，且較先前更靠近R用像素電極130r之位置。
如此，本實施形態中，B次像素形成部SPb之B用TFT120b配置於距連接於該B用TFT120b之汲極電極125d之B用像素電極130b及與此對向之B彩色濾光片152b較先前更遠離之位置。與此同時，鄰接於B次像素形成部SPb之R次像素形成部SPr之R用TFT120r配置於距該B次像素形成部SPb之B用像素電極130b及與此對向之B彩色濾光片152b較先前更遠離之位置。另，B次像素形成部SPb之B用像素電極130b及與此對向之B彩色濾光片152b與G次像素形成部SPg之G用TFT120g之距離與先前相同。
如圖3及圖4所示，彩色濾光片152之間配置有黑色矩陣151。即，各TFT120上配置有黑色矩陣151。藉此，由於可抑制向各TFT120之光之入射，故各TFT120之臨限值變動減小。本實施形態中，與上述之TFT120之配置相一致，B彩色濾光片152b與R彩色濾光片152r之間之黑色矩陣151之寬度(閘極線延伸方向之長度)設定為分別較R彩色濾光片 152r與G彩色濾光片152g之間之黑色矩陣151之寬度、及G彩色濾光片152g與B彩色濾光片152b之間之黑色矩陣151之寬度大。又，為使各次像素形成部SP之開口率均一，均一地設定各彩色濾光片152之寬度。
如上所述，本實施形態中，形成有縱條狀之彩色濾光片152。各彩色濾光片152遍及源極線延伸方向連續形成。即，如圖3所示，於源極線延伸方向，與分別位於各像素電極130之前方及後方之閘極線GL(j-1)及GL(j)對向之位置上亦配置有彩色濾光片152。然而，本發明並非限定於此，各彩色濾光片152可於源極線延伸方向不連續地形成。即，可於源極線延伸方向，在與分別位於各像素電極130之前方及後方之閘極線GL(j-1)及GL(j)對向之位置上，替代彩色濾光片152而配置有黑色矩陣151。
<1.3效果>
根據本實施形態，在形成有縱條狀之彩色濾光片之用以顯示基於紅色．綠色．藍色之3原色之彩色圖像之液晶顯示面板中，B次像素形成部SPb之B用TFT120b配置於距B彩色濾光片152b較先前更遠離之位置。再者，配置於在閘極線延伸方向上連續排列之B用像素電極130b與R用像素電極130r之間之R用TFT120r亦配置於距B彩色濾光片152b較先前更遠離之位置。其結果，由於可抑制向B用TFT120b及R用TFT120r之藍色光之入射，故可減小該等之TFT之臨限值變動。因此，可提高液晶顯示面板之TFT之可靠性。
另，本實施形態中，雖由於B用TFT120b之位置較先前 更靠近R用TFT120r及與此對向之R彩色濾光片152r之位置，故入射至B用TFT120b之紅色光之入射量較先前增加，但此不妨礙上述之臨限值變動之減小。即，由於B用TFT120b中，一方面紅色光之入射量增加，另一方面較紅色光波長短之藍色光之入射量減少，故作為結果，如上所述B用TFT120b之臨限值變動較先前減小。
又，本實施形態中，由於未採用將互不相同之原色之彩色濾光片設置於接近位置之上述專利文獻2所示之構成，故可抑制因次像素形成部中之顯示中混入其他之原色(例如，次像素形成部SPb中之顯示中混入紅色)引起之顯示品質之降低。
<1.4變化例>
圖5係顯示本發明之第1實施形態之變化例之液晶顯示面板100中尤其TFT基板側之一部份之構造之俯視圖。如圖5所示，本變化例為較上述第1實施形態，使R用像素電極130r及R彩色濾光片152r之寬度(閘極線延伸方向之長度)更小者。另，其他之構成要件與上述第1實施形態相同。
於閘極線延伸方向上位於B用像素電極130b之後方之R用像素電極130r及與此相對之R彩色濾光片152r之寬度分別設定為較其他原色之像素電極130及與此相對之彩色濾光片152之寬度更小。換言之，以B彩色濾光片152b與R彩色濾光片152r之間之黑色矩陣151之寬度分別較R彩色濾光片152r與G彩色濾光片152g之間之黑色矩陣151之寬度及G彩色濾光片152g與B彩色濾光片152b之間之黑色矩陣151之 寬度更大之程度，R用像素電極130r之寬度及R彩色濾光片152r之寬度變小。藉此，不會使液晶顯示面板100之尺寸較先前更大，從而可提高液晶顯示面板100之可靠性。
本變形例中，期望以縮小R用像素電極130r之寬度及R彩色濾光片152r之寬度之程度，使應施加於經由R用TFT120r連接於R用像素電極130r之源極線SL上之源極信號SS之電壓變化(在正常黑之情形下提高，在正常白之情形下降低)。
另，亦可取代R用像素電極130r及R彩色濾光片152r之寬度，縮小G用像素電極130g及G彩色濾光片152g之寬度。同樣地，亦可取代R用像素電極130r及R彩色濾光片152r之寬度，縮小B用像素電極130b及B彩色濾光片152b之寬度。
<2.第2實施形態> <2.1液晶顯示面板之構造>
就本發明之第2實施形態之液晶顯示面板100之構造，一面參照圖6一面進行說明。另，對於本實施形態之構成要件中與第1實施形態相同之要件，附加相同之參照符號而省略說明。圖6係顯示本發明之第2實施形態之液晶顯示面板100之一部份之構造之剖面圖(相當於圖3之A-A'線剖面圖者)。
相對於上述第1實施形態之液晶顯示面板100中，黑色矩陣151及彩色濾光片152配置於對向基板140上，本實施形態之液晶顯示面板100中，如圖6所示，該等黑色矩陣151 及彩色濾光片152配置於TFT基板110側。
黑色矩陣151以覆蓋有機保護膜127及像素電極130之一部份(與接觸孔CH對應之部份)之方式形成。例如，以覆蓋有機保護膜127與B用像素電極130b中與接觸孔CH對應之部份及R用像素電極130r中與接觸孔CH對應之部份之各者之方式形成有黑色矩陣151。
又，各彩色濾光片152以覆蓋對向之像素電極130及黑色矩陣151之一部份之方式形成。例如，以覆蓋B用像素電極130b與覆蓋該B用像素電極130b中與接觸孔CH對應之部份之黑色矩陣151之一部份(接觸孔CH之上方部份)之方式，形成有B彩色濾光片152b。又例如，以覆蓋R用像素電極130r與覆蓋該R用像素電極130r中與接觸孔CH對應之部份之黑色矩陣151之一部份(接觸孔CH之上方部份)之方式，形成有R彩色濾光片152r。
對向基板140為絕緣基板141上直接形成有共同電極160之構成。
另，本實施形態之TFT120之配置，與上述第1實施形態者相同(與圖3中顯示之配置相同)。汲極電極125d連接於在閘極線延伸方向上鄰接在B用像素電極130b之前方之G用像素電極130g(一方之像素電極)之G用TFT120g，相對於該G用像素電極130g，配置於B用像素電極130b之相反側。汲極電極125d連接於B用像素電極130b之B用TFT120b與該B用像素電極130b之距離較汲極電極125d連接於G用像素電極130g(一方之像素電極)之G用TFT120g與該G用像素電 極130g之距離大。汲極電極125d連接於在閘極線延伸方向上鄰接在B用像素電極130b之後方之R用像素電極130r(另一方之像素電極)之R用TFT120r與B用像素電極130b之距離較連接於B用像素電極130b之B用TFT120b與該B用像素電極130b之距離大。
又，連接有B用TFT120b之源極電極125s之源極線SL(i+2)與連接有R用TFT120r之源極電極125s之源極線SL(i+3)於閘極線延伸方向上相互鄰接。即，汲極電極125d連接於B用像素電極130b之B用TFT120b與汲極電極125d連接於在閘極線延伸方向上鄰接在該B用像素電極130b之後方之R用像素電極130r(另一方之像素電極)之R用TFT120r，配置於包夾分別連接有該B用TFT120b及R用TFT120r之源極電極125s之源極線SL(i+2)及SL(i+3)而相互對向之位置。
再者，源極電極125s連接於源極線SL(i)或源極線SL(i+3)之R用TFT120r，及源極電極125s連接於源極線SL(i+1)之G用TFT120g，與先前相同，分別配置於R用像素電極130r及G用像素電極130g之附近(缺口部份)。相對於此，源極電極125s連接於源極線SL(i+2)之B用TFT120b配置於距B用像素電極130b較先前更遠離、且較先前更靠近R用像素電極130r之位置。
<2.2效果>
根據本實施形態，在黑色矩陣151及彩色濾光片152配置於TFT基板110側之液晶顯示面板100中，與上述第1實施形 態相同，向B用TFT120b及R用TFT120r之藍色光之入射受到抑制。因此，可發揮與第1實施形態相同之效果。
<3.第3實施形態> <3.1液晶顯示面板之構成>
就本發明之第3實施形態之液晶顯示面板100之構成(電性構成及構造)，一面參照圖7及圖8一面進行說明。另，對於本實施形態之構成要件中與第1實施形態相同之要件，附加相同之參照符號而省略說明。
<3.1.1電性構成>
首先，就本實施形態之液晶顯示面板100之電性構成進行說明。圖7係顯示本實施形態之液晶顯示面板100之像素形成部之電性構成之電路圖。相對於上述第1實施形態之液晶顯示面板100以基於3原色(紅色．綠色．藍色)顯示彩色圖像之方式構成，本實施形態之液晶顯示面板100，如圖7所示，以基於4原色(紅色、綠色、藍色、黃色)顯示彩色圖像之方式構成。即，各像素形成部MP由R次像素形成部SPr、G次像素形成部SPg、及B次像素形成部SPb，再加上顯示黃色(Y)之次像素形成部SPy(以下，稱為「Y次像素形成部SPy」)構成。以下，在未區分R次像素形成部SPr、G次像素形成部SPg、及B次像素形成部SPb、乃至Y次像素形成部SPy之情形下，將該等稱為「次像素形成部SP」。
Y次像素形成部SPy為與R次像素形成部SPr、G次像素形成部SPg、及B次像素形成部SPb相同之構成。即，Y次像素形成部SPy由閘極端子連接於通過對應之交叉點之閘極 線GL(j)且源極端子連接於通過該交叉點之源極線SL(i+3)之Y用TFT120y、連接於該Y用TFT120y之汲極端子之Y用像素電極130y、及未圖示之輔助電容電極構成。Y用TFT120y之構成與R用TFT120r、G用TFT120g、及B用TFT120b之構成相同。
以下，在未區分R用TFT120r、G用TFT120g、及B用TFT120b、乃至Y用TFT120y之情形下，將該等稱為「TFT120」。同樣地，在未區分R用像素電極130r、G用像素電極130g、及B用像素電極130b、乃至Y用像素電極130y之情形下，將該等稱為「像素電極130」。
<3.1.2構造>
其次，就本實施形態之液晶顯示面板100之構造進行說明。圖8係顯示本發明之第3實施形態之液晶顯示面板100中尤其TFT基板側之一部份之構造之俯視圖。
如圖8所述，本實施形態中，自閘極線延伸方向之前方起，依序排列R用像素電極130r、G用像素電極130g、B用像素電極130b、Y用像素電極130y。另，像素電極130之排列順序並非限定於此。例如，亦可為自閘極線延伸方向之前方起，依序排列R用像素電極130r、Y用像素電極130y、B用像素電極130b、G用像素電極130g之順序等。
與Y用像素電極130y對向之位置上，形成有作為黃色之著色層之黃色之彩色濾光片152y(以下，稱為「Y彩色濾光片152y」)。以下，在未區分R彩色濾光片152r、G彩色濾光片152g、及B彩色濾光片152b、乃至Y彩色濾光片152y 之情形下，將該等稱為「彩色濾光片152」。彩色濾光片152及黑色矩陣151可如上述第1實施形態般配置於對向基板140側，又，亦可如上述第2實施形態般配置於TFT基板110側。
其次，就本實施形態之TFT120之配置進行說明。如圖8所示，本實施形態中，汲極電極125d連接於在閘極線延伸方向上鄰接於B用像素電極130b之前方之G用像素電極130g(一方之像素電極)之G用TFT120g，相對於該G用像素電極130g而配置於B用像素電極130b之相反側。汲極電極125d連接於B用像素電極130b之B用TFT120b、與該B用像素電極130b之距離，大於汲極電極125d連接於G用像素電極130g(一方之像素電極)之G用TFT120g、與該G用像素電極130g之距離。汲極電極125d連接於在閘極線延伸方向上鄰接於B用像素電極130b之後方之Y用像素電極130y(另一方之像素電極)之Y用TFT120y、與B用像素電極130b之距離，大於連接於B用像素電極130b之B用TFT120b與該B用像素電極130b之距離。
又，如圖8所示，連接有B用TFT120b之源極電極125s之源極線SL(i+2)、與連接有Y用TFT120y之源極電極125s之源極線SL(i+3)於閘極線延伸方向上相互鄰接。即，汲極電極125d連接於B用像素電極130b之B用TFT120b、與汲極電極125d連接於在閘極線延伸方向上鄰接在該B用像素電極130b之後方之Y用像素電極130y(另一方之像素電極)之Y用TFT120y，配置於包夾分別連接有該B用TFT120b及Y用 TFT120y之源極電極125s之源極線SL(i+2)及SL(i+3)而相互對向之位置。
再者，如圖8所示，源極電極125s連接於源極線SL(i-1)或源極線SL(i+3)之Y用TFT120y、源極電極125s連接於源極線SL(i)之R用TFT120r、及源極電極125s連接於源極線SL(i+1)之G用TFT120g與先前相同，分別配置於Y用像素電極130y、R用像素電極130r、及G用像素電極130g之附近(缺口部份)。相對於此，源極電極125s連接於源極線SL(i+2)之B用TFT120b配置於距B用像素電極130b較先前更遠離，且較先前更靠近Y用像素電極130y之位置。
如此，本實施形態中，與上述第1實施形態相同，B次像素形成部SPb之B用TFT120b配置於距連接於該B用TFT120b之汲極電極125d之B用像素電極130b及與此對向之B彩色濾光片152b較先前更遠離之位置。與此同時，鄰接於B次像素形成部SPb之Y次像素形成部SPy之Y用TFT120y配置於距該B次像素形成部SPb之B用像素電極130b及與此對向之B彩色濾光片152b較先前更遠離之位置。另，B次像素形成部SPb之B用像素電極130b及與此對向之B彩色濾光片152b與G次像素形成部SPg之G用TFT120g之距離與先前相同。
如圖8所示，彩色濾光片152之間配置有黑色矩陣151。即，各TFT120上配置有黑色矩陣151。本實施形態中，與上述之TFT120之配置相一致，B彩色濾光片152b與Y彩色濾光片152y之間之黑色矩陣151之寬度設定為分別較Y彩色濾光 片152y與R彩色濾光片152r之間之黑色矩陣151之寬度、R彩色濾光片152r與G彩色濾光片152g之間之黑色矩陣151之寬度、及G彩色濾光片152g與B彩色濾光片152b之間之黑色矩陣151之寬度大。又，為使各次像素形成部SP之開口率均一，均一地設定各彩色濾光片152之寬度。
另，如上述第1實施形態之變化例般考慮液晶顯示面板100之尺寸，可使Y用像素電極130y及Y彩色濾光片152y之寬度分別較其他原色之像素電極130及與此對向之彩色濾光片152之寬度小。又，可取代Y用像素電極130y及Y彩色濾光片152y之寬度，縮小其他原色用之像素電極130及與此對向之彩色濾光片152之寬度。該情形，期望以縮小像素電極130及與此對向之彩色濾光片152之寬度之程度，使應施加於經由TFT120連接於該像素電極130之源極線SL上之源極信號SS之電壓變化(在正常黑之情形下提高，在正常白之情形下降低)。
<3.2效果>
根據本實施形態，在用以顯示基於紅色．綠色．藍色．黃色之4原色之彩色圖像之液晶顯示面板中，可發揮與上述第1實施形態相同之效果。
<4.第4實施形態> <4.1液晶顯示面板之構造>
就本發明之第4實施形態之液晶顯示面板100之構造，一面參照圖9一面進行說明。另，對於本實施形態之構成要件中與第1實施形態相同之要件，附加相同之參照符號而 省略說明。圖9係顯示本實施形態之液晶顯示面板100中尤其TFT基板側之一部份之構造之俯視圖。
與上述第1實施形態相同，本實施形態之液晶顯示面板100以基於3原色(紅色．綠色．藍色)顯示彩色圖像之方式構成。然而，本實施形態之像素電極130之排列方向與上述第1實施形態者不同。即，相對於上述第1實施形態中，自閘極線延伸方向之前方起依序排列各原色用之像素電極130，本實施形態中，自源極線延伸方向之前方起依序排列各原色用之像素電極130。
如圖9所示，雖自源極線延伸方向之前方，G用像素電極130g、B用像素電極130b、R用像素電極130r依序排列，但像素電極130之排列順序並非限定於此。例如，可為自源極線延伸方向之前方依序排列R用像素電極130r、B用像素電極130b、G用像素電極130g之順序等。G用像素電極130g與G彩色濾光片152g相互對向。同樣地，B用像素電極130b與B彩色濾光片152b相互對向，R用像素電極130r與R彩色濾光片152r相互對向。各彩色濾光片152於閘極線延伸方向以條狀形成。本說明書中，將如此於閘極線延伸方向以條狀形成之彩色濾光片稱為「橫條狀之彩色濾光片」。
彩色濾光片152及黑色矩陣151可如上述第1實施形態般配置於對向基板140側，又，亦可如上述第2實施形態般配置於TFT基板110側。
另，由於本實施形態之液晶顯示面板100之電性構成與 上述第1實施形態之液晶顯示面板100者相同，故省略其說明。
其次，就本實施形態之TFT120之配置進行說明。如圖9所示，本實施形態中，汲極電極125d連接於在源極線延伸方向上鄰接在B用像素電極130b之後方之R用像素電極130r(一方之像素電極)之R用TFT120r相對於該R用像素電極130r，配置於B用像素電極130b之相反側。汲極電極125d連接於B用像素電極130b之B用TFT120b與該B用像素電極130b之距離較汲極電極125d連接於R用像素電極130r(一方之像素電極)之R用TFT120r與該R用像素電極130r之距離大。汲極電極125d連接於在源極線延伸方向上鄰接在B用像素電極130b之前方之G用像素電極130g(另一方之像素電極)之G用TFT120g與B用像素電極130b之距離與連接於B用像素電極130b之B用TFT120b與該B用像素電極130b之距離相等。
又，如圖9所示，於源極線延伸方向上相互鄰接之R用像素電極130r與G用像素電極130g之間，配置有汲極電極125d分別連接於R用像素電極130r、B用像素電極130b、及G用像素電極130g之R用TFT120r、B用TFT120b、及G用TFT120g。即，R用像素電極130r與G用像素電極130g之間，配置有包含B用TFT120b之3個TFT120。另，閘極線延伸方向上，排列有同一原色用之像素電極130(未圖示)。
在經由R用TFT120r連接於源極線SL(i)之R用像素電極130r、於源極線延伸方向位於該R用像素電極130r之前方 之B用像素電極130b、及於源極線延伸方向位於該B用像素電極130b之前方之G用像素電極130g之各自之下方，包夾有機保護膜127及無機保護膜126配置有源極線SL(i+1)及源極線SL(i+2)。同樣地，在源極線延伸方向上，位於經由R用TFT120r連接於源極線SL(i)之R用像素電極130r之後方之G用像素電極130g之下方亦包夾有機保護膜127及無機保護膜126配置有源極線SL(i+1)及源極線SL(i+2)。
如圖9所示，G用像素電極130g及B用像素電極130b以矩形狀形成。即，G用像素電極130g及B用像素電極130b中，未設置有用以將TFT120配置於附近之缺口部份。另一方面，R用像素電極130r中，設置有用以將3個TFT配置於附近之缺口部份。源極電極125s分別連接於源極線SL(i)、SL(i+1)及SL(i+2)有之R用TFT120r、B用TFT120b、及G用TFT120g配置於上述缺口部份。
如此，本實施形態中，R用TFT120r、B用TFT120b、及G用TFT120g，配置於以相當於鄰接於B次像素形成部SPb之R次像素形成部SPr之R用像素電極130r之寬度(源極線延伸方向之長度)之距離，自B用像素電極130b及與此對向之B彩色濾光片152b遠離之位置。
如圖9所示，彩色濾光片152之間，配置有黑色矩陣151。即，各TFT120上配置有黑色矩陣151。本實施形態中，與上述之TFT120之配置相一致，R彩色濾光片152r與G彩色濾光片152g之間之黑色矩陣151中與各TFT120對向之部份之寬度(源極線延伸方向之長度)設定為較其他部 份之寬度大。又，為使各次像素形成部SP之開口率均一，以R用像素電極130r之面積以相當於缺口部份之面積之程度變大之方式，設定R用像素電極之寬度(源極線延伸方向之長度)較其他像素電極之寬度大。與此相一致，亦設定R彩色濾光片152r之寬度(源極線延伸方向之長度)較其他顏色之彩色濾光片之寬度大。
如上所述，本實施形態中，形成有橫條狀之彩色濾光片152。各彩色濾光片152遍及閘極線延伸方向連續形成。即，於閘極線延伸方向，與分別位於各像素電極130之前方及後方之源極線SL(i)及SL(i+3)對向之位置上亦配置有彩色濾光片152。然而，本發明並非限定於此，各彩色濾光片152可於閘極線延伸方向上不連續地形成。即，可於閘極線延伸方向，在與分別位於各像素電極130之前方及後方之源極線SL(i)及SL(i+3)對向之位置上，取代彩色濾光片152而配置有黑色矩陣151。
<4.2 效果>
根據本實施形態，在形成有橫條狀之彩色濾光片之用以顯示基於紅色．綠色．藍色之3原色之彩色圖像之液晶顯示面板中，與上述第1實施形態相同，向B用TFT120b及R用TFT120r之藍色光之入射受到抑制。因此，可發揮與上述第1實施形態相同之效果。
另，本實施形態中，雖各原色用之TFT120之位置靠近R用TFT120r及與此對向之R彩色濾光片152r之位置與G用TFT120g及與此對向之G彩色濾光片152g之位置，但並不 妨礙上述之臨限值變動之減小。即，由於各原色用之TFT120中，一方面紅色光或綠色光之入射量增加，另一方面較該等之光波長更短之藍色光之入射量減少，故作為結果，B用TFT120b之臨限值變動減小。
另，在本實施形態中，即使採用如上述第3實施形態般顯示基於紅色．綠色．藍色．黃色之4原色之彩色圖像之構成仍可發揮相同之效果。該情形，有必要成為在源極線延伸方向上，B用像素電極130b及與此對向之彩色濾光片152b不位於各原色用之TFT120之位置之前方及後方之任一者之構成。
<4.3變化例>
圖10係顯示本發明之第4實施形態之變化例之液晶顯示面板100中尤其TFT基板側之一部份之構造之俯視圖。如圖10所示，本變化例為在上述第4實施形態中縮小R用像素電極130r及R彩色濾光片152r之寬度(源極線延伸方向)者。另，其他之構成要件與上述第4實施形態相同。
於源極線延伸方向上位於B用像素電極130b之後方之R用像素電極130r及與此相對之R彩色濾光片152r之寬度分別設定為較其他原色之像素電極130及與此相對之彩色濾光片152之寬度更小。換言之，以B彩色濾光片152b與R彩色濾光片152r之間之黑色矩陣151之寬度分別較R彩色濾光片152r與G彩色濾光片152g之間之黑色矩陣151之寬度及G彩色濾光片152g與B彩色濾光片152b之間之黑色矩陣151之寬度大之程度，較小地設定R用像素電極130r之寬度及R彩 色濾光片152r之寬度。藉此，不會使液晶顯示面板100之尺寸較先前更大，從而可提高液晶顯示面板100之可靠性。
本變化例中，以縮小R用像素電極130r之寬度及R彩色濾光片152r之寬度之程度，使應施加於經由R用TFT120r連接於R用像素電極130r之源極線SL上之源極信號SS之電壓變化(在正常黑之情形下提高，在正常白之情形下降低)。
另，可取代R用像素電極130r及R彩色濾光片152r之寬度，縮小G用像素電極130g及G彩色濾光片152g之寬度。同樣地，可取代R用像素電極130r及R彩色濾光片152r之寬度，縮小B用像素電極130b及B彩色濾光片152b之寬度。
<5.其他>
上述各實施形態中，雖為了TFT120之配置而在像素電極130中設置缺口部份，但本發明並非限定於此，不設置如此之缺口部份亦可。
上述各實施形態中，雖在1個像素形成部MP中與3個(或4個)源極線SL及1個閘極線GL對應，但本發明並非限定於此。例如，在1個像素形成部MP中與1個源極線SL及3個(或4個)閘極線GL對應之態樣中，亦可應用本發明。
其他，可在不脫離本發明之宗旨之範圍中對上述各實施形態加以各種變化而實施。
據此，根據本發明，可提供一種一面抑制顯示品質之降低，一面提高薄膜電晶體之可靠性之液晶顯示面板及具備其之液晶顯示裝置。
[產業上之可利用性]
本發明可應用於使用通道層包含氧化物半導體之TFT之液晶顯示面板。
100‧‧‧液晶顯示面板
110‧‧‧TFT基板(第1基板)
120b‧‧‧B用TFT(薄膜電晶體)
120g‧‧‧G用TFT(薄膜電晶體)
120r‧‧‧R用TFT(薄膜電晶體)
120y‧‧‧Y用TFT(薄膜電晶體)
121‧‧‧閘極電極(閘極端子)
125d‧‧‧汲極電極(汲極端子)
125s‧‧‧源極電極(源極端子)
130b‧‧‧B用像素電極
130g‧‧‧G用像素電極
130r‧‧‧R用像素電極
130y‧‧‧Y用像素電極
132‧‧‧輔助電容電極
140‧‧‧對向基板(第2基板)
151‧‧‧黑色矩陣(遮光層)
152b‧‧‧B彩色濾光片(著色層)
152g‧‧‧G彩色濾光片(著色層)
152r‧‧‧R彩色濾光片(著色層)
152y‧‧‧Y彩色濾光片(著色層)
160‧‧‧共同電極
180‧‧‧液晶層
GL(j)‧‧‧閘極線(掃描信號線)
GL(j-1)‧‧‧閘極線(掃描信號線)
GL(1)‧‧‧閘極線(掃描信號線)
GL(m)‧‧‧閘極線(掃描信號線)
MP‧‧‧像素形成部
SL(i)‧‧‧源極線(影像信號線)
SL(i+1)‧‧‧源極線(影像信號線)
SL(i+2)‧‧‧源極線(影像信號線)
SL(i+3)‧‧‧源極線(影像信號線)
SL(i-1)‧‧‧源極線(影像信號線)
SL(1)‧‧‧源極線(影像信號線)
SL(n)‧‧‧源極線(影像信號線)
SPb‧‧‧B次像素形成部
SPg‧‧‧G次像素形成部
SPr‧‧‧R次像素形成部
SPy‧‧‧Y次像素形成部
圖1係顯示具備本發明之第1實施形態之液晶顯示面板之液晶顯示裝置之構成之方塊圖。
圖2係顯示上述第1實施形態之像素形成部之電性構成之電路圖。
圖3係顯示上述第1實施形態之液晶顯示面板之一部份之構造之俯視圖。
圖4係圖3之A-A'線剖面圖。
圖5係顯示上述第1實施形態之變化例之液晶顯示面板之一部份之構造之俯視圖。
圖6係顯示本發明之第2實施形態之液晶顯示面板之一部份之構造之剖面圖。
圖7係顯示本發明之第3實施形態之像素形成部之電性構成之電路圖。
圖8係顯示上述第3實施形態之液晶顯示面板之一部份之構造之俯視圖。
圖9係顯示本發明之第4實施形態之液晶顯示面板之一部份之構造之俯視圖。
圖10係顯示上述第4實施形態之變化例之液晶顯示面板之一部份之構造之俯視圖。
圖11係顯示本發明之基礎研究之TFT之構成之剖面圖。
圖12係顯示上述基礎研究之實驗結果之圖。
圖13係顯示上述基礎研究之先前之液晶顯示面板之一部份之構造之俯視圖。
圖14係圖13之B-B'線剖面圖。
120b‧‧‧B用TFT(薄膜電晶體)
120g‧‧‧G用TFT(薄膜電晶體)
120r‧‧‧R用TFT(薄膜電晶體)
121‧‧‧閘極電極(閘極端子)
125d‧‧‧汲極電極(汲極端子)
125s‧‧‧源極電極(源極端子)
130b‧‧‧B用像素電極
130g‧‧‧G用像素電極
130r‧‧‧R用像素電極
132‧‧‧輔助電容電極
151‧‧‧黑色矩陣(遮光層)
152b‧‧‧B彩色濾光片(著色層)
152g‧‧‧G彩色濾光片(著色層)
152r‧‧‧R彩色濾光片(著色層)
GL(j)‧‧‧閘極線(掃描信號線)
GL(j-1)‧‧‧閘極線(掃描信號線)
SL(i)‧‧‧源極線(影像信號線)
SL(i+1)‧‧‧源極線(影像信號線)
SL(i+2)‧‧‧源極線(影像信號線)
SL(i+3)‧‧‧源極線(影像信號線)
SL(i-1)‧‧‧源極線(影像信號線)

Claims (12)

  1. 一種液晶顯示面板，其特徵為，其係用以顯示基於特定數之原色之彩色圖像者，且具備：相互對向之第1基板及第2基板；夾於上述第1基板與上述第2基板之間之液晶層；以相互交叉之方式配置於上述第1基板上之複數之影像信號線及複數之掃描信號線；沿著上述複數之影像信號線及上述複數之掃描信號線以矩陣狀配置之複數之像素形成部；及上述特定數之原色之各者之著色層；各像素形成部包含分別與上述特定數之原色對應之複數之次像素形成部；各次像素形成部含有：與沿著該次像素形成部之上述影像信號線與上述掃描信號線對應配置，且通道層包含氧化物半導體之薄膜電晶體；及連接於上述薄膜電晶體，且與該次像素形成部所對應之原色之著色層對向之像素電極；且在各像素形成部中，上述複數之次像素形成部之像素電極排列於特定方向；以一方之像素電極鄰接於上述特定數之原色中波長最短之原色之著色層對向之像素電極之方式，將連接於該一方之像素電極之薄膜電晶體，配置於該一方之像素電極之，該與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之 相反側；連接於上述與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之薄膜電晶體、與該與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之距離，大於連接於上述一方之像素電極之薄膜電晶體與該一方之像素電極之距離；另一方之像素電極係在上述特定方向上鄰接於上述與波長最短之原色之著色層對向之像素電極，連接於該另一方之像素電極之薄膜電晶體、與該與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之距離，為連接於該與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之薄膜電晶體、與該與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之距離以上。
  2. 如請求項1之液晶顯示面板，其中上述特定方向係上述複數之掃描信號線之延伸方向；連接於在上述複數之掃描信號線之延伸方向上鄰接於上述與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之另一方之像素電極之薄膜電晶體、與該與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之距離，大於連接於該與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之薄膜電晶體、與該與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之距離。
  3. 如請求項2之液晶顯示面板，其中連接於上述與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之薄膜電晶體、與連接於上述另一方之像素電極之薄膜電晶體，配置於包夾與其各自連接之上述影像信號線而相互對向之位置。
  4. 如請求項1之液晶顯示面板，其中上述特定方向係上述複數之影像信號線之延伸方向；連接於在上述複數之影像信號線之延伸方向上鄰接於上述與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之另一方之像素電極之薄膜電晶體、與該與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之距離，與連接於該與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之薄膜電晶體、與該與波長最短之原色之著色層對向之像素電極之距離相等。
  5. 如請求項1之液晶顯示面板，其中於與各薄膜電晶體對向之位置上配置有遮光層。
  6. 如請求項1之液晶顯示面板，其中上述著色層配置於上述第2基板上。
  7. 如請求項1之液晶顯示面板，其中上述著色層配置於與該著色層對向之像素電極上。
  8. 如請求項1之液晶顯示面板，其中上述波長最短之原色為藍色。
  9. 如請求項8之液晶顯示面板，其中上述彩色圖像係基於紅色、綠色、及藍色而顯示。
  10. 如請求項8之液晶顯示面板，其中上述彩色圖像係基於紅色、綠色、藍色、及黃色而顯示。
  11. 如請求項1之液晶顯示面板，其中上述氧化物半導體為銦鎵鋅氧化物(InGaZnOx)。
  12. 一種液晶顯示裝置，其特徵在於具備如請求項1至11中任一項之液晶顯示面板。
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