JPWO2012137721A1 - 液晶表示パネルおよびそれを備える液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

表示品位の低下を抑制しつつ、薄膜トランジスタの信頼性を高めた液晶表示パネルを提供する。Ｇ用画素電極（１３０ｇ）にドレイン電極（１２５ｄ）が接続されたＧ用ＴＦＴ（１２０ｇ）が、当該Ｇ用画素電極（１３０ｇ）に対して、Ｂ用画素電極（１３０ｂ）の反対側に配置される。Ｂ用画素電極（１３０ｂ）にドレイン電極（１２５ｄ）が接続されたＢ用ＴＦＴ（１２０ｂ）と当該Ｂ用画素電極（１３０ｂ）との距離は、Ｇ用画素電極（１３０ｇ）にドレイン電極（１２５ｄ）が接続されたＧ用ＴＦＴ（１２０ｇ）と当該Ｇ用画素電極（１３０ｇ）との距離よりも大きい。Ｒ用画素電極（１３０ｒ）にドレイン電極（１２５ｄ）が接続されたＲ用ＴＦＴ（１２０ｒ）とＢ用画素電極（１３０ｂ）との距離は、Ｂ用画素電極（１３０ｂ）に接続されたＢ用ＴＦＴ（１２０ｂ）と当該Ｂ用画素電極（１３０ｂ）との距離よりも大きい。

Description

本発明は、液晶表示パネルおよびそれを備える液晶表示装置に関し、特に、酸化物半導体をチャネル層に用いたＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）を使用した液晶表示パネルおよびそれを備える液晶表示装置に関する。

近年、酸化物半導体をチャネル層に用いたＴＦＴが注目されている。この酸化物半導体からなる薄膜（以下、「酸化物半導体膜」ともいう）は、高移動度であり、かつ、可視光の透過性が高いため、液晶表示装置等の用途に用いられている。酸化物半導体膜としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、および酸素（Ｏ）を主成分とする酸化物半導体であるＩｎＧａＺｎＯ_x（以下、「ＩＧＺＯ」という）からなるものが知られている。

ところで、液晶表示パネルでは、ＴＦＴのチャネル層への光入射によりこのＴＦＴのしきい値変動が生じるという問題がある。特に、ＩＧＺＯをチャネル層に用いたＴＦＴ（以下、「ＩＧＺＯ−ＴＦＴ」ということがある）では、可視光の短波長側において光吸収により電気伝導度が変動することが知られている（例えば、特許文献１を参照）。すなわち、ＩＧＺＯをチャネル層に用いたＴＦＴでは、短波長の可視光がチャネル層に入射することにより、しきい値変動が生じる。これは、液晶表示パネルの信頼性低下の原因となる。

本願発明に関連して、特許文献２には、カラーフィルタ基板においてアレイ基板のＴＦＴに相対する位置に短波長の光を最も良く吸収する赤色のカラーフィルタパターンが配置された液晶表示パネルが開示されている。このような構成によれば、短波長の光がＴＦＴのチャネル層へ入射すること防止できるので、ＴＦＴのしきい値変動を抑制することができる。

日本の特開２００７−２５０９８４号公報 日本の特開２００１−９１９７１号公報

しかし、特許文献２に記載の液晶表示パネルでは、青色および緑色の副画素形成部のＴＦＴに相対する位置に赤色のカラーフィルタパターンが配置される。すなわち、互いに異なる色のカラーフィルタが近接して設けられる。このため、ＴＦＴ周辺から漏れた赤色光が青色または緑色の表示に混じる。その結果、青色または緑色の表示に赤色が混じるので、表示品位が低下する。

そこで、本発明は、表示品位の低下を抑制しつつ、薄膜トランジスタの信頼性を高めた液晶表示パネルおよびそれを備える液晶表示装置を提供することを目的とする。

本発明の第１の局面は、所定数の原色に基づくカラー画像を表示するための液晶表示パネルであって、
互いに対向する第１基板および第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、
前記第１基板上に互いに交差するように配置された複数の映像信号線および複数の走査信号線と、
前記複数の映像信号線および前記複数の走査信号線に沿ってマトリクス状に配置された複数の画素形成部と、
前記所定数の原色のそれぞれの着色層とを備え、
各画素形成部は、前記所定数の原色にそれぞれ対応した複数の副画素形成部を含み、
各副画素形成部は、
該副画素形成部に沿った前記映像信号線と前記走査信号線とに対応して配置された、チャネル層が酸化物半導体からなる薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続されると共に、該副画素形成部が対応する原色の着色層に対向する画素電極とを有し、
各画素形成部において、前記複数の副画素形成部の画素電極が所定方向に並び、
前記所定数の原色のうちの最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に前記所定方向において隣接する一方の画素電極に接続された薄膜トランジスタは、該一方の画素電極に対して、該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極の反対側に配置され、
前記最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に接続された薄膜トランジスタと該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極との距離が、前記一方の画素電極に接続された薄膜トランジスタと該一方の画素電極との距離よりも大きく、
前記最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に前記所定方向において隣接する他方の画素電極に接続された薄膜トランジスタと該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極との距離が、該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に接続された薄膜トランジスタと該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極との距離以上であることを特徴とする。

本発明の第２の局面は、本発明の第１の局面において、
前記所定方向は、前記複数の走査信号線の延伸する方向であり、
前記最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に、前記複数の走査信号線の延伸する方向において隣接する他方の画素電極に接続された薄膜トランジスタと該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極との距離は、該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に接続された薄膜トランジスタと該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極との距離よりも大きいことを特徴とする。

本発明の第３の局面は、本発明の第２の局面において、
前記最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に接続された薄膜トランジスタと、前記他方の画素電極に接続された薄膜トランジスタとは、それぞれに接続された前記映像信号線を挟んで互いに対向する位置に配置されていることを特徴とする。

本発明の第４の局面は、本発明の第１の局面において、
前記所定方向は、前記複数の映像信号線の延伸する方向であり、
前記最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に、前記複数の映像信号線の延伸する方向において隣接する他方の画素電極に接続された薄膜トランジスタと該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極との距離は、該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に接続された薄膜トランジスタと該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極との距離と等しいことを特徴とする。

本発明の第５の局面は、本発明の第１の局面において、
各薄膜トランジスタに対向する位置に遮光層が配置されていることを特徴とする。

本発明の第６の局面は、本発明の第１の局面において、
前記着色層は、前記第２基板上に配置されていることを特徴とする。

本発明の第７の局面は、本発明の第１の局面において、
前記着色層は、当該着色層に対向する画素電極上に配置されていることを特徴とする。

本発明の第８の局面は、本発明の第１の局面において、
前記最も波長の短い原色は青色であることを特徴とする。

本発明の第９の局面は、本発明の第８の局面において、
前記カラー画像は、赤色、緑色、および青色に基づき表示されることを特徴とする。

本発明の第１０の局面は、本発明の第８の局面において、
前記カラー画像は、赤色、緑色、青色、および黄色に基づき表示されることを特徴とする。

本発明の第１１の局面は、液晶表示装置であって、
本発明の第１の局面から第１０の局面までのいずれかに係る液晶表示パネルを備えることを特徴とする。

本発明の第１の局面によれば、所定数の原色に基づくカラー画像を表示するための液晶表示パネルにおいて、上記所定数の原色のうちの最も波長の短い原色に対応した副画素形成部の薄膜トランジスタが、当該最も波長の短い原色の着色層から従来よりも離れた位置に配置される。さらに、所定方向において連続して並んだ、第１原色の着色層に対向する画素電極と第２原色の着色層に対向する画素電極との間に配置された薄膜トランジスタのうち、上記最も波長の短い原色に対応した副画素形成部の薄膜トランジスタ以外の薄膜トランジスタも、上記最も波長の短い原色の着色層から従来よりも離れた位置に配置される。その結果、最も波長の短い原色に対応した副画素形成部の薄膜トランジスタと、上記所定方向において連続して並んだ、第１原色の着色層に対向する画素電極と第２原色の着色層に対向する画素電極との間に配置された薄膜トランジスタのうち、上記最も波長の短い原色に対応した副画素形成部の薄膜トランジスタ以外の薄膜トランジスタへの上記最も波長の短い原色の光の入射が抑制されるので、これらの薄膜トランジスタのしきい値シフトが低減される。したがって、液晶表示パネルにおける薄膜トランジスタの信頼性を高めることができる。なお、互いに異なる原色のカラーフィルタを近接した位置に設ける上記特許文献２のような構成を採用していないので、副画素形成部での表示に他の原色が混じることによる表示品位の低下が抑制される。

本発明の第２の局面または第３の局面によれば、着色層が、複数の走査信号線の延伸する方向にストライプ状に形成されている液晶表示パネルにおいて、本発明の第１の局面と同様の効果を奏することができる。

本発明の第４の局面によれば、着色層が、複数の映像信号線の延伸する方向にストライプ状に形成されている液晶表示パネルにおいて、本発明の第１の局面と同様の効果を奏することができる。

本発明の第５の局面によれば、各薄膜トランジスタへの光の入射が抑制されるので、当該薄膜トランジスタにおけるしきい値シフトが低減される。これにより、液晶表示パネルにおける薄膜トランジスタの信頼性をより高めることができる。

本発明の第６の局面によれば、着色層が第２基板側に配置された液晶表示パネルにおいて、本発明の第１の局面と同様の効果を奏することができる。

本発明の第７の局面によれば、着色層が第１基板側に配置された液晶表示パネルにおいて、本発明の第１の局面と同様の効果を奏することができる。

本発明の第８の局面によれば、青色に対応した薄膜トランジスタと、上記所定方向において連続して並んだ、第１原色の着色層に対向する画素電極と第２原色の着色層に対向する画素電極との間に配置された薄膜トランジスタのうち、青色に対応した副画素形成部の薄膜トランジスタ以外の薄膜トランジスタへの青色光の入射が抑制されるので、これらの薄膜トランジスタのしきい値シフトが低減される。したがって、液晶表示パネルにおける薄膜トランジスタの信頼性を高めることができる。

本発明の第９の局面によれば、赤色・緑色・青色の３原色に基づくカラー画像を表示するための液晶表示パネルにおいて、本発明の第８の局面と同様の効果を奏することができる。

本発明の第１０の局面によれば、赤色・緑色・青色・黄色の４原色に基づくカラー画像を表示するための液晶表示パネルにおいて、本発明の第８の局面と同様の効果を奏することができる。

本発明の第１１の局面によれば、液晶表示装置において、本発明の第１の局面から第１０の局面までのいずれかと同様の効果を奏することができる。

本発明の第１の実施形態に係る液晶表示パネルを備える液晶表示装置の構成を示すブロック図である。 上記第１の実施形態における画素形成部の電気的構成を示す回路図である。 上記第１の実施形態に係る液晶表示パネルの一部の構造を示す平面図である。 図３におけるＡ−Ａ’線断面図である。 上記第１の実施形態の変形例に係る液晶表示パネルの一部の構造を示す平面図である。 本発明の第２の実施形態に係る液晶表示パネルの一部の構造を示す断面図である。 本発明の第３の実施形態における画素形成部の電気的構成を示す回路図である。 上記第３の実施形態に係る液晶表示パネルの一部の構造を示す平面図である。 本発明の第４の実施形態に係る液晶表示パネルの一部の構造を示す平面図である。 上記第４の実施形態の変形例に係る液晶表示パネルの一部の構造を示す平面図である。 本発明の基礎検討におけるＴＦＴの構成を示す断面図である。 上記基礎検討における実験結果を示す図である。 上記基礎検討における従来の液晶表示パネルの一部の構造を示す平面図である。 図１３におけるＢ−Ｂ’線断面図である。

＜０．基礎検討＞
本発明の実施形態について説明する前に、上記課題を解決すべく本願発明者によりなされた基礎検討について説明する。

＜０．１ 実験＞
本願発明者は、キセノンランプ光源を用いて赤色（λ＝６４０ｎｍ）、緑色（λ＝５２０ｎｍ）、および青色（λ＝４６０ｎｍ）の単色光のそれぞれをＩＧＺＯ−ＴＦＴに照射しながら、当該ＩＧＺＯ−ＴＦＴにゲートバイアスストレスを与えた場合と光を照射せずにＩＧＺＯ−ＴＦＴにゲートバイアスストレスを与えた場合とにおける、しきい値のシフト量（以下、「しきい値シフト」という）を測定した。

図１１は、本測定に用いたＩＧＺＯ−ＴＦＴの構成を示す断面図である。図１１に示すように、このＩＧＺＯ−ＴＦＴは、エッチングストッパ構造のボトムゲート型ＴＦＴである。

ガラス等からなる絶縁基板１１１上にゲート電極１２１が形成されている。ゲート電極１２１は、チタン（Ｔｉ）膜、アルミニウム（Ａｌ）膜、Ｔｉ膜が順に成膜された積層膜である。

ゲート電極１２１上には、ゲート電極１２１を覆うようにゲート絶縁膜１２２が成膜されている。ゲート絶縁膜１２２は、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）膜、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）膜が順に成膜された積層膜である。

ゲート絶縁膜１２２上に、チャネル長が７〜１６μｍ、膜厚が３５〜５５ｎｍのＩＧＺＯからなるチャネル層１２３が形成されている。

チャネル層１２３の図１１における左側上部、右側上部、および中央上部には、ＳｉＯ₂からなるエッチングストッパ層１２４が形成されている。

図１１における左側上部のエッチングストッパ層１２４と、当該左側上部のエッチングストッパ層１２４および中央上部のエッチングストッパ層１２４との間に表面が露出したチャネル層１２３と、中央上部のエッチングストッパ層１２４の左側端部とを覆うようにソース電極１２５ｓが形成されている。また、右側上部のエッチングストッパ層１２４と、当該右側上部のエッチングストッパ層１２４および中央上部のエッチングストッパ層１２４の間に表面が露出したチャネル層１２３と、中央上部のエッチングストッパ層１２４の右側端部とを覆うようにドレイン電極１２５ｄが形成されている。

左側上部のエッチングストッパ層１２４および中央上部のエッチングストッパ層１２４の間にはコンタクトホールが形成され、このコンタクトホールによりソース電極１２５ｓとチャネル層１２３とが接続されている。同様に、右側上部のエッチングストッパ層１２４および中央上部のエッチングストッパ層１２４の間にはコンタクトホールが形成され、このコンタクトホールによりドレイン電極１２５ｄとチャネル層１２３とが接続されている。ソース電極１２５ｓおよびドレイン電極１２５ｄは、Ｔｉ膜、Ａｌ膜、Ｔｉ膜が順に成膜された積層膜である。

ソース電極１２５ｓおよびドレイン電極１２５ｄが形成された絶縁基板１１１全体を覆うように、ＳｉＯ₂からなる無機保護膜１２６が成膜されている。

図１２は、ゲートバイアスストレスを与えた時間（以下、「ストレス時間」という）に対するしきい値シフトΔＶｔｈを表す図である。ここで、実験温度を８５℃、ゲート印加電圧を−３０Ｖとしている。図１２に示すように、光の照射がない場合（「Ｄａｒｋ」のプロット）には、ストレス時間の経過によっても、しきい値シフトはほぼ生じない。一方、赤色の単色光を照射した場合（「λ＝６４０ｎｍ」のプロット）、緑色の単色光を照射した場合（「λ＝５２０ｎｍ」のプロット）、および青色の単色光を照射した場合（「λ＝４６０ｎｍ」のプロット）には、ストレス時間の経過と共にしきい値シフトが大きくなっている。このしきい値シフトは、ＩＧＺＯ−ＴＦＴに照射する光の波長が短いほど大きくなる。特に、可視光の中で波長の短い青色光を照射した場合には、しきい値シフトが最も大きくなる。

この原因は、以下のように考えられる。すなわち、ＩＧＺＯは、一般に透明酸化物半導体材料として知られているが、可視光に対して完全に透明であるわけではない。特に、可視光のなかで波長の短い青色光が吸収されやすい。これにより、ＩＧＺＯにおいて所定の準位が形成される。また、ゲート絶縁膜１２２とチャネル層（ＩＧＺＯ）１２３との界面においても、波長の短い青色光が吸収されやすい。このため、ゲート絶縁膜１２２とチャネル層（ＩＧＺＯ）１２３との界面において所定の準位が形成される。その結果、ＩＧＺＯの電気伝導率が増加するので、しきい値シフトが生じる（しきい値が低下する）。なお、このような問題は、ＩＧＺＯに限らず他の酸化物半導体でも生じるものと考えられる。また、黄色の単色光を照射した場合のしきい値シフトは、緑色の単色光を照射した場合のしきい値シフトよりも小さく、かつ、赤色の単色光を照射した場合のしきい値シフトよりも大きくなると考えられる。

＜０．２ 従来の液晶表示パネルの構造＞
図１３は、従来の液晶表示パネルのうち、特にＴＦＴ基板側の一部の構造を示す平面図である。図１４は、図１３におけるＢ−Ｂ’線断面図である。この従来の液晶表示パネルは、３原色に基づいてカラー画像を表示するように構成されている。図１４に示すように、この液晶表示パネルは、ＴＦＴ基板１１０と、ＴＦＴ基板１１０に対向する対向基板１４０と、ＴＦＴ基板１１０と対向基板１４０とに挟持された液晶層１８０とにより構成されている。

図１３に示すように、ソースラインＳＬ（ｉ）およびゲートラインＧＬ（ｊ）の交差点に対応してＲ用ＴＦＴ１２０ｒが配置され、このＲ用ＴＦＴ１２０ｒのドレイン電極にＲ用画素電極１３０ｒが接続されている。このＲ用画素電極１３０ｒに対向した位置に、赤色のカラーフィルタ１５２ｒ（以下、「Ｒカラーフィルタ１５２ｒ」という）が配置されている。同様に、ソースラインＳＬ（ｉ＋１）およびゲートラインＧＬ（ｊ）の交差点に対応してＧ用ＴＦＴ１２０ｇが配置され、このＧ用ＴＦＴ１２０ｇのドレイン電極にＧ用画素電極１３０ｇが接続されている。このＧ用画素電極１３０ｇに対向した位置に、緑色のカラーフィルタ１５２ｇ（以下、「Ｇカラーフィルタ１５２ｇ」という）が配置されている。また同様に、ソースラインＳＬ（ｉ＋２）およびゲートラインＧＬ（ｊ）の交差点に対応してＢ用ＴＦＴ１２０ｂが配置され、このＢ用ＴＦＴ１２０ｂのドレイン電極にＢ用画素電極１３０ｂが接続されている。このＢ用画素電極１３０ｂに対向した位置に、青色のカラーフィルタ１５２ｂ（以下、「Ｂカラーフィルタ１５２ｂ」）が配置されている。図１３および図１４に示すように、カラーフィルタ間には、ブラックマトリクス１５１が形成されている。

以下では、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒ、Ｇ用ＴＦＴ１２０ｇ、およびＢ用ＴＦＴ１２０ｂを区別しない場合には、これらを「ＴＦＴ１２０」という。同様に、Ｒ用画素電極１３０ｒ、Ｇ用画素電極１３０ｇ、およびＢ用画素電極１３０ｂを区別しない場合には、これらを「画素電極１３０」という。

このような液晶表示パネルでは、外光およびバックライト光が当該液晶表示パネル内に入射する。このように入射した光は、カラーフィルタを通過することにより、赤色、緑色または青色のいずれかの色の光となる。上述の実験結果に示される通り、ＴＦＴのチャネル層に光が入射するとしきい値シフトが生じるが、入射光が青色である場合に、特に、そのしきい値シフトが大きくなる。

図１４に示すように、液晶表示パネル内に入射した外光およびバックライト光は、Ｂカラーフィルタ１５２ｂを通過する。そして、これら外光およびバックライト光は青色光となる。この青色光は、液晶表示パネル内で反射を繰り返した後、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂのチャネル層１２３に入射する。そのため、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂでは大きなしきい値シフトが生じる。なお、この青色光は、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂのチャネル層１２３のみならず、ソースラインＳＬ（ｉ＋３）にソース電極が接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒのチャネル層１２３にも入射しうる。したがって、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒでも大きなしきい値シフトが生じるおそれがある。

このようなしきい値シフトを抑制するために、特許文献２に記載の構成を採用したとしても、上述のように、青色および緑色の副画素形成部のＴＦＴに相対する位置に赤色のカラーフィルタパターンが配置されるので、このＴＦＴ周辺からの漏れた光が青色および緑色の表示に混じる。すなわち、青色および緑色の表示に赤色が混じる。そのため、表示品位が低下する。

以上の基礎検討に基づき本願発明者によりなされた本発明の実施形態について、以下、添付図面を参照しながら説明する。

＜１．第１の実施形態＞
＜１．１ 液晶表示装置の構成＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係る液晶表示パネル１００を備える液晶表示装置の構成を示すブロック図である。図１に示すように、この液晶表示装置は、液晶表示パネル１００、ソースドライバ（映像信号線駆動回路）２００、ゲートドライバ（走査信号線駆動回路）３００、および表示制御回路４００等により構成されている。本実施形態に係る液晶表示パネル１００は、反射型・透過型・半透過型のいずれでもよく、透過型または半透過型である場合には、液晶表示パネル１００の背面にバックライトが配置される。

液晶表示パネル１００は、１対の電極基板およびこれらに挟持された液晶層により構成され、各電極基板の外表面には偏光板が貼り付けられている。上記１対の電極基板の一方はＴＦＴ基板と呼ばれるアクティブマトリクス型の基板である。このＴＦＴ基板（第１基板）は、ガラス基板等の絶縁基板上に、互いに交差するように格子状に配置された複数のソースライン（映像信号線）ＳＬ（１）〜ＳＬ（ｎ）（以下、これらを区別しない場合に「ソースラインＳＬ」という）および複数のゲートライン（走査信号線）ＧＬ（１）〜ＧＬ（ｍ）（以下、これらを区別しない場合に「ゲートラインＧＬ」という）と、ソースラインＳＬおよびゲートラインＧＬの各交差点に対応して設けられたＴＦＴ、画素電極、および補助容量電極とにより構成されている。上記１対の電極基板の他方は対向基板と呼ばれ、ガラス等の絶縁基板、およびこの絶縁基板上の全面にわたって形成された共通電極等により構成されている。画素電極と、これに対向する後述の共通電極とによって液晶容量が形成され、画素電極と補助容量電極とによって補助容量が形成されている。以下では、これら液晶容量および補助容量を合わせて「画素容量」ということがある。なお、液晶表示パネル１００についての詳しい説明は後述する。

表示制御回路４００は、外部から表示データＤＡＴおよびタイミング制御信号ＴＳを受け取り、液晶表示パネル１００に表示データＤＡＴの表す画像を表示させるための信号として、画像信号ＤＶ、ソーススタートパルス信号ＳＳＰ、ソースクロック信号ＳＣＫ、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰ、およびゲートクロック信号ＧＣＫ等を出力する。この表示制御回路４００は、典型的にはＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）として実現されている。

ソースドライバ２００は、表示制御回路４００から出力される画像信号ＤＶ、ソーススタートパルス信号ＳＳＰ、ソースクロック信号ＳＣＫ等を受け取り、ソースラインＳＬ（１）〜ＳＬ（ｎ）にそれぞれにソース信号ＳＳ（１）〜ＳＳ（ｎ）（以下、これらを区別しない場合に「ソース信号ＳＳ」という）を印加する。このソースドライバ２００は、典型的にはＩＣとして実現されている。

ゲートドライバ３００は、表示制御回路４００から出力されるゲートスタートパルス信号ＧＳＰおよびゲートクロック信号ＧＣＫ等を受け取り、液晶表示パネル１００に画像を表示するための各フレーム期間（各垂直走査期間）において、ゲートラインＧＬ（１）〜ＧＬ（ｍ）を１水平走査期間ずつ順次選択し、選択したゲートラインＧＬ（１）〜ＧＬ（ｍ）にそれぞれアクティブなゲート信号ＧＳ（１）〜ＧＳ（ｍ）（以下、これらを区別しない場合に「ゲート信号ＧＳ」という）を印加する。なお、このゲートドライバ３００は、ＩＣとして実現されていてもよく、液晶表示パネル１００と一体的に形成されることにより実現されていてもよい。

なお、画素電極に対向する後述の共通電極には、図示しない共通電極駆動回路により、液晶表示パネル１００の液晶層に印加すべき電圧の基準となる共通電位Ｖｃｏｍが与えられる。補助容量電極には、共通電極駆動回路から共通電位Ｖｃｏｍが与えられてもよく、他の駆動回路から電位が与えられてもよい。

以上のようにして、各ソースラインＳＬにソース信号ＳＳが印加され、各ゲートラインＧＬにゲート信号ＧＳが印加されることにより、液晶表示パネル１００の各画素電極には共通電位Ｖｃｏｍを基準として、表示すべき画素の画素値に応じた電圧がＴＦＴを介して与えられ、画素容量に保持される。これにより、液晶層には、各画素電極と共通電極との電位差に相当する電圧が印加される。その結果、液晶表示パネル１００には、外部から送られた表示データＤＡＴに基づく画像が表示される。

＜１．２ 液晶表示パネルの構成＞
次に、本実施形態に係る液晶表示パネル１００の詳細な構成（電気的構成および構造）ついて、図２〜図４を参照しつつ説明する。

＜１．２．１ 電気的構成＞
まず、本実施形態に係る液晶表示パネル１００の電気的構成について説明する。図２は、本実施形態に係る液晶表示パネル１００における画素形成部の電気的構成を示す回路図である。図２に示すように、本実施形態に係る液晶表示パネル１００は、３原色（赤色・緑色・青色）に基づいてカラー画像を表示するように構成されている。すなわち、各画素形成部ＭＰは、赤色（Ｒ）成分を示す副画素形成部ＳＰｒ（以下、「Ｒ副画素形成部ＳＰｒ」という）、緑色（Ｇ）成分を示す副画素形成部ＳＰｇ（以下、「Ｇ副画素形成部ＳＰｇ」という）、および青色（Ｂ）成分を示す副画素形成部ＳＰｂ（以下、「Ｂ副画素形成部ＳＰｂ」という）により構成されている。このような画素形成部ＭＰは、ソースラインＳＬおよびゲートラインＧＬに沿ってマトリクス状に配置されている。以下では、Ｒ用副画素形成部ＳＰｒ、Ｇ副画素形成部ＳＰｇ、およびＢ副画素形成部ＳＰｂを区別しない場合には、これらを「副画素形成部ＳＰ」という。

Ｒ副画素形成部ＳＰｒは、対応する交差点を通過するゲートラインＧＬ（ｊ）にゲート端子が接続されると共に当該交差点を通過するソースラインＳＬ（ｉ）にソース端子が接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒと、このＲ用ＴＦＴ１２０ｒのドレイン端子に接続されたＲ用画素電極１３０ｒと、図示しない補助容量電極とにより構成されている。なお、この補助容量電極は必須の構成ではない。上述のように、画素電極１３０ｒと、これに対向する後述の共通電極とによって液晶容量が形成され、画素電極１３０ｒと補助容量電極とによって補助容量が形成されている。これら液晶容量および補助容量により、画素容量Ｃｐが形成されている。

Ｇ副画素形成部ＳＰｇおよびＢ副画素形成部ＳＰｂのそれぞれは、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒおよびＲ用画素電極１３０ｒを除きＲ副画素形成部ＳＰｒと同様の構成である。すなわち、Ｇ副画素形成部ＳＰｇは、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒおよびＲ用画素電極１３０ｒに代えて、対応する交差点を通過するゲートラインＧＬ（ｊ）にゲート端子が接続されると共に当該交差点を通過するソースラインＳＬ（ｉ＋１）にソース端子が接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇと、このＧ用ＴＦＴ１２０ｇのドレイン端子に接続されたＧ用画素電極１３０ｇとを有している。同様に、Ｂ副画素形成部ＳＰｂは、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒおよびＲ用画素電極１３０ｒに代えて、対応する交差点を通過するゲートラインＧＬ（ｊ）にゲート端子が接続されると共に当該交差点を通過するソースラインＳＬ（ｉ＋２）にソース端子が接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと、このＢ用ＴＦＴ１２０ｂのドレイン端子に接続されたＢ用画素電極１３０ｂとを有している。

＜１．２．２ 構造＞
次に、本実施形態に係る液晶表示パネル１００の構造について説明する。図３は、本実施形態に係る液晶表示パネル１００のうち、特にＴＦＴ基板側の一部の構造を示す平面図である。図４は、図３におけるＡ−Ａ’線断面図である。

図４に示すように、液晶表示パネル１００は、ＴＦＴ基板１１０と、ＴＦＴ基板１１０に対向する対向基板１４０と、ＴＦＴ基板１１０および対向基板１４０に挟持された液晶層１８０とにより構成されている。なお、ＴＦＴ基板１１０および対向基板１４０のそれぞれの外表面には偏光板が貼り付けられている（図示しない）。

ＴＦＴ基板１１０は、ガラス基板等の絶縁基板１１１と、この絶縁基板１１１上に互いに交差するように格子状に配置されたゲートラインＧＬおよびソースラインＳＬと、ゲートラインＧＬにゲート電極（ゲート端子）１２１が接続されると共にソースラインＳＬにソース電極（ソース端子）１２５ｓが接続されたＴＦＴ１２０と、ＴＦＴ１２０のドレイン電極（ドレイン端子）１２５ｄにコンタクトホールＣＨを介して接続された画素電極１３０とを形成することにより構成されている。なお、ゲートラインＧＬと、これに接続されたゲート電極１２１とは、実際には連続的に形成されている。同様に、ソースラインＳＬと、これに接続されたソース電極１２５ｓとは、実際には連続的に形成されている。

より詳細には、ゲートラインＧＬが形成された絶縁基板１１１全体を覆うようにゲート絶縁膜１２２が形成されており、このゲート絶縁膜１２２等を介してゲートラインＧＬとソースラインＳＬとが互いに交差している。また、ゲートラインＧＬ、ソースラインＳＬ、およびＴＦＴ１２０が形成された絶縁基板１１１全体を覆うように、無機保護膜１２６および有機保護膜１２７が順に積層されている。これら無機保護膜１２６および有機保護膜１２７の一部にコンタクトホールＣＨが形成され、このコンタクトホールＣＨを介してＴＦＴ１２０のドレイン電極１２５ｄに接続されるように画素電極１３０が有機保護膜１２７上に形成されている。なお、有機保護膜１２７は画素電極１３０を平坦に形成するためのものであり、必須の構成ではない。

図３に示すように、ゲートラインＧＬの延伸する方向（以下、「ゲートライン延伸方向」という）の前方から、Ｒ用画素電極１３０ｒ、Ｇ用画素電極１３０ｇ、Ｂ用画素電極１３０ｂが順に並べられている。ここで、ゲートライン延伸方向の前方とは、ゲートラインＧＬがゲートドライバ３００に接続されている側をいう。また、ゲートライン延伸方向の前方と反対側を、ゲートライン延伸方向の後方とする。

ソースラインＳＬの延伸する方向（以下、「ソースライン延伸方向」という）には、同一原色用の画素電極１３０が並べられている（図示しない）。以下では、ソースラインＳＬがソースドライバ２００に接続されている側をソースライン延伸方向の前方といい、当該前方と反対側を、ソースライン延伸方向の後方という。

本実施形態では上述のように、ゲートライン延伸方向の前方からＲ用画素電極１３０ｒ、Ｇ用画素電極１３０ｇ、Ｂ用画素電極１３０ｂが順に並べられているが、画素電極１３０の並び順はこれに限定されるものではない。例えば、ゲートライン延伸方向の前方から、Ｒ用画素電極１３０ｒ、Ｂ用画素電極１３０ｂ、Ｇ用画素電極１３０ｇの順等でもよい。

また、本実施形態および後述の各実施形態では、絶縁基板１１１上のうち、各画素電極１３０の一部に対向する位置に補助容量電極１３２が形成されている。なお、この補助容量電極１３２の形成位置は本実施形態および後述の各実施形態の態様に限定されるものではない。また、上述のようにこの補助容量電極１３２を形成しなくてもよい。

対向基板１４０は、ガラス基板等の絶縁基板１４１と、この絶縁基板１４１上に形成された遮光層としてのブラックマトリクス１５１、赤色の着色層としてのＲカラーフィルタ１５２ｒ、緑色の着色層としてのＧカラーフィルタ１５２ｇ、および青色の着色層としてのＢカラーフィルタ１５２ｂ（以下、これらを区別しない場合に「カラーフィルタ１５２」という）と、ブラックマトリクス１５１およびカラーフィルタ１５２を覆うように形成された保護膜１５３と、保護膜１５３上に形成された共通電極１６０とにより構成されている。各カラーフィルタ１５２は、ソースライン延伸方向にストライプ状に形成されている。本明細書では、このようにソースライン延伸方向にストライプ状に形成されたカラーフィルタを、「縦ストライプ状のカラーフィルタ」という。

外光およびバックライト光の漏れを十分に抑制するためには、図４に示すように、ブラックマトリクス１５１の一部とカラーフィルタ１５２の一部とを重複させることが望ましい。なお、保護膜１５３は共通電極１６０を平坦に形成するためのものであり、必須の構成要素ではない。

図３および図４に示すように、Ｒ用画素電極１３０ｒとＲカラーフィルタ１５２ｒとは互いに対向している。同様に、Ｇ用画素電極１３０ｇとＧカラーフィルタ１５２ｇとが互いに対向し、Ｂ用画素電極１３０ｂとＢカラーフィルタ１５２ｂとが互いに対向している。また、外光およびバックライト光の漏れを抑制するために、画素電極１３０の端部をブラックマトリクス１５１に対向させることが望ましい。

ここで、ＴＦＴ１２０の構成について、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒを例に挙げて説明する。図４に示すように、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒは、エッチングストッパ構造のボトムゲート型ＴＦＴである。Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒは絶縁基板１１１上に形成されており、絶縁基板１１１側から順に、ゲート電極１２１（ゲートラインＧＬ（ｊ））、ゲート絶縁膜１２２、ＩＧＺＯからなるチャネル層１２３、エッチングストッパ層１２４、ソース電極１２５ｓ（ソースラインＳＬ（ｉ＋３））・ドレイン電極１２５ｄ、無機保護膜１２６が積層されて構成されている。なお、チャネル層１２３以外の各層・各膜・各電極の材料は、特に限定されるものではない。また、各層・各膜・各電極も特に限定されるものではない。Ｇ用ＴＦＴ１２０ｇおよびＢ用ＴＦＴ１２０ｂはＲ用ＴＦＴ１２０ｒと同様の構成であるため、その説明を省略する。

次に、本実施形態におけるＴＦＴ１２０の配置について説明する。図３に示すように、本実施形態では、ゲートライン延伸方向においてＢ用画素電極１３０ｂの前方に隣接するＧ用画素電極１３０ｇ（一方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇが、当該Ｇ用画素電極１３０ｇに対して、Ｂ用画素電極１３０ｂの反対側に配置されている。Ｂ用画素電極１３０ｂにドレイン電極１２５ｄが接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと当該Ｂ用画素電極１３０ｂとの距離は、Ｇ用画素電極１３０ｇ（一方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇと当該Ｇ用画素電極１３０ｇとの距離よりも大きい。ゲートライン延伸方向においてＢ用画素電極１３０ｂの後方に隣接するＲ用画素電極１３０ｒ（他方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒとＢ用画素電極１３０ｂとの距離は、Ｂ用画素電極１３０ｂに接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと当該Ｂ用画素電極１３０ｂとの距離よりも大きい。

また、図３に示すように、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂのソース電極１２５ｓが接続されたソースラインＳＬ（ｉ＋２）と、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒのソース電極１２５ｓが接続されたソースラインＳＬ（ｉ＋３）とは、ゲートライン延伸方向に互いに隣接している。すなわち、Ｂ用画素電極１３０ｂにドレイン電極１２５ｄが接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと、ゲートライン延伸方向において当該Ｂ用画素電極１３０ｂの後方に隣接するＲ用画素電極１３０ｒ（他方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒとが、当該Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂおよびＲ用ＴＦＴ１２０ｒのソース電極１２５ｓがそれぞれ接続されたソースラインＳＬ（ｉ＋２）およびＳＬ（ｉ＋３）を挟んで互いに対向する位置に配置されている。

さらに、図３に示すように、ソースラインＳＬ（ｉ）またはソースラインＳＬ（ｉ＋３）にソース電極１２５ｓが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒ、およびソースラインＳＬ（ｉ＋１）にソース電極１２５ｓが接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇは、従来と同様に、それぞれＲ用画素電極１３０ｒおよびＧ用画素電極１３０ｇの近傍（切り欠き部分）に配置されている。これに対して、ソースラインＳＬ（ｉ＋２）にソース電極１２５ｓが接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂは、Ｂ用画素電極１３０ｂから従来よりも離れると共に、Ｒ用画素電極１３０ｒに従来よりも寄った位置に配置されている。

このように、本実施形態では、Ｂ副画素形成部ＳＰｂのＢ用ＴＦＴ１２０ｂが、当該Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂのドレイン電極１２５ｄに接続されたＢ用画素電極１３０ｂおよびこれに対向するＢカラーフィルタ１５２ｂから従来よりも離れた位置に配置される。これと同時に、Ｂ副画素形成部ＳＰｂに隣接するＲ副画素形成部ＳＰｒのＲ用ＴＦＴ１２０ｒが、当該Ｂ副画素形成部ＳＰｂのＢ用画素電極１３０ｂおよびこれに対向するＢカラーフィルタ１５２ｂから従来よりも離れた位置に配置される。なお、Ｂ副画素形成部ＳＰｂのＢ用画素電極１３０ｂおよびこれに対向するＢカラーフィルタ１５２ｂと、Ｇ副画素形成部ＳＰｇのＧ用ＴＦＴ１２０ｇとの距離は従来と同様である。

図３および図４に示すように、カラーフィルタ１５２間には、ブラックマトリクス１５１が配置されている。すなわち、各ＴＦＴ１２０上にブラックマトリクス１５１が配置されている。これにより、各ＴＦＴ１２０への光の入射を抑制することができるので、各ＴＦＴ１２０におけるしきい値シフトが低減される。本実施形態では、上述のＴＦＴ１２０の配置に合わせて、Ｂカラーフィルタ１５２ｂとＲカラーフィルタ１５２ｒとの間のブラックマトリクス１５１の幅（ゲートライン延伸方向の長さ）が、Ｒカラーフィルタ１５２ｒとＧカラーフィルタ１５２ｇとの間のブラックマトリクス１５１の幅およびＧカラーフィルタ１５２ｇとＢカラーフィルタ１５２ｂとの間のブラックマトリクス１５１の幅のそれぞれよりも、大きく設定されている。また、各副画素形成部ＳＰの開口率を均一にするために、各カラーフィルタ１５２の幅が均一に設定されている。

上述のように、本実施形態では、縦ストライプ状のカラーフィルタ１５２が形成されている。各カラーフィルタ１５２は、ソースライン延伸方向にわたって連続的に形成されている。すなわち、図３に示すように、ソースライン延伸方向において、各画素電極１３０の前方および後方にそれぞれ位置するゲートラインＧＬ（ｊ−１）およびＧＬ（ｊ）に対向する位置においてもカラーフィルタ１５２が配置されている。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、各カラーフィルタ１５２が、ソースライン延伸方向に不連続に形成されていてもよい。すなわち、ソースライン延伸方向において、各画素電極１３０の前方および後方にそれぞれ位置するゲートラインＧＬ（ｊ−１）およびＧＬ（ｊ）に対向する位置に、カラーフィルタ１５２に代えてブラックマトリクス１５１が配置されていてもよい。

＜１．３ 効果＞
本実施形態によれば、縦ストライプ状のカラーフィルタが形成された、赤色・緑色・青色の３原色に基づくカラー画像を表示するための液晶表示パネルにおいて、Ｂ副画素形成部ＳＰｂのＢ用ＴＦＴ１２０ｂが、Ｂカラーフィルタ１５２ｂから従来よりも離れた位置に配置される。さらに、ゲートライン延伸方向において連続して並んだＢ用画素電極１３０ｂとＲ用画素電極１３０ｒとの間に配置されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒも、Ｂカラーフィルタ１５２ｂから従来よりも離れた位置に配置される。その結果、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂおよびＲ用ＴＦＴ１２０ｒへの青色光の入射が抑制されるので、これらのＴＦＴのしきい値シフトが低減される。したがって、液晶表示パネルにおけるＴＦＴの信頼性を高めることができる。

なお、本実施形態では、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂの位置がＲ用ＴＦＴ１２０ｒおよびこれに対向するＲカラーフィルタ１５２ｒの位置に従来よりも近づくので、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂに入射する赤色光の入射量が従来よりも増えるが、これは上述のしきい値シフトの低減を妨げるものではない。すなわち、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂでは、赤色光の入射量が増える一方で、赤色光よりも波長の短い青色光の入射量が減っているので、結果として、上述のようにＢ用ＴＦＴ１２０ｂのしきい値シフトが従来よりも低減される。

また、本実施形態では、互いに異なる原色のカラーフィルタを近接した位置に設ける上記特許文献２のような構成を採用していないので、副画素形成部での表示に他の原色が混じる（例えば、副画素形成部ＳＰｂでの表示に赤色が混じる）ことによる表示品位の低下が抑制される。

＜１．４ 変形例＞
図５は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る液晶表示パネル１００のうち、特にＴＦＴ基板側の一部の構造を示す平面図である。図５に示すように、本変形例は、上記第１の実施形態よりも、Ｒ用画素電極１３０ｒおよびＲカラーフィルタ１５２ｒの幅（ゲートライン延伸方向の長さ）を小さくしたものである。なお、他の構成要素は上記第１の実施形態と同様である。

ゲートライン延伸方向においてＢ用画素電極１３０ｂの後方に位置するＲ用画素電極１３０ｒおよびこれに対向するＲカラーフィルタ１５２ｒの幅がそれぞれ、他の原色の画素電極１３０およびこれに対向するカラーフィルタ１５２の幅よりも小さく設定されている。言い換えると、Ｂカラーフィルタ１５２ｂとＲカラーフィルタ１５２ｒとの間のブラックマトリクス１５１の幅が、Ｒカラーフィルタ１５２ｒとＧカラーフィルタ１５２ｇとの間のブラックマトリクス１５１の幅およびＧカラーフィルタ１５２ｇとＢカラーフィルタ１５２ｂとの間のブラックマトリクス１５１の幅のそれぞれよりも大きくなった分だけ、Ｒ用画素電極１３０ｒの幅およびＲカラーフィルタ１５２ｒの幅が小さくなっている。これにより、液晶表示パネル１００のサイズを従来よりも大きくすることなく、液晶表示パネル１００の信頼性を高めることができる。

本変形例では、Ｒ用画素電極１３０ｒの幅およびＲカラーフィルタ１５２ｒの幅を小さくした分だけ、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒを介してＲ用画素電極１３０ｒに接続されたソースラインＳＬに印加すべきソース信号ＳＳの電圧を変化させる（ノーマリブラックの場合には高くし、ノーマリホワイトの場合には低くする）ことが望ましい。

なお、Ｒ用画素電極１３０ｒおよびＲカラーフィルタ１５２ｒの幅に代えて、Ｇ用画素電極１３０ｇおよびＧカラーフィルタ１５２ｇの幅を小さくしてもよい。同様に、Ｒ用画素電極１３０ｒおよびＲカラーフィルタ１５２ｒの幅に代えて、Ｂ用画素電極１３０ｂおよびＢカラーフィルタ１５２ｂの幅を小さくしてもよい。

＜２．第２の実施形態＞
＜２．１ 液晶表示パネルの構造＞
本発明の第２の実施形態に係る液晶表示パネル１００の構造について、図６を参照しつつ説明する。なお、本実施形態の構成要素のうち第１の実施形態と同一の要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。図６は、本発明の第２の実施形態に係る液晶表示パネル１００の一部の構造を示す断面図（図３におけるＡ−Ａ’線断面図に相当するもの）である。

上記第１の実施形態に係る液晶表示パネル１００では、ブラックマトリクス１５１およびカラーフィルタ１５２が対向基板１４０に配置されているのに対し、本実施形態に係る液晶表示パネル１００では、図６に示すように、これらブラックマトリクス１５１およびカラーフィルタ１５２がＴＦＴ基板１１０側に配置されている。

ブラックマトリクス１５１は、有機保護膜１２７および画素電極１３０の一部（コンタクトホールＣＨに対応する部分）を覆うように形成されている。例えば、有機保護膜１２７と、Ｂ用画素電極１３０ｂのうちコンタクトホールＣＨに対応する部分およびＲ用画素電極１３０ｂのうちコンタクトホールＣＨに対応する部分のそれぞれとを覆うように、ブラックマトリクス１５１が形成されている。

また、各カラーフィルタ１５２は、対向する画素電極１３０およびブラックマトリクス１５１の一部を覆うように形成されている。例えば、Ｂ用画素電極１３０ｂと、当該Ｂ用画素電極１３０ｂのうちコンタクトホールＣＨに対応する部分を覆うブラックマトリクス１５１の一部（コンタクトホールＣＨの上方部分）とを覆うように、Ｂカラーフィルタ１５２ｂが形成されている。また例えば、Ｒ用画素電極１３０ｒと、当該Ｒ用画素電極１３０ｒのうちコンタクトホールＣＨに対応する部分を覆うブラックマトリクス１５１の一部（コンタクトホールＣＨの上方部分）とを覆うように、Ｒカラーフィルタ１５２ｒが形成されている。

対向基板１４０は、絶縁基板１４１上に直接共通電極１６０が形成された構成となっている。

なお、本実施形態におけるＴＦＴ１２０の配置は、上記第１の実施形態におけるものと同様である（図３に示す配置と同様である）。ゲートライン延伸方向においてＢ用画素電極１３０ｂの前方に隣接するＧ用画素電極１３０ｇ（一方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇが、当該Ｇ用画素電極１３０ｇに対して、Ｂ用画素電極１３０ｂの反対側に配置されている。Ｂ用画素電極１３０ｂにドレイン電極１２５ｄが接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと当該Ｂ用画素電極１３０ｂとの距離は、Ｇ用画素電極１３０ｇ（一方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇと当該Ｇ用画素電極１３０ｇとの距離よりも大きい。ゲートライン延伸方向においてＢ用画素電極１３０ｂの後方に隣接するＲ用画素電極１３０ｒ（他方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒとＢ用画素電極１３０ｂとの距離は、Ｂ用画素電極１３０ｂに接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと当該Ｂ用画素電極１３０ｂとの距離よりも大きい。

また、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂのソース電極１２５ｓが接続されたソースラインＳＬ（ｉ＋２）と、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒのソース電極１２５ｓが接続されたソースラインＳＬ（ｉ＋３）とは、ゲートライン延伸方向に互いに隣接している。すなわち、Ｂ用画素電極１３０ｂにドレイン電極１２５ｄが接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと、ゲートライン延伸方向において当該Ｂ用画素電極１３０ｂの後方に隣接するＲ用画素電極１３０ｒ（他方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒとが、当該Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂおよびＲ用ＴＦＴ１２０ｒのソース電極１２５ｓがそれぞれ接続されたソースラインＳＬ（ｉ＋２）およびＳＬ（ｉ＋３）を挟んで互いに対向する位置に配置されている。

さらに、ソースラインＳＬ（ｉ）またはソースラインＳＬ（ｉ＋３）にソース電極１２５ｓが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒ、およびソースラインＳＬ（ｉ＋１）にソース電極１２５ｓが接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇは、従来と同様に、それぞれＲ用画素電極１３０ｒおよびＧ用画素電極１３０ｇの近傍（切り欠き部分）に配置されている。これに対して、ソースラインＳＬ（ｉ＋２）にソース電極１２５ｓが接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂは、Ｂ用画素電極１３０ｂから従来よりも離れると共に、Ｒ用画素電極１３０ｒに従来よりも寄った位置に配置されている。

＜２．２ 効果＞
本実施形態によれば、ブラックマトリクス１５１およびカラーフィルタ１５２がＴＦＴ基板１１０側に配置された液晶表示パネル１００において、上記第１の実施形態と同様に、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂおよびＲ用ＴＦＴ１２０ｒへの青色光の入射が抑制される。したがって、第１の実施形態と同様の効果を奏することができる。

＜３．第３の実施形態＞
＜３．１ 液晶表示パネルの構成＞
本発明の第３の実施形態に係る液晶表示パネル１００の構成（電気的構成および構造）について、図７および図８を参照しつつ説明する。なお、本実施形態の構成要素のうち第１の実施形態と同一の要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。

＜３．１．１ 電気的構成＞
まず、本実施形態に係る液晶表示パネル１００の電気的構成について説明する。図７は、本実施形態に係る液晶表示パネル１００における画素形成部の電気的構成を示す回路図である。上記第１の実施形態に係る液晶表示パネル１００は、３原色（赤色・緑色・青色）に基づいてカラー画像を表示するように構成されているのに対し、本実施形態に係る液晶表示パネル１００は、図７に示すように、４原色（赤色・緑色・青色・黄色）に基づいてカラー画像を表示するように構成されている。すなわち、各画素形成部ＭＰが、Ｒ副画素形成部ＳＰｒ、Ｇ副画素形成部ＳＰｇ、およびＢ副画素形成部ＳＰｂに加えて、黄色（Ｙ）を示す副画素形成部ＳＰｙ（以下、「Ｙ副画素形成部ＳＰｙ」という）により構成されている。以下では、Ｒ用副画素形成部ＳＰｒ、Ｇ副画素形成部ＳＰｇ、およびＢ副画素形成部ＳＰｂ、さらにＹ副画素形成部ＳＰｙを区別しない場合には、これらを「副画素形成部ＳＰ」という。

Ｙ副画素形成部ＳＰｙは、Ｒ用副画素形成部ＳＰｒ、Ｇ副画素形成部ＳＰｇ、およびＢ副画素形成部ＳＰｂと同様の構成である。すなわち、Ｙ副画素形成部ＳＰｙは、対応する交差点を通過するゲートラインＧＬ（ｊ）にゲート端子が接続されると共に当該交差点を通過するソースラインＳＬ（ｉ＋３）にソース端子が接続されたＹ用ＴＦＴ１２０ｙと、このＹ用ＴＦＴ１２０ｙのドレイン端子に接続されたＹ用画素電極１３０ｙと、図示しない補助容量電極とにより構成されている。Ｙ用ＴＦＴ１２０ｙの構成は、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒ、Ｇ用ＴＦＴ１２０ｇ、およびＢ用ＴＦＴ１２０ｂの構成と同様である。

以下では、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒ、Ｇ用ＴＦＴ１２０ｇ、およびＢ用ＴＦＴ１２０ｂ、さらにＹ用ＴＦＴ１２０ｙを区別しない場合には、これらを「ＴＦＴ１２０」という。同様に、Ｒ用画素電極１３０ｒ、Ｇ用画素電極１３０ｇ、およびＢ用画素電極１３０ｂ、さらにＹ用画素電極１３０ｙを区別しない場合には、これらを「画素電極１３０」という。

＜３．１．２ 構造＞
次に、本実施形態に係る液晶表示パネル１００の構造について説明する。図８は、本発明の第３の実施形態に係る液晶表示パネル１００のうち、特にＴＦＴ基板側の一部の構造を示す平面図である。

図８に示すように、本実施形態では、ゲートライン延伸方向の前方から、Ｒ用画素電極１３０ｒ、Ｇ用画素電極１３０ｇ、Ｂ用画素電極１３０ｂ、Ｙ用画素電極１３０ｙが順に並べられている。なお、画素電極１３０の並び順はこれに限定されるものではない。例えば、ゲートライン延伸方向の前方から、Ｒ用画素電極１３０ｒ、Ｙ用画素電極１３０ｙ、Ｂ用画素電極１３０ｂ、Ｇ用画素電極１３０ｇの順等でもよい。

Ｙ用画素電極１３０ｙに対向する位置には、黄色の着色層としての黄色のカラーフィルタ１５２ｙ（以下、「Ｙカラーフィルタ１５２ｙ」という）が形成されている。以下では、Ｒカラーフィルタ１５２ｒ、Ｇカラーフィルタ１５２ｇ、およびＢカラーフィルタ１５２ｂ、さらにＹカラーフィルタ１５２ｙを区別しない場合には、これらを「カラーフィルタ１５２」という。カラーフィルタ１５２およびブラックマトリクス１５１は、上記第１の実施形態のように対向基板１４０側に配置されていてもよく、また、上記第２の実施形態のようにＴＦＴ基板１１０側に配置されていてもよい。

次に、本実施形態におけるＴＦＴ１２０の配置について説明する。図８に示すように、本実施形態では、ゲートライン延伸方向においてＢ用画素電極１３０ｂの前方に隣接するＧ用画素電極１３０ｇ（一方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇが、当該Ｇ用画素電極１３０ｇに対して、Ｂ用画素電極１３０ｂの反対側に配置されている。Ｂ用画素電極１３０ｂにドレイン電極１２５ｄが接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと当該Ｂ用画素電極１３０ｂとの距離は、Ｇ用画素電極１３０ｇ（一方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇと当該Ｇ用画素電極１３０ｇとの距離よりも大きい。ゲートライン延伸方向においてＢ用画素電極１３０ｂの後方に隣接するＹ用画素電極１３０ｙ（他方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＹ用ＴＦＴ１２０ｙとＢ用画素電極１３０ｂとの距離は、Ｂ用画素電極１３０ｂに接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと当該Ｂ用画素電極１３０ｂとの距離よりも大きい。

また、図８に示すように、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂのソース電極１２５ｓが接続されたソースラインＳＬ（ｉ＋２）と、Ｙ用ＴＦＴ１２０ｙのソース電極１２５ｓが接続されたソースラインＳＬ（ｉ＋３）とは、ゲートライン延伸方向に互いに隣接している。すなわち、Ｂ用画素電極１３０ｂにドレイン電極１２５ｄが接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと、ゲートライン延伸方向において当該Ｂ用画素電極１３０ｂの後方に隣接するＹ用画素電極１３０ｙ（他方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＹ用ＴＦＴ１２０ｙとが、当該Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂおよびＹ用ＴＦＴ１２０ｙのソース電極１２５ｓがそれぞれ接続されたソースラインＳＬ（ｉ＋２）およびＳＬ（ｉ＋３）を挟んで互いに対向する位置に配置されている。

さらに、図８に示すように、ソースラインＳＬ（ｉ−１）またはソースラインＳＬ（ｉ＋３）にソース電極１２５が接続されたＹ用ＴＦＴ１２０ｙ、ソースラインＳＬ（ｉ）にソース電極１２５ｓが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒ、およびソースラインＳＬ（ｉ＋１）にソース電極１２５ｓが接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇは、従来と同様に、それぞれＹ用画素電極１３０ｙ、Ｒ用画素電極１３０ｒ、およびＧ用画素電極１３０ｇの近傍（切り欠き部分）に配置されている。これに対して、ソースラインＳＬ（ｉ＋２）にソース電極１２５ｓが接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂは、Ｂ用画素電極１３０ｂから従来よりも離れると共に、Ｙ用画素電極１３０ｙに従来よりも寄った位置に配置されている。

このように、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様に、Ｂ副画素形成部ＳＰｂのＢ用ＴＦＴ１２０ｂが、当該Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂのドレイン電極１２５ｄに接続されたＢ用画素電極１３０ｂおよびこれに対向するＢカラーフィルタ１５２ｂから従来よりも離れた位置に配置される。これと同時に、Ｂ副画素形成部ＳＰｂに隣接するＹ副画素形成部ＳＰｙのＹ用ＴＦＴ１２０ｙが、当該Ｂ副画素形成部ＳＰｂのＢ用画素電極１３０ｂおよびこれに対向するＢカラーフィルタ１５２ｂから従来よりも離れた位置に配置される。なお、Ｂ副画素形成部ＳＰｂのＢ用画素電極１３０ｂおよびこれに対向するＢカラーフィルタ１５２ｂと、Ｇ副画素形成部ＳＰｇのＧ用ＴＦＴ１２０ｇとの距離は従来と同様である。

図８に示すように、カラーフィルタ間には、ブラックマトリクス１５１が配置されている。すなわち、各ＴＦＴ１２０上にブラックマトリクス１５１が配置されている。本実施形態では、上述のＴＦＴ１２０の配置に合わせて、Ｂカラーフィルタ１５２ｂとＹカラーフィルタ１５２ｙとの間のブラックマトリクス１５１の幅が、Ｙカラーフィルタ１５２ｙとＲカラーフィルタ１５２ｒとの間のブラックマトリクス１５１の幅、Ｒカラーフィルタ１５２ｒとＧカラーフィルタ１５２ｇとの間のブラックマトリクス１５１の幅、およびＧカラーフィルタ１５２ｇとＢカラーフィルタ１５２ｂとの間のブラックマトリクス１５１の幅のそれぞれよりも、大きく設定されている。また、各副画素形成部ＳＰの開口率を均一にするために、各カラーフィルタ１５２の幅が均一に設定されている。

なお、上記第１の実施形態の変形例のように液晶表示パネル１００のサイズを考慮して、Ｙ用画素電極１３０ｙおよびＹカラーフィルタ１５２ｙの幅をそれぞれ、他の原色の画素電極１３０およびこれに対向するカラーフィルタ１５２の幅よりも小さくしてもよい。また、Ｙ用画素電極１３０ｙおよびＹカラーフィルタ１５２ｙの幅に代えて、他の原色用の画素電極１３０およびこれに対向するカラーフィルタ１５２の幅を小さくしてもよい。この場合、画素電極１３０およびこれに対向するカラーフィルタ１５２の幅を小さくした分だけ、ＴＦＴ１２０を介して当該画素電極１３０に接続されたソースラインＳＬに印加すべきソース信号ＳＳの電圧を変化させる（ノーマリブラックの場合には高くし、ノーマリホワイトの場合には低くする）ことが望ましい。

＜３．２ 効果＞
本実施形態によれば、赤色・緑色・青色・黄色の４原色に基づくカラー画像を表示するための液晶表示パネルにおいて、上記第１の実施形態と同様の効果を奏することができる。

＜４．第４の実施形態＞
＜４．１ 液晶表示パネルの構造＞
本発明の第４の実施形態に係る液晶表示パネル１００の構造について、図９を参照しつつ説明する。なお、本実施形態の構成要素のうち第１の実施形態と同一の要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。図９は、本実施形態に係る液晶表示パネル１００のうち、特にＴＦＴ基板側の一部の構造を示す平面図である。

上記第１の実施形態と同様に、本実施形態に係る液晶表示パネル１００は、３原色（赤色・緑色・青色）に基づいてカラー画像を表示するように構成されている。しかし、本実施形態における画素電極１３０の並ぶ方向が、上記第１の実施形態におけるものと異なる。すなわち、上記第１の実施形態では、ゲートライン延伸方向の前方から各原色用の画素電極１３０が順に並べられているのに対し、本実施形態では、ソースライン延伸方向の前方から各原色用の画素電極１３０が順に並べられている。

図９に示すように、ソースライン延伸方向の前方から、Ｇ用画素電極１３０ｇ、Ｂ用画素電極１３０ｂ、Ｒ用画素電極１３０ｒが順に並べられているが、画素電極１３０の並び順はこれに限定されるものではない。例えば、ソースライン延伸方向の前方からＲ用画素電極１３０ｒ、Ｂ用画素電極１３０ｂ、Ｇ用画素電極１３０ｇの順等でもよい。Ｇ用画素電極１３０ｇとＧカラーフィルタ１５２ｇは互いに対向している。同様に、Ｂ用画素電極１３０ｂとＢカラーフィルタ１５２ｂとが互いに対向し、Ｒ用画素電極１３０ｒとＲカラーフィルタ１５２ｒとが互いに対向している。各カラーフィルタ１５２は、ゲートライン延伸方向にストライプ状に形成されている。本明細書では、このようにゲートライン延伸方向にストライプ状に形成されたカラーフィルタを、「横ストライプ状のカラーフィルタ」という。

カラーフィルタ１５２およびブラックマトリクス１５１は、上記第１の実施形態のように対向基板１４０側に配置されていてもよく、また、上記第２の実施形態のようにＴＦＴ基板１１０側に配置されていてもよい。

なお、本実施形態に係る液晶表示パネル１００の電気的構成は、上記第１の実施形態に係る液晶表示パネル１００のものと同様であるので、その説明を省略する。

次に、本実施形態におけるＴＦＴ１２０の配置について説明する。図９に示すように、本実施形態では、ソースライン延伸方向においてＢ用画素電極１３０ｂの後方に隣接するＲ用画素電極１３０ｒ（一方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒが、当該Ｒ用画素電極１３０ｒに対して、Ｂ用画素電極１３０ｂの反対側に配置されている。Ｂ用画素電極１３０ｂにドレイン電極１２５ｄが接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと当該Ｂ用画素電極１３０ｂとの距離は、Ｒ用画素電極１３０ｒ（一方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒと当該Ｒ用画素電極１３０ｒとの距離よりも大きい。ソースライン延伸方向においてＢ用画素電極１３０ｂの前方に隣接するＧ用画素電極１３０ｇ（他方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇとＢ用画素電極１３０ｂとの距離は、Ｂ用画素電極１３０ｂに接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと当該Ｂ用画素電極１３０ｂとの距離と等しい。

また、図９に示すように、ソースライン延伸方向において互いに隣接するＲ用画素電極１３０ｒとＧ用画素電極１３０ｇとの間に、Ｒ用画素電極１３０ｒ、Ｂ用画素電極１３０ｂ、およびＧ用画素電極１３０ｇにそれぞれドレイン電極１２５ｄが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒ、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂ、およびＧ用ＴＦＴ１２０ｇが配置されている。すなわち、Ｒ用画素電極１３０ｒとＧ用画素電極１３０ｇとの間に、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂを含む３つのＴＦＴ１２０が配置されている。なお、ゲートライン延伸方向には、同一原色用の画素電極１３０が並べられている（図示しない）。

Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒを介してソースラインＳＬ（ｉ）に接続されたＲ用画素電極１３０ｒ、ソースライン延伸方向において当該Ｒ用画素電極１３０ｒの前方に位置するＢ用画素電極１３０ｂ、およびソースライン延伸方向において当該Ｂ用画素電極１３０ｂの前方に位置するＧ用画素電極１３０ｇのそれぞれの下方には、有機保護膜１２７および無機保護膜１２６を挟んでソースラインＳＬ（ｉ＋１）およびソースラインＳＬ（ｉ＋２）が配置されている。同様に、ソースライン延伸方向において、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒを介してソースラインＳＬ（ｉ）に接続されたＲ用画素電極１３０ｒの後方に位置するＧ用画素電極１３０ｇの下方にも、有機保護膜１２７および無機保護膜１２６を挟んでソースラインＳＬ（ｉ＋１）およびソースラインＳＬ（ｉ＋２）が配置されている。

図９に示すように、Ｇ用画素電極１３０ｇおよびＢ用画素電極１３０ｂは矩形状に形成されている。すなわち、Ｇ用画素電極１３０ｇおよびＢ用画素電極１３０ｂには、ＴＦＴ１２０を近傍に配置するための切り欠き部分が設けられていない。一方、Ｒ用画素電極１３０ｒには、３つのＴＦＴを近傍に配置するための切り欠き部分が設けられている。ソースラインＳＬ（ｉ）、ＳＬ（ｉ＋１）およびＳＬ（ｉ＋２）にそれぞれソース電極１２５ｓが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒ、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂ、およびＧ用ＴＦＴ１２０ｇは、上記切り欠き部分に配置されている。

このように、本実施形態では、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒ、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂ、およびＧ用ＴＦＴ１２０ｇが、Ｂ副画素形成部ＳＰｂに隣接するＲ副画素形成部ＳＰｒのＲ用画素電極１３０ｒの幅（ソースライン延伸方向の長さ）に相当する距離だけ、Ｂ用画素電極１３０ｂおよびこれに対向するＢカラーフィルタ１５２ｂから離れた位置に配置される。

図９に示すように、カラーフィルタ１５２間には、ブラックマトリクス１５１が配置されている。すなわち、各ＴＦＴ１２０上にブラックマトリクス１５１が配置されている。本実施形態では、上述のＴＦＴ１２０の配置に合わせて、Ｒカラーフィルタ１５２ｒとＧカラーフィルタ１５２ｇとの間のブラックマトリクス１５１のうち、各ＴＦＴ１２０に対向する部分の幅（ソースライン延伸方向の長さ）が、他の部分の幅に比べて大きく設定されている。また、各副画素形成部ＳＰの開口率を均一にするために、切り欠き部分の面積に相当する分だけＲ用画素電極１３０ｒの面積が大きくなるように、Ｒ用画素電極の幅（ソースライン延伸方向の長さ）が他の画素電極の幅よりも大きく設定されている。これに合わせて、Ｒカラーフィルタ１５２の幅（ソースライン延伸方向の長さ）も、他の色のカラーフィルタの幅よりも大きく設定されている。

上述のように、本実施形態では、横ストライプ状のカラーフィルタ１５２が形成されている。各カラーフィルタ１５２は、ゲートライン延伸方向にわたって連続的に形成されている。すなわち、ゲートライン延伸方向において、各画素電極の前方および後方にそれぞれ位置するソースラインＳＬ（ｉ）およびＳＬ（ｉ＋３）に対向する位置においてもカラーフィルタ１５２が配置されている。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、各カラーフィルタ１５２が、ゲートライン延伸方向に不連続に形成されていてもよい。すなわち、ゲートライン延伸方向において、各画素電極１３０の前方および後方にそれぞれ位置するソースラインＳＬ（ｉ）およびＳＬ（ｉ＋３）に対向する位置に、カラーフィルタ１５２に代えてブラックマトリクス１５１が配置されていてもよい。

＜４．２ 効果＞
本実施形態によれば、横ストライプ状のカラーフィルタが形成された、赤色・緑色・青色の３原色に基づくカラー画像を表示するための液晶表示パネルにおいて、上記第１の実施形態と同様に、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂおよびＲ用ＴＦＴ１２０ｒへの青色光の入射が抑制される。したがって、上記第１の実施形態と同様の効果を奏することができる。

なお、本実施形態では、各原色用のＴＦＴ１２０の位置が、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒおよびこれに対向するＲカラーフィルタ１５２ｒの位置とＧ用ＴＦＴ１２０ｇおよびこれに対向するＧカラーフィルタ１５２ｇの位置とに近接しているが、上述のしきい値シフトの低減を妨げるものではない。すなわち、各原色用のＴＦＴ１２０では、赤色光または緑色光の入射量が増える一方で、これらの光よりも波長の短い青色光の入射量が減っているので、結果として、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂのしきい値シフトが低減される。

なお、本実施形態において、上記第３の実施形態のように赤色・緑色・青色・黄色の４原色に基づくカラー画像を表示する構成を採用しても同様の効果を奏することができる。この場合、ソースライン延伸方向において、各原色用のＴＦＴ１２０の位置の前方および後方のいずれにも、Ｂ用画素電極１３０ｇおよびこれに対向するカラーフィルタ１５２ｂが位置しないような構成とする必要がある。

＜４．３ 変形例＞
図１０は、本発明の第４の実施形態の変形例に係る液晶表示パネル１００のうち、特にＴＦＴ基板側の一部の構造を示す平面図である。図１０に示すように、本変形例は、上記第４の実施形態において、Ｒ用画素電極１３０ｒおよびＲカラーフィルタ１５２ｒの幅（ソースライン延伸方向）を小さくしたものである。なお、他の構成要素は上記第４の実施形態と同様である。

ソースライン延伸方向においてＢ用画素電極１３０ｂの後方に位置するＲ用画素電極１３０ｒおよびこれに対向するＲカラーフィルタ１５２ｒの幅がそれぞれ、他の原色の画素電極１３０およびこれに対向するカラーフィルタ１５２の幅よりも小さく設定されている。言い換えると、Ｂカラーフィルタ１５２ｂとＲカラーフィルタ１５２ｒとの間のブラックマトリクス１５１の幅が、Ｒカラーフィルタ１５２ｒとＧカラーフィルタ１５２ｇとの間のブラックマトリクス１５１の幅およびＧカラーフィルタ１５２ｇとＢカラーフィルタ１５２ｂとの間のブラックマトリクス１５１の幅のそれぞれよりも大きくなった分だけ、Ｒ用画素電極１３０ｒの幅およびＲカラーフィルタ１５２ｒの幅が小さく設定されている。これにより、液晶表示パネル１００のサイズを従来よりも大きくすることなく、液晶表示パネル１００の信頼性を高めることができる。

本変形例では、Ｒ用画素電極１３０ｒの幅およびＲカラーフィルタ１５２ｒの幅を小さくした分だけ、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒを介してＲ用画素電極１３０ｒに接続されたソースラインＳＬに印加すべきソース信号ＳＳの電圧を変化させる（ノーマリブラックの場合には高くし、ノーマリホワイトの場合には低くする）ことが望ましい。

なお、Ｒ用画素電極１３０ｒおよびＲカラーフィルタ１５２ｒの幅に代えて、Ｇ用画素電極１３０ｇおよびＧカラーフィルタ１５２ｇの幅を小さくしてもよい。同様に、Ｒ用画素電極１３０ｒおよびＲカラーフィルタ１５２ｒの幅に代えて、Ｂ用画素電極１３０ｂおよびＢカラーフィルタ１５２ｂの幅を小さくしてもよい。

＜５．その他＞
上記各実施形態では、ＴＦＴ１２０の配置のために画素電極１３０に切り欠き部分を設けているが、本発明はこれに限定されるものではなく、このような切り欠き部分を設けなくてもよい。

上記各実施形態では、１つの画素形成部ＭＰに３つ（または４つ）のソースラインＳＬおよび１つのゲートラインＧＬが対応しているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、１つの画素形成部ＭＰに１つのソースラインＳＬおよび３つ（または４つ）のゲートラインＧＬが対応した態様にも、本発明を適用することができる。

その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で上記各実施形態を種々変形して実施することができる。

以上により、本発明によれば、表示品位の低下を抑制しつつ、薄膜トランジスタの信頼性を高めた液晶表示パネルおよびそれを備える液晶表示装置を提供することができる。

本発明は、チャネル層が酸化物半導体からなるＴＦＴを使用した液晶表示パネルに適用することができる。

１００…液晶表示パネル
１１０…ＴＦＴ基板（第１基板）
１２０ｒ…Ｒ用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
１２０ｇ…Ｇ用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
１２０ｂ…Ｂ用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
１２０ｙ…Ｙ用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
１２１…ゲート電極（ゲート端子）
１２５ｄ…ドレイン電極（ドレイン端子）
１２５ｓ…ソース電極（ソース端子）
１３０ｒ…Ｒ用画素電極
１３０ｇ…Ｇ用画素電極
１３０ｂ…Ｂ用画素電極
１３０ｙ…Ｙ用画素電極
１４０…対向基板（第２基板）
１５１…ブラックマトリクス（遮光層）
１５２ｒ…Ｒカラーフィルタ（着色層）
１５２ｇ…Ｇカラーフィルタ（着色層）
１５２ｂ…Ｂカラーフィルタ（着色層）
１５２ｙ…Ｙカラーフィルタ（着色層）
１６０…共通電極
１８０…液晶層
ＧＬ（１）〜ＧＬ（ｍ）…ゲートライン（走査信号線）
ＳＬ（１）〜ＳＬ（ｎ）…ソースライン（映像信号線）
ＭＰ…画素形成部
ＳＰｒ…Ｒ副画素形成部
ＳＰｇ…Ｇ副画素形成部
ＳＰｂ…Ｂ副画素形成部
ＳＰｙ…Ｙ副画素形成部

本発明は、液晶表示パネルおよびそれを備える液晶表示装置に関し、特に、酸化物半導体をチャネル層に用いたＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）を使用した液晶表示パネルおよびそれを備える液晶表示装置に関する。

近年、酸化物半導体をチャネル層に用いたＴＦＴが注目されている。この酸化物半導体からなる薄膜（以下、「酸化物半導体膜」ともいう）は、高移動度であり、かつ、可視光の透過性が高いため、液晶表示装置等の用途に用いられている。酸化物半導体膜としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、および酸素（Ｏ）を主成分とする酸化物半導体であるＩｎＧａＺｎＯ_x（以下、「ＩｎＧａＺｎＯ _x 」という）からなるものが知られている。

ところで、液晶表示パネルでは、ＴＦＴのチャネル層への光入射によりこのＴＦＴのしきい値変動が生じるという問題がある。特に、ＩｎＧａＺｎＯ _x をチャネル層に用いたＴＦＴ（以下、「ＩＧＺＯ−ＴＦＴ」ということがある）では、可視光の短波長側において光吸収により電気伝導度が変動することが知られている（例えば、特許文献１を参照）。すなわち、ＩｎＧａＺｎＯ _x をチャネル層に用いたＴＦＴでは、短波長の可視光がチャネル層に入射することにより、しきい値変動が生じる。これは、液晶表示パネルの信頼性低下の原因となる。

本願発明に関連して、特許文献２には、カラーフィルタ基板においてアレイ基板のＴＦＴに相対する位置に短波長の光を最も良く吸収する赤色のカラーフィルタパターンが配置された液晶表示パネルが開示されている。このような構成によれば、短波長の光がＴＦＴのチャネル層へ入射すること防止できるので、ＴＦＴのしきい値変動を抑制することができる。

日本の特開２００７−２５０９８４号公報 日本の特開２００１−９１９７１号公報

しかし、特許文献２に記載の液晶表示パネルでは、青色および緑色の副画素形成部のＴＦＴに相対する位置に赤色のカラーフィルタパターンが配置される。すなわち、互いに異なる色のカラーフィルタが近接して設けられる。このため、ＴＦＴ周辺から漏れた赤色光が青色または緑色の表示に混じる。その結果、青色または緑色の表示に赤色が混じるので、表示品位が低下する。

そこで、本発明は、表示品位の低下を抑制しつつ、薄膜トランジスタの信頼性を高めた液晶表示パネルおよびそれを備える液晶表示装置を提供することを目的とする。

本発明の第１の局面は、所定数の原色に基づくカラー画像を表示するための液晶表示パネルであって、
互いに対向する第１基板および第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、
前記第１基板上に互いに交差するように配置された複数の映像信号線および複数の走査信号線と、
前記複数の映像信号線および前記複数の走査信号線に沿ってマトリクス状に配置された複数の画素形成部と、
前記所定数の原色のそれぞれの着色層とを備え、
各画素形成部は、前記所定数の原色にそれぞれ対応した複数の副画素形成部を含み、
各副画素形成部は、
該副画素形成部に沿った前記映像信号線と前記走査信号線とに対応して配置された、チャネル層が酸化物半導体からなる薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続されると共に、該副画素形成部が対応する原色の着色層に対向する画素電極とを有し、
各画素形成部において、前記複数の副画素形成部の画素電極が所定方向に並び、
前記所定数の原色のうちの最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に前記所定方向において隣接する一方の画素電極に接続された薄膜トランジスタは、該一方の画素電極に対して、該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極の反対側に配置され、
前記最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に接続された薄膜トランジスタと該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極との距離が、前記一方の画素電極に接続された薄膜トランジスタと該一方の画素電極との距離よりも大きく、
前記最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に前記所定方向において隣接する他方の画素電極に接続された薄膜トランジスタと該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極との距離が、該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に接続された薄膜トランジスタと該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極との距離以上であることを特徴とする。

本発明の第２の局面は、本発明の第１の局面において、
前記所定方向は、前記複数の走査信号線の延伸する方向であり、
前記最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に、前記複数の走査信号線の延伸する方向において隣接する他方の画素電極に接続された薄膜トランジスタと該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極との距離は、該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に接続された薄膜トランジスタと該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極との距離よりも大きいことを特徴とする。

本発明の第３の局面は、本発明の第２の局面において、
前記最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に接続された薄膜トランジスタと、前記他方の画素電極に接続された薄膜トランジスタとは、それぞれに接続された前記映像信号線を挟んで互いに対向する位置に配置されていることを特徴とする。

本発明の第４の局面は、本発明の第１の局面において、
前記所定方向は、前記複数の映像信号線の延伸する方向であり、
前記最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に、前記複数の映像信号線の延伸する方向において隣接する他方の画素電極に接続された薄膜トランジスタと該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極との距離は、該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に接続された薄膜トランジスタと該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極との距離と等しいことを特徴とする。

本発明の第５の局面は、本発明の第１の局面において、
各薄膜トランジスタに対向する位置に遮光層が配置されていることを特徴とする。

本発明の第６の局面は、本発明の第１の局面において、
前記着色層は、前記第２基板上に配置されていることを特徴とする。

本発明の第７の局面は、本発明の第１の局面において、
前記着色層は、当該着色層に対向する画素電極上に配置されていることを特徴とする。

本発明の第８の局面は、本発明の第１の局面において、
前記最も波長の短い原色は青色であることを特徴とする。

本発明の第９の局面は、本発明の第８の局面において、
前記カラー画像は、赤色、緑色、および青色に基づき表示されることを特徴とする。

本発明の第１０の局面は、本発明の第８の局面において、
前記カラー画像は、赤色、緑色、青色、および黄色に基づき表示されることを特徴とする。

本発明の第１１の局面は、本発明の第１の局面において、
前記酸化物半導体は、ＩｎＧａＺｎＯ _x を含むことを特徴とする。

本発明の第１２の局面は、液晶表示装置であって、
本発明の第１の局面から第１１の局面までのいずれかに係る液晶表示パネルを備えることを特徴とする。

本発明の第１の局面によれば、所定数の原色に基づくカラー画像を表示するための液晶表示パネルにおいて、上記所定数の原色のうちの最も波長の短い原色に対応した副画素形成部の薄膜トランジスタが、当該最も波長の短い原色の着色層から従来よりも離れた位置に配置される。さらに、所定方向において連続して並んだ、第１原色の着色層に対向する画素電極と第２原色の着色層に対向する画素電極との間に配置された薄膜トランジスタのうち、上記最も波長の短い原色に対応した副画素形成部の薄膜トランジスタ以外の薄膜トランジスタも、上記最も波長の短い原色の着色層から従来よりも離れた位置に配置される。その結果、最も波長の短い原色に対応した副画素形成部の薄膜トランジスタと、上記所定方向において連続して並んだ、第１原色の着色層に対向する画素電極と第２原色の着色層に対向する画素電極との間に配置された薄膜トランジスタのうち、上記最も波長の短い原色に対応した副画素形成部の薄膜トランジスタ以外の薄膜トランジスタへの上記最も波長の短い原色の光の入射が抑制されるので、これらの薄膜トランジスタのしきい値シフトが低減される。したがって、液晶表示パネルにおける薄膜トランジスタの信頼性を高めることができる。なお、互いに異なる原色のカラーフィルタを近接した位置に設ける上記特許文献２のような構成を採用していないので、副画素形成部での表示に他の原色が混じることによる表示品位の低下が抑制される。

本発明の第２の局面または第３の局面によれば、着色層が、複数の走査信号線の延伸する方向にストライプ状に形成されている液晶表示パネルにおいて、本発明の第１の局面と同様の効果を奏することができる。

本発明の第４の局面によれば、着色層が、複数の映像信号線の延伸する方向にストライプ状に形成されている液晶表示パネルにおいて、本発明の第１の局面と同様の効果を奏することができる。

本発明の第５の局面によれば、各薄膜トランジスタへの光の入射が抑制されるので、当該薄膜トランジスタにおけるしきい値シフトが低減される。これにより、液晶表示パネルにおける薄膜トランジスタの信頼性をより高めることができる。

本発明の第６の局面によれば、着色層が第２基板側に配置された液晶表示パネルにおいて、本発明の第１の局面と同様の効果を奏することができる。

本発明の第７の局面によれば、着色層が第１基板側に配置された液晶表示パネルにおいて、本発明の第１の局面と同様の効果を奏することができる。

本発明の第８の局面によれば、青色に対応した薄膜トランジスタと、上記所定方向において連続して並んだ、第１原色の着色層に対向する画素電極と第２原色の着色層に対向する画素電極との間に配置された薄膜トランジスタのうち、青色に対応した副画素形成部の薄膜トランジスタ以外の薄膜トランジスタへの青色光の入射が抑制されるので、これらの薄膜トランジスタのしきい値シフトが低減される。したがって、液晶表示パネルにおける薄膜トランジスタの信頼性を高めることができる。

本発明の第９の局面によれば、赤色・緑色・青色の３原色に基づくカラー画像を表示するための液晶表示パネルにおいて、本発明の第８の局面と同様の効果を奏することができる。

本発明の第１０の局面によれば、赤色・緑色・青色・黄色の４原色に基づくカラー画像を表示するための液晶表示パネルにおいて、本発明の第８の局面と同様の効果を奏することができる。

本発明の第１１の局面によれば、ＩｎＧａＺｎＯ _x を含む酸化物半導体の薄膜は、高移動度であり、かつ、可視光の透過性が高いため、薄膜トランジスタのチャネル層に用いれば薄膜トランジスタの性能を高めることができる。

本発明の第１２の局面によれば、液晶表示装置において、本発明の第１の局面から第１０の局面までのいずれかと同様の効果を奏することができる。

本発明の第１の実施形態に係る液晶表示パネルを備える液晶表示装置の構成を示すブロック図である。 上記第１の実施形態における画素形成部の電気的構成を示す回路図である。 上記第１の実施形態に係る液晶表示パネルの一部の構造を示す平面図である。 図３におけるＡ−Ａ’線断面図である。 上記第１の実施形態の変形例に係る液晶表示パネルの一部の構造を示す平面図である。 本発明の第２の実施形態に係る液晶表示パネルの一部の構造を示す断面図である。 本発明の第３の実施形態における画素形成部の電気的構成を示す回路図である。 上記第３の実施形態に係る液晶表示パネルの一部の構造を示す平面図である。 本発明の第４の実施形態に係る液晶表示パネルの一部の構造を示す平面図である。 上記第４の実施形態の変形例に係る液晶表示パネルの一部の構造を示す平面図である。 本発明の基礎検討におけるＴＦＴの構成を示す断面図である。 上記基礎検討における実験結果を示す図である。 上記基礎検討における従来の液晶表示パネルの一部の構造を示す平面図である。 図１３におけるＢ−Ｂ’線断面図である。

＜０．基礎検討＞
本発明の実施形態について説明する前に、上記課題を解決すべく本願発明者によりなされた基礎検討について説明する。

＜０．１ 実験＞
本願発明者は、キセノンランプ光源を用いて赤色（λ＝６４０ｎｍ）、緑色（λ＝５２０ｎｍ）、および青色（λ＝４６０ｎｍ）の単色光のそれぞれをＩＧＺＯ−ＴＦＴに照射しながら、当該ＩＧＺＯ−ＴＦＴにゲートバイアスストレスを与えた場合と光を照射せずにＩＧＺＯ−ＴＦＴにゲートバイアスストレスを与えた場合とにおける、しきい値のシフト量（以下、「しきい値シフト」という）を測定した。

図１１は、本測定に用いたＩＧＺＯ−ＴＦＴの構成を示す断面図である。図１１に示すように、このＩＧＺＯ−ＴＦＴは、エッチングストッパ構造のボトムゲート型ＴＦＴである。

ガラス等からなる絶縁基板１１１上にゲート電極１２１が形成されている。ゲート電極１２１は、チタン（Ｔｉ）膜、アルミニウム（Ａｌ）膜、Ｔｉ膜が順に成膜された積層膜である。

ゲート電極１２１上には、ゲート電極１２１を覆うようにゲート絶縁膜１２２が成膜されている。ゲート絶縁膜１２２は、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）膜、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）膜が順に成膜された積層膜である。

ゲート絶縁膜１２２上に、チャネル長が７〜１６μｍ、膜厚が３５〜５５ｎｍのＩｎＧａＺｎＯ _x からなるチャネル層１２３が形成されている。

チャネル層１２３の図１１における左側上部、右側上部、および中央上部には、ＳｉＯ₂からなるエッチングストッパ層１２４が形成されている。

図１１における左側上部のエッチングストッパ層１２４と、当該左側上部のエッチングストッパ層１２４および中央上部のエッチングストッパ層１２４との間に表面が露出したチャネル層１２３と、中央上部のエッチングストッパ層１２４の左側端部とを覆うようにソース電極１２５ｓが形成されている。また、右側上部のエッチングストッパ層１２４と、当該右側上部のエッチングストッパ層１２４および中央上部のエッチングストッパ層１２４の間に表面が露出したチャネル層１２３と、中央上部のエッチングストッパ層１２４の右側端部とを覆うようにドレイン電極１２５ｄが形成されている。

左側上部のエッチングストッパ層１２４および中央上部のエッチングストッパ層１２４の間にはコンタクトホールが形成され、このコンタクトホールによりソース電極１２５ｓとチャネル層１２３とが接続されている。同様に、右側上部のエッチングストッパ層１２４および中央上部のエッチングストッパ層１２４の間にはコンタクトホールが形成され、このコンタクトホールによりドレイン電極１２５ｄとチャネル層１２３とが接続されている。ソース電極１２５ｓおよびドレイン電極１２５ｄは、Ｔｉ膜、Ａｌ膜、Ｔｉ膜が順に成膜された積層膜である。

ソース電極１２５ｓおよびドレイン電極１２５ｄが形成された絶縁基板１１１全体を覆うように、ＳｉＯ₂からなる無機保護膜１２６が成膜されている。

図１２は、ゲートバイアスストレスを与えた時間（以下、「ストレス時間」という）に対するしきい値シフトΔＶｔｈを表す図である。ここで、実験温度を８５℃、ゲート印加電圧を−３０Ｖとしている。図１２に示すように、光の照射がない場合（「Ｄａｒｋ」のプロット）には、ストレス時間の経過によっても、しきい値シフトはほぼ生じない。一方、赤色の単色光を照射した場合（「λ＝６４０ｎｍ」のプロット）、緑色の単色光を照射した場合（「λ＝５２０ｎｍ」のプロット）、および青色の単色光を照射した場合（「λ＝４６０ｎｍ」のプロット）には、ストレス時間の経過と共にしきい値シフトが大きくなっている。このしきい値シフトは、ＩＧＺＯ−ＴＦＴに照射する光の波長が短いほど大きくなる。特に、可視光の中で波長の短い青色光を照射した場合には、しきい値シフトが最も大きくなる。

この原因は、以下のように考えられる。すなわち、ＩｎＧａＺｎＯ _x は、一般に透明酸化物半導体材料として知られているが、可視光に対して完全に透明であるわけではない。特に、可視光のなかで波長の短い青色光が吸収されやすい。これにより、ＩｎＧａＺｎＯ _x において所定の準位が形成される。また、ゲート絶縁膜１２２とチャネル層（ＩｎＧａＺｎＯ _x ）１２３との界面においても、波長の短い青色光が吸収されやすい。このため、ゲート絶縁膜１２２とチャネル層（ＩｎＧａＺｎＯ _x ）１２３との界面において所定の準位が形成される。その結果、ＩｎＧａＺｎＯ _x の電気伝導率が増加するので、しきい値シフトが生じる（しきい値が低下する）。なお、このような問題は、ＩｎＧａＺｎＯ _x に限らず他の酸化物半導体でも生じるものと考えられる。また、黄色の単色光を照射した場合のしきい値シフトは、緑色の単色光を照射した場合のしきい値シフトよりも小さく、かつ、赤色の単色光を照射した場合のしきい値シフトよりも大きくなると考えられる。

＜０．２ 従来の液晶表示パネルの構造＞
図１３は、従来の液晶表示パネルのうち、特にＴＦＴ基板側の一部の構造を示す平面図である。図１４は、図１３におけるＢ−Ｂ’線断面図である。この従来の液晶表示パネルは、３原色に基づいてカラー画像を表示するように構成されている。図１４に示すように、この液晶表示パネルは、ＴＦＴ基板１１０と、ＴＦＴ基板１１０に対向する対向基板１４０と、ＴＦＴ基板１１０と対向基板１４０とに挟持された液晶層１８０とにより構成されている。

図１３に示すように、ソースラインＳＬ（ｉ）およびゲートラインＧＬ（ｊ）の交差点に対応してＲ用ＴＦＴ１２０ｒが配置され、このＲ用ＴＦＴ１２０ｒのドレイン電極にＲ用画素電極１３０ｒが接続されている。このＲ用画素電極１３０ｒに対向した位置に、赤色のカラーフィルタ１５２ｒ（以下、「Ｒカラーフィルタ１５２ｒ」という）が配置されている。同様に、ソースラインＳＬ（ｉ＋１）およびゲートラインＧＬ（ｊ）の交差点に対応してＧ用ＴＦＴ１２０ｇが配置され、このＧ用ＴＦＴ１２０ｇのドレイン電極にＧ用画素電極１３０ｇが接続されている。このＧ用画素電極１３０ｇに対向した位置に、緑色のカラーフィルタ１５２ｇ（以下、「Ｇカラーフィルタ１５２ｇ」という）が配置されている。また同様に、ソースラインＳＬ（ｉ＋２）およびゲートラインＧＬ（ｊ）の交差点に対応してＢ用ＴＦＴ１２０ｂが配置され、このＢ用ＴＦＴ１２０ｂのドレイン電極にＢ用画素電極１３０ｂが接続されている。このＢ用画素電極１３０ｂに対向した位置に、青色のカラーフィルタ１５２ｂ（以下、「Ｂカラーフィルタ１５２ｂ」）が配置されている。図１３および図１４に示すように、カラーフィルタ間には、ブラックマトリクス１５１が形成されている。

以下では、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒ、Ｇ用ＴＦＴ１２０ｇ、およびＢ用ＴＦＴ１２０ｂを区別しない場合には、これらを「ＴＦＴ１２０」という。同様に、Ｒ用画素電極１３０ｒ、Ｇ用画素電極１３０ｇ、およびＢ用画素電極１３０ｂを区別しない場合には、これらを「画素電極１３０」という。

このような液晶表示パネルでは、外光およびバックライト光が当該液晶表示パネル内に入射する。このように入射した光は、カラーフィルタを通過することにより、赤色、緑色または青色のいずれかの色の光となる。上述の実験結果に示される通り、ＴＦＴのチャネル層に光が入射するとしきい値シフトが生じるが、入射光が青色である場合に、特に、そのしきい値シフトが大きくなる。

図１４に示すように、液晶表示パネル内に入射した外光およびバックライト光は、Ｂカラーフィルタ１５２ｂを通過する。そして、これら外光およびバックライト光は青色光となる。この青色光は、液晶表示パネル内で反射を繰り返した後、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂのチャネル層１２３に入射する。そのため、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂでは大きなしきい値シフトが生じる。なお、この青色光は、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂのチャネル層１２３のみならず、ソースラインＳＬ（ｉ＋３）にソース電極が接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒのチャネル層１２３にも入射しうる。したがって、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒでも大きなしきい値シフトが生じるおそれがある。

このようなしきい値シフトを抑制するために、特許文献２に記載の構成を採用したとしても、上述のように、青色および緑色の副画素形成部のＴＦＴに相対する位置に赤色のカラーフィルタパターンが配置されるので、このＴＦＴ周辺からの漏れた光が青色および緑色の表示に混じる。すなわち、青色および緑色の表示に赤色が混じる。そのため、表示品位が低下する。

以上の基礎検討に基づき本願発明者によりなされた本発明の実施形態について、以下、添付図面を参照しながら説明する。

＜１．第１の実施形態＞
＜１．１ 液晶表示装置の構成＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係る液晶表示パネル１００を備える液晶表示装置の構成を示すブロック図である。図１に示すように、この液晶表示装置は、液晶表示パネル１００、ソースドライバ（映像信号線駆動回路）２００、ゲートドライバ（走査信号線駆動回路）３００、および表示制御回路４００等により構成されている。本実施形態に係る液晶表示パネル１００は、反射型・透過型・半透過型のいずれでもよく、透過型または半透過型である場合には、液晶表示パネル１００の背面にバックライトが配置される。

液晶表示パネル１００は、１対の電極基板およびこれらに挟持された液晶層により構成され、各電極基板の外表面には偏光板が貼り付けられている。上記１対の電極基板の一方はＴＦＴ基板と呼ばれるアクティブマトリクス型の基板である。このＴＦＴ基板（第１基板）は、ガラス基板等の絶縁基板上に、互いに交差するように格子状に配置された複数のソースライン（映像信号線）ＳＬ（１）〜ＳＬ（ｎ）（以下、これらを区別しない場合に「ソースラインＳＬ」という）および複数のゲートライン（走査信号線）ＧＬ（１）〜ＧＬ（ｍ）（以下、これらを区別しない場合に「ゲートラインＧＬ」という）と、ソースラインＳＬおよびゲートラインＧＬの各交差点に対応して設けられたＴＦＴ、画素電極、および補助容量電極とにより構成されている。上記１対の電極基板の他方は対向基板と呼ばれ、ガラス等の絶縁基板、およびこの絶縁基板上の全面にわたって形成された共通電極等により構成されている。画素電極と、これに対向する後述の共通電極とによって液晶容量が形成され、画素電極と補助容量電極とによって補助容量が形成されている。以下では、これら液晶容量および補助容量を合わせて「画素容量」ということがある。なお、液晶表示パネル１００についての詳しい説明は後述する。

表示制御回路４００は、外部から表示データＤＡＴおよびタイミング制御信号ＴＳを受け取り、液晶表示パネル１００に表示データＤＡＴの表す画像を表示させるための信号として、画像信号ＤＶ、ソーススタートパルス信号ＳＳＰ、ソースクロック信号ＳＣＫ、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰ、およびゲートクロック信号ＧＣＫ等を出力する。この表示制御回路４００は、典型的にはＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）として実現されている。

ソースドライバ２００は、表示制御回路４００から出力される画像信号ＤＶ、ソーススタートパルス信号ＳＳＰ、ソースクロック信号ＳＣＫ等を受け取り、ソースラインＳＬ（１）〜ＳＬ（ｎ）にそれぞれにソース信号ＳＳ（１）〜ＳＳ（ｎ）（以下、これらを区別しない場合に「ソース信号ＳＳ」という）を印加する。このソースドライバ２００は、典型的にはＩＣとして実現されている。

ゲートドライバ３００は、表示制御回路４００から出力されるゲートスタートパルス信号ＧＳＰおよびゲートクロック信号ＧＣＫ等を受け取り、液晶表示パネル１００に画像を表示するための各フレーム期間（各垂直走査期間）において、ゲートラインＧＬ（１）〜ＧＬ（ｍ）を１水平走査期間ずつ順次選択し、選択したゲートラインＧＬ（１）〜ＧＬ（ｍ）にそれぞれアクティブなゲート信号ＧＳ（１）〜ＧＳ（ｍ）（以下、これらを区別しない場合に「ゲート信号ＧＳ」という）を印加する。なお、このゲートドライバ３００は、ＩＣとして実現されていてもよく、液晶表示パネル１００と一体的に形成されることにより実現されていてもよい。

なお、画素電極に対向する後述の共通電極には、図示しない共通電極駆動回路により、液晶表示パネル１００の液晶層に印加すべき電圧の基準となる共通電位Ｖｃｏｍが与えられる。補助容量電極には、共通電極駆動回路から共通電位Ｖｃｏｍが与えられてもよく、他の駆動回路から電位が与えられてもよい。

以上のようにして、各ソースラインＳＬにソース信号ＳＳが印加され、各ゲートラインＧＬにゲート信号ＧＳが印加されることにより、液晶表示パネル１００の各画素電極には共通電位Ｖｃｏｍを基準として、表示すべき画素の画素値に応じた電圧がＴＦＴを介して与えられ、画素容量に保持される。これにより、液晶層には、各画素電極と共通電極との電位差に相当する電圧が印加される。その結果、液晶表示パネル１００には、外部から送られた表示データＤＡＴに基づく画像が表示される。

＜１．２ 液晶表示パネルの構成＞
次に、本実施形態に係る液晶表示パネル１００の詳細な構成（電気的構成および構造）ついて、図２〜図４を参照しつつ説明する。

＜１．２．１ 電気的構成＞
まず、本実施形態に係る液晶表示パネル１００の電気的構成について説明する。図２は、本実施形態に係る液晶表示パネル１００における画素形成部の電気的構成を示す回路図である。図２に示すように、本実施形態に係る液晶表示パネル１００は、３原色（赤色・緑色・青色）に基づいてカラー画像を表示するように構成されている。すなわち、各画素形成部ＭＰは、赤色（Ｒ）成分を示す副画素形成部ＳＰｒ（以下、「Ｒ副画素形成部ＳＰｒ」という）、緑色（Ｇ）成分を示す副画素形成部ＳＰｇ（以下、「Ｇ副画素形成部ＳＰｇ」という）、および青色（Ｂ）成分を示す副画素形成部ＳＰｂ（以下、「Ｂ副画素形成部ＳＰｂ」という）により構成されている。このような画素形成部ＭＰは、ソースラインＳＬおよびゲートラインＧＬに沿ってマトリクス状に配置されている。以下では、Ｒ用副画素形成部ＳＰｒ、Ｇ副画素形成部ＳＰｇ、およびＢ副画素形成部ＳＰｂを区別しない場合には、これらを「副画素形成部ＳＰ」という。

Ｒ副画素形成部ＳＰｒは、対応する交差点を通過するゲートラインＧＬ（ｊ）にゲート端子が接続されると共に当該交差点を通過するソースラインＳＬ（ｉ）にソース端子が接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒと、このＲ用ＴＦＴ１２０ｒのドレイン端子に接続されたＲ用画素電極１３０ｒと、図示しない補助容量電極とにより構成されている。なお、この補助容量電極は必須の構成ではない。上述のように、画素電極１３０ｒと、これに対向する後述の共通電極とによって液晶容量が形成され、画素電極１３０ｒと補助容量電極とによって補助容量が形成されている。これら液晶容量および補助容量により、画素容量Ｃｐが形成されている。

Ｇ副画素形成部ＳＰｇおよびＢ副画素形成部ＳＰｂのそれぞれは、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒおよびＲ用画素電極１３０ｒを除きＲ副画素形成部ＳＰｒと同様の構成である。すなわち、Ｇ副画素形成部ＳＰｇは、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒおよびＲ用画素電極１３０ｒに代えて、対応する交差点を通過するゲートラインＧＬ（ｊ）にゲート端子が接続されると共に当該交差点を通過するソースラインＳＬ（ｉ＋１）にソース端子が接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇと、このＧ用ＴＦＴ１２０ｇのドレイン端子に接続されたＧ用画素電極１３０ｇとを有している。同様に、Ｂ副画素形成部ＳＰｂは、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒおよびＲ用画素電極１３０ｒに代えて、対応する交差点を通過するゲートラインＧＬ（ｊ）にゲート端子が接続されると共に当該交差点を通過するソースラインＳＬ（ｉ＋２）にソース端子が接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと、このＢ用ＴＦＴ１２０ｂのドレイン端子に接続されたＢ用画素電極１３０ｂとを有している。

＜１．２．２ 構造＞
次に、本実施形態に係る液晶表示パネル１００の構造について説明する。図３は、本実施形態に係る液晶表示パネル１００のうち、特にＴＦＴ基板側の一部の構造を示す平面図である。図４は、図３におけるＡ−Ａ’線断面図である。

図４に示すように、液晶表示パネル１００は、ＴＦＴ基板１１０と、ＴＦＴ基板１１０に対向する対向基板１４０と、ＴＦＴ基板１１０および対向基板１４０に挟持された液晶層１８０とにより構成されている。なお、ＴＦＴ基板１１０および対向基板１４０のそれぞれの外表面には偏光板が貼り付けられている（図示しない）。

ＴＦＴ基板１１０は、ガラス基板等の絶縁基板１１１と、この絶縁基板１１１上に互いに交差するように格子状に配置されたゲートラインＧＬおよびソースラインＳＬと、ゲートラインＧＬにゲート電極（ゲート端子）１２１が接続されると共にソースラインＳＬにソース電極（ソース端子）１２５ｓが接続されたＴＦＴ１２０と、ＴＦＴ１２０のドレイン電極（ドレイン端子）１２５ｄにコンタクトホールＣＨを介して接続された画素電極１３０とを形成することにより構成されている。なお、ゲートラインＧＬと、これに接続されたゲート電極１２１とは、実際には連続的に形成されている。同様に、ソースラインＳＬと、これに接続されたソース電極１２５ｓとは、実際には連続的に形成されている。

より詳細には、ゲートラインＧＬが形成された絶縁基板１１１全体を覆うようにゲート絶縁膜１２２が形成されており、このゲート絶縁膜１２２等を介してゲートラインＧＬとソースラインＳＬとが互いに交差している。また、ゲートラインＧＬ、ソースラインＳＬ、およびＴＦＴ１２０が形成された絶縁基板１１１全体を覆うように、無機保護膜１２６および有機保護膜１２７が順に積層されている。これら無機保護膜１２６および有機保護膜１２７の一部にコンタクトホールＣＨが形成され、このコンタクトホールＣＨを介してＴＦＴ１２０のドレイン電極１２５ｄに接続されるように画素電極１３０が有機保護膜１２７上に形成されている。なお、有機保護膜１２７は画素電極１３０を平坦に形成するためのものであり、必須の構成ではない。

図３に示すように、ゲートラインＧＬの延伸する方向（以下、「ゲートライン延伸方向」という）の前方から、Ｒ用画素電極１３０ｒ、Ｇ用画素電極１３０ｇ、Ｂ用画素電極１３０ｂが順に並べられている。ここで、ゲートライン延伸方向の前方とは、ゲートラインＧＬがゲートドライバ３００に接続されている側をいう。また、ゲートライン延伸方向の前方と反対側を、ゲートライン延伸方向の後方とする。

ソースラインＳＬの延伸する方向（以下、「ソースライン延伸方向」という）には、同一原色用の画素電極１３０が並べられている（図示しない）。以下では、ソースラインＳＬがソースドライバ２００に接続されている側をソースライン延伸方向の前方といい、当該前方と反対側を、ソースライン延伸方向の後方という。

本実施形態では上述のように、ゲートライン延伸方向の前方からＲ用画素電極１３０ｒ、Ｇ用画素電極１３０ｇ、Ｂ用画素電極１３０ｂが順に並べられているが、画素電極１３０の並び順はこれに限定されるものではない。例えば、ゲートライン延伸方向の前方から、Ｒ用画素電極１３０ｒ、Ｂ用画素電極１３０ｂ、Ｇ用画素電極１３０ｇの順等でもよい。

また、本実施形態および後述の各実施形態では、絶縁基板１１１上のうち、各画素電極１３０の一部に対向する位置に補助容量電極１３２が形成されている。なお、この補助容量電極１３２の形成位置は本実施形態および後述の各実施形態の態様に限定されるものではない。また、上述のようにこの補助容量電極１３２を形成しなくてもよい。

対向基板１４０は、ガラス基板等の絶縁基板１４１と、この絶縁基板１４１上に形成された遮光層としてのブラックマトリクス１５１、赤色の着色層としてのＲカラーフィルタ１５２ｒ、緑色の着色層としてのＧカラーフィルタ１５２ｇ、および青色の着色層としてのＢカラーフィルタ１５２ｂ（以下、これらを区別しない場合に「カラーフィルタ１５２」という）と、ブラックマトリクス１５１およびカラーフィルタ１５２を覆うように形成された保護膜１５３と、保護膜１５３上に形成された共通電極１６０とにより構成されている。各カラーフィルタ１５２は、ソースライン延伸方向にストライプ状に形成されている。本明細書では、このようにソースライン延伸方向にストライプ状に形成されたカラーフィルタを、「縦ストライプ状のカラーフィルタ」という。

外光およびバックライト光の漏れを十分に抑制するためには、図４に示すように、ブラックマトリクス１５１の一部とカラーフィルタ１５２の一部とを重複させることが望ましい。なお、保護膜１５３は共通電極１６０を平坦に形成するためのものであり、必須の構成要素ではない。

図３および図４に示すように、Ｒ用画素電極１３０ｒとＲカラーフィルタ１５２ｒとは互いに対向している。同様に、Ｇ用画素電極１３０ｇとＧカラーフィルタ１５２ｇとが互いに対向し、Ｂ用画素電極１３０ｂとＢカラーフィルタ１５２ｂとが互いに対向している。また、外光およびバックライト光の漏れを抑制するために、画素電極１３０の端部をブラックマトリクス１５１に対向させることが望ましい。

ここで、ＴＦＴ１２０の構成について、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒを例に挙げて説明する。図４に示すように、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒは、エッチングストッパ構造のボトムゲート型ＴＦＴである。Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒは絶縁基板１１１上に形成されており、絶縁基板１１１側から順に、ゲート電極１２１（ゲートラインＧＬ（ｊ））、ゲート絶縁膜１２２、ＩｎＧａＺｎＯ _x からなるチャネル層１２３、エッチングストッパ層１２４、ソース電極１２５ｓ（ソースラインＳＬ（ｉ＋３））・ドレイン電極１２５ｄ、無機保護膜１２６が積層されて構成されている。なお、チャネル層１２３以外の各層・各膜・各電極の材料は、特に限定されるものではない。また、各層・各膜・各電極も特に限定されるものではない。Ｇ用ＴＦＴ１２０ｇおよびＢ用ＴＦＴ１２０ｂはＲ用ＴＦＴ１２０ｒと同様の構成であるため、その説明を省略する。

次に、本実施形態におけるＴＦＴ１２０の配置について説明する。図３に示すように、本実施形態では、ゲートライン延伸方向においてＢ用画素電極１３０ｂの前方に隣接するＧ用画素電極１３０ｇ（一方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇが、当該Ｇ用画素電極１３０ｇに対して、Ｂ用画素電極１３０ｂの反対側に配置されている。Ｂ用画素電極１３０ｂにドレイン電極１２５ｄが接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと当該Ｂ用画素電極１３０ｂとの距離は、Ｇ用画素電極１３０ｇ（一方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇと当該Ｇ用画素電極１３０ｇとの距離よりも大きい。ゲートライン延伸方向においてＢ用画素電極１３０ｂの後方に隣接するＲ用画素電極１３０ｒ（他方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒとＢ用画素電極１３０ｂとの距離は、Ｂ用画素電極１３０ｂに接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと当該Ｂ用画素電極１３０ｂとの距離よりも大きい。

また、図３に示すように、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂのソース電極１２５ｓが接続されたソースラインＳＬ（ｉ＋２）と、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒのソース電極１２５ｓが接続されたソースラインＳＬ（ｉ＋３）とは、ゲートライン延伸方向に互いに隣接している。すなわち、Ｂ用画素電極１３０ｂにドレイン電極１２５ｄが接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと、ゲートライン延伸方向において当該Ｂ用画素電極１３０ｂの後方に隣接するＲ用画素電極１３０ｒ（他方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒとが、当該Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂおよびＲ用ＴＦＴ１２０ｒのソース電極１２５ｓがそれぞれ接続されたソースラインＳＬ（ｉ＋２）およびＳＬ（ｉ＋３）を挟んで互いに対向する位置に配置されている。

さらに、図３に示すように、ソースラインＳＬ（ｉ）またはソースラインＳＬ（ｉ＋３）にソース電極１２５ｓが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒ、およびソースラインＳＬ（ｉ＋１）にソース電極１２５ｓが接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇは、従来と同様に、それぞれＲ用画素電極１３０ｒおよびＧ用画素電極１３０ｇの近傍（切り欠き部分）に配置されている。これに対して、ソースラインＳＬ（ｉ＋２）にソース電極１２５ｓが接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂは、Ｂ用画素電極１３０ｂから従来よりも離れると共に、Ｒ用画素電極１３０ｒに従来よりも寄った位置に配置されている。

このように、本実施形態では、Ｂ副画素形成部ＳＰｂのＢ用ＴＦＴ１２０ｂが、当該Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂのドレイン電極１２５ｄに接続されたＢ用画素電極１３０ｂおよびこれに対向するＢカラーフィルタ１５２ｂから従来よりも離れた位置に配置される。これと同時に、Ｂ副画素形成部ＳＰｂに隣接するＲ副画素形成部ＳＰｒのＲ用ＴＦＴ１２０ｒが、当該Ｂ副画素形成部ＳＰｂのＢ用画素電極１３０ｂおよびこれに対向するＢカラーフィルタ１５２ｂから従来よりも離れた位置に配置される。なお、Ｂ副画素形成部ＳＰｂのＢ用画素電極１３０ｂおよびこれに対向するＢカラーフィルタ１５２ｂと、Ｇ副画素形成部ＳＰｇのＧ用ＴＦＴ１２０ｇとの距離は従来と同様である。

図３および図４に示すように、カラーフィルタ１５２間には、ブラックマトリクス１５１が配置されている。すなわち、各ＴＦＴ１２０上にブラックマトリクス１５１が配置されている。これにより、各ＴＦＴ１２０への光の入射を抑制することができるので、各ＴＦＴ１２０におけるしきい値シフトが低減される。本実施形態では、上述のＴＦＴ１２０の配置に合わせて、Ｂカラーフィルタ１５２ｂとＲカラーフィルタ１５２ｒとの間のブラックマトリクス１５１の幅（ゲートライン延伸方向の長さ）が、Ｒカラーフィルタ１５２ｒとＧカラーフィルタ１５２ｇとの間のブラックマトリクス１５１の幅およびＧカラーフィルタ１５２ｇとＢカラーフィルタ１５２ｂとの間のブラックマトリクス１５１の幅のそれぞれよりも、大きく設定されている。また、各副画素形成部ＳＰの開口率を均一にするために、各カラーフィルタ１５２の幅が均一に設定されている。

上述のように、本実施形態では、縦ストライプ状のカラーフィルタ１５２が形成されている。各カラーフィルタ１５２は、ソースライン延伸方向にわたって連続的に形成されている。すなわち、図３に示すように、ソースライン延伸方向において、各画素電極１３０の前方および後方にそれぞれ位置するゲートラインＧＬ（ｊ−１）およびＧＬ（ｊ）に対向する位置においてもカラーフィルタ１５２が配置されている。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、各カラーフィルタ１５２が、ソースライン延伸方向に不連続に形成されていてもよい。すなわち、ソースライン延伸方向において、各画素電極１３０の前方および後方にそれぞれ位置するゲートラインＧＬ（ｊ−１）およびＧＬ（ｊ）に対向する位置に、カラーフィルタ１５２に代えてブラックマトリクス１５１が配置されていてもよい。

＜１．３ 効果＞
本実施形態によれば、縦ストライプ状のカラーフィルタが形成された、赤色・緑色・青色の３原色に基づくカラー画像を表示するための液晶表示パネルにおいて、Ｂ副画素形成部ＳＰｂのＢ用ＴＦＴ１２０ｂが、Ｂカラーフィルタ１５２ｂから従来よりも離れた位置に配置される。さらに、ゲートライン延伸方向において連続して並んだＢ用画素電極１３０ｂとＲ用画素電極１３０ｒとの間に配置されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒも、Ｂカラーフィルタ１５２ｂから従来よりも離れた位置に配置される。その結果、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂおよびＲ用ＴＦＴ１２０ｒへの青色光の入射が抑制されるので、これらのＴＦＴのしきい値シフトが低減される。したがって、液晶表示パネルにおけるＴＦＴの信頼性を高めることができる。

なお、本実施形態では、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂの位置がＲ用ＴＦＴ１２０ｒおよびこれに対向するＲカラーフィルタ１５２ｒの位置に従来よりも近づくので、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂに入射する赤色光の入射量が従来よりも増えるが、これは上述のしきい値シフトの低減を妨げるものではない。すなわち、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂでは、赤色光の入射量が増える一方で、赤色光よりも波長の短い青色光の入射量が減っているので、結果として、上述のようにＢ用ＴＦＴ１２０ｂのしきい値シフトが従来よりも低減される。

また、本実施形態では、互いに異なる原色のカラーフィルタを近接した位置に設ける上記特許文献２のような構成を採用していないので、副画素形成部での表示に他の原色が混じる（例えば、Ｂ副画素形成部ＳＰｂでの表示に赤色が混じる）ことによる表示品位の低下が抑制される。

＜１．４ 変形例＞
図５は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る液晶表示パネル１００のうち、特にＴＦＴ基板側の一部の構造を示す平面図である。図５に示すように、本変形例は、上記第１の実施形態よりも、Ｒ用画素電極１３０ｒおよびＲカラーフィルタ１５２ｒの幅（ゲートライン延伸方向の長さ）を小さくしたものである。なお、他の構成要素は上記第１の実施形態と同様である。

ゲートライン延伸方向においてＢ用画素電極１３０ｂの後方に位置するＲ用画素電極１３０ｒおよびこれに対向するＲカラーフィルタ１５２ｒの幅がそれぞれ、他の原色の画素電極１３０およびこれに対向するカラーフィルタ１５２の幅よりも小さく設定されている。言い換えると、Ｂカラーフィルタ１５２ｂとＲカラーフィルタ１５２ｒとの間のブラックマトリクス１５１の幅が、Ｒカラーフィルタ１５２ｒとＧカラーフィルタ１５２ｇとの間のブラックマトリクス１５１の幅およびＧカラーフィルタ１５２ｇとＢカラーフィルタ１５２ｂとの間のブラックマトリクス１５１の幅のそれぞれよりも大きくなった分だけ、Ｒ用画素電極１３０ｒの幅およびＲカラーフィルタ１５２ｒの幅が小さくなっている。これにより、液晶表示パネル１００のサイズを従来よりも大きくすることなく、液晶表示パネル１００の信頼性を高めることができる。

本変形例では、Ｒ用画素電極１３０ｒの幅およびＲカラーフィルタ１５２ｒの幅を小さくした分だけ、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒを介してＲ用画素電極１３０ｒに接続されたソースラインＳＬに印加すべきソース信号ＳＳの電圧を変化させる（ノーマリブラックの場合には高くし、ノーマリホワイトの場合には低くする）ことが望ましい。

なお、Ｒ用画素電極１３０ｒおよびＲカラーフィルタ１５２ｒの幅に代えて、Ｇ用画素電極１３０ｇおよびＧカラーフィルタ１５２ｇの幅を小さくしてもよい。同様に、Ｒ用画素電極１３０ｒおよびＲカラーフィルタ１５２ｒの幅に代えて、Ｂ用画素電極１３０ｂおよびＢカラーフィルタ１５２ｂの幅を小さくしてもよい。

＜２．第２の実施形態＞
＜２．１ 液晶表示パネルの構造＞
本発明の第２の実施形態に係る液晶表示パネル１００の構造について、図６を参照しつつ説明する。なお、本実施形態の構成要素のうち第１の実施形態と同一の要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。図６は、本発明の第２の実施形態に係る液晶表示パネル１００の一部の構造を示す断面図（図３におけるＡ−Ａ’線断面図に相当するもの）である。

上記第１の実施形態に係る液晶表示パネル１００では、ブラックマトリクス１５１およびカラーフィルタ１５２が対向基板１４０に配置されているのに対し、本実施形態に係る液晶表示パネル１００では、図６に示すように、これらブラックマトリクス１５１およびカラーフィルタ１５２がＴＦＴ基板１１０側に配置されている。

ブラックマトリクス１５１は、有機保護膜１２７および画素電極１３０の一部（コンタクトホールＣＨに対応する部分）を覆うように形成されている。例えば、有機保護膜１２７と、Ｂ用画素電極１３０ｂのうちコンタクトホールＣＨに対応する部分およびＲ用画素電極１３０ｒのうちコンタクトホールＣＨに対応する部分のそれぞれとを覆うように、ブラックマトリクス１５１が形成されている。

また、各カラーフィルタ１５２は、対向する画素電極１３０およびブラックマトリクス１５１の一部を覆うように形成されている。例えば、Ｂ用画素電極１３０ｂと、当該Ｂ用画素電極１３０ｂのうちコンタクトホールＣＨに対応する部分を覆うブラックマトリクス１５１の一部（コンタクトホールＣＨの上方部分）とを覆うように、Ｂカラーフィルタ１５２ｂが形成されている。また例えば、Ｒ用画素電極１３０ｒと、当該Ｒ用画素電極１３０ｒのうちコンタクトホールＣＨに対応する部分を覆うブラックマトリクス１５１の一部（コンタクトホールＣＨの上方部分）とを覆うように、Ｒカラーフィルタ１５２ｒが形成されている。

対向基板１４０は、絶縁基板１４１上に直接共通電極１６０が形成された構成となっている。

なお、本実施形態におけるＴＦＴ１２０の配置は、上記第１の実施形態におけるものと同様である（図３に示す配置と同様である）。ゲートライン延伸方向においてＢ用画素電極１３０ｂの前方に隣接するＧ用画素電極１３０ｇ（一方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇが、当該Ｇ用画素電極１３０ｇに対して、Ｂ用画素電極１３０ｂの反対側に配置されている。Ｂ用画素電極１３０ｂにドレイン電極１２５ｄが接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと当該Ｂ用画素電極１３０ｂとの距離は、Ｇ用画素電極１３０ｇ（一方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇと当該Ｇ用画素電極１３０ｇとの距離よりも大きい。ゲートライン延伸方向においてＢ用画素電極１３０ｂの後方に隣接するＲ用画素電極１３０ｒ（他方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒとＢ用画素電極１３０ｂとの距離は、Ｂ用画素電極１３０ｂに接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと当該Ｂ用画素電極１３０ｂとの距離よりも大きい。

また、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂのソース電極１２５ｓが接続されたソースラインＳＬ（ｉ＋２）と、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒのソース電極１２５ｓが接続されたソースラインＳＬ（ｉ＋３）とは、ゲートライン延伸方向に互いに隣接している。すなわち、Ｂ用画素電極１３０ｂにドレイン電極１２５ｄが接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと、ゲートライン延伸方向において当該Ｂ用画素電極１３０ｂの後方に隣接するＲ用画素電極１３０ｒ（他方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒとが、当該Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂおよびＲ用ＴＦＴ１２０ｒのソース電極１２５ｓがそれぞれ接続されたソースラインＳＬ（ｉ＋２）およびＳＬ（ｉ＋３）を挟んで互いに対向する位置に配置されている。

さらに、ソースラインＳＬ（ｉ）またはソースラインＳＬ（ｉ＋３）にソース電極１２５ｓが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒ、およびソースラインＳＬ（ｉ＋１）にソース電極１２５ｓが接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇは、従来と同様に、それぞれＲ用画素電極１３０ｒおよびＧ用画素電極１３０ｇの近傍（切り欠き部分）に配置されている。これに対して、ソースラインＳＬ（ｉ＋２）にソース電極１２５ｓが接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂは、Ｂ用画素電極１３０ｂから従来よりも離れると共に、Ｒ用画素電極１３０ｒに従来よりも寄った位置に配置されている。

＜２．２ 効果＞
本実施形態によれば、ブラックマトリクス１５１およびカラーフィルタ１５２がＴＦＴ基板１１０側に配置された液晶表示パネル１００において、上記第１の実施形態と同様に、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂおよびＲ用ＴＦＴ１２０ｒへの青色光の入射が抑制される。したがって、第１の実施形態と同様の効果を奏することができる。

＜３．第３の実施形態＞
＜３．１ 液晶表示パネルの構成＞
本発明の第３の実施形態に係る液晶表示パネル１００の構成（電気的構成および構造）について、図７および図８を参照しつつ説明する。なお、本実施形態の構成要素のうち第１の実施形態と同一の要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。

＜３．１．１ 電気的構成＞
まず、本実施形態に係る液晶表示パネル１００の電気的構成について説明する。図７は、本実施形態に係る液晶表示パネル１００における画素形成部の電気的構成を示す回路図である。上記第１の実施形態に係る液晶表示パネル１００は、３原色（赤色・緑色・青色）に基づいてカラー画像を表示するように構成されているのに対し、本実施形態に係る液晶表示パネル１００は、図７に示すように、４原色（赤色・緑色・青色・黄色）に基づいてカラー画像を表示するように構成されている。すなわち、各画素形成部ＭＰが、Ｒ副画素形成部ＳＰｒ、Ｇ副画素形成部ＳＰｇ、およびＢ副画素形成部ＳＰｂに加えて、黄色（Ｙ）を示す副画素形成部ＳＰｙ（以下、「Ｙ副画素形成部ＳＰｙ」という）により構成されている。以下では、Ｒ用副画素形成部ＳＰｒ、Ｇ副画素形成部ＳＰｇ、およびＢ副画素形成部ＳＰｂ、さらにＹ副画素形成部ＳＰｙを区別しない場合には、これらを「副画素形成部ＳＰ」という。

Ｙ副画素形成部ＳＰｙは、Ｒ用副画素形成部ＳＰｒ、Ｇ副画素形成部ＳＰｇ、およびＢ副画素形成部ＳＰｂと同様の構成である。すなわち、Ｙ副画素形成部ＳＰｙは、対応する交差点を通過するゲートラインＧＬ（ｊ）にゲート端子が接続されると共に当該交差点を通過するソースラインＳＬ（ｉ＋３）にソース端子が接続されたＹ用ＴＦＴ１２０ｙと、このＹ用ＴＦＴ１２０ｙのドレイン端子に接続されたＹ用画素電極１３０ｙと、図示しない補助容量電極とにより構成されている。Ｙ用ＴＦＴ１２０ｙの構成は、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒ、Ｇ用ＴＦＴ１２０ｇ、およびＢ用ＴＦＴ１２０ｂの構成と同様である。

以下では、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒ、Ｇ用ＴＦＴ１２０ｇ、およびＢ用ＴＦＴ１２０ｂ、さらにＹ用ＴＦＴ１２０ｙを区別しない場合には、これらを「ＴＦＴ１２０」という。同様に、Ｒ用画素電極１３０ｒ、Ｇ用画素電極１３０ｇ、およびＢ用画素電極１３０ｂ、さらにＹ用画素電極１３０ｙを区別しない場合には、これらを「画素電極１３０」という。

＜３．１．２ 構造＞
次に、本実施形態に係る液晶表示パネル１００の構造について説明する。図８は、本発明の第３の実施形態に係る液晶表示パネル１００のうち、特にＴＦＴ基板側の一部の構造を示す平面図である。

図８に示すように、本実施形態では、ゲートライン延伸方向の前方から、Ｒ用画素電極１３０ｒ、Ｇ用画素電極１３０ｇ、Ｂ用画素電極１３０ｂ、Ｙ用画素電極１３０ｙが順に並べられている。なお、画素電極１３０の並び順はこれに限定されるものではない。例えば、ゲートライン延伸方向の前方から、Ｒ用画素電極１３０ｒ、Ｙ用画素電極１３０ｙ、Ｂ用画素電極１３０ｂ、Ｇ用画素電極１３０ｇの順等でもよい。

Ｙ用画素電極１３０ｙに対向する位置には、黄色の着色層としての黄色のカラーフィルタ１５２ｙ（以下、「Ｙカラーフィルタ１５２ｙ」という）が形成されている。以下では、Ｒカラーフィルタ１５２ｒ、Ｇカラーフィルタ１５２ｇ、およびＢカラーフィルタ１５２ｂ、さらにＹカラーフィルタ１５２ｙを区別しない場合には、これらを「カラーフィルタ１５２」という。カラーフィルタ１５２およびブラックマトリクス１５１は、上記第１の実施形態のように対向基板１４０側に配置されていてもよく、また、上記第２の実施形態のようにＴＦＴ基板１１０側に配置されていてもよい。

次に、本実施形態におけるＴＦＴ１２０の配置について説明する。図８に示すように、本実施形態では、ゲートライン延伸方向においてＢ用画素電極１３０ｂの前方に隣接するＧ用画素電極１３０ｇ（一方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇが、当該Ｇ用画素電極１３０ｇに対して、Ｂ用画素電極１３０ｂの反対側に配置されている。Ｂ用画素電極１３０ｂにドレイン電極１２５ｄが接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと当該Ｂ用画素電極１３０ｂとの距離は、Ｇ用画素電極１３０ｇ（一方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇと当該Ｇ用画素電極１３０ｇとの距離よりも大きい。ゲートライン延伸方向においてＢ用画素電極１３０ｂの後方に隣接するＹ用画素電極１３０ｙ（他方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＹ用ＴＦＴ１２０ｙとＢ用画素電極１３０ｂとの距離は、Ｂ用画素電極１３０ｂに接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと当該Ｂ用画素電極１３０ｂとの距離よりも大きい。

また、図８に示すように、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂのソース電極１２５ｓが接続されたソースラインＳＬ（ｉ＋２）と、Ｙ用ＴＦＴ１２０ｙのソース電極１２５ｓが接続されたソースラインＳＬ（ｉ＋３）とは、ゲートライン延伸方向に互いに隣接している。すなわち、Ｂ用画素電極１３０ｂにドレイン電極１２５ｄが接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと、ゲートライン延伸方向において当該Ｂ用画素電極１３０ｂの後方に隣接するＹ用画素電極１３０ｙ（他方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＹ用ＴＦＴ１２０ｙとが、当該Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂおよびＹ用ＴＦＴ１２０ｙのソース電極１２５ｓがそれぞれ接続されたソースラインＳＬ（ｉ＋２）およびＳＬ（ｉ＋３）を挟んで互いに対向する位置に配置されている。

さらに、図８に示すように、ソースラインＳＬ（ｉ−１）またはソースラインＳＬ（ｉ＋３）にソース電極１２５ｓが接続されたＹ用ＴＦＴ１２０ｙ、ソースラインＳＬ（ｉ）にソース電極１２５ｓが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒ、およびソースラインＳＬ（ｉ＋１）にソース電極１２５ｓが接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇは、従来と同様に、それぞれＹ用画素電極１３０ｙ、Ｒ用画素電極１３０ｒ、およびＧ用画素電極１３０ｇの近傍（切り欠き部分）に配置されている。これに対して、ソースラインＳＬ（ｉ＋２）にソース電極１２５ｓが接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂは、Ｂ用画素電極１３０ｂから従来よりも離れると共に、Ｙ用画素電極１３０ｙに従来よりも寄った位置に配置されている。

このように、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様に、Ｂ副画素形成部ＳＰｂのＢ用ＴＦＴ１２０ｂが、当該Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂのドレイン電極１２５ｄに接続されたＢ用画素電極１３０ｂおよびこれに対向するＢカラーフィルタ１５２ｂから従来よりも離れた位置に配置される。これと同時に、Ｂ副画素形成部ＳＰｂに隣接するＹ副画素形成部ＳＰｙのＹ用ＴＦＴ１２０ｙが、当該Ｂ副画素形成部ＳＰｂのＢ用画素電極１３０ｂおよびこれに対向するＢカラーフィルタ１５２ｂから従来よりも離れた位置に配置される。なお、Ｂ副画素形成部ＳＰｂのＢ用画素電極１３０ｂおよびこれに対向するＢカラーフィルタ１５２ｂと、Ｇ副画素形成部ＳＰｇのＧ用ＴＦＴ１２０ｇとの距離は従来と同様である。

図８に示すように、カラーフィルタ間には、ブラックマトリクス１５１が配置されている。すなわち、各ＴＦＴ１２０上にブラックマトリクス１５１が配置されている。本実施形態では、上述のＴＦＴ１２０の配置に合わせて、Ｂカラーフィルタ１５２ｂとＹカラーフィルタ１５２ｙとの間のブラックマトリクス１５１の幅が、Ｙカラーフィルタ１５２ｙとＲカラーフィルタ１５２ｒとの間のブラックマトリクス１５１の幅、Ｒカラーフィルタ１５２ｒとＧカラーフィルタ１５２ｇとの間のブラックマトリクス１５１の幅、およびＧカラーフィルタ１５２ｇとＢカラーフィルタ１５２ｂとの間のブラックマトリクス１５１の幅のそれぞれよりも、大きく設定されている。また、各副画素形成部ＳＰの開口率を均一にするために、各カラーフィルタ１５２の幅が均一に設定されている。

なお、上記第１の実施形態の変形例のように液晶表示パネル１００のサイズを考慮して、Ｙ用画素電極１３０ｙおよびＹカラーフィルタ１５２ｙの幅をそれぞれ、他の原色の画素電極１３０およびこれに対向するカラーフィルタ１５２の幅よりも小さくしてもよい。また、Ｙ用画素電極１３０ｙおよびＹカラーフィルタ１５２ｙの幅に代えて、他の原色用の画素電極１３０およびこれに対向するカラーフィルタ１５２の幅を小さくしてもよい。この場合、画素電極１３０およびこれに対向するカラーフィルタ１５２の幅を小さくした分だけ、ＴＦＴ１２０を介して当該画素電極１３０に接続されたソースラインＳＬに印加すべきソース信号ＳＳの電圧を変化させる（ノーマリブラックの場合には高くし、ノーマリホワイトの場合には低くする）ことが望ましい。

＜３．２ 効果＞
本実施形態によれば、赤色・緑色・青色・黄色の４原色に基づくカラー画像を表示するための液晶表示パネルにおいて、上記第１の実施形態と同様の効果を奏することができる。

＜４．第４の実施形態＞
＜４．１ 液晶表示パネルの構造＞
本発明の第４の実施形態に係る液晶表示パネル１００の構造について、図９を参照しつつ説明する。なお、本実施形態の構成要素のうち第１の実施形態と同一の要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。図９は、本実施形態に係る液晶表示パネル１００のうち、特にＴＦＴ基板側の一部の構造を示す平面図である。

上記第１の実施形態と同様に、本実施形態に係る液晶表示パネル１００は、３原色（赤色・緑色・青色）に基づいてカラー画像を表示するように構成されている。しかし、本実施形態における画素電極１３０の並ぶ方向が、上記第１の実施形態におけるものと異なる。すなわち、上記第１の実施形態では、ゲートライン延伸方向の前方から各原色用の画素電極１３０が順に並べられているのに対し、本実施形態では、ソースライン延伸方向の前方から各原色用の画素電極１３０が順に並べられている。

図９に示すように、ソースライン延伸方向の前方から、Ｇ用画素電極１３０ｇ、Ｂ用画素電極１３０ｂ、Ｒ用画素電極１３０ｒが順に並べられているが、画素電極１３０の並び順はこれに限定されるものではない。例えば、ソースライン延伸方向の前方からＲ用画素電極１３０ｒ、Ｂ用画素電極１３０ｂ、Ｇ用画素電極１３０ｇの順等でもよい。Ｇ用画素電極１３０ｇとＧカラーフィルタ１５２ｇは互いに対向している。同様に、Ｂ用画素電極１３０ｂとＢカラーフィルタ１５２ｂとが互いに対向し、Ｒ用画素電極１３０ｒとＲカラーフィルタ１５２ｒとが互いに対向している。各カラーフィルタ１５２は、ゲートライン延伸方向にストライプ状に形成されている。本明細書では、このようにゲートライン延伸方向にストライプ状に形成されたカラーフィルタを、「横ストライプ状のカラーフィルタ」という。

カラーフィルタ１５２およびブラックマトリクス１５１は、上記第１の実施形態のように対向基板１４０側に配置されていてもよく、また、上記第２の実施形態のようにＴＦＴ基板１１０側に配置されていてもよい。

なお、本実施形態に係る液晶表示パネル１００の電気的構成は、上記第１の実施形態に係る液晶表示パネル１００のものと同様であるので、その説明を省略する。

次に、本実施形態におけるＴＦＴ１２０の配置について説明する。図９に示すように、本実施形態では、ソースライン延伸方向においてＢ用画素電極１３０ｂの後方に隣接するＲ用画素電極１３０ｒ（一方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒが、当該Ｒ用画素電極１３０ｒに対して、Ｂ用画素電極１３０ｂの反対側に配置されている。Ｂ用画素電極１３０ｂにドレイン電極１２５ｄが接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと当該Ｂ用画素電極１３０ｂとの距離は、Ｒ用画素電極１３０ｒ（一方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒと当該Ｒ用画素電極１３０ｒとの距離よりも大きい。ソースライン延伸方向においてＢ用画素電極１３０ｂの前方に隣接するＧ用画素電極１３０ｇ（他方の画素電極）にドレイン電極１２５ｄが接続されたＧ用ＴＦＴ１２０ｇとＢ用画素電極１３０ｂとの距離は、Ｂ用画素電極１３０ｂに接続されたＢ用ＴＦＴ１２０ｂと当該Ｂ用画素電極１３０ｂとの距離と等しい。

また、図９に示すように、ソースライン延伸方向において互いに隣接するＲ用画素電極１３０ｒとＧ用画素電極１３０ｇとの間に、Ｒ用画素電極１３０ｒ、Ｂ用画素電極１３０ｂ、およびＧ用画素電極１３０ｇにそれぞれドレイン電極１２５ｄが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒ、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂ、およびＧ用ＴＦＴ１２０ｇが配置されている。すなわち、Ｒ用画素電極１３０ｒとＧ用画素電極１３０ｇとの間に、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂを含む３つのＴＦＴ１２０が配置されている。なお、ゲートライン延伸方向には、同一原色用の画素電極１３０が並べられている（図示しない）。

Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒを介してソースラインＳＬ（ｉ）に接続されたＲ用画素電極１３０ｒ、ソースライン延伸方向において当該Ｒ用画素電極１３０ｒの前方に位置するＢ用画素電極１３０ｂ、およびソースライン延伸方向において当該Ｂ用画素電極１３０ｂの前方に位置するＧ用画素電極１３０ｇのそれぞれの下方には、有機保護膜１２７および無機保護膜１２６を挟んでソースラインＳＬ（ｉ＋１）およびソースラインＳＬ（ｉ＋２）が配置されている。同様に、ソースライン延伸方向において、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒを介してソースラインＳＬ（ｉ）に接続されたＲ用画素電極１３０ｒの後方に位置するＧ用画素電極１３０ｇの下方にも、有機保護膜１２７および無機保護膜１２６を挟んでソースラインＳＬ（ｉ＋１）およびソースラインＳＬ（ｉ＋２）が配置されている。

図９に示すように、Ｇ用画素電極１３０ｇおよびＢ用画素電極１３０ｂは矩形状に形成されている。すなわち、Ｇ用画素電極１３０ｇおよびＢ用画素電極１３０ｂには、ＴＦＴ１２０を近傍に配置するための切り欠き部分が設けられていない。一方、Ｒ用画素電極１３０ｒには、３つのＴＦＴを近傍に配置するための切り欠き部分が設けられている。ソースラインＳＬ（ｉ）、ＳＬ（ｉ＋１）およびＳＬ（ｉ＋２）にそれぞれソース電極１２５ｓが接続されたＲ用ＴＦＴ１２０ｒ、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂ、およびＧ用ＴＦＴ１２０ｇは、上記切り欠き部分に配置されている。

このように、本実施形態では、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒ、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂ、およびＧ用ＴＦＴ１２０ｇが、Ｂ副画素形成部ＳＰｂに隣接するＲ副画素形成部ＳＰｒのＲ用画素電極１３０ｒの幅（ソースライン延伸方向の長さ）に相当する距離だけ、Ｂ用画素電極１３０ｂおよびこれに対向するＢカラーフィルタ１５２ｂから離れた位置に配置される。

図９に示すように、カラーフィルタ１５２間には、ブラックマトリクス１５１が配置されている。すなわち、各ＴＦＴ１２０上にブラックマトリクス１５１が配置されている。本実施形態では、上述のＴＦＴ１２０の配置に合わせて、Ｒカラーフィルタ１５２ｒとＧカラーフィルタ１５２ｇとの間のブラックマトリクス１５１のうち、各ＴＦＴ１２０に対向する部分の幅（ソースライン延伸方向の長さ）が、他の部分の幅に比べて大きく設定されている。また、各副画素形成部ＳＰの開口率を均一にするために、切り欠き部分の面積に相当する分だけＲ用画素電極１３０ｒの面積が大きくなるように、Ｒ用画素電極の幅（ソースライン延伸方向の長さ）が他の画素電極の幅よりも大きく設定されている。これに合わせて、Ｒカラーフィルタ１５２ｒの幅（ソースライン延伸方向の長さ）も、他の色のカラーフィルタの幅よりも大きく設定されている。

上述のように、本実施形態では、横ストライプ状のカラーフィルタ１５２が形成されている。各カラーフィルタ１５２は、ゲートライン延伸方向にわたって連続的に形成されている。すなわち、ゲートライン延伸方向において、各画素電極の前方および後方にそれぞれ位置するソースラインＳＬ（ｉ）およびＳＬ（ｉ＋３）に対向する位置においてもカラーフィルタ１５２が配置されている。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、各カラーフィルタ１５２が、ゲートライン延伸方向に不連続に形成されていてもよい。すなわち、ゲートライン延伸方向において、各画素電極１３０の前方および後方にそれぞれ位置するソースラインＳＬ（ｉ）およびＳＬ（ｉ＋３）に対向する位置に、カラーフィルタ１５２に代えてブラックマトリクス１５１が配置されていてもよい。

＜４．２ 効果＞
本実施形態によれば、横ストライプ状のカラーフィルタが形成された、赤色・緑色・青色の３原色に基づくカラー画像を表示するための液晶表示パネルにおいて、上記第１の実施形態と同様に、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂおよびＲ用ＴＦＴ１２０ｒへの青色光の入射が抑制される。したがって、上記第１の実施形態と同様の効果を奏することができる。

なお、本実施形態では、各原色用のＴＦＴ１２０の位置が、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒおよびこれに対向するＲカラーフィルタ１５２ｒの位置とＧ用ＴＦＴ１２０ｇおよびこれに対向するＧカラーフィルタ１５２ｇの位置とに近接しているが、上述のしきい値シフトの低減を妨げるものではない。すなわち、各原色用のＴＦＴ１２０では、赤色光または緑色光の入射量が増える一方で、これらの光よりも波長の短い青色光の入射量が減っているので、結果として、Ｂ用ＴＦＴ１２０ｂのしきい値シフトが低減される。

なお、本実施形態において、上記第３の実施形態のように赤色・緑色・青色・黄色の４原色に基づくカラー画像を表示する構成を採用しても同様の効果を奏することができる。この場合、ソースライン延伸方向において、各原色用のＴＦＴ１２０の位置の前方および後方のいずれにも、Ｂ用画素電極１３０ｂおよびこれに対向するＢカラーフィルタ１５２ｂが位置しないような構成とする必要がある。

＜４．３ 変形例＞
図１０は、本発明の第４の実施形態の変形例に係る液晶表示パネル１００のうち、特にＴＦＴ基板側の一部の構造を示す平面図である。図１０に示すように、本変形例は、上記第４の実施形態において、Ｒ用画素電極１３０ｒおよびＲカラーフィルタ１５２ｒの幅（ソースライン延伸方向）を小さくしたものである。なお、他の構成要素は上記第４の実施形態と同様である。

ソースライン延伸方向においてＢ用画素電極１３０ｂの後方に位置するＲ用画素電極１３０ｒおよびこれに対向するＲカラーフィルタ１５２ｒの幅がそれぞれ、他の原色の画素電極１３０およびこれに対向するカラーフィルタ１５２の幅よりも小さく設定されている。言い換えると、Ｂカラーフィルタ１５２ｂとＲカラーフィルタ１５２ｒとの間のブラックマトリクス１５１の幅が、Ｒカラーフィルタ１５２ｒとＧカラーフィルタ１５２ｇとの間のブラックマトリクス１５１の幅およびＧカラーフィルタ１５２ｇとＢカラーフィルタ１５２ｂとの間のブラックマトリクス１５１の幅のそれぞれよりも大きくなった分だけ、Ｒ用画素電極１３０ｒの幅およびＲカラーフィルタ１５２ｒの幅が小さく設定されている。これにより、液晶表示パネル１００のサイズを従来よりも大きくすることなく、液晶表示パネル１００の信頼性を高めることができる。

本変形例では、Ｒ用画素電極１３０ｒの幅およびＲカラーフィルタ１５２ｒの幅を小さくした分だけ、Ｒ用ＴＦＴ１２０ｒを介してＲ用画素電極１３０ｒに接続されたソースラインＳＬに印加すべきソース信号ＳＳの電圧を変化させる（ノーマリブラックの場合には高くし、ノーマリホワイトの場合には低くする）ことが望ましい。

なお、Ｒ用画素電極１３０ｒおよびＲカラーフィルタ１５２ｒの幅に代えて、Ｇ用画素電極１３０ｇおよびＧカラーフィルタ１５２ｇの幅を小さくしてもよい。同様に、Ｒ用画素電極１３０ｒおよびＲカラーフィルタ１５２ｒの幅に代えて、Ｂ用画素電極１３０ｂおよびＢカラーフィルタ１５２ｂの幅を小さくしてもよい。

＜５．その他＞
上記各実施形態では、ＴＦＴ１２０の配置のために画素電極１３０に切り欠き部分を設けているが、本発明はこれに限定されるものではなく、このような切り欠き部分を設けなくてもよい。

上記各実施形態では、１つの画素形成部ＭＰに３つ（または４つ）のソースラインＳＬおよび１つのゲートラインＧＬが対応しているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、１つの画素形成部ＭＰに１つのソースラインＳＬおよび３つ（または４つ）のゲートラインＧＬが対応した態様にも、本発明を適用することができる。

その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で上記各実施形態を種々変形して実施することができる。

以上により、本発明によれば、表示品位の低下を抑制しつつ、薄膜トランジスタの信頼性を高めた液晶表示パネルおよびそれを備える液晶表示装置を提供することができる。

本発明は、チャネル層が酸化物半導体からなるＴＦＴを使用した液晶表示パネルに適用することができる。

１００…液晶表示パネル
１１０…ＴＦＴ基板（第１基板）
１２０ｒ…Ｒ用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
１２０ｇ…Ｇ用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
１２０ｂ…Ｂ用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
１２０ｙ…Ｙ用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
１２１…ゲート電極（ゲート端子）
１２５ｄ…ドレイン電極（ドレイン端子）
１２５ｓ…ソース電極（ソース端子）
１３０ｒ…Ｒ用画素電極
１３０ｇ…Ｇ用画素電極
１３０ｂ…Ｂ用画素電極
１３０ｙ…Ｙ用画素電極
１４０…対向基板（第２基板）
１５１…ブラックマトリクス（遮光層）
１５２ｒ…Ｒカラーフィルタ（着色層）
１５２ｇ…Ｇカラーフィルタ（着色層）
１５２ｂ…Ｂカラーフィルタ（着色層）
１５２ｙ…Ｙカラーフィルタ（着色層）
１６０…共通電極
１８０…液晶層
ＧＬ（１）〜ＧＬ（ｍ）…ゲートライン（走査信号線）
ＳＬ（１）〜ＳＬ（ｎ）…ソースライン（映像信号線）
ＭＰ…画素形成部
ＳＰｒ…Ｒ副画素形成部
ＳＰｇ…Ｇ副画素形成部
ＳＰｂ…Ｂ副画素形成部
ＳＰｙ…Ｙ副画素形成部

Claims (11)

1. 所定数の原色に基づくカラー画像を表示するための液晶表示パネルであって、
   互いに対向する第１基板および第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、
   前記第１基板上に互いに交差するように配置された複数の映像信号線および複数の走査信号線と、
   前記複数の映像信号線および前記複数の走査信号線に沿ってマトリクス状に配置された複数の画素形成部と、
   前記所定数の原色のそれぞれの着色層とを備え、
   各画素形成部は、前記所定数の原色にそれぞれ対応した複数の副画素形成部を含み、
   各副画素形成部は、
   該副画素形成部に沿った前記映像信号線と前記走査信号線とに対応して配置された、チャネル層が酸化物半導体からなる薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタに接続されると共に、該副画素形成部が対応する原色の着色層に対向する画素電極とを有し、
   各画素形成部において、前記複数の副画素形成部の画素電極が所定方向に並び、
   前記所定数の原色のうちの最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に前記所定方向において隣接する一方の画素電極に接続された薄膜トランジスタは、該一方の画素電極に対して、該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極の反対側に配置され、
   前記最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に接続された薄膜トランジスタと該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極との距離が、前記一方の画素電極に接続された薄膜トランジスタと該一方の画素電極との距離よりも大きく、
   前記最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に前記所定方向において隣接する他方の画素電極に接続された薄膜トランジスタと該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極との距離が、該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に接続された薄膜トランジスタと該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極との距離以上であることを特徴とする、液晶表示パネル。
2. 前記所定方向は、前記複数の走査信号線の延伸する方向であり、
   前記最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に、前記複数の走査信号線の延伸する方向において隣接する他方の画素電極に接続された薄膜トランジスタと該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極との距離は、該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に接続された薄膜トランジスタと該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極との距離よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
3. 前記最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に接続された薄膜トランジスタと、前記他方の画素電極に接続された薄膜トランジスタとは、それぞれに接続された前記映像信号線を挟んで互いに対向する位置に配置されていることを特徴とする、請求項２に記載の液晶表示パネル。
4. 前記所定方向は、前記複数の映像信号線の延伸する方向であり、
   前記最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に、前記複数の映像信号線の延伸する方向において隣接する他方の画素電極に接続された薄膜トランジスタと該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極との距離は、該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極に接続された薄膜トランジスタと該最も波長の短い原色の着色層に対向する画素電極との距離と等しいことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
5. 各薄膜トランジスタに対向する位置に遮光層が配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
6. 前記着色層は、前記第２基板上に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
7. 前記着色層は、当該着色層に対向する画素電極上に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
8. 前記最も波長の短い原色は青色であることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
9. 前記カラー画像は、赤色、緑色、および青色に基づき表示されることを特徴とする、請求項８に記載の液晶表示パネル。
10. 前記カラー画像は、赤色、緑色、青色、および黄色に基づき表示されることを特徴とする、請求項８に記載の液晶表示パネル。
11. 請求項１から１０までのいずれか一項に記載の液晶表示パネルを備えることを特徴とする、液晶表示装置。

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