JP4303817B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、液晶表示装置に関し、特に開口率向上のための電極の構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図4は、従来のTFTをスイッチング素子に用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置のTFT素子を設けた下側基板についての1画素の平面図であり、図5は、図4のA−Aにおける断面図である。
図において、1はガラスなどの透明絶縁基板、2は透明絶縁基板1上に形成されたゲート電極、2bはゲート電極2に接続され、透明絶縁基板1の一方向に延在しているゲート電極配線、3は保持容量電極、3bは保持容量電極3に接続され、透明絶縁基板1を一方向に延在している保持容量電極配線、4はゲート電極2及び保持容量電極3上に形成された絶縁膜、5は絶縁膜4上に形成された半導体層、6は半導体層5上に形成されたソース電極、6bはソース電極6に接続され、ゲート電極配線2bと交差するように透明絶縁基板1に延在するソース電極配線、7は半導体層5上に形成されたドレイン電極、8はドレイン電極7に接続された画素電極、9は半導体層5、ソース電極6及びドレイン電極7を被うように形成されたチャネル保護膜である。
【0003】
図6は、図4のB−Bにおける断面図であるが、ここでは透明絶縁基板に対向するもう1枚の基板である対向透明絶縁基板と、両基板に挟まれた液晶層も示している。
図6において、10は透明絶縁基板1に対向配置された対向透明絶縁基板、11は対向透明絶縁基板10上に形成されたブラックマスク、12は対向透明絶縁基板10にブラックマスク11及び着色層13を介して形成された透明電極、14は透明絶縁基板1と対向透明絶縁基板10間に挟持された液晶層である。16は保持容量電極3の画素電極8との重なる領域である保持容量電極重なり領域である。17は透明絶縁基板1の下部から入射する光源からの光、18は液晶層14を通過する光、19は保持容量電極3によって遮光される光である。
ここで、カラー液晶表示装置においては、画素電極8に対応する位置に、R、G、Bの特定の波長域のみを透過する着色層13を対向透明絶縁電極10上に設けている。また、ブラックマスク11は、画素電極8以外の領域を遮光するように設けられる。
【0004】
図7は、図4の画素構造に対応するブラックマスクの平面図である。
ブラックマスク11は、画素電極以外の駆動信号によって制御されていない余分な光を遮光することによって、正確かつ、高コントラストの表示を行なうために設けられている。図7に示した1画素面積20に対するブラックマスクで覆われいない開口領域21の割合を対向電極開口率と呼ぶ。
図8は、図4に示す画素の等価回路を示す図である。
図8において、2〜3b、6〜8は図4におけるものと同一であり、12は図6におけるものと同一のものである。3cは保持容量、14cは液晶容量である。
【0005】
従来の液晶表示装置はこのように構成され、図6に光17、18、19で示すように、保持容量電極3は、同時に画素電極8周辺を遮光する役割を持つ。
2枚の透明絶縁基板を重ね合わせる時の合わせ精度は、一般に5−10μm程度である。従って、この合わせ精度を考慮に入れてブラックマスク11を設計すると、本来遮光すべき領域よりさらに内側を遮光する必要がある。従ってたとえば、画素電極8の内側に、本来遮光すべき領域より5−10μmの重なりが必要になる。その結果、実際に有効に透過光を制御できる画素の領域が狭くなり、表示が暗くなってしまう。
それに対して、TFT素子を設けた下側基板における各層間の重ね合わせ精度は1μm以下である。従って、保持容量電極3で画素電極8の周辺部を遮光することによって、本来遮光すべき領域より内側の重なり量を1μm以下に設定できるので、実際に有効に透過光を制御できる画素の領域を減少させず、その結果明るい表示を行うことが可能になる。このような保持容量電極の構造をTFTオンブラックマスク構造と呼ぶ。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
一般に画素電極8上の周辺部では、画素電極8の電圧による光の制御が十分に行なわれない領域が存在する。従って、TFTオンブラックマスク構造を採用する場合には、この領域を保持容量電極3で遮光する必要がある。その結果、図6に示すように一定の保持容量電極重なり領域16が必要になる。この保持容量電極重なり領域16の長さは、画素電極8上の光の制御が十分に行なわれない領域に、画素電極8と保持容量電極3の重ね合わせ精度を足した値になる。この値は一般に5μm程度である。
一方、この画素電極8と保持容量電極3の重なり量は、その間の絶縁膜4、チャネル保護膜9を介して形成する保持容量値を決定する。図8の等価回路で示すゲート電極2、絶縁膜4、半導体層5、ソース電極6、ドレイン電極7で構成されたTFT素子を介して画素電極8に書き込まれた電位は、画素電極8、絶縁膜4、保持容量電極3で構成される保持容量によって保持される。この保持容量値の増加は、TFTの書き込み後の保持期間における画素電圧の保持を容易にする。しかしながら、同時に、保持容量値の増加は、TFT素子を介した画素への書き込みを困難にする。
【0007】
液晶表示装置において、高精細高輝度の要求が高まっている。高精細化すなわち画素数の増大に伴って1画素サイズは小さくなり、高輝度化のために対向電極開口率を上昇させることが必要であり、そのためTFTの小型化が要求される。しかし、TFTの小型化は、小さなTFTで画素を充電するために保持容量値をある程度小さくする必要がある。一方、上記のように保持容量電極3がブラックマスクの機能を兼用する場合には、ある程度の保持容量電極重なり領域16が必要である。そのため、この重なり量で規制される以上に小さく形成できなくなり、高精細、高輝度化に限界が生じる。
【0008】
この問題を解決する方法として、図9に示すように保持容量電極の代わりに固定電位の供給を受けず電気的にフローティング状態の遮光電極を設ける方法がある。
図9は、従来のフローティング電極を有するTFTをスイッチング素子に用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置のTFT素子を設けた下側基板についての1画素の平面図である。
図9において、22は電気的にフローティング状態の遮光電極であるフローティング電極であり、保持容量電極の代わりに設けられている。
しかし、この図9の構造でも、このフローティング電極22を介して、ソース電極配線6bと画素電極8が結合するため、大きな浮遊結合容量が形成され、その結果、ソース信号の結合効果によって画素電圧が変動し、クロストーク等の表示上の不具合が発生する。
【0009】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたものであり、浮遊容量の増加に伴うクロストーク等の表示不良を抑制したまま、保持容量値を小さくしTFTサイズの小型化による高開口率を実現した液晶表示装置を得るものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
この発明に係わる液晶表示装置においては、複数のゲート電極配線及びこのゲート電極配線に交差するように配置された複数のソース電極配線から信号が供給されるマトリクス状の多数の画素によって表示を行う液晶表示装置において、
ソース電極配線とこれに隣接するソース電極配線とは、信号の極性が異なる駆動方式であり、
ゲート電極配線及びソース電極配線から信号が供給されるスイッチング素子に接続され画素表示を行う画素電極、
ソース電極配線に交差するように配置され、ゲート電極配線の配置方向に配置された保持容量電極配線、
この保持容量電極配線に接続され、ソース電極配線に沿うと共に一部が画素電極と絶縁膜を介して重なるように配置され所定の電位が供給される第一の保持容量電極、
保持容量電極配線に接続され、ソース電極配線に隣接するソース電極配線に沿うと共に一部が画素電極と絶縁膜を介して重なるように配置され所定の電位が供給される第二の保持容量電極、
第一の保持容量電極の延長線上に第一の保持容量電極と間隙を挟んで配置され電気的にフローティングな状態に形成された第一のフローティング電極、
第二の保持容量電極の延長線上に第二の保持容量電極と間隙を挟んで配置され電気的にフローティングな状態に形成された第二のフローティング電極を備え、
第一のフローティング電極及び第二のフローティング電極のソース電極配線に沿う方向の長さが、ほぼ等しいものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1によるアクティブマトリクス型液晶表示装置のTFT素子を設けた下側基板についての1画素の平面図である。
図において、2は透明絶縁基板上に形成されたゲート電極、2bはゲート電極2に接続され、透明絶縁基板の一方向に延在しているゲート電極配線、3は保持容量によって、後述する画素電極の電位を保持するように構成された保持容量電極、3bは保持容量電極3に接続され、透明絶縁基板を一方向に延在している保持容量電極配線、6は半導体層上に形成されたソース電極、6bはソース電極6に接続され、ゲート電極配線2bと交差するように透明絶縁基板を延在するソース電極配線、7は半導体層上に形成されたドレイン電極、8はドレイン電極7に接続され画素表示を行う画素電極である。23は保持容量電極3と共に画素電極8に重なるように設けられ、電気的にフローティングな状態のフローティング電極で、保持容量電極3との間に間隔24を形成するように配置されている。
ゲート電極2、ソース電極6及びドレイン電極7は、スイッチング素子であるTFTを形成する。
また、保持容量電極3は、ソース電極配線6b及びこのソース電極配線6bに隣接するソース電極配線6bに沿って、それぞれ第一の保持容量電極及び第二の保持容量電極が形成されると共に、それぞれ画素電極8と重なり領域を有するように形成され、遮光の機能を持たせられている。
また、フローティング電極23は、保持容量電極3の延長線上に、保持容量電極3と間隙24を介して設けられており、第一の保持容量電極の延長線上に第一のフローティング電極が、また第二の保持容量電極の延長線上に第二のフローティング電極がそれぞれ設けられ、遮光の機能を持たせられている。
なお、図1は、実施の形態1による液晶表示装置の平面図であり、断面構造は図5に示すものと同様に構成されており、フローティング電極は、保持容量電極と同様に形成されている。
【0013】
このように構成された液晶表示装置では、保持容量電極3の形成する保持容量値が、従来のように画素全体に保持容量電極を形成した場合に比べ低減でき、この結果、TFTサイズの小型化による高開口率を実現できる。一方フローティング電極23を、画素全体にわたって形成せず小さく形成するので、浮遊容量を小さくし、クロストーク等の表示不良の発生も抑制できる。
【0014】
実施の形態2.
図2はこの発明の実施の形態2によるアクティブマトリクス型液晶表示装置のTFT素子を設けた下側基板についての1画素の平面図である。
図において、2、2b、3、3b、6、6b、7、8、23、24は、図1におけるものと同一のものである。
実施の形態2では、画素電極8の左右に設けられたフローティング電極23の長さが等しくなるように間隙24の位置を設けている。この結果、左右のフローティング電極23によって形成される画素電極−ソース電極配線間の浮遊容量を等しくできる。この構造を隣接ソース電極配線6bに入力する駆動信号の極性が異なる駆動方式、たとえばドット反転方式に採用することによって、左右のソース電極配線6bの容量結合による信号変化を相殺し、浮遊容量の影響によるクロストーク等の表示不良を低減できる。
【0015】
実施の形態3.
図3は、この発明の実施の形態3によるアクティブマトリクス型液晶表示装置のTFT素子を設けた下側基板についての1画素の平面図である。
図において、2、2b、3、3b、6、6b、7、8、23、24は図1におけるものと同一のものである。
実施の形態3では、左側画素電極8下の保持容量電極3は、画素全体に設けており、右側画素電極8下の保持容量電極3は、画素半ばにおいて中断している。そして間隙24を設けて電気的に接続していないフローティング電極が、画素電極の下に設けられている。
この構造を採用することにより、画素電極8下部の電極によって遮光されない領域を減少し、コントラストの低下を抑制できる。この構造は、隣接ソース電極配線6bに入力する駆動信号の極性が同じ駆動方式、たとえばライン反転方式において採用できる。
【0016】
【発明の効果】
この発明は、以上説明したように構成されているので、以下に示すような効果を奏する。
複数のゲート電極配線及びこのゲート電極配線に交差するように配置された複数のソース電極配線から信号が供給されるマトリクス状の多数の画素によって表示を行う液晶表示装置において、
ソース電極配線とこれに隣接するソース電極配線とは、信号の極性が異なる駆動方式であり、
ゲート電極配線及びソース電極配線から信号が供給されるスイッチング素子に接続され画素表示を行う画素電極、
ソース電極配線に交差するように配置され、ゲート電極配線の配置方向に配置された保持容量電極配線、
この保持容量電極配線に接続され、ソース電極配線に沿うと共に一部が画素電極と絶縁膜を介して重なるように配置され所定の電位が供給される第一の保持容量電極、
保持容量電極配線に接続され、ソース電極配線に隣接するソース電極配線に沿うと共に一部が画素電極と絶縁膜を介して重なるように配置され所定の電位が供給される第二の保持容量電極、
第一の保持容量電極の延長線上に第一の保持容量電極と間隙を挟んで配置され電気的にフローティングな状態に形成された第一のフローティング電極、
第二の保持容量電極の延長線上に第二の保持容量電極と間隙を挟んで配置され電気的にフローティングな状態に形成された第二のフローティング電極を備え、
第一のフローティング電極及び第二のフローティング電極のソース電極配線に沿う方向の長さが、ほぼ等しいので、画素電極の両側で洩れ光を遮光すると共に、浮遊容量の増加に伴うクロストーク等の表示不良を抑制すると同時に、保持容量値を小さくしスイッチング素子の小型化による高開口率を実現することができる。また、第一及び第二のフローティング電極によって形成される画素電極−ソース電極配線間の浮遊容量を等しくでき、ソース電極配線とこれに隣接するソース電極配線との信号の極性が異なる駆動方式を採用することによって左右のソース電極配線の容量結合による信号変化を相殺し、浮遊容量の影響によるクロストーク等の表示不良を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1によるアクティブマトリクス型液晶表示装置のTFT素子を設けた下側基板についての1画素の平面図である。
【図2】 この発明の実施の形態2によるアクティブマトリクス型液晶表示装置のTFT素子設けた下側基板についての1画素の平面図である。
【図3】 この発明の実施の形態3によるアクティブマトリクス型液晶表示装置のTFT素子を設けた下側基板についての1画素の平面図である。
【図4】 従来のTFTをスイッチング素子に用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置のTFT素子を設けた下側基板についての1画素の平面図である。
【図5】 図4のA−Aにおける断面図である。
【図6】 図4のB−Bにおける断面図である。
【図7】 図4の画素構造に対応する対向透明基板上ブラックマスクの平面図である。
【図8】 図4に示した1画素の等価回路を示す図である。
【図9】 従来のフローティング電極を有するTFTをスイッチング素子に用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置のTFT素子を設けた下側基板についての1画素の平面図である。
【符号の説明】
2 ゲート電極、 2b ゲート電極配線、 3 保持容量電極、
3b 保持容量電極配線、 6 ソース電極、 6b ソース電極配線、
7 ドレイン電極、 8 画素電極、 23 フローティング電極、
24 間隙。
Claims (1)
- 複数のゲート電極配線及びこのゲート電極配線に交差するように配置された複数のソース電極配線から信号が供給されるマトリクス状の多数の画素によって表示を行う液晶表示装置において、
上記ソース電極配線とこれに隣接するソース電極配線とは、信号の極性が異なる駆動方式であり、
ゲート電極配線及びソース電極配線から信号が供給されるスイッチング素子に接続され上記画素表示を行う画素電極、
上記ソース電極配線に交差するように配置され、上記ゲート電極配線の配置方向に配置された保持容量電極配線、
この保持容量電極配線に接続され、上記ソース電極配線に沿うと共に一部が上記画素電極と絶縁膜を介して重なるように配置され所定の電位が供給される第一の保持容量電極、
上記保持容量電極配線に接続され、上記ソース電極配線に隣接するソース電極配線に沿うと共に一部が上記画素電極と絶縁膜を介して重なるように配置され上記所定の電位が供給される第二の保持容量電極、
上記第一の保持容量電極の延長線上に第一の保持容量電極と間隙を挟んで配置され電気的にフローティングな状態に形成された第一のフローティング電極、
上記第二の保持容量電極の延長線上に第二の保持容量電極と間隙を挟んで配置され電気的にフローティングな状態に形成された第二のフローティング電極を備え、
第一のフローティング電極及び第二のフローティング電極のソース電極配線に沿う方向の長さが、ほぼ等しいことを特徴とする液晶表示装置。
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