TWI532865B - 用於半導體封裝的電磁干擾屏蔽之濺射裝置及具有其之連續式濺射沉積系統 - Google Patents

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Description

用於半導體封裝的電磁干擾屏蔽之濺射裝置及具有其之連續式濺射沉積系統
本發明通常有關一種用於半導體封裝的電磁干擾(EMI，Electro Magnetic Interference)屏蔽之濺射裝置、及一種具有其之連續式濺射沉積系統，且更具體地，有關一種用於半導體封裝的電磁干擾(EMI)屏蔽之濺射裝置、及一種具有其之連續式濺射沉積系統，其中可容易附著或分離半導體封裝且可自動裝載或卸載半導體封裝，如此增加產品品質與生產量，且半導體封裝的底面密切接觸轉盤的黏附墊，如此保證一致性品質且減少缺陷率，且容易清除轉盤的黏附墊，且由於自動化系統，故可容易卸載，如此避免半導體封裝受到力量受到破壞或損壞，且降低半導體封裝表面的溼氣與氣體揮發，且從半導體封裝的表面清除雜質及改善表面的特徵，如此增加半導體封裝與一沉積薄膜間的接觸力，藉此避免薄膜剝離，及改善薄膜品質，且旋轉裝載有半導體封裝的轉盤，且使用一傾斜磁棒的陰極靶材執行直線製程，使得薄膜均勻沉積在半導體封裝之一頂面與一側面，及改善沉積效率，如此減少 靶材的消耗及縮短沉積製程時間、與傳導速度，且自動調整轉盤模組間的間隔，如此使沉積製程最佳化且藉此改善靶材效率。
一濺射裝置用來製造各種不同電子器件的薄膜，例如，以沉積用於有機發光二極體器件、太陽電池、或電磁干擾(EMI)屏蔽的半導體封裝的薄膜。
最近，一連續式濺射沉積系統(當連續通過每一製程模組時，執行一製程)廣泛用來沉積用於半導體封裝的電磁干擾(EMI)屏蔽的薄膜。
通常，當使用連續式濺射沉積系統以沉積用於半導體封裝的電磁干擾(EMI)屏蔽的薄膜時，需要：一裝載單元，用於裝載半導體封裝；一薄膜沉積腔，用於半導體封裝；及一卸載單元，用於卸載半導體封裝。
同樣地，當使用連續式濺射沉積系統以沉積用於半導體封裝的電磁干擾(EMI)屏蔽的薄膜時，半導體封裝裝載單元通常需要：一黏帶安裝模組，其構成安裝用以將半導體封裝裝載在載盤的黏帶；一裝載組件，其構成將半導體封裝裝載在具有黏帶的載盤；及一傳輸模組，其構成傳輸在載盤上裝載的半導體封裝。通常，用於半導體封裝的電磁干擾(EMI)屏蔽的薄膜沉積腔包括一陰極，用以將薄膜沉積在半導體封裝；及一傳輸模組，用於傳輸裝載在載盤的半導體封裝。用於從載盤卸載半導體封裝的卸載單元通常包括：一傳輸模組，其構成傳輸裝載 有沉積半導體封裝的載盤；一卸載模組，其構成卸載該沉積半導體封裝；及一黏帶清除模組，其構成清除使用過的黏帶。
在連續式濺射沉積系統的半導體封裝裝載單元中，習知上，用於連續安裝黏帶在載盤上的黏帶安裝模組是逐列附著黏帶的預定寬度在載盤，且裝載模組將半導體封裝裝載在黏帶上，然後人員使用一滾子重複推動半導體封裝，以將半導體封裝附著在黏帶。因此，此會是個問題，在於不容易運用自動化，且不容易平均且平滑將所有封裝附著在載盤。
習知上，當從連續式濺射沉積系統的半導體封裝卸載單元內的封裝卸載模組的載盤上面的黏帶移除半導體封裝時，由於黏帶的強性黏力，人員應逐一分離半導體封裝，使得生產力降低。同時，如果使用自動化的設備分離半導體封裝，半導體封裝可能受到分離半導體封裝的力量損壞，如此使產品品質惡化。
此外，當沉積用於連續式濺射沉積系統的半導體封裝的電磁干擾(EMI)屏蔽的薄膜時，習知上，由於氣體揮發是由封裝表面的溼氣與揮發性物質引起，使得增加製程腔內的壓力與溫度，如此，由於封裝表面的雜質，以致負面影響薄膜沉積製程及使薄膜的品質惡化。
此外，當沉積用於連續式濺射沉積系統的半導體封裝的電磁干擾(EMI)屏蔽的薄膜時，習知上，一載盤輸送間隔在薄膜沉積腔內是不規則且不連續，使得不容易有效率使用靶料。
此外，在用於連續式濺射沉積系統的半導體封裝的電磁干擾(EMI)屏蔽的薄膜沉積腔中，習知上，當靶料與載有半導體封裝的載盤彼此面對時，靶料與載盤便會傳輸。因此，在半導體封裝的側面上沉積的薄膜厚度只是在其頂面上沉積薄膜厚度的40%或更少，使得不可能將習知系統運用於需要高度階梯覆蓋的製程。
在藉由濺射方法沉積半導體封裝的薄膜之情況，除了底面以外，封裝的五個表面應歷經沉積，且在五個沉積表面之中具有最低厚度之一表面當作整個沉積厚度的參考使用。不過，習知半導體封裝濺射裝置是個問題，在於階梯覆蓋只有40%或更少，由於半導體封裝盤的連續輸送與向下沉積，且不容易達成薄膜的均勻性。
此外，由於低度階梯覆蓋，為了要在側面沉積足夠厚度，施加於頂面的沉積厚度應該增加，如此增加靶料的消耗且延長製程時間。
因此，改善階梯覆蓋的數種方法之研究進行中。經由實例，韓國專利案第10-0252059號揭露一種使用離子化薄膜形成物質的濺射方法，其避免階梯覆蓋特徵在半導體裝置的金屬配線製程中惡化，且抑制半導體基體表面的損壞。
不過，習知濺射方法是個問題，在於只能沉積薄膜在半導體封裝的頂面，使得不可能將此方法運用於需要在頂面與側面兩者上均勻沉積的半導體封裝的薄膜沉積製程，而且(此外)，不容易將此方法運用於需要高度階梯覆蓋的製程。
因此，本發明已克服先前技術發生的前述問題，且本發明之一目的是要使黏黏帶快速且容易附著於盤上，使半導體封裝裝載在黏帶，且然後平均且平滑附著在黏帶，且實現自動化。
本發明之另一目的是要解決不容易自動卸載附著在黏附墊的半導體封裝、不容易清除使用過的黏附墊、且使用自動化設備執行分離時損壞半導體封裝、如此降低產品品質的問題。
本發明之進一步目的是要解決由於在沉積薄膜從封裝表面的溼氣與揮發性物質引起的氣體揮發，使得真空腔中壓力與溫度增加，如此負面影響薄膜沉積製程且因此減少薄膜的接觸力，及由於封裝表面的雜質使薄膜品質惡化的問題。
不過，本發明之仍然另一目的是要解決在薄膜沉積腔中傳輸盤間的間隔不規則與不連續、且因此無效率使用靶料的問題。
本發明之一仍然進一步目的是要提供一種用於半導體封裝的電磁干擾(EMI)屏蔽之濺射裝置、及一種具有濺射裝置之連續式濺射沉積系統，其中在半導體封裝之一頂面與一側面兩者上可達成均勻薄膜沉積，如此避免沉積在半導體封裝的側面上沉積的薄膜厚度明顯小於在其頂面上沉積的薄膜厚度，提高階梯覆蓋，允許其施加於需要高度階梯覆蓋的製程，且增加半導體封裝的生產量，因此改善生產力及減少靶料消耗。
為了要達成上述目的，本發明之一態樣提供一種用於半導體封裝的電磁干擾(EMI)屏蔽之連續式濺射沉積系統，包括：一液態黏膠分配和清除單元，其構成分配及清除用以將半導體封裝附著於轉盤的頂面或將其從轉盤的頂面分離之液態黏膠；一半導體封裝裝載和預處理單元，其構成將半導體封裝裝載在轉盤的頂面，及預處理半導體封裝的表面；一半導體封裝沉積製程腔，其構成連續傳輸及獨立旋轉一盤模組，其中安置裝載有半導體封裝的轉盤，如此執行用於電磁干擾(EMI)屏蔽的薄膜沉積製程；一半導體卸載單元，其構成卸載已暴露於沉積製程的半導體封裝；及一半導體封裝歸位單元，其構成在一方向中歸位該盤模組，其中該方向係相對於進行半導體封裝沉積製程腔的傳輸模組之一方向。
液態黏膠分配和清除單元可包括：一液態黏膠分配器，其構成分配液態黏膠在轉盤，透過自動整平製程以固化液態黏膠，且然後冷卻液態黏膠，如此，形成允許容易附著半導體封裝的黏附墊；一黏附墊清除器，其構成在已沉積用於半導體封裝的電磁干擾(EMI)屏蔽的薄膜之後，清除已卸載半導體封裝之轉盤的黏附墊；一盤托架，其構成堆疊及儲存轉盤；及一盤供應和移動機械臂，其構成將轉盤供應給液態黏膠分配器、黏附墊清除器、盤托架或載盤歸位機，或將轉盤移到另一地方。
液態黏膠分配器可包括：一分配器，其構成分配液態黏膠在轉盤；複數個架式存器，其構成自動整平分配的液態黏膠；一固化機，其具有一加熱器，以固化液態黏膠；及一冷卻機，其構成冷卻該轉盤。
此外，分配器可包括一第一儲存容器與一第二儲存容器，其構成使得第一與第二儲存容器之每一者的內壁塗層有氟素鐵氟龍，以避免液態黏膠材料附著其上及與金屬形成化學反應，且第一與第二儲存容器之每一者可包括：一真空泵，其構成清除混合異物與微氣泡的殘留氣體；一乾淨壓縮空氣供應系統，其構成從第一與第二儲存容器之每一者流出液態黏膠材料；一螺絲型轉子與定子組，其構成控制從第一與第二儲存容器之每一者供應的液態黏膠材料的排出量；及一階梯層結構的靜態型混合器，其構成混合及攪拌液態黏膠。
半導體封裝裝載和預處理單元可包括：一載盤歸位機，其構成將附著黏附墊的轉盤安置在盤模組上面，且自動覆蓋一盤護罩；一封裝載器，其構成將半導體封裝裝載在轉盤的黏附墊；一盤載器，其構成將從封裝載器饋送的盤模組整平至一載鎖腔的高度，且然後將盤模組安置在載鎖腔，該載鎖腔構成如果盤模組饋送至載鎖腔，將大氣壓力改變成真空，及熱處理半導體封裝表面的溼氣與揮發性物質，如此減少氣體揮發；及一電漿處理腔，其構成透過電漿處理，清除半導體封裝表面的雜質，及藉由電漿處理對半導體封裝的表面結構進行改性以增加半導體封裝與沉積薄膜間的接觸力。
載鎖腔可包括一加熱器，其構成熱處理表面；及一高度真空泵，其構成從大氣壓力改變成真空。
電漿處理腔可更包括：一射頻(RF)功率，用以產生電漿；及一高度真空泵，用以維持真空。
連續式濺射沉積系統可更包括：一陰極單元，其設置在沉積製程腔且包含複數個圓柱形陰極；一速度緩衝區，其設置在沉積製程腔之前面與後面，以自動調整盤模組間的間隔，及使用一滾子以調整該盤模組的傳輸速度；一傳輸模組，其設置在陰極單元之下，且連續傳輸裝載有半導體封裝的盤模組；一盤模組，其安置裝載有半導體封裝的轉盤，且在傳輸模組直線進行時，可由旋轉模組獨立旋轉；及一旋轉模組，用以傳輸驅動軸的旋轉力給一鏈部，該鏈部咬合該盤模組的旋轉齒盤，如此旋轉該轉盤。
一磁棒可以一預定角度傾斜設置，以使陰極單元調整濺射角度。
為了要達成上述目的，本發明之另一態樣提供一種濺射裝置，該濺射裝置包括：一沉積製程腔，用以執行濺射製程；一陰極單元，其設置在沉積製程腔，且包含複數個圓柱形陰極；一速度緩衝區，其設置在沉積製程腔之前面與後面，以自動調整盤模組間的間隔，及使用一滾子以調整該盤模組的傳輸速度；一傳輸模組，其設置在陰極單元之下且連續傳輸裝載有半導體封裝的盤模組；一盤模組，其安置裝載有半導體封裝的轉盤，且在傳輸模組直線進行時，可由旋轉模組獨立旋轉；及一旋轉模組，用以傳輸一驅動軸的旋轉力給一鏈部，該鏈部咬合該盤模組的旋轉齒盤，如此旋轉該轉盤。
一磁棒可以一預定角度傾斜設置，以使陰極單元調整一濺射角度。
濺射裝置可更包括一角度調整構件，其構調整陰極單元的磁棒在一傾斜角度。
在本發明中，磁棒的傾斜角度範圍從0°至90°。
此外，陰極單元可提供，使得相同材料靶料的磁棒能以一預定角度傾斜且彼此對稱面對。
在本發明，陰極單元的靶料可為一圓柱類型，且可藉由使磁棒傾斜以調整靶料的濺射角度。
在此，磁棒可固定在一預定角度或可持續擺動。
此外，陰極單元可包括一矩形陰極，當複數個矩形陰極單元面對轉盤時，該等複數個矩形陰極單元能以一預定角度傾斜，且可提供彼此對稱面對的相同材料矩形陰極單元。
本發明的速度緩衝區可當盤模組從電漿處理腔置入沉積製程腔時，根據時間差異，藉由調整盤模組間的間隔以使沉積操作持續執行，且當沉積盤模組從沉積製程腔卸載到卸載單元的緩衝腔時，可自動調整盤模組間的間隔與傳輸速度。
本發明的盤模組可包括：一轉盤，用以將半導體封裝裝載在其頂面上，且在執行沉積可旋轉；一盤托架，其安置其上的轉盤，且有一鎖銷，其形成在盤托架的邊緣以保持轉盤；一下盤，在其兩側有導件，該等導件安置在傳輸模組的滾子上；及一旋轉齒盤，其耦接該下盤之一下部，以接受來自旋轉模組的鏈部的旋轉力，且藉使該轉盤旋轉； 及一盤護罩，其設置在轉盤的上面，且有一孔，該孔形成在盤護罩，以裝載或卸載半導體封裝。
盤護罩可當作盤模組的護蓋使用以避免污染，且執行保護功能，且盤護罩的之一頂面與一側面可為電弧塗層，以避免層薄膜容易被重複沉積製程移除。
此外，旋轉模組可包括一驅動齒盤，該驅動齒盤連接一驅動馬達的驅動軸且傳輸旋轉力至鏈部，且盤模組的旋轉齒盤包一空轉齒盤，且從傳輸模組的線性移動速度獨立地接受來自所要旋轉鏈部的旋轉力，使得鏈部咬合旋轉齒盤，如此在沉積製程中調整轉盤的旋轉速度。
旋轉模組可包括：一驅動滑輪，其連接一驅動馬達的驅動軸且傳輸一同步齒型帶的旋轉力；一空轉滑輪，且盤模組的旋轉滑輪可從傳輸模組的線性移動速度獨立地咬合同步齒型帶，如此在沉積製程過程傳輸轉盤的旋轉速度。
旋轉模組可傳輸旋轉力給轉盤，因為當盤模組以直線移甕時，定位在盤模組之下的一小齒輪可咬合一齒條齒輪。
在本發明中，當轉盤掃描靶料一次，旋轉模組可至少旋轉一或多此(rpm1)。
正如前述的明白，本發明的效益在於容易附著或分離半導體封裝，且可自動裝載或卸載半導體封裝，如此提高生產力與生產量，且 在於半導體封裝的底面緊密接觸轉盤的黏附墊，如此提供一致的品質且減少缺陷率。此外，容易清除除使用過的黏附墊，使得可重複使用沒有污染雜質的轉盤，且半導體封裝自動化設備促成卸載，如此避免半導體封裝受到力的損壞。
此外，在沉積半導體封裝的薄膜時，可減少封裝表面的溼氣與氣體揮發，且透清除封裝表面的雜質與表面改性，可增加半導體封裝與沉積薄膜間的接觸力，如此避免薄膜移除及改善薄膜品質。
此外，在一沉積區域之前面與後面的盤模組間的間隔與傳輸速度是自動調整，如此最佳化沉積製程及改善靶料效率，且本發明避免在半導體封裝的側面上沉積的薄膜厚度明顯小於在其頂面上沉積的薄膜厚度，如此提高階梯覆蓋，且藉此允許本發明適用於需要高階梯覆蓋程度的製程，改善生產力及減少靶料消耗。
A‧‧‧液態黏膠分配器
B‧‧‧盤供應和移動機械臂
C‧‧‧黏附墊清除器
D‧‧‧第一盤托架
E‧‧‧第二盤托架
F‧‧‧載盤歸位機
G‧‧‧卸載盤歸位機
2‧‧‧封裝載器
4‧‧‧盤載器
6‧‧‧載鎖腔
8‧‧‧電漿處理腔
10‧‧‧半導體封裝裝載和預處理單元
20‧‧‧卸載單元
22‧‧‧緩衝腔
24‧‧‧載鎖腔
26‧‧‧盤卸載器
28‧‧‧封裝卸載器
30‧‧‧歸位單元
70‧‧‧液態黏膠分配和清除單元
100‧‧‧沉積製程腔
110‧‧‧速度緩衝區
200‧‧‧陰極單元
202‧‧‧SUS靶料
204‧‧‧Cu靶料
210‧‧‧靶料
212‧‧‧角度調整塊件
214‧‧‧角度調整軸
220‧‧‧磁棒
300‧‧‧盤模組
310‧‧‧轉盤
320‧‧‧盤護罩
322‧‧‧孔部
330‧‧‧盤托架
332‧‧‧鎖銷
340‧‧‧下盤
342‧‧‧導桿
350‧‧‧旋轉齒盤
400‧‧‧傳輸模組
500‧‧‧旋轉模組
510‧‧‧鏈部
512‧‧‧驅動軸
514‧‧‧驅動齒盤
本發明的上述及其他目的、特徵與效益可從下列連同附圖的詳細描述而變得更瞭解，其中：圖1為顯示根據本發明之一具體實施例之用於電磁干擾(EMI)屏蔽的半導體封裝之連續式濺射沉積系統的平面圖；圖2為圖1的前視圖；圖3為顯示根據本發明之用於電磁干擾(EMI)屏蔽的半導體封裝之連續式濺射沉積系統的項目流程與結構之前視圖；圖4為顯示在本發明的濺射裝置中之沉積製程腔的內部之截面圖； 圖5(a)及圖5(b)為顯示本發明之一陰極單元的截面圖；圖6為顯示根據本發明之具體實施例之傾斜靶料的角度調整構件之透視圖；圖7為顯示根據本發明之用於傳輸盤模組的結構之透視圖；圖8為顯示本發明之盤模組的透視圖；圖9為顯示本發明之盤模組的內部結構的分解透視圖；及圖10為顯示本發明之盤模組與旋轉模組的底透視圖。
現將參考附圖更詳細描述本發明之示範性具體實施例。在本說明書中，相同參考編號代表類似元件。不過，應明白，具體實施例只是說明而不是限制，且可進行改變與變化，不致悖離文後申請專利範圍的精神或範疇。
圖1為顯示根據本發明之一具體實施例之用於電磁干擾(EMI)屏蔽的半導體封裝之連續式濺射沉積系統的平面圖；圖2為圖1的前視圖；及圖3為顯示根據本發明之用於電磁干擾(EMI)屏蔽的半導體封裝之連續式濺射沉積系統的項目流程與結構之前視圖。
一種根據本發明之用於電磁干擾(EMI)屏蔽的半導體封裝之濺射裝置是用於半導體封裝的電磁干擾(EMI)屏蔽之連續式濺射沉積系統，其當以直線傳輸半導體包裝時，執行一製程。此包括一液態黏膠分配和清除單元(70)、一半導體封裝裝載和預處理單元(10)、一沉積製程腔(100)、一卸載單元(20)、與一半導體封裝歸位單元(30)。液態黏膠分配和清除單元(70)分配或清除在轉盤的頂面上的液態黏膠，以附著 或分離其上的半導體封裝。半導體封裝裝載和預處理單元(10)將半導體封裝裝載在形成黏附墊之轉盤的頂面上；清除在半導體封裝的表面雜質與溼氣；透過表面改性以增加與活化薄膜的接觸力；及傳輸一盤模組。沉積製程腔(100)傳輸盤模組，其中裝載有半導體封裝的轉盤以直線安置且同時獨立旋轉盤模組，如此執行電磁干擾(EMI)屏蔽的薄膜沉積製程。半導體封裝卸載單元(20)從轉盤的頂面卸載已沉積在沉積製程腔(100)內的半導體封裝。半導體封裝歸位單元(30)在一方向中歸位盤模組，其中該方向為相反於沉積製程腔(100)的傳輸模組的一進行方向。
根據本發明，液態黏膠分配和清除單元(70)是在機械臂附近以團粒結構形成。液態黏膠分配和清除單元(70)包括經由自動整平製程之後，分配液態黏膠至轉盤的頂面、及固化和冷卻液態黏膠的功能；清除使用過黏附墊的功能、及供應和移動轉盤的功能；及堆疊轉盤的功能。
液態黏膠分配和清除單元(70)包括一液態黏膠分配器(A)、一盤供應和移動機械臂(B)、一黏附墊清除器(C)、一第一盤托架(D)與一第二盤托架(E)。液態黏膠分配器(A)分配液態黏膠至轉盤的頂面，固化及冷卻已暴露於自動整平製程的液態黏膠。盤供應和移動機械臂(B)供應或移動轉盤。黏附墊清除器(C)清除在轉盤的使用過的黏附墊。第一盤托架(D)與第二盤托架(E)可堆疊一仍未使用過、沒有雜質的乾淨轉盤；及一轉盤，該轉盤已使用過，且如此在其頂面上具有覆蓋雜質的黏附墊；或者，可堆疊經過分配、固化與冷卻液態黏膠的轉盤。
在本發明的液態黏膠分配和清除單元(70)，如果盤供應和移動機械臂(B)根據特定的編程序列將乾淨的轉盤(310)(沒有雜質且堆疊在第一盤托架(D)或第二盤托架(E))裝載在液態黏膠分配器(A)，為了要形成黏附墊以使半導體封裝容易分離及附著在轉盤的頂面，液態黏膠分配器(A)在固定的間隔處從安裝在液態黏膠分配器(A)上面的一分配器(未在圖顯示)分配液態黏膠，且分配的液態黏膠會於一預定時段在自動整平製程的複數個架式存器處暴露於自動整平製程製程，如此形成平坦與平滑頂面的液態黏附墊。黏附墊會有一預設時段於預設溫度在安裝於液態黏膠分配器(A)內的固化機(未在圖顯示)中烘固及固化，且然後經由冷卻機(未在圖顯示)冷卻。其後，盤供應和移動機械臂(B)安置轉盤(310)，其中黏附墊形成在盤模組(300)，該盤模組等待於半導體封裝裝載和預處理單元(10)的載盤歸位機(F)中，且使用一盤護罩(320)覆蓋，如此覆蓋盤模組(300)。
分配器包括一第一儲存容器與一第二儲存容器，其構成使得第一與第二儲存容器之每一者的內壁具有氟素鐵氟龍塗層，避免液態黏膠材料附著其，且避免與金屬形成化學反應。第一與第二儲存容器之每一者包括：一真空泵，用以清除混合異物與微氣泡的殘留氣體；及一乾淨壓縮空氣供應系統，用於從第一與第二儲存容器之每一者流出液態黏膠材料。此外，第一與第二儲存容器之每一者包括：一螺旋式轉子與定子組，以控制從第一與第二儲存容器之每一者供應液態黏膠材料的排出量；及一階梯層結構的靜態型混合器，以混合及攪拌液態黏膠。
此外，在使用過的黏附墊附著在轉盤(310)的頂面之狀態中，透過歸位單元(30)傳輸之盤模組(300)的轉盤(310)等待在半導體封裝裝載和預處理單元(10)的載盤歸位機(F)。
在從等待在載盤歸位機(F)的盤模組(300)移除盤護罩(320)之後，盤供應和移動機械臂(B)將轉盤(310)安置在黏附墊清除器(C)。然後，在從轉盤(310)的頂面分離黏附墊之後，盤供應和移動機械臂(B)將沒有雜質的乾淨轉盤(310)移到液態黏膠分配器(A)。在液態黏膠藉由液態黏膠分配器(A)分配給轉盤(310)之後，該液態黏膠便暴露於自動整平製程製程，且於一段預定時間在預定溫度冷卻。其後，盤供應和移動機械臂(B)將形成有黏附墊的轉盤(310)安置在盤模組(300)，其中該盤模組等待在半導體封裝裝載和預處理單元(10)的載盤歸位機(F)，然後使用盤護罩(320)覆蓋，如此覆蓋盤模組(300)。
此外，在液態黏膠分配和清除單元(70)的第一盤托架(D)與第二盤托架(E)中，盤供應和移動機械臂(B)可堆疊已在液態黏膠分配器(A)與黏附墊清除器(C)中處理過的該等轉盤(310)，且可儲備轉盤(310)。
液態黏膠分配和清除單元(70)可包括在連續式濺射沉積系統，且可構成在分開空間中獨立於連續式濺射沉積系統操作。同樣地，液態黏膠分配和清除單元(70)可有各種不同結構。
此外，液態黏膠分配和清除單元(70)的盤供應和清除機械臂(B)可即時監督液態黏膠分配器(A)、黏附墊清除器(C)、第一盤托架(D)、第 二盤托架(E)、與載盤歸位機(F)的操作，如此使轉盤(310)的供應與運動最佳化。
半導體封裝裝載和預處理單元(10)可包括複數個腔體。根據本發明，半導體封裝裝載和預處理單元(10)包括：對齊轉盤(310)與盤模組(300)的功能；供應及傳輸轉盤(310)與盤模組(300)的功能；裝載複數個半導體封裝在轉盤(310)之頂面的功能，該轉盤安置在盤模組(300)且其中附著黏附墊；透過熱處理，從半導體封裝的表面清除溼氣或氣體的功能；及從半導體封裝的表面清除雜質、修改表面的特性的預處理功能，且藉此增加薄膜附著力。
在本發明，半導體封裝裝載和預處理單元(10)包括一載盤歸位機(F)，一封裝載器(2)、一盤載器(4)、一載鎖腔(6)、與一電漿處理腔(8)。載盤歸位機(F)具有安置轉盤(310)的功能，其中黏附墊附著在盤模組(300)，且使用盤護罩自動覆蓋轉盤(310)，且供應轉盤給液態黏膠分配和清除單元(70)或接受來自其的轉盤。封裝載器(2)包括對齊功能，且將複數個半導體封裝裝載在轉盤的黏附墊。盤載器(4)將從封裝載器餽送的盤模組整平到載鎖腔的高度，且然後將盤模組安置在載鎖腔。當盤模組進入載鎖腔(6)，載鎖腔(6)從大氣壓力改變成真空，且熱處理半導體封裝表面的溼氣與揮發性物質，如此減少氣體揮發。電漿處理腔(8)執行電漿處理，清除在半導體封裝表面的雜質，且藉由電漿處理對半導體封裝的表面結構進行改性以增加半導體封裝與沉積薄膜間的接觸力。
為了要在載鎖腔(6)中達成前述目的，一加熱器安裝在載鎖腔的上面，安置在盤模組(300)的轉盤(310)可通過該加熱器，如此執行熱處理以移除在半導體封裝表面的溼氣與揮發性物質，且藉此移除氣體揮發，且安裝一高度真空泵，以從大氣壓力改變成真空。
電漿處理腔(8)具有射頻(RF)功率，且更具有一高度真空泵，用以供應惰氣與特定氣體以產生電漿，如此清除安置於轉盤(310)的半導體封裝表面的雜質；修改及淨化半導體封裝的表面；增加薄膜接觸力及維持真空，且藉此達成前述目的。
在本發明，安置轉盤(310)的盤模組(300)構成當執行連續製程時，可直線傳輸。
同時，沉積製程腔(100)具有複數個陰極單元(200)，以在半導體封裝沉積執行沉積製程。一速度緩衝區(110)設置在沉積製程腔(100)之前面與後面的區域，以自動調整盤模組(300)間的間隔，及使用一滾子以調整該盤模組的傳輸速度。一傳輸模組(400)設置在陰極單元(200)之下，以直線傳輸裝載有半導體封裝的盤模組(300)。盤模組(300)安置其上裝載有半導體封裝的轉盤(310)，且由傳輸模組(400)直線移動的旋轉模組(500)獨立旋轉。一旋轉模組(500)傳輸驅動軸(512)的旋轉力至一鏈部(510)，且使用該鏈部藉由咬合盤模組(300)的旋轉齒盤(350)以旋轉該轉盤(310)。
在此，陰極單元(200)的一磁棒(220)是以一預定角度傾斜，如此調整濺射角度。
當盤模組(300)安置在電漿處理腔(8)中的沉積製程腔(100)，位於沉積製程腔(100)之前面與後面的區域處之速度緩衝區(110)可根據時間差異以調整盤模組間的間隔，如此持續執行沉積，且當已暴露於沉積的盤模組從沉積製程腔卸載至卸載單元(20)的緩衝腔(22)時，自動調整盤模組間的間隔與傳輸速度。
速度緩衝區(110)可包括一調整器，以自動調整在盤模組(300)間的間隔與傳輸速度。
此可藉由調整用於傳輸半導體封裝的滾子的速度達成。例如，藉由減少、維持及增加沉積製程腔(100)的速度緩衝區域之一前端、一中心、與一後端之每一者的速度，以調整盤模組間的間隔，且可強化靶料使用效率。
同樣地，在沉積製程腔(100)中暴露於沉積的盤模組(300)傳輸至半導體封裝卸載單元(20)，以卸載半導體封裝。半導體封裝卸載單元(20)包括一緩衝腔(22)，其可在如果裝載有沉積半導體封裝的盤模組(300)進入緩衝腔(22)，將壓力從高度真空改變成低度真空。如果盤模組(300)從緩衝腔(22)饋送至卸載鎖腔(24)，一卸載鎖腔(24)將壓力從低真空改變成大氣壓力。一盤卸載器(26)將從卸載鎖腔(24)饋送的盤模組(300)整平到封裝卸載器的高度。一封裝卸載器(28)包括對齊饋送盤模組(300)的功能，且卸載安置在盤模組(300)的轉盤(310)上的半導體封裝。一卸載盤歸位機(G)傳輸盤模組(300)至歸位單元(30)。
如圖3的箭號所示，在封裝卸載器(28)卸載半導體封裝之後，盤模組(300)透過卸載盤歸位機(G)傳輸至歸位單元(30)，且在相對於沉積製程腔(100)的盤模組(300)移動方向之一方向中饋入，如此回到半導體封裝裝載和預處理單元(10)的載盤歸位機(F)。
根據本發明之用於電磁干擾(EMI)屏蔽的連續式濺射沉積系統包括濺射裝置，其中當裝載有半導體封裝的盤模組(300)在陰極靶料的磁棒處於一角度之狀態而旋轉時，轉盤(310)以直線執行製程，如此允許在要沉積於沉積製程腔(100)之半導體封裝的頂面與側面兩者上均勻執行沉積，且避免側面的沉積厚度明顯低於頂面的沉積厚度，且藉此改善階梯覆蓋。
圖4是顯示在本發明的濺射裝置中沉積製程腔的內部之截面圖；圖5是顯示本發明的陰極單元之截面圖；圖6是顯示根據本發明之具體實施例之傾斜靶料的角度調整構件之圖式；圖7是顯示根據本發明之用於傳輸盤模組的結構之透視圖；圖8是顯示本發明的盤模組之透視圖；圖9是顯示本發明之盤模組的內部結構之分解透視圖；及圖10是顯示本發明的盤模組與旋轉模組之底透視圖。
本發明的濺射裝置包括一沉積製程腔(100)，用以提供一濺射反應空間。複數個陰極單元(200)設置在沉積製程腔(100)，且包括一靶料(210)。一速度緩衝區(110)設置在沉積製程腔(100)之前面與後面的區域，以自動調整在盤模組(300)間的間隔，及使用一滾子以調整該盤模組的傳輸速度。一傳輸模組(400)設置在陰極單元(200)之下，且以直線傳輸裝載有半導體封裝的盤模組(300)。盤模組(300)安置其上裝載有半 導體封裝的轉盤(310)，且經由傳輸模組(400)，透過直線移動的旋轉模組(500)以獨立旋轉。一旋轉模組(500)傳輸驅動軸(512)的旋轉力至一鏈部(510)，且透過盤模組(300)的旋轉齒盤(350)咬合鏈部以旋轉該轉盤(310)。
沉積製程腔(100)提供濺射反應空間，其中執行用於電磁干擾(EMI)屏蔽的半導體封裝的沉積製程。雖然未在圖式顯示，不過沉積製程腔(100)連接真空泵，以排空內部空間，且藉此將空間維持在高度真空。
陰極單元(200)包括靶料(210)，該等靶料在裝載有半導體封裝的盤模組(300)之傳輸方向中是以預定間隔配置，且面對半導體封裝的頂面。每個靶料(210)是利用沉積在半導體封裝表面的薄膜材料製成。例如，當濺射裝置沉積用於電磁干擾(EMI)屏蔽的半導體封裝的薄膜時，靶料(210)可使用銅或SUS。
一SUS薄膜首先沉積前述材料在半導體封裝的頂面與側面，一銅薄膜沉積其上，且然後另一SUS薄膜沉積其上，如此構成一多層薄膜。
此外，一單層薄膜可為從以下組成的群組選擇之任何一材料加以沉積：銅、SUS、鋅、鋁、組、與鎳。此外，藉由前述材料的彼此組合，可沉積一多層薄膜。
此外，除了前述靶料材料之外的物質可用於電磁干擾(EMI)屏蔽之目的。
如果電壓施加於陰極單元(200)，注入沉積製程腔(100)的惰性氣體會被離子化，且離子化氣體會被電壓加速以碰撞靶料(210)的材料。此時，靶料(210)的材料會被沖出，且然後附著及沉積在半導體封裝；如此，形成薄膜層在用於電磁干擾(EMI)屏蔽的半導體封裝。
裝載有半導體封裝的盤模組(300)是由傳輸模組(400)，在靶料(210)之下以一預定速度移動，同時以一預定距離從靶料(210)隔開。靶料(210)可包括一圓柱靶料，其適於立即沉積薄膜在半導體封裝上。最好靶料較長與較寬於裝載有半導體封裝的盤模組。
傳輸模組(400)是採用一方法安裝，該方法為複數個滾子是在沉積製程腔(100)的一縱向中設置於沉積製程腔(100)的兩側，且以固定間隔並排定位。滾子從以預定速度旋轉的一驅動單元(未在圖顯示)接受動力。此外，如前述，位於沉積製程腔(100)之前面與後面的速度緩衝區(110)允許當盤模組(300)安置在電漿處理腔(8)的沉積製程腔(100)內，藉著根據一時間差異來調整間隔以持續執行沉積操作，且在沉積盤模組卸載到沉積製程腔內的卸載單元(20)的緩衝腔(22)之前，自動調整盤模組間的間隔與傳輸速度。為了要保持盤模組間的間隔不變，且藉此增加靶料使用效率，位於沉積製程腔(100)的速度緩衝區域的前端、中心與後端的滾子可分別為一減速滾子、一定速滾子與一加速滾子。
本發明特徵在於，靶料(210)具有以一預定角度傾斜的磁棒(220)，如此調整濺射角度。如圖4或5所示，靶料(210)的磁棒(220)是以一預定角度傾斜安裝。在此，在靶料(210)的磁棒(220)的中央線C與垂直線 間的角度可介於0°至90°範圍。根據本發明，靶料(210)的磁棒(220)的傾斜角度可介於0°至90°範圍。
藉由傾斜磁棒(220)可調整靶料(210)的此一濺射角度。即是，安裝在圓柱靶料(210)的磁棒(220)是以一預定角度傾斜，如此形成靶料(210)的濺射角度。
為了使磁棒(220)傾斜之目的，陰極單元(200)包括一角度調整構件，以調整沉積靶料(210)的薄膜之角度。
如圖6所示，角度調整構件包括：一角度調整軸(214)，其安裝於縱向的裝磁棒(220)上面；及一角度調整塊件(212)，用以耦接角度調整軸(214)與磁棒(220)。角度調整軸(214)連接一同步齒型帶(未在圖顯示)，該同步齒型帶連接安裝在陰極單元(200)的一驅動馬達(未在圖顯示)。藉使，如果驅動該驅動馬達，同步齒型帶採用一預定角度以固定或旋轉該角度調整軸(214)，如此允許磁棒(220)傾斜或旋轉。
即是，角度調整軸(214)藉由角度調整塊件(212)以耦接磁棒(220)。因此，如果角度調整軸(214)固定或旋轉一預定角度，磁棒(220)亦根據該角度加以傾斜或旋轉，如此形成濺射角度。
在這點上，磁棒(220)可固定在一預定角度或可持續擺動。即是，可固定磁棒(220)在一預定角度；或者，藉由控制驅動馬達的驅動以持續擺動磁棒(220)。
最好係，相同材料的靶料(210)可採用相同角度傾斜安裝且藉使彼此面對。例如，在如圖4顯示安裝六個靶料(210)的情況，SUS靶料(202)可提供在兩邊緣且Cu靶料(204)提供在中心。最好係，在三個靶料可形成一群組且三個靶料可形成另一群組的情況，靶料配置成面對沉積製程腔(100)的中心。
在此，陰極單元包括一矩形陰極。複數個矩形陰極單元是以一預定角度傾斜面對該轉盤。相同材料的矩形陰極單元可彼此對稱面對安裝。
同時，如圖7、8、9和10所示，本發明的盤模組(300)包括一轉盤(310)，其頂面裝載半導體封裝，且其在執行沉積時旋轉。一盤托架(330)安置其上的轉盤，且一鎖銷(332)形成在盤托架(330)的邊緣，以保持轉盤。一下盤(340)在其兩側具有導桿(342)，該等導桿安置在傳輸模組(400)的滾子。一旋轉齒盤(350)耦接下盤的一下部，以承接來自旋轉模組(500)的旋轉力且藉此旋轉該轉盤。一盤護罩(320)設置在轉盤的上面，且形成一孔部(322)，以裝載或卸載半導體封裝。
此外，在邊緣具有盤鎖銷(332)的轉盤(310)與盤托架(330)設置在下盤(340)與盤護罩(320)間。盤托架(330)安置其上的轉盤(310)，且耦接該旋轉齒盤(350)，以連同該旋轉齒盤(350)一起旋轉。
同樣地，如果盤托架(330)旋轉，安置在盤托架(330)的轉盤(310)會旋轉，如此旋轉安置在轉盤(310)的半導體封裝。
旋轉齒盤(350)耦接旋轉模組(500)以承接旋轉力。
在本發明中，旋轉模組(500)包括：一驅動齒盤(514)，其連接驅動馬達(未在圖顯示)的驅動軸(512)；及盤模組(300)的旋轉齒盤(350)，其是由一空轉齒盤組成，且承接來自所要旋轉鏈部的旋轉力，而與傳輸模組(400)的線性移動速度無關。藉使，鏈部咬合旋轉齒盤(350)，如此在沉積製程中調整轉盤(310)的旋轉速度。
本發明可包括：一力傳輸構件，用以傳輸一旋轉力給旋轉齒盤(350)；及一驅動構件，用以驅動該力傳輸構件。該力傳輸構件可包括鏈部(510)，該鏈部安置於該沉積製程腔(100)的縱向，且咬合經由驅動構件的驅動而旋轉的旋轉齒盤(350)。
驅動構件可包括：一驅動馬達(未在圖顯示)，用以旋轉該鏈部(510)；及一驅動齒盤(514)，其連接該驅動馬達的驅動軸(512)。
如此構成的旋轉模組(500)操作如下：如果驅動該驅動馬達驅，連接驅動軸(512)的驅動齒盤(514)會旋轉，如此移動鏈部(510)，且咬合鏈部(510)的盤模組的旋轉齒盤(350)會旋轉，如此旋轉該轉盤(310)。因此，可旋轉安置在轉盤(310)的半導體封裝。
在此，鏈部(510)與齒盤可包括同步齒型帶與滑輪的組合、或齒條與小齒輪的組合，以旋轉該轉盤(310)。本發明未侷限於此。
同時，雖然旋轉模組隨著盤模組直線移動，不過定位於盤模組之下的旋轉滑輪可咬合同步齒型帶，如此傳輸該轉盤的旋轉力。
當定位於盤模組之下的小齒輪咬合該齒條齒輪，而盤模組(300)以直線移動時，旋轉模組(500)可傳輸旋轉力給轉盤(310)。
根據本發明，旋轉模組(500)最好以一角速度旋轉，其中當轉盤(310)掃描靶料(210)一次時，該旋轉模組旋轉至少一或多次(rpm1)。
如前述，本發明藉由調整陰極靶料(210)的磁棒之角度以調整濺射角度，如此允許均勻沉積分布於封裝的側面且藉此達成50%或更多的階梯覆蓋，且提供要旋轉安置有半導體封裝的轉盤，如此獲得均勻與減少在半導體封裝的頂面沉積的厚度，因此實現快速製程時間與減少靶料消耗。
雖然本發明的較佳具體實施例已針對說明目的而揭露，不過熟諳此技者應明白，可有各種不同修改、添加與替代，不致悖離如文後申請專利範圍揭露的本發明之範疇與精神。
100‧‧‧沉積製程腔
110‧‧‧速度緩衝區
200‧‧‧陰極單元
202‧‧‧SUS靶料
204‧‧‧Cu靶料
210‧‧‧靶料
220‧‧‧磁棒
300‧‧‧盤模組
400‧‧‧傳輸模組

Claims (25)

  1. 一種用於半導體封裝的電磁干擾(EMI)屏蔽之連續式濺射沉積系統，包括：一液態黏膠分配和清除單元，其構成分配及清除用以將該等半導體封裝附著至一轉盤的頂面、或從該轉盤的頂面分離該等半導體封裝之液態黏膠；一半導體封裝裝載和預處理單元，其構成將該等半導體封裝裝載在具有黏附墊之該轉盤的頂面，及預處理該等半導體封裝的表面；一半導體封裝沉積製程腔，其構成連續傳導及獨立旋轉一盤模組，其中安置裝載有該等半導體封裝的該轉盤，如此執行用於電磁干擾(EMI)屏蔽的薄膜沉積製程；一半導體封裝卸載單元，其構成卸載已暴露於該沉積製程之該等半導體封裝；及一半導體封裝歸位單元，其構成在一方向中歸位該盤模組，該方向為相反於進行該半導體封裝沉積製程腔之傳輸模組的方向。
  2. 如請求項1所述之連續式濺射沉積系統，其中該液態黏膠分配和清除單元包括：一液態黏膠分配器，其構成將該液態黏膠分配給該轉盤，透過一自動整平製程以固化液態黏膠，且然後冷卻該液態黏膠，如此形成一黏附墊，以允許容易附著該等半導體封裝；一黏附墊清除器，其構成在已沉積用於該等半導體封裝的電磁干擾(EMI)屏蔽的薄膜之後，從卸載該等半導體封裝的該轉盤清除該黏附墊； 一盤托架，其構成堆疊及儲存該轉盤；及一盤供應和移動機械臂，其構成供應該轉盤給該液態黏膠分配器、該黏附墊清除器、該盤托架或該載盤歸位機；或者，構成將該轉盤移至其他位置。
  3. 如請求項1或2所述之連續式濺射沉積系統，其中該液態黏膠分配和清除單元包括在該連續式濺射沉積系統或設置在從該連續式濺射沉積系統獨立操作之一分開空間中。
  4. 如請求項2所述之連續式濺射沉積系統，其中該液態黏膠分配器包括：一分配器，其構成將該液態黏膠分配給該轉盤；複數個架式存器，其構成自動整平該等分配的液態黏膠；一固化機，該固化機具有一加熱器，以固化該液態黏膠；及一冷卻機，該冷卻機構成冷卻該轉盤。
  5. 如請求項4所述之連續式濺射沉積系統，其中該分配器包括一第一儲存容器與一第二儲存容器，其構成使得第一與第二儲存容器之每一者的內壁具有氟素鐵氟龍塗層，避免液態黏膠材料附著其上，及與金屬發生化學反應，且第一與第二儲存容器之每一者包括：一真空泵，其構成清除混合異物與微氣泡的殘留氣體；一乾淨壓縮空氣供應系統，其構成從第一與第二儲存容器之每一者流出液態黏膠材料；一螺絲型轉子與定子組，其構成控制從第一與第二儲存容器之每一者供應的該液態黏膠材料的流出量；及一階梯層結構的靜態型混合器，其構成混合及攪拌該液態黏膠。
  6. 如請求項1所述之連續式濺射沉積系統，其中該半導體封裝裝載和預處理單元包括：一載盤歸位機，其構成將附著該黏附墊的該轉盤安置在該盤模組，且自動覆蓋一盤護罩；一封裝載器，其構成將該等半導體封裝裝載在該轉盤的該黏附墊；一盤載器，其構成將從該封裝載器供應的該盤模組整平到一載鎖腔的高度，然後將該盤模組安置在該載鎖腔；該載鎖腔構成如果該盤模組饋送在該載鎖腔，從大氣壓力改變成真空，且熱處理該等半導體封裝表面的溼氣與揮發性材料，如此減少氣體揮發；及一電漿處理腔，其構成透過電漿處理，以清除該等半導體封裝表面的雜質，且藉由電漿處理對該等半導體封裝的表面結構進行改性以增加該等半導體封裝與該沉積薄膜間的接觸力。
  7. 如請求項6所述之連續式濺射沉積系統，其中該載鎖腔包括：一加熱器，其構成熱處理該表面；及一真空泵，其構成從大氣壓力改變成真空。
  8. 如請求項6所述之連續式濺射沉積系統，其中該電漿處理腔更包括一射頻(RF)功率，以產生電漿；及一高真空泵，以維持高真空。
  9. 如請求項1或2或6所述之連續式濺射沉積系統，更包括：一陰極單元，其設置在該沉積製程腔，且包括複數個圓柱形陰極； 一速度緩衝區，其設置在該沉積製程腔之前面與後面，以自動調整盤模組間的間隔，及使用一滾子以調整該盤模組的傳輸速度；一傳輸模組，其設置在該陰極單元之下，且連續傳輸裝載有該等半導體封裝的該盤模組；一盤模組，其安置裝載有該等半導體封裝的該轉盤，且當由該傳輸模組直線進行時，由一旋轉模組獨立旋轉；且該旋轉模組將一驅動軸的旋轉力傳輸給一鏈部，該鏈部咬合該盤模組的旋轉齒盤，如此旋轉該轉盤。
  10. 如請求項9所述之連續式濺射沉積系統，其中一磁棒是以一預定角度傾斜設置，以使該陰極單元調整該濺射角度。
  11. 一種濺射裝置，包括：一沉積製程腔，其執行一濺射製程；一陰極單元，其設置在該沉積製程腔，且包括複數個圓柱形陰極；一速度緩衝區，其設置在該沉積製程腔之前面與後面，以自動調整盤模組間的間隔，及使用一轉子以調整該盤模組的傳輸速度；一傳輸模組，其設置在該陰極單元之下，且連續傳輸裝載有半導體封裝的該盤模組；一盤模組，其安置裝載有該等半導體封裝的該轉盤，且當由該傳輸模組直線進行時，由一旋轉模組獨立旋轉；且該旋轉模組將一驅動軸的旋轉力傳輸給一鏈部，該鏈部咬合該盤模組的旋轉齒盤，如此旋轉該轉盤。
  12. 如請求項11所述之濺射裝置，其中一磁棒是以一預定角度傾斜設置，以使該陰極單元調整一濺射角度。
  13. 如請求項12所述之濺射裝置，更包括：角度調整構件，其構件調整該陰極單元的該磁棒在一傾斜角度。
  14. 如請求項13所述之濺射裝置，其中該磁棒的傾斜角度介於從0°至90°範圍。
  15. 如請求項11或12所述之濺射裝置，其中該陰極單元設置使得相同材料靶料的磁棒是以一預定角度傾斜且彼此對稱面對。
  16. 如請求項11或12所述之濺射裝置，其中該陰極單元的靶材是一圓柱形，且藉由傾斜該磁棒以調整該靶料的該濺射角度。
  17. 如請求項16所述之濺射裝置，其中該磁棒是以一預定角度固定或持續擺動。
  18. 如請求項11所述之濺射裝置，其中該陰極單元包括一矩形陰極，當該等複數個矩形陰極單元面對該轉盤，其會以一預定角度傾斜，且相同材料的該等矩形陰極單元彼此面對對稱設置。
  19. 如請求項11所述之濺射裝置，其中該速度緩衝區允許當該盤模組安置在該電漿處理腔的沉積製程腔內時，根據時間差，藉由調整盤模組間的間隔以持續執行沉積操作，且當該沉積盤模組卸載到該沉積製 程腔內的該卸載單元的緩衝腔，自動調整該等盤模組間的間隔與傳輸速度。
  20. 如請求項11所述之濺射裝置，其中該盤模組包括：一轉盤，其裝載該等半導體封裝在其頂面，且在執行沉積時旋轉；一盤托架，該盤托架安置其上的該轉盤，且一鎖銷形成在該盤托架的邊緣，以保持該轉盤；一下盤，該下盤在其的兩側具有：導桿，其安置在該傳輸模組的滾子；及一旋轉齒盤，其耦接該下盤的下部，以承接來自該旋轉模組的鏈部之旋轉力，且藉此旋轉該轉盤；及一盤護罩，其設置在該轉盤的上面，且一孔形成在該盤護罩，以裝載或卸載該等半導體封裝。
  21. 如請求項20所述之濺射裝置，其中該盤護罩當作該盤模組的防護罩使用，避免污染且執行保護功能，且該盤護罩的一頂面與一側面經過噴灑塗層，避免疊置薄膜在重複沉積製程過程中容易被移除。
  22. 如請求項11所述之濺射裝置，其中該旋轉模組包括：一驅動齒盤，其連接一驅動馬達的驅動軸且傳輸旋轉力給該鏈部；及該盤模組的旋轉齒盤包含一空轉齒盤且從該要旋轉的鏈部接受一旋轉力，而與該傳輸模組的線性移動速度無關，藉使該鏈部咬合該旋轉齒盤，如此在沉積製程中調整該轉盤的旋轉速度。
  23. 如請求項11所述之濺射裝置，其中該旋轉模組包括：一驅動滑輪，其連接一驅動馬達的該驅動軸且傳輸一同步齒型帶的旋轉力；該盤模組的旋轉齒盤包含一空轉滑輪，且接受來自該要旋轉的同步齒型帶的旋轉力，而與該傳輸模組的線性移動速度無關，藉使該同步齒型帶咬合該旋轉滑輪，如此在沉積製程中調整該轉盤的旋轉速度。
  24. 如請求項11所述之濺射裝置，其中當定位在該盤模組之下的一小齒輪咬合一齒條齒輪，同時該盤模組直線移動時，該旋轉模組傳輸旋轉力給該轉盤，且調整旋轉速度。
  25. 如請求項22或23或24所述之濺射裝置，其中當該轉盤掃描該靶材一次時，該旋轉模組旋轉至少一或多次(rpm1)。
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