TWI530475B

TWI530475B - 陶瓷體及其製備方法及應用該陶瓷體的電子裝置

Info

Publication number: TWI530475B
Application number: TW100130585A
Authority: TW
Inventors: 王仁博; 關辛午; 何柏鋒; 歐武政
Original assignee: 富士康（香港）有限公司
Priority date: 2011-08-19
Filing date: 2011-08-25
Publication date: 2016-04-21
Also published as: TW201309618A; US8663781B2; US20130045359A1; JP2013043825A; JP6104531B2; CN102951903A

Description

陶瓷體及其製備方法及應用該陶瓷體的電子裝置

本發明涉及一種透明的陶瓷體及其製備方法，及應用該陶瓷體的電子裝置。

隨著資訊產業的不斷發展，電子裝置的改進一直以來都係技術開發人員所關注的焦點，而顯示裝置更是重中之重。現有的電子裝置的顯示幕通常為玻璃材質。而3D玻璃顯示幕係區別於平板玻璃而設計出來的一種立體結構玻璃。由於該3D玻璃顯示幕可以增大使用者的視角，拓寬顯示範圍，提高結構美感，一定程度上加強立體視覺效果，因此倍受消費者的青睞。現有的3D玻璃的製備通常採用熱壓成型的方法，然而，該方法存在成型及加工困難、成本昂貴、設計難、產品性能達不到需求等缺點。

有鑒於此，有必要提供一種有效解決上述問題的透明的陶瓷體。

另外，還有必要提供一種上述透明的陶瓷體的製備方法。

此外，還有必要提供一種應用上述透明的陶瓷體的電子裝置。

一種透明的陶瓷體，其組成成份包括氧化釔、氧化釷、氟化鋰和氧化鋱，其中該陶瓷體中氧化釔的摩爾百分含量為85~94.99%，氧化釷的摩爾百分含量為4.99~15%，氟化鋰和氧化鋱的摩爾百分含量均為0.003~0.007%。

一種透明的陶瓷體的製備方法，其包括如下步驟：

取摩爾百分含量為85~94.99%的氧化釔粉體，摩爾百分含量為4.99~15%的氧化釷粉體，摩爾百分含量為0.003~0.007%的氟化鋰及摩爾百分含量為0.003~0.007%的氧化鋱作為原料，並將所述原料混合均勻；

取適量混合均勻的原料粉體進行冷等靜壓成型成一坯體，壓力為240~300MPa，保壓時間為30~80min；

對成型的坯體進行無壓預燒結，燒結溫度為1380~1580℃，燒結時間為30～400min；

對預燒結後的坯體進行熱等靜壓，通入氬氣作保護氣體，處理溫度為1950~2150℃，壓力為240~300MPa，保溫保壓的時間為900~3600min。

一種電子裝置，其包括顯示幕，該顯示幕由透明的陶瓷體製成，該陶瓷體的組成成份包括氧化釔、氧化釷、氟化鋰和氧化鋱，其中該陶瓷體中氧化釔的摩爾百分含量為85~94.99%，氧化釷的摩爾百分含量為4.99~15%，氟化鋰和氧化鋱的摩爾百分含量均為0.003~0.007%。

本發明利用透明陶瓷製得顯示幕，該透明陶瓷體的成型及加工過程簡單，以該方法所製得的顯示幕具有獨特的結構、較高的透光率、耐酸鹼腐蝕、硬度高、使用壽命長，能夠成為3D結構玻璃的替代品。

請參閱圖1，本發明較佳實施例的電子裝置10包括一本體12及裝設於本體12上的顯示幕11。請參閱圖2及圖3，該顯示幕11由透明的陶瓷體13加工製成，該透明的陶瓷體13的主要組成成份為氧化釔(Y₂O₃)和氧化釷(ThO₂)，該透明的陶瓷體13中還含有少量的氟化鋰(LiF)和氧化鋱(Tb₂O₃)，其中氧化釔的摩爾百分含量為85~94.99%，氧化釷的摩爾百分含量為4.99~15%，氟化鋰和氧化鋱的摩爾百分含量均為0.003~0.007%。

該透明的陶瓷體13的晶粒尺寸為5~20μm，其氣孔率低於0.9%，其直線透光率達到85%以上，其抗彎強度為280~350Mpa。

該顯示幕11的表面光潔度達到12級(表面粗糙度R_a=0.05μm)。該顯示幕11在常溫常壓下具有良好的耐酸鹼腐蝕的性能。

本發明較佳實施例的陶瓷體13的製備方法，其包括如下步驟：

(1)原料的混合

取摩爾百分含量為85~94.99%的氧化釔粉體(粒徑為60~100nm，純度大於99.99%)，摩爾百分含量為4.99~15%的氧化釷粉體(粒徑為60~100nm，純度大於99.99%)，摩爾百分含量為0.003~0.007%的氟化鋰及摩爾百分含量為0.003~0.007%的氧化鋱作為原料，並將所述原料混合均勻。

(2)冷等靜壓成型

取適量混合均勻的原料進行冷等靜壓成型製成一坯體，壓力為240~300MPa，保壓時間為30~80min。

(3)無壓預燒結

對成型的坯體進行無壓預燒結，使用無壓燒結爐，燒結溫度為1380~1580℃，燒結時間為30～400min。在該燒結過程中，所述氧化釷可減小氧化釔晶粒的表面能並能有效抑制晶界遷移速率和不連續的晶粒生長，通過溶解—沉積機制促使氧化釔粉體達到最佳的燒結密度，起到抑制劑及燒結粘結劑(提高燒結緻密度)的作用。所述原料中少量的氟化鋰為燒結助劑，氧化鋱可降低燒結顆粒的尺寸。

(4)熱等靜壓

把預燒結後的坯體置入熱等靜壓爐中，通入氬氣作保護氣體，處理溫度為1950~2150℃，壓力為240~300MPa，保溫保壓的時間為900~3600min，得到相對密度大於99.9%的透明的陶瓷體13(相對密度為多孔體的密度與無孔狀態下的同成分材料的密度之比)。

當所述陶瓷體13被用於顯示幕11時，可採用CNC(數控雕刻機)對該陶瓷體13進行機械加工，以得到所需顯示幕11的形狀。

此外，為達到顯示幕的表面光潔度的要求，可對所述透明的陶瓷體13進行研磨和拋光處理。根據顯示幕11的形狀的不同採用相應的研磨設備，如平面研磨機或滾磨機等。拋光處理液使用金剛砂和陶瓷專用拋光液組成的混合物。所述顯示幕11的表面光潔度為12級。

本發明利用透明的陶瓷體13製備顯示幕11，該透明的陶瓷體13的成型及加工過程相對3D結構玻璃的成型加工過程，工藝更簡單穩定，以該方法所製得的顯示幕11具有較高的透光率、耐酸鹼腐蝕、硬度高、使用壽命長，能夠成為3D結構玻璃的替代品。

10．．．電子裝置

12．．．本體

11．．．顯示幕

13．．．陶瓷體

圖1為本發明一較佳實施例的電子裝置的示意圖；

圖2為本發明一較佳實施例的顯示幕的示意圖；

圖3為本發明一較佳實施例的透明陶瓷體的示意圖。

11．．．顯示幕

Claims

一種透明的陶瓷體，其組成成份包括氧化釔，其改良在於：該陶瓷體的組成成份還包括氧化釷、氟化鋰和氧化鋱，其中該陶瓷體中氧化釔的摩爾百分含量為85~94.99%，氧化釷的摩爾百分含量為4.99~15%，氟化鋰和氧化鋱的摩爾百分含量均為0.003~0.007%。
如申請專利範圍第1項所述之陶瓷體，其中該陶瓷體的晶粒尺寸為5~20μm。
如申請專利範圍第1項所述之陶瓷體，其中該陶瓷體的氣孔率低於0.9%。
如申請專利範圍第1項所述之陶瓷體，其中該陶瓷體的直線透光率達到85%以上。
如申請專利範圍第1項所述之陶瓷體，其中該陶瓷體的抗彎強度為280~350Mpa。
如申請專利範圍第1項所述之陶瓷體，其中該陶瓷體的相對密度大於99.9%。
一種電子裝置，其包括本體及裝設於本體上的顯示幕，該顯示幕由透明的陶瓷體製成，其改良在於：該陶瓷體的組成成份包括氧化釔、氧化釷、氟化鋰和氧化鋱，其中該陶瓷體中氧化釔的摩爾百分含量為85~94.99%，氧化釷的摩爾百分含量為4.99~15%，氟化鋰和氧化鋱的摩爾百分含量均為0.003~0.007%。
如申請專利範圍第7項所述之電子裝置，其中該顯示幕的表面光潔度為12級。
如申請專利範圍第7項所述之電子裝置，其中該顯示幕的直線透光率在85%以上。
如申請專利範圍第7項所述之電子裝置，其中該顯示幕由所述陶瓷體經機械加工及研磨、拋光後製成。
一種透明的陶瓷體的製備方法，其包括如下步驟：
取摩爾百分含量為85~94.99%的氧化釔粉體，摩爾百分含量為4.99~15%的氧化釷粉體，摩爾百分含量為0.003~0.007%的氟化鋰及摩爾百分含量為0.003~0.007%的氧化鋱作為原料，並將所述原料混合均勻；
取適量混合均勻的原料進行冷等靜壓成型成一坯體，壓力為240~300MPa，保壓時間為30~80min；
對成型的坯體進行無壓預燒結，燒結溫度為1380~1580℃，燒結時間為30～400min；
對預燒結後的坯體進行熱等靜壓，以氬氣作保護氣體，處理溫度為1950~2150℃，壓力為240~300MPa，保溫保壓的時間為900~3600min。
如申請專利範圍第11項所述之透明的陶瓷體的製備方法，其中該氧化釔粉體和氧化釷粉體的粒徑均為60~100nm，純度均大於99.99%。