TWI524568B

TWI524568B - 發光片

Info

Publication number: TWI524568B
Application number: TW099127389A
Authority: TW
Inventors: 松林由美子; 永繩智史; 小野義友
Original assignee: 琳得科股份有限公司
Priority date: 2009-08-19
Filing date: 2010-08-17
Publication date: 2016-03-01
Also published as: EP2469987A1; TW201208163A; US8796919B2; EP2469987B1; EP2469987A4; JP5021701B2; WO2011021448A1; JP2011044264A; CN102474940A; US20120146490A1; KR20120085728A; CN102474940B; KR101689913B1

Description

發光片

本發明關於一種發光片。更詳細地說，關於一種不發生短路等不良，可實現穩定之驅動的發光片。

已知在電氣、電子領域或光學領域中作為機能元件之藉由施加電壓進行發光之電場發光元件。此電場發光元件係可與一般用於發光層之使用無機系電場發光材料之無機電場發光元件(以下稱為無機EL元件)及使用有機系電場發光材料之有機電場發光元件(以下稱有機EL元件)有莫大之差別。

無機EL元件係雖與有機EL元件相比不易成為高亮度之發光，但有於長期穩定性為優良，並且在高溫等嚴酷的條件下亦穩定發光的優點。其故，應可利用在要求耐候性、耐熱性、長期穩定性等之領域，繼續進行對無機EL元件之研究。

又，使用交流電源之無機EL元件係藉由利用印刷技術可於紙或高分子薄膜上形成裝置，形成作為要求可撓性之電飾元件之市場。以這樣的無機EL元件而言，已知於背面電極形成絕緣層、發光層，於其上設置透明電極，上下覆以吸濕薄膜之電場發光元件，同時發光層係以網印等印刷而成(例如參照專利文獻1)。但是，這樣的手法係製造步驟數多。其故，作為可大量生產的方法，已知藉由輥印刷及積層便宜地製造無機電場發光片的方法(例如參照專利文獻2)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]　特公平7-58636號公報

[專利文獻2]　特開2004-234942號公報

在藉由以往之方法製造而成之無機電場發光片，係因在元件端部上下之電極鄰近之故，有於施加電壓時引起絕緣破壞、時常發生短路之等不良之問題。

如是，本發明之課題係解決上述之問題，提供得到高耐電壓性、抑制短路等之不良之發光片。

亦即，本發明係關於以下之[1]~[4]。

[1]　一種發光片，其係具有第1電極及第2電極，且該等電極間挾有發光層之發光片，其中切斷該發光層週邊部之上下之第1電極及/或第2電極，形成施加電壓於發光片的電路與處於未電連接之狀態的非導電部，並由面對發光片的平面垂直之方向來觀察時，由第1電極形成之非導電部或由第2電極形成之非導電部為以將發光層包圍的方式成為一圈的狀態，或由第1電極形成之非導電部與由第2電極形成之非導電部為外觀相連，以將發光層包圍的方式成為一圈的狀態。

[2]　如上述[1]所記載的發光片，其中第1電極及/或第2電極之切斷係由雷射進行者。

[3]　如上述[1]或[2]所記載的發光片，其中藉由前述電極之切斷而使處於電連接狀態之第1電極之導電部與第2電極之導電部的沿面距離之最小值成為2mm以上。

[4]　一種如上述[1]~[3]中任一項所記載的發光片，其中在第1電極或第2電極與發光層之間具有介電體層。

藉由本發明，可提供於施加電壓時不引起在元件端部之絕緣破壞，亦不發生短路等不良，可實現穩定之驅動的發光片。

本發明係具有第1電極及第2電極，且該等電極間挾有發光層之發光片，其中切斷該發光層之週邊部(下以發光層週邊部言之。)上下之第1電極及/或第2電極，形成施加電壓於發光片的電路與處於未電連接之狀態的非導電部。在此處所謂發光層週邊部，係為不面對發光層的第1電極及第2電極之任一者之側面部位，如第7圖所示，於發光片的剖面圖中，係為第1電極基材1及第2電極基材2所挾有之發光層3的側面部位7。於該發光片的平面形狀係無特別限制，為正方形、長方形、梯形、菱形等四角形、三角形、圓形、橢圓形、星形等任一皆可。以下以將第1電極作為陰極、第2電極作為陽極，第1基材為背面、第2基材為正面之發光片為例做說明，但不為限定於此者。

(電極用之基材)

第1電極(陰極)及第2電極(陽極)係較佳為各自形成於基板上(以下稱第1電極用之基材為第1基材、第2電極用之基材為第2基材，稱將第1電極積層於第1基材者為第1電極基材、將第2電極積層於第2基材者為第2電極基材。)。於該第1基材及第2基材係無特別限制，可使用玻璃板或塑膠薄膜，但以有可撓性、可輕量化之論點，以塑膠薄膜為佳。以該塑膠薄膜而言，較佳為不透水膜或透水率極低之薄膜。又第2基材係以具有透明性為至之重要。

以如此之塑膠薄膜之材料而言，從費用或泛用性的觀點來看，較佳為聚酯、聚醯胺等。以聚酯而言，列舉有聚對酞酸乙二酯、聚對酞酸丁二酯、聚對萘二甲酸乙二酯、聚芳香酯等。又以聚醯胺而言，列舉有全芳香族聚醯胺：尼龍6、尼龍66、尼龍共聚物等。

於所使用基材之厚度係無特別限制，但通常為1~1000μm，較佳為5~500μm，由實用性之觀點來看，更佳為10~200μm。

另外，第1基材係不須特別為透明。

第2基材係亦可為無色透明亦可為有色透明，但以不使由後述之發光層發出之光散射或衰減之觀點來看，以無色透明為佳。

又，第1基材及第2基材係可於其表面或裡面應需要而設置防止透濕層(氣體障壁層)。以前述防止透濕層(氣體障壁層)之材料而言，宜使用氮化矽、氧化矽等之無機物。該防止透濕層(氣體障壁層)係可藉由例如高頻率濺散法等而形成。

[第1電極；陰極]

以本發明之發光片中之第1電極(陰極)之材料而言，係若具有作為陰極之機能則可，無特別限制，根據發光片之用途，可從習知之陰極中適當選擇。

以第1電極之材料而言，例如列舉金屬、合金、金屬氧化物、有機導電性化合物及此等之混合物等。

作為第1電極之材料之具體例，列舉有金、銀、鉛、鋁、銦、鐿及此等金屬與鹼金屬或鹼土金屬之合金或混合物；聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等之有機導電性聚合物。此等係亦可將1種單獨使用，亦可將2種以上組合使用，在此等中亦以功函數為4.5eV以下者為佳。

在此等之中，以安定性優越之論點，較佳為以鋁為主體之材料。所謂以鋁為主體之材料係以鋁單獨、或鋁與0.01~10質量%程度之鹼金屬或鹼土金屬之合金或混合物(例如鋰-鋁合金、鎂-鋁合金等)而言。

於第1電極之形成方法係無特別限制，可依照習知之方法進行。例如，可從印刷方式、塗布方式等濕式方式，真空蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法等物理方式，CVD法(化學氣相沉積法)、電漿CVD法等化學方式，或將金屬箔進行積層之方法之中，考慮與前述材料之適合性而適當選擇之方法，依照該方法而於第1基材上形成。

例如，作為第1電極之材料，於選擇鋁等之金屬的情況，係可藉由將其之1種或2種以上對基材同時或順序濺鍍之方法、將金屬箔積層等之方法而形成。

以第1電極之厚度而言，可視前述材料而適當選擇，不可一概規定之，但通常為10nm~50μm，較佳為20nm~20μm，更佳為50nm~15μm。另外，此第1電極係亦可為透明亦可為不透明。第1電極的表面電阻率係以10³Ω/□以下為佳，10²Ω/□以下為更佳。該表面電阻率係藉由記載於實施例之方法求得之值。

[第2電極；陽極]

以本發明之發光片中之第2電極(陽極)之材料而言，係若具有作為陽極之機能且為透明電極即可，無特別限制，根據發光片之用途，可從習知之陽極中適當選擇。

以第2電極之材料而言，例如宜列舉金屬、合金、金屬氧化物、有機導電性化合物或此等之混合物。在此等中亦以功函數為4.0eV以上者為佳。

作為第2電極之材料之具體例，列舉有氧化錫、摻銻氧化錫(ATO)、摻氟氧化錫(FTO)、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅銦(IZO)、等之金屬氧化物；金、銀、鉻、鎳等之金屬；前述金屬氧化物與前述金屬之混合物或積層物；聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等之有機導電性聚合物。在此等中亦以功函數為4.0eV以上者為佳，由透明性高之觀點來看，尤以ITO為佳。

第2電極係可依照習知之方法而形成，例如，可從印刷方式、塗布方式等濕式方式，真空蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法等物理方式，CVD、電漿CVD法等化學方式等之中，考慮與前述材料之適合性而適當選擇之方法，依照該方法而於第2基材上形成。

例如，於選擇ITO作為第2電極之材料的情況，第2電極之形成係可依照直流或高頻濺鍍法、真空蒸鍍法、離子電鍍法等而進行。又，於選擇有機導電性化合物作為第2電極之材料的情況，第2電極之形成係可依照濕式製膜法而進行。

以第2電極的厚度而言，可視前述材料而適當選擇，不可一概規定之，但通常為10~1000nm，較佳為20~500nm，更佳為50~200nm。

第2電極的表面電阻率係以10³Ω/□以下為佳，10²Ω/□以下為更佳。該表面電阻率係藉由記載於實施例之方法求得之值。

第2電極係亦可為無色透明亦可為有色透明，但以無色透明為佳。又，為了由該第2電極側取出發光，第2基材與第2電極的積層體透光度以60%以上為較佳，70%以上為更佳。該透光度係藉由記載於實施例之方法求得之值。

[發光層]

與本發明的發光片中，發光層係可藉由將發光性組成物塗在前述第1電極或第2電極上，或後述之介電體層上而形成。又，亦可將發光性組成物塗在剝離薄膜上後，轉印至第1電極或第2電極上，或介電體層上而形成發光層。

發光性組成物係可使用含有電場發光體及基質樹脂者。以下對關於電場發光體及基質樹脂依序說明。

(電場發光體)

以電場發光體而言，可使用無機系電場發光材料及有機系電場發光材料之任一者。由本發明之發光片之用途的觀點來看，以使用長期穩定性優良之無機系電場發光材料為佳。

-無機系電場發光材料-

以無機系電場發光材料而言，例如可列舉將硫化鋅(ZnS)作為母材，將銅、錳、氟化鋱、氟化釤、氟化銩作為發光中心材料個別添加之ZnS:Cu、ZnS:Mn、ZnS:TbF₃、ZnS:SmF₃、ZnS:TmF₃；將硫化鈣(CaS)作為母材，將銪作為發光中心材料添加之CaS:Eu；將硫化鍶(SrS)作為母材，將鈰作為發光中心材料添加之SrS:Ce；或將CaCa₂S₄、SrCa₂S₄之類的鹼土鈣硫化物等作為母材，將錳等過渡金屬或銪、鈰、鋱等稀土元素作為發光中心材料添加者等。

在此等之中，ZnS:Cu係發綠色光，ZnS:Mn係發黃橙色光，ZnS:TbF₃係發綠色光，ZnS:SmF₃、CaS:Eu係發紅色光、ZnS:TmF₃、SrS:Ce係發藍色光。

進一步係亦可列舉摻有Sc以外之稀土元素，例如Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等之Sc₂O₃所構成之氧化物發光材料。以摻入之稀土元素而言，以Ce、Sm、Eu、Tb、Tm為佳。視摻入之稀土元素之種類發黃色、較黃色長波長側之紅色、較黃色短波長側之綠色或藍色光。

於本發明中，此等之無機系電場發光材料係亦可將1種單獨使用，亦可應需要將2種以上組合使用。

-有機系電場發光材料-

以有機系電場發光材料而言，係可使用低分子型及高分子型之任一者，又亦可使用螢光發光材料及磷光發光材料之任一者。

以低分子型有機系電場發光材料而言，例如列舉有以苯并唑衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯苯(styrlylbenzene)衍生物、聚苯(polyphenyl)衍生物、二苯丁二烯衍生物、四苯丁二烯衍生物、萘基醯亞胺衍生物、香豆素衍生物、苝衍生物、紫環酮(perinone)衍生物、二唑(oxadiazole)衍生物、醛肼衍生物、吡唎啶(pyralidine)衍生物、環戊二烯衍生物、雙苯乙烯蒽衍生物、喹吖酮衍生物、吡咯并吡啶(pyrrolopyridine)衍生物、噻二吖唑并吡啶(thiadiazolopyridine)衍生物、苯乙烯基胺衍生物、芳香族二亞甲基(aromatic dimethylidene)化合物、芳香族二胺衍生物、8-喹啉酚衍生物的金屬錯合物或稀土錯合物代表之各種金屬錯合物等、定向鄰位金屬化錯合物[例如於山本明夫著「有機金屬化學-基礎與應用-」p.150~232，裳華房出版社(1982年發行)，或H.Yersin著「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」，p.71~77及p.135~146，Springer-Verlag出版社(1987年發行)所記載之化合物群的總稱]、卟啉金屬錯合物等。

又，以高分子型有機電場發光材料而言，可列舉為螢光發光材料之聚噻吩衍生物、聚苯衍生物、聚對苯乙烯(polyphenylenevinylene)衍生物、聚芴衍生物等。

於於本發明中，作為有機系電場發光材料係亦可將1種單獨使用，亦可選擇2種以上組合使用。

另外，發光層為由有機系電場發光材料所構成之情形，較佳為於該發光層之陽極側形成正電洞注入．輸送層，陰極側形成電子注入．輸送層。

又，發光層中該電場發光體之含量係以無機系、有機系而不同，無機系的情況，由發光性及經濟性的平衡等之觀點來看，相對於後述之基質樹脂100質量份而言，通常較佳為20~900質量份，更佳為30~700質量份，再更佳為40~500質量份。

(基質樹脂)

以含有發光性組成物之基質樹脂而言，列舉有聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等之聚酯、聚酯系熱塑性合成橡膠；聚胺甲酸酯、聚胺甲酸酯系熱塑性合成橡膠；聚苯乙烯、聚苯乙烯系熱塑性合成橡膠；聚氯乙烯；聚丙烯等之聚烯烴、聚烯烴系熱塑性合成橡膠；矽系樹脂；丙烯酸系樹脂；丙烯醯基胺基甲酸酯樹脂等。在此等中亦以在常溫下具有黏著性者為佳。若使用在常溫下具有黏著性之樹脂，則發光層與電極或介電體層等僅以押壓即可進行接合。以具有黏著性之樹脂而言較佳為丙烯酸系樹脂。

以丙烯酸系樹脂而言，可列舉烷基之碳數為1~20之(甲基)丙烯酸酯與視所欲而使用之具有羧基等官能基之單體及其他之單體之共聚物，亦即(甲基)丙烯酸酯共聚物為較佳。

於此處以烷基之碳數為1~20之(甲基)丙烯酸酯之例而言，列舉有(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十二酯、(甲基)丙烯酸十四酯、(甲基)丙烯酸十六酯、(甲基)丙烯酸十八酯等。此等係亦可將1種單獨使用，亦可將2種以上組合使用。

又，(甲基)丙烯酸酯共聚物之重量平均分子量係以30萬以上為佳，40萬~100萬為更佳。

於發光性組成物，視所欲亦可含有交聯劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、紅外線吸收劑、顏料、螢光體。

於前述發光性組成物之塗布方法係無特別限制，可採用以往習知之方法，例如刮刀塗布法、滾軸塗布法、桿式塗布法、刀片塗布法、模塗布(die coat)法、凹版塗布(gravure coat)法等。

如此所得之發光層的厚度，由發光片的亮度、與他層之接合性的觀點看來，通常係0.1~100μm，較佳為5~90μm，更佳為20~80μm。

[介電體層]

與本發明之發光片中，係可於第1電極與發光層之間及/或發光層與第2電極之間設置介電體層。

以形成此介電體層之材料而言，較佳為具有高介電率之材料，例如可列舉SiO₂、BaTiO₃、SiON、Al₂O₃、TiO₂、Si₃N₄、SiAlON、Y₂O₃、Sm₂O₃、Ta₂O₅、BaTa₂O₃、PbNb₂O₃、Sr(Zr,Ti)O₃、SrTiO₃、PbTiO₃、HfO₃、含Sb之SnO₂(ATO)等之無機材料、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、環氧樹脂、氰乙醯基賽璐蘇等之有機材料。此等係亦可將1種單獨使用，亦可將2種以上組合使用。

於介電體層為在發光層與第2電極之間之情況，係因介電體層須為透明之故，在上述之中亦以SiO₂、Al₂O₃、Si₃N₄、Y₂O₃、Ta₂O₅、BaTa₂O₃、SrTiO₃、PbTiO₃等之無機材料為佳。於介電體層為在第1電極與發光層之間之情況，係無特別須要為透明。

該介電體層係可於，例如適當之黏合劑中，將使前述介電體之形成材料均質分散者使用以往習知之塗布法，例如噴霧(spray)法、刮刀塗布法、滾軸塗布法、桿式塗布法、刀片塗布法、模塗布法、凹版塗布法等進行塗布之方法，或使用壓出機而形成。以黏合劑而言係可使用與前述基質樹脂相同者。另外，於形成介電體之材料為有機材料之情形，不用黏合劑直接進行塗布亦為可能。

該介電體層係於以交流電驅動本發明之發光片之情形，於發光層之導電率過高而難以施加充分之電壓於發光層時，或因電流過大有引起絕緣破壞之虞等時，發揮將該等抑制之效果。該介電體層之厚度，由將上述效果良好地發揮之觀點看來，通常係較佳為0.1~50μm，更佳為10~50μm。

[發光片]

本發明之發光片係如前所述，切斷發光層週邊部上下的第1電極及/或第2電極，形成有施加電壓於發光片之電路與處於未電連接之狀態(以下僅以「處於未電連接之狀態」言之)的非導電部者。此處所謂「發光層週邊部上下的第1電極及/或第2電極」，係如第5圖所示，為位於發光片之剖面形狀中發光層的側面部位的上下的第1電極邊部及/或第2電極邊部附近，也就是相當於雷射切斷部4或4’附近的地方(關於切斷位置，後述之)。

本發明之發光片係從與發光片的平面垂直之方向來觀察時，由第1電極形成之非導電部或由第2電極形成之非導電部為以將發光層包圍的方式成為一圈的狀態，或由第1電極形成之非導電部與由第2電極形成之非導電部為外觀相連，以將發光層包圍的方式成為一圈的狀態。

僅於第1電極或僅於第2電極形成非導電部亦可，但較佳為例如具有4個邊之發光片，且因如第2圖所示因將第1電極與第2電極連接電源之故，第1電極及第2電極突出之發光片的情形，一邊的電極(例如第2電極)的3個邊以「」字切斷，切斷對應於切斷剩餘之部位之另一邊的電極(例如第1電極)而形成非導電部之方法(參照第3及第4圖)。藉由以如後者之方式切斷電極，得到具有基材之第1電極及第2電極容易連接至電源且具有非導電部之發光片。

(電極的切斷條件)

以電極之切斷方法而言係無特別限制，但以使用雷射加工機為簡便為佳。以雷射加工機而言係無特別限制，但例如列舉有YAG雷射、CO₂雷射、準分子雷射、飛秒雷射等。

雷射輸出功率或掃描速率係若以形成非導電部的方式適當調節即可，但作為目標，例如由電極基材的基材側進行切斷的情況，電極基材厚度若為50~100μm，通常較佳為以雷射輸出功率30~80W及掃描速率350~700mm/s的條件切斷，更佳為以雷射輸出功率30~80W及掃描速率380~650mm/s的條件切斷。

電極的切斷位置係若在較發光層端部為內側即可，但為防止發光面積過小，較佳為從電極之末端為2~10mm的位置，更佳為3~8mm的位置，再更佳為4~6mm的位置。又，亦可切斷發光層的一部分。另外，預先從電極基材的電極側切斷電極，再將發光層與電極接合亦可。

切斷時的線寬(切斷部的寬度)，由防止短路的觀點看來，通常係以10μm以上為佳。超過必要地增廣線寬亦不改變防止短路性能，但因發光面積為小，線寬係以10~200μm為佳，20~180μm為更佳。

又，藉由前述電極之切斷，較佳為電連接狀態的第1電極之導電部邊部與第2電極之導電部邊部之間的沿面距離之最小值成為2mm以上，更佳為成為2.5mm以上。沿面距離的上限係無特別限定，但通常為10mm程度。此處所謂沿面距離係將第1電極之導電部邊部的任意之點與第2電極之導電部邊部的任意之點之間的距離沿發光層表面(發光片有介電體層的情形係亦含介電體層)測定時的最短距離。例如以第5圖的發光層中所記載之2個箭頭的合計距離表示。另外，該沿面距離係為不考慮關於電極切斷時一起切斷之發光層的深度之值。

[發光片之製造方法]

又，本發明之發光片之製造的實施型態係無特別限制，若為可得前述構成之發光片的方法，什麼樣的方法亦可。

作為本發明之發光片的製造方法的一例，可舉出在下述步驟(1)或(2)製作第1積層體及第2積層體、並將第1積層體之發光層側與第2積層體之第2電極側、或第1積層體之第1電極側與第2積層體之發光層側各自接合之方法。

(1)　以於第1基材上依序形成第1電極及發光層而製作第1積層體，並以另於第2基材上形成第2電極而製作成第2積層體之步驟。

(2)　以於第1基材上形成第1電極而製作第1積層體，並另以於第2基材上依序形成第2電極及發光層而製作成第2積層體之步驟。

於上述步驟(1)及(2)中，電極之切斷時機係為任意，無特別限制。例如可列舉，在形成發光層前預先將電極切斷而形成非導電部之方法，或將發光層挾在第1電極及第2電極後，切斷第1電極及/或第2電極而形成非導電部之方法，與進一步將該等組合之方法等。

在此處為了方便起見，將第1積層體及第2積層體之構成各自以如下所述之符號表示。亦即，將第1基材以「1」、第2基材以「2」表示，將第1電極以「E¹」、第2電極以「E²」表示，將發光層以「L」表示。又，後述之介電體層係以「D」或「D’」表示。

從而，於經過上述步驟(1)之方法中，得到作為第1積層體之1─E¹─L之構成者，並得到作為第2積層體之2─E²之構成者。藉由將此第1積層體與第2積層體，使L與E²相對進行接合，得到1─E¹─L─E²─2之構成之發光片。

又，於經過上述步驟(2)之方法中，得到作為第1積層體之1─之構成者，並得到作為第2積層體之2─E²─L之構成者。藉由將此第1積層體與第2積層體，使E¹與L相對以熱疊合進行接合，得到1─E¹─L─E²─2之構成之發光片。

又，藉由下述步驟(3)~(12)之任一者製作第1積層體及第2積層體，並藉由將第1積層體之介電體層側、發光層側或第1電極側與第2積層體之第2電極側、發光層側或介電體層側各自以熱疊合進行接合，可得於第1電極或第2電極與發光層之間具有介電體層之發光片，但不為特別限制於此者。

(3)以於第1基材上依序形成第1電極、介電體層及發光層而製作第1積層體，另以於第2基材上形成第2電極而製作第2積層體之步驟。

(4)以於第1基材上依序形成第1電極及介電體層而製作第1積層體，另以於第2基材上依序形成第2電極及發光層而製作第2積層體之步驟。

(5)以於第1基材上形成第1電極而製作第1積層體，另以於第2基材上依序形成第2電極、發光層及介電體層而製作第2積層體之步驟。

(6)以於第1基材上依序形成第1電極、發光層及介電體層而製作第1積層體，另以於第2基材上形成第2電極而製作第2積層體之步驟。

(7)以於第1基材上依序形成第1電極及發光層而製作第1積層體，另以於第2基材上依序形成第2電極及介電體層而製作第2積層體之步驟。

(8)以於第1基材上依序形成第1電極而製作第1積層體，另以於第2基材上依序形成第2電極、介電體層及發光層而製作第2積層體之步驟。

(9)以於第1基材上依序形成第1電極、介電體層、發光層及介電體層而製作第1積層體，另以於第2基材上形成第2電極而製作第2積層體之步驟。

(10)以於第1基材上依序形成第1電極、介電體層及發光層而製作第1積層體，另以於第2基材上依序形成第2電極及介電體層而製作第2積層體之步驟。

(11)以於第1基材上依序形成第1電極及介電體層而製作第1積層體，另以於第2基材上依序形成第2電極、介電體層及發光層而製作第2積層體之步驟。

(12)以於第1基材上形成第1電極而製作第1積層體，另以於第2基材上依序形成第2電極、介電體層、發光層及介電體層而製作第2積層體之步驟。

另外，於上述步驟(3)~(12)中，電極之切斷時機係為任意，無特別限制。又，在上述步驟(9)~(12)中之第1電極側與第2電極側之介電體層係同一或不同者皆可。

將於經過上述步驟(1)~(12)之方法中之第1積層體之構成、第2積層體之構成及所得發光片之構成表示於表1。

又，由使本發明之發光片的生產性提升的觀點看來，亦可藉由捲對捲(roll to roll)方式製造發光片。藉由捲對捲方式製造本發明之發光片係將繞成捲狀之長電極基材抽出，進行非導電部之形成、發光層之形成、與電極基材之接合、應需要進行介電體層之形成等，再繞成捲狀之方法。非導電部的形成時機係不限定，可在任意的階段進行形成。

在採用該捲對捲方式的情況亦於發光層的移動方向(縱向)之兩邊皆切斷第1電極及/或第2電極，對於寬方向(橫向)亦切斷第1電極及/或第2電極。

於以下簡單說明藉由捲對捲方式製造本發明之發光片的具體方法，但不為特別限定於此等者。

(捲對捲方式I)

(i)將繞成捲狀之長的第1電極基材(或第2電極基材)抽出，藉由於移動方向的兩邊切斷第1電極(或第2電極)而形成非導電部。切斷位置係從第1電極(或第2電極)的末端為2~10mm為佳，3~8mm為較佳，4~6mm為更佳。另外，此情況下將電極以留下基材的一部份之方式切斷，但由容易進行以下的(ii)或(iii)之作業之觀點看來為佳。

(ii)於第1電極基材的第1電極面(或第2電極基材的第2電極面)形成發光層。

(iii)於發光層上形成第2電極(或第1電極)。

(iv)在長發光片的任意位置，於寬方向切斷第1電極及/或第2電極形成非導電部。此時，設想在作為目標之發光片的大小中電極的末端，從電極的末端為2~10mm的位置切斷為佳，3~8mm為較佳，4~6mm為更佳。

(v)繞成捲狀。

(捲對捲方式II)

(i)將繞成捲狀之長的第1電極基材(或第2電極基材)抽出，於第1電極基材的第1電極面(或第2電極基材的第2電極面)形成發光層。

(ii)於發光層上形成第2電極(或第1電極)。

(iii)在長發光片的任意位置，於寬方向切斷第1電極(或第2電極)而形成非導電部。此時，設想在作為目標之發光片的大小中電極的末端，從電極的末端為2~10mm的位置切斷為佳，3~8mm為較佳，4~6mm為更佳。

(iv)於第1電極及/或第2電極之移動方向的兩邊將電極切斷而形成非導電部。切斷位置係從電極的末端為2~10mm為佳，3~8mm為較佳，4~6mm為更佳。

(v)繞成捲狀。

於捲對捲方式(I)及(II)中，上述各階段係亦可連續進行，亦可採用在各階段暫且繞成捲狀，再度抽出之方法。又各電極與發光層之間係亦可應需要形成介電體層。

如以上而行所得之發光片係因施加高電壓時抑制了絕緣破壞，且不發生短路等不良之故，與以往之發光片相比，長期穩定性為優越。

實施例

接著，根據圖式更加詳細地藉由實施例說明本發明，但本發明係不為此等之例而有任何限定者。

另外，在各例所使用之發光層中之熱塑性樹脂的重量平均分子量係以膠透層析術之單分散聚苯乙烯作為基準，以聚合物之聚苯乙烯換算所得出之值。又，第1電極與第2電極的表面電阻率、第2電極基材的透光率之測定係如接下來的方式進行。

[第1電極與第2電極的表面電阻率之測定方法]

將第1電極基材與第2電極基材在23℃及相對濕度50%的環境下放置24小時後，在相同環境下使用表面電阻率測定裝置(Advantest股份有限公司製，商品名「R-127004」)測定表面電阻率。

[第2電極的透光率之測定方法]

使用紫外可見紅外分光光度計(島津製作所股份有限公司製，商品名「UV-3101PC」)，測定由電極側之波長550nm之光之透光率。

另外，在各例中使用之第1基材、第1電極、第2基材、第2電極、疊合機及雷射加工機係為如下所述。

第1基材：聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度50μm)

第1電極：鋁箔(厚度12μm)

以下將積層第1電極於上述第1基材之積層體稱為「第1電極基材」。在各例係使用商品名「(alpet)(日本註冊商標)12×50」(Asia-alumi股份有限公司製)作為該第1電極基材。該第1電極基材之表面電阻率為0.5Ω/□。

第2基材：聚對苯二甲酸乙二酯(厚度75μm)

第2電極：氧化銦錫(ITO、厚度100nm)

以下將積層第2電極於上述第2基材之積層體稱為「第2電極基材」。在各例係使用商品名「metaforce R-IT(E12)」(中井工業股份有限公司製)作為該第2電極基材。該第2電極基材之表面電阻率為10²Ω/□。第2電極基材之波長550nm的透光率為89%。

疊合機：商品名「Excelam 355Q」(GMP公司製)

雷射加工機：商品名「CO₂ LASER MARKER LP-ADP40」(Sunx股份有限公司製)

又，在各例使用之發光層係如以下而製造。

(發光層)

將作為基質樹脂之丙烯酸n-丁酯與丙烯酸所構成之丙烯酸酯共聚物(丙烯酸n-丁酯/丙烯酸=90/10(質量比)，重量平均分子量80萬)100質量份、作為發光體之ZnS．Cu系螢光體(Osram sylvania公司製，商品名「GG25 BluGreen」)300質量份、聚異氰酸酯系交聯劑(東洋油墨製造股份有限公司製，商品名「oribain(日本註冊商標)BHS8515」，固體成分37.5質量%)2質量份及作為溶劑之甲苯500質量份之混合物充分攪拌，調製成發光層形成用之塗布液。

將所得之塗布液，以使用刮刀塗布並乾燥後之厚度成為55μm之方式塗布於第1剝離薄膜(Lintec股份有限公司製，商品名「SP-PET3811」，於各例稱為第1剝離膜。)之剝離處理面，在100℃加熱乾燥2分鐘形成發光層，並於發光層表面貼合第2剝離薄膜(Lintec股份有限公司製，商品名「SP-PET3801」，於各例稱為第2剝離膜。)，得到兩面設有剝離薄膜之發光層(於各例稱為含發光層片。)。

(介電體層)

將丙烯酸n-丁酯與丙烯酸所構成之丙烯酸酯共聚物(丙烯酸n-丁酯/丙烯酸=90/10(質量比)，重量平均分子量80萬)100質量份、氧化鈦(大日精化股份有限公司製，商品名「SZ color#7030 white」)100質量份及做為溶劑之甲苯300質量份所構成之混合物充分攪拌，以乾燥後之厚度成為10μm之方式塗布於剝離薄膜(Lintec股份有限公司製，商品名「SP-PET3811」)，在100℃加熱乾燥2分鐘，於剝離薄膜上形成介電體層(以下稱為含介電體層片。)。

又，在各例所得之發光片之耐壓測試及短路發生測試係如以下而進行。

[耐電壓測試]

對在各例所得之發光片使用耐電壓測定器(計測技研股份有限公司製，商品名「AC耐電壓測試器7220」)，藉由以10mA電流使施加電壓在1分鐘的時間從0V上升至1000V，測定引起絕緣破壞之電壓。引起絕緣破壞之電壓愈大，耐電壓性愈優越。

[短路發生測試]

以目視確認將在各例所得之發光片以AC200V及2000Hz驅動時之發光片端部之短路發生之有無。另外，短路發生時係確認有黑色斑點。

[實施例1]

於為B4大小(寬364mm×長257mm)之第1電極基材1之第1電極面，使用疊合機一邊剝離長257mm、寬339mm之含發光層片之第2剝離膜，一邊積層發光層3。接著，使用疊合機一邊將已積層之發光層3之第1剝離膜剝離，一邊以發光層3與為B4大小之第2電極基材2之第2電極面接觸的方式積層第2電極基材2，作為表示於第1圖與第2圖之發光片1。另外，從第1電極基材1的左端到發光層3的左端之最短距離(第1電極露出部分的寬度)、及第2電極基材2的右端到發光層3的右端之最短距離(第2電極露出部分的寬度)係各自為25mm。

接著，如第3圖所示，沿著發光片1之第2電極基材2之邊，於從邊為5mm之位置(第3圖之雷射切斷部4)使用雷射加工機，以雷射輸出功率45W及掃描速率500mm/s之條件將第2電極基材以「」字切斷。另外，雷射切斷部4之線寬為85μm，切斷深度為76μm，切斷第2電極而形成了非導電部6(參照第5圖及第6圖)。

更進一步如第4圖所示，沿著第1電極基材1之邊，於從邊為5mm之位置(第4圖之雷射切斷部4’)使用雷射加工機，以雷射輸出功率75W及掃描速率300mm/s之條件將第1電極基材切斷。另外，雷射切斷部4’之線寬為85μm，切斷深度為94μm，切斷第1電極而形成了非導電部5(參照第5圖)。如此行之，得到具有非導電部5及6之發。光片(以下稱為發光片A。)。

將所得之發光片A之電極間沿面距離之最小值(以下稱為電極間沿面距離)、耐電壓測試結果及短路發生測試結果表示於表2。

實施例2

除了於實施例1中第1電極基材及第2電極基材之切斷位置為從各電極基材之邊為2mm而將電極間沿面距離如表2所記載的縮短以外係與實施例1相同地得到發光片(以下稱為發光片B。)。

將所得之發光片B之電極間沿面距離、耐電壓測試結果及短路發生測試結果表示於表2。

實施例3

除了於實施例1中第1電極與發光層3之間形成厚度10μm之介電體層以外係與實施例1相同地得到發光片C。亦即，於第1電極基材1之第1電極面積層含介電體層片，並剝除剝離薄膜積層厚度10μm之介電體層，於介電體層上與實施例1同樣地積層發光層3及第2電極基材2，得到發光片(以下稱為發光片C。)。

將所得之發光片C之電極間沿面距離、耐電壓測試結果及短路發生測試結果表示於表2。

實施例4

除了於實施例1中變更第1電極基材1之切斷之雷射輸出功率為38W及掃描速率為500mm/s以外係與實施例1相同地得到發光片(以下稱為發光片D。)。第1電極基材1之雷射切斷部4’之寬度為83μm，切斷深度為71μm，形成了切斷第1電極之非導電部5。

將所得之發光片D之電極間沿面距離、耐電壓測試結果及短路發生測試結果表示於表2。

比較例1

除了於實施例1中於第1電極及第2電極全未設置非導電部以外係與實施例1相同地得到發光片(以下稱為發光片E。)。

將所得之發光片E之電極間沿面距離、耐電壓測試結果及短路發生測試結果表示於表2。

比較例2

除了於實施例1中僅於第2電極設置非導電部，於第1電極未設置非導電部以外係與實施例1相同地得到發光片(以下稱為發光片F。)。

將所得之發光片F之電極間沿面距離、耐電壓測試結果及短路發生測試結果表示於表2。

藉由表2，切斷發光層週邊部上下之第1電極及/或第2電極，照著在本發明所規定的形成處於未電連接之狀態的非導電部之發光片係耐電壓性高、且無驅動時之短路發生(參照實施例1~4)。

另一方面，在全未切斷發光層週邊部上下之第1電極及/或第2電極之發光片(參照比較例1)，或未部分切斷，從與發光片平面的垂直方向來觀察時，外觀上，由第1電極形成之非導電部與由第2電極形成之非導電部未以將發光層包圍的方式成為一圈的狀態之發光片(參照比較例2)係耐電壓性低，進一步驅動時有短路發生。

產業上之可利用性

本發明之發光片係有用於例如設置於商業大樓的窗戶或汽車等之廣告媒體、裝飾用媒體、或防盜用板等之背光用等之要求耐候性、耐熱性及長期穩定性等之領域。

1．．．第1電極基材

2．．．第2電極基材

3．．．發光層

4,4’．．．雷射切斷部

5．．．第1電極非導電部

6．．．第2電極非導電部

7．．．發光層的側面部位(發光層週邊部)

第1圖表示將第1基材上之第1電極與第2基材上之第2電極之間挾著的發光片1從第2電極面側來觀察之狀態之圖。

第2圖發光片1的橫剖面圖。

第3圖表示發光片1的第2電極為雷射加工機以字切斷之發光片(發光片2)之圖。

第4圖表示發光片1的第1電極為以雷射加工機於縱方向直線切斷之發光片(發光片2)之圖。

第5圖發光片2的橫剖面圖。

第6圖發光片2的縱剖面圖。

第7圖說明發光層的「週邊部」的位置的圖。

Claims

一種發光片，其係具有第1電極及第2電極，且該等電極間挾有發光層之發光片，其中切斷該發光層之週邊部上下之第1電極及/或第2電極，形成施加電壓於發光片的電路與處於未電連接之狀態的非導電部及導電部，並從與發光片的平面垂直之方向來觀察時，由第1電極形成之非導電部或由第2電極形成之非導電部為以將發光層包圍的方式成為一圈的狀態，或由第1電極形成之非導電部與由第2電極形成之非導電部為外觀相連，以將發光層包圍的方式成為一圈的狀態，藉由前述電極之切斷而使處於電連接狀態之第1電極之導電部與第2電極之導電部的沿面距離成為2mm以上。
如申請專利範圍第1項的發光片，其中第1電極及/或第2電極之切斷係由雷射進行者。
如申請專利範圍第1或2項的發光片，其中藉由前述電極之切斷而使處於電連接狀態之第1電極之導電部與第2電極之導電部的沿面距離成為2.5mm以上。
如申請專利範圍第1或2項的發光片，其中在第1電極或第2電極與發光層之間具有介電體層。
如申請專利範圍第3項的發光片，其中在第1電極或第2電極與發光層之間具有介電體層。
如申請專利範圍第1或2項的發光片，其中前述第1電極及/或第2電極的切斷位置係離電極之末端2~10mm。
如申請專利範圍第3項的發光片，其中前述第1電極及/或第2電極的切斷位置係離電極之末端2~10mm。
如申請專利範圍第4項的發光片，其中前述第1電極及/或第2電極的切斷位置係離電極之末端2~10mm。
如申請專利範圍第5項的發光片，其中前述第1電極及/或第2電極的切斷位置係離電極之末端2~10mm。