TWI523840B - Light-emitting element materials and light-emitting elements - Google Patents

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Description

發光元件材料及發光元件
本發明係關於一種可將電氣能量轉換為光，且可用於顯示元件、平板顯示器、背光源、照明、室內裝飾、標識、看板、電子照相機及光信號產生器等領域之發光元件。
當自陰極注入之電子與自陽極注入之電洞於夾持於兩極間之有機發光體內再結合時會發光之有機薄膜發光元件之研究近年來活躍進行。該發光元件之特徵在於，薄型且低驅動電壓下之高亮度發光、以及藉由選擇發光材料而獲得之多色發光，而備受關注。該研究自Kodak公司之C. W. Tang等人表示有機薄膜元件可高亮度地發光以來，眾多研究機構展開了研究。
又，有機薄膜發光元件藉由在發光層中使用各種發光材料，可獲得多樣之發光色，故對顯示器等之實用化研究盛行。於三原色之發光材料中，綠色發光材料之研究最為領先，目前，對於紅色發光材料與藍色發光材料，以特性提高為目的而進行仔細研究。
作為發光材料，習知通常使用螢光性(單重態發光)材料，根據電子與電洞再結合而激發分子時之自旋多重性之差異，單重態激子以25%之比例、三重態激子以75%之比例生成，故為提高發光效率，以前嘗試使用磷光性(三重態發光)材料。
因此，作為使用三重態發光材料作為摻雜劑材料時具有優異之性能之主體材料，提出有含有咔唑骨架之化合物(例如參照專利文獻1～2)。又，具有三骨架作為輔助電荷之注入‧輸送之取代基的化合物可用作主體材料(例如參照專利文獻3～4)。又，對發光材料以外之材料亦進行了研究，例如可使用電洞輸送能力較高，且電子阻止能力優異之具有咔唑骨架之化合物作為電洞輸送材料(例如參照專利文獻5)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2003-133075號公報
專利文獻2：日本專利特開2008-135498號公報
專利文獻3：國際公開WO2008/56746號說明書
專利文獻4：國際公開WO2010/15306號說明書
專利文獻5：國際公開WO2011/24451號說明書
然而，有機薄膜發光元件必需滿足發光效率之提高、驅動電壓之降低、耐久性之提高，尤其是關於磷光性材料，難以充分滿足該等所有性能。
本發明之目的在於解決該習知技術之問題，提供一種高發光效率與耐久性並存之有機薄膜發光元件。
本發明係一種發光元件材料，其特徵在於含有下述通式(1)所表示之具有咔唑骨架之化合物。
[化1]
(R31～R38分別選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧羰基、胺甲醯基、胺基、矽烷基、-P(=O)R39R40及下述通式(2)所表示之基所組成之群組。R39及R40為芳基或雜芳基。R31～R38中，鄰接之取代基彼此可形成環。其中，R31～R38中之任一者為下述通式(2)所表示之基，與通式(2)中之R41～R49中之任一位置連結。L選自由單鍵、伸芳基及伸雜芳基所組成之群組。HAr為具有電子接受性氮之芳香族雜環基。
[化2]
R41～R48分別選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧羰基、胺甲醯基、胺基、矽烷基及-P(=O)R50R51所組成之群組。R50及R51為芳基或雜芳基。R41～R48中，鄰接之取代基彼此可形成環。R49選自由烷基、芳基及雜芳基所組成之群組。其中，R41～R49中之任一者與通式(1)中之R31～R38中之任一位置連結)
根據本發明，可提供一種高發光效率與耐久性並存之有機薄膜發光元件。
對本發明之通式(1)所表示之具有咔唑骨架之化合物進行詳細說明。
[化3]
R31～R38分別選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧羰基、胺甲醯基、胺基、矽烷基、-P(=O)R39R40及下述通式(2)所表示之基所組成之群組。R39及R40為芳基或雜芳基。R31～R38中，鄰接之取代基彼此可形成環。其中，R31～R38中之任一者為下述通式(2)所表示之基，與通式(2)中之R41～R49中之任一位置連結。L選自由單鍵、伸芳基及伸雜芳基所組成之群組。HAr為具有電子接受性氮之芳香族雜環基。
[化4]
R41～R48分別選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧羰基、胺甲醯基、胺基、矽烷基及-P(=O)R50R51所組成之群組。R50及R51為芳基或雜芳基。R41～R48中，鄰接之取代基彼此可形成環。R49選自由烷基、芳基及雜芳基所組成之群組。其中，R41～R49中之任一者與通式(1)中之R31～R38中之任一位置連結。
該等取代基中，氫亦可為氘。又，所謂烷基，例如表示甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基等飽和脂肪族烴基，其可具有取代基，亦可不具有取代基。經取代之情況下之追加之取代基並無特別限制，例如可舉出烷基、芳基、雜芳基等，該點亦與以下之記載共通。又，烷基之碳數並無特別限定，就獲得之容易性及成本方面而言，通常為1以上、20以下，更佳為1以上、8以下之範圍。
所謂環烷基，例如表示環丙基、環己基、降基、金剛烷基等飽和脂環式烴基，其可具有取代基，亦可不具有取代基。烷基部分之碳數並無特別限定，通常為3以上、20以下之範圍。
所謂雜環基，例如表示吡喃環、哌啶環、環狀醯胺等在環內具有碳以外之原子之脂肪族環，其可具有取代基，亦可不具有取代基。雜環基之碳數並無特別限定，通常為2以上、20以下之範圍。
所謂烯基，例如表示乙烯基、烯丙基、丁二烯基等含有雙鍵之不飽和脂肪族烴基，其可具有取代基，亦可不具有取代基。烯基之碳數並無特別限定，通常為2以上、20以下之範圍。
所謂環烯基，例如表示環戊烯基、環戊二烯基、環己烯基等含有雙鍵之不飽和脂環式烴基，其可具有取代基，亦可不具有取代基。
所謂炔基，例如表示乙炔基等含有三鍵之不飽和脂肪族烴基，其可具有取代基，亦可不具有取代基。炔基之碳數並無特別限定，通常為2以上、20以下之範圍。
所謂烷氧基，例如表示甲氧基、乙氧基、丙氧基等經由醚鍵而鍵結脂肪族烴基之官能基，該脂肪族烴基可具有取代基，亦可不具有取代基。烷氧基之碳數並無特別限定，通常為1以上、20以下之範圍。
所謂烷硫基，係指烷氧基之醚鍵之氧原子經硫原子取代而成者。烷硫基之烴基可具有取代基，亦可不具有取代基。烷硫基之碳數並無特別限定，通常為1以上、20以下之範圍。
所謂芳醚基，例如表示苯氧基等經由醚鍵而鍵結芳香族烴基之官能基，芳香族烴基可具有取代基，亦可不具有取代基。芳醚基之碳數並無特別限定，通常為6以上、40以下之範圍。
所謂芳硫醚基，係指芳醚基之醚鍵之氧原子經硫原子而成者。芳醚基中之芳香族烴基可具有取代基，亦可不具有取代基。芳醚基之碳數並無特別限定，通常為6以上、40以下之範圍。
所謂芳基，例如表示苯基、萘基、聯苯基、茀基、菲基、聯三苯基、芘基等芳香族烴基。芳基可具有取代基，亦可不具有取代基。芳基之碳數並無特別限定，通常為6以上、40以下之範圍。
所謂雜芳基，係表示呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基、吡基、萘啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基等在環內具有一個或數個碳以外之原子之環狀芳香族基，其可未經取代，亦可經取代。雜芳基之碳數並無特別限啶，通常為2以上、30以下之範圍。
所謂鹵素原子，係表示氟、氯、溴、碘。羰基、羧基、氧羰基、胺甲醯基、胺基、氧化膦基可具有取代基，亦可不具有取代基，作為取代基，例如可舉出烷基、環烷基、芳基、雜芳基等，該等取代基可進一步經取代。
羰基、羧基、氧羰基、胺甲醯基可具有取代基，亦可不具有取代基，作為取代基，例如可舉出烷基、環烷基、芳基等，該等取代基可進一步經取代。
所謂胺基，可未經取代，亦可經取代，作為取代基，例如可舉出烷基、環烷基、芳基、雜芳基等，該等取代基可進一步經取代。
所謂矽烷基，例如表示三甲基矽烷基等具有對矽原子之鍵結之官能基，其可具有取代基，亦可不具有取代基。矽烷基之碳數並無特別限定，通常為3以上、20以下之範圍。又，矽數通常為1以上、6以下之範圍。
所謂伸芳基，係表示由苯基、萘基、聯苯基、菲基、聯三苯基、芘基等芳香族烴基衍生之2價基，其可具有取代基，亦可不具有取代基。伸芳基之碳數並無特別限定，通常為6以上、40以下之範圍。於通式(1)之L為伸芳基之情況下，該伸芳基可具有取代基，亦可不具有取代基，亦包括取代基在內碳數為6以上、60以下之範圍。
所謂伸雜芳基，係表示由呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基、異喹啉基、吡基、嘧啶基、萘啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基等在環內具有一個或數個碳以外之原子之環狀芳香族基衍生的2價基，其可具有取代基，亦可不具有取代基。伸雜芳基之碳數並無特別限定，通常為2以上、30以下之範圍。於通式(1)之L為伸雜芳基之情況下，該伸雜芳基可具有取代基，亦可不具有取代基，亦包括取代基在內碳數為2以上、50以下之範圍。
於鄰接之取代基彼此形成環之情況下，任意鄰接之2個取代基(例如通式(3)之R2與R3)可彼此鍵結而形成共軛或非共軛之縮合環。作為縮合環之構成元素，除了碳以外，亦可含有氮、氧、硫、磷、矽原子，亦可進而與其他環縮合。
所謂含有電子接受性氮之芳香族雜環基，係表示吡啶基、喹啉基、異喹啉基、喹啉基、吡基、嘧啶基、嗒基、啡啉基、咪唑并吡啶基、三基、吖啶基、苯并咪唑基、苯并唑基、苯并噻唑基等上述雜芳基中，於環內具有一個或數個至少電子接受性之氮原子作為碳以外之原子的環狀芳香族基。
含有電子接受性氮之芳香族雜環基可未經取代，亦可經取代。含有電子接受性氮之芳香族雜環基中所含的電子接受性氮之個數並無特別限定，通常為1以上、3以下之範圍。又，含有電子接受性氮之芳香族雜環基經取代之情況下之取代基並無特別限制，例如可舉出烷基、芳基、雜芳基等。其中，較佳為不過分損及含有電子接受性氮之芳香族雜環基之電子特性的取代基，例如可舉出碳數6～30之芳香族烴、碳數5～20之含有電子接受性氮之芳香族雜環基作為較佳之取代基。具體而言，例如可舉出：苯基、萘基、聯苯基、茀基、菲基、聯三苯基、芘基、吡啶基、喹啉基、異喹啉基、喹啉基、吡基、嘧啶基、嗒基、啡啉基、咪唑并吡啶基、三基、吖啶基、苯并咪唑基、苯并唑基、苯并噻唑基等，但並不限定於該等。
此處，所謂電子接受性氮，係表示與鄰接原子之間形成多重鍵之氮原子。氮原子具有較高之陰電性，故該多重鍵具有電子接受性之性質。因此，含有電子接受性氮之芳香族雜環具有較高之電子親和性。
含有電子接受性氮之芳香族雜環基之碳數並無特別限定，通常為2以上、30以下之範圍。含有電子接受性氮之芳香族雜環基之連結位置可為任意部分，例如於吡啶基之情況下，可為2-吡啶基、3-吡啶基或4-吡啶基之任一者。
習知之具有咔唑骨架之化合物作為發光元件材料，未必具有充分之性能。本發明者等人於其改良之研究中，著眼於具有咔唑骨架之化合物之電洞輸送能與電子輸送能之強度。通常，具有咔唑骨架之化合物具有輸送電洞與電子之兩電荷之特性，本發明者等人認為，電子輸送能比電洞輸送能差，故發光層中之電荷平衡瓦解，其導致發光性能降低，以該假設為基礎，從而發明通式(1)所表示之具有咔唑骨架之化合物。
通式(1)所表示之具有咔唑骨架之化合物具有於分子中含有咔唑骨架與電子接受性氮之芳香族雜環。藉此，可認為，含有電子接受性氮之芳香族雜環參與電子之注入‧輸送，故電子輸送能變大，取得發光層內之電荷平衡，而表現出高效率發光與優異之耐久性。又，藉由連結咔唑骨架，可維持咔唑骨架本身所具有之較高之三重態能階，可抑制容易之失活，故能夠達成較高之發光效率。
本發明之通式(1)所表示之化合物中，較佳為通式(3)所表示之具有咔唑骨架之化合物。
[化5]
R1～R14分別選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧羰基、胺甲醯基、胺基、矽烷基及-P(=O)R16R17所組成之群組。R16及R17為芳基或雜芳基。R1～R14中，鄰接之取代基彼此可形成環。R15選自由烷基、芳基及雜芳基所組成之群組。L選自由單鍵、伸芳基及伸雜芳基所組成之群組。HAr為具有電子接受性氮之芳香族雜環基。
該等取代基之說明與上述通式(1)之說明相同。
另外，若通式(1)所表示之化合物中之R49與L-HAr、及通式(3)所表示之化合物中之R15與L-HAr為不同之基，則分子成為非對稱結構，咔唑骨架彼此之相互作用抑制效果提高，可形成穩定之薄膜，而使耐久性提高，故而較佳。
R15及R49較佳為不降低具有咔唑骨架之化合物之三重態能階的取代基，其中，較佳為不過分延伸共軛之取代基。尤佳為甲基、苯基、聯苯基、聯三苯基、吡啶基、嘧啶基、三基。
HAr較佳為不降低通式(1)或通式(3)所表示之具有咔唑骨架之化合物之三重態能階的取代基，其中，較佳為不過分延伸共軛之取代基。尤佳為吡啶基、嘧啶基、三基。
通式(1)所表示之具有咔唑骨架之化合物之合成可使用公知之方法。作為合成咔唑二聚物之方法，例如可舉出使用氣化鐵(III)下之咔唑之氧化偶合反應的方法，但並不限定於此。又，作為於咔唑之N上導入取代基之方法，例如可舉出利用使用鈀或銅觸媒之咔唑衍生物與鹵化物之偶合反應的方法，但並不限定於此。
作為上述通式(1)所表示之咔唑化合物，並無特別限定，具體可舉出如下之例。
[化6]
[化7]
[化8]
[化9]
[化10]
[化11]
[化12]
[化13]
[化14]
[化15]
[化16]
[化17]
[化18]
[化19]
[化20]
[化21]
[化22]
[化23]
[化24]
[化25]
本發明之通式(1)所表示之具有咔唑骨架之化合物可用作發光元件材料。此處，所謂本發明之發光元件材料，係表示用於發光元件之任一層之材料，如下所述，除了用於電洞輸送層、發光層及/或電子輸送層之材料以外，亦包括用於陰極之保護膜之材料。藉由將本發明之通式(1)所表示之具有咔唑骨架之化合物用於發光元件之任一層，可獲取能夠獲得較高之發光效率，且耐久性優異之發光元件。
通式(1)所表示之具有咔唑骨架之化合物具有較高之發光效率、較高之三重態能階、雙極性(兩電荷輸送性)及薄膜穩定性，故較佳為用於發光元件之發光層中。尤其是，由於具有較高之三重態能階，故較佳為用於發光層中作為相對於磷光性摻雜劑之主體材料。
繼而，對本發明之發光元件之實施形態進行詳細說明。本發明之發光元件包含陽極、陰極、及介於該等陽極與陰極之間之有機層，該有機層包含至少發光層，該發光層藉由電氣能量而發光。
有機層除了僅包含發光層之構成以外，亦可舉出：1)電洞輸送層/發光層/電子輸送層、及2)發光層/電子輸送層、3)電洞輸送層/發光層等積層構成。又，上述各層可分別為單層及數層之任一者。於電洞輸送層及電子輸送層包含數層之情況下，將與電極接觸之側之層分別稱作電洞注入層及電子注入層，於以下說明中，只要無特別說明，則電洞注入材料包含於電洞輸送材料中，電子注入材料包含於電子輸送材料中。
於本發明之發光元件中，陽極與陰極係具有用以供給足以實現元件發光之電流之作用者，為取出光，較理想為至少一者為透明或半透明。通常，將形成於基板上之陽極設為透明電極。
用於陽極之材料只要為可將電洞有效地注入至有機層中之材料，且為了取出光而透明或半透明，則可舉出：氧化錫、氧化銦、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等導電性金屬氧化物，或金、銀、鉻等金屬，碘化銅、硫化銅等無機導電性物質、聚噻吩、聚唑咯、聚苯胺等導電性聚合物等，並無特別限定，尤其理想為使用ITO玻璃或奈塞玻璃(NESA glass)。該等電極材料可單獨使用，亦可積層或混合數種材料而使用。透明電極之電阻只要可供給足以實現元件發光之電流即可，故並無限定，就元件之消耗電力之觀點而言，較理想為低電阻。例如只要為300 Ω/□以下之ITO基板，則作為元件電極而發揮功能，目前亦可供給10 Ω/□左右之基板，故尤其理想為使用20 Ω/□以下之低電阻之基板。ITO之厚度可配合電阻值而任意選擇，通常大多於100～300 nm之間使用。
又，為保持發光元件之機械強度，較佳為使發光元件形成於基板上。基板適宜使用鈉玻璃或無鹼玻璃等玻璃基板。玻璃基板之厚度只要具有足以保持機械強度之厚度即可，故只要為0.5 mm以上則足夠。關於玻璃之材質，由於自玻璃之溶出離子較少為宜，故較佳為無鹼玻璃。或者，亦市售實施有SiO2等障壁塗層之鈉鈣玻璃，故亦可使用其。另外，只要第一電極穩定地發揮功能，則基板無需為玻璃，例如亦可於塑膠基板上形成陽極。ITO膜形成方法可為電子束法、濺鍍法及化學反應法等，並不特別受限制。
用於陰極之材料只要為可將電子有效地注入至發光層中之物質，則並無特別限定。通常較佳為鉑、金、銀、銅、鐵、錫、鋁、銦等金屬、或者該等金屬與鋰、鈉、鉀、鈣、鎂等低功函數金屬之合金或多層積層等。其中，作為主成分，就電阻值或製膜容易性、膜之穩定性、發光效率等方面而言，較佳為鋁、銀、鎂。尤其是，若由鎂與銀構成，則容易向本發明之電子輸送層及電子注入層中注入電子，可實現低電壓驅動，故而較佳。
進而，可舉出以下例作為較佳例，即為保護陰極而將鉑、金、銀、銅、鐵、錫、鋁及銦等金屬，或使用該等金屬之合金，二氧化矽、氧化鈦及氮化矽等無機物，以及聚乙烯醇、聚氯乙烯、烴系高分子化合物等有機高分子化合物積層於陰極上作為保護膜層。其中，於自陰極側取出光之元件結構(頂部發光結構)之情況時，保護膜層可自於可見光區域具有透光性之材料選擇。該等電極之製作法可為電阻加熱、電子束、濺鍍、離子電鍍及塗佈等，並無特別限制。
電洞輸送層可藉由積層或混合電洞輸送材料之一種或二種以上之方法、或使用電洞輸送材料與高分子結著劑之混合物之方法而形成。又，亦可於電洞輸送材料中添加如氯化鐵(III)之無機鹽而形成電洞輸送層。電洞輸送材料必需於賦予電場之電極間有效地輸送來自正極之電洞，故較理想為電洞注入效率較高，可有效地輸送所注入之電洞。因此，要求為如下物質：具有適當之游離電位，並且電洞遷移率較大，進而穩定性優異，製造時及使用時難以產生成為陷阱之雜質。作為滿足上述條件之物質，並無特別限定，較佳為4,4'-雙(N-(3-甲基苯基)-N-苯基胺基)聯苯、4,4'-雙(N-(1-萘基)-N-苯基胺基)聯苯、4,4',4"-三(3-甲基苯基(苯基)胺基)三苯基胺等三苯基胺衍生物；雙(N-烯丙基咔唑)或雙(N-烷基咔唑)等雙咔唑衍生物；吡唑啉衍生物；芪系化合物；腙系化合物；苯并呋喃衍生物或噻吩衍生物、二唑衍生物、酞菁衍生物、卟啉衍生物等雜環化合物；富勒烯衍生物；以及聚合物系之於側鏈具有上述單體之聚碳酸酯或苯乙烯衍生物、聚噻吩、聚苯胺、聚茀、聚乙烯咔唑及聚矽烷等。
進而，亦可使用p型Si、p型SiC等無機化合物。又，亦可使用下述通式(4)所表示之化合物、四氟四氰基奎諾二甲烷(4F-TCNQ)或氧化鉬。
[化26]
R18～R23可分別相同，亦可不同，選自由鹵素、磺醯基、羰基、硝基、氰基、三氟甲基所組成之群組。
其中，若於電洞輸送層或電洞注入層中含有化合物(5)(1,4,5,8,9,12-六氮雜三伸苯六甲腈)，則可形成更低之電壓驅動，故而較佳。
[化27]
於本發明中，發光層可為單層、數層之任一者，分別由發光材料(主體材料、摻雜劑材料)所形成，其可為主體材料與摻雜劑材料之混合物，亦可單獨為主體材料。即，於本發明之發光元件中，於各發光層中，可僅主體材料或摻雜劑材料發光，亦可主體材料與摻雜劑材料均發光。就有效利用電氣能量，獲得高色純度之發光之觀點而言，發光層較佳為包含主體材料與摻雜劑材料之混合。又，主體材料與摻雜劑材料可分別為一種，亦可為數種之組合。摻雜劑材料可含於主體材料之整體中，亦可含於局部。摻雜劑材料可經積層，亦可分散。摻雜劑材料可控制發光色。若摻雜劑材料之量過多，則產生濃度淬滅現象，故較佳為相對於主體材料而使用20重量%以下，更佳為10重量%以下。關於摻雜方法，可藉由與主體材料之共蒸鍍法而形成，亦可預先與主體材料混合後，同時進行蒸鍍。
通式(1)所表示之具有咔唑骨架之化合物具有含有電子接受性氮之芳香族雜環基，故亦可用作電子輸送材料，但由於具有較高之發光性能，故可較佳地用作發光材料。又，本發明之發光元件材料於藍綠～紅色區域(500～680 nm區域)顯示較強之發光，故可較佳地用作藍綠～紅色發光材料。又，於用作主體-摻雜劑系發光材料之情況時，通式(1)所表示之具有咔唑骨架之化合物亦可用作摻雜劑材料，但由於薄膜穩定性優異，故可較佳地用作主體材料。若將通式(1)所表示之具有咔唑骨架之化合物用作主體材料，則可根據組合使用之摻雜劑之種類，以高發光效率獲得高色純度之綠色發光或紅色發光。
發光材料除了通式(1)所表示之具有咔唑骨架之化合物以外，亦可使用先前作為發光體而知之蒽或芘等縮合環衍生物、以三(8-羥基喹啉)鋁為代表之金屬螯合化8-羥基喹啉酮化合物、雙苯乙烯基蒽衍生物或二苯乙烯基苯衍生物等雙苯乙烯基衍生物、四苯基丁二烯衍生物、茚衍生物、香豆素衍生物、二唑衍生物、吡咯并吡啶衍生物、哌瑞酮衍生物、環戊二烯衍生物、二唑衍生物、噻二唑并吡啶衍生物、二苯并呋喃衍生物、咔唑衍生物、吲哚咔唑衍生物、以及聚合物系之聚苯乙炔衍生物、聚對苯衍生物、及聚噻吩衍生物等，但並無特別限定。
含於發光材料中之主體材料無需僅限於通式(1)所表示之具有咔唑骨架之化合物一種，亦可混合本發明之數種具有咔唑骨架之化合物而使用，或將一種以上之其他主體材料與本發明之具有咔唑骨架之化合物混合而使用。作為可混合之主體材料，並無特別限定，可使用萘、蒽、菲、芘、、稠四苯、聯伸三苯、苝、、茀、茚等具有縮合芳基環之化合物或其衍生物；N,N'-二萘基-N,N'-二苯基-4,4'-二苯基-1,1'-二胺等芳香族胺衍生物；以三(8-羥基喹啉)鋁(III)為代表之金屬螯合化8-羥基喹啉酮化合物；二苯乙烯基苯衍生物等雙苯乙烯基衍生物；四苯基丁二烯衍生物；茚衍生物；香豆素衍生物、二唑衍生物；吡咯并吡啶衍生物；哌瑞酮衍生物；環戊二烯衍生物、吡咯并吡咯衍生物；噻二唑并吡啶衍生物；二苯并呋喃衍生物；咔唑衍生物；吲哚咔唑衍生物；三衍生物；以及聚合物系之聚苯乙炔衍生物、聚對苯衍生物、聚茀衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、聚噻吩衍生物等，但並無特別限定。其中，作為發光層進行磷光發光時所使用之主體，可較佳地使用金屬螯合化8-羥基喹啉酮化合物、二苯并呋喃衍生物、咔唑衍生物、吲哚咔唑衍生物、三衍生物等。
作為用作摻雜劑材料之三重態發光材料，較佳為含有選自由銥(Ir)、釕(Ru)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、鋨(Os)、及錸(Re)所組成之群組中之至少一種金屬的金屬錯合物。配位基較佳為具有苯基吡啶骨架或苯基喹啉骨架等含氮芳香族雜環。然而，並不限定於該等，可根據所要求之發光色、元件性能、以及與主體化合物之關係而選擇適當之錯合物。具體可舉出：三(2-苯基吡啶基)銥錯合物、三{2-(2-噻吩基)吡啶基}銥錯合物、三{2-(2-苯并噻吩基)吡啶基}銥錯合物、三(2-苯基苯并噻唑)銥錯合物、三(2-苯基苯并唑)銥錯合物、三苯并喹啉銥錯合物、雙(2-苯基吡啶基)(乙醯丙酮)銥錯合物、雙{2-(2-噻吩基)吡啶基}銥錯合物、雙{2-(2-苯并噻吩基)吡啶基}(乙醯丙酮)銥錯合物、雙(2-苯基苯并噻唑)(乙醯丙酮)銥錯合物、雙(2-苯基苯并唑)(乙醯丙酮)銥錯合物、雙苯并喹啉(乙醯丙酮)銥錯合物、雙{2-(2,4-二氟苯基)吡啶基}(乙醯丙酮)銥錯合物、四乙基卟啉鉑錯合物、{三(噻吩甲醯三氟丙酮)單(1,10-啡啉)}銪錯合物、{三(噻吩甲醯三氟丙酮)單(4,7-二苯基-1,10-啡啉)}銪錯合物、{三(1,3-二苯基-1,3-丙二酮)單(1,10-啡啉)}銪錯合物、三乙醯丙酮鋱錯合物等。又，亦可較佳地使用日本專利特開2009-130141號中所記載之磷光摻雜劑。並不限定於該等，就容易獲得高效率發光而言，可較佳地使用銥錯合物或鉑錯合物。
用作主體材料之由通式(1)所表示之具有咔唑骨架之化合物及用作摻雜劑材料之上述三重態發光材料可於發光層中分別僅含有一種，亦可混合二種以上使用。於使用二種以上之三重態發光材料時，較佳為摻雜劑材料之總重量相對於主體材料為20重量%以下。
又，於發光層中，除了上述主體材料及三重態發光材料以外，亦可進一步含有用以調整發光層內之載體平衡或用以使發光層之層結構穩定化之第3成分。其中，作為第3成分，可選擇如與上述包含具有咔唑骨架之化合物之主體材料及包含三重態發光材料之摻雜劑材料之間不產生相互作用之材料。
作為三重態發光系統中之較佳之主體及摻雜劑，並無特別限定，具體可舉出如下之例。
[化28]
[化29]
於本發明中，所謂電子輸送層，係指自陰極注入電子，進而輸送電子之層。對於電子輸送層，期望電子注入效率較高，可有效地輸送所注入之電子。因此，要求電子輸送層為如下物質，即電子親和力較大，並且電子遷移率較大，進而穩定性優異，製造時及使用時難以產生成為陷阱之雜質。尤其是，於將膜厚積層得較厚之情況下，低分子量之化合物容易結晶化等而使膜質劣化，故較佳為保持穩定之膜質之分子量400以上之化合物。然而，於考慮電洞與電子之輸送平衡之情況下，只要電子輸送層主要發揮可有效地阻止來自陽極之電洞不進行再結合而流向陰極側之作用，則即便由電子輸送能力並不那麼高之材料所構成，提高發光效率之效果仍與由電子輸送能力較高之材料所構成之情況同等。因此，於本發明之電子輸送層中亦含有可有效阻止電洞之移動之電洞阻止層作為同義者。
作為用於電子輸送層之電子輸送材料，除了通式(1)所表示之具有咔唑骨架之化合物以外，亦可舉出：萘、蒽等縮合多環芳香族衍生物；以4,4'-雙(二苯基乙烯基)聯苯為代表之苯乙烯基系芳香環衍生物；蒽醌或聯苯醌等醌衍生物；氧化磷衍生物；三(8-羥基喹啉)鋁(III)等羥基喹啉錯合物；苯并羥基喹啉錯合物；羥基唑錯合物；甲亞胺錯合物；酚酮金屬錯合物及黃酮醇金屬錯合物等各種金屬錯合物，就可降低驅動電壓，獲得高效率發光之方面而言，較佳為使用由選自碳、氫、氮、氧、矽、磷中之元素構成，且具有含有電子接受性氮之雜芳基環結構之化合物(以下稱作「特定雜芳基化合物」)。
含有電子接受性氮之雜芳基環具有較高之電子親和性，電子輸送能優異，藉由用於電子輸送層中，可降低發光元件之驅動電壓。作為該等具有雜芳基環結構之化合物，例如可舉出苯并咪唑衍生物、苯并唑衍生物、苯并噻唑衍生物、二唑衍生物、噻二唑衍生物、三唑衍生物、吡衍生物、啡啉衍生物、喹啉衍生物、喹啉衍生物、苯并喹啉衍生物、聯吡啶或三聯吡啶等寡聚吡啶衍生物、喹啉衍生物及萘啶衍生物等作為較佳之化合物。其中，就電子輸送能之觀點而言，可較佳地使用三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯等咪唑衍生物、1,3-雙[(4-第三丁基苯基)1,3,4-二唑基]伸苯基等二唑衍生物、N-萘基-2,5-二苯基-1,3,4-三唑等三唑衍生物、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-啡啉或1,3-雙(1,10-啡啉-9-基)苯等啡啉衍生物、2,2'-雙(苯并[h]喹啉-2-基)-9,9'-螺二茀等苯并喹啉衍生物、2,5-雙(6'-(2',2"-聯吡啶基))-1,1-二甲基-3,4-二苯基矽雜環戊二烯基等聯吡啶衍生物、1,3-雙(4'-(2,2':6'2"-三聯吡啶基))苯等三聯吡啶衍生物、雙(1-萘基)-4-(1,8-萘啶-2-基)苯基氧化膦等萘啶衍生物。
其中,較佳為具有芘骨架之特定雜芳基化合物、具有蒽骨架之特定雜芳基化合物及具有啡啉骨架之特定雜芳基化合物。
作為較佳之電子輸送材料，並無特別限定，具體可舉出如下之例。再者，下述結構為一例，該等之類似化合物例如1,3位經烷基、芳基或雜芳基取代之芘衍生物、1,3,7位經烷基、芳基或雜芳基取代之芘衍生物、1,6位經烷基、芳基或雜芳基取代之芘衍生物、1,10位經烷基、芳基或雜芳基取代之蒽衍生物等亦可同樣地列舉為較佳之例。
[化30]
上述電子輸送材料可單獨使用，亦可混合2種以上之上述電子輸送材料而使用，或將一種以上之其他電子輸送材料混合於上述電子輸送材料中而使用。又，亦可與鹼金屬或鹼土金屬等金屬混合而使用。電子輸送層之游離電位並無特別限定，較佳為5.8 eV以上、8.0 eV以下，更佳為6.0 eV以上、7.5 eV以下。
構成發光元件之上述各層之形成方法可為電阻加熱蒸鍍、電子束蒸鍍、濺鍍、分子積層法、塗佈法等，並無特別限定，通常，就元件特性而言，較佳為電阻加熱蒸鍍或電子束蒸鍍。
有機層之厚度亦取決於發光物質之電阻值，故無法限定，較佳為1～1000 nm。發光層、電子輸送層、電洞輸送層之膜厚分別較佳為1 nm以上、200 nm以下，更較佳為5 nm以上、100 nm以下。
本發明之發光元件具有可將電氣能量轉換為光之功能。此處，作為電氣能量，主要使用直流電流，亦可使用脈衝電流或交流電流。電流值及電壓值並無特別限制，若考慮元件之消耗電力或壽命，則應以利用儘可能低之能量獲得最大亮度之方式進行選擇。
本發明之發光元件例如可較佳地用作以矩陣及/或段碼(segment)方式顯示之顯示器。
所謂矩陣方式，係表示用以顯示之像素二維地配置成格子狀或鑲嵌狀等，以像素之集合顯示文字或影像。像素之形狀或尺寸取決於用途。例如，於電腦、監控器、電視之影像及字元顯示中，通常使用一邊為300 μm以下之四角形像素，又，於如顯示面板之大型顯示器之情況下，使用一邊為mm級之像素。於單色顯示之情況下，只要排列相同顏色之像素即可，於彩色顯示之情況下，排列紅、綠、藍之像素而顯示。於該情況下，典型的有三角型與條紋型。並且，該矩陣之驅動方法可為線序驅動方法或主動矩陣之任一者。線序驅動雖然結構簡單，但於考慮動作特性之情況下，有時主動矩陣較為優異，故其亦必需根據用途而分開使用。
所謂本發明中之段碼方式，係指以顯示預先決定之資訊之方式形成圖案，使根據該圖案之配置而決定之區域發光之方式。例如可舉出數位鐘或溫度計中之時刻或溫度顯示、聲頻設備或電磁爐等之動作狀態顯示及汽車之面板顯示等。並且，上述矩陣顯示與段碼顯示亦可共存於同一面板中。
本發明之發光元件亦可較佳地用作各種機器等之背光源。背光源主要用於提高不會自行發光之顯示裝置之視認性的目的上，可用於液晶顯示裝置、鐘錶、聲頻裝置、汽車面板、顯示板及標識等。特別是液晶顯示裝置，尤其是研究薄型化之電腦用途之背光源中可較佳地使用本發明之發光元件，而可提供較習知者更加薄型且輕量之背光源。
[實施例]
以下，舉出實施例對本發明進行說明，但本發明並不受該等實施例之限定。再者，下述各實施例中之化合物之編號係指上述所記載之化合物之編號。
[合成例1]
化合物[59]之合成
於氮氣流下，於室溫下，將咔唑32.0 g、無水氣化鐵[III]93.13 g與氯仿400 ml之混合溶液攪拌22小時。將該混合溶液放入甲醇1000 ml中，攪拌1小時後，進行過濾。於所得之粉末中添加四氫呋喃600 ml，回流30分鐘後進行過濾，去除不溶性物質。蒸發後，加熱溶解至DMI(1,3-Dimethyl-2-Imidazolidinone)100 ml中後，於5℃下再結晶，獲得9H,9'H-3,3'-聯咔唑14.0 g。
繼而，於氮氣流下，將9H,9'H-3,3'-聯咔唑14.0 g、碘苯8.59 g、硝基苯400 ml、銅粉5.72 g與碳酸鉀12.44 g之混合溶液以180℃加熱攪拌4小時。冷卻至室溫後，以減壓蒸餾去除硝基苯，然後藉由矽膠層析法進行純化，真空乾燥後，獲得9-苯基-9H,9'H-3,3'-聯咔唑5.59 g。
繼而，於氮氣流下，將三聚氰醯氯12.5 g與四氫呋喃12.5 g之混合溶液冷卻至0℃，進行攪拌。歷時1小時半向該混合溶液中緩緩滴加苯基溴化鎂(於THF中為32%)105.6 g。此時，系統內溫度維持在15℃以下。滴加後，於室溫下攪拌1小時半，添加甲苯80 ml，冷卻至0℃。歷時15分鐘向該混合溶液中緩緩滴加12%HCl。此時，系統內溫度維持在30℃以下。其後，注入水，以甲苯進行萃取。將有機層以水清洗2次，利用硫酸鎂加以乾燥後，進行蒸發。藉由矽膠管柱層析法對所得之濃縮物進行純化，真空乾燥後，獲得2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三8.15 g。
繼而，於氮氣流下，於室溫下攪拌55%氫化鈉0.40 g與脫水DMF(dimethylformamide)30 ml之混合溶液。於該混合溶液中緩緩滴加使9-苯基-9H,9'H-3,3'-聯咔唑5.59 g溶解於脫水DMF 100 ml中而成之溶液，攪拌1小時。其後，使2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三3.52 g溶解於脫水DMF 130 ml，緩緩滴加，進而攪拌3小時半後，注入水300 ml，攪拌1小時後，進行過濾。將所得之固體以甲醇150 ml加熱清洗後，進行過濾。藉由矽膠管柱層析法對所得之固體進行純化後，以四氫呋喃與甲醇之混合溶劑進行2次再結晶，真空乾燥後，獲得白色粉末4.28 g。
所得之粉末之1H-NMR分析結果如下所述，可確認上述所得之白色結晶為化合物[59]。
1H-NMR(CDCl3(d=ppm)): 7.32-7.36(m,1H),7.45-7.55(m,5H),7.63-7.69(m,11H),7.83-7.85(m,1H),7.99-8.01(m,1H),8.20-8.21(t,1H),8.25-8.53(m,1H),8.40-8.41(d,1H),8.53-8.54(d,1H),8.79-8.81(m,4H),9.21-9.23(d,1H),9.26-9.27(d,1H)。
再者，該化合物[59]係使用油擴散泵，於1×10-3 Pa之壓力下，以約320℃進行昇華純化後用作發光元件材料。HPLC(High Performance Liquid Chromatography)純度(測定波長254 nm下之面積%)係昇華純化前為99.8%，昇華純化後為99.9%。
[合成例2]
化合物[44]之合成
於氮氣流下，使2,4,6-三氯嘧啶10 g、苯基硼酸13.3 g、2 M碳酸鈉水溶液163.5 ml、1,2-二甲氧基乙烷545 ml與雙(三苯基膦)二氣化鈀(II)之混合溶液回流2小時。冷卻至室溫後，利用甲苯進行萃取。將有機層以水清洗2次，利用硫酸鎂加以乾燥後，進行蒸發。藉由矽膠管柱層析法，對所得之濃縮物進行純化，真空乾燥後，獲得2-氯-4,6-二苯基嘧啶6.46 g。
繼而，於氮氣流下，於室溫下，對9-苯基-9H,9'H-3,3'-聯咔唑4.08 g、2-氯-4,6-二苯基嘧啶2.93 g、第三丁氧化鈉1.35 g、脫水鄰二甲苯100 ml之混合溶液進行攪拌。於該混合溶液中添加三(二亞苄基丙酮)二鈀(0)0.27 g、三-第三丁基四氟硼酸鏻0.16 g後，於140℃下加熱攪拌1小時。將該混合溶液直接過濾後，進行蒸發。添加甲醇200 ml，回流2小時後，進行過濾。藉由矽膠管柱層析法，對所得之固體進行純化，真空乾燥後，獲得淡黃色粉末5.7 g。
所得之粉末之1H-NMR分析結果如下所述，可確認上述所得之淡黃色結晶為化合物[44]。
1H-NMR(CDCl3(d=ppm)): 7.32-7.35(m,1H),7.42-7.67(m,16H),7.83-7.85(m,1H),7.93-7.95(m,1H),8.00(s,1H),8.22-8.23(d,1H),8.25-8.27(m,1H),8.34-8.35(m,4H),8.42-8.43(d,1H),8.52-8.53(d,1H),9.05-9.07(d,1H),9.10-9.11(d,1H)。
再者，該化合物[44]係使用油擴散泵，於1×10-3 Pa之壓力下，以約330℃進行昇華純化後用作發光元件材料。HPLC純度(測定波長254 nm下之面積%)係昇華純化前為99.8%，昇華純化後為99.9%。
[合成例3]
化合物[18]之合成
於氮氣流下，使2,4,6-三氯吡啶4.0 g、苯基硼酸5.3 g、1 M碳酸鈉水溶液87 ml、1,2-二甲氧基乙烷108 ml與雙(三苯基膦)二氯化鈀(II)290 mg之混合溶液回流3小時。冷卻至室溫後，以甲苯進行萃取。將有機層以水清洗2次，利用硫酸鎂加以乾燥後，進行蒸發。藉由矽膠管柱層析法對所得之濃縮物進行純化，真空乾燥後，獲得4-氯-2,6-二苯基吡啶2.7 g。
繼而，於氮氣流下，於室溫下對9-苯基-9H,9'H-3,3'-聯咔唑3.0 g、4-氯-2,6-二苯基吡啶2.15 g、第三丁氧化鈉0.99 g、脫水鄰二甲苯73 ml之混合溶液進行攪拌。於該混合溶液中添加三(二亞苄基丙酮)二鈀(0)0.13 g、三-第三丁基四氟硼酸鏻58 mg後，於140℃下加熱攪拌6小時。將該混合溶液直接過濾後，進行蒸發。添加甲醇100 ml，回流2小時後，冷卻至室溫，進行過濾。藉由矽膠管柱層析法對所得之固體進行純化，真空乾燥後，獲得淡黃色粉末2.9 g。
所得之粉末之1H-NMR分析結果如下所述，可確認上述所得之淡黃色粉末為化合物[18]。
1H-NMR(DMSO-d6(d=ppm)): 7.32-7.36(m,1H),7.40-7.60(m,12H),7.68-7.77(m,5H),7.83-7.84(d,1H),7.91-7.93(m,1H),7.95-7.97(m,1H),8.29(s,2H),8.34-8.37(m,4H),8.40-8.41(d,1H),8.44-8.46(d,1H),8.73-8.75(m,2H)。
再者，該化合物[18]係使用油擴散泵，於1×10-3 Pa之壓力下，以約320℃進行昇華純化後用作發光元件材料。HPLC純度(測定波長254 nm下之面積%)係昇華純化前為99.8%，昇華純化後為99.9%。
[合成例4]
化合物[38]之合成
於氮氣流下，於室溫下，對9-苯基-9H,9'H-3,3'-聯咔唑3.03 g、1-溴-3,5-二氯苯1.84 g、第三丁氧化鈉1.0 g、脫水鄰二甲苯70 ml之混合溶液進行攪拌。於該混合溶液中添加三(二亞苄基丙酮)二鈀(0)85 mg、三-第三丁基四氟硼酸鏻86 mg後，於140℃下加熱攪拌4小時。將該混合溶液直接過濾後，進行蒸發。藉由矽膠管柱層析法對所得之固體進行純化，真空乾燥後，獲得9-(3,5-二氯苯基)-9'-苯基-9H,9'H-3,3'-聯咔唑3.29 g。
繼而，於氮氣流下，使9-(3,5-二氯苯基)-9'-苯基-9H,9'H-3,3'-聯咔唑3.29 g、3-吡啶硼酸1.5 g、1.27 M磷酸三鉀水溶液21 ml、1,4-二烷30 ml、三(二亞苄基丙酮)二鈀(0)136 mg與三環己基膦79 mg之混合溶液回流12小時。冷卻至室溫後，以甲苯進行萃取。將有機層以水清洗2次，利用硫酸鎂加以乾燥後，進行蒸發。藉由矽膠管柱層析法對所得之濃縮物進行純化，真空乾燥後，獲得淡黃色粉末2.4 g。
所得之粉末之1H-NMR分析結果如下所述，可確認上述所得之淡黃色粉末為化合物[38]。
1H-NMR(CDCl3(d=ppm)): 7.31-7.38(m,2H),7.43-7.57(m,8H),7.61-7.66(m,5H),7.77-7.83(m,2H),7.88-7.91(m,3H),8.01-8.04(m,2H),8.23-8.28(m,2H),8.47-8.49(m,2H),8.69-8.70(m,2H),9.01-9.02(d,2H)。
再者，該化合物[38]係使用油擴散泵，於1×10-3 Pa之壓力下，以約320℃進行昇華純化後用作發光元件材料。HPLC純度(測定波長254 nm下之面積%)係昇華純化前為99.8%，昇華純化後為99.9%。
[合成例5]
化合物[224]之合成
於氮氣流下，使3,6-二溴咔唑5.0 g、苯基咔唑-3-硼酸2.96 g、乙酸鈀267 mg、三(2-甲基苯基)膦234 mg、1 M碳酸鉀水溶液30 ml、二甲氧基乙烷80 ml之混合溶液回流2小時。冷卻至室溫後，以甲苯100 ml進行萃取。將有機層以水50 ml清洗2次，利用硫酸鎂加以乾燥後，進行蒸發。藉由矽膠管柱層析法對所得之濃縮物進行純化，真空乾燥後，獲得6-溴-9'-苯基-9H,9'H-3,3'-聯咔唑3.48 g。
繼而，於氮氣流下，使6-溴-9'-苯基-9H,9'H-3,3'-聯咔唑3.48 g、3-吡啶硼酸1.32 g、雙(三苯基膦)二氯化鈀(II)100 mg、1 M碳酸鈉水溶液14 ml、1,4-二烷35 ml之混合溶液回流2小時。冷卻至室溫後，以甲苯50 ml進行萃取。將有機層以水20 ml清洗3次，利用硫酸鎂加以乾燥後，進行蒸發。藉由矽膠管柱層析法對所得之濃縮物進行純化，真空乾燥後，獲得9'-苯基-6-(吡啶-3-基)-9H,9'H-3,3'-聯咔唑2.1 g。
繼而，於氮氣流下，於室溫下對55%氫化鈉231 mg與脫水DMF 10 ml之混合溶液進行攪拌。於該混合溶液中緩緩滴加使9'-苯基-6-(吡啶-3-基)-9H,9'H-3,3'-聯咔唑2.1 g溶解於脫水DMF 15 ml中而成之溶液，攪拌3小時。其後，使2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三1.20 g溶解於脫水DMF 25 ml中，緩緩滴加，進而攪拌2小時半後，注入水50 ml，攪拌1小時後，進行過濾。以甲醇50 ml使所得之固體回流1小時後，冷卻至室溫，然後進行過濾。藉由矽膠管柱層析法對所得之固體進行純化後，以DMF進行再結晶，真空乾燥後，獲得白色粉末2.11 g。
所得之粉末之1H-NMR分析結果如下所述，可確認上述所得之白色結晶為化合物[224]。
1H-NMR(CDCl3(d=ppm)): 7.31-7.34(m,1H),7.39-7.41(m,1H),7.44-7.45(m,2H),7.49-7.52(m,2H),7.60-7.67(m,10H),7.79-7.81(m,2H),7.94-7.96(m,1H),8.02-8.04(m,1H),8.23-8.25(d,1H),8.300-8.303(d,1H),8.370-8.373(d,1H),8.495-8.498(d,1H),8.62-8.63(t,1H),8.72-8.75(m,4H),9.040-9.043(d,1H),9.18-9.23(m,2H)。
再者，該化合物[224]係使用油擴散泵，於1×10-3 Pa之壓力下，以約360℃進行昇華純化後用作發光元件材料。HPLC純度(測定波長254 nm下之面積%)係昇華純化前為99.7%，昇華純化後為99.8%。
[實施例1]
將堆積ITO透明導電膜125 nm而成之玻璃基板(Geomatec股份有限公司製，11 Ω/□，濺鍍品)切割成38×46 mm，進行蝕刻。將所得之基板以“Semico Clean56”(商品名，Furuuchi Chemical股份有限公司製)超音波清洗15分鐘後，以超純水進行清洗。於即將製作元件前，對該基板進行1小時之UV-臭氧處理，並設置於真空蒸鍍裝置內，進行排氣直至裝置內之真空度成為5×10-4 Pa以下為止。藉由電阻加熱法，首先蒸鍍銅酞菁10 nm、4,4'-雙(N-(1-萘基)-N-苯基胺基)聯苯50 nm作為電洞注入材料。
繼而，將作為主體材料之化合物[59]、以及作為摻雜劑材料之D-1以摻雜濃度成為10重量%之方式蒸鍍成40 nm之厚度而作為發光材料。繼而，將下述所示之E-1積層為20 nm之厚度作為電子輸送材料。繼而，蒸鍍氟化鋰0.5 nm後，蒸鍍鋁70 nm，作為陰極，而製作5×5 mm見方之元件。此處，所謂膜厚，係指石英振盪式膜厚監控器顯示值。以10 mA/cm2直流驅動該發光元件，結果獲得發光效率20.0 lm/W之高效率綠色發光。以10 mA/cm2之直流連續驅動該發光元件，結果2000小時後亮度半衰。
[化31]
[比較例1]
使用下述式所示之H-1作為主體材料，除此以外，以與實施例1相同之方式製作發光元件。以10 mA/cm2直流驅動該發光元件，結果獲得發光效率10.4 lm/W之綠色發光。以10 mA/cm2之直流連續驅動該發光元件，結果400小時後亮度半衰。
[化32]
[比較例2]
使用下述式所示之H-2作為主體材料，除此以外，以與實施例1相同之方式製作發光元件。以10 mA/cm2直流驅動該發光元件，結果獲得發光效率19.1 lm/W之綠色發光。以10 mA/cm2之直流連續驅動該發光元件，結果300小時後亮度半衰。
[化33]
[比較例3]
使用下述式所示之H-3作為主體材料，除此以外，以與實施例1相同之方式製作發光元件。以10 mA/cm2直流驅動該發光元件，結果獲得發光效率12.3 lm/W之綠色發光。以10 mA/cm2之直流連續驅動該發光元件，結果700小時後亮度半衰。
[化34]
[比較例4]
使用下述式所示之H-4作為主體材料，除此以外，以與實施例1相同之方式製作發光元件。以10 mA/cm2直流驅動該發光元件，結果獲得發光效率11.0 lm/W之綠色發光。以10 mA/cm2之直流連續驅動該發光元件，結果700小時後亮度半衰。
[化35]
[比較例5]
使用下述式所示之H-5作為主體材料，除此以外，以與實施例1相同之方式製作發光元件。以10 mA/cm2直流驅動該發光元件，結果獲得發光效率9.0 lm/W之綠色發光。以10 mA/cm2之直流連續驅動該發光元件，結果700小時後亮度半衰。
[化36]
[實施例2]
使用化合物[44]作為主體材料，除此以外，以與實施例1相同之方式製作發光元件。以10 mA/cm2直流驅動該發光元件，結果獲得發光效率21.0 lm/W之高效率綠色發光。以10 mA/cm2之直流連續驅動該發光元件，結果2200小時後亮度半衰。
[實施例3]
使用化合物[62]作為主體材料，除此以外，以與實施例1相同之方式製作發光元件。以10 mA/cm2直流驅動該發光元件，結果獲得發光效率19.2 lm/W之高效率綠色發光。以10 mA/cm2之直流連續驅動該發光元件，結果1500小時後亮度半衰。
[實施例4]
使用化合物[18]作為主體材料，除此以外，以與實施例1相同之方式製作發光元件。以10 mA/cm2直流驅動該發光元件，結果獲得發光效率19.0 lm/W之高效率綠色發光。以10 mA/cm2之直流連續驅動該發光元件，結果1300小時後亮度半衰。
[實施例5]
使用化合物[38]作為主體材料，除此以外，以與實施例1相同之方式製作發光元件。以10 mA/cm2直流驅動該發光元件，結果獲得發光效率19.0 lm/W之高效率綠色發光。以10 mA/cm2之直流連續驅動該發光元件，結果1300小時後亮度半衰。
[實施例6]
使用化合物[224]作為主體材料，除此以外，以與實施例1相同之方式製作發光元件。以10 mA/cm2直流驅動該發光元件，結果獲得發光效率23.0 lm/W之高效率綠色發光。以10 mA/cm2之直流連續驅動該發光元件，結果1800小時後亮度半衰。
將實施例1～6及比較例1～5之結果示於表1中。
[實施例7～13]
使用表2所記載之材料作為主體材料、摻雜劑材料、電子輸送材料，除此以外，以與實施例1相同之方式製作發光元件。將結果示於表2中。再者，表2中，E-2為下述所示之化合物。
[化37]
[比較例6]
使用表2所記載之材料作為主體材料、摻雜劑材料、電子輸送材料，除此以外，以與實施例1相同之方式製作發光元件。將結果示於表2中。
[實施例14～18]
使用表3所記載之材料作為主體材料、摻雜劑材料、電子輸送材料，除此以外，以與實施例1相同之方式製作發光元件。將結果示於表3中。再者，表3中，E-3、E-4、E-5、E-6、E-7為下述所示之化合物。
[化38]
[實施例19]
將堆積ITO透明導電膜125 nm而成之玻璃基板(旭硝子股份有限公司製，15 Ω/□，電子束蒸鍍品)切割成30×40 mm，藉由光微影法加工成300 μm間距(殘餘寬度270 μm)×32根之條紋狀圖案。為使ITO條紋之長邊方向單側容易與外部電氣連接，而將間距擴展至1.27 mm(開口部寬度800 μm)。將所得之基板分別以丙酮、“Semico Clean 56”(商品名，Furuuchi Chemical股份有限公司製)超音波清洗15分鐘後，以超純水進行清洗。繼而，以異丙醇超音波清洗15分鐘後，於熱甲醇中浸漬15分鐘，進行乾燥。於即將製作元件前，對該基板進行1小時之UV-臭氧處理，並設置於真空蒸鍍裝置內，進行排氣直至裝置內之真空度成為5×10-4 Pa以下為止。藉由電阻加熱法，首先蒸鍍4,4'-雙(N-(1-萘基)-N-苯基胺基)聯苯150 nm作為電洞輸送材料。繼而，將作為主體材料之化合物[59]、以及作為摻雜劑材料之(D-1)以摻雜濃度成為10%之方式蒸鍍成40 nm之厚度。繼而，將E-1積層為20 nm之厚度作為電子輸送材料。此處，所謂膜厚，係指石英振盪式膜厚監控器顯示值。繼而，使於厚度50 μm之可伐合金(Kovar)板上藉由濕式蝕刻而設置有16根250 μm之開口部(相當於殘餘寬度50 μm、間距300 μm)之遮罩於真空中，以與ITO條紋正交之方式進行遮罩交換，以遮罩與ITO基板密接之方式，利用磁石自背面加以固定。並且，蒸鍍氟化鋰0.5 nm後，蒸鍍鋁200 nm，製作32×16點矩陣元件。矩陣驅動本元件，結果可進行字元顯示而無串擾。
(產業上之可利用性)
本發明之發光元件材料可提供一種能夠用於發光元件等，作為發光性色素而有用之發光元件材料。根據本發明，可獲得較高之發光效率與優異之耐久性並存的發光元件。本發明之發光元件可用於顯示元件、平板顯示器、背光源、照明、室內裝飾、標識、看板、電子照相機及光信號產生器等領域。

Claims (11)

  1. 一種發光元件材料，其特徵在於含有下述通式(1)所表示之具有咔唑骨架之化合物， (R31~R38分別選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧羰基、胺甲醯基、胺基、矽烷基、-P(=O)R39R40及下述通式(2)所表示之基所組成之群組；R39及R40為芳基或雜芳基；R31~R38中，鄰接之取代基彼此可形成環；其中，R31~R38中之任一者為下述通式(2)所表示之基，其與通式(2)中之R41~R49中之任一位置連結；L選自由單鍵、伸芳基及伸雜芳基所組成之群組；HAr為具有電子接受性氮之芳香族雜環基， R41~R48分別選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、 環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧羰基、胺甲醯基、胺基、矽烷基及-P(=O)R50R51所組成之群組；R50及R51為芳基或雜芳基；R41~R48中，鄰接之取代基彼此可形成環；R49選自由烷基、芳基及雜芳基所組成之群組；其中，R41~R49中之任一者與通式(1)中之R31~R38中之任一位置連結)其中，該具有咔唑骨架之化合物不包含下列化合物：
  2. 如申請專利範圍第1項之發光元件材料，其中，上述通式(1)所表示之具有咔唑骨架之化合物為下述通式(3)所表示之具有咔唑骨架之化合物， (R1~R14分別選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧羰基、胺甲醯基、胺基、矽烷基及-P(=O)R16R17所組成之群組；R16及R17為芳基或雜芳基；R1~R14中，鄰接之取代基彼此可形成環；R15選自由烷基、芳基及雜芳基所組成之群組；L選自由單鍵、伸芳基及伸雜芳基所組成之群組；HAr為具有電子接受性氮之芳香族雜環基)。
  3. 如申請專利範圍第1項之發光元件材料，其中，L-HAr與R49為不同之基。
  4. 如申請專利範圍第2項之發光元件材料，其中，L-HAr與R15為不同之基。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之發光元件材料，其中，具有電子接受性氮之芳香族雜環基為選自由吡啶基、喹啉基、異喹啉基、喹啉基、吡基、嘧啶基、嗒基、啡啉基、咪唑并吡啶基、三基、吖啶基、苯并咪唑基、苯并唑基及苯并噻唑基所組成之群組中之基。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之發光元件材料，其中，上述具有電子接受性氮之芳香族雜環基未經取代，或經烷基或芳基取代。
  7. 如申請專利範圍第5項之發光元件材料，其中，上述具有電子接受性氮之芳香族雜環基未經取代，或經烷基或芳基 取代。
  8. 一種發光元件，其係於陽極與陰極之間存在包含至少發光層之1層以上之層，且藉由電氣能量而發光之元件，其中，發光層含有三重態發光材料，於上述陽極與陰極之間之任一層中含有含下述通式(1)所表示之具有咔唑骨架之化合物之發光元件材料，且電洞輸送層中係含有雙咔唑衍生物； (R31~R38分別選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧羰基、胺甲醯基、胺基、矽烷基、-P(=O)R39R40及下述通式(2)所表示之基所組成之群組；R39及R40為芳基或雜芳基；R31~R38中，鄰接之取代基彼此可形成環；其中，R31~R38中之任一者為下述通式(2)所表示之基，其與通式(2)中之R41~R49中之任一位置連結；L選自由單鍵、伸芳基及伸雜芳基所組成之群組；HAr為具有電子接受性氮之芳香族雜環基，[化2] R41~R48分別選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧羰基、胺甲醯基、胺基、矽烷基及-P(=O)R50R51所組成之群組；R50及R51為芳基或雜芳基；R41~R48中，鄰接之取代基彼此可形成環；R49選自由烷基、芳基及雜芳基所組成之群組；其中，R41~R49中之任一者與通式(1)中之R31~R38中之任一位置連結)。
  9. 如申請專利範圍第8項之發光元件，其中，申請專利範圍第1至7項中任一項之發光元件材料含於發光層中。
  10. 如申請專利範圍第8或9項之發光元件，其中，於陽極與陰極之間進而存在電子輸送層，於該電子輸送層中包含由選自碳、氫、氮、氧、矽、磷中之元素構成，且具有含有電子接受性氮之雜芳基環結構之化合物。
  11. 如申請專利範圍第8項之發光元件，其中，申請專利範圍第1至7項中任一項之發光元件材料含於電子輸送層中。
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