TWI523063B - 帶電粒子偵測器配置以及操作帶電粒子偵測器配置之方法 - Google Patents

帶電粒子偵測器配置以及操作帶電粒子偵測器配置之方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI523063B
TWI523063B TW102123668A TW102123668A TWI523063B TW I523063 B TWI523063 B TW I523063B TW 102123668 A TW102123668 A TW 102123668A TW 102123668 A TW102123668 A TW 102123668A TW I523063 B TWI523063 B TW I523063B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
charged particle
collector electrode
detector configuration
particle detector
charged
Prior art date
Application number
TW102123668A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201411681A (zh
Inventor
藍奕歐史戴分
Original Assignee
Ｉｃｔ積體電路測試股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ｉｃｔ積體電路測試股份有限公司 filed Critical Ｉｃｔ積體電路測試股份有限公司
Publication of TW201411681A publication Critical patent/TW201411681A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI523063B publication Critical patent/TWI523063B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2449—Detector devices with moving charges in electric or magnetic fields

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

帶電粒子偵測器配置以及操作帶電粒子偵測器配置之方 法
本發明之實施例係關於用於降低粒子偵測器之污染的手段。詳言之，本發明之實施例係關於具有污染降低電極的帶電粒子偵測器配置。特定言之，實施例係關於帶電粒子偵測器配置、帶電粒子束裝置(包含帶電粒子偵測器配置)，以及操作帶電粒子偵測器配置的方法。
帶電粒子束設備在複數個工業領域具有許多功能，包括但不限於製造期間對半導體裝置的檢查、用於微影術的曝光系統、偵測裝置及測試系統。因此，對結構化及檢查微米級及奈米級的樣本存在高需求。
通常用帶電粒子束(例如，電子束)完成微米級及奈米級製程式控制、檢查或結構化，該等帶電粒子束經產生並且聚集在帶電粒子束裝置(諸如，電子顯微鏡或電子束圖案產生器)中。與例如光子束相比較，帶電粒子束由於其短波長而提供優越的空間解析度。
快速掃描的要求在需要高產量的半導體製造的應用中係尤其重要的。此類應用包括電子束檢查、缺陷複查及臨界尺寸量測。
帶電粒子束系統(諸如，掃描電子顯微鏡(SEM))可包括偵測器，諸如，閃爍偵檢器(例如，P47粉末、YAG或YAP晶體等)或半導體偵測器(諸如，PIN二極體)，用以偵測帶電粒子(例如，電子與離子)。該等帶電粒子束系統通常佈置在真空環境內部。真空容納殘留污染物，如從真空室內部之泵或塑膠組件排出的烴。此等烴吸附在偵測器之表面上，造成對偵測器的污染。
因此，需要降低偵測器污染。期望提供用於降低對帶電粒子偵測器之污染的手段。
鑒於以上所述，提供如請求項1所述之帶電粒子偵測器配置、如請求項10所述之帶電粒子束裝置(包含帶電粒子偵測器配置)以及如請求項11所述之操作帶電粒子偵測器配置的方法。
根據一個實施例，提供帶電粒子偵測器配置。偵測器配置包括偵測元件以及收集器電極，該收集器電極經配置以收集在信號帶電粒子的撞擊後自偵測元件釋放的帶電粒子。
根據另一實施例，提供包括帶電粒子偵測器配置的帶電粒子束裝置。偵測器配置包括偵測元件以及收集器電極，該收集器電極經配置以收集在信號帶電粒子的撞擊後自 偵測元件釋放的帶電粒子。
根據進一步實施例，提供操作帶電粒子偵測器配置的方法。該方法包括以下步驟：提供帶電粒子偵測器配置，該帶電粒子偵測器配置包含偵測元件以及收集器電極，該收集器電極經佈置以收集在信號帶電粒子的撞擊後自偵測元件釋放的帶電粒子；將偏壓電位施加至收集器電極，其中電位相對於偵測元件為正的。
可結合上述實施例的進一步優點、特徵結構、態樣及細節自附屬請求項、描述及圖式為顯而易見的。
實施例亦關於用於執行所揭示之方法並且包括用於執行每一描述之方法步驟之設備部件的設備。可經由硬體組件、由適當軟體程式化的電腦、藉由以上兩者的任一組合或以任何其他方式執行此等方法步驟。此外，實施例亦關於操作所描述的設備之一方法。該方法包括用於執行設備之每一功能或製造設備之每個部件的方法步驟。
10‧‧‧帶電粒子偵測器配置
20‧‧‧偵測元件
30‧‧‧收集器電極
40‧‧‧外殼
100‧‧‧物鏡
102‧‧‧第一方法步驟
104‧‧‧方法步驟
105‧‧‧射極
125‧‧‧樣本
130‧‧‧一次電子束
140‧‧‧二次電子束
200‧‧‧SE光學件
201‧‧‧孔板
202‧‧‧中央孔開口
204‧‧‧外孔開口
220‧‧‧偵測器配置
301‧‧‧聚焦透鏡
410‧‧‧開口
440‧‧‧扇區
445‧‧‧SE對準四極元件
455‧‧‧接地板
520‧‧‧板
525‧‧‧正電U形彎曲
535‧‧‧負電U形彎曲
900‧‧‧晶圓檢查系統
901‧‧‧偏轉組件
902‧‧‧電子束柱
903‧‧‧第二偏轉組件
904‧‧‧電子束源
906‧‧‧磁性束分離器
908‧‧‧物鏡
910‧‧‧一次束
912‧‧‧晶圓
914‧‧‧扇區
915‧‧‧台
920‧‧‧成像電子設備
922‧‧‧真空室
924‧‧‧隔離框架
926‧‧‧真空泵
928‧‧‧晶圓搬運子系統
930‧‧‧電腦系統
932‧‧‧工作站
934‧‧‧輸入/輸出裝置
936‧‧‧顯示器
938‧‧‧匯流排
940‧‧‧PE束控制
942‧‧‧SE光學件控制
944‧‧‧PE對準及偏轉控制
946‧‧‧真空泵控制
948‧‧‧晶圓電壓控制
950‧‧‧台控制
952‧‧‧搬運器控制
992‧‧‧電壓供應器
994‧‧‧電壓供應器
996‧‧‧電壓供應器
B‧‧‧二次帶電粒子
C‧‧‧三次粒子
可以詳細理解本發明的上述特徵結構的方式即可參照實施例作出對在上文簡要概述之本發明的更加詳細描述。隨附圖式係關於本發明之實施例並且在下文中加以描述：第1圖圖示根據本文描述之一實施例之帶電粒子偵測器配置的示意圖；第2圖圖示根據本文描述之另一實施例之帶電粒子偵測器配置的示意圖；第3圖圖示根據本文描述之實施例具有帶電粒子偵 測器配置之帶電粒子束裝置的示意側視圖；第4圖圖示根據本文描述之實施例之帶電粒子束裝置的示意側視圖；及第5圖圖示根據本文描述之實施例用於操作帶電粒子偵測器配置之方法的方塊圖。
現將詳細參照本發明各種實施例，該等實施例的一或更多個實例圖示在諸圖中。以解釋本發明的方式提供每一實例而不意欲限制本發明。舉例而言，圖示或描述為一個實施例的一部分的特徵結構可用於或結合其他實施例使用，以產生進一步的實施例。本發明意欲包括此類修改與變型。
在不限制本申請案之保護範圍的情況下，在下文中，帶電粒子束裝置或其元件將示例性地被稱為包括二次電子之偵測的帶電粒子束裝置。本發明仍可應用於設備與元件，該等設備與元件偵測電子或離子、光子、X射線或其他信號形式的微粒(諸如，二次帶電粒子及/或反向散射帶電粒子)以獲得樣本影像。如本文所述，對二次粒子的提及可被理解為對本文描述之任何二次粒子及/或反向散射粒子的提及。
在對圖式的以下描述中，相同元件符號代表相同元件。一般而言，僅描述相對於個別實施例的差異。
本文提及的「樣本」包括(但不限於)半導體晶圓、半導體工作件，以及諸如記憶體磁碟等的其他工作件。本發明之實施例可應用於任一工作件，材料沉積在該工作件上或 結構化該工作件。樣本包括待結構化或有層沉積其上的表面、邊緣，以及通常的斜角。
根據一實施例，提供帶電粒子偵測器配置。偵測器配置包括偵測元件以及收集器電極，該收集器電極經配置以收集在信號帶電粒子的撞擊後自偵測元件釋放的帶電粒子。
第1圖圖示根據一實施例之帶電粒子偵測器配置10的示意圖。偵測元件20佈置在載體上。收集器電極30位於偵測元件20附近。收集器電極30相對於偵測元件20經正電偏壓。待偵測之帶電粒子沿光學軸自左(由箭頭B圖示)撞擊。二次帶電粒子B係在來源於帶電粒子源之一次帶電粒子的撞擊後從待檢查之樣本散射的信號粒子。
在偵測器元件被信號粒子擊中時，粒子能量足以裂化烴分子，並且產生碳化層，該碳化層在偵測器的操作期間持續生長。此碳化層導致信號損失、信號產生/偵測中的空間及時間的不均勻性以及偵測器使用壽命的降低，以致需要經常替換昂貴偵測器。
然而，撞擊在偵測器上的二次粒子B不是分子之裂化的主要貢獻者，因為該等二次粒子B的能量相當高(5keV以上)，導致低碳化速率。對碳化的主要貢獻源於三次粒子C，在二次信號粒子B的撞擊之後產生三次粒子C。該等三次粒子C僅具有數eV的低能量，但是用於低能量電子之被吸附的烴的阻止功率係非常高的，且因此碳化速率為高的。
許多三次粒子返回至偵測器表面，尤其是在表面相對於圍繞物被正偏壓的情況下。在此情況下，大多數三次粒 子可返回並且快速產生污染層，造成偵測器使用壽命的顯著降低。
收集器電極30係在偵測元件20附近具有最高電位的元件，該收集器電極30的目的係對釋放在偵測元件20上的帶電粒子提供引力。因此，粒子污染收集器電極30，該收集器電極30可為非常便宜且易於替換的薄片金屬部件，而非貴重的偵測元件20。
根據一實施例，收集器電極30係具有用於使二次帶電粒子通過之開口的板。收集器電極30可為與偵測器配置之光學軸同軸佈置的環。
根據一實施例，帶電粒子偵測器配置10進一步包括電連接至收集器電極30以偏壓收集器電極30來收集帶電粒子的電壓供應器(未圖示)，尤其其中電壓供應器進一步連接至偵測元件20。偵測配置10可包含電接地的外殼40。
相對於偵測元件的偏壓電位通常在數百伏特的範圍內。偏壓電位的最優值取決於收集器電極30的幾何形狀、圍繞組件的幾何形狀以及圍繞元件的電勢，且最佳用實驗方法決定該最優值。該最佳值應為足夠高的以收集許多帶電粒子，但是沒必要太高，以最小化對二次帶電粒子束(亦即，信號粒子)的影響。模擬表明，在300伏特的收集器電極電位下，僅3%的三次電子返回到偵測元件且96%的三次電子到達收集器電極，然而在不偏壓收集器電極時，100%的三次電子返回到偵測元件。
根據一實施例，收集器電極30相對於偵測元件20 經正偏壓。收集器電極30可以30伏特至500電壓偏壓。
根據一實施例，收集器電極30佈置至偵測元件20的一側。在此情況下，假定可容許關聯效應(諸如，束偏轉、散光等)。
根據一實施例，收集器電極30包含兩個或兩個以上收集板。板可為圓的、方的或任何其他形狀。
可沿垂直於偵測元件20的光學軸導引信號帶電粒子。藉由此舉，收集動作為對稱的且對二次粒子束的影響限於非常小的聚集效應。帶電粒子可為電子、離子或其他粒子。
根據一實施例，收集器電極30塑形為在偵測元件前部的漂移空間中與偵測器配置之光學軸同軸佈置的環。
第2圖圖示根據另一實施例之帶電粒子偵測器配置10的示意圖。偵測元件20佈置在載體上。與第1圖之實施例相反，收集器電極30佈置在偵測元件20的平面中，圍繞偵測元件20。
根據其他實施例，收集器電極或偵測元件亦可具有相對於入射粒子之光學軸的任意傾斜角。
根據另一實施例，提供包括帶電粒子偵測器配置的帶電粒子束裝置。偵測器配置包括偵測元件以及收集器電極，該收集器電極經配置以收集在信號帶電粒子的撞擊後自偵測元件釋放的帶電粒子。
第3圖圖示根據本文描述之實施例具有帶電粒子偵測器配置之帶電粒子束裝置的示意側視圖。
束裝置包括柱，該柱包括射極105與物鏡100。將 來自射極105的一次電子束130導向樣本125。二次電子140自樣本125發射/散射，隨後與光學軸分離若干度的角度並且藉由充當束彎曲或偏轉角增加單元之扇區440朝偵測器配置220進一步偏斜。二次電子由偵測器配置220之偵測元件20偵測以產生二次電子信號。
偵測器配置220包括偵測元件20與收集器電極30。根據典型實施例，收集器電極30可以接近於偵測元件20之電位的電位偏壓。電位可為略正的，例如高於偵測元件20之電位數百伏特，以便吸引在偵測元件20處釋放的三次電子。由於收集器電極30，可降低三次電子對偵測元件20的污染以及孔板201與偵測元件20之間的電弧。
根據本文描述之實施例，提供二次粒子光學件200。如第3圖中所示，粒子光學件200包括具有兩個或兩個以上孔開口的至少一孔板201。孔板201可經偏壓至減速電位。因此，孔板201之減速結合偵測元件20之加速被配置為用於二次粒子(例如，二次電子束)的分離與聚集。鑒於兩個或兩個以上孔開口，可提供不同偵測元件上之二次束的分離。根據典型實施例，孔板201具有中央孔開口202以及至少兩個徑向外孔開口204。通常，可提供四個外孔開口204。因此，可提供形貌對比。
根據又進一步實施例，帶電粒子束裝置包括電壓供應器992、電壓供應器994及電壓供應器996。電壓供應器992連接至孔板201用於孔板201的偏壓且因此提供減速場。根據典型實例，減速場可對應於約20keV至30keV之粒子能量 的減少。電壓供應器994連接至偵測元件20以朝偵測元件20加速二次粒子。因此，亦提供聚集。加速場可對應於約20keV至30keV之粒子能量的增加。電壓供應器996可將收集器電極30偏壓至一電位，該電位與偵測元件20之電位相比稍微更為正性的以吸引在偵測元件20處釋放的三次電子。偵測元件20與收集器電極30之間的電壓差可為例如100V至300V。
根據可結合本文描述之其他實施例的又進一步實施例，粒子光學件200可包括聚焦透鏡301及/或一或更多個偏轉組件901/903。
根據可結合本文描述之其他實施例的又進一步實施例，粒子光學件200可進一步包括一或更多個偏轉組件。因此，可控制偏轉組件901與偏轉組件903用於將信號束(例如，SE束)對準至孔板。另外或替代地，可控制偏轉組件，用於去掃描信號束。亦即，提供偏轉(去掃描、抗掃描或反掃描)用於補償由一次束之掃描引起的信號束之移動，該一次束在撞擊樣本時產生信號束。
根據典型實施例，對於偏轉組件901及偏轉組件903中的每一者，可提供可連接至偏轉電壓的至少4個偏轉板的一集合。偏轉電壓可與一次束的影像掃描同步並且經放大及/或旋轉，使得由一次束掃描產生之信號束的偏轉抵銷感測器平面中信號束的動作。
如第3圖中所圖示，第一偏轉組件901可去掃描信號束並且將信號束對準至聚焦透鏡301。第一偏轉組件901的偏轉可引入相對於信號束之光學軸的束傾斜。此束傾斜可 由第二偏轉組件903補償。第二偏轉元件可進一步改進孔板201上的對準。
二次電子束140通過物鏡100中的開口410與板520中的開口進入扇區440。扇區440具有負電U形彎曲535與正電U形彎曲525，用來彎曲二次電子束。此外，提供一對扇區側板。隨後在二次電子束通過SE對準四極元件445時對準二次電子束，且在二次電子束通過SE聚焦透鏡301時聚集二次電子束。二次電子束隨後通過接地板455中的開口與SE光學件200中的開口到達偵測器配置220。
第4圖為根據本發明之實施例之晶圓檢查系統900的示意圖，該晶圓檢查系統900使用電子光學子系統。電子束柱902包括電子束源904、磁性束分離器906與物鏡908，用於將一次束910施加至承載在x-y台915上的晶圓912。來自晶圓912的二次電子通過束分離器906、扇區914以及聚集與偏轉元件200，到達偵測器220。來自偵測器220的信號提供給成像電子設備920。
晶圓912以及台915容納在支撐在隔離框架924上的真空室922中。真空泵926在操作期間維持腔室922與柱902中的適合真空。晶圓912處於腔室922中並且由晶圓搬運子系統928從腔室922移除。
例如，晶圓檢查系統900受具有控制處理器、影像處理器及影像記憶體的電腦系統930控制。電腦系統930與工作站932通訊，該工作站932具有輸入/輸出裝置934(諸如，鍵盤及指向裝置或允許人互動的其他適合裝置)及顯示 器936。控制處理器930經由匯流排938與控制電路通訊，該控制電路諸如調節一次電子束910的PE束控制940、控制柱902之聚集及偏轉元件以在偵測器220上提供適合的二次電子束之SE光學件控制942、控制一次束910在晶圓912上的施加的PE對準及偏轉控制944、用於控制真空泵926的真空泵控制946、晶圓電壓控制948、台控制950以及搬運器控制952。控制處理器930亦經由匯流排938從成像電子設備920接收影像資料用於儲存、處理及影像分析。
第5圖圖示根據本文描述之實施例用於操作帶電粒子偵測器配置之方法的方塊圖。在第一方法步驟102中，束經導向至如本文之實施例所揭示的帶電粒子偵測器配置。在下一個方法步驟104中，藉由電源提供偏壓電位至收集器電極。
根據一些實施例，提供操作帶電粒子偵測器配置之方法。該方法包括以下步驟：提供帶電粒子偵測器配置，該帶電粒子偵測器配置包含偵測元件以及收集器電極，該收集器電極經佈置以收集在信號帶電粒子的撞擊後自偵測元件釋放的帶電粒子；將偏壓電位施加至收集器電極，其中電位相對於偵測元件為正的。該方法可進一步包含以下步驟：用新收集器電極替換收集器電極。
鑒於以上所述，如本文所述的實施例提供與常見SEM工具相比能夠更有效且更精確對準的配置。因此，不增加對準系統的複雜性，且可提供更加緊湊的帶電粒子束柱可能是有可能的。
儘管上文係針對本發明的實施例，但可在不脫離本發明的基本範疇的情況下設計本發明的其他實施例與進一步實施例，且本發明之範疇由以下申請專利範圍決定。
10‧‧‧帶電粒子偵測器配置
20‧‧‧偵測元件
30‧‧‧收集器電極
40‧‧‧外殼
B‧‧‧二次帶電粒子
C‧‧‧三次粒子

Claims (20)

  1. 一種帶電粒子偵測器配置(10)，該帶電粒子偵測器配置(10)包含：一偵測元件(20)，該偵測元件(20)經配置以產生一帶電粒子信號；一收集器電極(30)，該收集器電極(30)經配置以收集在信號帶電粒子的撞擊之後自該偵測元件釋放的帶電粒子；及一電壓供應器，該電壓供應器連接至該偵測元件(20)以加速該等信號帶電粒子朝向該偵測元件(20)。
  2. 如請求項1所述之帶電粒子偵測器配置，其中該收集器電極(30)為具有用於使二次帶電粒子通過之一開口的一板。
  3. 如請求項1所述之帶電粒子偵測器配置，其中該電壓供應器進一步電連接至該收集器電極(30)以偏壓該收集器電極(30)來收集帶電粒子。
  4. 如請求項2所述之帶電粒子偵測器配置，其中該電壓供應器進一步電連接至該收集器電極(30)以偏壓該收集器電極(30)從而收集帶電粒子。
  5. 如請求項1所述之帶電粒子偵測器配置，其中該收集器電極(30)相對於該偵測元件(20)經正偏壓。
  6. 如請求項3所述之帶電粒子偵測器配置，其中該收集器電極(30)相對於該偵測元件(20)經正偏壓。
  7. 如請求項5所述之帶電粒子偵測器配置，其中該收集器電極(30)以100伏特至500伏特範圍內之一電壓偏壓。
  8. 如請求項6所述之帶電粒子偵測器配置，其中該收集器電極(30)以100伏特至500伏特範圍內之一電壓偏壓。
  9. 如請求項1至8中任一項所述之帶電粒子偵測器配置，其中該收集器電極(30)在該偵測元件(20)之一平面的前方佈置在位於該等信號帶電粒子之方向上的一平面中。
  10. 如請求項9所述之帶電粒子偵測器配置，其中該收集器電極(30)為與該偵測器配置之一光學軸同軸佈置的一環。
  11. 一種帶電粒子偵測器配置，該帶電粒子偵測器配置包含：一偵測元件(20)，該偵測元件(20)經配置以產生一帶電粒子信號；一收集器電極(30)，該收集器電極(30)經配置以收集在信號帶電粒子的撞擊之後自該偵測元件釋放的帶電粒子，其中該收集器電極(30)佈置在該偵測元件(20)的一平面中，圍繞該偵測元件。
  12. 如請求項1至8中任一項所述之帶電粒子偵測器配置，其中帶電粒子為電子。
  13. 如請求項9所述之帶電粒子偵測器配置，其中帶電粒子為電子。
  14. 一種帶電粒子束裝置，該帶電粒子束裝置包含：一帶電粒子源；及一帶電粒子偵測器配置，該電粒子偵測器配置包含：一偵測元件(20)，該偵測元件(20)經配置以產生一帶電粒子信號；一收集器電極(30)，該收集器電極(30)經配置以收集在信號帶電粒子的撞擊之後自該偵測元件釋放的帶電粒子；及一電壓供應器，該電壓供應器連接至該偵測元件(20)以加速該等信號帶電粒子朝向該偵測元件(20)。
  15. 如請求項14所述之帶電粒子束裝置，其中該收集器電極(30)為一板，該板具有用於使二次帶電粒子通過之一開口。
  16. 如請求項14所述之帶電粒子束裝置，其中該電壓供應器進一步電連接至該收集器電極(30)以偏壓該收集器電極(30)從而收集帶電粒子。
  17. 一種操作一帶電粒子偵測器配置的方法，該方法包含以下步驟：提供一帶電粒子偵測器配置，該帶電粒子偵測器配置包含經配置以產生一帶電粒子信號的一偵測元件(20)、一收集器電極(30)，該收集器電極(30)經佈置以收集在信號帶電粒子的撞擊後自該偵測元件(20)釋放的帶電粒子，及一電壓供應器，該電壓供應器連接至該偵測元件(20)以加速該等信號帶電粒子朝向該偵測元件(20)；將一偏壓電位施加至該收集器電極(30)，其中該電位相對於該偵測元件(20)為正的。
  18. 如請求項17所述之方法，其中該收集器電極(30)相對於該偵測元件(20)正偏壓。
  19. 如請求項17所述之方法，其中該偏壓電位為在100伏特至500伏特之範圍內的一電壓。
  20. 如請求項17至19中任一項所述之方法，其中帶電粒子為電子。
TW102123668A 2012-07-05 2013-07-02 帶電粒子偵測器配置以及操作帶電粒子偵測器配置之方法 TWI523063B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP12175165.5A EP2682978B1 (en) 2012-07-05 2012-07-05 Contamination reduction electrode for particle detector

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201411681A TW201411681A (zh) 2014-03-16
TWI523063B true TWI523063B (zh) 2016-02-21

Family

ID=49669077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102123668A TWI523063B (zh) 2012-07-05 2013-07-02 帶電粒子偵測器配置以及操作帶電粒子偵測器配置之方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US20130320228A1 (zh)
EP (1) EP2682978B1 (zh)
TW (1) TWI523063B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9190241B2 (en) * 2013-03-25 2015-11-17 Hermes-Microvision, Inc. Charged particle beam apparatus
US10236156B2 (en) 2015-03-25 2019-03-19 Hermes Microvision Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
US10103004B2 (en) 2015-07-02 2018-10-16 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH System and method for imaging a secondary charged particle beam with adaptive secondary charged particle optics
KR20200044100A (ko) 2017-09-29 2020-04-28 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 하전 입자에 대한 다중 셀 검출기
CN113495082B (zh) * 2020-03-19 2022-10-18 清华大学 二次电子发射系数测量装置

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2534796C3 (de) * 1975-08-04 1979-07-05 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V., 3400 Goettingen Rotationssymetrischer Ionen-Elektronen-Konverter
US4897545A (en) * 1987-05-21 1990-01-30 Electroscan Corporation Electron detector for use in a gaseous environment
GB9719417D0 (en) * 1997-09-13 1997-11-12 Univ York Electron microscope
US5945672A (en) * 1998-01-29 1999-08-31 Fei Company Gaseous backscattered electron detector for an environmental scanning electron microscope
IL124333A0 (en) * 1998-05-05 1998-12-06 El Mul Technologies Ltd Charges particle detector
DE19828476A1 (de) * 1998-06-26 1999-12-30 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Teilchenstrahlgerät
EP1022766B1 (en) * 1998-11-30 2004-02-04 Advantest Corporation Particle beam apparatus
DE10012314A1 (de) * 2000-03-14 2001-09-20 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Detektorsystem für ein Korpuskularstrahlgerät und Korpuskularstrahlgerät mit einem solchen Detektorsystem
JP2003068241A (ja) * 2000-11-08 2003-03-07 Seiko Instruments Inc 走査型電子線装置
EP1288996B1 (en) * 2001-09-04 2006-03-22 Advantest Corporation Particle beam apparatus
JP3766793B2 (ja) * 2001-10-25 2006-04-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
DE10159454B4 (de) 2001-12-04 2012-08-02 Carl Zeiss Nts Gmbh Korrektor zur Korrektion von Farbfehlern erster Ordnung, ersten Grades
US6853143B2 (en) * 2002-01-09 2005-02-08 Ebara Corporation Electron beam system and method of manufacturing devices using the system
US7531812B2 (en) * 2003-10-27 2009-05-12 Politechnika Wroclawska Method and system for the directional detection of electrons in a scanning electron microscope
JP4292068B2 (ja) * 2003-12-11 2009-07-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
US7420164B2 (en) * 2004-05-26 2008-09-02 Ebara Corporation Objective lens, electron beam system and method of inspecting defect
EP1657736B1 (en) * 2004-11-15 2016-12-14 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH High current density particle beam system
DE602005006967D1 (de) * 2005-03-17 2008-07-03 Integrated Circuit Testing Analyse-System und Teilchenstrahlgerät
JP5075375B2 (ja) * 2006-08-11 2012-11-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
US7728292B2 (en) * 2006-08-28 2010-06-01 Ionics Mass Spectrometry Group Inc. Method and apparatus for detecting positively charged and negatively charged ionized particles
DE102007058443B4 (de) 2007-12-05 2010-05-06 Ceos Corrected Electron Optical Systems Gmbh Korrektor für axialen und außeraxialen Strahlengang und TEM damit
EP2259051B1 (en) * 2008-03-13 2018-10-10 Japan Science and Technology Agency Method and device for visualizing distribution of local electric field
JP5227643B2 (ja) * 2008-04-14 2013-07-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ 高分解能でかつ高コントラストな観察が可能な電子線応用装置
EP2211366B1 (en) * 2009-01-23 2011-10-19 ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH High resolution gas field ion column
US8222600B2 (en) * 2009-05-24 2012-07-17 El-Mul Technologies Ltd. Charged particle detection system and method
JP5694317B2 (ja) * 2009-07-17 2015-04-01 ケーエルエー−テンカー・コーポレーションＫｌａ−Ｔｅｎｃｏｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 荷電粒子エネルギー分析器装置および方法
JP5292348B2 (ja) * 2010-03-26 2013-09-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 複合荷電粒子線装置
KR101411119B1 (ko) * 2010-09-25 2014-06-25 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 하전 입자 빔 현미경
US8633457B2 (en) * 2011-06-30 2014-01-21 Kla-Tencor Corporation Background reduction system including louver
JP6035928B2 (ja) * 2012-07-12 2016-11-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201411681A (zh) 2014-03-16
EP2682978A1 (en) 2014-01-08
US20130320228A1 (en) 2013-12-05
US20140191127A1 (en) 2014-07-10
US8963084B2 (en) 2015-02-24
EP2682978B1 (en) 2016-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10522327B2 (en) Method of operating a charged particle beam specimen inspection system
US11984295B2 (en) Charged particle assessment tool, inspection method
TWI488211B (zh) 帶電粒子偵測裝置、帶電粒子束裝置及其操作方法
TWI523063B (zh) 帶電粒子偵測器配置以及操作帶電粒子偵測器配置之方法
TWI767443B (zh) 用於形成影像之非暫時性電腦可讀媒體
TWI829901B (zh) 多射束裝置及量測多射束裝置中之射束電流之方法
US20230238215A1 (en) Charged-particle multi-beam column, charged-particle multi-beam column array, inspection method
KR101922004B1 (ko) 이온 비임 생성을 위한 혁신적인 소스 조립체
TW202338342A (zh) 帶電粒子評估工具及檢測方法
TWI790955B (zh) 在帶電粒子設備中獲得光學量測的設備
EP4306945A1 (en) Method of assessing a sample, apparatus for assessing a sample
EP3975222A1 (en) Charged particle assessment tool, inspection method
EP4391006A1 (en) Charged particle apparatus, method of projecting charged particles, method of assessing a sample
EP4383308A1 (en) Electron-optical stack, module, assessment apparatus, method of manufacturing an electron-optical stack
TW202300906A (zh) 資料處理裝置及方法以及帶電粒子評估系統及方法
TW202309965A (zh) 帶電粒子光學裝置、帶電粒子設備及方法
TW202307901A (zh) 帶電粒子設備及方法
TW202338497A (zh) 產生樣本圖的方法、電腦程式產品、帶電粒子檢測系統、用於處理樣本的方法、評估方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees