TWI515861B - 具有整合通孔元件的導體結構 - Google Patents

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Description

具有整合通孔元件的導體結構
本說明書裡面所揭示的一或多項實施例係關於一種用於使用在電氣電路裡面的導體結構。更明確地說，本發明的一或多項實施例係關於利用通孔技術來形成導體結構。
電氣電路製程持續的進步有助於利用越來越小(越精細)的設計規則來創造越來越小的裝置。舉例來說，參考利用有機基板的積體電路(Integrated Circuit，IC)技術，多條精細的線路走線可被形成約為20μm的量級。同樣地，設計規則中指定之間隔約可為20μm的量級。相對地，一電氣電路的介電層的厚度(不論係利用印刷電路板(Printed Circuit Board，PCB)技術或IC技術來施行)將會越來越薄。再次參考IC技術，一介電層的厚度約為30μm的量級。
在前面提及的特徵圖樣大小和精細設計規則的前提下，符合100歐姆差動阻抗目標的差動通道的施行方式通常會有約25μm大小的窄走線寬度以及約15至20μm大小的走線高度。利用具有前面所述量度的一或多條走線所形成的通道可能會遭受各種不同類型的損失，它們會影響該通道傳遞信號的能力，尤其是在高頻處。
如前面所述的通道可能會遭受各種不同類型的損失，它們包 含但不限於：因為介電材料的關係所誘發的介電損失、因為該(等)走線的表面上之任何粗糙的關係所誘發的損失以及因為集膚效應(skin effect)所造成的損失。一般來說，「集膚效應」係指交流電流(舉例來說高頻信號)將本身分佈在一導體裡面而使得電流密度在該導體的表面處或該導體的表面附近會最大並且從該導體的表面往中心的更深處遞減的傾向。電流主要係在該導體(舉例來說，該走線)的「表皮(skin)」處或之中流動。「表皮」可被定義成導體中介於外表面和導體裡面被稱為表皮深度的水平之間的部分。集膚效應會在表皮深度較小的地方導致導體的有效阻值在較高的頻率增加，從而縮小該導體的有效剖面。
本說明書裡面所揭示的一或多項實施例係關於一種用於使用在電氣電路裡面的導體結構；而且更明確地說，係關於利用通孔技術來形成導體結構。
本發明的一實施例可能包含一種電氣電路結構。該電氣電路結構可能包含一利用第一導體層所形成的第一走線以及一利用第二導體層所形成的第二走線。該第一走線可能會垂直對齊該第二走線。該電氣電路結構可能包含一由介於該第一導體層和該第二導體層之間的第三導體層之中的導體材料所形成的通孔區段。該通孔區段會接觸該第一走線和該第二走線，以便形成一被配置成用以在平行於該第一導體層的方向中傳送一電氣信號的第一導體結構。
於其中一項態樣中，該通孔區段可能會垂直對齊該第一走線和該第二走線。於另一項態樣中，該通孔區段在平行於該第一走線和該第 二走線的方向中會比在垂直於該第一走線和該第二走線的方向中更長。
該電氣電路結構可能包含一由介於該第一導體層和該第二導體層之間的第三導體層之中的導體材料所形成的通孔元件。該通孔元件會接觸第一走線和第二走線作為該第一導體結構之一部分。該通孔元件可能會與該通孔區段分離一最小距離。該通孔元件還可能會垂直對齊該第一走線和該第二走線。
於另一項態樣中，該電氣電路結構可能包含一位於該第二走線之下的第一參考平面，用以形成一微帶電路(microstrip circuit)。於又一項態樣中，該電氣電路結構可能包含一位於該第一走線之上的第一參考平面以及一位於該第二走線之下的第二參考平面，用以形成一帶狀線電路(stripline circuit)。
該電氣電路結構還可能包含一法拉第籠(Faraday cage)，其會至少部分包圍該第一導體結構。
該電氣電路結構進一步可能包含一利用第一導體層所形成的第三走線以及一利用第二導體層所形成的第四走線。該第三走線會垂直對齊該第四走線。該電氣電路結構可能包含一由介於該第一導體層和該第二導體層之間的第三導體層之中的導體材料所形成的通孔元件。該通孔元件會接觸該第三走線和該第四走線，以便形成第二導體結構。
於另一項態樣中，該第一導體結構和該第二導體結構會形成一差動對。
本發明的另一實施例可能包含一種電氣電路結構。該電氣電路結構可能包含一利用第一導體層所形成的第一走線以及一利用第二導體 層所形成的第二走線。該第一走線會垂直對齊該第二走線。該電氣電路結構可能包含由介於該第一導體層和該第二導體層之間的第三導體層之中的導體材料所形成的複數個通孔元件。該等複數個通孔元件中的每一個通孔元件都會接觸該第一走線和該第二走線，以便形成一被配置成用以在平行於該第一導體層的方向中傳送一電氣信號的整合導體結構。
於其中一項態樣中，該複數個通孔元件中的每一個通孔元件都會垂直對齊該第一走線和該第二走線。
於另一項態樣中，該電氣電路結構可能包含一位於該第二走線之下的第一參考平面，用以形成一微帶電路。
於又一項態樣中，該電氣電路結構可能包含一位於該第一走線之上的第一參考平面以及一位於該第二走線之下的第二參考平面，用以形成一帶狀線電路。
該電氣電路結構還可能包含一法拉第籠，其會至少部分包圍該整合導體結構。
本發明的另一實施例可能包含一電氣電路。該電氣電路可能包含一導體結構。該導體結構可能包含一利用第一導體層所形成的第一走線以及一利用第二導體層所形成的第二走線。該第一走線會垂直對齊該第二走線。該電氣電路可能包含一由介於該第一導體層和該第二導體層之間的第三導體層之中的導體材料所形成的第一通孔元件。該第一通孔元件會接觸該第一走線和該第二走線，以便形成一作為一傳輸通道之一部分的整合導體結構，其會被配置成用以在平行於該第一導體層的方向中傳送一電氣信號。
該電氣電路可能包含一由介於該第一導體層和該第二導體層之間的第三導體層之中的導體材料所形成的第二通孔元件。該第二通孔元件會接觸該第一走線和該第二走線，作為該整合導體結構的一部分。
於其中一項態樣中，該電氣電路可能包含一位於該第二走線之下的第一參考平面，用以形成一微帶電路。
於另一項態樣中，該電氣電路可能包含一位於該第一走線之上的第一參考平面以及一位於該第二走線之下的第二參考平面，用以形成一帶狀線電路。
100-1~100-3‧‧‧導體結構
105-1~105-3‧‧‧(第一)走線
110-1~110-3‧‧‧(第二)走線
115-1~115-3‧‧‧通孔區段
120-1‧‧‧高度
125-1‧‧‧長度
130-1‧‧‧寬度
135-1‧‧‧總高度/最終高度
200‧‧‧導體結構
205‧‧‧(第一)走線
210‧‧‧(第二)走線
215,220,225‧‧‧通孔區段
230‧‧‧距離/間隔
300‧‧‧導體結構
305‧‧‧(第一)走線
310‧‧‧(第二)走線
315,320,325,330‧‧‧通孔
340‧‧‧距離/間隔
400‧‧‧結構
405‧‧‧(頂端)參考平面
410,415‧‧‧導體層
410A-410D‧‧‧走線
415A-415D‧‧‧走線
420‧‧‧(底部)參考平面
425,430,435‧‧‧絕緣層
430A-430D‧‧‧通孔元件
500‧‧‧結構
505‧‧‧(頂端)參考平面
510,515‧‧‧導體層
510A-510D‧‧‧走線
515A-515D‧‧‧走線
520‧‧‧(底部)參考平面
525,530,535‧‧‧絕緣層
525A,525D‧‧‧通孔元件
530A-530D‧‧‧通孔元件
535A-535D‧‧‧通孔元件
600‧‧‧結構
605‧‧‧(頂端)參考平面
610,615‧‧‧導體層
610A-610D‧‧‧走線
615A-615D‧‧‧走線
620‧‧‧(底部)參考平面
625,630,635‧‧‧絕緣層
625A,625D,625G,625J‧‧‧通孔元件
630A-630J‧‧‧通孔元件
635A,635D,635G,635H‧‧‧通孔元件
700‧‧‧結構
705,710‧‧‧導體層
705A-705D‧‧‧走線
710A-710D‧‧‧走線
715,720‧‧‧參考平面
725,730,735‧‧‧絕緣層
725A-725D‧‧‧通孔元件
730A,730D‧‧‧通孔元件
800‧‧‧結構
805,810‧‧‧導體層
805A-805J‧‧‧走線
810A-810J‧‧‧走線
815,820‧‧‧參考平面
825,830,835‧‧‧絕緣層
825A-825J‧‧‧通孔元件
830A,830D,830G,830J‧‧‧通孔元件
H,H1‧‧‧厚度
W‧‧‧寬度
S,S1‧‧‧間隔
圖1-1所示的係根據本說明書裡面所揭示的一實施例的導體結構的第一立體圖。
圖1-2所示的係根據本說明書裡面所揭示的另一實施例的導體結構的第二立體圖。
圖1-3所示的係根據本說明書裡面所揭示的另一實施例的導體結構的第三立體圖。
圖2所示的係根據本說明書裡面所揭示的另一實施例的導體結構的第四立體圖。
圖3所示的係根據本說明書裡面所揭示的另一實施例的導體結構的第五立體圖。
圖4所示的係根據本說明書裡面所揭示的另一實施例的結構的第一剖面圖。
圖5所示的係根據本說明書裡面所揭示的另一實施例的結構的第二剖面圖。
圖6所示的係根據本說明書裡面所揭示的另一實施例的結構的第三剖面圖。
圖7所示的係根據本說明書裡面所揭示的另一實施例的結構的第四剖面圖。
圖8所示的係根據本說明書裡面所揭示的另一實施例的結構的第五剖面圖。
本說明書雖然最後以定義被視為新穎概念的一或多項實施例之特點的申請專利範圍作為結論；不過，咸信，配合前面圖式來討論本發明之說明會更瞭解該等一或多項實施例。根據需要，本發明會於本說明書裡面揭示一或多項詳細實施例。然而，應該明白的是，該等一或多項實施例僅為示範性。所以，本說明書裡面所揭示的明確結構性和功能性細節不應被解釋為限制性；相反地，僅應被解釋為申請專利範圍的基礎並且當作用於教示熟習本技術的人士在實際上任何適當詳述結構之中以不同方式運用該等一或多項實施例的代表性基礎。進一步，本文中所使用的術語和詞組並沒有限制意義；而是提供本文中所揭示的該等一或多項實施例的可理解的說明。
本說明書裡面所揭示的一或多項實施例係關於一種用於使用在電氣電路裡面的導體結構；且更明確地說，係關於利用通孔技術來形成導體結構。根據本說明書裡面所揭示的一或多項實施例，一導體結構可 以利用複數條走線來形成。舉例來說，兩條走線會垂直對齊，每一條皆位於一電氣電路的一不同導體層之中。一通孔區段會被形成在該等兩條走線之間，其會接觸每一條個別的走線，用以形成一導體結構，該導體結構系一整合且單一的一體成形導體結構。該導體結構的剖面積大於習知走線的剖面積。最終的導體結構能夠提供改善的效能，舉例來說，低損失，尤其是針對高頻應用。
本說明書裡面所揭示的一或多項實施例可以利用能夠以習知方式來形成介於導體層之間的一(或多個)通孔的形狀的製造技術來施行，舉例來說，將它們的形狀形成成隔離點狀、柱狀、或是圓柱狀；而且還可以利用通孔形狀沒有諸多限制的製造技術來施行。舉例來說，有一或多種製造技術允許形成任何自由外形形狀的一(或多個)通孔，例如，走線、方塊體、立方體、長方體、或是它們的輕微變化(舉例來說，每一個角未必為確切90度)、平面、或是類似物。據此，如本說明書裡面所述的傳輸通道可以利用如本文中所述的一(或多個)通孔被施行成一差動式導體結構或是一單端導體結構。
不論係被施行在IC的封裝基板之中或是被施行在印刷電路板(PCB)之中，本說明書裡面所揭示的導體結構皆可被用來形成高頻傳輸通道。舉例來說，高頻傳輸通道的範例可能包含能夠利用一「通孔層」來創造或形成帶狀線與微帶走線。除了提供更大的剖面積之外，該等導體結構還能夠被配置成用以提供標準的阻抗。舉例來說，該等導體結構可能會被配置成用以提供100歐姆的差動阻抗。其它特徵(例如，利用低損失介電質以及經過平滑化的表面輪廓)能夠產生適合在高頻處操作的超低損失傳輸通 道。舉例來說，本說明書裡面所述的傳輸通道能夠被用來傳輸速率從每秒約一百九十億個位元(19 Gigabits Per Second，19 Gbps)上達每秒約五百六十億個位元(56 Gbps)的信號。顯見的係，該等結構亦能夠傳送較小速率或頻率的信號。
此外，本說明書裡面所揭示的該等導體結構的直流(Direct Current，DC)阻值也會因為達到較大剖面積的關係而減少。當使用約15mm至約25mm的傳輸通道長度時，本說明書裡面所揭示的一或多項實施例，舉例來說，能夠在約10GHz至25GHz的信號中達到1.5db的插入損失(insertion loss)。明確地說，當使用損耗因數(Dissipation Factor，DF)約0.008(或是落在約0.01至0.003的範圍內)的低損失介電質以及能夠達到接近2000A(舉例來說，落在約500A至2000A的範圍內)平滑度的表面製程時便可以達到此位準的插入損失。
圖1-1所示的係根據本說明書裡面所揭示的一實施例的導體結構100-1的第一立體圖。導體結構100-1係能夠被施行在一IC裡面(舉例來說，被施行在封裝基板之中)或是一PCB裡面的導體的範例。如圖中所示，導體結構100-1係一整合導體結構，其可能包含或是由以下所組成：走線(舉例來說，第一走線)105-1、走線(舉例來說，第二走線)110-1以及通孔區段115-1。
走線105-1會利用該電氣電路的第一導體層來施行。走線110-1會利用該電氣電路的第二且不同的導體層來施行。每一個導體層皆會被施行成平行於由x軸和y軸所定義的平面。能夠被用來形成一導體層的導體材料的其中一種範例可能為金屬，例如，銅。舉例來說，該第一導體 層和該第二導體層能夠被施行在一IC或是一PCB裡面，其中，該等兩個導體層會被一絕緣層(舉例來說，一介電層)分離。一般來說，走線105-1和走線110-1會經由一電氣電路製程移除每一個個別導體層中的多個部分，而在第一導體層和第二導體層中留下一會分別包含走線105-1和走線110-1的「已圖樣化層」而被形成。
如前面所提，該第一導體層和該第二導體層可能會被一絕緣層分離。於某些情況中，用以分離兩個連續導體層的絕緣層會被稱為通孔層。能夠使用的介電材料的範例可能包含但不限於：半固化片型(其包含具有支撐玻璃纖維的類型)、薄膜型(其包含ABF薄膜)或是陶瓷型。
該通孔層可被用來形成一或多個通孔元件，它們會被配置成用以將走線105-1電氣耦合至走線110-1。一般來說，「通孔元件」係指一電氣電路之中介於不同層的導體或是不同的導體層之間的垂直電氣連接線。於某些情況中，舉例來說，在IC裡面，「通孔」一詞可能係指一被形成在該絕緣層裡面的開口，在該開口裡面會形成導體材料以便施行該垂直電氣連接線。如本說明書裡面的用法，「通孔」、「通孔元件」或是「通孔區段」等用詞係指垂直的、物理的以及電氣連接線，並非僅表示會在其中形成連接的開口。
為達解釋和方便說明之目的，「通孔元件」一詞係用來表示習知的通孔和通孔區段兩者。「通孔區段」一詞係用來表示以自由外形形式來設計形狀的通孔，其並不受限於習知通孔之特徵的柱狀、圓柱狀、插塞(plug)狀、或是點狀(實質上為球狀)。舉例來說，一通孔區段可能會被形成走線、方塊體、立方體、長方體、平面、或是被形成在一絕緣層之中的類 似物。「通孔」一詞則係用來表示習知的通孔。
於其中一項態樣中，會利用一種製程來形成多個通孔區段，其中，用來形成走線110-1、通孔區段115-1以及走線105-1的各種金屬層係利用一連串的已圖樣化金屬層來形成。每一層皆會被形成一已圖樣化金屬層，舉例來說，其包含於其中形成通孔區段115-1的該層。多層會利用光阻技術來形成，舉例來說，從而允許形成通孔區段115-1的自由外形形狀，如同走線105-1和110-1每一者的情況。就此方面來說，其中形成通孔區段115-1的層係利用一和用以形成走線105-1與110-1的金屬層分離且不同的金屬層來創造。在形成其中形成著走線105-1、通孔區段115-1以及走線110-1的金屬層所組成之堆疊結構之後，接著，便會移除過剩的材料(舉例來說，金屬)，用以形成導體結構100-1，舉例來說，其會被建構在一基礎材料或基板的一表面上。接著，如前面所述的絕緣材料(舉例來說，氧化物介電材料)便會被填入用以包圍導體結構100-1。
為達解釋之目的，圖1之中並沒有圖解各種類型的金屬層。舉例來說，圖中並沒有顯示可被併入用以在金屬層和介電材料之間達成改善黏著效果的金屬黏著層。進一步言之，圖中亦沒有顯示可被併入的屏障金屬層。在圖式中，一第一金屬黏著層可被形成在走線110-1之下，而且一第二金屬黏著層可被形成在走線105-1和通孔區段115-1之間。一屏障金屬層可被形成在走線110-1和通孔區段115-1之間，或是類似作法。應該明白的是，本說明書針對用於建構導體結構100-1所提供的範例僅係為達解釋之目的，因此，其並沒有限制的意圖。亦可以使用其它技術來形成導體結構100-1。
如圖1-1之中所示，通孔區段115-1的形狀可為長方體，而且長度125-1超過寬度130-1。一般來說，走線105-1會垂直對齊走線110-1。倘若沒有完全相同的話，走線105-1的形狀亦進一步能夠被設計成實質上雷同於走線110-1，舉例來說，具有相同的寬度和高度。通孔區段115-1可能具有和走線105-1與110-1相同的寬度。通孔區段115-1會垂直對齊走線105-1與走線110-1兩者。進一步言之，通孔區段115-1會接觸走線105-1的下表面並且會接觸走線110-1的頂端表面。在圖中所示的範例中，通孔區段115-1係被形成矩形的形狀，其會和走線105-1與走線110-1的長邊形狀與方向一致。利用依此方式所形成的通孔區段115-1，舉例來說，形狀如同一走線，導體結構100-1便會形成一包含走線105-1、走線110-1以及通孔區段115-1的整合導體結構。應該明白的是，走線105-1、走線110-1以及通孔區段115-1會垂直對齊，俾使得當從頭頂上觀看時會出現單一導體(舉例來說，僅會看見走線105-1)，因為每一者都遵循會在作為該整合導體結構100-1之一部分的x-y平面之中的任何各種方向中前進的相同信號路徑或樣板。
一般來說，一通孔區段(例如，通孔區段115-1)的特徵係該通孔區段的形狀會對應一走線在該x-y平面之中的任何各種方向中所擁有的形狀或路徑。舉例來說，走線105-1和走線110-1能夠在該x-y平面裡面延伸並且彎折任何各種角度(舉例來說，45及/或90度)，通孔區段115-1則會被施行成用以遵循該相同路徑。因此，舉例來說，導體結構100-1能夠用來將來自一晶粒凸塊位置的一(或多個)信號連接至一目標封裝接針位置。
該通孔區段的長度通常會超過寬度，並且會超過該寬度相當大的數量。舉例來說，一通孔區段可能會在x-z平面之中具有矩形或方形剖 面。一通孔區段可能會在x-y平面之中具有矩形剖面(而在某些情況中會具有方形剖面)。舉例來說，一通孔區段的長度通常可能會係該通孔區段的寬度的兩倍、三倍、或是更多倍。因此，參考圖1-1的座標系統，一通孔區段在平行於用以形成該導體結構的上下走線的方向(y方向)中可能會比在與其垂直的方向(舉例來說，x方向與z方向中其中一者或兩者)中更長。進一步應該明白的是，圖中大體上顯示的通孔區段雖然有鋒利的轉角(舉例來說，90度)；不過，通孔區段的邊緣亦可能為平滑或圓角。
對照之下，一通孔將會在x-y平面之中具有圓形形狀或球形形狀的剖面。進一步言之，一通孔通常在該通孔頂端處的直徑會不同於在該通孔底部處的直徑。因此，一通孔在x-z平面之中的剖面便不會是方形或矩形。
如圖所示，導體結構100-1的總高度135-1超過通常僅被用來形成一導體的單一走線(舉例來說，走線105-1)的高度120-1。導體結構100-1的最終高度135-1包含兩倍的單一走線高度120-1加上通孔區段115-1的高度。導體結構100的最終剖面積提供增加的表面積，其超過單一走線的表面積。此增加的表面積的意義為導體結構100-1比較不容易受到集膚效應的影響並會於當作高頻導體時提供改善的效能。
一般來說，導體結構100-1能夠以在其中被傳導的電氣信號的方向來特性化。導體結構100-1能夠在平行於該x-y平面的任何方向中攜載信號，和平行於z軸(並且垂直於該x-y平面)的方向相反。因此，導體結構100-1能夠用來在平行於被用來創造內含導體結構100-1的積體電路的層的平面之中傳導信號，和在習知通孔技術情況中於垂直方向中攜載信號相 反。
圖1-2所示的係根據本說明書裡面所揭示的另一實施例的導體結構100-2的第二立體圖。導體結構100-2實質上能夠如參考圖1-1及導體結構100-1所述般來施行，例外的是，通孔區段115-2的寬度(或是直徑)窄於走線105-2和走線110-2的寬度。因此，走線105-2和110-2中的每一者會被視為「伸出在通孔區段115-2之上」。通孔區段115-2仍舊會垂直對齊走線105-2和走線110-2兩者，從而創造一I形樑類型的架構。
於其中一項態樣中，通孔區段115-2的寬度小於走線105-2和110-2可能係一種特殊製程技術的結果。進一步，通孔區段115-2的較小寬度可能會保持在一特殊範圍裡面，舉例來說，走線105-2及/或110-2之寬度百分比。舉例來說，走線105-2和110-2的寬度可能為約60μm，而通孔區段115-2的寬度可能為約40μm。應該明白的是，本文中所揭示的特殊寬度僅係被提供用來達到解釋之目的，且因此，並沒有限制本文中所揭示之一或多項實施例的意圖。
圖1-3所示的係根據本說明書裡面所揭示的另一實施例的導體結構100-3的第三立體圖。導體結構100-3實質上能夠如參考圖1-1圖及導體結構100-1所述般來施行，例外的係，通孔區段115-3的寬度(或是直徑)大於走線105-3和走線110-3的寬度。因此，通孔區段115-3會被視為「伸出在走線105-3和110-3中的每一者之上」。通孔區段115-3仍舊會垂直對齊走線105-3和走線110-3兩者。
於其中一項態樣中，通孔區段115-3的寬度大於走線105-3和110-3可能係一種特殊製程技術的結果。進一步言之，通孔區段115-3的 較大寬度可能會保持在一特殊範圍裡面，舉例來說，走線105-3及/或110-3之寬度的百分比。舉例來說，走線105-3和110-3的寬度可能為約40μm，而通孔區段115-3的寬度可能為約60μm。應該明白的是，本文中所揭示的特殊寬度僅係被提供用來達到解釋之目的，且因此，並沒有限制本文中所揭示之一或多項實施例的意圖。
圖2所示的係根據本說明書裡面所揭示的另一實施例的導體結構200的第四立體圖。導體結構200係能夠被施行在一IC裡面或是一PCB裡面作為一電氣電路之一部分的導體的範例。如圖中所示，導體結構200係一整合導體結構，其可能包含：走線(舉例來說，第一走線)205、走線(舉例來說，第二走線)210以及複數個通孔區段215、220以及225。
導體結構200在和走線有關的量度及結構性態樣方面可能實質上雷同於圖1的導體結構100。然而，和導體結構100不同的是，其使用複數個通孔區段，而不是單一、連續的通孔區段。於其中一項態樣中，通孔區段215至225中的每一者可能有相同(或實質上相同)的長度。通孔區段215至225中的每一者在y方向中的長度雖然仍可能超過通孔區段215至225中的每一者在x方向中的寬度；然而，於其中一項態樣中，通孔區段215至225的形狀並非係長方體，相反地，通孔區段215至225可能為方塊體。通孔區段215可能會和通孔區段220以標示成230的距離或間隔分離。同樣地，通孔區段220可能會和通孔區段225以距離或間隔230分離。應該明白的是，導體結構200可被施行成用以延續更多的通孔區段並且在y方向之中延伸走線205和210，以便達到所希望的長度。如前面的討論，導體結構200能夠延續在x-y平面裡面的任何方向中，而在某個特殊方向(舉例來說，y 方向)中的延續則僅係為達解釋之目的。
於其中一項態樣中，通孔區段215至225中每一者的長度會受到限制，用以確保導體結構200會保持物理完整性。舉例來說，通孔區段215至225中每一者的長度可能會被限制在約2毫米。舉例來說，距離或間隔230可能為約100μm。於另一範例中，該間隔可能為約180μm、200μm、或是類似長度。據此，導體結構200圖解一種整合導體結構，其中，走線205和走線210為連續性，但是，該通孔區段則不是。
應該明白的是，一通孔區段的最大長度和所使用的特殊電氣電路製造技術以及和該電氣電路上的應力效應及類似效應有關的其它結構性考量有函數關係。因此，通孔區段的2毫米長度限制以及通孔區段之間的100μm間隔僅係被提供用來達到解釋之目的，而並沒有限制本說明書裡面所揭示之實施例的意圖。
於另一項態樣中，介於連續通孔區段對之間的間隔並不需要相同。舉例來說，於某些情況中，該間隔可能為不規律，因為介於第一對連續通孔區段之間的間隔可能會不同於介於第二對(下一對)連續通孔區段之間的間隔。於某些情況中，該間隔可能會根據所希望的電氣特性來決定，舉例來說，導體結構200的損失及/或阻抗。進一步，在間隔符合導體結構200的機械性(舉例來說，物理性)需求而避免在該等通孔區段中發生斷裂或是其它非故意的機械性裂痕的前提下，可以讓通孔區段之間的間隔變大或變小，以便改變導體結構200的阻抗。同樣地，通孔區段亦能夠改變長度，以便達到所希望的阻抗。
圖3所示的係根據本說明書裡面所揭示的另一實施例的導 體結構300的第五立體圖。導體結構300係能夠被施行在一IC裡面或是一PCB裡面的導體的範例。如圖中所示，導體結構300係一整合導體結構，其可能包含：走線(舉例來說，第一走線)305、走線(舉例來說，第二走線)310以及複數個通孔315、320、325以及330。
導體結構300在和走線有關的量度及結構性態樣方面可能實質上分別雷同於圖1的導體結構100和圖2的導體結構200。和導體結構100不同的是，其會使用複數個通孔；和使用通孔區段的導體結構200不同的是，導體結構300係使用通孔(舉例來說，習知的通孔)來耦合走線305和走線310。導體結構300能夠利用支援創造習知通孔的電氣電路製作技術來形成，而不是能夠創造通孔區段而有效形成一用以耦合兩條走線的細長通道或是走線形狀的電氣電路製作技術。據此，通孔315至330中的每一者都會被施行成一習知通孔。因此，通孔315至330中的每一者都會有圓形邊，俾便會被施行成一圓柱體或是柱狀體，其包含卵形或橢圓形柱狀體(長軸或大於短軸)。
於其中一項態樣中，通孔315可能會和通孔320以標示成340的距離或間隔分離。通孔320可能會和通孔325以距離或間隔340分離。通孔325可能會和通孔330以距離或間隔340分離。然而，應該明白的是，如參考圖2的討論，介於連續通孔對之間的間隔並不需要相同或恆定。
於又一實施例之中，一導體結構可能會使用通孔和通孔區段的組合來施行。舉例來說，走線(例如，走線305和走線310)可能會利用一對通孔元件(舉例來說，一通孔和一通孔區段)來耦合。依此方式，被用來形成該導體結構的通孔元件可交替使用通孔和通孔區段。進一步，舉例來說， 必要時可以使用通孔/通孔區段的圖樣來控制一電氣電路裡面的阻抗。
圖4所示的是根據本說明書裡面所揭示的另一實施例的結構400的第一剖面圖。結構400是利用參考本說明書的圖1至3所述的任何導體結構所施行的高頻傳輸通道的一種範例。結構400施行一種帶狀線類型的電路，其中，一或多個導體結構會被設置在兩個平行參考平面之間，舉例來說，兩個平行導體層。如本說明書裡面的用法，「參考平面」一詞可能係指一接地平面或是一電力平面。
如圖所示，結構400包含頂端參考平面405、導體層410、導體層415以及底部參考平面420。參考平面405和420中的每一者可能是由導體層所形成或可能被施行為導體層。導體層410和415可能是會形成一或多條走線於其中的已圖樣化層。參考平面405可能會和導體層410藉由絕緣層425而分離。導體層410可能會和導體層415藉由絕緣層430而分離。最後，導體層415可能會和參考平面420藉由絕緣層435而分離。多個通孔元件(舉例來說，通孔及/或通孔區段)可能會被施行在絕緣層425、430及/或435的任何一者之中。
利用一特定導體層所形成的每一條走線都以該導體層的元件符號結合一字母來表示，該字母代表以該走線為其一部分的特定結構。舉例來說，由導體層410所形成的走線會標示為410A、410B、410C以及410D。通孔元件則會以一對應於其中會施行該等通孔元件之特定層的元件符號(舉例來說，430)結合一字母來表示，該字母代表以該通孔元件為其一部分的特定結構。在本說明書的其餘圖式之中的元件符號皆使用此項標準。
結構400包含一導體結構B以及一導體結構C。導體結構B 可能係由走線410B、走線415B以及通孔元件430B所形成，通孔元件430B係位於走線410B和415B之間並且接觸走線410B和415B。導體結構C可能係由走線410C、走線415C以及通孔元件430C所形成，通孔元件430C係位於走線410C和415C之間並且接觸走線410C和415C。於某一種排列中，導體結構B和C會形成一差動對。
於另一項態樣中，導體結構B和C中的每一者皆會被包含在一利用導體結構A和D所形成的法拉第籠裡面。舉例來說，導體結構A和D可能代表圖中以剖面顯示的一連續導體結構的兩側，該連續導體結構會包圍導體結構B和C頂端和底部除外的所有側邊。因此，導體結構A和D代表導體「壁」，它們係被形成用以至少部分圍繞或包圍導體結構B和C。在圖4之中所示的範例中，該法拉第籠的壁部(舉例來說，導體結構A和D)具有和導體結構B和C相同的高度，並且水平對齊導體結構B和C。
為達解釋之目的，一典型的絕緣(舉例來說，介電質)層厚度(H)可能為約50μm。一典型的導體層厚度(且因此為一走線厚度)(H1)可能為約15μm。因此，舉例來說，導體結構B的高度為約15μm+50μm=65μm。一走線的寬度(W)可能為約40μm。介於走線之間的間隔(S)可能為約80μm。從導體B至一共平面的回返平面(法拉第籠以及導體A)的間隔(S1)可能為約80μm。因此，導體結構B的剖面寬度(周長)為約65μm×2+40μm×2=210μm。
對照之下，一習知走線(舉例來說，單獨走線410B)的剖面寬度(周長)為約40μm×2+15μm×2=110μm。使用較寬走線的其它技術，例如省略層(skip-layer)技術，則會將該走線寬度從約40μm增加至約70μm。據 此，使用省略層技術，一走線的剖面寬度仍為約70μm×2+15μm×2=170μm。據此，舉例來說，導體結構B和C會提供較大的表面積(從而會減少集膚效應)並且會進一步提供改善的走線密度(舉例來說，改善的通道間距)。
應該明白的是，該等寬度、高度以及間隔量度僅係被提供用來達到解釋之目的，而沒有限制本說明書裡面所揭示之一或多項實施例的意圖。該量度能夠經由模型化以及特性化來進行修正或調整，以便達到單端導體及/或差動對的所希望阻抗目標，例如以100歐姆為例。進一步言之，該等量度亦能夠經由變更介電常數來改變，在上面所使用之介電材料的範例中的介電常數假設為約3.2至3.4。
於另一實施例之中，結構400會被施行成一單端傳輸通道。舉例來說，導體結構B或是導體結構C可能會被移除，俾使得僅有單一導體結構(也就是B或C)會被包含在導體結構A與D之間。於一單一導體結構之中，該導體結構可能會被置中在該法拉第籠的壁部之間。
如參考圖1的討論，導體結構A、B、C以及D可能會藉由建立已圖樣化的金屬層而被形成。一旦導體結構A、B、C以及D被形成之後，絕緣層430和425便會被加入或是填充。因此，鑒於習知技術在形成將於其中設計走線的金屬層時，於已被放置在基底上的絕緣層之中創造多個開口並且允許金屬流入該等開口之中用以創造通孔，絕緣層430和425會在導體結構A、B、C以及D形成之後才被建立，以便包圍導體結構A、B、C以及D。
圖5所示的係根據本說明書裡面所揭示的另一實施例的結構500的第二剖面圖。結構500係利用參考本說明書的圖1至3所述的任何 導體結構所施行的高頻傳輸通道的一種範例。結構500施行一種帶狀線類型的電路，其中，一或多個導體結構會被設置在兩個平行參考平面之間。
如圖所示，結構500包含一頂端參考平面505、一導體層510、一導體層515以及一底部參考平面520。參考平面505和520中的每一者可能由一導體層所形成或是會被施行為一導體層。導體層510和515可能係其中會形成一或多條走線的已圖樣化層。參考平面505可能會和導體層510藉由一絕緣層525而分離。導體層510可能會和導體層515藉由一絕緣層530而分離。最後，導體層515可能會和參考平面520藉由一絕緣層535而分離。通孔元件(舉例來說，通孔及/或通孔區段)可能會被施行在絕緣層525、530及/或535的任何一者之中。
結構500包含一導體結構B以及一導體結構C。導體結構B可能由走線510B、走線515B以及通孔元件530B所形成，通孔元件530B位於走線510B和510C之間並且接觸走線510B和510C。導體結構C可能由走線510C、走線515C以及通孔元件530C所形成，通孔元件530C位於走線510C和515C之間並且接觸走線510C和515C。於某一種排列中，導體結構B和C會形成一差動對。
如圖所示，導體結構B和C中的每一者皆會被包含在一利用導體結構A和D所形成的法拉第籠裡面。舉例來說，導體結構A可能係由通孔元件525A、530A、535A以及走線510A和515A所形成。導體結構D可能係由通孔元件525D、530D、535D以及走線510D和515D所形成。應該明白的是，導體結構A和D每一者可能從參考平面505至參考平面520形成一連續結構，舉例來說，一壁部；而且應該明白的是，導體結構A和 D中的每一者皆耦合參考平面505和520兩者。舉例來說，導體結構A和D可能代表圖中以剖面顯示的一連續導體結構的兩側，該連續導體結構會包圍導體結構B和C的所有側邊，頂端和底部除外。因此，導體結構A和D代表導體「壁」，它們係被形成用以至少部分圍繞或包圍導體結構B和C。在圖5之中所示的範例中，導體結構A和D的高度超過導體結構B和C的高度。如圖所示，導體結構A和D中的每一者會延伸至比導體結構B和C更高處以及更低處。
於另一實施例之中，結構500會被施行成一單端傳輸通道。舉例來說，導體結構B或是導體結構C可能會被移除，俾使得僅有單一導體結構(也就是，B或C)會被包含在導體結構A與D裡面。於一單一導體結構的情況中，該導體結構可能會被置中在該法拉第籠的壁部之間。
圖6所示的係根據本說明書裡面所揭示的另一實施例的結構600的第三剖面圖。結構600係利用參考本說明書的圖1至3所述的任何導體結構所施行的高頻傳輸通道的一種範例。結構600施行多個帶狀線類型的電路，其中，每一個個別電路的一或多個導體結構都會被設置在兩個平行參考平面之間。
如圖所示，結構600包含一頂端參考平面605、一導體層610、一導體層615以及一底部參考平面620。參考平面605和620中的每一者可能係由一導體層所形成。導體層610和615可能係其中會形成一或多條走線的已圖樣化層。參考平面605可能會和導體層610藉由一絕緣層625而分離。導體層610可能會和導體層615藉由一絕緣層630而分離。最後，導體層615可能會和參考平面620藉由一絕緣層635而分離。通孔元件(舉例 來說，通孔及/或通孔區段)可能會被施行在絕緣層625、630及/或635的任何一者之中。
結構600包含三個導體結構對，舉例來說，差動對。第一對包含導體結構B和導體結構C。導體結構B可能係由走線610B、走線615B以及通孔元件630B所形成，通孔元件630B係位於走線610B和615B之間並且接觸走線610B和615B。導體結構C可能係由走線610C、走線615C以及通孔元件630C所形成，通孔元件630C係位於走線610C和615C之間並且接觸走線610C和615C。
第二對包含導體結構E和導體結構F。導體結構E可能係由走線610E、走線615E以及通孔元件630E所形成，通孔元件630E係位於走線610E和615E之間並且接觸走線610E和615E。導體結構F可能係由走線610F、走線615F以及通孔元件630F所形成，通孔元件630F係位於走線610F和615F之間並且接觸走線610F和615F。
第三對包含導體結構H和導體結構I。導體結構H可能係由走線610H、走線615H以及通孔元件630H所形成，通孔元件630H係位於走線610H和615H之間並且接觸走線610H和615H。導體結構I可能係由走線610I、走線615I以及通孔元件630I所形成，通孔元件630I係位於走線610I和615I之間並且接觸走線610I和615I。
導體結構B和C會被包含在一利用導體結構A和D所形成的法拉第籠裡面。導體結構A可能係由通孔元件625A、630A、635A以及走線610A和615A所形成。導體結構D可能係由通孔元件625D、630D、635D以及走線610D和615D所形成。應該明白的是，導體結構A和D每一者皆 可能從參考平面605至參考平面620形成一連續結構，舉例來說，一壁部；而且應該明白的是，導體結構A和D中的每一者皆耦合參考平面605和620兩者。
導體結構E和F會被包含在利用導體結構D和G所形成的另一法拉第籠裡面。導體結構G可能係由通孔元件625G、630G、635G以及走線610G和615G所形成。如圖所示，導體結構D會被併入圍繞導體結構B和C的法拉第籠並且也會被併入圍繞導體結構E和F的法拉第籠。應該明白的是，導體結構G會從參考平面605至參考平面620形成一連續結構，舉例來說，一壁部；而且應該明白的是，導體結構G會耦合參考平面605和620兩者。
導體結構H和I會被包含在利用導體結構G和J所形成的另一法拉第籠裡面。導體結構J可能係由通孔元件625J、630J、635J以及走線610J和615J所形成。應該明白的是，導體結構J會從參考平面605至參考平面620形成一連續結構，舉例來說，一壁部；而且應該明白的是，導體結構J會耦合參考平面605和620兩者。如圖所示，導體結構G會被併入圍繞導體結構E和F的法拉第籠並且也會被併入圍繞導體結構H和I的法拉第籠。
於另一實施例之中，結構600會被施行成一連串的單端傳輸通道。舉例來說，導體結構B或是導體結構C可能會被移除，俾使得僅有單一導體結構(也就是，B或C)會被設置在導體結構A與D之間。同樣地，導體結構E或是導體結構F可能會被移除，俾使得僅有單一導體結構(也就是，E或F)會被包含在導體結構D與G之間。最後，導體結構H或是導體 結構I可能會被移除，俾使得僅有單一導體結構(也就是，H或I)會被包含在導體結構G與J之間。
圖6所示的係一種支援高傳輸通道封裝密度的實施例。為達成較高的傳輸通道封裝密度同時保持良好的通道與通道隔離，在圖6圖解的配置之中，一用以施行一帶狀線配置的傳輸通道會達到3×W+2×S1+S的通道間距。利用前面針對圖4所提及的示範性量度，其能夠達到約360μm(3×40μm+2×80μm+80μm)的通道間距。
圖7所示的係根據本說明書裡面所揭示的另一實施例的結構700的第四剖面圖。結構700係利用參考本說明書的圖1至3所述的任何導體結構所施行的高頻傳輸通道的一種範例。結構700施行一種微帶類型的電路，其中一參考平面雖然會被施行在一或多個導體結構之下，但是在該一或多個導體結構之上(舉例來說，正上方)並不會施行參考平面。圖7也意指一表面、共面式波導(waveguide)。
如圖所示，結構700包含一導體層705、一導體層710、一參考平面715以及一參考平面720。導體層705和710可能係於其中會形成一或多條走線的已圖樣化層。參考平面715和720中的每一者可能都係由一導體層所形成。導體層705可能會和導體層710藉由一絕緣層725而分離。導體層710可能會和參考平面715藉由一絕緣層730而分離。最後，參考平面715可能會和參考平面720藉由一絕緣層735而分離。通孔元件(舉例來說，通孔及/或通孔區段)可能會被施行在絕緣層725、730及/或735的任何一者之中。
結構700包含一導體結構B以及一導體結構C。導體結構B 可能係由走線705B、走線710B以及通孔元件725B所形成，通孔元件725B係位於走線705B和710B之間並且接觸走線705B和710B。導體結構C可能係由走線705C、走線710C以及通孔元件725C所形成，通孔元件725C係位於走線705C和710C之間並且接觸走線705C和710C。於某一種排列中，導體結構B和C會形成一差動對。
如圖所示，導體結構B和C中的每一者皆會被包含在一利用導體結構A和D所形成的法拉第籠裡面。導體結構A可能係由通孔元件725A和730A以及走線705A和710A所形成。導體結構D可能係由通孔元件725D和730D以及走線705D和710D所形成。應該明白的是，導體結構A和D每一者皆會從導體層705至參考平面715形成一連續結構(舉例來說，一壁部)；而且應該明白的是，導體結構A和D中的每一者皆會耦合導體層705和715兩者。舉例來說，在圖7之中所示的範例中，該法拉第籠的壁部(舉例來說，導體結構A和D)的高度超過導體結構B和C的高度。如圖所示，導體結構A和D中的每一者的頂端會對齊導體結構B和C的頂端。導體結構A和D中的每一者的底部會延伸至比導體結構B和C更低的地方。
於另一實施例之中，結構700會被施行成一單端傳輸通道。舉例來說，導體結構B或是導體結構C可能會被移除，俾使得僅有單一導體結構(也就是，B或C)會被設置在導體結構A與D之間。於一單一導體結構之中，該單一導體可能會被置中在該法拉第籠的壁部之間。
圖8所示的係根據本說明書裡面所揭示的另一實施例的結構800的第五剖面圖。結構800係利用參考本說明書的圖1至3所述的任何導體結構所施行的高頻傳輸通道的一種範例。結構800施行多個微帶類型 的電路，其中一參考平面雖然存在於每一個個別電路的一或多個導體結構之下，但是在該等一或多個導體結構之上(舉例來說，正上方)並不會設置參考平面。結構800代表複數個表面、共面式波導。
如圖所示，結構800包含一導體層805、一導體層810、一參考平面815以及一參考平面820。導體層805和810可能係其中會形成一或多條走線的已圖樣化層。參考平面815和820中的每一者可能都係由一導體層所形成。導體層805可能會和導體層810藉由一絕緣層825而分離。導體層810可能會和參考平面815藉由一絕緣層830而分離。最後，參考平面815可能會和參考平面820藉由一絕緣層835而分離。通孔元件(舉例來說，通孔及/或通孔區段)可能會被施行在絕緣層825、830、及/或835的任何一者之中。
結構800包含三個導體結構對，舉例來說，差動對。第一對包含導體結構B和導體結構C。導體結構B可能係由走線805B、走線810B以及通孔元件825B所形成，通孔元件825B位於走線805B和810B之間並且接觸走線805B和810B。導體結構C可能係由走線805C、走線810C以及通孔元件825C所形成，通孔元件825C位於走線805C和810C之間並且接觸走線805C和810C。
第二對包含導體結構E和導體結構F。導體結構E可能係由走線805E、走線810E以及通孔元件825E所形成，通孔元件825E位於走線805E和810E之間並且接觸走線805E和810E。導體結構F可能係由走線805F、走線810F以及通孔元件825F所形成，通孔元件825F位於走線805F和810F之間並且接觸走線805F和810F。
第三對包含導體結構H和導體結構I。導體結構H可能係由走線805H、走線810H以及通孔元件825H所形成，通孔元件825H位於走線805H和810H之間並且接觸走線805H和810H。導體結構I可能係由走線805I、走線810I以及通孔元件825I所形成，通孔元件825I位於走線805I和810I之間並且接觸走線805I和810I。
導體結構B和C會被包含在一利用導體結構A和D所形成的法拉第籠裡面。導體結構A可能係由通孔元件825A和830A以及走線805A和810A所形成。導體結構D可能係由通孔元件825D和830D以及走線805D和810D所形成。應該明白的是，導體結構A和D每一者皆會從導體層805至參考平面815形成一連續結構，舉例來說，一壁部；而且應該明白的是，導體結構A和D中的每一者皆會耦合導體層805和參考平面815兩者。
導體結構E和F會被包含在利用導體結構D和G所形成的另一法拉第籠裡面。導體結構G可能係由通孔元件825G和830G以及走線805G和810G所形成。應該明白的是，導體結構G會從導體層805至參考平面815形成一連續結構，舉例來說，一壁部；而且應該明白的是，導體結構G會耦合導體層805和參考平面815兩者。如圖所示，導體結構D會被併入圍繞導體結構B和C的法拉第籠並且也會被併入圍繞導體結構E和F的法拉第籠。
導體結構H和I會被包含在利用導體結構G和J所形成的另一法拉第籠裡面。導體結構J可能係由通孔元件825J和830J以及走線805J和810J所形成。應該明白的是，導體結構J會從導體層805至參考平面815形成一連續結構，舉例來說，一壁部；而且應該明白的是，導體結構J會耦 合導體層805和參考平面815兩者。如圖所示，導體結構G會被併入圍繞導體結構E和F的法拉第籠並且也會被併入圍繞導體結構H和I的法拉第籠。
於另一實施例之中，結構800會被施行成一連串的單端傳輸通道。舉例來說，導體結構B或是導體結構C可能會被移除，俾使得僅有單一導體結構(也就是B或C)會被設置在導體結構A與D之間。同樣地，導體結構E或是導體結構F可能會被移除，俾使得僅有單一導體結構(也就是E或F)會被位在導體結構D與G之間。最後，導體結構H或是導體結構I可能會被移除，俾使得僅有單一導體結構(也就是H或I)會被位在導體結構G與J之間。應該明白的是，於單一導體結構架構之中，該單一導體可能會被置中在該法拉第籠的壁部之間。
圖8所示的係一種支援高傳輸通道封裝密度的實施例。為達成較高的傳輸通道封裝密度同時保持良好的通道與通道隔離，在圖8圖解的配置之中，一用以施行一微帶電路配置的傳輸通道會達到3×W+2×S1+S的通道間距。利用前面針對圖4所提及的示範性量度，其能夠達到約360μm(3x×40μm+2×80μm+80μm)的通道間距。
圖2至8中雖然沒有顯示；不過，應該明白的是，如參考圖1-2和圖1-3所示般，一導體結構亦能夠被施行成讓走線伸出在通孔元件之上或者讓通孔元件伸出在走線之上。由於技術條件限制的關係，舉例來說，當於任一情況中不適合伸出時，通孔元件亦能夠從導體結構的多個部分處被省略，而僅保留施行用於形成法拉第籠的側壁。然而，一般來說通孔元件會被保留在該傳輸通道的開始點/發射點以及結束點處，舉例來說，被保 留在傳輸通道的發源點以及終止點處。進一步言之，在傳輸通道的發源點處通常會需要用到被用來從上層連接至傳輸通道(或是導體結構)的額外通孔元件，以便從一IC裡面的某個位置處將信號耦合至傳輸通道。同樣地，在結束點處通常會需要用到額外的通孔元件，它們會將傳輸通道(或是導體結構)連接至封裝接針層，以便允許信號從一IC的封裝處耦合至封裝接針。
針對低損失(不論係來自介電質損失、插入損失、集膚效應或是類似的損失)來說，本說明書裡面揭示的一或多項實施例所說明的導體結構在高頻應用中會提供改善的效能。該等導體結構會提供改善的DC效能並且能夠使用於高頻傳輸通道(例如，微帶類型電路及/或帶狀線類型電路)中。
為達解釋之目的，本文中提出特定的術語提供對本文中所揭示的各種新穎概念有透澈的理解。然而，本文中所使用的專有名詞僅係為達說明特殊實施例的目的，而沒有限制的意圖。舉例來說，本說明書裡面所引用到的「其中一實施例」、「一實施例」、或是雷同用語的意義為在本說明書裡面所揭示的至少其中一實施例之中包含配合該實施例所述的特殊特徵圖樣、結構、或特性。因此，出現在本說明書裡面的「於其中一實施例之中」、「於一實施例之中」以及雷同的用語可能(但是未必)全部表示相同的實施例。
如本文中的用法，「一(a和an)」一詞的定義為一個或者一個以上。如本文中的用法，「複數個(plurality)」一詞的定義為兩個或者兩個以上。如本文中的用法，「另一(another)」一詞的定義為至少一第二者或更多者。如本文中的用法，「被耦合(coupled)」一詞的定義為被連接，除非另外 表明，否則，其表示沒有利用任何中間元件直接連接或是利用一或多個中間元件間接連接。兩個元件亦能夠經由一通信通道、路徑、網路或是系統以機械連結的方式、電氣連結的方式或是通信連結的方式進行耦合。
本文中所使用的「及/或(and/or)」一詞係指並且涵蓋相關聯已列項目中一或多者的任何及全部可能組合。要進一步瞭解的是，當說明書中使用到「包含(include及/或including)」一詞時僅係用來表明有文中所提之特徵圖樣、事物、步驟、作業、元件、組件及/或它們所組成之群組的存在，但是並未排除會有一或多個其它特徵圖樣、事物、步驟、作業、元件、組件及/或它們所組成之群組的存在或是加入一或多個其它特徵圖樣、事物、步驟、作業、元件、組件、及/或它們所組成之群組。還應該瞭解的係，本文中可能會使用「第一」、「第二」、…等詞語來說明不同的元件，除非明確提及排序方式或是前後文要求，否則，此等元件不應該受限於此等詞語，因為此等詞語僅係用來區分元件。
本說明書裡面所揭示的一或多項實施例亦可以其它形式來具現，其並不會脫離本說明書的精神或本質。據此，在表明一或多項實施例的範疇時應該參考下面的申請專利範圍，而非前面的說明書。
100-1‧‧‧導體結構
105-1‧‧‧(第一)走線
110-1‧‧‧(第二)走線
115-1‧‧‧通孔區段
120-1‧‧‧高度
125-1‧‧‧長度
130-1‧‧‧寬度
135-1‧‧‧總高度/最終高度

Claims (15)

  1. 一種電氣電路結構，其包括：一利用第一導體層所形成的第一走線；一利用第二導體層所形成的第二走線；其中，該第一走線會垂直對齊該第二走線；一由介於該第一導體層和該第二導體層之間的第三導體層之中的導體材料所形成的通孔區段；其中，該通孔區段會接觸該第一走線和該第二走線，以便形成一被配置成用以在平行於該第一導體層的方向中傳送一電氣信號的第一導體結構；一位於該第一走線和該第二走線之下的第一參考平面；以及一位於該第一參考平面之下的第二參考平面，其中該電氣電路結構包括一表面、共面式波導。
  2. 根據申請專利範圍第1項的電氣電路結構，其中，該通孔區段會垂直對齊該第一走線和該第二走線。
  3. 根據申請專利範圍第1項的電氣電路結構，其中，該通孔區段在平行於該第一走線和該第二走線的方向中會比在垂直於該第一走線和該第二走線的方向中更長。
  4. 根據申請專利範圍第1項的電氣電路結構，其進一步包括：一由介於該第一導體層和該第二導體層之間的第三導體層之中的導體材料所形成的通孔元件；其中，該通孔元件會接觸作為該第一導體結構之一部分的第一走線和 第二走線。
  5. 根據申請專利範圍第4項的電氣電路結構，其中，該通孔元件會與該通孔區段分離一最小距離。
  6. 根據申請專利範圍第4項的電氣電路結構，其中，該通孔元件會垂直對齊該第一走線和該第二走線。
  7. 根據申請專利範圍第1項的電氣電路結構，其進一步包括：一第二通孔區段，其中介於該通孔區段和該第二通孔區段之間的間隔係根據該第一導體結構所希望的阻抗來決定的。
  8. 根據申請專利範圍第1項的電氣電路結構，其進一步包括：複數個通孔區段，其中介於第一對連續的通孔區段之間的間隔不同於介於第二對連續的通孔區段之間的間隔。
  9. 根據申請專利範圍第1項的電氣電路結構，其進一步包括：一法拉第籠，其會至少部分包圍該第一導體結構。
  10. 根據申請專利範圍第1項的電氣電路結構，其進一步包括：一利用該第一導體層所形成的第三走線；一利用該第二導體層所形成的第四走線；其中，該第三走線會垂直對齊該第四走線；以及一由介於該第一導體層和該第二導體層之間的第三導體層之中的導體材料所形成的通孔元件；其中，該通孔元件會接觸該第三走線和該第四走線，以便形成一第二導體結構。
  11. 根據申請專利範圍第10項的電氣電路結構，其中，該第一導體結構 和該第二導體結構會形成一差動對。
  12. 一種形成電氣電路結構的方法，其包括：利用一第一導體層形成一第一走線；利用該第一導體層上方的一第二導體層之中的導體材料形成一通孔區段；利用該第三導體層上方的一第二導體層形成一第二走線；其中，該第一走線會垂直對齊該第二走線；其中，該通孔區段會接觸該第一走線和該第二走線，以便形成一被配置成用以在平行於該第一導體層的方向中傳送一電氣信號的導體結構；形成一第一參考平面於該第一走線和該第二走線之下；以及形成一第二參考平面於該第一參考平面之下，其中該電氣電路結構包括一表面、共面式波導。
  13. 根據申請專利範圍第12項的方法，其中，該通孔區段在平行於該第一走線和該第二走線的方向中會比在垂直於該第一走線和該第二走線的方向中更長。
  14. 根據申請專利範圍第12項的方法，其中形成一導電材料的通孔區段包括形成複數個通孔區段，其中介於第一對連續的通孔區段之間的間隔不同於介於第二對連續的通孔區段之間的間隔。
  15. 根據申請專利範圍第12項的方法，其進一步包括：形成一法拉第籠，用以至少部分包圍該第一導體結構。
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