TWI515818B - 基板分離裝置 - Google Patents

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Description

基板分離裝置
本發明是關於一種分離基板的裝置。尤其是，本發明是關於一種適用於分離黏附於可撓性基板上的饋送基板的基板分離裝置。
近來，可替代陰極射線管(Cathode Ray Tube,CRT)來使用的平板顯示器設備正在迅速發展。所述平板顯示器設備包括液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)設備、電漿顯示面板(Plasma Display Panel,PDP)、有機發光顯示器(Organic Light Emitting Display,OLED)設備等等。
在所述平板顯示器設備中，所述LCD設備相比於其他平板顯示器設備具有更薄、重量更輕、功耗更低以及驅動電壓更低的特點。正因如此，所述LCD設備現在主要應用於各種家用電器。
所述LCD設備包括用於顯示影像的液晶面板以及用於將光提供到該液晶面板的背光單元。LCD面板包括彼此結合的薄膜電晶體基板與濾色片基板。
為了使所述LCD面板更為纖薄，近來在製造所述LCD設備時採用了化學蝕刻法。然而，所述化學蝕刻法需要環境管理。並且，所述化學蝕刻法中使用的化學材料迫使增加了所述LCD設備的製造成本。而且，由於所述化學材料的性質，所述化學蝕刻法必定會產生故障。
為了應對此問題，藉由在製造過程之前將饋送基板貼附於薄膜電晶體基板與濾色片基板，並在製造過程之後使所述饋送基板與所述薄膜電晶體基板及所述濾色片基板分開，來生產薄LCD面板。
為了將所述饋送基板從目標基板分離(或分開)，習知技術的分離方法是在所述饋送基板貼附於所述目標基板的狀態下使用複數個吸附墊。
然而，由於在所述吸附墊貼附於所述饋送基板的狀態下會有一力被施加至所述饋送基板，用來從所述目標基板分離(或分開)所述饋送基 板的所述吸附墊會使得一應力被施加至所述目標基板的一固定部。因此，在所述目標基板中必定產生故障。而且，施加至大型基板的固定部的應力在所述大型基板中必定造成很多故障。
據此，本發明的實施例係針對一種基板分離裝置，該基板分離裝置實質上消除了由於先前技術的限制與缺點而造成的一個或多個問題。
本發明的實施例將提供一種基板分離裝置，該基板分離裝置適於在薄膜電晶體基板與濾色片基板自饋送基板分離(或分開)時，防止因施加至固定部的應力而造成的基板故障。
實施例的額外特徵與優點將在以下說明中闡明，並且部分額外的特徵及優點將從說明書中顯而易見，或者可通過實施例的實踐領會到。實施例的優點將由文字說明、本發明的申請專利範圍以及所附圖式中特別指出的結構來實現並獲得。
依據本發明實施例的一般形態，一種基板分離裝置包括：一下平板，用以支撐一饋送基板，所述饋送基板貼附於一目標基板；以及複數個上平板，安置於該饋送基板上，配置成藉由施加真空壓力至該饋送基板以從該目標基板分離該饋送基板。所述上平板形成為包括：一第一上平板，設置在與該饋送基板的一個邊緣區域相對的一第一區域中；一第三上平板，設置在與該饋送基板的另一邊緣區域相對的一第三區域中；以及一第二上平板，設置在該第一區域與該第三區域之間的一第二區域中。
依據本發明實施例的另一一般形態的基板分離裝置包括：一下平板，形成以利用一第一真空壓力支撐一饋送基板，所述饋送基板貼附於一目標基板；一下真空泵，配置以施加該第一真空壓力至該下平板；複數個上平板，安置於該饋送基板上，配置成利用第二真空壓力從該目標基板分離該饋送基板；以及至少一上真空泵，配置成施加所述第二真空壓力至所述上平板。
經對以下圖式及詳細說明的檢查，其他系統、方法、特徵以及優點對本領域技術人員而言將是或將變得顯而易見。意圖是使此額外的系統、方法、特徵以及優點均包含在本說明書中，在本發明的範圍內，並受 到以下申請專利範圍的保護。本章節不應視為對那些申請專利範圍的限制。下面結合實施例論述進一步的形態與優點。要瞭解的是，本發明的前述概括說明及以下的詳細說明均為示例性與說明性的說明，其目的是提供本發明所主張的權利範圍進一步解釋。
100‧‧‧基板
120‧‧‧目標基板
140‧‧‧饋送基板
220‧‧‧下部空間
240‧‧‧下真空孔
260‧‧‧下真空泵
200‧‧‧下平板
300、500‧‧‧上平板
320、520‧‧‧第一上平板
321‧‧‧第一上部空間
323‧‧‧第一上真空孔
325‧‧‧第一上真空泵
327‧‧‧多邊形環
329‧‧‧樞轉部
340、540‧‧‧第二上平板
360、560‧‧‧第三上平板
400‧‧‧上真空泵
420‧‧‧第一管
440‧‧‧第二管
460‧‧‧第三管
422‧‧‧第一閥門
442‧‧‧第二閥門
462‧‧‧第三閥門
d1‧‧‧第一對角線距離
d2‧‧‧第二對角線距離
d3‧‧‧第三對角線距離
H‧‧‧槽
G‧‧‧間隙
所附圖式是為了提供實施例的進一步理解而納入到本文中並構成本發明的一部分；下列圖示描繪並說明本發明的實施例，同時與說明書一同解釋本發明之內容。在圖示中：第1圖為顯示依據本發明第一實施例的基板分離裝置的立體圖；第2圖為顯示沿第1圖中A-A’線剖面的基板分離裝置的剖視圖；第3圖為顯示一部分依據本發明第一實施例的基板分離裝置的截斷剖視圖，其中所述基板分離裝置包括有一環；第4圖為顯示藉由依據本發明第一實施例的基板分離裝置，將一部份饋送基板從目標基板分離的狀態的剖視圖；第5圖至第8圖為舉例說明藉由依據本發明第一實施例的基板分離裝置執行的基板分離過程的示例的平面圖；第9圖為顯示依據本發明第二實施例的基板分離裝置的立體圖；第10圖為顯示依據本發明第三實施例的基板分離裝置的立體圖；以及第11圖為顯示沿第10圖中B-B’線剖面的基板分離裝置的剖視圖。
以下，將參照圖示對本發明的實施例進行詳細說明，所附圖式中舉例說明了其示例。下文中所進行的敘述為該些實施例之示例，以便向本領域一般技術人員傳達該些實施例的精神。因此，該些實施例可能以不同形狀體現，故不限於這裏描述的該些實施例。並且，為了方便，圖式中裝置的大小與厚度可能被誇大表示。盡可能地，相同的參考符號在本發明的說明書以及圖示中將始終用來表示相同或相似的元件。
第1圖為顯示依據本發明第一實施例的基板分離裝置的立體圖。第2圖為顯示沿第1圖中A-A’線剖面的基板分離裝置的剖視圖。第3圖為 顯示一部分依據本發明第一實施例的基板分離裝置的截斷剖視圖，其中所述基板分離裝置包括一環。
參閱第1圖與第2圖，依據本發明第一實施例的基板分離裝置包括一下平板200以及安置於該下平板200之上的複數個上平板300。該複數個上平板300用來施加真空壓力(或真空力)至一饋送基板140並使該饋送基板140與一目標基板120分開。
該下平板200可為四角形平板形狀。下平板200用來支撐一基板100。下平板200用來固定放置於其上表面的基板100。下平板200可形成為與基板100相同的形狀。下平板200可形成為比基板100大。
該下平板200可利用一真空力固定基板100。為此，下平板200中可形成複數個下真空孔240。並且，在下平板200內部中可形成下部空間220。所述複數個下真空孔240可形成於下平板200的上表面中並與下部空間220相連。該等下真空孔240可選擇性地只形成於下平板200表面的一固定區域。或者，複數個下真空孔240可均勻地遍佈下平板200的上表面而形成。
一下真空泵260可連接至下平板200。詳細而言，該下真空泵260可連接至形成於下平板200內部中的下部空間220。下平板200可利用-65Kpa至-85Kpa的真空壓力固定基板。下平板200的真空壓力可大於上平板300的真空壓力。
儘管下平板200利用真空壓力固定基板100，但本發明之範圍並不限於此。換言之，亦可利用機械力以及靜電力的其中之一將基板100固定於下平板200。
基板100可包括一饋送基板140與一目標基板120。目標基板120可成為薄膜電晶體基板與濾色片基板的其中之一。薄膜電晶體基板及/或濾色片基板可由玻璃材質形成。用於運送目標基板120及對目標基板120進形圖案化處理的饋送基板140可形成為剛性材質。例如，饋送基板140可由玻璃材質形成。並且，饋送基板140可通過黏著劑(未顯示)黏附於與玻璃基板對應的目標基板120。
儘管已說明目標基板為玻璃基板，但本發明之範圍並不限於此。換言之，目標基板可成為一可撓性基板與一金屬基板的其中之一。
上平板300可以以面對下平板200的方式來設置。上平板300可形成為與基板100的形狀相同。上平板300可形成為具有比基板100之尺寸更大的尺寸。上平板300可形成為四角形。上平板300可被分成複數個上平板。舉例來說，上平板300可被分成9塊與基板100的區域相對的上平板。上平板的數量不限於此。
上平板300可包括：一第一上平板320，設置在與基板100的一個邊緣區域相對的一第一區域中；一第三上平板360，設置在與基板100的另一邊緣區域相對的一第三區域中；以及一第二上平板340，設置在第一區域與第三區域之間的第二區域中。第二上平板340可被定義成複數個平板。然而，為了方便說明，將假設第二上平板340具有單一平板形狀。
第一上平板320可設置在與基板100的一個邊緣區域相對的第一區域中，更確切地說，第一區域是與基板100的一個邊角區域相對。此外，第一上平板320可利用真空壓力(或真空力)將饋送基板140從目標基板120分離(或分開)。
為此，在第一上平板320的內部中可形成具有固定體積的第一上部空間321。並且，與第一上部空間321相連的複數個第一上真空孔323可形成於第一平板320的下表面中。此外，一第一上真空泵325可連接至第一上平板320。該第一上真空泵325可透過連接至形成於第一上平板320內部中的第一上部空間321的方式安裝。此第一上平板320可利用大約-65KPa至-85KPa的真空壓力將饋送基板140從目標基板120分離(或分開)。詳細地來說，第一上平板320可利用大約-75KPa的真空壓力將饋送基板140從目標基板120分離(或分開)。
一多邊形環327可安裝於第一上平板320的下表層中。該多邊形環327可圍繞第一上真空孔323設置，且第一上真空孔323形成於第一上平板320下表面的中心區域中。換言之，多邊形環327可沿著第一上平板320的下表面的邊緣安裝。此多邊形環327可用來封閉第一上平板320與饋送基板140之間的空間。如此一來，饋送基板140便可以在藉由多邊形環327支撐的狀態下從目標基板120分離(分開)。
如第3圖所示，多邊形環327可被接收於第一上平板320的內部中。為此，固定槽H可沿著第一上平板320的下表面的邊緣形成。此外， 樞轉部329可設置於槽H中，並與多邊形環327相連。樞轉部329使多邊形環327轉向形成於第一上平板320下表面的槽H的內部。如此一來，多邊形環327便可以被接收於槽H中。
返回到第1圖與第2圖，第三上平板360可設置在與基板100的另一邊緣區域相對的第三區域中，更確切地說，第三區域是基板100的另一對角邊角區域中。並且，第三上平板360可利用真空壓力(或真空力)將饋送基板140從目標基板120分離(或分開)。此第三上平板360具有與第一上平板320相同的結構。因此，在此將省略與第一上平板320重複的第三上平板360的描述。
第二上平板340可設置在第一區域與第三區域之間的第二區域中。並且，第二上平板340可利用真空壓力(或真空力)將饋送基板140從目標基板120分離(或分開)。此第二上平板340具有與第一上平板320相同的結構。因此，在此將省略與第一上平板320重複的第二上平板340的描述。
接下來，將描述藉由基板分離裝置執行的基板分離操作。第4圖為顯示藉由依據本發明第一實施例的基板分離裝置將一部分饋送基板從目標基板分離的狀態的剖視圖。第5圖至第8圖為舉例說明藉由依據本發明第一實施例的基板分離裝置執行的基板分離過程的示例的平面圖。
如第4圖所示，間隙G最初形成於饋送基板140與目標基板120之間。詳細地來說，間隙G形成於饋送基板140與目標基板120的邊角部之間。饋送基板140與目標基板120的邊角部之間的間隙G可形成在2mm~3mm的距離範圍內。並且，間隙G可形成在與第一上平板320的邊角部相對的區域。
如第5圖所示，在一固定間隙G形成於饋送基板140與目標基板120的邊角部之間以後，第一上平板320被驅動，並在基板100的一個邊角區域中執行將饋送基板140從目標基板120分離(或分開)的操作。接著，第二上平板340被驅動，並在基板100的兩個呈對角的邊角區域之間的區域中執行將饋送基板140從目標基板120分離(或分開)的另一操作。之後，第三上平板360被驅動，並在基板100的另一對角的邊角區域中執行將饋送基板140從目標基板120分離(或分開)的又一操作。
在另一方式中，如第6圖所示，在一固定間隙G形成於饋送基板140與目標基板120的邊角部之間以後，第一上平板320被驅動，並在基板100的一個邊角區域中執行將饋送基板140從目標基板120分離(或分開)的操作。接著，第二上平板340被驅動，並在基板100的兩個呈對角的邊角區域之間的區域中執行將饋送基板140從目標基板120分離(或分開)的另一操作。在此種情況下，第二上平板340可被分成複數個分割平板。並且，第二上分割平板可以以遠離基板100的一個邊角區域附近的區域的方式繼續被驅動。之後，第三上平板360被驅動，並在基板100的另一對角的邊角區域中執行將饋送基板140從目標基板120分離(或分開)的又一操作。
換言之，饋送基板140可沿著從一個邊角區域經由中心區域朝向另一呈對角的邊角區域漸進的對角線方向從目標基板120分離，如第5圖與第6圖所示。
在又一方式中，如第7圖所示，在間隙G形成於饋送基板140與目標基板120的邊角部之間以後，第一上平板320與第三上平板360被驅動，並在基板100的兩個彼此相對且呈對角的邊角區域中執行將饋送基板140從目標基板120分離(或分開)的操作。之後，第二上平板340被驅動，並在基板100的兩個對角區域之間的中心區域中執行將饋送基板140從目標基板120分離(或分開)的另一操作。
在更進一步的方式中，如第8圖所示，在間隙G形成於饋送基板140與目標基板120的邊角部之間以後，第一上平板320與第三上平板360被驅動，並在基板100的四個邊角區域中執行將饋送基板140從目標基板120分離(或分開)的操作。之後，第二上平板340被驅動，並在基板100的兩個對角區域之間的中心區域中執行將饋送基板140從目標基板120分離(或分開)的另一操作。在此種情況下，第二上平板340可被分成複數個分割平板。並且，一些第二上分割平板可被依序驅動，且安置於基板100邊緣區域中的該些第二上分割平板可與第一上平板320及第三上平板360同時被驅動。
如第7圖與第8圖所示，饋送基板140可透過從目標基板120的邊角區域朝中心區域漸進的方式，從目標基板120分離(或分開)。
第9圖為顯示依據本發明第二實施例的基板分離裝置的立體圖。
如第9圖所示，依據本發明第二實施例的基板分離裝置包括下平板200以及安置於下平板200之上的複數個上平板300。複數個上平板300用來施加真空力至饋送基板140並使饋送基板140從目標基板120分離(分開)。除了上平板300之外，第二實施例的基板分離裝置的配置與第一實施例的配置相同。因此，下文中將省略第二實施例中與第一實施例重複的描述。
上平板300可包括：一第一上平板320，設置在與基板100的一個邊緣(或邊角)區域相對的第一區域中；一第三上平板360，設置在與基板100的另一邊緣(或呈對角的邊角)區域相對的第三區域中；以及一第二上平板340，設置在第一區域與第三區域之間的第二區域中。第二上平板340可被限定成複數個平板。然而，為了方便說明，將假設第二上平板340具有單一平板形狀。
第一至第三上平板320、340及360可連接至一個單一的上真空泵400。
第一上平板320可藉由第一管420連接至上真空泵400。第一閥門422設置於上真空泵400與第一上平板320之間。詳細地來說，第一閥門422可安裝於第一管420中。第二上平板340可藉由第二管440連接至上真空泵400。第二閥門442設置於上真空泵400與第二上平板340之間。更具體而言，第二閥門442可安裝於第二管440中。第三上平板360可藉由第三管460連接至上真空泵400。第三閥門462設置於上真空泵400與第三上平板360之間。詳細地來說，第三閥門462可安裝於第三管460中。
第一閥門422可用來控制從上真空泵400施加至第一上平板320的真空壓力(或蒸汽)。第二閥門442可用來控制從上真空泵400施加至第二上平板340的真空壓力(或蒸汽)。第三閥門462可用來控制從上真空泵400施加至第三上平板360的真空壓力(或蒸汽)。據此，所述真空壓力(蒸汽)可藉由控制第一至第三閥門422、442及462而從上真空泵400獨立地施加至第一至第三上平板320、340及360中的至少二者。並且，所述真空壓力(蒸汽)可藉由控制第一至第三閥門422、442及462而從上真空泵400同時地施加至第一至第三上平板320、340及360中的至少二者。
第10圖為顯示依據本發明第三實施例的基板分離裝置的立體圖。第11圖為顯示沿第10圖中B-B’線剖面之基板分離裝置的剖視圖。
參閱第10圖與第11圖，依據本發明第三實施例的基板分離裝置包括下平板200以及安置於下平板200之上的複數個上平板500。複數個上平板300用來施加真空力至饋送基板140並使饋送基板140從目標基板120分離(分開)。除了上平板500之外，第三實施例的基板分離裝置的配置與第一實施例的配置相同。因此，以下將省略第三實施例中與第一實施例重複的描述。
上平板500可包括：一第一上平板520，設置在與基板100的一個邊角區域相對的第一區域中；一第三上平板560，設置在與基板100的呈對角的另一邊角區域相對的第三區域中；以及一第二上平板540，設置在第一區域與第三區域之間的第二區域中。該第二上平板540可被定義成複數個平板。然而，為了方便說明，將假設第二上平板540具有單一平板形狀。
第一上平板520、第二上平板540以及第三上平板560可形成為彼此具有不同的面積(或大小)。例如，第一上平板520與第三上平板560可形成相同的面積(或大小)，而第二上平板540可形成比第一與第三上平板520與560更大的面積(大小)。如第11圖的剖視圖所示，第一上平板520的第一對角線距離d1可與第三上平板560的第三對角線距離d3相同，而比第二上平板540的第二對角線距離d2短。
可將施加至第二上平板540的真空壓力設定為大於施加至第一與第三上平板520與560的另一真空壓力。換言之，上平板的面積越寬，真空壓力就會越高。
在此方式中，第一上平板520與第三上平板560形成為具有相同的面積(或大小)，而第二平板540形成為具有比第一上平板520與第三平板560的面積更大的面積(或大小)。然而，本發明之範圍不限於此。換言之，第一至第三上平板520、540及560可形成為彼此具有不同的面積(或大小)。
由於真空壓力係依據每塊上平板的面積(或大小)來設定，因此，可確定饋送基板140從目標基板分離(分開)的速度。例如，整個區域的分離(分開)速度可設定成彼此相同。或者，固定區域的分離(分開)速 度可設定成比其他區域的分離(分開)速度慢或者快。
如上所述，依據本發明的基板分離裝置利用所述真空壓力將饋送機板從目標基板分離(或分開)。據此，饋送基板可更穩定地從目標基板分離(或分開)。
此外，依據本發明的基板分離裝置安置複數個上平板。如此一來，基板分離裝置可防止任何應力被施加至目標基板的固定部。
再者，依據本發明的基板分離裝置部分控制所述複數個上平板。如此一來，可以控制饋送基板從目標基板分離的速度。因此，可最小化被施加至目標基板的衝擊。
儘管已參考本發明的多個說明性實施例描述了實施方式，但應瞭解的是，本領域技術人員可想到多種其他改變及實施例，該等其他改變及實施例將落入本公開原理的精神與範圍內。尤其是，在本公開、圖式以及所附申請專利範圍的範圍內，可對主題組合配置的組成部分及/或配置作出各種變化及修飾。除了對組成部分及/或配置作出的變化及修飾之外，選擇性的使用對本領域技術人員而言也將是顯而易見的。
100‧‧‧基板
120‧‧‧目標基板
140‧‧‧饋送基板
200‧‧‧下平板
300‧‧‧上平板

Claims (18)

  1. 一種基板分離裝置，包括：一下平板，形成以支撐一饋送基板，該饋送基板貼附於一目標基板；以及複數個上平板，安置於該饋送基板上，配置成藉由施加複數個真空壓力至該饋送基板以從該目標基板分離該饋送基板，並且該等上平板形成以包括：一第一上平板，設置在與該饋送基板的一個邊緣區域相對的一第一區域中；一第三上平板，設置在與該饋送基板的另一邊緣區域相對的一第三區域中；以及一第二上平板，設置在該第一區域與該第三區域之間的一第二區域中。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板分離裝置，其中該等上平板的每一者包括形成於其內部的一上部空間以及形成於其一下表面之一中心區域的複數個上真空孔，其中，該等上平板的該等上部空間各自與一上真空泵相連。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的基板分離裝置，其中該等上平板的每一者進一步包括一環，該環沿著各個該上平板的該下表面之邊緣設置，且各個該上平板的該下表面中形成有該等上真空孔。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的基板分離裝置，其中該等上平板的每一者進一步包括一樞轉部，該樞轉部配置成將該環樞轉並放置到一槽中，該槽形成於各個該上平板的該下表面中。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的基板分離裝置，其中該等上 平板的每一者包括形成於其內部的一上部空間以及形成於其一下表面之一中心區域的複數個上真空孔，並且其中該等上部空間與一上真空泵相連。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的基板分離裝置，進一步包括：一第一管，連接於該上真空泵與該第一上平板之間；一第一閥門，設置於該上真空泵與該第一上平板之間的該第一管中；一第二管，連接於該上真空泵與該第二上平板之間；一第二閥門，設置於該上真空泵與該第二上平板之間的該第二管中；一第三管，連接於該上真空泵與該第三上平板之間；以及一第三閥門，設置於該上真空泵與該第三上平板之間的該第三管中。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的基板分離裝置，其中該第一上平板至該第三上平板彼此具有不同的面積。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的基板分離裝置，其中該第一上平板至該第三上平板接收依據各個該上平板的面積而增加的真空壓力。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的基板分離裝置，其中該等真空壓力被設定在-65KPa至-85KPa的範圍。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的基板分離裝置，其中該下平板包括形成於其內部並與一下真空泵相連的一下部空間、以及形成於其一下表面之一中心區域的複數個下真空孔。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的基板分離裝置，其中藉由首先施加該真空壓力至該第一上平板、然後施加該真空壓力至該第二上平板、最後施加該真空壓力至該第三上平板，從而將該饋送基板從該目標基板分離。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的基板分離裝置，其中藉由首先施加該真空壓力至該第一上平板與該第三上平板、然後施加該真空壓力至該第二上平板，從而將該饋送基板從該目標基板分離。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的基板分離裝置，其中該饋送基板以從該目標基板的邊角朝內的方向漸進的方式從該目標基板分離。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的基板分離裝置，其中該饋送基板以從該目標基板的一個邊角經由一向內區域朝對角的另一個邊角漸進的方式從該目標基板分離。
  15. 一種基板分離裝置，包括：一下平板，形成以利用一第一真空壓力支撐一饋送基板，該饋送基板貼附於一目標基板；一下真空泵，配置成施加該第一真空壓力至該下平板；複數個上平板，安置於該饋送基板之上，配置成利用複數個第二真空壓力從該目標基板分離該饋送基板；以及至少一上真空泵，配置成施加該等第二真空壓力至該等上平板。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的基板分離裝置，其中所述至少一上真空泵包括分別與該等上平板相連的複數個上 真空泵。
  17. 如申請專利範圍第15項所述的基板分離裝置，其中所述至少一上真空泵包括與該等上平板共連的一個單一的真空泵。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的基板分離裝置，進一步包括：複數個管，連接於該上真空泵與該等上平板之間；以及複數個閥門，每一個閥門均設置於該等管中。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04206949A (ja) * 1990-11-30 1992-07-28 Aisin Seiki Co Ltd Ｓｏｉ基板の製造方法
JPH08153771A (ja) * 1994-11-29 1996-06-11 Fujikoshi Mach Corp ウェーハの供給・排出装置および供給・排出方法
JPH09148409A (ja) * 1995-11-21 1997-06-06 Advanced Display:Kk 平板の吸着搬送方法
JP4266106B2 (ja) * 2001-09-27 2009-05-20 株式会社東芝 粘着性テープの剥離装置、粘着性テープの剥離方法、半導体チップのピックアップ装置、半導体チップのピックアップ方法及び半導体装置の製造方法
JP2004228453A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP4614626B2 (ja) * 2003-02-05 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 薄肉半導体チップの製造方法
JP4668833B2 (ja) * 2006-04-26 2011-04-13 三菱電機株式会社 半導体ウエハ分離装置及び分離方法
KR101054916B1 (ko) * 2009-06-26 2011-08-05 주식회사 디엠에스 스템프 분리장치
KR101658151B1 (ko) * 2010-04-30 2016-09-21 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시 소자의 제조 장치 및 방법
KR101658152B1 (ko) * 2010-05-04 2016-09-21 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시 소자의 제조 장치 및 방법
JP5669137B2 (ja) * 2011-03-01 2015-02-12 富士機械製造株式会社 ダイピックアップ装置
KR101383281B1 (ko) * 2011-12-30 2014-04-09 엘아이지에이디피 주식회사 기판 분리 장치
DE102012101237A1 (de) * 2012-02-16 2013-08-22 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum temporären Verbinden eines Produktsubstrats mit einem Trägersubstrat
JP6377956B2 (ja) * 2013-05-24 2018-08-22 タツモ株式会社 剥離装置

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