TWI510661B - ITO film sputtering processing method and ITO film sputtering equipment - Google Patents
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 135
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 37
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 28
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 34
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 8
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000035784 germination Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 231100000572 poisoning Toxicity 0.000 description 1
- 230000000607 poisoning effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3492—Variation of parameters during sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
- H01L31/022475—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of indium tin oxide [ITO]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
本發明係有關於一種半導體加工技術領域，尤指一種ITO薄膜濺鍍加工方法及ITO薄膜濺鍍設備。
近年來，由於發光二極體（Light-Emitting Diode，LED）的龐大市場需求，以氮化鎵(GaN)為基板的LED被廣泛應用於大功率照明燈、汽車儀錶板、大面積的戶外顯示螢幕、信號燈，以及一般照明等不同領域。
在LED晶片製造過程中，由於P型GaN的低摻雜和P型歐姆金屬接觸的低透光率會引起較高接觸電阻和低透光率，這嚴重影響了LED晶片整體性能的提高。為了提高出光效率和降低接觸電阻，需要開發適用於P型GaN的透明導電薄膜。摻雜錫氧化銦薄膜（Indium Tin Oxide film, ITO film，以下簡稱ITO薄膜)作為一種透明導電薄膜具有可見光透光率高、導電性好、抗磨損、耐腐蝕等優點，且ITO薄膜和GaN之間黏附性好，由於這些特性，ITO被廣泛的應用於以GaN為基板之晶片的電極材料。
ITO薄膜的製備方法包括噴塗法、化學氣相沉積、蒸發鍍膜、磁控濺鍍法等。其中，採用磁控濺鍍方法製備的ITO薄膜由於具有較低的電阻率、較高的可見光透光率以及較高的重複性，因此得到廣泛的應用。
現有技術中的直流磁控濺鍍設備主要包括反應腔體、真空泵系統、承載晶片的基台、直流濺鍍電源以及密封在反應腔體上的靶材。其中，濺鍍加工所採用的加工參數通常為：啟輝及濺鍍氣壓：2.8 mTorr（毫托，1Torr=133Pa）；濺鍍功率：650W；靶材功率密度：0.5W/cm2
。在採用該直流磁控濺鍍設備進行濺鍍加工的過程中，直流濺鍍電源會向靶材施加濺鍍功率，以在靶材上形成負偏壓，從而使反應腔體內的加工氣體輝光放電而產生等離子體。當等離子體的能量足夠高時，會使金屬原子離開靶材表面並沉積在晶片上。
然而，在實際應用中，採用上述直流磁控濺鍍設備進行濺鍍加工會出現以下問題：靶材在啟輝階段的負偏壓非常高，換言之，直流濺鍍電源在啟輝階段的輸出電壓高於直流濺鍍電源的預設電壓值，例如：若直流濺鍍電源採用650W的輸出功率進行啟輝，則靶材的瞬間啟輝電壓約1000V。由於較高的瞬間啟輝電壓會造成濺鍍粒子的能量過高，這使得濺鍍粒子對P型GaN膜層的轟擊力度過大，造成GaN膜層的損傷，進而造成ITO與GaN層的接觸電阻過大；過大的接觸電阻會導致LED晶片高的驅動電壓和產生更多的熱，並衰減LED元件的性能。此外，GaN膜層的損傷還會造成LED元件的正向電壓（VF）值過高，嚴重時可能造成VF值升高至6.5V以上（業界標準一般為2.9-3.5V），導致元件性能嚴重下降。另外，由於ITO靶材在沉積過程中易發生靶材“中毒”，導致靶材產生節瘤。
因此，現有技術中曾提出在靶材和基台之間設置擋板。當直流濺鍍電源在靶材上施加功率進行啟輝時，啟輝瞬間形成的高能粒子先轟擊在擋板上，藉此可以避免損傷GaN膜層。待啟輝數秒後，再移開擋板，並進行正常的濺鍍。但是，增設擋板不僅會降低TIO薄膜的均勻性，而且還會使設備的結構和操作複雜，成本增加。
有鑑於現有技術的不足，本發明的目的在於提供一種ITO薄膜濺鍍加工方法及ITO薄膜濺鍍設備。其能夠在濺鍍沉積ITO薄膜過程中大幅減小瞬間啟輝電壓，從而避免在啟輝瞬間因粒子能量過高而造成對GaN層的轟擊力度過大，進而有效減少對GaN層的損傷。而且，由於不需要增加新的機構，不僅可以提高薄膜沉積的均勻性，而且還會簡化設備的結構和操作，從而降低設備的製造和人力成本。
為達到上述目的，本發明所提供的ITO薄膜濺鍍加工方法，包括以下步驟：S1，在向反應腔體內通入加工氣體之前，先開啟直流濺鍍電源以向靶材施加濺鍍功率，並將所述直流濺鍍電源的輸出電壓設定為一預定電壓值；S2，在經過一預定時間之後，再向所述反應腔體內通入加工氣體，以完成啟輝； S3，通過所述直流濺鍍電源向靶材施加濺鍍功率，以進行濺鍍加工。
較佳地，在步驟S1中，所述濺鍍功率為300W。
更佳地，在步驟S1中，所述濺鍍功率為650W。
較佳地，所述預定電壓值為800V。
更佳地，所述預定電壓值為300V。
較佳地，所述預定時間為3~6秒。
較佳地，在步驟S3中，增大所述直流濺鍍電源之濺鍍功率的功率值，使其大於所述步驟S1中之濺鍍功率的功率值，且小於或等於該直流濺鍍電源的額定功率值。
較佳地，在進行步驟S1~S3的過程中，所述反應腔體內的加工氣體壓力為2~5毫托。
較佳地，所述加工氣體壓力為2.8毫托。
此外，本發明還提供一種ITO薄膜濺鍍設備，其包括一反應腔體，所述反應腔體包含：一頂壁、一基板支撐部件和一靶材，所述靶材設置於所述頂壁且與設在所述反應腔體內底部的基板支撐部件相對，其中，所述ITO薄膜濺鍍設備還包括一直流濺鍍電源，所述直流濺鍍電源耦接於所述靶材，用於向靶材施加濺鍍功率，並且，所述ITO薄膜濺鍍設備是應用本發明所提供的ITO薄膜濺鍍加工方法對基板進行薄膜濺鍍加工。
本發明具有以下功效：
本發明提供的ITO薄膜濺鍍技術，其採用磁控濺鍍技術將ITO薄膜沉積在GaN層上。在進行沉積加工的過程中，通過在反應腔體內無加工氣體的前提下先向靶材施加濺鍍功率，同時將該直流濺鍍電源的輸出電壓設定為一預定電壓值，可以在持續一預定時間之後，再向反應腔體內通入加工氣體和氧氣進行啟輝，藉此降低啟輝電壓的峰值，從而避免啟輝瞬間因濺鍍粒子的能量過高而導致對GaN層的轟擊力度過大，進而減少對GaN層的轟擊損傷，從而不僅可以減小ITO薄膜與GaN層的接觸電阻，而且還可以降低晶片驅動電壓，進而提高整體晶片的性能。而且，由於不需要增加新的機構，這不僅可以提高薄膜沉積的均勻性，而且還會簡化設備的結構和操作，從而降低設備的製造和人力成本。
本發明提供的ITO薄膜濺鍍設備，其通過將直流濺鍍電源耦接於靶材，並採用本發明所提供的ITO薄膜濺鍍技術，不僅可以避免在啟輝瞬間因粒子能量過高而造成對GaN層的轟擊力度過大，從而有效減少對GaN層的損傷。而且，由於不需要增加新的機構，這不僅可以提高薄膜沉積的均勻性，而且還會簡化設備的結構和操作，從而降低設備的製造和人力成本。
以下請配合圖式及本發明之較佳實施例，進一步闡述本發明為達成預定創作目的所採取的技術手段。
在本發明的描述中，“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”、“豎直”、“水準”、“頂”、“底”“內”、“外”、“順時針”、“逆時針”等指示的方向或位置關係為附圖所示的方向或位置關係，僅是為了方便描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方向、以特定的方向建構和操作，因此不能認定為對本發明的限制。
此外，“第一”、“第二”僅用於描述目的，而不能視為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所示之技術特徵的數量。因此，限定有“第一”、“第二”的特徵可以表示或者隱含地包括一個或者多個該特徵。在本發明的描述中，“多個”的含義是兩個或兩個以上，除非另有明確具體的限定。
在本發明中，除非另有明確的規定和限定，“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等用語應做廣義的解釋，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接或一體成形地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對於該領域通常知識者而言，可以根據具體情況了解上述用語在本發明中的具體涵義。
在本發明中，除非另有明確的規定和限定，第一特徵在第二特徵之“上”或之“下”可以包括第一和第二特徵直接接觸，也可以包括第一和第二特徵不是直接接觸而是通過它們之間的另外的特徵接觸。而且，第一特徵在第二特徵“之上”、“上方”和“上面”包括第一特徵在第二特徵正上方和斜上方，或僅僅表示第一特徵水平高度高於第二特徵。第一特徵在第二特徵“之下”、“下方”和“下面”包括第一特徵在第二特徵正下方和斜下方，或僅僅表示第一特徵水平高度低於第二特徵。
本發明是根據以下原理所提出的，即在ITO薄膜濺鍍中，由於在啟輝過程中過高的啟輝電壓會造成濺鍍粒子能量較高，這使得濺鍍粒子對P型GaN膜層的轟擊力度過大，造成GaN膜層的損傷，從而導致ITO與GaN層的接觸電阻過高。因此，只要能夠降低上述啟輝電壓就可以解決上述技術問題。
發明人發現：在啟輝之前，先不向反應腔體內通入加工氣體，而是先開啟直流濺鍍電源，且將直流濺鍍電源的輸出電壓限制在較小的數值範圍內；將該過程保持一預定時間，以確保在後續向反應腔體內通入加工氣體時能夠順利啟輝。這樣能夠在啟輝過程中獲得較小的啟輝電壓，以避免啟輝瞬間粒子能量過高，從而減小濺鍍粒子對GaN層的轟擊力度，進而有效減少對GaN層的損傷。
下面參照圖1詳細描述本發明提供的ITO薄膜濺鍍加工方法。如圖1所示，該ITO薄膜濺鍍加工方法包括以下步驟：
S1，在向反應腔體內通入加工氣體之前，先開啟直流濺鍍電源，以向靶材施加濺鍍功率，並將該直流濺鍍電源的輸出電壓設定為一預定電壓值。
S2，在經過一預定時間之後，向反應腔體內通入加工氣體，進入反應腔體內的加工氣體輝光放電而產生等離子體，從而完成啟輝。
S3，繼續通過直流濺鍍電源向靶材施加濺鍍功率，以進行濺鍍加工。
具體而言，參照圖1所示，本發明所提供的ITO薄膜濺鍍加工方法，其在向反應腔體內通入加工氣體之前開啟濺鍍電源，即，直流濺鍍電源在反應腔體內無加工氣體的情況下向靶材施加濺鍍功率，並將直流濺鍍電源的輸出電壓設定為一預定電壓值，即將直流濺鍍電源的輸出電壓限制在較小的數值範圍內（該數值範圍相對於現有技術較低，但不低於預設之能夠維持穩定濺鍍的最低電壓值），從而在經過一預定時間之後，再向反應腔體內通入例如氬氣（Ar）等的加工氣體和氧氣，以在進行啟輝時，可以在啟輝過程中降低啟輝電壓的峰值，以避免啟輝瞬間粒子能量過高，從而減小濺鍍粒子對GaN層的轟擊力度，進而有效減少對GaN層的損傷。此外，將直流濺鍍電源在反應腔體內無加工氣體的情況下向靶材施加濺鍍功率的上述過程保持一預定時間，是為了確保濺鍍功率已經載入至靶材上之後再通入加工氣體，以及在後續向反應腔體內通入加工氣體時能夠順利啟輝。
待完成啟輝之後，繼續通過直流濺鍍電源對靶材施加濺鍍功率，以進行薄膜濺鍍加工，在該步驟中的濺鍍功率只要滿足薄膜濺鍍加工的要求即可。
本發明所提供的ITO薄膜濺鍍加工方法，適用但不限於LED晶片的製造，其採用磁控濺鍍技術將ITO薄膜沉積在GaN層上，在進行沉積加工的過程中，通過在反應腔體內無加工氣體的前提下先向靶材施加濺鍍功率，同時將該直流濺鍍電源的輸出電壓設定為一預定電壓值，可以在持續一預定時間（以確保後續向反應腔體體內通入加工氣體時能夠順利啟輝）之後，再向反應腔體內通入加工氣體和氧氣，進行啟輝，藉此降低啟輝電壓的峰值，從而避免啟輝瞬間因濺鍍粒子的能量過高而導致對GaN層的轟擊力度過大，進而減少對GaN層的轟擊損傷，不僅可以減小ITO薄膜與GaN層的接觸電阻，而且還可以降低晶片驅動電壓，進而提高晶片的整體性能。而且，由於不需要增加新的機構，這不僅可以提高薄膜沉積的均勻性，而且還會簡化設備的結構和操作，從而降低設備的製造和人力成本。
在本發明的一較佳實施例中，在步驟S1中，在向反應腔體內通入加工氣體之前，先開啟直流濺鍍電源，並設定其向靶材施加的濺鍍功率為300W或者650W；並且設定該直流濺鍍電源的輸出電壓為800V（或300V），即上述預定電壓值為800V或者300V。
上述步驟S1在進行預定時間之後結束，同時開始進行步驟S2，較佳地，該預定時間可以為3~6秒。
在步驟S2中，向反應腔體內通入加工氣體，以完成啟輝，此時暫時的啟輝電壓為324V，這與現有技術（在啟輝過程中啟輝電壓會達到1000V）相比大為降低，從而避免啟輝瞬間粒子能量過高，進而減小濺鍍粒子對GaN層的轟擊力度，有效減少對GaN層的損傷。
在步驟S3中，繼續通過直流濺鍍電源向靶材施加濺鍍功率，以進行濺鍍沉積加工。較佳地，增大直流濺鍍電源之濺鍍功率的功率值，使其大於步驟S1中之濺鍍功率的功率值，且小於或等於該直流濺鍍電源的額定功率值。當然，在實際應用中，也可以保持直流濺鍍電源的濺鍍功率不變，即步驟S3中之濺鍍功率的功率值與步驟S1中之濺鍍功率的功率值相等。
在本發明的一較佳實施例中，在進行步驟S1~S3的過程中，反應腔體內的加工氣體壓力較佳為2~5毫托，更佳為2.8毫托，藉此，可以保證加工氣體在反應腔體內順利啟輝。
經實驗證明，採用本發明提供的ITO薄膜濺鍍加工方法，在啟輝過程中瞬間的啟輝電壓大約為現有技術的啟輝電壓（通常可達1000V）的三分之一，從而避免啟輝瞬間粒子能量過高，進而減小濺鍍粒子對GaN層的轟擊力度，有效減少對GaN層的損傷。
下面參照圖2描述本發明的ITO薄膜濺鍍設備。該設備是根據本發明所提供的ITO薄膜濺鍍加工方法對基板進行薄膜濺鍍加工。
根據本發明一實施例的ITO薄膜濺鍍設備，其包括一反應腔體1和一直流濺鍍電源（圖中未示）。
其中，反應腔體1包含：一頂壁11、一腔體12、一基板支撐部件13和一靶材2。腔體12可為圓筒形腔體；靶材2設置於頂壁11且與設在反應腔體1底部的基板支撐部件13相對；基板支撐部件13如：基台設在腔體12內的底部，用於支撐基板7。
如圖2所示，腔體12外還設有一加工氣體源4，用於向腔體12內提供加工氣體例如：氬氣，在加工氣體源4與腔體12之間還可設有一流量計5，用於檢測自加工氣體源4流出之加工氣體的流量。另外，腔體12外還設有一真空泵系統6，所述真空泵系統6可對腔體12內進行抽氣。關於基板支撐部件13、加工氣體源4、真空泵系統6等均已為現有技術，且為該領域通常知識者所熟知，於此不再詳述。
直流濺鍍電源耦接於靶材2，用於向靶材2施加濺鍍功率。
本發明提供的ITO薄膜濺鍍設備，其通過將直流濺鍍電源耦接於靶材，並採用本發明所提供的ITO薄膜濺鍍技術，不僅可以避免在啟輝瞬間因粒子能量過高而造成對GaN層的轟擊力度過大，從而有效減少對GaN層的損傷。而且，由於不需要增加新的機構，這不僅可以提高薄膜沉積的均勻性，而且還會簡化設備的結構和操作，從而降低設備的製造和人力成本。
本發明的ITO薄膜濺鍍設備的其他構件例如：磁控管3...等均已為現有技術，且為該領域通常知識者所熟知，因此不再詳細說明。
以上所述僅是本發明的較佳實施例而已，並非對本發明做任何形式上的限制，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而並非用以限定本創作，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明技術方案的範圍內，當可利用上述揭示的技術內容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬於本發明技術方案的範圍內。
1．．．反應腔體
11．．．頂壁
12．．．腔體
13．．．基板支撐部件
2．．．靶材
3．．．磁控管
4．．．加工氣體源
5．．．流量計
6．．．真空泵系統
7．．．基板
S1．．．濺鍍步驟一
S2．．．濺鍍步驟二
S3．．．濺鍍步驟三
圖1係本發明之一實施例的ITO薄膜濺鍍加工方法流程圖。圖2係本發明之一實施例的ITO薄膜濺鍍設備示意圖。
S1．．．濺鍍步驟一
S2．．．濺鍍步驟二
S3．．．濺鍍步驟三
Claims (9)
- 一種ITO薄膜濺鍍加工方法，其包括以下步驟：S1，在向反應腔體內通入加工氣體之前，開啟直流濺鍍電源以向靶材施加濺鍍功率，並將所述直流濺鍍電源的輸出電壓設定為一預定電壓值；S2，在經過一預定時間之後，向所述反應腔體內通入加工氣體，以完成啟輝；S3，通過所述直流濺鍍電源向靶材施加濺鍍功率，以進行濺鍍加工。
- 如請求項1所述的ITO薄膜濺鍍加工方法，在步驟S1中，所述濺鍍功率為300W。
- 如請求項1所述的ITO薄膜濺鍍加工方法，在步驟S1中，所述濺鍍功率為650W。
- 如請求項2或3所述的ITO薄膜濺鍍加工方法，所述預定電壓值為800V。
- 如請求項2或3所述的ITO薄膜濺鍍加工方法，所述預定電壓值為300V。
- 如請求項1所述的ITO薄膜濺鍍加工方法，所述預定時間為3至6秒。
- 如請求項1所述的ITO薄膜濺鍍加工方法，在步驟S3中，增大所述直流濺鍍電源之濺鍍功率的功率值，使其大於所述步驟S1中之濺鍍功率的功率值，且小於或等於該直流濺鍍電源的額定功率值。
- 如請求項1所述的ITO薄膜濺鍍加工方法，在進行步驟S1至S3的過程中，所述反應腔體內的加工氣體壓力為2至5毫托。
- 如請求項8所述的ITO薄膜濺鍍加工方法，所述加工氣體壓力為2.8毫托。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310045824.6A CN103966557B (zh) | 2013-02-05 | 2013-02-05 | Ito薄膜溅射工艺方法及ito薄膜溅射设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201432078A TW201432078A (zh) | 2014-08-16 |
| TWI510661B true TWI510661B (zh) | 2015-12-01 |
Family
ID=51236551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102148113A TWI510661B (zh) | 2013-02-05 | 2013-12-25 | ITO film sputtering processing method and ITO film sputtering equipment |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103966557B (zh) |
| TW (1) | TWI510661B (zh) |
| WO (1) | WO2014121642A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110344013A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-10-18 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 溅射方法 |
| CN110643964B (zh) * | 2019-09-24 | 2022-06-14 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 磁控溅射工艺中直流电源的控制方法、控制装置及系统 |
| CN114277348B (zh) * | 2021-12-27 | 2023-06-30 | 晋能清洁能源科技股份公司 | Hjt电池生产中操控磁控溅射设备的方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08311645A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-26 | Teijin Ltd | Ｉｔｏ成膜装置 |
| JP2001254174A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-18 | Hitachi Ltd | 導電部材の物理的表面改質方法および表面改質装置 |
| JP2004055362A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Haiden Kenkyusho:Kk | プラズマ発生方法及びプラズマ発生装置 |
| JP2006002220A (ja) * | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Pioneer Electronic Corp | スパッタリング装置、プラズマディスプレイパネルの製造方法、プラズマ表示装置及びその製造方法 |
| TW200643204A (en) * | 2005-03-14 | 2006-12-16 | Thin Film Process Soft Inc | Sputtering apparatus |
| CN101476110A (zh) * | 2009-01-13 | 2009-07-08 | 大连理工大学 | 会切磁场约束icp增强电离的非平衡磁控溅射薄膜沉积装置 |
| TW201040296A (en) * | 2009-03-12 | 2010-11-16 | Ulvac Inc | Self-ionized sputtering apparatus |
| TW201213574A (en) * | 2010-04-02 | 2012-04-01 | Ulvac Inc | Sputtering apparatus and sputtering method |
| TWM445584U (zh) * | 2012-06-13 | 2013-01-21 | Bay Zu Prec Co Ltd | 連續式濺鍍設備 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103938164B (zh) * | 2013-01-22 | 2016-08-31 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Ito薄膜溅射工艺方法及ito薄膜溅射设备 |
-
2013
- 2013-02-05 CN CN201310045824.6A patent/CN103966557B/zh active Active
- 2013-12-25 TW TW102148113A patent/TWI510661B/zh active
- 2013-12-26 WO PCT/CN2013/090553 patent/WO2014121642A1/zh active Application Filing
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08311645A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-26 | Teijin Ltd | Ｉｔｏ成膜装置 |
| JP2001254174A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-18 | Hitachi Ltd | 導電部材の物理的表面改質方法および表面改質装置 |
| JP2004055362A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Haiden Kenkyusho:Kk | プラズマ発生方法及びプラズマ発生装置 |
| JP2006002220A (ja) * | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Pioneer Electronic Corp | スパッタリング装置、プラズマディスプレイパネルの製造方法、プラズマ表示装置及びその製造方法 |
| TW200643204A (en) * | 2005-03-14 | 2006-12-16 | Thin Film Process Soft Inc | Sputtering apparatus |
| CN101476110A (zh) * | 2009-01-13 | 2009-07-08 | 大连理工大学 | 会切磁场约束icp增强电离的非平衡磁控溅射薄膜沉积装置 |
| TW201040296A (en) * | 2009-03-12 | 2010-11-16 | Ulvac Inc | Self-ionized sputtering apparatus |
| TW201213574A (en) * | 2010-04-02 | 2012-04-01 | Ulvac Inc | Sputtering apparatus and sputtering method |
| TWM445584U (zh) * | 2012-06-13 | 2013-01-21 | Bay Zu Prec Co Ltd | 連續式濺鍍設備 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103966557B (zh) | 2016-08-31 |
| WO2014121642A1 (zh) | 2014-08-14 |
| CN103966557A (zh) | 2014-08-06 |
| TW201432078A (zh) | 2014-08-16 |
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