TWI508619B - 有機電激發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Description

有機電激發光顯示裝置及其製造方法
本發明係關於一種有機電激發光顯示裝置，特別是關於一種有機電激發光顯示裝置及其製造方法，藉以防止因彎曲與突起所引起的劣化。
在諸多平板顯示器中，由於兼備較高的亮度和較低的驅動電壓，所以在有機電激發光顯示裝置在研發過程中已引起了特別的關注。例如，由於可透過5伏特直流電壓與15伏特直流電壓之間的較低電壓對這種有機電激發光顯示裝置進行驅動，所以其驅動電路是易於設計與製造的。此外，由於有機電激發光顯示裝置係為發射型顯示裝置，所以有機電激發光顯示裝置具有較高的對比度與較薄的外形。同時，有機電激發光顯示裝置可在不受視角限制的條件下顯示影像。此外，由於有機電激發光顯示裝置具有幾微秒之極短響應時間，所以有機電激發光顯示裝置還具有在低溫下穩定的工作特性，並善於顯示運動影像。
通常，依據開關元件之存在與否，可將有機電激發光顯示裝置分為被動矩陣型與主動矩陣型兩種。在被動矩陣型有機電激發光顯示裝置中，掃描線與訊號線相互交叉，藉以按矩陣方式定義畫素區，同時無須使用開關元件，由於僅當選定相應掃描線時，每一畫素區才能發出光照，所以每一畫素區之光照具有透過使所需平均亮度乘以掃描線之條數所獲得之即時亮度。
而在主動矩陣型有機電激發光顯示裝置中，掃描線與訊號線相互交叉，藉以按矩陣形式定義畫素區，同時可在每一畫素區中放置作為開關元件之薄膜電晶體以及儲存電容，由於透過這種薄膜電晶體以及儲存電容可在框週期中維持施加於每一畫素區之電壓，因此每一畫素區之光照可具有與所需平均亮度相對應之即時亮度。因此，即時施加與被動型有機電激發光顯示裝置相比較低的電壓，主動矩陣型有機電激發光顯示裝置也可具有所需的平均亮度。進而，由於主動矩陣型有機電激發光顯示裝置具有能耗低、解析度高且尺寸大之優點，所以這種主動矩陣型有機電激發光顯示裝置被廣泛地應用。
「第1圖」為習知的主動矩陣型有機電激發光顯示裝置之電路圖。在「第1圖」中，主動矩陣型有機電激發光顯示裝置之畫素區域P係包含：開關薄膜電晶體STr、驅動薄膜電晶體DTr、儲存電容StgC以及有機電激發光二極體E。可沿第一方向放置閘極線GL，並沿著與第一方向相交叉之第二方向放置資料線DL。進而，此閘極線GL與資料線DL相互交叉可定義出畫素區P。同時，電力線PL可平行於閘極線GL與資料線DL中之一條線路並與之相分離。開關薄膜電晶體STr係連接於閘極線GL與資料線DL，而驅動薄膜電晶體DTr係電性連接於開關薄膜電晶體STr。此外，驅動薄膜電晶體DTr係電性連接於有機電激發光二極體E與電力線PL。例如，此有機電激發光二極體E之第一電極可連接於驅動薄膜電晶體DTr之汲極，進而可透過驅動薄膜電晶體DTr將電力線PL之源極電壓傳送至有機電激發光二極體E。此處，可於驅動薄膜電晶體DTr之閘極與源極之間形成儲存電容StgC。
當向閘極線GL施加閘極訊號時，可開啟開關薄膜電晶體STr並將資料線DL之資料訊號施加於驅動薄膜電晶體DTr之閘極。因此，可開啟驅動薄膜電晶體DTr並從有機電激發光二極體E發出光照。其中，從有機電激發光二極體E所發出之光照的灰階水平取決於從電力線PL透過驅動薄膜電晶體DTr流向有機電激發光二極體E之電流強度。由於在開關薄膜電晶體STr關閉時儲存電容StgC可保持驅動薄膜電晶體DTr之閘極電壓，所以即使在開關薄膜電晶體STr關閉時，恆定電流也可在框週期內流經E。
「第2圖」為習知技術中有機電激發光顯示裝置的剖面圖。在「第2圖」中，有機電激發光顯示裝置包含有相對放置的第一基板3與第二基板31。其中，第一基板3包含有玻璃，而第二基板31係用於進行封存。其中，可透過密封型樣40對第一基板3與第二基板31之邊緣部分進行密封。同時，與第一基板3上之每一畫素區域P中形成驅動薄膜電晶體DTr與第一電極12，並使此第一電極12連接於驅動薄膜電晶體DTr。進而，可與此第一電極12上形成有機發光層14，並於有機發光層14上形成第二電極16。其中，此有機發光層14包含有：紅色發光圖案14a、綠色發光圖案14b及藍色發光圖案14c，藉以分別發出紅色光照、綠色光照及藍色光照，同時可於此紅色發光圖案14a、綠色發光圖案14b及藍色發光圖案14c上形成第二電極16。其中，可將第一電極12與第二電極16之間所產生之電場施加於有機發光層14，並透過此第一電極12與第二電極16構成有機電激發光二極體E。
此處，第一基板3與第二基板31可透過密封型樣40相互接觸，並使位於第一基板3上方之第二電極16與第二基板31相互分離。其中，此第二基板31之內表面上包含有凹槽GR，同時可於此凹槽GR中形成吸收材料32，如氧化鋇(BaO)與氧化鈣(CaO)，藉以防止潮氣從外界滲入。由於，此有機發光層14會因曝露於氧氣或潮氣中而發生劣化，因此，可透過包含有吸收材料32之第二基板31對包含有有機發光層14之第一基板3進行封存，藉以防止氧氣或潮氣的滲入。
其中，吸收材料32之厚度介於150微米至250微米之間，並且可用玻璃纖維(圖中未示出)或間隔件(圖中未示出)使第一基板3與第二基板31間之間隔介於6微米與12微米之間。此處，為了將間隔距離保持在6微米至12微米至範圍內，可於第二基板31中形成其深度大於吸收材料32之厚度的凹槽GR，並於此凹槽GR中形成吸收材料32。
當透過玻璃纖維或厚間隔件使第一基板3與第二基板31相互分離且其間隔距離大於150微米時，會增加材料的消耗以及有機電激發光顯示裝置的厚度。另外，由於玻璃纖維或厚間隔件容易因受到外部撞擊而損傷，因此降低了有機電激發光顯示裝置之可靠性。此外，由於增大了密封型樣40之厚度，所以也增大了曝露於外界之區域並增大了氧氣或潮氣的滲入。因此，可於第二基板31中形成凹槽GR，並於凹槽GR中形成吸收材料32。
但是，由於在第二基板31中形成了凹槽GR，所以減小了與凹槽GR相應之第二基板31的厚度，並使得具有減小厚度之第二基板31易於受到外部撞擊。例如，在於凹槽GR中形成吸收材料32、使第一基板3與第二基板31相互接觸或傳送第二基板31之多個步驟中，都會使第二基板31發生損壞或斷裂。此外，凹槽GR對應於第二基板31之顯示區域，且吸收材料32係形成於凹槽GR中。因此，有機電激發光二極體E所發出得光照無法穿過吸收材料32，且有機電激發光顯示裝置無法成為頂部發生型顯示裝置。
因此，本發明提供了一種有機電激顯示裝置及其製造方法，藉以從實質上避免由以上習知技術之局限及缺點所導致之一個或多個問題。
本發明之一目的在於提供一種有機電激顯示裝置及其製造方法，這種有機電激顯示裝置係包含有封裝基板。
本發明之另一目的在於提供一種有機電激顯示裝置及其製造方法，藉以使這種有機電激顯示裝置成為頂部發光型顯示裝置。
關於本發明之其它特徵及優點將於接下來的內容中提出，有些於內容敘述中即可明顯得知，而有些可於本發明之實施例中得知。本發明之目的以及其它優點，可藉由揭露之結構以及方法而實現，也可從揭露之圖式而得知。
為了獲得本發明的這些目的和其他特徵，現對本發明作具體化和概括性地描述，本發明之一方面提供了一種有機電激發光裝置的製造方法，係包含：製備第一基板與第二基板；於第一基板上形成有機電激發光二極體；於第二基板之上表面上形成第一蝕刻掩膜；於第二基板之下表面上形成第一蝕刻掩膜；於第二基板之下表面上形成第二蝕刻掩膜；在第二基板之上表面上執行第一蝕刻製程；於玻璃基板之第二表面的蝕刻部分上形成第三蝕刻掩膜；於第二基板之上表面上執行第二蝕刻步驟，藉以於此第二基板之上表面上形成複數個凹槽；移除第一蝕刻掩膜與第二蝕刻掩膜，並在玻璃基板之第二表面的蝕刻部分上保留第二蝕刻掩膜；以及將此有機電激發光二極體封裝於第一基板與第二基板之間。
本發明之另一方面在於提供了一種有機電激發光顯示裝置的製造方法，係包含：製備第一基板與第二基板；於第一基板上形成有機電激發光二極體；於第二基板之上表面上形成第一蝕刻掩膜；於第二基板之下表面上形成第二蝕刻掩膜；在第二基板之上表面上執行第一蝕刻製程；於玻璃基板之第二表面之蝕刻部分上形成第三蝕刻掩膜；於第二基板之上表面上執行第二蝕刻製程，藉以於第二基板之上表面上形成複數個凹槽；移除第一蝕刻掩膜、第二蝕刻掩膜及第三蝕刻掩膜；於第二基板之整個上表面上形成第一絕緣材料層；移除此第一絕緣層之末端，並在玻璃基板之第二表面的蝕刻部分上保留一側第一絕緣材料層；以及在此第一基板與第二基板之間封裝有機電激發光二極體。
本發明之又一方面在於提供了一種有機電激發光顯示裝置的製造方法，係包含：於第一基板上形成有機電激發光二極體，其中此第一基板係包含有顯示區域及圍繞此顯示區域之非顯示區域；於第二基板之第一表面與第二表面上形成第一蝕刻掩膜，其中此第二基板係包含：第一區域，係與非顯示區域相對應；第二區域，係與顯示區域相對應；及第三區域，係位於第一區域與第二區域之間，而此第一蝕刻掩膜係位於第一表面之第一區域中以及第二表面之第二區域及第三區域中；用第一蝕刻掩膜作為蝕刻掩膜對第二基板進行蝕刻，藉以使第一區域之第二基板具有第一厚度並使第二基板之第二區域與第三區域具有比第一厚度小的第二厚度；於第一表面上形成第二蝕刻掩膜，其中此第二蝕刻掩膜係位於第一表面之部分第三區域以及第一表面之第二區域中，同時可透過此第二蝕刻掩膜曝露出此第一表面之第三區域的其它部分；用第一蝕刻掩膜與第二蝕刻掩膜對第二基板進行蝕刻，藉以形成與第三區域之其它部分相對應的複數個凹槽，其中與這些凹槽相對應之第二基板具有小於第二厚度的第三厚度；移除位於第一表面及第二表面上的第一蝕刻掩膜；於這些凹槽中形成吸收材料；以及使第一基板與第二基板相結合，藉以使有機電激發光二極體朝向第一基板。
本發明之又一方面在於提供了一種有機電激發光顯示裝置，係包含：第一基板，此第一基板包含有顯示區域以及圍繞此顯示區域的非顯示區域；有機發光二極體，係位於第一基板上的顯示區域中；第二基板，係朝向第一基板並與之分開，其中此第二基板係包含有：第一區域，係對應於非顯示區域；第二區域，係對應於顯示區域；及第三區域，係位於第一區域與第二區域之間，其中此第二基板包含有位於第三區域中之複數個溝槽，且第二基板在第一區域中具有第一厚度，在第二區域中具有小於第一一厚度的第二厚度，而在形成有複數個凹槽之部分第三區域中具有小於第二厚度的第三厚度；保護層，係位於第二基板上之第二區域中；以及封裝圖案，係位於第一基板與第二基板間之第一區域中。
可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。
下面，將結合附圖對本發明實施例進行詳盡地描述。
「第3圖」為本發明第一實施例之有機電激發光顯示裝置，「第4圖」為沿「第3圖」所示之剖面線Ⅳ-Ⅳ所獲得之剖面圖。
在「第3圖」與「第4圖」中，有機電激發光顯示裝置100係包含：第一基板110，係具有開關薄膜電晶體(圖中未示出)；驅動薄膜電晶體DTr及有機電激發光二極體E；以及第二基板170，係朝向第一基板110。其中，此第二基板170係用於對第一基板110進行密封。而第一基板110係包含：顯示區域DA；及非顯示區域NA，係圍繞此顯示區域DA。此處，可於第一基板110上之顯示區域DA中形成複數個閘極線(圖中未示出)、複數個資料線及複數個電力線(圖中未示出)。其中，這些閘極線可與這些資料線相互交叉，藉以定義出複數個畫素區域P，而這些電力線則需與閘極線及資料線相互分開。此外，與閘極線及資料線相連之開關薄膜電晶體、與開關薄膜電晶體STr相連之驅動薄膜電晶體DTr以及電力線係形成於每一畫素區域P中。進而，可於開關薄膜電晶體STr與驅動薄膜電晶體DTr上形成具有平坦頂面得鈍化層130，並於每一畫素區域P中之鈍化層130上形成第一電極150。其中，此鈍化層130包含有接觸孔132，係用於曝露出驅動薄膜電晶體DTr之電極，且第一電極150也可透過此接觸孔132與驅動薄膜電晶體DTr之電極相接觸。
此外，可於每一畫素區域P之邊界部分的第一電極150上形成緩衝圖案152。其中，此緩衝圖案152可覆蓋第一電極150之邊緣部分並與之重疊。進而，可於緩衝圖案152內之第一電極150上形成有機發光層155，並於此有機發光層155上形成第二電極160。此處，第二電極160可作為一個整體而形成於整個顯示區域DA中。進而，第一電極150、有機發光層155及第二電極160可構成有機電激發光二極體E。
此處，可於第一基板110之非顯示區域NA中形成如連接線(圖中未示出)及焊盤之元件，藉以使這些元件連接於外部電路(圖中未示出)。雖然，為了提高「第3圖」與「第4圖」中之接觸特性可在非顯示區域NA內移除鈍化層130，但是也可在此非顯示區域NA內保留鈍化層130，藉以保護如連接線之類的元件。
此處，第二基板170，係包含：第一區域A1，係對應於非顯示區域NA；第二區域A2，係由第一區域A1所圍繞；及第三區域A3，係位於第一區域A1與第二區域A2之間。同時，此第二基板170還可包含有透明玻璃。同時，未被蝕刻的第二基板170之第一區域A1可具有第一厚度t1，而受到蝕刻的第二基板170之第二區域A2可具有小於第一厚度t1之第二厚度t2。此處，可於第二基板170之第三區域A3中形成複數個GR。此外，與這些GR相對應之第二基板170的第三區域A3可具有小於第二厚度t2之第三厚度t3，而第三區域A3之其它區域則可以具有第二厚度t2。其中，這些GR一律以預定距離相互分開。同時，可於第二基板170之第三區域A3的每一個GR中形成吸收材料180，如氧化鋇(BaO)或氧化鈣(CaO)。
此處，第一基板110與第二基板170皆與190相接觸，藉以使第一基板110之顯示區域DA朝向第二基板170之第二區域A2。其中，可在第一區域A1中於第一基板110與第二基板170之間形成密封圖案190。
在本發明第一實施例之有機電激發光顯示裝置100中，由於第二基板170所具有的第二厚度t2大於對應顯示區域DA之第二區域A2中的第三厚度t3，因此可防止因外部撞擊而引起的損壞或斷裂。此外，此第二基板170在第三區域A3之複數個凹槽GR中具有第三厚度t3。因此，由於使複數個凹槽GR相互分開並使具有第一厚度t1或第二厚度t2之多個部分圍繞每一個凹槽GR，所以可減少因外部撞擊所造成的劣化。
當有機電激發光顯示裝置之尺寸增大時，有機電激發光顯示裝置之顯示區域會隨之增大。此外，當有機電激發光顯示裝置之尺寸增大時，因第二基板彎曲而造成劣化之風險也隨之增大。
「第5圖」為本發明第一實施例之有機電激發光顯示裝置的第二基板發生彎曲時的剖面圖。
在「第5圖」中，即使較小的外力也可使尺寸較大之第二基板170發生彎曲。雖然，位於顯示區域DA中之第一基板110與位於第二區域A2中之第二基板170間的間隔距離為幾微米，但由於第二基板170發生彎曲，第二基板170也可與第一基板110之第二電極160相接觸。當此第二基板170具有平坦的內表面時，由於第二電極160係由金屬材料形成，因此彎曲的第二基板170不會使有機電激發光顯示裝置100發生劣化。但是，由於可透過如：氫氟酸(HF)之蝕刻溶液對第二區域A2與第三區域A3中之第二基板170進行蝕刻並使其分別達到第二厚度t2與第三厚度t3，所以會在第二區域A2之第二基板170的內表面上形成高度為1微米至3微米的凸起。而當第二區域A2之第二基板170發生彎曲而與第一基板110之第二電極160相接觸時，此凸起可使第二電極160損壞或者使第一電極150與第二電極160發送電性接觸。因此，會降低有機電激發光顯示裝置100之顯示品質發生劣化。雖然，可透過對第二區域A2之第二基板170進行蝕刻來防止因凸起之接觸所造成的劣化，但減小厚度會使第二區域A2之第二基板170輕易地損壞或斷裂。
「第6圖」為本發明第二實施例之有機電激發光顯示裝置的平面圖。「第7A圖」為沿「第6圖」中Ⅶ-Ⅶ所獲得之剖面圖。「第7B圖」為本發明第二實施例之有機電激發光顯示裝置中第二基板發生彎曲的剖面圖。
在「第6圖」、「第7A圖」及「第7B圖」中，有機電激發光顯示裝置200係包含：第一基板210，係具有開關薄膜電晶體(圖中未示出)；驅動薄膜電晶體DTr；有機電激發光二極體E；以及第二基板270，係朝向第一基板210。其中，第二基板270係用於對第一基板210進行封存。而第一基板210係包含：顯示區域DA；以及非顯示區域NA，係圍繞此顯示區域DA。同時，第一基板210之顯示區域DA中形成有複數個閘極線(圖中未示出)、複數個資料線及複數個電力線(圖中未示出)。此處，這些閘極線與這些資料線相互交叉，藉以定義複數個畫素區域P，而這些電力線與這些閘極線或與這些資料線相互分開。此外，與閘極線及資料線相連之開關薄膜電晶體、與開關薄膜電晶體STr相連之驅動薄膜電晶體DTr以及電力線係形成於每一畫素區域P中。進而，可於開關薄膜電晶體STr與驅動薄膜電晶體DTr上形成具有平坦頂面得鈍化層230，並於每一畫素區域P中之鈍化層230上形成第一電極250。其中，此鈍化層230包含有接觸孔232，此接觸孔232係用於曝露出DTr之電極，且第一電極250也可透過此接觸孔232與驅動薄膜電晶體DTr之電極相接觸。
此外，可於每一畫素區域P之邊界處的第一電極250上形成緩衝圖案252。其中，此緩衝圖案252可覆蓋第一電極250之邊緣部分並與之重疊。進而，可於緩衝圖案252內之第一電極250上形成有機發光層255，並於此有機發光層255上形成第二電極260。此處，第二電極260可作為一個整體形成於整個顯示區域DA中。進而，第一電極250、有機發光層255及第二電極260可構成有機電激發光二極體E。
此處，可於第一基板210之非顯示區域NA中形成如連接線(圖中未示出)及焊盤之元件，藉以使這些元件連接於外部電路(圖中未示出)。雖然，為了提高「第6圖」、「第7A圖」及「第7B圖」中之接觸特性可在非顯示區域NA內移除鈍化層230，但是也可在此非顯示區域NA內保留鈍化層230，藉以保護如連接線之類的元件。
此處，第二基板270，係包含：第一區域A1，係對應於非顯示區域NA；第二區域A2，係由第一區域A1所圍繞；及第三區域A3，係位於第一區域A1與第二區域A2之間。同時，此第二基板270還包含有透明玻璃。同時，未被蝕刻的第二基板270之第一區域A1可具有第一厚度t1，而受到蝕刻的第二基板270之第二區域A2可具有小於第一厚度t1之第二厚度t2。此處，可於第二基板270之第三區域A3中形成複數個凹槽GR。此外，與這些凹槽GR相對應之第二基板270的第三區域A3可具有小於第二厚度t2之第三厚度t3，而第三區域A3之其它區域則可以具有第二厚度t2。其中，這些凹槽GR一律以預定距離相互分開。同時，可於第二基板270之第三區域A3的每一個凹槽GR中形成吸收材料280，如氧化鋇(BaO)或氧化鈣(CaO)。
此處，第一基板210與第二基板270皆與密封圖案290相接觸，藉以使第一基板210之顯示區域DA朝向第二基板270之第二區域A2。其中，可在第一區域A1中於第一基板210與第二基板270之間形成密封圖案290。
在本發明第二實施例之有機電激發光顯示裝置200中，可於第二基板270內表面上之第二區域A2中形成保護層273。其中，當對第三區域A3之第二基板270進行蝕刻藉以形成複數個凹槽GR時，此保護層273可作為第二區域A2之蝕刻掩膜。由於保護層273可作為蝕刻掩膜藉以在第二基板270中形成複數個凹槽GR，所以可在不執行包含有沈積或塗覆之其它光刻製程之狀況下形成保護層273。
其中，此保護層273係包含具有良好彈性及優異的表面粗糙度之透明材料。例如，此保護層273可包含有壓克力、聚碳酸酯及聚對苯二甲酸乙烯酯(PET，poly-ethylene-terephthalate)中的一種材料。雖然，「第7A圖」中並未示出，但是可在第二區域A2中的第二基板270與保護層273之間形成黏合劑。
由於保護層273係形成於第二區域A2內之第二基板270的內表面上，所以從第二區域A2之蝕刻步驟所形成之凸起可被保護層273所覆蓋，同時，可透過此保護層273對第二區域A2中的第二基板270之內表面進行平化處理。因此，即使在第二基板270因外力而發生彎曲時，也可防止由凸起所引起的第二電極260之劣化。此外，由於保護層273具有良好的彈性，所以即時在保護層273與第二電極260相接觸時，也可以減小第二電極260發生劣化之風險。
「第8A圖」為本發明第三實施例之有機電激發光顯示裝置的平面圖，而「第8B圖」為本發明第三實施例之有機電激發光顯示裝置中第二基板發生彎曲的剖面圖。
在「第8A圖」與「第8B圖」中，有機電激發光顯示裝置300係包含：第一基板310，係具有開關薄膜電晶體(圖中未示出)、驅動薄膜電晶體DTr及有機電激發光二極體E；以及第二基板370，係朝向第一基板310。其中，第二基板370係用於對第一基板310進行封存。而第一基板310係包含：顯示區域DA；以及非顯示區域NA，係圍繞此顯示區域DA。同時，第一基板310之顯示區域DA中形成有複數個閘極線(圖中未示出)、複數個資料線及複數個電力線(圖中未示出)。此處，這些閘極線與這些資料線相互交叉，藉以定義複數個畫素區域P，而這些電力線與這些閘極線或資料線相互分開。此外，與閘極線及資料線相連之開關薄膜電晶體、與開關薄膜電晶體STr相連之驅動薄膜電晶體DTr以及電力線係形成於每一畫素區域P中。進而，在每一畫素區域P中，可於開關薄膜電晶體STr與驅動薄膜電晶體DTr上形成具有平坦頂面得鈍化層330，並於之鈍化層330上形成第一電極350。其中，此鈍化層330包含有接觸孔332，係用於曝露出驅動薄膜電晶體DTr之電極，且第一電極350也可透過此接觸孔332與驅動薄膜電晶體DTr之電極相接觸。
此外，可於每一畫素區域P之邊界處的第一電極350上形成緩衝圖案352。其中，此緩衝圖案352可覆蓋第一電極350之邊緣部分並與之重疊。進而，可緩衝圖案於352內之第一電極350上形成有機發光層355，並於此有機發光層355上形成第二電極360。此處，第二電極360可形成於整個顯示區域DA中，而作為一個整體。進而，第一電極350、有機發光層355及第二電極360可構成有機電激發光二極體E。
此處，可透過噴嘴塗覆法或噴射法形成有機發光層355。可以選擇地，可透過熱蒸發法用蔭罩形成此有機發光層355。雖然，「第8A圖」與「第8B圖」並未示出，但當用蔭罩形成有機發光層355時，可於此緩衝圖案352上形成複數個呈條狀的間隔件。當透過蒸發法形成有機發光層355時，這些間隔件可支撐蔭罩，藉以保護此蔭罩之翹曲部分(warpage)。
此處，可於第一基板310之非顯示區域NA中形成如連接線(圖中未示出)及焊盤之元件，藉以使這些元件連接於外部電路(圖中未示出)。雖然，為了提高「第8A圖」及「第8B圖」中之接觸特性可在非顯示區域NA內移除鈍化層330，但是也可在此非顯示區域NA內保留鈍化層330，藉以保護如連接線之類的元件。
此處，第二基板370，係包含：第一區域A1，係對應於非顯示區域NA；第二區域A2，係由第一區域A1所圍繞；及第三區域A3，係位於第一區域A1與第二區域A2之間。同時，此第二基板370還包含有透明玻璃。同時，未被蝕刻的第二基板370之第一區域A1可具有第一厚度t1，而受到蝕刻的第二基板370之第二區域A2可具有小於第一厚度t1之第二厚度t2。此處，可於第二基板370之第三區域A3中形成複數個凹槽GR。此外，與這些GR相對應之第二基板370的第三區域A3可具有小於第二厚度t2之第三厚度t3，而第三區域A3之其它區域則可以具有第二厚度t2。其中，這些凹槽GR一律以預定距離相互分開。同時，可於第二基板370之第三區域A3的每一個GR中形成吸收材料380，如氧化鋇(BaO)或氧化鈣(CaO)。
此處，第一基板310與第二基板370皆與密封圖案390相接觸，藉以使第一基板310之顯示區域DA朝向第二基板370之第二區域A2。其中，可在第一區域A1中於第一基板310與第二基板370之間形成密封圖案390。
在本發明第三實施例之有機電激發光顯示裝置300中，可於第二基板370內表面上之第二區域A2中形成保護層373，並於此保護層373上形成複數個呈條狀的375。其中，保護層373與保護圖案375之一可包含有：如光壓克力與苯環丁烯(BCB，benzocyclobutene)之有機絕緣材料；以及如氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiO2)之無機絕緣材料中的一種材料。此處，保護層373之厚度為2微米至3微米，而每一保護圖案375之高度為1微米至2微米。此外，這些保護圖案375相互平行且彼此分開。當於第一基板310上方之緩衝圖案352上形成複數個間隔件時，可使這些保護圖案375垂直於多個間隔件。或者，可於第二基板370之內表面上形成保護層373，此保護層373包含有有機絕緣材料或無機絕緣材料中的一種，進而可省去複數個保護圖案375。
此處，由於可在第二區域A2中之第二基板370的內表面上形成保護層373，因此可透過保護層373覆蓋在對第二區域A2進行的蝕刻步驟中所形成之凸起，同時可透過保護層373對位於第二區域A2中之保護層373的內表面進行平化處理。因此，即使在第二基板370因外力而發生彎曲時，也可防止因凸起而使第二電極360發生劣化。此外，由於保護層373具有良好的彈性，所以即使在保護層373與第二電極360相互接觸時，也可減輕第二電極360之劣化。
此外，當於保護層373上形成複數個保護圖案375時，可透過複數個保護圖案375防止因高度為4微米至5微米之凸起所引發的劣化。同時，由於凸起位於兩個相鄰的保護圖案375之間或是覆蓋有複數個保護圖案375中的一個，所以當第二基板370因外力而發生彎曲時，可使複數個保護圖案375與第二電極360相互接觸。因此，可防止第二電極360發生破裂並防止第一基板310與第二電極360發生短路。
此外，在其中第一基板310上方之緩衝圖案352上形成有複數個間隔件且垂直於這些間隔件之保護圖案375形成於第二電極360上的有機電激發光顯示裝置中，這些保護圖案375可在第二電極360因外力而發生彎曲時與複數個間隔件相接觸。因此，可最大化地減小接觸面積，同時透過每一間隔件之高度更為穩妥地防止因凸起所產生之劣化。
「第9A圖」至「第9F圖」為用於示出本發明第四實施例之有機電激發光顯示裝置的製造方法之剖面圖。
在「第9A圖」中，在與具有第一區域A1、第二區域A2及第三區域A3之第二基板270的第一表面與第二表面上形成第一蝕刻掩膜271之後，可從第二基板270之第一表面上移除與第二區域A2及第三區域A3相對應的第一蝕刻掩膜271之凸起。因此，可在對應於第一區域A1之第二基板270的第一表面上形成第一蝕刻掩膜271，並透過第一蝕刻掩膜271曝露出對應於第二區域A2與第三區域A3之第二基板270的第一表面。此外，可於第二基板270之全部的第二表面上形成第一蝕刻掩膜271。
其中，可透過透明玻璃形成此第二基板270，並使其具有第一高度t1。此外，可透過轉錄法(transcribing method)用如：壓克力、聚碳酸酯及聚對苯二甲酸二乙酯之透明材料形成第一蝕刻掩膜271並在第一蝕刻掩膜271與第二基板270之間形成黏合層(圖中未示出)。此處，第一區域A1與第二區域A2分別對應於第二基板270之中央區域與邊緣區域，而第三區域A3則位於第一區域A1與第二區域A2之間。
在「第9B圖」中，可用第一蝕刻掩膜271作為蝕刻圖案對第二基板270進行第一蝕刻步驟。例如，可透過噴塗法或浸泡法用如氫氟酸(HF)之蝕刻溶液對第二基板270進行蝕刻。因此，可對透過第一蝕刻掩膜271所曝露出之第二基板270進行蝕刻，並使與第二區域A2及第三區域A3相對應之第二基板270具有小於第一高度t1之第二高度t2。而在第一蝕刻步驟之後，由於部分蝕刻差異，在第二基板270之第一表面上會形成複數個凸起。
在「第9C圖」中，可於對應第二區域A2及部分第三區域A3之第二基板270的第一表面上形成第二蝕刻掩膜272，而在形成此第二蝕刻掩膜製成，不在後續製程中形成(「第9C圖」所示之)複數個凹槽GR。例如，可用黏合劑使第二蝕刻掩膜272與第一表面相結合。因此，可在與第一區域A1相應第二基板之第二基板270的第一表面上形成第一蝕刻掩膜271。此處，還可於第二基板270之整個第二表面上形成此第一蝕刻掩膜271。同時，可於對應第二區域A2與部分第三區域A3之第二基板270的第一表面上形成第二蝕刻掩膜272，而在後續製程中不於此第一表面上形成複數個凹槽GR。同時，可透過第一蝕刻掩膜271與第二蝕刻掩膜272曝露出在後續製程中形成複數個凹槽GR且與部分第三區域A3相對應之第二基板270的第一表面。
或者，可在第一蝕刻步驟之後移除與第一區域A1相應的第二基板270之第一表面上的第一蝕刻掩膜271，並在與第一區域A1相對應之第二基板270的第一表面上形成第二蝕刻掩膜272。
在「第9D圖」中，可透過第一蝕刻掩膜271與第二蝕刻掩膜272作為蝕刻圖案執行對第二基板270的第二蝕刻步驟。例如，可透過噴塗法或浸泡法用如氫氟酸(HF)之蝕刻溶液對第二基板270進行蝕刻。因此，可對透過第一蝕刻掩膜271與第二蝕刻掩膜272所曝露出之第二基板270進行蝕刻，藉以在第三區域A3中形成複數個凹槽GR，同時使對應於第三區域A3中之凹槽GR的第二基板270具有小於第二厚度t2之第三厚度t3。
在「第9E圖」中，可從與第一區域A1相對應之第二基板270的第一表面及第二基板270的第二表面上移除第一蝕刻掩膜271，同時在第二區域A2與其上未形成複數個凹槽GR之部分第三區域A3所對應之第二基板270的第一表面上保留第二蝕刻掩膜272。因此，可使此第二基板270在第一區域A1中具有第一厚度t1，在第二區域A2中具有第二厚度t2，並使未形成複數個凹槽GR之第三區域A3具有第三厚度t3。此外，位於第二區域A2中之第二蝕刻掩膜272仍可成為覆蓋複數個凸起之保護層273(如「第6圖」、「第7A圖」及「第7B圖」所示)，進而防止複數個凸起所引發之劣化。
在「第9F圖」中，可於複數個凹槽GR中形成吸收材料280。此處，請參考本發明第一實施例之有機電激發光顯示裝置100(如「第3圖」及「第4圖」所示)，同時可在透過「第9A圖」至「第9E圖」所示之步驟製造出(如「第3圖」及「第4圖」所示之)第二基板170後，可移除第二蝕刻掩膜並於這些溝槽內形成吸收材料。
「第10A圖」至「第10E圖」為用於說明本發明第五實施例之有機電激發光顯示裝置的製造方法的剖面圖。
在「第10A圖」中，透過與「第9A圖」至「第9E圖」所示之相似的步驟可使所製造出的第二基板370具有第一厚度t1、第二厚度t2及第三厚度t3。其中，第一厚度t1對應於第一區域A1，第二厚度t2對應於第二區域A2及第三區域A3之為形成GR的部分。此外，第三厚度t3係對應於複數個凹槽GR。而在第一蝕刻掩膜371係形成於第一區域A1中之第二基板370的第一表面上以及第二基板370的整個第二表面上，且第二蝕刻掩膜372形成於第二區域A2中之第二基板370的第一表面上。同時，位於第二區域A2中之第二基板370的第一表面上之複數個凸起被第二蝕刻掩膜372所覆蓋。
在「第10B圖」中，可從第二基板370處移除第一蝕刻掩膜371與第二蝕刻掩膜372。進而，可曝露出包含有複數個凸起的第二基板370之第一表面與第二表面。
在「第10C圖」中，可透過塗覆有機絕緣材料或沈積無機絕緣材料與第二基板370之整個第一表面上形成第一絕緣材料層377。
在「第10D圖」中，可對第一絕緣材料層377進行圖案化處理，藉以於第二區域A2中之第二基板370的第一表面上形成保護層373。例如，可移除對應於第一區域A1及第三區域A3之第一絕緣材料層377，同時保留對應於第二區域A2之第一絕緣材料層377。因此，這種保護層373可覆蓋第二基板370之複數個凸起。
在「第10E圖」中，可在於保護層373上形成第二絕緣材料層(圖中未示出)之後，對此第二絕緣材料層進行圖案化處理，藉以於保護層373上形成複數個保護圖案375。例如，塊透過塗覆有機絕緣材料或沈積無機絕緣材料形成此第二絕緣材料層。此外，這些保護圖案375中之每一個可具有條狀，同時這些保護圖案375相互平行且彼此分開。而在形成這些保護圖案375之後，可於第三區域A3中之複數個凹槽GR內形成吸收材料380。
或者，也可省去這些保護圖案375。同時，還可透過單個圖案製程形成保護層373及多個保護圖案375，其中所述單個圖案製程係包含：具有材料之塗覆步驟；應用具有阻擋區域、半透光區域及透光區域的光罩所進行之曝光步驟；以及圖案化步驟。
此外，可透過相同方法製造出本發明第一實施例至第三實施例之有機電激發光顯示裝置的第一基板。例如，可於(「第4圖」所示之)第一基板110上形成具有中間絕緣層的閘極線及資料線。同時，可於此第一基板110上形成與閘極線及資料線平行且相互分離的電力線。此外，還可於第一基板110上形成連接於閘極線之開關薄膜電晶體，連接於此開關薄膜電晶體之驅動薄膜電晶體DTr以及電力線。接下來，可於此開關薄膜電晶體及驅動薄膜電晶體上形成鈍化層130。其中，此鈍化層130係包含有(「第4圖」所示之)接觸孔132，藉以曝露出驅動薄膜電晶體DTr之電極。
進而，可於此鈍化層130上形成第一電極150。其中，此第一電極150可放置於(「第4圖」所示之)每一畫素區域P中並透過接觸孔132連接於驅動薄膜電晶體DTr之電極。接下來，可於第一電極150上形成緩衝圖案152。並於畫素區域P之邊緣部分上形成緩衝圖案152，藉以覆蓋第一電極150之邊緣部分。進而，可根據形成有機發光層155之後續步驟，於緩衝圖案152上形成具有條狀的間隔件。而後，可於此畫素區域P內之第一電極上形成有機發光層155。其中，可透過噴嘴塗覆法、噴墨法及應用蔭罩之熱蒸汽法形成有機發光層155。接下來，便可於此有機發光層155上形成第二電極160。其中，可將此第二電極160作為一個整體放置於(「第4圖」所示之)整個顯示區域DA中。
可在製造出第一基板110與第二基板170後，相對放置此第一基板110與第二基板170。接下來，可在對應於第一區域A1之第一基板110與第二基板170之間形成密封圖案190，並使第一基板110與第二基板170相互結合，藉以使第一基板110的(「第4圖」所示之)有機電激發光二極體E朝向第二基板170，進而製成此有機電激發光顯示裝置。例如，可在如惰性氣體環境及真空等環境中使第一基板與第二基板相互結合。
在有機電激發光顯示裝置中，可向上發出光照，且由於在未顯示區域中放置了吸收材料，所以有機電激發光顯示裝置可為頂部發射型。此外，由於可在進行封裝之基板的邊緣部分中形成了具有吸收材料的複數個溝槽並可使進行封裝之基板的中央部分之厚度大於其邊緣部分之厚度，所以可防止基板在封裝過程中發生劣化，如基板之損壞或斷裂。此外，由於可在進行封裝之基板上形成保護層，所以可防止有機電激發光顯示裝置因進行封裝之基板的彎曲而發生劣化，如：有機電激發光二極體之第二電極被損壞或有機電極二極體之第一電極與第二電極發生電性短路。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。
3‧‧‧第一基板
12‧‧‧第一電極
14‧‧‧有機發光層
14a‧‧‧紅色發光圖案
14b‧‧‧綠色發光圖案
14c‧‧‧藍色發光圖案
16‧‧‧第二電極
31‧‧‧第二基板
32‧‧‧吸收材料
40‧‧‧密封型樣
100、200、300‧‧‧有機電激發光顯示裝置
110、210、310‧‧‧第一基板
130、230、330‧‧‧鈍化層
132、232、332‧‧‧接觸孔
150、250、350‧‧‧第一電極
152、252、352‧‧‧緩衝圖案
155、255、355‧‧‧有機發光層
160、260、360‧‧‧第二電極
170、270、370‧‧‧第二基板
271、371‧‧‧第一蝕刻掩膜
272、372‧‧‧第二蝕刻掩膜
273、373‧‧‧保護層
375‧‧‧保護圖案
377‧‧‧第一絕緣材料層
180、280、380‧‧‧吸收材料
190、290、390‧‧‧密封圖案
A1‧‧‧第一區域
A2‧‧‧第二區域
A3‧‧‧第三區域
DA‧‧‧顯示區域
NA‧‧‧非顯示區域
STr‧‧‧開關薄膜電晶體
DTr‧‧‧驅動薄膜電晶體
StgC‧‧‧儲存電容
E‧‧‧有機電激發光二極體
GL‧‧‧閘極線
DL‧‧‧資料線
PL‧‧‧電力線
P‧‧‧畫素區域
GR‧‧‧凹槽
t1‧‧‧第一厚度
t2‧‧‧第二厚度
t3‧‧‧第三厚度
第1圖為習知技術中主動矩陣型有機電激發光顯示裝置之電路圖；
第2圖為習知的有機電激發光顯示裝置之剖面圖；
第3圖為本發明第一實施例之有機電激發光顯示裝置的平面圖；
第4圖為沿第3圖之剖面線Ⅳ-Ⅳ所得到之平面圖；
第5圖為本發明第一實施例之有機電激發光顯示裝置之第二基板發生彎曲之剖面圖；
第6圖為本發明第二實施例之有機電激發光顯示裝置的剖面圖；
第7A圖為沿第6圖之Ⅶ-Ⅶ之剖面圖；
第7B圖為本發明第二實施例有機電激發光顯示裝置之第二基板發生彎曲之剖面圖；
第8A圖為本發明第三實施例之有機電激發光顯示裝置的剖面圖；第8B圖為本發明第三實施例有機電激發光顯示裝置之第二基板發生彎曲之剖面圖；第9A圖至第9F圖為對本發明第四實施例之有機電激發光顯示裝置的製造方法進行說明的剖面圖；以及第10A圖至第10E圖為對本發明第五實施例之有機電激發光顯示裝置的製造方法進行說明的剖面圖。
100．．．有機電激發光顯示裝置
110．．．第一基板
130．．．鈍化層
132．．．接觸孔
150．．．第一電極
152．．．緩衝圖案
155．．．有機發光層
160．．．第二電極
170．．．第二基板
180．．．吸收材料
190．．．密封圖案
A1．．．第一區域
A2．．．第二區域
A3．．．第三區域
DA．．．顯示區域
NA．．．非顯示區域
DTr．．．驅動薄膜電晶體
E．．．有機電激發光二極體
P．．．畫素區域
GR．．．凹槽
t1．．．第一厚度
t2．．．第二厚度
t3．．．第三厚度

Claims (10)

  1. 一種有機電激發光顯示裝置的製造方法，係包含有下列步驟：製備一第一基板與一第二基板，其中該第一基板包含：一顯示區域及圍繞該顯示區域之一非顯示區域，並且其中該第二基板包含：對應於該非顯示區域之一第一區域；對應於該顯示區域之一第二區域；及位於該第一區域與該第二區域間之一第三區域；於該第一基板上形成一有機電激發光二極體；於該第二基板之上表面上之該第一區域中形成一第一蝕刻掩膜；於該第二基板之下表面上形成一第二蝕刻掩膜；於該第二基板之上表面執行一第一蝕刻製程，藉以形成一蝕刻部份，該蝕刻部份對應於該第二基板之上表面上的該第二區域與該第三區域；於該第二基板之上表面之該蝕刻部分上的該第二區域中形成第三蝕刻掩膜；於該第二基板之上表面的該蝕刻部份上執行一第二蝕刻步驟，藉以形成與該第二基板之上表面上之第三區域相對應的複數個凹槽；移除該第一蝕刻掩膜與該第二蝕刻掩膜，同時將該第三蝕刻掩膜保留於該第二基板之上表面的該蝕刻部分上之該第二 區域中；以及將該有機電激發光二極體封裝於該第一基板與該第二基板之間。
  2. 如請求項第1項所述之有機電激發光顯示裝置的製造方法，還包含：於所述各凹槽內形成一吸收材料。
  3. 如請求項第1項所述之有機電激發光顯示裝置的製造方法，其中該第二蝕刻掩膜係形成於該第二基板之全部的下表面上。
  4. 如請求項第1項所述之有機電激發光顯示裝置的製造方法，其中該第三蝕刻掩膜係覆蓋形成於該第二基板之上表面上的所有凸起。
  5. 一種有機電激發光顯示裝置的製造方法，係包含：製備一第一基板與一第二基板，其中該第一基板包含：一顯示區域及圍繞該顯示區域之一非顯示區域，並且其中該第二基板包含：對應於該非顯示區域之一第一區域；對應於該顯示區域之一第二區域；及位於該第一區域與該第二區域間之一第三區域；於該第一基板上形成一有機電激發光二極體；於該第二基板之上表面上的該第一區域中形成一第一蝕刻掩膜；於該第二基板之下表面上形成一第二蝕刻掩膜；於該第二基板之上表面上執行一第一蝕刻製程，藉以形成 一蝕刻部份，該蝕刻部份對應於該第二基板之上表面上的該第二區域與該第三區域；於該第二基板之上表面的該蝕刻部分上的該第二區域中形成一第三蝕刻掩膜；於該第二基板之上表面的該蝕刻部份上執行一第二蝕刻製程，藉以於該第二基板之上表面上形成對應於該第三區域之複數個凹槽；移除該第一蝕刻掩膜、該第二蝕刻掩膜及第三蝕刻掩膜；於第二基板之整個的上表面上形成一第一絕緣材料層；移除該第一絕緣材料層之末端部分，並直接在該第二基板之上表面的蝕刻部分上保留該第一絕緣材料層；以及將該有機電激發光二極體封裝於該第一基板與該第二基板之間。
  6. 如請求項第5項所述之有機電激發光顯示裝置的製造方法，還包含：於所述各溝槽內形成一吸收材料。
  7. 如請求項第5項所述之有機電激發光顯示裝置的製造方法，其中於該第二基板之整個下表面上形成該第二蝕刻掩膜。
  8. 如請求項第5項所述之有機電激發光顯示裝置的製造方法，其中該第一絕緣材料層係覆蓋形成於該第二基板之上表面上的所有凸起。
  9. 如請求項第5項所述之有機電激發光顯示裝置的製造方法，還 包含：於該第一絕緣層上形成一保護圖案。
  10. 一種有機電激發光顯示裝置的製造方法，係包含：於一第一基板上形成一有機電激發光二極體，其中該第一基板係包含有：一顯示區域；及一非顯示區域，係圍繞該顯示區域；於一第二基板之第一表面與第二表面上形成一第一蝕刻掩膜，該第二基板係包含：一第一區域，係對應於該非顯示區域；一第二區域，係對應於該顯示區域；及一第三區域係位於該第一區域與該第二區域之間，該第一蝕刻掩膜係位於該第一表面之第一區域中以及該第二表面之第一區域、第二區域及第三區域中；用該第一蝕刻掩膜作為蝕刻掩膜對該第二基板進行蝕刻，藉以形成一蝕刻部份，該蝕刻部份對應於該第二基板之第一表面上的該第二區域與該第三區域，藉以使該第一區域中之該第二基板具有一第一厚度，並使該第二區域及第三區域中之該第二基板具有小於該第一厚度的一第二厚度；於該第一表面之該蝕刻部份上形成一第二蝕刻掩膜，該第二蝕刻掩膜係位於該第一表面之該蝕刻部份的第二區域中，同時透過該第二蝕刻掩膜曝露出該第一表面之該蝕刻部份的該第三區域；用第一蝕刻掩膜與第二蝕刻掩膜對該第二基板進行蝕 刻，藉以形成與該第三區域相對應之複數個凹槽，其中與所述各凹槽相對應之該第二基板具有一第三厚度，該第三厚度小於該第二厚度；移除位於該第一表面與該第二表面上的該第一蝕刻掩膜，並於該第一表面之該蝕刻部份上的該第二區域中保留該第二蝕刻掩模；於所述各凹槽中形成一吸收材料；以及連接該第一基板與該第二基板，藉以使該有機電激發光二極體朝向該第一表面。
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