KR20190101270A - 유기 발광 소자 제조 방법 - Google Patents

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KR20190101270A
KR20190101270A KR1020180061371A KR20180061371A KR20190101270A KR 20190101270 A KR20190101270 A KR 20190101270A KR 1020180061371 A KR1020180061371 A KR 1020180061371A KR 20180061371 A KR20180061371 A KR 20180061371A KR 20190101270 A KR20190101270 A KR 20190101270A
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flexible substrate
forming
conductive wiring
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KR1020180061371A
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조두희
변춘원
권오은
박영삼
유병곤
조남성
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한국전자통신연구원
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Abstract

본 발명에 따르면, 유기 발광 소자의 제조 방법은 보호 기판 상에 발광부들을 형성하는 것; 상기 보호 기판 상에 상기 발광부들을 덮는 봉지층을 형성하는 것; 상기 봉지층 상에 제1 도전 배선을 형성하는 것; 상기 제1 도전 배선 상에 제1 유연 기판을 형성하는 것; 및 상기 보호 기판 및 상기 봉지층 내에 트렌치를 형성하여, 복수의 발광 유닛들을 분리시키는 것을 포함할 수 있다. 상기 트렌치는 상기 제1 도전 배선 및 상기 제1 유연 기판을 노출시킬 수 있다. 상기 발광 유닛들은 상기 발광부들을 각각 포함할 수 있다.

Description

유기 발광 소자 제조 방법{Method of manufacturing organic light emitting device}
본 발명은 유기 발광 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플렉서블, 컨포머블, 및 스트레처블한 유기 발광 소자 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 소자는 유기발광물질을 전기적으로 여기(exciting)시켜 발광시키는 자체 발광형 소자이다. 유기 발광 소자는 기판, 캐쏘드, 애노드 및 상기 캐쏘드와 애노드 사이에 형성된 유기발광층을 포함한다. 유기 발광 소자에 전압을 인가하면 케쏘드로부터 주입된 전자 및 애노드로부터 주입된 정공이 유기 발광층의 발광중심에서 재결합하여 분자 엑시톤를 형성한다. 분자 엑시톤은 바닥상태에 되돌아올 때에 에너지를 방출함으로써 발광한다. 여기 상태에는 단일항 여기와 삼중항 여기가 알려져 있고, 발광은 어느 여기 상태를 통해도 가능하다고 여겨지고 있다. 유기 발광 소자는, 초경량, 고속 응답성, 직류 저전압 구동 등의 특징을 지니며, 차세대 디스플레이에 응용될 것으로 기대되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 과제는 간소화된 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 플렉서블, 컨포머블, 및 스트레처블한 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
유기 발광 소자의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 개념에 따르면, 유기 발광 소자는 보호 기판 상에 발광부들을 형성하는 것; 상기 보호 기판 상에 상기 발광부들을 덮는 봉지층을 형성하는 것; 상기 봉지층 상에 제1 도전 배선을 형성하는 것; 상기 제1 도전 배선 상에 제1 유연 기판을 형성하는 것; 및 상기 보호 기판 및 상기 봉지층 내에 트렌치를 형성하여, 복수의 발광 유닛들을 분리시키는 것을 포함하되, 상기 트렌치는 상기 제1 도전 배선 및 상기 제1 유연 기판을 노출시키고, 상기 발광 유닛들은 상기 발광부들을 각각 포함할 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 유연 기판은 복수의 픽셀 영역들 및 상기 픽셀 영역들을 둘러싸는 브릿지 영역을 가지고, 상기 발광 유닛들은 상기 픽셀 영역들에 각각 제공되고, 상기 트렌치는 상기 브릿지 영역 상에 제공될 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 제1 도전 배선은 상기 제1 유연 기판의 상기 픽셀 영역들 및 상기 브릿지 영역 상에 제공될 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 보호 기판 상에 게이트 패턴을 형성하는 것; 상기 게이트 패턴 상에 절연 패턴을 형성하는 것; 상기 절연 패턴 상에 소스 패턴, 드레인 패턴, 및 활성 패턴을 형성하는 것; 및 상기 소스 패턴, 상기 드레인 패턴, 및 상기 활성 패턴을 덮는 평탄층을 형성하는 것을 더 포함하되, 상기 발광부들 및 상기 봉지층은 상기 평탄층 상에 배치될 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 제1 도전 배선은 상기 발광 유닛들의 소스 패턴들과 전기적으로 연결될 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 발광부들 각각은 적층된 제1 전극, 유기 발광층, 및 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 드레인 패턴과 전기적으로 연결될 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 제1 유연 기판 상에 제2 도전 배선을 형성하는 것을 더 포함하되, 상기 제2 도전 배선은 상기 제2 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 복수의 발광 유닛들을 분리된 후, 상기 제2 도전 배선은 상기 브릿지 영역 상에 남아있을 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 발광부들은 상기 트렌치에 노출되지 않을 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 봉지층 및 상기 보호 기판은 견고(rigid)하고, 상기 봉지층 및 상기 보호 기판은 가스 배리어 물질을 포함할 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 브릿지 영역의 제1 유연 기판은 주름 구조를 갖고, 상기 제1 유연 기판의 상기 브릿지 영역 상의 상기 제1 도전 배선은 주름 구조를 가질 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 트렌치 내에 보호 패턴을 형성하여, 상기 제1 도전 배선의 하부면을 덮은 것을 더 포함할 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 트렌치를 형성하기 이전에, 상기 보호 기판의 두께 감소 공정을 수행하는 것을 더 포함할 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 발광 유닛들은 상기 제1 유연 기판에 의해 서로 연결될 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 트렌치를 형성하는 것은 레이저를 사용한 공정 또는 포토 리소그래피를 사용한 식각 공정에 의해 수행될 수 있다.
본 발명에 따르면, 유기 발광 소자 제조 방법은 픽셀 영역들 및 브릿지 영역을 포함하는 유연 기판을 준비하는 것; 상기 유연 기판 상에 제1 도전 배선 및 제2 도전 배선을 형성하는 것, 상기 제1 도전 배선 및 상기 제2 도전 배선은 상기 픽셀 영역들 및 상기 브릿지 영역 상에 제공되고; 상기 제1 도전 배선 및 상기 제2 도전 배선 상에 평탄층을 형성하는 것;상기 평탄층 상에 발광부들을 형성하되, 상기 발광 유닛들은 상기 픽셀 영역들 상에 각각 제공되고; 상기 평탄층 상에 봉지층을 형성하여, 상기 발광부들을 덮는 것; 상기 봉지층 상에 보호 기판을 형성하는 것; 및 상기 유연 기판의 상기 브릿지 영역 상에 상기 보호 기판, 상기 봉지층, 및 상기 평탄층을 관통하는 트렌치를 형성하여, 복수의 발광 유닛들을 서로 분리시키는 것을 포함할 수 있다. 상기 트렌치는 상기 유연 기판, 상기 제1 도전 배선, 및 상기 제2 도전 배선을 노출시킬 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 발광 유닛들은 상기 발광부들을 각각 포함하고, 상기 발광부들은 상기 트렌치에 노출되지 않을 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 발광부들 각각은 적층된 제1 전극, 유기 발광층, 및 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제2 도전 배선과 전기적으로 연결될 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 유연 기판 상에 게이트 패턴을 형성하는 것; 상기 게이트 패턴, 상기 제1 도전 배선, 및 상기 제2 도전 배선을 덮는 절연 패턴을 형성하는 것; 상기 절연 패턴 상에 소스 패턴, 드레인 패턴, 및 활성 패턴을 형성하는 것; 및 상기 평탄층은 상기 소스 패턴, 상기 드레인 패턴, 및 상기 활성 패턴을 덮을 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 제1 도전 배선은 상기 소스 패턴과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명에 따르면, 발광 유닛들의 서로 대응되는 구성 요소들은 서로 단일한 공정에 의해 동시에 형성될 수 있다. 보호 기판, 절연 패턴, 평탄층, 봉지층, 유연 기판들, 구동부들, 발광부, 및 도전 배선들은 픽셀 영역들 상에 형성될 수 있다. 이 후, 커팅 공정에 의해 발광 유닛들이 서로 분리될 수 있다. 발광 유닛들은 픽셀 영역들 상에 각각 제공될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 소자의 제조 공정이 간소화될 수 있다.
유기 발광 소자는 플렉서블, 컨포머블, 및 스트레처블할 수 있다. 유기 발광 소자의 브릿지 영역이 구부러지더라도, 발광 유닛들은 구부러지지 않을 수 있다. 이에 따라, 발광 유닛들이 손상되지 않을 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 2a는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면이다.
도 2b 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면이다.
도 3a 및 도 3b는 일 실시예들에 따른 유기 발광 소자의 구부러진 상태를 도시한 단면도들이다.
도 4a, 도 5a, 도 6a, 도 7a, 도 8a, 및 도 9a는 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들로, 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면들에 대응된다.
도 4b, 도 5b, 도 6b, 도 7b, 도 8b, 및 도 9b는 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들로, 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면들에 대응된다.
도 10a 및 도 10b는 다른 실시예들에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도들로, 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면 및 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면에 각각 대응된다.
도 11a 및 도 11b는 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도들로, 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면 및 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면에 각각 대응된다.
도 12a, 도 13a, 및 도 14a는 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들로, 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면들에 대응된다.
도 12b, 도 13b, 및 도 14b는 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들로, 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면에 대응된다.
도 15a 및 도 15b는 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도들로, 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면 및 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면에 각각 대응된다.
도 16a 및 도 16b는 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도들로, 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면 및 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면에 각각 대응된다.
도 17a 및 도 17b는 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도들로, 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면 및 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면에 각각 대응된다.
도 18a는 도 17a의 유기 발광 소자의 구부러진 상태를 도시한 단면도이다.
도 18b는 도 17b의 유기 발광 소자의 구부러진 상태를 도시한 단면도이다.
도 19a, 도 20a, 및 도 21a는 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들로, 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면들에 대응된다.
도 19b, 도 20b, 및 도 21b는 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들로, 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면들에 대응된다.
도 22a 및 도 22b는 또 다른 실시예들에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도들로, 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면 및 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면에 각각 대응된다.
도 23은 실시예들에 따른 유기 발광 소자의 발광 유닛들 중 어느 하나의 회로도이다.
본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다. 그러나 본 발명은, 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예들의 설명을 통해 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 당해 기술분야에서 통상의 기술을 가진 자는 본 발명의 개념이 어떤 적합한 환경에서 수행될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 ‘포함한다(comprises)’ 및/또는 ‘포함하는(comprising)’은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
본 명세서에서 어떤 막(또는 층)이 다른 막(또는 층) 또는 기판 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막(또는 층) 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막(또는 층)이 개재될 수도 있다.
본 명세서의 다양한 실시예들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 영역, 막들(또는 층들) 등을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 영역, 막들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 소정 영역 또는 막(또는 층)을 다른 영역 또는 막(또는 층)과 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시예에의 제1막질로 언급된 막질이 다른 실시예에서는 제2막질로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시예는 그것의 상보적인 실시예도 포함한다. 본 명세서에서, 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭할 수 있다.
본 발명의 실시예들에서 사용되는 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 통상적으로 알려진 의미로 해석될 수 있다.
이하, 본 발명의 개념에 따른 유기 발광 소자 및 그 제조 방법을 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 소자를 도시한 평면도이다. 도 2a는 일 실시예에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도로, 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면이다. 도 2b는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면이다.
도 1, 도 2a, 및 도 2b를 참조하면, 유기 발광 소자(1)는 발광 유닛들(10), 제1 유연 기판(510), 제1 도전 배선(410), 제2 도전 배선(420), 및 제2 유연 기판(520)을 포함할 수 있다. 제1 유연 기판(510)은 도 1과 같이 평면적 관점에서 픽셀 영역들(Px) 및 브릿지 영역(Br)을 가질 수 있다. 픽셀 영역들(Px)은 서로 이격 배치될 수 있다. 브릿지 영역(Br)은 픽셀 영역들(Px)을 둘러싸며, 픽셀 영역들(Px)을 서로 분리시킬 수 있다. 발광 유닛들(10)은 픽셀 영역들(Px)에 각각 배치될 수 있다. 발광 유닛들(10)은 브릿지 영역(Br) 상에 제공되지 않을 수 있다. 발광 유닛들(10)은 제1 유연 기판(510)의 브릿지 영역(Br)에 의해 서로 물리적으로 연결될 수 있다. 발광 유닛들(10) 각각은 도 2a 및 도 2b와 같이 보호 기판(100), 평탄층(120), 봉지층(130), 구동부(200), 및 발광부(300)를 포함할 수 있다. 이하에서 설명의 간소화를 위해 단수의 발광 유닛(10)에 대하여 기술한다.
보호 기판(100)은 유리 또는 스테인레스 스틸을 포함할 수 있다. 보호 기판(100)은 비교적 견고할 수 있다. 보호 기판(100)은 수분 및 산소에 대해 낮은 투과율을 가질 수 있다. 예를 들어, 보호 기판(100)은 가스 배리어 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 보호 기판(100)은 투명할 수 있다. 보호 기판(100)의 두께(T)는 대략 0.0001μm 내지 150μm, 보다 상세하게는 0.0001μm 내지 50μm일 수 있다.
구동부(200)가 보호 기판(100) 상에 제공될 수 있다. 구동부(200)는 트랜지스터를 포함할 수 있다. 구동부(200)는 발광부(300)에서 방출되는 빛을 제어할 수 있다. 구동부(200)는 게이트 패턴(210), 소스 패턴(220), 드레인 패턴(230), 및 활성 패턴(240)을 포함할 수 있다. 게이트 패턴(210)은 보호 기판(100) 상에 형성될 수 있다. 게이트 패턴(210)은 금속, 투명 전도성 산화물, 또는 폴리 실리콘과 같은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 게이트 배선(미도시)이 보호 기판(100) 상에 더 제공되어, 게이트 패턴(210)과 전기적으로 연결될 수 있다.
절연 패턴(110)이 보호 기판(100) 상에 형성되어, 게이트 패턴(210)을 덮을 수 있다. 절연 패턴(110)은 게이트 절연막일 수 있다. 절연 패턴(110)은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx), 알루미늄 산화물(Al2O3) 및/또는 절연성 폴리머를 포함할 수 있다.
소스 패턴(220) 및 드레인 패턴(230)이 절연 패턴(110) 상에 제공될 수 있다. 드레인 패턴(230)은 소스 패턴(220)과 옆으로 이격 배치될 수 있다. 소스 패턴(220) 및 드레인 패턴(230)은 금속 및/또는 투명 전도성 산화물과 같은 도전성 물질을 포함할 수 있다.
활성 패턴(240)이 절연 패턴(110) 상에 제공될 수 있다. 활성 패턴(240)은 소스 패턴(220) 및 드레인 패턴(230) 사이에 개재될 수 있다. 활성 패턴(240)은 평면적 관점에서 게이트 패턴(210)과 중첩될 수 있다. 활성 패턴(240)은 트랜지스터의 채널로 기능할 수 있다. 활성 패턴(240)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 활성 패턴(240)은 비정실 실리콘, 결정질 실리콘, 산화물 반도체, 및/또는 유기 반도체 물질을 포함할 수 있다.
평탄층(120)이 절연 패턴(110) 상에 배치되어, 소스 패턴(220), 드레인 패턴(230), 및 활성 패턴(240)을 덮을 수 있다. 평탄층(120)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 평탄층(120)은 폴리머와 같은 유기물 및/또는 세라믹과 같은 무기물을 포함할 수 있다. 평탄층(120)은 단일층 또는 다중층일 수 있다. 평탄층(120)은 배리어층으로 기능할 수 있다. 예를 들어, 평탄층(120)은 외부 불순물(예를 들어, 공기 또는 수분)이 구동부(200) 또는 봉지층(130)에 유입되는 것을 방지할 수 있다. 이 경우, 평탄층(120)은 세라믹 박막을 포함하고, 상기 세라믹 박막은 낮은 산소 및 수분 투과율을 가질 수 있다. 평탄층(120)은 광산란층의 기능을 더 수행하여, 유기 발광 소자(1)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 도시되지 않았으나, 보호층이 활성 패턴(240) 및 평탄층(120) 사이에 더 제공되어, 활성 패턴(240)을 덮을 수 있다. 보호층은 활성 패턴(240)을 보호하여, 활성 패턴(240)의 열화가 방지/감소될 수 있다. 보호층은 절연 물질을 포함할 수 있다.
발광부(300)가 평탄층(120) 상에서 제공될 수 있다. 발광부(300)는 적층된 제1 전극(310), 발광층(320), 및 제2 전극(330)을 포함할 수 있다. 제1 전극(310)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 전극(310)은 투명 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 전극(310)의 두께는 50nm 내지 150nm 이하일 수 있다. 제1 전극(310)이 150nm보다 두꺼우면, 제1 전극(310)의 투명도가 감소될 수 있다. 다른 예로, 제1 전극(310)은 금속을 포함하며, 반사 전극으로 기능할 수 있다. 제1 도전 비아(235)가 평탄층(120) 내에 제공될 수 있다. 제1 도전 비아(235)는 평탄층(120)을 관통하여, 소스 패턴(220)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 도전 비아(235)는 금속을 포함할 수 있다. 제1 전극(310)은 제1 도전 비아(235)를 통해 소스 패턴(220)과 전기적으로 연결될 수 있다.
발광층(320)이 제1 전극(310) 상에 제공될 수 있다. 발광층(320)은 빛을 발생시킬 수 있다. 일 예로, 발광층(320)에서 발생된 빛은 제1 전극(310) 및 보호 기판(100)을 통해 외부로 방출될 수 있다. 이 경우, 제1 전극(310), 평탄층(120), 절연 패턴(110), 및 보호 기판(100)은 투명할 수 있다. 다른 예로, 발광층(320)에서 방출된 빛은 제2 전극(330)을 통해 외부로 방출될 수 있다. 이 경우, 제2 전극(330)은 투명할 수 있다. 발광층(320)은 적층된 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함할 수 있다.
제2 전극(330)은 발광층(320) 상에 제공될 수 있다. 제2 전극(330)은 도전성 물질을 포함하되, 불투명할 수 있다. 제2 전극(330)은 반사 전극으로 기능할 수 있다. 예를 들어, 발광층(320)에서 생성된 빛은 제2 전극(330)에 반사되어, 제1 전극(310) 및 보호 기판(100)을 통해 외부로 방출될 수 있다. 이에 따라, 발광부(300)의 광추출 효율이 증대될 수 있다. 제2 전극(330)은 금속을 포함할 수 있다. 제2 전극(330)의 두께는 제1 전극(310)의 두께보다 클 수 있다. 제2 전극(330)의 두께는 예를 들어, 50nm 내지 150nm일 수 있다. 제2 전극(330)이 50nm 이상의 두께를 가져, 제2 전극(330)에 의해 반사되는 빛의 비율이 더욱 증가될 수 있다. 이와 달리, 제2 전극(330)은 투명 전극으로 기능할 수 있다. 제1 전극(310) 및 제2 전극(330) 중에서 어느 하나는 캐쏘드로 기능하고, 다른 하나는 애노드로 기능할 수 있다.
봉지층(130)이 평탄층(120) 상에 제공되어, 발광부(300)의 상면 및 측면들을 덮을 수 있다. 예를 들어, 봉지층(130)은 제1 전극(310)의 측면들, 발광층(320)의 측면들, 제2 전극(330)의 측면들, 및 제2 전극(330)의 상면을 덮을 수 있다. 봉지층(130)의 크기는 발광부(300)의 크기보다 클 수 있다. 봉지층(130)은 발광부(300)를 밀봉할 수 있다. 봉지층(130)은 가스 배리어 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 외부의 불순물(예를 들어, 공기 또는 수분)에 의해 발광부(300)가 손상되는 것이 방지될 수 있다. 예를 들어, 특정 세기 이상의 외력이 봉지층(130)에 가해지는 경우, 봉지층(130)에 크렉(crack)이 발생할 수 있다. 이 경우, 외부의 불순물들에 의해 발광부(300)가 손상될 수 있다. 봉지층(130)은 비교적 견고하여(rigid), 휘어지거나 늘어나기 어려울 수 있다. 봉지층(130)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 봉지층(130)은 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 봉지층(130)은 유기층 및 무기층 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기층은 예를 들어, TIO2, WO3, ZnO, ITO(indium tin oxide), SnO2, In2O3, ZrO2, IZO(indium zinc oxide), Al2O3, SiNx, 및/또는 SiNxOy를 포함할 수 있다. (여기에서, x, y는 0 초과의 실수) 유기층은 폴리이미드 및/또는 폴리에틸렌과 같은 폴리머를 포함할 수 있다. 봉지층(130)이 다중층인 경우, 봉지층(130)은 적층된 제1 무기층, 유기층, 및 제2 무기층을 포함할 수 있다. 제1 무기층 및 제2 무기층의 물질은 무기층의 예에서 설명한 바와 같다.
제2 도전 비아(415)가 봉지층(130) 내에 제공될 수 있다. 제2 도전 비아(415)는 봉지층(130) 및 평탄층(120)을 관통하며, 드레인 패턴(230)과 접속할 수 있다. 제2 도전 비아(415)는 제1 도전 비아(235)와 이격될 수 있다. 제2 도전 비아(415)는 제1 도전 비아(235)와 절연될 수 있다. 제2 도전 비아(415)는 금속을 포함할 수 있다.
제1 도전 배선(410)이 봉지층(130) 상에 제공될 수 있다. 제1 도전 배선(410)은 제2 도전 비아(415)와 접속할 수 있다. 제1 도전 배선(410)은 제2 도전 비아(415)를 통해 소스 패턴(220)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 전류가 제1 도전 배선(410) 및 제2 도전 비아(415)를 통해 소스 패턴(220)에 흐를 수 있다.
제1 유연 기판(510)이 봉지층(130) 상에 제공되어, 제1 도전 배선(410)을 덮을 수 있다. 제1 유연 기판(510)은 절연성 폴리머를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 유연 기판(510)은 폴리이미드 및/또는 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 유연 기판(510)은 서로 다른 굴절률을 갖는 제1 물질 및 제2 물질을 포함할 수 있다. 제2 물질은 제1 물질 내에 분산될 수 있다. 이에 따라, 제1 유연 기판(510)은 광산란층으로 기능할 수 있다. 예를 들어, 발광층(320)에서 방출된 빛은 제1 유연 기판(510)에 의해 반사되어, 보호 기판(100)을 통해 외부로 방출될 수 있다.
전극 연결부(355)가 도 2b와 같이 평탄층(120) 상에 제공되어, 제2 전극(330)과 전기적으로 연결될 수 있다. 전극 연결부(355)는 제1 전극(310)과 이격 배치되고, 제1 전극(310)과 절연될 수 있다. 전극 연결부(355)는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 전극 연결부(355)는 봉지층(130)에 의해 밀봉될 수 있다.
제3 도전 비아(425)가 봉지층(130) 및 제1 유연 기판(510) 내에 제공되어, 전극 연결부(355)와 접속할 수 있다. 제3 도전 비아(425)는 제2 도전 비아(415)와 절연될 수 있다. 도시된 바와 달리, 전극 연결부(355)는 생략되고, 제3 도전 비아(425)는 제2 전극(330)과 직접 접촉할 수 있다. 도시된 바와 달리, 제3 도전 비아(425)는 복수의 적층된 비아들을 포함할 수 있다.
제2 도전 배선(420)이 제1 유연 기판(510) 상에 제공될 수 있다. 제2 도전 배선(420)은 제3 도전 비아(425) 상에서 제3 도전 비아(425)와 접속할 수 있다. 이에 따라, 제2 도전 배선(420)이 제2 전극(330)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 도전 배선(420)은 제1 도전 배선(410)과 이격 배치되고, 전기적으로 절연될 수 있다. 제2 도전 배선(420)은 금속을 포함할 수 있다.
제2 유연 기판(520)이 제1 유연 기판(510) 상에 제공되어, 제2 도전 배선(420)을 덮을 수 있다. 제2 유연 기판(520)은 절연성 폴리머를 포함할 수 있다. 제2 유연 기판(520)은 서로 다른 굴절률을 갖는 물질들을 포함하여, 광산란층으로 기능할 수 있다.
마이크로렌즈 어레이(미도시)가 제2 유연 기판(520)의 상면 또는 보호 기판(100)의 하면 상에 더 제공될 수 있다. 마이크로렌즈 어레이는 돌출부들을 포함할 수 있다. 마이크로렌즈 어레이에 의해 발광부(300)의 광추출 효율이 향상될 수 있다.
트렌치(20)가 브릿지 영역(Br) 상에 제공되어, 발광 유닛들(10)을 서로 분리시킬 수 있다. 트렌치(20)는 각 발광 유닛(10)의 측벽을 노출시킬 수 있다. 예를 들어, 트렌치(20)는 각 발광 유닛(10)의 보호 기판(100)의 측벽, 절연 패턴(110)의 측벽, 평탄층(120)의 측벽, 봉지층(130)의 측벽을 노출시킬 수 있다. 트렌치(20)는 구동부(200) 및 발광부(300)를 노출시키지 않을 수 있다. 트렌치(20)는 도 2a와 같이 제1 도전 배선(410)의 하부면을 노출시킬 수 있다. 트렌치(20)는 도 2b와 같이 제1 유연 기판(510)의 하부면을 노출시킬 수 있다. 제1 도전 배선(410), 제1 유연 기판(510), 제2 도전 배선(420), 및 제2 유연 기판(520)은 브릿지 영역(Br) 상으로 연장될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전 배선(410), 제1 유연 기판(510), 제2 도전 배선(420), 및 제2 유연 기판(520)은 픽셀 영역들(Px) 및 브릿지 영역(Br)과 평면적 관점에서 중첩될 수 있다. 이에 따라, 발광 유닛들(10)은 제1 도전 배선(410), 제1 유연 기판(510), 제2 도전 배선(420), 및 제2 유연 기판(520)에 의해 물리적으로 연결될 수 있다. 제1 도전 배선(410)은 서로 다른 발광 유닛들(10)의 소스 패턴(220)과 접속할 수 있다. 예를 들어, 제1 도전 배선(410)은 발광 유닛들(10) 중 어느 하나의 소스 패턴(220) 및 발광 유닛들(10) 중 다른 하나의 소스 패턴(220)과 접속할 수 있다. 제2 도전 배선(420)은 서로 다른 발광 유닛들(10)의 제2 전극들(330)과 전기적으로 연결될 수 있다.
이하, 유기 발광 소자의 플렉서블 특성에 대하여 설명한다.
도 3a 및 도 3b는 일 실시예들에 따른 유기 발광 소자의 구부러진 상태를 도시한 단면도들이다. 도 3a는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면이다. 도 3b는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면에 대응된다. 이하의 설명들에서, 유기 발광 소자의 픽셀 영역들은 제1 유연 기판의 픽셀 영역들에 대응되는 영역을 의미하며, 유기 발광 소자의 브릿지 영역은 제1 유연 기판의 브릿지 영역에 대응되는 영역을 의미한다.
도 1, 도 3a, 및 도 3b를 참조하면, 유기 발광 소자(1)는 구부러질 수 있다. 이 때, 유기 발광 소자(1)의 브릿지 영역(Br)은 구부러지되, 픽셀 영역들(Px)은 구부러지지 않을 수 있다. 실시예들에 따르면, 제1 도전 배선(410), 제1 유연 기판(510), 제2 유연 기판(520), 및 제2 도전 배선(420)은 비교적 컨포머블 및 플렉서블하여, 유기 발광 소자(1)의 브릿지 영역(Br)이 용이하게 휘어질 수 있다. 마찬가지로, 1 도전 배선(410), 제1 유연 기판(510), 제2 유연 기판(520), 및 제2 도전 배선(420)은 비교적 스트레처블하여, 유기 발광 소자(1)의 브릿지 영역(Br)이 용이하게 신축될 수 있다.
픽셀 영역들(Px)이 구부러지거나 신축되는 경우, 발광 유닛들(10)이 손상될 수 있다. 예를 들어, 각 발광 유닛(10)의 구동부(200) 및 발광부(300)가 손상될 수 있다. 실시예들에 따르면, 보호 기판(100) 및 봉지층(130)은 비교적 견고하여, 발광 유닛들(10)은 휘어지기 어려울 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 소자(1)의 브릿지 영역(Br)이 구부러지더라도, 유기 발광 소자(1)의 픽셀 영역들(Px)은 구부러지지 않을 수 있다. 이에 따라, 발광 유닛들(10)이 손상되지 않을 수 있다.
도 4a, 도 5a, 도 6a, 도 7a, 도 8a, 및 도 9a는 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들로, 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면들에 대응된다. 도 4b, 도 5b, 도 6b, 도 7b, 도 8b, 및 도 9b는 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들로, 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면에 대응된다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다. 설명의 간소화를 위해 단수의 발광 유닛에 관하여 기술하나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 이하의 제조 방법들의 설명에 있어서, 유연 기판이 제공되기 이전 공정의 경우, 픽셀 영역들 및 브릿지 영역은 각각 유연 기판이 제공되었을 때의 픽셀 영역들 및 브릿지 영역에 대응되는 가상의 영역들을 의미한다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 구동부(200)가 보호 기판(100) 상에 형성될 수 있다. 실시예들에 따르면, 보호 기판(100)이 준비될 수 있다. 일 예로, 게이트 패턴(210)의 형성은 도전층을 보호 기판(100) 상에 형성하는 것 및 상기 도전층을 패터닝하는 것을 포함할 수 있다. 상기 도전층의 패터닝은 마스크를 사용한 식각 공정에 의해 수행될 수 있다. 마스크는 포토리소그래피 공정에 의해 형성될 수 있다. 다른 예로, 게이트 패턴(210)의 형성은 금속 페이스트를 사용한 프린팅 방법에 의해 수행될 수 있다. 도시되지는 않았으나, 도전 배선이 보호 기판(100) 상에 더 형성되어, 게이트 패턴(210)과 접속할 수 있다. 절연 패턴(110)이 보호 기판(100) 상에 형성되어, 게이트 패턴(210)을 덮을 수 있다. 절연 패턴(110)은 앞서 도 1, 도 2a, 및 도 2b에서 설명한 바와 같다.
소스 패턴(220), 드레인 패턴(230), 및 활성 패턴(240)이 절연 패턴(110) 상에 형성될 수 있다. 소스 패턴(220) 및 드레인 패턴(230)은 서로 이격 배치될 수 있다. 소스 패턴(220)은 드레인 패턴(230)과 단일 공정에 의해 형성될 수 있다. 소스 패턴(220) 및 드레인 패턴(230)의 형성은 도전층을 보호 기판(100) 상에 형성하는 것 및 상기 도전층을 패터닝하는 것을 포함할 수 있다. 다른 예로, 소스 패턴(220) 및 드레인 패턴(230)의 형성은 금속 페이스트를 사용한 프린팅 방법에 의해 수행될 수 있다.
활성 패턴(240)은 소스 패턴(220) 및 드레인 패턴(230) 사이에 형성될 수 있다. 활성 패턴(240)의 형성은 절연 패턴(110)을 덮는 반도체층을 형성하는 것 및 상기 반도체층을 패터닝하는 것을 포함할 수 있다. 활성 패턴(240)은 소스 패턴(220) 및 드레인 패턴(230)을 형성하기 이전 또는 이후에 형성될 수 있다. 보호층(미도시)이 활성 패턴(240) 상에 더 형성되어, 활성 패턴(240)을 덮을 수 있다.
구동부(200)이 복수개로 형성될 수 있다. 복수의 구동부들(200)의 형성은 단일 공정에 의해 수행될 수 있다. 예들 들어, 복수의 게이트 패턴들(210)이 단일 공정에 의해 형성되고, 복수의 소스 패턴들(220) 및 드레인 패턴들(230)이 단일 공정에 의해 형성될 수 있다. 구동부들(200)은 픽셀 영역들(Px)에 각각 형성될 수 있다. 이하, 단수의 구동부(200)에 대해 기술한다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 평탄층(120)이 절연 패턴(110) 상에 형성되어, 소스 패턴(220) 및 드레인 패턴(230) 및 활성 패턴(240)을 덮을 수 있다. 평탄층(120)의 상면은 실질적으로 편평할 수 있다. 평탄층(120)의 형성은 증착 공정에 의해 수행될 수 있다. 다른 예로 평탄층(120)의 형성은 스핀코팅법, 바코팅법, 또는 스프레이 코팅법에 의해 수행될 수 있다. 제1 비아홀(234)이 평탄층(120) 내에 형성되어, 드레인 패턴(230)을 노출시킬 수 있다. 제1 비아홀(234)의 형성은 포토리소그래피 방법에 의해 수행될 수 있다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 제1 도전 비아(235), 발광부(300), 및 봉지층(130)이 형성될 수 있다. 제1 도전 비아(235)는 제1 비아홀(234) 내에 형성될 수 있다. 제1 도전 비아(235)는 제1 비아홀(234)을 채울 수 있다. 제1 전극(310), 발광층(320), 및 제2 전극(330)이 평탄층(120) 상에 형성되어, 발광부(300)를 형성할 수 있다. 제1 전극(310)은 제1 도전 비아(235) 상에 형성되어, 제1 도전 비아(235)와 접속할 수 있다. 일 예로, 제1 전극(310), 발광층(320), 또는 제2 전극(330)은 증착 공정에 의해 형성될 수 있다. 다른 예로, 제1 전극(310), 발광층(320), 또는 제2 전극(330)은 프린팅 공정(예를 들어, 잉크젯 프린팅 공정)에 의해 형성될 수 있다. 전극 연결부(355)가 평탄층(120) 상에 더 형성되어, 제2 전극(330)과 접속할 수 있다. 발광부(300)는 복수 개로 형성될 수 있다. 복수의 발광부들(300)은 단일 공정에 의해 동시에 형성될 수 있다. 발광부들(300)은 픽셀 영역들(Px)에 각각 형성될 수 있다. 이하, 단수의 발광부(300)에 대해 기술한다.
봉지층(130)이 평탄층(120) 상에 형성되어, 제1 전극(310), 발광층(320), 및 제2 전극(330)을 덮을 수 있다. 봉지층(130)은 발광부(300) 및 전극 연결부(355)를 밀봉할 수 있다. 봉지층(130)의 형성은 열증착(thermal evaporation)법, 대향 타겟 스퍼터링(facing target sputtering)법, 화학증착법(CVD), 또는 원자층증착법(ALD)에 의해 수행될 수 있다. 다른 예로, 봉지층(130)의 형성은 잉크젯 프린팅법, 스핀코팅법, 바코팅법, 또는 스프레이 코팅법에 의해 수행될 수 있다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 제2 비아홀(414)이 봉지층(130) 내에 형성될 수 있다. 제2 비아홀(414)은 봉지층(130) 및 평탄층(120)을 관통하며, 소스 패턴(220)을 노출시킬 수 있다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 제2 도전 비아(415) 및 제1 도전 배선(410)이 형성될 수 있다. 제2 도전 비아(415)는 제2 비아홀(414) 내에 형성될 수 있다. 제2 도전 비아(415)는 제2 비아홀(414)을 채울 수 있다. 제2 도전 비아(415)는 소스 패턴(220)과 접속할 수 있다.
제1 도전 배선(410)이 제2 도전 비아(415) 및 평탄층(120) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 금속층이 평탄층(120) 상에 형성될 수 있다. 상기 금속층이 패터닝되어, 제1 도전 배선(410)을 형성할 수 있다. 제1 도전 배선(410)은 앞서 도 2a, 도 2b, 도 3a, 및 도 3b에서 설명한 바와 같다. 예를 들어, 제1 도전 배선(410)은 제2 도전 비아(415)와 접속할 수 있다.
도 9a 및 도 9b를 참조하면, 제1 유연 기판(510), 제3 도전 비아(425), 제2 도전 배선(420), 및 제2 유연 기판(520)이 형성될 수 있다. 제1 유연 기판(510)이 봉지층(130) 상에 형성되어, 제1 도전 배선(410)을 덮을 수 있다. 예를 들어, 절연성 폴리머가 봉지층(130) 및 제1 도전 배선(410) 상에 코팅 및 경화되어, 제1 유연 기판(510)을 형성할 수 있다. 도 9b와 같이 제3 비아홀(424)이 제1 유연 기판(510) 및 봉지층(130) 내에 형성되어, 전극 연결부(355)를 노출시킬 수 있다. 제3 도전 비아(425)가 제3 비아홀(424) 내에 형성될 수 있다. 제3 도전 비아(425)는 제3 비아홀(424)을 채울 수 있다. 제3 도전 비아(425)는 전극 연결부(355)와 접속할 수 있다.
제2 도전 배선(420)이 제1 유연 기판(510) 상에 형성될 수 있다. 제2 도전 배선(420)은 제2 도전 비아(415)와 접속할 수 있다. 제2 유연 기판(520)이 제1 유연 기판(510) 상에 형성되어, 제2 도전 배선(420)을 덮을 수 있다.
이후, 보호 기판(100)의 일부가 점선으로 도시한 바와 같이 제거되어, 보호 기판(100)의 두께가 감소할 수 있다. 보호 기판(100)의 제거는 불산 또는 BOE(Buffered Oxidant Etchant)와 같은 불소계 식각액을 사용한 식각 공정에 의해 수행될 수 있다. 감소된 보호 기판(100)의 두께(T)는 대략 0.0001μm 내지 150μm, 보다 상세하게는 0.0001μm 내지 50μm일 수 있다.
다시 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 트렌치(20)가 브릿지 영역(Br) 내에 형성되어, 발광 유닛들(10)이 서로 분리될 수 있다. 발광 유닛들(10)은 트렌치(20)에 의해 서로 이격될 수 있다. 트렌치(20)의 형성은 보호 기판(100), 절연 패턴(110), 평탄층(120), 및 봉지층(130) 상에 커팅 공정을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 커팅 공정은 레이저를 사용한 공정 또는 포토 리소그래피를 사용한 식각 공정을 포함할 수 있다. 커팅 공정에 의해 브릿지 영역(Br) 상의 보호 기판(100), 절연 패턴(110), 평탄층(120), 및 봉지층(130)이 제거될 있다. 도 8a 및 도 8b에서 설명한 바와 같이 보호 기판(100)의 두께가 감소하여, 트렌치(20)가 보호 기판(100) 내에 보다 용이하게 형성될 수 있다. 상기 커팅 공정은 제1 도전 배선(410) 및 제1 유연 기판(510)을 노출시킬 때까지 진행될 수 있다. 트렌치(20)가 형성된 후, 제1 도전 배선(410), 제1 유연 기판(510), 제2 도전 배선(420), 및 제2 유연 기판(520)은 브릿지 영역(Br) 내에 남아있을 수 있다.
실시예들에 따르면, 발광 유닛들(10)의 서로 대응되는 구성 요소들은 서로 단일한 공정에 의해 동시에 형성될 수 있다. 예를 들어, 발광 유닛들(10) 중 어느 하나의 봉지층(130)은 발광 유닛들(10) 중 다른 하나의 봉지층과 단일 공정에 의해 형성될 수 있다. 도 4a 내지 도 9b에서 설명한 보호 기판(100), 절연 패턴(110), 평탄층(120), 봉지층(130), 제1 도전 배선(410), 제1 유연 기판(510), 제2 도전 배선(420), 및 제2 유연 기판(520)은 픽셀 영역들(Px) 및 브릿지 영역(Br) 상에 형성될 수 있다. 이 후, 커팅 공정에 의해 발광 유닛들(10)이 서로 분리될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 소자(1)의 제조 공정이 간소화되고, 유기 발광 소자(1)가 보다 용이하게 제조될 수 있다. 지금까지 설명한 제조예에 의해 유기 발광 소자(1)의 제조가 완성될 수 있다.
도 10a 및 도 10b는 다른 실시예들에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도들이다. 도 10a는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면에 대응된다. 도 10b는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면에 대응된다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.
도 1, 도 10a, 및 도 10b를 참조하면, 유기 발광 소자(2)는 복수의 발광 유닛들(10), 제1 도전 배선(410), 제1 유연 기판(510), 제2 도전 배선(420), 및 제2 유연 기판(520)에 더하여, 보호 패턴(600)을 포함할 수 있다. 보호 패턴(600)은 트렌치(20) 내에 제공될 수 있다. 보호 패턴(600)은 제1 도전 배선(410)의 하부면을 덮어, 제1 도전 배선(410)을 보호할 수 있다. 보호 패턴(600)은 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS)과 같은 절연성 폴리머를 포함할 수 있다. 보호 패턴(600)은 플렉서블, 컨포머블, 및 스트레처블할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 소자(2)는 용이하게 구부러지거나 늘어날 수 있다. 트렌치(20)의 형성 공정 이후, 보호 패턴(600)이 형성될 수 있다. 보호 패턴(600)은 트렌치(20)의 일부를 채우는 것으로 도시되었으나, 이와 달리 보호 패턴(600)은 트렌치(20)를 완전히 채울 수 있다.
발광 유닛들(10) 각각은 보호 기판(100), 절연 패턴(110), 구동부(200), 평탄층(120), 발광부(300), 및 봉지층(130)을 포함할 수 있다. 보호 기판(100), 구동부(200), 발광부(300), 봉지층(130), 제1 도전 배선(410), 제1 유연 기판(510), 제2 도전 배선(420), 및 제2 유연 기판(520)은 도 2a 내지 도 3b에서 설명한 바와 실질적으로 동일하며, 도 4a 내지 도 9b의 예에서 설명한 방법으로 형성될 수 있다.
도 11a 및 도 11b는 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도들이다. 도 11a는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면이다. 도 11b는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면에 대응된다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.
도 1, 도 11a, 및 도 11b를 참조하면, 유기 발광 소자(3)는 복수의 발광 유닛들(10), 제1 도전 배선(410), 제1 유연 기판(510), 제2 도전 배선(420), 및 제2 유연 기판(520)을 포함할 수 있다. 발광 유닛들(10) 각각은 보호 기판(100), 절연 패턴(110), 구동부(200), 평탄층(120), 발광부(300), 및 봉지층(130)을 포함할 수 있다. 보호 기판(100), 구동부(200), 발광부(300), 평탄층(120), 및 봉지층(130)은 앞서 설명한 바와 실질적으로 동일할 수 있다. 다만, 제1 도전 배선(410)은 주름 구조(413)를 가지고, 제1 도전 배선(410)의 주름 구조(413)는 브릿지 영역(Br) 상에 제공될 수 있다. 픽셀 영역들(Px) 상의 제1 도전 배선(410)은 편평할 수 있다. 제1 도전 배선(410)의 주름 구조(413)의 두께는 픽셀 영역들(Px) 상의 제1 도전 배선(410)의 두께와 실질적으로 동일할 수 있다. 제2 도전 배선(420)의 주름 구조(423)의 일부의 단면은 "U"자 형상, "V"자 형상, 또는 회전된 "S"자 형상 등을 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제1 유연 기판(510)은 주름 구조(513)를 가지고, 제1 유연 기판(510)의 주름 구조(513)는 브릿지 영역(Br) 상에 제공될 수 있다. 제1 유연 기판(510)의 주름 구조(513)는 제1 도전 배선(410)의 주름 구조(413)를 따라 연장될 수 있다. 제1 유연 기판(510)의 주름 구조(513)는 제1 도전 배선(410)의 주름 구조(413)와 대응되는 형상을 가질 수 있다.
도 11b와 같이, 제2 도전 배선(420)은 주름 구조(423)를 가질 수 있다. 제2 도전 배선(420)의 주름 구조(423)는 브릿지 영역(Br) 상에 제공될 수 있다. 제2 도전 배선(420)의 주름 구조(423)는 제1 유연 기판(510)의 주름 구조(513)를 따라 연장될 수 있다. 제2 도전 배선(420)의 주름 구조(423)는 제1 유연 기판(510)의 주름 구조(513)와 대응되는 형상을 가질 수 있다.
제2 유연 기판(520)은 주름 구조(523)를 가질 수 있다. 제2 유연 기판(520)의 주름 구조(523)는 브릿지 영역(Br) 상에 제공될 수 있다. 제2 유연 기판(520)의 주름 구조(523)는 제1 유연 기판(510)의 주름 구조(513) 및 제2 도전 배선(420)의 주름 구조(423) 상에 제공될 수 있다. 제2 유연 기판(520)의 주름 구조(523)는 제1 유연 기판(510)의 주름 구조(513) 및 제2 도전 배선(420)의 주름 구조(423)와 대응되는 형상을 가질 수 있다.
제1 도전 배선(410)의 주름 구조(413), 제1 유연 기판(510)의 주름 구조(513), 제2 도전 배선(420)의 주름 구조(423), 및 제2 유연 기판(520)의 주름 구조(523)에 의해, 유기 발광 소자(3)의 플렉서블, 컨포머블, 및 스트레처블 특성이 향상될 수 있다.
제1 도전 배선(410)의 주름 구조(413), 제1 유연 기판(510)의 주름 구조(513), 제2 도전 배선(420)의 주름 구조(423), 및 제2 유연 기판(520)의 주름 구조(523)는 픽셀 영역들(Px) 상에 제공되지 않을 수 있다.
도 12a 내지 도 14b는 다른 실시예들에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 도 12a, 도 13a, 및 도 14a는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면들에 대응된다. 도 12b, 도 13b, 및 도 14b는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면에 대응된다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.
도 12a 및 도 12b를 참조하면, 구동부(200), 절연 패턴(110), 평탄층(120), 발광부(300), 봉지층(130), 제1 도전 비아(235), 제2 도전 비아(415), 절연 구조체들(603), 및 제1 도전 배선(410)이 보호 기판(100) 상에 형성될 수 있다. 구동부(200), 절연 패턴(110), 평탄층(120), 발광부(300), 봉지층(130), 제1 도전 비아(235), 및 제2 도전 비아(415)의 형성은 앞서 도 4a 내지 도 7b에서 설명한 바와 실질적으로 동일한 방법에 의해 수행될 수 있다. 절연 구조체들(603)이 봉지층(130) 상에 형성될 수 있다. 절연 구조체들(603)은 브릿지 영역(Br) 상에 형성되나, 픽셀 영역들(Px) 상에 형성되지 않을 수 있다. 절연 구조체들(603)은 예를 들어, 폴리이미드 및/또는 폴리디메틸실록산과 같은 폴리머를 포함할 수 있다. 절연 구조체들(603)은 플렉서블, 컨포머블, 및 스트레처블할 수 있다. 절연 구조체들(603) 각각은 다각형(예를 들어, 삼각형 또는 사각형 등) 또는 반원형과 같은 다양한 형상을 가질 수 있다.
제1 도전 배선(410)이 평탄층(120) 상에 콘포말하게 형성될 수 있다. 브릿지 영역(Br) 상의 제1 도전 배선(410)의 부분은 절연 구조체들(603)을 따라 연장되어, 주름 구조(413)을 형성할 수 있다.
도 13a 및 도 13b를 참조하면, 제1 유연 기판(510), 제2 도전 배선(420), 및 제2 유연 기판(520)이 봉지층(130) 상에 형성될 수 있다. 제1 유연 기판(510)은 봉지층(130) 상에 실질적으로 콘포말하게 형성될 수 있다. 도 13a와 같이, 브릿지 영역(Br) 상에서 제1 유연 기판(510)은 제1 도전 배선(410)의 주름 구조(413)을 따라 연장될 수 있다. 도 13b와 같이, 브릿지 영역(Br) 상에서 제1 유연 기판(510)은 절연 구조체들(603)을 따라 연장될 수 있다. 이에 따라, 제1 유연 기판(510)의 주름 구조(513)가 형성될 수 있다.
제2 도전 배선(420)은 제1 유연 기판(510) 상에 형성될 수 있다. 도 13b와 같이, 브릿지 영역(Br) 상에서 제2 도전 배선(420)은 제1 유연 기판(510)의 주름 구조(513)를 따라 연장될 수 있다. 이에 따라, 제2 도전 배선(420)의 주름 구조(423)가 형성될 수 있다.
제2 유연 기판(520)은 제1 유연 기판(510) 및 제2 도전 배선(420) 상에 형성될 수 있다. 브릿지 영역(Br) 상에서 제2 유연 기판(520)은 제1 유연 기판(510)의 주름 구조(513) 및 제2 도전 배선(420)의 주름 구조(423)를 따라 연장될 수 있다. 이에 따라, 제2 유연 기판(520)의 주름 구조(523)가 형성될 수 있다.
보호 기판(100)의 일부가 점선으로 도시한 바와 같이 제거되어, 보호 기판(100)의 두께가 감소할 수 있다. 보호 기판(100)의 제거는 앞서 도 9a 및 도 9b에서 설명한 방법에 의해 수행될 수 있다. 감소된 보호 기판(100)의 두께(T')는 대략 0.0001μm 내지 150μm, 보다 상세하게는 0.0001μm 내지 50μm일 수 있다.
도 14a 및 도 14b를 참조하면, 커팅 공정이 브릿지 영역(Br) 상에 수행되어, 트렌치(20)가 브릿지 영역(Br) 내에 형성될 수 있다. 트렌치(20)가 형성되어, 발광 유닛들(10)이 서로 분리될 수 있다. 커팅 공정 후, 절연 구조체들(603)은 제거되지 않고 남아있을 수 있다. 트렌치(20)는 절연 구조체들(603)의 바닥면들을 노출시킬 수 있다. 이 경우, 제1 도전 배선(410)은 절연 구조체들(603)에 의해 외부 불순물로부터 보호될 수 있다. 지금까지 설명한 예에 의해 유기 발광 소자(4)의 제조가 완성될 수 있다.
다른 예로, 커팅 공정 후, 절연 구조체들(603)이 제거될 수 있다. 트렌치(20)는 제1 도전 배선(410) 및 제1 유연 기판(510)을 노출시킬 수 있다. 이 경우, 도 11a 및 도 11b의 유기 발광 소자(3)가 제조될 수 있다.
또 다른 예로, 앞서 도 10a 및 도 10b의 예에서 설명한 보호 패턴(600)이 트렌치(20) 내에 더 형성될 수 있다.
도 15a 및 도 15b는 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도이다. 도 15a는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면에 대응된다. 도 15b는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면에 대응된다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.
도 1, 도 15a, 및 도 15b를 참조하면, 유기 발광 소자(5)는 복수의 발광 유닛들(10), 제1 도전 배선(410), 제1 유연 기판(510), 제2 도전 배선(420), 및 제2 유연 기판(520)을 포함할 수 있다. 복수의 발광 유닛들(10) 각각은 보호 기판(100), 발광부(300), 및 봉지층(130)을 포함할 수 있다. 보호 기판(100), 발광부(300), 봉지층(130), 제1 도전 배선(410), 제1 유연 기판(510), 제2 도전 배선(420), 및 제2 유연 기판(520)은 도 2a 내지 도 3b에서 설명한 바와 동일할 수 있다. 다만, 유기 발광 소자(5)는 구동부(200), 절연 패턴(110), 평탄층(120), 및 제1 도전 비아(235)를 포함하지 않을 수 있다. 제2 도전 비아(415)는 봉지층(130)을 관통할 수 있다. 제2 도전 비아(415)는 도 15a와 같이 제1 전극(310) 상에 제공되어, 제1 전극(310)과 직접 접속할 수 있다. 제2 도전 비아(415)는 제2 전극(330)과 이격 배치되며, 전기적으로 분리될 수 있다. 제1 도전 배선(410)은 평탄층(120) 상에 제공될 수 있다. 제1 도전 배선(410)은 제2 도전 비아(415)와 접속할 수 있다.
도 15b와 같이, 제3 도전 비아(425)가 봉지층(130) 및 제1 유연 기판(510) 내에 제공될 수 있다. 제3 도전 비아(425)는 전극 연결부(355) 및 제2 도전 배선(420)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 도전 배선(420)은 제3 도전 비아(425)를 통해 제2 전극(330)과 전기적으로 접속할 수 있다.
도 16a 및 도 16b는 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도이다. 도 16a는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면에 대응된다. 도 16b는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면에 대응된다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.
도 1, 도 16a, 및 도 16b를 참조하면, 유기 발광 소자(6)는 복수의 발광 유닛들(10), 제1 도전 배선(410), 제1 유연 기판(510), 제2 도전 배선(420), 및 제2 유연 기판(520)을 포함할 수 있다. 발광 유닛들(10) 각각은 보호 기판(100), 절연 패턴(110), 구동부(200), 평탄층(120), 발광부(300), 및 봉지층(130)을 포함할 수 있다. 보호 기판(100), 평탄층(120), 발광부(300), 봉지층(130), 제1 유연 기판(510), 제2 도전 배선(420), 및 제2 유연 기판(520)은 앞서 설명한 바와 실질적으로 동일할 수 있다.
구동부(200)는 게이트 패턴(210), 소스 패턴(220), 드레인 패턴(230), 및 활성 패턴(240)을 포함할 수 있다. 도 2a 및 도 2b와 달리, 절연 패턴(110)은 소스 패턴(220)의 상면, 드레인 패턴(230)의 상면, 및 활성 패턴(240)의 상면 상에 제공될 수 있다. 게이트 패턴(210)은 절연 패턴(110) 상에 배치될 수 있다.
제1 도전 비아(235)는 평탄층(120)을 관통하며, 절연 패턴(110) 내로 연장될 수 있다. 제1 도전 비아(235)는 드레인 패턴(230) 및 제1 전극(310)과 접속할 수 있다.
제2 도전 비아(415)는 봉지층(130)을 관통하며, 평탄층(120) 및 절연 패턴(110) 내로 연장될 수 있다. 제2 도전 비아(415)는 소스 패턴(220) 및 제1 도전 배선(410)과 접속할 수 있다.
일 실시예로, 도 10a 및 도 10b와 같이, 보호 패턴(600)이 트렌치(20) 내에 더 제공되어, 제1 도전 배선(410)의 하부면 및 제1 유연 기판(510)의 하부면을 덮을 수 있다.
다른 실시예로, 도 11a 및 도 11b와 같이, 제1 도전 배선(410)은 같이 브릿지 영역(Br) 상에 제공된 주름 구조(413)를 가질 수 있다. 제1 유연 기판(510)의 주름 구조(513), 제2 도전 배선(420)의 주름 구조(423), 제2 유연 기판(520)의 주름 구조(523)가 브릿지 영역(Br) 상에 더 제공될 수 있다.
도 17a 및 도 17b는 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도들이다. 도 17a는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면에 대응된다. 도 17b는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면에 대응된다. 도 18a는 도 17a의 유기 발광 유기 발광 소자의 구부러진 상태를 도시한 단면도이다. 도 18b는 도 17b의 유기 발광 유기 발광 소자의 구부러진 상태를 도시한 단면도이다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.
도 1, 도 17a, 및 도 17b를 참조하면, 유기 발광 소자(7)는 유연 기판(510'), 제1 도전 배선(410), 제2 도전 배선(420), 및 발광 유닛들(10)을 포함할 수 있다. 유연 기판(510')은 투명할 수 있다. 유연 기판(510')은 앞서 도 2a 및 도 2b의 제1 유연 기판(510)의 예에서 설명한 바와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 유연 기판(510')은 절연성 폴리머를 포함할 수 있다. 유연 기판(510')은 평면적 관점에서 픽셀 영역들(Px) 및 브릿지 영역(Br)을 가질 수 있다. 발광 유닛들(10)이 픽셀 영역들(Px)에 각각 배치될 수 있다. 발광 유닛들(10) 각각은 구동부(200), 발광부(300), 절연 패턴(110), 평탄층(120), 봉지층(130), 접착층(140), 및 보호 기판(100)을 포함할 수 있다. 발광부(300), 절연 패턴(110), 및 평탄층(120), 봉지층(130)은 앞서 도 1, 도 2a, 및 도 2b에서 설명한 바와 유사할 수 있다. 이하, 단수의 발광 유닛(10)에 대하여 기술한다.
제1 도전 배선(410) 및 제2 도전 배선(420)이 유연 기판(510') 상에 제공될 수 있다. 제2 도전 배선(420)은 제1 도전 배선(410)과 이격 배치될 수 있다. 제2 도전 배선(420)은 제1 도전 배선(410)과 전기적으로 분리될 수 있다. 제1 도전 배선(410) 및 제2 도전 배선(420)은 금속을 포함할 수 있다.
구동부(200)는 게이트 패턴(210), 활성 패턴(240), 소스 패턴(220), 및 드레인 패턴(230)을 포함할 수 있다. 게이트 패턴(210)이 유연 기판(510') 상에 제공될 수 있다. 게이트 패턴(210)은 제1 도전 배선(410) 및 제2 도전 배선(420)과 이격될 수 있다. 게이트 패턴(210)은 제1 도전 배선(410) 및 제2 도전 배선(420)과 절연될 수 있다. 절연 패턴(110)은 게이트 패턴(210), 제1 도전 배선(410), 및 제2 도전 배선(420)을 덮을 수 있다. 활성 패턴(240), 소스 패턴(220), 및 드레인 패턴(230)은 절연 패턴(110) 상에 제공될 수 있다. 소스 패턴(220)은 제2 도전 비아(415)를 통해 제1 도전 배선(410)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 도전 비아(415)는 절연 패턴(110) 내에 제공될 수 있다. 제2 도전 비아(415)는 제2 도전 배선(420) 및 소스 패턴(220) 사이에 개재될 수 있다.
평탄층(120)이 절연 패턴(110) 상에 제공되어, 소스 패턴(220), 드레인 패턴(230), 및 활성 패턴(240)을 덮을 수 있다.
발광부(300)가 평탄층(120) 상에 배치될 수 있다. 발광부(300)는 적층된 제1 전극(310), 발광층(320), 및 제2 전극(330)을 포함할 수 있다. 제1 전극(310)은 제2 도전 비아(415) 상에 배치될 수 있다. 제1 도전 비아(235)가 평탄층(120) 내에 제공되어, 드레인 패턴(230)과 접속할 수 있다. 제1 전극(310)은 제2 도전 비아(415)를 통해 드레인 패턴(230)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도 17b와 같이, 전극 연결부(355)가 봉지층(130) 내에 제공되어, 제2 전극(330) 및 제3 도전 비아(425)와 접속할 수 있다. 제3 도전 비아(425)는 평탄층(120) 및 절연 패턴(110) 내에 제공되어, 제2 도전 배선(420)과 접속할 수 있다. 이에 따라, 제2 전극(330)이 전극 연결부(355) 및 제3 도전 비아(425)를 통해 제2 도전 배선(420)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 도전 비아(425)는 제1 도전 비아(235) 및 제2 도전 비아(415)와 이격될 수 있다. 제3 도전 비아(425)는 제1 도전 비아(235) 및 제2 도전 비아(415)와 전기적으로 분리될 수 있다.
봉지층(130)이 평탄층(120) 상에 제공되어, 발광부(300) 및 전극 연결부(355)를 덮을 수 있다. 예를 들어, 봉지층(130)은 제1 전극(310)의 측면들, 발광층(320)의 측면들, 제2 전극(330)의 측면들, 및 제2 전극(330)의 상면을 덮어, 발광부(300)를 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 외부의 불순물(예를 들어, 공기 또는 수분)에 의해 발광부(300)가 손상되는 것이 방지될 수 있다. 봉지층(130)의 너비는 발광부(300)의 최대 너비 보다 클 수 있다.
접착층(140)이 봉지층(130) 상에 제공될 수 있다. 접착층(140)은 단일층 또는 다중층일 수 있다. 접착층(140)은 폴리우레탄 또는 폴리디메틸실록산과 같은 절연성 폴리머를 포함할 수 있다. 접착층(140)은 유연할 수 있다. 접착층(140)은 높은 연신율을 가질 수 있다. 접착층(140)은 서로 다른 굴절률을 갖는 제1 물질 및 제2 물질을 포함할 수 있다. 제2 물질은 제1 물질 내에 분산될 수 있다. 이 경우, 접착층(140)은 광산란층으로 기능할 수 있다.
보호 기판(100)이 접착층(140) 상에 제공될 수 있다. 보호 기판(100)은 접착층(140)에 의해 봉지층(130)에 부착될 수 있다. 보호 기판(100)은 견고할 수 있다.
트렌치(20)가 브릿지 영역(Br) 상에 제공되어, 발광 유닛들(10)을 서로 분리시킬 수 있다. 트렌치(20)는 각 발광 유닛(10)의 측벽을 노출시킬 수 있다. 예를 들어, 트렌치(20)는 각 발광 유닛(10)의 보호 기판(100)의 측벽, 봉지층(130)의 측벽, 평탄층(120)의 측벽, 및 절연 패턴(110)의 측벽을 노출시킬 수 있다. 트렌치(20)는 유연 기판(510')의 상부면, 제1 도전 배선(410)의 상부면, 및 제2 도전 배선(420)의 상부면을 노출시킬 수 있다.
각 발광 유닛(10)의 보호 기판(100), 구동부(200), 발광부(300), 절연 패턴(110), 평탄층(120), 및 봉지층(130)은 브릿지 영역(Br) 내에 제공되지 않을 수 있다. 제1 도전 배선(410) 및 제2 도전 배선(420)은 브릿지 영역(Br) 상으로 연장될 수 있다. 발광 유닛들(10)은 유연 기판(510'), 제1 도전 배선(410), 및 제2 도전 배선(420)에 의해 물리적으로 연결될 수 있다.
다른 예로, 보호 패턴이 트렌치(20) 내에 더 제공되어, 제1 도전 배선(410) 및 제2 도전 배선(420)을 덮을 수 있다. 보호 패턴은 플렉서블, 컨포머블, 및 스트레처블할 수 있다. 또 다른 예로, 구동부(200), 절연 패턴(110), 및 평탄층(120)은 생략될 수 있다. 이 경우, 제1 도전 배선(410)은 제1 전극(310)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이하, 유기 발광 소자(7)의 플렉서블 특성에 대하여 설명한다.
도 1, 도 18a, 및 도 18b를 참조하면, 유기 발광 소자(7)는 구부러질 수 있다. 이 때, 유기 발광 소자(7)의 브릿지 영역(Br)은 구부러지되, 픽셀 영역들(Px)은 구부러지지 않을 수 있다. 실시예들에 따르면, 유연 기판(510'), 제1 도전 배선(410), 및 제2 도전 배선(420)은 비교적 플렉서블 및 컨포머블하여, 유기 발광 소자(7)의 브릿지 영역(Br)이 용이하게 휘어질 수 있다. 유연 기판(510'), 제1 도전 배선(410), 및 제2 도전 배선(420)은 비교적 스트레처블하여, 유기 발광 소자(1)의 브릿지 영역(Br)이 용이하게 신축될 수 있다.
실시예들에 따르면, 봉지층(130) 및 보호 기판(100)은 비교적 견고하여, 발광 유닛들(10)은 휘어지기 어려울 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 소자(7)의 브릿지 영역(Br)이 구부러지더라도, 유기 발광 소자(7)의 픽셀 영역들(Px)은 구부러지지 않을 수 있다. 이에 따라, 각 발광 유닛(10)의 구동부(200) 및 발광부(300)가 손상되지 않을 수 있다.
도 19a 내지 도 21b는 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 19a, 도 20a, 및 도 21a는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면들에 대응된다. 도 19b, 도 20b, 및 도 21b는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면들에 대응된다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.
도 1, 도 19a, 및 도 19b를 참조하면, 유연 기판(510'), 구동부(200), 제1 도전 배선(410), 및 절연 패턴(110)이 임시 기판(700) 상에 형성될 수 있다. 실시예들에 따르면, 유연 기판(510')이 임시 기판(700)을 덮을 수 있다. 게이트 패턴(210), 제1 도전 배선(410), 및 제2 도전 배선(420)은 유연 기판(510') 상에 형성될 수 있다. 게이트 패턴(210)의 형성 방법은 도 4a 및 도 4b의 예에서 설명한 바와 같다. 제1 도전 배선(410) 및 제2 도전 배선(420)은 게이트 패턴(210)과 단일 공정에 의해 형성될 수 있다.
절연 패턴(110)이 유연 기판(510') 상에 형성되어, 게이트 패턴(210) 및 제1 도전 배선(410)을 덮을 수 있다. 제2 비아홀(414)이 절연 패턴(110) 내에 형성되어, 제1 도전 배선(410)을 노출시킬 수 있다. 제2 도전 비아(415)가 제2 비아홀(414) 내에 형성되어, 제2 비아홀(414)을 채울 수 있다. 제2 도전 비아(415)는 제1 도전 배선(410)과 접속할 수 있다.
소스 패턴(220), 및 드레인 패턴(230), 및 활성 패턴(240)이 절연 패턴(110) 상에 형성될 수 있다. 소스 패턴(220), 및 드레인 패턴(230), 및 활성 패턴(240)은 앞서 도 4a 및 도 4b의 예에서 설명한 방법들 중 어느 하나에 의해 형성될 수 있다. 배선들(미도시)이 절연 패턴(110) 상에 더 형성될 수 있다. 이 경우, 배선들은 소스 패턴(220) 및 드레인 패턴(230)과 단일 공정에 의해 형성될 수 있다. 도시되지 않았으나, 보호층이 활성 패턴(240) 상에 더 형성되어, 활성 패턴(240)의 열화를 방지할 수 있다.
평탄층(120)이 절연 패턴(110) 상에 형성되어, 소스 패턴(220), 드레인 패턴(230), 및 활성 패턴(240)을 덮을 수 있다. 제1 비아홀(234)이 평탄층(120) 내에 형성될 수 있다. 제1 비아홀(234)은 평탄층(120)을 관통하며, 드레인 패턴(230)을 노출시킬 수 있다. 도 19b와 같이, 제3 비아홀(424)이 평탄층(120) 및 절연 패턴(110) 내에 형성될 수 있다. 제3 비아홀(424)은 제2 도전 배선(420)을 노출시킬 수 있다.
도 1, 도 20a, 및 도 20b를 참조하면, 제1 도전 비아(235), 제3 도전 비아(425), 발광부(300), 봉지층(130), 접착층(140), 및 보호 기판(100)이 형성될 수 있다. 제1 도전 비아(235)가 제1 비아홀(234) 내에 형성되어, 드레인 패턴(230)과 접속할 수 있다. 도 20b와 같이, 제3 도전 비아(425)가 제3 비아홀(424) 내에 형성되어, 제2 도전 배선(420)과 접속할 수 있다.
제1 전극(310), 발광층(320), 및 제2 전극(330)이 평탄층(120) 상에 형성되어, 발광부(300)가 제조될 수 있다. 제1 전극(310), 발광층(320), 또는 제2 전극(330)은 증착 공정 또는 프린팅 공정에 의해 형성될 수 있다. 전극 연결부(355)가 제3 도전 비아(425) 상에 형성되어, 제3 도전 비아(425) 및 제2 전극(330)과 접속할 수 있다.
봉지층(130)이 평탄층(120) 상에 형성되어, 발광부(300)를 밀봉할 수 있다. 봉지층(130)은 제1 전극(310), 발광층(320), 및 제2 전극(330)을 덮을 수 있다. 봉지층(130)의 형성은 도 7a 및 도 7b에서 설명한 방법들 중 어느 하나에 의해 수행될 수 있다. 봉지층(130)은 제1 전극(310)과 전극 연결부(355) 사이에 개재될 수 있다.
접착층(140) 및 보호 기판(100)이 봉지층(130) 상에 차례로 형성될 수 있다. 접착층(140)의 형성은 스핀코팅법, 바코팅법, 또는 스프레이 코팅법에 의해 수행될 수 있다. 보호 기판(100)은 접착층(140)에 의해 봉지층(130)에 부착될 수 있다.
도 1, 도 21a, 및 도 21b를 참조하면, 보호 기판(100)의 일부가 점선으로 도시한 바와 같이 제거되어, 보호 기판(100)의 두께가 감소할 수 있다. 보호 기판(100)의 제거는 앞서 도 9a 및 도 9b에서 설명한 방법에 의해 수행될 수 있다. 감소된 보호 기판(100)의 두께(T')는 대략 0.0001μm 내지 150μm, 보다 상세하게는 0.0001μm 내지 50μm일 수 있다.
도 19a 내지 도 21b에서 설명한 유연 기판(510'), 제1 도전 배선(410), 제2 도전 배선(420), 절연 패턴(110), 평탄층(120), 봉지층(130), 접착층(140), 및 보호 기판(100)은 픽셀 영역들(Px) 및 브릿지 영역(Br) 상에 형성될 수 있다.
다시 도 1, 도 17a, 및 도 17b를 참조하면, 커팅 공정이 보호 기판(100) 상에 수행되어, 트렌치(20)가 브릿지 영역(Br) 내에 형성될 수 있다. 커팅 공정은 유연 기판(510'), 제1 도전 배선(410), 및 제2 도전 배선(420)이 노출될 때까지 진행되어, 트렌치(20)가 보호 기판(100), 접착층(140), 봉지층(130), 평탄층(120), 및 절연 패턴(110) 내에 형성될 수 있다. 트렌치(20)는 구동부(200) 및 발광부(300)와 이격될 수 있다. 트렌치(20)의 형성 방법은 앞서 도 2a 및 도 2b의 예들에서 설명한 바와 같을 수 있다. 트렌치(20)가 형성됨에 따라, 발광 유닛들(10)이 서로 분리될 수 있다. 도시되지 않았으나, 마이크로렌즈 어레이가 보호 기판(100) 상에 더 형성될 수 있다. 이후, 임시 기판(700)이 제거되어, 유연 기판(510')의 바닥면이 노출될 수 있다. 지금까지 설명한 제조예에 의해 유기 발광 소자(7)의 제조가 완성될 수 있다.
도 22a 및 도 22b는 또 다른 실시예들에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도들이다. 도 22a는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면이다. 도 22b는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면에 대응된다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.
도 1, 도 22a, 및 도 22b를 참조하면, 유기 발광 소자(8)는 유연 기판(510'), 제1 도전 배선(410), 제2 도전 배선(420), 및 발광 유닛들(10)을 포함할 수 있다. 발광 유닛들(10) 각각은 앞서 도 17a 내지 도 18b에서 설명한 바와 실질적으로 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들어, 발광 유닛들(10) 각각은 구동부(200), 절연 패턴(110), 발광부(300), 평탄층(120), 봉지층(130), 접착층(140), 및 보호 기판(100)을 포함할 수 있다.
다만, 유연 기판(510')은 주름 구조(513)를 가질 수 있다. 유연 기판(510’)의 주름 구조(513)는 브릿지 영역(Br) 상에 제공될 수 있다. 유연 기판(510')의 픽셀 영역들(Px)은 편평할 수 있다. 유연 기판(510’)의 주름 구조(513)의 두께는 유연 기판(510')의 픽셀 영역의 두께와 실질적으로 동일할 수 있다.
제1 도전 배선(410)은 주름 구조(413)를 가질 수 있다. 제1 도전 배선(410)의 주름 구조(413)는 브릿지 영역(Br) 상에 제공되고, 유연 기판(510’)의 주름 구조(513)를 따라 연장될 수 있다. 제1 도전 배선(410)의 주름 구조(413)는 유연 기판(510’)의 주름 구조(513)와 대응되는 형상을 가질 수 있다.
제2 도전 배선(420)은 도 22b와 같이 주름 구조(423)를 가질 수 있다. 제2 도전 배선(420)의 주름 구조(423)는 브릿지 영역(Br) 상에 제공될 수 있다. 제2 도전 배선(420)의 주름 구조(423)는 유연 기판(510’)의 주름 구조(513)를 따라 연장될 수 있다. 제2 도전 배선(420)의 주름 구조(423)는 유연 기판(510’)의 주름 구조(513)와 대응되는 형상을 가질 수 있다.
유연 기판(510’)의 주름 구조(513), 제1 도전 배선(410)의 주름 구조(413), 및 제2 도전 배선(420)의 주름 구조(423)에 의해, 유기 발광 소자(8)가 보다 플렉서블, 컨포머블, 및 스트레처블할 수 있다.
유연 기판(510’)의 주름 구조(513), 제1 도전 배선(410)의 주름 구조(413), 및 제2 도전 배선(420)의 주름 구조(423)는 픽셀 영역들(Px) 상에 제공되지 않을 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 소자(8)가 구부러지거나 늘어나더라도, 발광 유닛들(10)이 손상이 방지될 수 있다.
도 23은 실시예들에 따른 유기 발광 소자의 발광 유닛들 중 어느 하나의 회로도이다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다. 이하, 단수의 발광 유닛에 대해 기술한다.
도 23을 참조하면, 유기 발광 소자는 게이트 배선들(gate line, 900), 데이터 배선(data line, 910), 및 구동 전압 배선(driving voltage line, 920)을 포함할 수 있디. 게이트 배선들(900)은 주사 신호를 전달할 수 있다. 게이트 배선들(900)은 일 방향(예를 들어, 행 방향)으로 연장될 수 있다. 데이터 배선(910)은 데이터 신호를 전달할 수 있다. 데이터 배선(910)은 타 방향(예를 들어, 열 방향)으로 연장될 수 있다. 여기에서 타 방향은 상기 일 방향과 교차할 수 있다. 구동 전압 배선(920)은 구동 전압을 전달할 수 있다. 발광 유닛(10)은 스위칭 트랜지스터(switching transistor)(T1) 및 구동 트랜지스터(driving transistor)(T2), 커패시터(C), 및 발광부(300)를 포함할 수 있다.
스위칭 트랜지스터(T1)는 제1 단자(N1), 제2 단자(N2) 및 제3 단자(N3)와 연결될 수 있다. 이때, 제1 단자(N1)는 스위칭 트랜지스터(T1)의 제어 단자로 기능하며, 게이트 배선(900)에 연결될 수 있다. 제2 단자(N2)는 스위칭 트랜지스터(T1)의 입력 단자로 기능하며, 데이터 배선(910)에 연결될 수 있다. 제3 단자(N3)는 스위칭 트랜지스터(T1)의 출력 단자로 기능하며, 구동 트랜지스터(T2)에 연결될 수 있다. 스위칭
스위칭 트랜지스터(T1)는 게이트 배선(900)으로부터 받은 주사 신호에 응답하여 데이터 배선(910)으로부터 받은 데이터 신호를 구동 트랜지스터(T2)에 전달할 수 있다. 구동 트랜지스터(T2)는 제3 단자(N3), 제4 단자(N4) 및 제5 단자(N5)와 연결될 수 있다. 제3 단자(N3)는 구동 트랜지스터(T2)의 제어 단자로 기능하며, 스위칭 트랜지스터(T1)에 연결될 수 있다. 제4 단자(N4)는 구동 트랜지스터(T2)의 입력 단자로 기능하며, 구동 전압 배선(920)에 연결될 수 있다. 제5 단자(N5)는 구동 트랜지스터(T2)의 출력 단자로 기능하며, 발광부(300)에 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(T2)는 제3 단자(N3)와 제5 단자(N5) 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(Id)를 흘릴 수 있다. 커패시터(C)는 구동 트랜지스터(T2)의 제3 단자(N3)와 제4 단자(N4) 사이에 연결될 수 있다. 커패시터(C)는 구동 트랜지스터(T2)의 제3 단자(N3)에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(T1)가 턴 오프(turn-off)된 뒤에도 이를 유지할 수 있다. 구동 트랜지스터(T2)는 도 2a 내지 도 14b, 및 도 16a 내지 도 22b에서 설명한 구동부(200)에 해당할 수 있다.
발광부(300)는 예를 들면 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)일 수 있다. 트랜지스터(T2)의 제5 단자(N5)에 연결되어 있는 애노드(anode)와 공통 전압(Vss)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가질 수 있다. 발광부(300)는 구동 트랜지스터(T2)의 출력 전류(Id)에 따라 빛을 방출할 수 있다. 발광부(300)는 앞서 도 2a 내지 도 22b의 예에서 설명한 발광부(300)에 해당할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.

Claims (20)

  1. 보호 기판 상에 발광부들을 형성하는 것;
    상기 보호 기판 상에 상기 발광부들을 덮는 봉지층을 형성하는 것;
    상기 봉지층 상에 제1 도전 배선을 형성하는 것;
    상기 제1 도전 배선 상에 제1 유연 기판을 형성하는 것; 및
    상기 보호 기판 및 상기 봉지층 내에 트렌치를 형성하여, 복수의 발광 유닛들을 분리시키는 것을 포함하되,
    상기 트렌치는 상기 제1 도전 배선 및 상기 제1 유연 기판을 노출시키고,
    상기 발광 유닛들은 상기 발광부들을 각각 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 유연 기판은 복수의 픽셀 영역들 및 상기 픽셀 영역들을 둘러싸는 브릿지 영역을 가지고,
    상기 발광 유닛들은 상기 픽셀 영역들에 각각 제공되고,
    상기 트렌치는 상기 브릿지 영역 상에 제공되는 유기 발광 소자 제조 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제1 도전 배선은 상기 제1 유연 기판의 상기 픽셀 영역들 및 상기 브릿지 영역 상에 제공되는 유기 발광 소자 제조 방법.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 보호 기판 상에 게이트 패턴을 형성하는 것;
    상기 게이트 패턴 상에 절연 패턴을 형성하는 것;
    상기 절연 패턴 상에 소스 패턴, 드레인 패턴, 및 활성 패턴을 형성하는 것; 및
    상기 소스 패턴, 상기 드레인 패턴, 및 상기 활성 패턴을 덮는 평탄층을 형성하는 것을 더 포함하되,
    상기 발광부들 및 상기 봉지층은 상기 평탄층 상에 배치되는 유기 발광 소자 제조 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제1 도전 배선은 상기 발광 유닛들의 소스 패턴들과 전기적으로 연결되는 유기 발광 소자 제조 방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 발광부들 각각은 적층된 제1 전극, 유기 발광층, 및 제2 전극을 포함하고,
    상기 제1 전극은 상기 드레인 패턴과 전기적으로 연결되는 유기 발광 소자 제조 방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 제1 유연 기판 상에 제2 도전 배선을 형성하는 것을 더 포함하되,
    상기 제2 도전 배선은 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되는 유기 발광 소자 제조 방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 복수의 발광 유닛들을 분리된 후, 상기 제2 도전 배선은 상기 브릿지 영역 상에 남아있는 유기 발광 소자 제조 방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 발광부들은 상기 트렌치에 노출되지 않는 유기 발광 소자 제조 방법.
  10. 제 1항에 있어서
    상기 봉지층 및 상기 보호 기판은 견고(rigid)하고,
    상기 봉지층 및 상기 보호 기판은 가스 배리어 물질들을 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 브릿지 영역의 제1 유연 기판은 주름 구조를 갖고,
    상기 제1 유연 기판의 상기 브릿지 영역 상의 상기 제1 도전 배선은 주름 구조를 갖는 유기 발광 소자 제조 방법.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 트렌치 내에 보호 패턴을 형성하여, 상기 제1 도전 배선의 하부면을 덮은 것을 더 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 트렌치를 형성하기 이전에, 상기 보호 기판의 두께 감소 공정을 수행하는 것을 더 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 발광 유닛들은 상기 제1 유연 기판에 의해 서로 연결되는 유기 발광 소자 제조 방법.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 트렌치를 형성하는 것은 레이저를 사용한 공정 또는 포토 리소그래피를 사용한 식각 공정에 의해 수행되는 유기 발광 소자 제조 방법.
  16. 픽셀 영역들 및 브릿지 영역을 포함하는 유연 기판을 준비하는 것;
    상기 유연 기판 상에 제1 도전 배선 및 제2 도전 배선을 형성하는 것, 상기 제1 도전 배선 및 상기 제2 도전 배선은 상기 픽셀 영역들 및 상기 브릿지 영역 상에 제공되고;
    상기 제1 도전 배선 및 상기 제2 도전 배선 상에 평탄층을 형성하는 것;
    상기 평탄층 상에 발광부들을 형성하되, 상기 발광 유닛들은 상기 픽셀 영역들 상에 각각 제공되고;
    상기 평탄층 상에 봉지층을 형성하여, 상기 발광부들을 덮는 것;
    상기 봉지층 상에 보호 기판을 형성하는 것; 및
    상기 유연 기판의 상기 브릿지 영역 상에 상기 보호 기판, 상기 봉지층, 및 상기 평탄층을 관통하는 트렌치를 형성하여, 복수의 발광 유닛들을 서로 분리시키는 것을 포함하고,
    상기 트렌치는 상기 유연 기판, 상기 제1 도전 배선, 및 상기 제2 도전 배선을 노출시키는 유기 발광 소자 제조 방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 발광 유닛들은 상기 발광부들을 각각 포함하고,
    상기 발광부들은 상기 트렌치에 노출되지 않는 유기 발광 소자 제조 방법.
  18. 제 16항에 있어서,
    상기 발광부들 각각은 적층된 제1 전극, 유기 발광층, 및 제2 전극을 포함하고,
    상기 제2 전극은 상기 제2 도전 배선과 전기적으로 연결되는 유기 발광 소자 제조 방법.
  19. 제 16항에 있어서,
    상기 유연 기판 상에 게이트 패턴을 형성하는 것;
    상기 게이트 패턴, 상기 제1 도전 배선, 및 상기 제2 도전 배선을 덮는 절연 패턴을 형성하는 것;
    상기 절연 패턴 상에 소스 패턴, 드레인 패턴, 및 활성 패턴을 형성하는 것; 및
    상기 평탄층은 상기 소스 패턴, 상기 드레인 패턴, 및 상기 활성 패턴을 덮는 유기 발광 소자 제조 방법.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 제1 도전 배선은 상기 소스 패턴과 전기적으로 연결되는 유기 발광 소자 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11183652B2 (en) 2019-05-02 2021-11-23 Electronics And Telecommunications Research Institute Flexible electronic device including conformal flexible protective layer
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