TWI507559B - 多層被覆層、其製法及用途 - Google Patents

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Description

多層被覆層、其製法及用途
本發明係關於薄膜沉積技術，尤其係關於多層被覆層，其製法及用途。
防護被覆層(barrier coating)通常用於從周遭環境保護在其下面之基體(substrate)。許多防護被覆層，尤其是充當化學防護層藉防止或減少化學活性物質從環境通過防護被覆層擴散至基體表面來保護基體。這些化學防護層常被稱為擴散護層，用以阻擋許多不同潛在性反應物質。現在已有阻擋水、氧、各種酸及有毒化學品等所用擴散護膜(diffusion barrier)存在。
擴散護膜對抗一特定物質之作用係例如取決於護膜的厚度及品質，這些要素頗受用以沉積或形成護膜於基體上之製法的影響。
一般習知的擴散護膜因數種理由具有操作上的缺失，即無法通過被覆層(coating)減少特定物質之擴散。其主要理由之一為其使用之方法使製得之薄膜具有例如針孔、孔隙或龜裂，甚至結晶化物質之位錯(dislocation)等多種缺陷。這些缺陷產生可供擴散能有效的發生之通道。會導致上述缺陷薄膜的方法有例如化學蒸鍍法(CVD)、物理蒸鍍法(PVD)、各種氣噴法及真空噴塗法(sputtering)， 例如美國專利申請案2008/0006819A1揭示一種使用PECVD之防濕層的製法。雖然上述各方法之製程參數可加以最佳化以減少缺陷密度，但該等方法之護膜成長機制難獲得能適合作為有效擴散阻擋膜之被覆層。
習知之許多擴散阻擋膜係由複數之不同材料之膜互相疊合構成多層構造物。在此等多層構造物(擴散阻擋層)中不同材料之膜通常提供不同之功能。當使用上述各種方法製造擴散阻擋膜時，上面舉示之缺陷薄膜的問題仍存在。多層被覆層作為擴散阻擋層使用之例子可參閱美國專利第5607789號及美專利申請公告2008/0006819A1。
本發明之目的為提供一種新型之多層被覆層，其製法及用途。
本發明之多層被覆層的製法的特徵揭示於申請專利範圍獨立請求項1中，本發明之產物的特徵揭示於獨立請求項13中，而用途則揭示於獨立請求項26及27中。
本發明提供的方法為在基體上形成多層被覆層的方法，該被覆層係用以最小化通過該被覆層之原子的擴散。該方法包括下述步驟：將基體引進反應空間中，而於該基體上沉積一層第一物質，及在該第一物質層上沉積第二物質層。沉積第一物質層包括：將第一先驅物質(precursor)引進反應空間中，以使該第一先驅物質的至少一部分吸附於基體的表面，然後清除該反應空間，以及將第二先驅物質引進反應空間中，以使該第二先驅物質的至少一部分與吸附於基體的表面上之第一先驅物質反應，然後清除該反應空 間。沉積第二物質層包括：將第三先驅物質引進反應空間中，以使該第三先驅物質的至少一部分吸附於第一物質層的表面，然後清除該反應空間，以及將第四先驅物質引進反應空間中，以使該第四先驅物質的至少一部分與吸附於第一物質層的表面之第三先驅物質反應，然後清除該反應空間。上述之第一物質係選自氧化鈦及氧化鋁之群組中，而第二物質為氧化鈦及氧化鋁之群組中的另一者。另外，在氧化鈦及氧化鋁之間形成界面區(interfacial region)。
本發明之基體上之多層被覆層係用以最小化通過該被覆層的原子的擴散。該被覆層係由基體上之第一物質層及該第一物質上之第二物質層所構成。上述第一物質層係選自氧化鈦及氧化鋁之群組中，而第二物質為氧化鈦及氧化鋁之群組中的另一者。上述多層被覆層在氧化鈦及氧化鋁之間有界面區。
本發明之方法係用以在基體上形成多層被覆層以利最小化水份從周遭環境通過被覆層而至基體的表面的擴散。
本發明之多層被覆層係使用於基體上，以最小化水份從周遭環境通過被覆層而至基體的表面的擴散。
本發明提供一種能有效的減少物質，例如原子或分子等，從周遭環境通過多層被覆層擴散至基體上之多層被覆層。在此“周遭環境”一詞係指從基體側觀視之被覆層兩對向側的區域。
本發明亦提供一種能有效的減少橫越基體通過多層被覆層擴散物質之多層被覆層(例如薄片上之防護膜)。換言之，本發明之多層被覆層可減少從任何方向朝向被覆層來之物質的擴散。
依本發明之一實施例，被覆層係藉沉積第一物質層和第二物 質層而形成，其中，沉積第一物質層包含引進第一先驅物質於反應空間中，以使該第一先驅物質的至少一部分吸附於基體的表面，隨後清除該反應空間，以及引進第二先驅物質於反應空間中，以使該第二先驅物質的至少一部分與吸附於基體的表面之第一先驅物質反應，然後清除該反應空間，而沉積第二物質層則包含引進第三先驅物質於反應空間中，以使該第三先驅物質的至少一部分吸附於第一物質層之表面，隨後清除該反應空間，以及引進第四先驅物質於反應空間中，以使該第四先驅物質的至少一部分與吸附於第一物質的表面之該第三先驅反應，然後清除該反應空間。
發明人驚奇的發現由氧化鈦層及氧化鋁層構成之多層構體，當該二層互相接觸時可通通該構體有效的減少物質的擴散。又，當藉交替引進至少二種不同先驅物質至反應空間中使該被引進先驅物質之至少一部分吸附於沉積表面而使氧化鈦層及氧化鋁層額外的沉積時，該多層被覆層的防護功能可進一步提升，即可減少通過被覆層之物質擴散。
經查結果，上述之利點係因氧化鋁及氧化鈦在其間形成一界面區所致。此界面區具有能有效防止物質通過氧化鋁及氧化鈦的界面擴散之結構。依本發明之一實施例，氧化鈦及氧化鋁間之界面區的化學組成變更，即該界面區係由氧化鈦及氧化鋁之鋁酸鹽相(aluminate phase)構成。此鋁酸鹽相比氧化鈦及氧化鋁之單層物具有較高之熱力學安定性。依本發明之一實施例，在氧化鈦及氧化鋁的界面區發生密實化(densification)，引起通過多層被覆層之原子擴散之減少。此外，由於先驅物質之交替吸收引起之表面主導成長機剩，導致膜體的緻密化至僅具可忽視量的空隙或針孔， 從而提升氧化鈦及氧化鋁之密度，導致通過多層被覆層的原子擴散之進一步減少。
依本發明之一實施例，提供之方法包括如下步驟：於第二物質層上面沉積第一物質之另一層，以在氧化鈦及氧化鋁之間形成一個第二界面區。依本發明之一實施例，被覆層包括在第二物質層有第一物質層之另一層，以在氧化鈦及氧化鋁之間形成一個第二界面區。與上述相一致，本發明人發現到在氧化鋁層及氧化鈦層之間形成具有第二界面區之多層被覆層時可以進一步減少通過該多層被覆層之原子擴散。
依本發明之一實施例，提供之方法包括：在多層被覆層中形成二個或更多個界面區。依本發明之一實施例該多層被覆層含有二個或更多個界面區。此種二個或更多個界面區之利點為可進一步減少通過該多層被覆層之原子擴散。
依本發明之一實施例，該第二物質為氧化鈦。又依本發明，確實使被覆層在氧化鋁層上有氧化鈦層之區段(section)，即氧化鈦層比氧化鋁層更靠近侵蝕性環境(即氣候或其他嚴酷及/或化學侵蝕性環境)即可改進多層防護被覆層之長期阻抗該侵蝕性環境的性能。
又，依本發明之此一實施例氧化鈦層可化學的保護位在其下方之氧化鋁層，進而使該多層被覆層具有良好的防擴散性能。即，該氧化鈦層發揮如同強靭的材料阻抗從環境來的化學品，使位於其下方的具有良好防護性能的氧化鋁保全其結構，從而增長多層被覆層之使用壽命。
依本發明之一實施例，氧化鋁層係藉從水及四氯化鈦的群組 中選出第一先驅物質或第三先驅物質沉積成層，而第二先驅物質或第四先驅物質為分別為水及四氯化鈦之群組中的另一者。依本發明之另一實施例，氧化鋁層係從水及三甲基鋁之群組中選出之第一先驅物質或第三先驅物質沉積所成，而第二先驅物質及第四先驅物質係為水及三甲基鋁之群組中的另一者。四氯化鈦及水為先驅物質，可用以沉積氧化鋁而使其主要通過化學表面反應沉積於沉積面上，發生氧化鈦層的成長。將如下面說明，在適當的處理條件下，表面反應可使成為自限方式(self-limiting)，以形成一種極為均勻一致且緻密的膜體。在本發明之上述各實施例中所用之處理化學可在任何基體，即使表面具有複雜幾何圖形之非極性立體基體，上沉積成具有優異之擴散防護性能的多層被覆層。
依本發明實施例之一個方法，其步驟包括：沉積厚度25奈米以下，最好10奈米以下之第一物質層及厚度25奈米以下，最好10奈米以下之第二物質層。依本發明之多層被覆層之一實施例，第一物質層具有厚度25奈米以下，最好10奈米以下，及第一物質層具有厚度25奈米以下，最好10奈米以下。本發明之方法可以使用驚奇薄的鋁氧化物及鈦氧化物層，而所構成之多層被覆物無需調整其防護性能。因此，本發明之具有薄層之多層構體比厚度相同之單層氧化鋁或氧化鈦具有顯著良好之擴散防護性能，因此可使用很少先驅物質以價廉且簡單快速的方法製取多層被覆層。除此之外，可以使用較便宜而方便取得的先驅物質，例如三甲基鋁、水(或脫離子水)及四氯化鈦來形成多層被覆層。
依本發明之一實施例，該方法包括在溫度不超過150℃下實 行沉積，依另一實施例為在溫度不超過100℃下實行沉積。
又依本發明，多層被覆層係在溫度不超過150℃下藉沉積形成，依另一實施例係在溫度不超過100℃下藉沉積形成。
依本發明之一實施例，多層被覆層係形成於濕度可滲透基體上。依本發明之一實施例，形成多層被覆層的方法包括：於含有濕敏裝置的基體上形成多層被覆層。依本發明之一實施例，該方法包括：於含有聚合體的基體上形成多層被覆層，依本發明實施例，該基體可由濕敏裝置、聚合體、LED(發光二極體)、OLED(有機發光裝置)構成。依本發明之一實施例，該聚合體係由聚苯二甲酸乙烯酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙酯(PET)、聚丙烯(PP)及尼龍之群組中選出。依一實施例，本發明係用於由聚合物構成之基體。依一實施例，本發明係用於由濕敏裝置構成之基體。依本發明之一實施例，氧化鈦及氧化鋁為非結晶體。
依一實施例，本發明提供玻璃狀防濕性於聚合體被覆層(防護薄膜)。
依本發明之上述實施例可互相組合使用，即可將數個實施例組合一起形成本發明之另一實施例。又，本發明之方法、製品或用途可含上述本發明實施例之至少一個。
1‧‧‧第一物質
2‧‧‧第二物質
3‧‧‧基體
4‧‧‧其他物質
5‧‧‧界面區
第1圖為本發明之一實施例之製法的流程圖；第2圖為本發明之一實施例之多層被覆層的示意圖；第3圖為本發明之另一實施例之多層被覆層的示意圖。
茲參照圖式詳細說明本發明之實施例於下。
原子層沉積法(ALD)為可用以在各種形狀之基體，甚至複雜的立體構體上沉積均勻及保形的薄膜(conformal thin-films)。採用ALD法時，被覆膜係藉先驅物質及待被覆表面間之反覆交替自限式表面反應而成長。因此，ALD法之成長機制不像靠快速氣相反應，例如金屬有機化學蒸鍍(MOCVD)法或物理蒸鍍(PVD)法之有方向性的塗佈法，進行塗佈(coating)。
依ALD法時需將兩種或更多種不同化學品(先驅物質)依序及交替方式引進反應空間中使該等先驅物質吸附於反應空間中之基體上。此種依序、交替引進先驅物質之動作一般稱為脈動(pulsing)(即先驅物質的脈動推進)。在每一先驅物質脈動間通常有清除期(purging period)，利用惰性氣體流(常被稱為載體氣體)清除反應空間內之例如剩餘先驅物質以及由沉積表面與先驅物質之間反應產生之副產物。利用ALD法反覆數次的實行上述之先驅物質脈動及清除動作(程序)即可使薄膜成長。此程序之實行次數稱為“ALD循環”，係由所要之薄膜或被覆層的厚度決定。
下面揭露本發明之數則實施例，精於此項技術的人可根據該等實施例實施本發明。在實施例中並無對所有的步驟詳細說明，因精於此項技術之人可根據本說明書顯而易知。
舉例而言，適用於實行下舉實施例之處理裝置的構造為精於此項技術的人所知。即該裝置可為例如傳統之適合處理化學品的ALD工具。此種ALD裝置(即反應空間)揭示於例如美國專利第四389973號及4413022號中，此等文獻併入本說明中供作參考。
有許多涉及使用上述裝置的步驟，例如一般周知的遞送基體進入反應空間中、抽吸反應空間至低壓狀態、加熱基體及反應空 間等。另外為了強調本發明實施例的相關特徵尚有許多為一般熟習的操作或特徵在此未予詳述或提到。
第1圖之以流程圖所示本發明實施例係啟始於將基體3移送至一標準反應裝置(例如適合實迤ALD處理之裝置)之反應空間中(步驟P)。隨後使用真空泵等將反應空間抽氣(pump down)至適合形成薄膜之壓力。同時將該基體3加熱至使用該方法所適合形成薄膜之溫度。基體3可通過氣密式裝運機或單純之裝運閘門送至反應空間中。基體3可用電阻加熱器等加熱(連同全體反應空間)。步驟P視使用之反應裝置，處理方法及裝置操作的環境等可包含其他製程。例如，該基體3可用其他材料4之薄膜被覆，或使用化學品處理基體3表面或使基體曝露於化學品。等基體3及反應空間到達目標溫度及其他適合沉積(澱鍍)之條件後，開始引進先驅物質至反應空間及基體3的表面。基體3表面最好曝露於氣態先驅物質中。為此，需先使先驅物質在其各容器中蒸發(視先驅物質之性質可加熱或不加熱)，然後將此蒸發的先驅物質利用配設於反應裝置之管道輸送至反應空間中。輸送至反應空間之蒸汽量可藉設於輸送管道上之閥控制。此閥體在ALD係統中通常稱為脈衝閥(pulsing valve)。使基體3與反應空間內之先驅物質接觸之其他機制亦有，其中之一可行方法為使基體3的表面取代汽化先驅物質在反應空間內移動通過由氣態先驅物質所佔據的區域。
典型的ALD反應空間亦含有引導惰性氣體，例如氮或氬等進入反應空間中之系統，以供引導另一先驅物質進入反應空間前將其中之過剩先驅物質及反應副產物沖除。此一特徵連同汽化先驅物質之用量控制可使基體的表面交替的曝露於先驅物質，不必在 ALD反應空間的反應空間內或其他部位積極的混合不同之先驅物質。在實際操作時，惰性氣體通常是在整個沉積處理期間連續的通過反應空間而只有不同之先驅物質交替的隨同惰性氣體被引進反應空間中。明顯的，反應空間之沖除(purging)並不必從反應空間完全清除剩餘的化學品或反應副產物，可有些許留下。
在上述之基體及沉積裝置(tool)的準備後(步驟P後)實行第1圖中所示之步驟a1)而開始在基體上成長第一物質層(1)，在此實施例中，該第一物質層為氧化鋁，第二物質層為氧化鈦。這些物質之組成及相位(phase)可改變。同時這些物質由於成長程序結果，其殘物中雖會有不純物但濃度相當低。
在步驟a1)，引進氣態三甲基鋁至反應空間中使基體3的表面曝露於其中。經此曝露之後在基體表面會吸附引進之部分的三甲基鋁。隨後清除反應空間中之剩餘三甲基鋁後將水蒸汽引進使表面吸附有三甲基鋁先驅物質之基體曝露於水中(步驟1b))。在此步驟中一些水會被吸附於基體表面。隨後清除反應空間而將剩餘之水排淨。
在基體3表面形成之氧化鋁膜的厚度可藉反覆實行步驟a1)及b1)增加。反覆實行上述步驟的次數係視目標被覆膜的厚度以及氧化鋁在處理條件下的成長速率而定。在此實施例，第一物質層1的目標厚度為25奈米(nm)以下。
在第一物質層1成長至所定膜厚之後，在該第一物質層1的表面開始進行第二物質層2之沉積。第二物質層2成長從步驟a2)開始，此時將四氯化鈦引進反應空間中，使基體表面曝露於四氯化鈦，則在沉積表面會引起部份之引進汽態的吸附。繼之，從反 應空間清除剩餘之四氯化鈦後，將汽化之水引進反應空間中使表面吸附有四氯化鈦先驅物質之基體曝露於水中，於是部份的水乃被吸附於沉積表面；隨後從反應空間清除剩餘之水(步驟b2))。
在氧化鋁薄膜上形成氧化鈦膜的厚度可藉反覆實行步驟a2)及b2)而增大(如第1圖之流程所示)，在此實施例中步驟a2)及b2)之反覆次數係取決於目標厚度及氧化鈦膜的成長速率。在此實施例，第二物質層2的目標厚度為25奈米以下。
第1圖所示之實施例係在基體3上形成多層被覆層之一例子。此被覆層如第2圖所示，具有在步驟P)，於基體3及多層被覆層之間生長之其他物質4層。在此多層被覆層中氧化鈦層，即第二物質層2係配置於氧化鋁第一物質層之表面。藉適當選擇化學品及用以沉積第一物質層1及第二物質層2之製程參數即可使擔負薄膜成長之吸附反應發揮自調節特性，且可進一步改進各個層以及多層被覆層的保形性(conformality)、均勻性及防護性能。
第3圖顯示依本發明一實施例，在基體3上配置有之多層被覆層之示意圖。圖中在氧化鈦層2及氧化鋁層1之間形成有界面區5。
以下各實施例係詳細說明在基體3上成長多層被覆層之情形。
<實施例>
依第1圖所示本發明之實施例，多層被覆層係由鈣基體(Ca-substrate)構成。首先將基體置於P400A ALD裝置(芬蘭Beneq Oy製)之反應空間中。該鈣基體為平面狀，可作可信度高的滲透速率測定。在此實施例中上述所討論及用以清除反應空間的惰性 氣體為氮氣(N2 )。
在此實施例係使用鈣基體，但其他適當基體材料亦同樣可用。將基體準備妥之後移入ALD裝置之反應空間中，隨後將該室抽排至約1mbar的處理壓力，同時將基體加熱至約100℃之處理溫度並利用電腦控制該處理溫度穩定的保持2至4小時。待到達處理溫度及穩定後，使基體3的表面(曝露於臭氧中)受臭氧處理，隨後在該基體3表面藉由三甲基鋁及水成長氧化鋁的薄調節層。然後從步驟P)進到a1)。步驟a1)及隨後之步驟b1)之沖洗(清除)處理實行一次，然後反覆實行53次使在基體上形成厚度約5nm之氧化鋁第一層，此層形成後進到步驟a2)，然後進到步驟b2)。步驟a2)及隨後之步驟b2)的沖除處理反覆實行110次使在第一物質(氧化鋁)層上形成厚度約5nm之氧化鈦層。
在此實施例，上述之5nm厚之氧化鋁層上形成有5nm厚度之氧化鈦層之構體係經過總共10次之成長處理而形成由第一物質1層10層及第二物質2層10層所構成之多層被覆層。由於此構體在其多層被覆層中含有19個氧化鋁及氧化鈦的界面且該被覆層的總厚度只有約100nm，但卻能表現驚奇高效率的擴散薄膜特性(有關此點將於下面詳細討論)。此多層被覆層形成(成長)後成長處理即告終結。隨後切斷反應空間之加熱開關而從ALD裝置之反應空間取出基體。
使基體3之表面曝露於特定之先驅物質時，藉操作P400 ALD裝置之脈衝閥控制流入反應空間內之先驅物質的量。反應空間之清洗係藉關閉閥，控制流入反應空間之先驅物質量，使只允許惰性氣體繼續流過反應空間。
在本實施例中，氧化鋁層之清洗順序的詳細為曝露於三甲基鋁0.4秒、清洗1.0秒、曝露於H2 O中0.6秒、及清洗5秒。又，在本實施例中，氧化鈦層之清洗順序的詳細為曝露於四氯化鈦0.6秒、清洗1.0秒、曝露於H2 O中0.6秒、及清洗5秒。在上述之處理程序中，曝露及清洗時特定之先驅物質所用之特定脈衝閥保持開放而其他先驅物質所用之脈衝閥全部分別保持關閉。在此實施例中，氧化鋁層及氧化鈦層係在溫度約100℃下形成，在此溫度下成長之上述各層大致為非晶質(amorphous)。此可進一步減少晶粒界面、轉移及其他與結晶材料相關之缺失。
成長之多層被覆層的透氣速率係在相對濕度80%及溫度80℃之環境下測定。依此廣泛的被使用之“80/80”測定程序，鈣-基體會立刻與由潮濕環境通過多層被覆層擴散之水接觸而反應。此種“80/80”測定法的詳細為精於此項技術的人所熟悉。在本實施例中，所得之結果顯示多層被覆層的滲透速率驚奇的低，即通過被覆層之水的滲透速率測定值為約0.8g/m2 /day(一天內通過1平方公尺之被覆層之水的公克數)。在本實施例中使用之脈衝程序及處理參數有助於在基體3表面甚至複雜而非平面之廣大區域形成極為一致且均勻之薄膜。
雖然在實施例中對例示之構體測定其水之滲透速率，但對其他物質例如氧，該多層被覆層仍觀察到非常微少之原子透過被覆層擴散。
本發明不限定上面所舉示之實施例，精於此項技術之人在申請專利範圍所界定的範圍內能自由改變實施之態樣。
1‧‧‧第一物質
2‧‧‧第二物質
3‧‧‧基體
4‧‧‧其他物質

Claims (31)

  1. 一種在基體(3)上形成多層被覆層的方法，該被覆層係用以最小化通過該被覆層之原子的擴散，該方法包括下述步驟：將基體(3)引進反應空間中、於該基體上沉積第一物質層(1)、以及在該第一物質層(1)上沉積第二物質層(2)，其特徵在於沉積該第一物質層包括下述步驟：將第一先驅物質引進該反應空間中，以使該第一先驅物質的至少一部分吸附於該基體(1)的表面上，然後清除該反應空間；以及將第二先驅物質引進該反應空間中，以使該第二先驅物質的至少一部分與吸附於該基體(3)的表面上之該第一先驅物質反應，然後清除該反應空間；沉積該第二物質層包括下述步驟：將第三先驅物質引進該反應空間中，以使該第三先驅物質的至少一部分吸附於該第一物質層(1)的表面上，然後清除該反應空間；以及將第四先驅物質引進該反應空間中，以使該第四先驅物質的至少一部分與吸附於該第一物質層(1)的表面上之該第三先驅物質反應，然後清除該反應空間；該第一物質係選自氧化鈦及氧化鋁之群組中，該第二物質係氧化鈦及氧化鋁之群組中的另一者，並且在氧化鈦及氧化鋁之間形成界面區，其中，該氧化鈦及該氧化鋁為非結晶質。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該方法包括：於第二物質層(2)上沉積另一第一物質層(1)，以在氧化鈦 及氧化鋁之間形成第二界面區。
  3. 如申請專利範圍第1項和第2項中任一項所述之方法，其西，該方法包括：在該多層被覆層形成二或更多個界面區。
  4. 如申請專利範圍第1項和第2項中任一項所述之方法，其中，該第二物質係氧化鈦。
  5. 如申請專利範圍第1項和第2項中任一項所述之方法，其中，藉從水及四氯化鈦的群組中選出該第一先驅物質或該第三先驅物質以沉積氧化鈦層，而該第二先驅物質或該第四先驅物質則分別為水及四氯化鈦之群組中的另一者。
  6. 如申請專利範圍第1項和第2項中任一項所述之方法，其中，藉從水及三甲基鋁之群組中選出該第一先驅物質或該第三先驅物質以沉積氧化鋁層，而該第二先驅物質或該第四先驅物質則分別為水及三甲基鋁之群組中的另一者。
  7. 如申請專利範圍第1項和第2項中任一項所述之方法，其中，該方法包括：沉積具有厚度25奈米以下之第一物質層(1)，以及及沉積具有厚度25奈米以下之第二物質層(2)。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中，該第一物質層的厚度為10奈米以下。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中，該第二物質層的厚度為10奈米以下。
  10. 如申請專利範圍第1項和第2項中任一項所述之方法，其中，沉積係在溫度150℃以下進行。
  11. 如申請專利範圍第1項和第2項中任一項所述之方法，其中， 沉積係在溫度100℃以下進行。
  12. 如申請專利範圍第1項和第2項中任一項所述之方法，其中，該方法包括於濕敏裝置構成之基體(3)上形成多層被覆層。
  13. 如申請專利範圍第1項和第2項中任一項所述之方法，其中，該方法包括於聚合物構成之基體(3)上形成多層被覆層。
  14. 一種在基體(3)上之多層被覆層，該被覆層係設置以最小化通過該被覆層的原子的擴散，該被覆層包含該基體(3)上之第一物質層(1)及該第一物質上之第二物質層(2)，其特徵在於，該第一物質層係選自氧化鈦及氧化鋁之群組，而該第二物質係氧化鈦及氧化鋁之群組中的另一者，並且該多層被覆層在氧化鈦及氧化鋁之間包含界面區，其中，該氧化鈦及該氧化鋁為非結晶質。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之多層被覆層，其中，該被覆層係藉沉積該第一物質層與沉積該第二物質層而形成，沉積該第一物質層包含：引進第一先驅物質於反應空間中，以使該第一先驅物質的至少一部分吸附於該基體的表面，隨後清除該反應空間，以及引進第二先驅物質於該反應空間中，以使該第二先驅物質的至少一部分與吸附於該基體的表面之該第一先驅物質反應，然後清除該反應空間；沉積該第二物質層包含：引進第三先驅物質於該反應空間中，以使該第三先驅物質的至少一部分吸附於該第一物質層之表面，隨後清除該反應空間，以及 引進第四先驅物質於該反應空間中，以使該第四先驅物質的至少一部分與吸附於該第一物質的表面之該第三先驅物質反應，然後清除該反應空間。
  16. 如申請專利範圍第14項和第15項中任一項所述之多層被覆層，其中，該被覆層係在該第二物質層(2)上包含另一第一物質層(1)，以在氧化鈦及氧化鋁之間形成第二界面區。
  17. 如申請專利範圍第14項和第15項中任一項所述之多層被覆層，其中，該多層被覆層含有二或以上之界面區。
  18. 如申請專利範圍第14項和第15項中任一項所述之多層被覆層，其中，該第二物質(2)為氧化鈦。
  19. 如申請專利範圍第15項中任一項所述之多層被覆層，其中，藉從水及四氯化鈦的群組中選出該第一先驅物質或該第三先驅物質以沉積氧化鈦層，而該第二先驅物質或該第四先驅物質則分別為水及四氯化鈦之群組中的另一者。
  20. 如申請專利範圍第15項中任一項所述之多層被覆層，其中，藉從水及三甲基鋁之群組中選出該第一先驅物質或該第三先驅物質以沉積氧化鋁層，而該第二先驅物質或該第四先物驅質則分別為水及三甲基鋁之群組中的另一者。
  21. 如申請專利範圍第14項和第15項中任一項所述之多層被覆層，其中，第一物質層(1)具有25奈米以下、最好10奈米以下的厚度，而第二物質層(2)則具有25奈米以下、最好10奈米以下之厚度。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中，該第一物質層的厚度為10奈米以下。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中，該第二物質層的厚度為10奈米以下。
  24. 如申請專利範圍第14項和第15項中任一項所述之多層被覆層，其中，該被覆層係於150℃以下之沉積溫度形成者。
  25. 如申請專利範圍第14項和第15項中任一項所述之多層被覆層，其中，該被覆層係於100℃以下之沉積溫度形成者。
  26. 如申請專利範圍第14項和第15項中任一項所述之多層被覆層，其中，該基體(3)包含濕敏裝置。
  27. 如申請專利範圍第14項和第15項中任一項所述之多層被覆層，其中，該基體(3)包含聚合物。
  28. 一種申請專利範圍第1項所述之方法的用途，係用以在基體(3)上形成多層被覆層，以最小化水份從環境通過該被覆層而到該基體(3)的表面上之擴散。
  29. 一種申請專利範圍第14項所述之多層被覆層之用途，係用以最小化水份從環境通過該被覆層而到該基體(3)的表面上之擴散。
  30. 如申請專利範圍第28項或第29項所述之用途，其中，該基體(3)包含聚合物。
  31. 如申請專利範圍第28項或第29項所述之用途，其中，該基體(3)包含濕敏裝置。
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