KR20070038262A - 원자층 적층 장치 - Google Patents

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KR20070038262A
KR20070038262A KR1020050093370A KR20050093370A KR20070038262A KR 20070038262 A KR20070038262 A KR 20070038262A KR 1020050093370 A KR1020050093370 A KR 1020050093370A KR 20050093370 A KR20050093370 A KR 20050093370A KR 20070038262 A KR20070038262 A KR 20070038262A
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강성호
하상철
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삼성전자주식회사
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Abstract

반도체 디바이스의 제조 중에서 원자층 적층을 수행하여 반도체 기판 상부에 박막을 형성할 때 사용하는 장치로서, 한 묶음의 반도체 기판들을 수용하는 반응 공간을 갖는 반응 챔버와, 반응 물질들을 제공하기 위한 반응 물질 제공부 등을 포함한다. 상기 반응 물질 제공부는 상기 반응 물질들이 제공되는 유량을 제어하기 위한 유량 제어기와, 상기 반응 물질들을 기화시키기 위한 기화기 및 상기 반응 물질들을 상기 반응 챔버로 제공하는 선택 밸브를 포함한다. 특히, 상기 원자층 적층 장치는 상기 기화기 내부에 상기 반응 물질들이 잔류할 때 상기 기화기 내부에 세정 물질을 제공하여 상기 기화기 내부에 잔류하는 반응 물질들을 외부로 배출시켜 제거하는 세정 물질 제공부를 포함한다.

Description

원자층 적층 장치{apparatus for depositing an atomic layer}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 적층 장치의 반응 챔버를 보여주는 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 적층 장치의 반응 물질 제공부를 보여주는 개략적인 구성도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
300 : 반응 물질 제공부 400 : 캐리어 가스 제공부
500 : 세정 물질 제공부 30 : 유량 제어기
32 : 기화기 34 : 선택 밸브
본 발명은 반도체 디바이스의 제조에서 반도체 기판 상부에 박막을 형성할 때 사용하는 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 디바이스의 제조 중에서 원자층 적층(ALD : atomic layer deposition)을 수행하여 반도체 기판 상부에 박막을 형성할 때 사용하는 장치에 관한 것이다.
현재, 고집적도를 갖는 반도체 디바이스의 박막 형성에서는 낮은 열적 버지 트(budget), 우수한 스텝 커버리지, 박막 두께의 정확한 제어, 간단한 공정 변수, 낮은 오염도 등이 엄격하게 요구되고 있다.
그러나, 저압 화학기상증착(LPCVD), 플라즈마 증대 화학기상증착(PECVD) 등과 같은 통상적인 화학기상증착 방법은 현재의 반도체 디바이스의 박막 형성에 적합하지 않다. 그 이유 중의 하나로서, 상기 화학기상증착 방법은 상대적으로 높은 온도에서 박막의 적층이 이루어지기 때문이다. 즉, 상기 화학기상증착 방법은 상기 반도체 디바이스에 불리한 열적 효과가 있기 때문에 적합하지 않다. 또한, 상기 화학기상증착 방법에 의해 수득한 박막은 불균일한 두께 즉, 미립자에 의한 오염 또는 표면 두께의 편차 등과 같은 결함이 빈번하게 나타난다.
이에 따라, 최근에는 상기 화학기상증착 방법에 비해 낮은 온도에서 수행할 수 있고, 우수한 스텝 커버리지를 나타낼 수 있는 원자층 적층 방법이 상기 화학기상증착 방법을 대체하는 기술로서 제안되고 있다.
그러나, 상기 원자층 적층 방법은 반도체 기판 상부에 박막을 형성할 때 상기 박막의 낮은 성장률 등과 같은 이유 때문에 낮은 생산성 등을 갖는 결함이 있다. 아울러, 한 장의 반도체 기판을 수용하는 반응 챔버를 갖는 원자층 적층 장치를 이용할 경우에는 반도체 디바이스의 제조에 따른 생산성에 심각한 영향을 끼친다. 그러므로, 상기 원자층 적층 방법은 많은 제조물을 생산하기 위한 실제 공정 및 상업적 적용이 어려운 결함이 있다.
이에 따라, 상기 원자층 적층 방법을 적용하는 박박 형성의 공정에서의 생산성을 향상시키기 위한 몇몇 시도가 최근에 활발하게 이루어지고 있다. 그 중 하나 의 시도가 한 묶음의 반도체 기판들을 수용하는 반응 챔버를 갖는 원자층 적층 장치를 이용하는 것이다.
상기 한 묶음의 반도체 기판을 수용하는 반응 챔버를 갖는 원자층 적층 장치는 상기 반응 챔버의 반응 공간 내부에 수용되는 반도체 기판들의 최상부 표면 상에 그 일부를 화학 흡착시키기 위한 반응 물질들을 제공하는 반응 물질 제공부를 포함한다. 특히, 상기 반응 물질 제공부는 유량 제어기, 기화기 등을 포함한다. 상기 유량 제어기는 상기 반응 물질들이 제공되는 유량을 제어하기 위한 부재이고, 상기 기화기는 상기 반응 물질들을 기화시켜 상기 반응 챔버로 제공하기 위한 부재이다.
그러나, 상기 원자층 적층 장치를 사용한 원자층 적층 방법에서는 상기 기화기 내부에 상기 반응 물질이 잔류하는 상황이 종종 발생한다. 그러므로, 상기 기화기 내부에 반응 물질들이 잔류할 경우에는 상기 반응 물질들을 상기 기화기로부터 충분하게 제거시켜야 한다. 예들 들면, 상기 원자층 적층 장치를 사용하여 상기 반도체 기판 상부에 하프늄 산화막을 적층한 후, 상기 하프늄 산화막 상에 알루미늄 산화막을 형성할 때 상기 기화기 내부에 상기 하프늄 산화막의 형성에 사용한 반응 물질이 상기 기화기 내부에 잔류하면 상기 알루미늄 산화막의 형성에 영향을 끼치기 때문이다.
이에 따라, 종래에는 상기 기화기 내부에 상기 반응 물질들이 잔류할 경우 상기 기화기, 그에 부속되는 부재 등을 분리한 후 상기 반응 물질들을 제거하거나 또는 상기 기화기, 부속 부재 등을 교체하는 작업을 수행하고 있다. 특히, 상기 반 응 물질들의 제거는 하루나 이틀이 소요되고, 상기 기화기, 부속 부재 등의 교체는 약 1 주일이 소요된다.
그러므로, 종래의 한 묶음의 반도체 기판들을 수용하는 반응 챔버를 갖는 상기 원자층 적층 장치는 유지 보수에 따른 심각한 결함을 갖는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 기화기 내부에 잔류하는 반응 물질들을 용이하게 제거하기 위한 부재를 포함하는 원자층 적층 장치를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 원자층 적층 장치는 다음과 같다.
상기 원자층 적층 장치는 한 묶음의 반도체 기판들을 수용하는 반응 공간을 갖는 반응 챔버와, 상기 반응 공간 내부에 수용된 상기 반도체 기판들의 최상부 표면 상에 그 일부를 화학 흡착시키기 위한 반응 물질들을 제공하기 위한 반응 물질 제공부 및 상기 반응 물질을 상기 반응 챔버로 원활하게 제공하기 위한 캐리어 가스를 제공하는 캐리어 가스 제공부를 포함한다.
그리고, 상기 반응 물질 제공부는 상기 반응 물질들이 제공되는 유량을 제어하기 위한 유량 제어기와, 상기 유량 제어기를 통과한 상기 반응 물질들을 기화시키기 위한 기화기 및 상기 기화기를 통과한 상기 반응 물질들을 상기 반응 챔버로 제공하거나 외부로 배출하기 위한 경로를 지정하기 위한 선택 밸브를 포함한다. 또한, 상기 캐리어 가스 제공부는 상기 반응 물질 제공부의 전단부에 연결된다.
특히, 상기 원자층 적층 장치는 상기 기화기 내부에 상기 반응 물질들이 잔 류할 때 상기 기화기 내부에 세정 물질을 제공하여 상기 기화기 내부에 잔류하는 반응 물질들을 외부로 배출시켜 제거하는 세정 물질 제공부를 포함한다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 상기 원자층 적층 장치는 상기 세정 물질 제공부가 상기 캐리어 가스 제공부와 상기 반응 물질 제공부의 기화기 사이에 설치되거나, 상기 반응 물질의 기화기 전단에 직접적으로 설치된다. 특히, 상기 세정 물질 제공부는 언급한 두 군데 모두에 설치되거나, 언급한 두 군데 중에서 어느 한 군데에 선택적으로 설치된다.
본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 상기 원자층 적층 장치는 상기 반응 물질 제공부의 유량 제어기 전단에 설치되는 역류 방지용 밸브를 더 포함한다. 이에 따라, 상기 세정 물질을 제공할 때 상기 세정 물질이 상기 유량 제어기로부터 역류하는 것을 충분하게 방지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 원자층 적층 장치의 기화기, 그에 부속되는 부재 등은 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 적층 장치의 반응 챔버를 보여주 는 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 그 내부에 반응 공간(12)을 갖는 반응 챔버(11)로서, 수직 형태의 반응 챔버(11)를 갖는 원자층 적층 장치이다. 특히, 상기 반응 챔버(11)는 수직 형태에 한정하고 있지만, 본 발명의 관점 범위 내에서는 수평 형태에도 적절하게 적용할 수 있다. 아울러, 상기 원자층 적층 장치는 히터 등과 같은 반응 챔버(11)의 일측 부분에 설치되는 부재의 경우 간략화를 위하여 그 설명을 생략한다.
구체적으로, 상기 반응 챔버(11)의 반응 공간(12)은 반도체 기판(15)들이 놓여지고, 원자층 적층을 위한 다양한 공정을 순차적으로 수행하는 공간을 의미한다. 특히, 상기 반응 공간(12)은 한 묶음(14)의 반도체 기판(15)들을 수용할 수 있기 때문에 한번에 많은 수의 반도체 기판(15)을 대상으로 상기 원자층 적층에 따른 공정을 수행할 수 있다. 그러므로, 본 발명의 원자층 적층 장치를 사용하여 박막을 형성할 경우에는 생산성이 현저하게 향상됨을 예상할 수 있다.
아울러, 상기 반응 챔버(11)를 포함하는 원자층 적층 장치를 사용하여 박막을 형성할 경우, 도 1에 도시된 바와 같이, 한 묶음(14)의 반도체 기판(15)들을 상기 반응 챔버(11)의 반응 공간(12) 내부로 동시에 로딩시킨다. 언급하는 한 묶음(14)의 반도체 기판(15)들은 바람직하게 약 25-125매를 포함한다.
또한, 상기 원자층 적층 장치를 사용한 박막의 형성에서 상기 반도체 기판(15)들을 상기 반응 챔버(11)로 로딩하거나 상기 반응 챔버(11)로부터 언로딩할 경우에는, 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 웨이퍼 자동 이송 부재(18)를 사용한다. 특히, 상기 이송 부재(18)는 수직 형태로 로딩/언로딩하는 것에 한정하고 있 지만, 본 발명의 관점 범위 내에서는 다른 형태의 경우에도 적절하게 적용할 수 있다.
그리고, 상기 한 묶음(14)의 반도체 기판(15)들을 로딩/언로딩할 때 상기 반도체 기판(15)들은 주로 보트와 같은 부재(19)의 내부에 설정 상태로 정렬되고, 놓여진다. 상기 보트와 같은 부재(19)는 석영 등과 같은 재질로 이루어지고, 그 내부에 상기 반도체 기판(15)들이 정렬되고, 놓여지는 다수개의 홈들을 갖는다.
또한, 상기 원자층 적층 장치는 상기 반응 챔버(11)의 일측에 후술하는 반응 물질 제공부와 연결되는 부재가 설치되고, 상기 일측과 마주보는 상기 반응 챔버(11)의 타측에 반응 물질을 상기 반응 챔버(11)의 반응 공간(12)으로부터 배출시키기 위한 배출부(20)가 설치된다. 상기 배출부(20)는 주로 한 묶음(14)의 반도체 기판(15)들의 상부에 화학적으로 흡착하지 않은 반응 물질들을 배출하기 위한 라인(25)과, 상기 라인(25)에 연결되는 밸브(21) 및 펌프(23) 등을 포함한다.
본 발명에서 언급하는 원자층 적층을 수행하여 한 묶음(14)의 반도체 기판(15)들의 상부에 형성할 수 있는 박막들의 예로서는 Al2O3, TiO2, ZrO2, HfO2, Ta2O5, Nb2O5, CeO2, Y2O3, SiO2, In2O3, RuO2, IrO2 등과 같은 단일 금속 산화막, SrTiO3, PbTiO3, SrRuO3, CaRuO3, (Ba,Sr)TiO3, Pb(Zr,Ti)O3, (Pb,La)(Zr,Ti)O3, (Sr,Ca)RuO3, Sn doped In2O3(ITO), Fe doped In2O3, Zr doped In2O3등과 같은 복합 금속 산화막, SiN, NbN, ZrN, TiN, Ya3N5, AlN, GaN, WN, BN 등과 같은 단일 금속 질화막, WBN, WSiN, TiSiN, TaSiN, AlTiN 등과 같은 복합 금속 질화막, Si, Al, Cu, Ti, Ta, Mo, Pt, Ru, Rh, Ir, W, Ag 등과 같은 금속막 등을 들 수 있다.
본 발명에서의 원자층 적층 장치는 상기 반응 챔버(11)의 반응 공간(12) 내부로 반응 물질을 제공하기 위한 반응 물질 제공부를 포함한다. 그러므로, 상기 원자층 적층 장치는 한 묶음(14)의 반도체 기판(15)들 상부에 박막을 적층할 때 상기 반도체 기판(15)들의 최상부 표면 상에 그 일부를 화학 흡착시키기 위한 반응 물질들을 상기 반응 물질 제공부를 사용하여 상기 반응 챔버(11)의 반응 공간(12)으로 제공한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 적층 장치의 반응 물질 제공부를 보여주는 개략적인 구성도이다.
도 2를 참조하면, 상기 반응 물질 제공부(300)는 상기 반응 물질들이 제공되는 유량을 적절하게 제어하기 위한 유량 제어기(MFC)(30)를 포함한다.
그리고, 상기 반응 물질 제공부(300)는 상기 유량 제어기(30)를 통과한 상기 반응 물질들을 기화시키기 위한 기화기(32)를 포함한다. 이와 같이, 상기 기화기(32)를 사용하여 상기 반응 물질들을 기화시키는 것은 상기 반응 물질들이 주로 액체 상태를 갖기 때문이다. 즉, 상기 반응 물질들을 액체 상태 그대로 원자층 적층 공정에 사용할 수 없기 때문에 상기 기화기(32)를 설치하고, 상기 기화기(32)를 사용하여 상기 액체 상태의 반응 물질들을 기체 상태로 기화시켜 상기 반응 챔버(11)의 반응 공간(12) 내부로 제공하는 것이다.
또한, 상기 반응 물질 제공부(300)는 상기 기화기(32)를 통과한 반응 물질들 을 상기 반응 챔버(11)의 반응 공간(12)으로 제공하거나 외부로 배출하기 위한 경로를 지정하기 위한 선택 밸브(34)를 포함한다. 이와 같이, 상기 선택 밸브(34)를 사용하여 필요한 상기 반응 물질들을 상기 반응 챔버(11)의 반응 공간(12)으로 원활하게 제공하고, 불필요한 상기 반응 물질들을 외부로 배출한다.
아울러, 상기 반응 물질 제공부(300)는 상기 반응 물질들이 플로우되는 라인(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)을 포함한다. 그러므로, 상기 라인(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)을 통하여 상기 반응 챔버(11)의 반응 공간(12) 내부로 상기 반응 물질들이 제공되고, 상기 라인(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)의 경로에 상기 유량 제어기(30), 기화기(32), 선택 밸브(34) 각각이 설치된다.
아울러, 상기 원자층 적층 장치는 상기 반응 물질 제공부(300)의 기화기(32) 전단에 설치되는 캐리어 가스 제공부(400)를 포함한다. 상기 캐리어 가스 제공부(400)는 상기 기화기(32)에 주로 N2 가스를 제공하는 부재로서 상기 기화기(32)로 유입된 반응 물질들을 기화시킬 때 사용하거나 또는 상기 반응 물질들이 기화된 상태를 유지할 때 상기 반응 챔버(11)의 반응 공간(12) 내부로 원활하게 제공하기 위하여 사용한다.
그리고, 상기 원자층 적층 장치는 상기 기화기(32) 내부에 세정 물질을 제공하는 세정 물질 제공부(500)를 포함한다. 상기 세정 물질 제공부(500)는 상기 기화기(32) 내부에 상기 반응 물질들이 잔류할 때 상기 기화기(32) 내부로 세정 물질을 제공하여 상기 기화기(32) 내부에 잔류하는 반응 물질들을 상기 기화기(32)로부터 외부로 배출시켜 제거하기 위한 부재이다.
상기 세정 물질 제공부(500)는 일 예로 상기 캐리어 가스 제공부(400)와 상기 반응 물질 제공부(300)의 기화기(32) 사이에 설치된다. 이때, 상기 세정 물질 제공부(500)는 상기 세정 물질을 도입하는 라인(54)과 상기 세정 물질의 흐름을 상기 기화기(32)로 유도하는 밸브(52)를 포함한다. 이에 따라, 상기 세정 물질은 상기 라인(54)과 밸브(52)에 의해 상기 기화기(32)로 안정적으로 제공되고, 상기 기화기(32)로 제공된 상기 세정 물질을 사용하여 상기 기화기(32) 내부에 잔류하는 반응 물질들을 상기 기화기(32)로부터 배출시켜 제거한다. 그리고, 상기 기화기(32) 내부에 잔류하는 반응 물질들의 제거는 상기 반응 물질 제공부(300)의 선택 밸브(34)와 라인(35e)의 통하여 외부로 배출됨으로서 달성될 수 있다. 이때, 상기 세정 물질은 액체, 기체 각각을 사용할 수 있고, 바람직하게는 상기 액체일 경우에는 탈이온수를 사용하고, 상기 기체일 경우에는 불활성 가스를 사용한다.
또한, 상기 세정 물질 제공부(500)는 다른 예로서 상기 반응 물질 제공부(300)의 기화기(32) 전단에 직접적으로 설치된다. 언급하고 있는 다른 예의 경우에도, 상기 세정 물질 제공부(500)는 상기 세정 물질을 도입하는 라인(58)과 상기 세정 물질의 흐름을 상기 기화기(32)로 유도하는 밸브(56)를 포함한다. 그러나, 언급하는 다른 예의 세정 물질 제공부의 작용은 일 예와 동일하므로 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
그리고, 상기 세정 물질 제공부(500)는 상기 캐리어 가스 제공부(400)와 상기 반응 물질 제공부(300)의 기화기(32) 사이, 상기 반응 물질 제공부(300)의 기화 기(32) 전단 모두에 설치되거나, 그들 각각에 설치될 수 있다.
또한, 상기 원자층 적층 장치는 상기 세정 물질 제공부(500)를 사용하여 상기 기화기(32)로 세정 물질을 제공할 때 상기 세정 물질이 상기 유량 제어기(30)로부터 역류하는 것을 방지하기 위한 역류 방지용 밸브(600)를 포함한다.
그러므로, 언급한 원자층 적층 장치를 사용하여 한 묶음(14)의 반도체 기판(15)들 상부에 박막을 형성할 때 상기 기화기(32) 내부에 반응 물질들이 잔류하여도 상기 세정 물질 제공부(500)를 사용하여 상기 기화기(32) 내부에 잔류하는 반응 물질들을 용이하게 제거할 수 있다.
구체적으로, 상기 반응 물질 제공부(300)를 사용하여 상기 반응 챔버(11)의 반응 공간(12)으로 반응 물질들을 제공하여 한 묶음(14)의 반도체 기판(15)들 상부에 박막을 형성하는 공정을 수행한다. 이때, 상기 반응 챔버(11)의 반응 공간(12)으로 상기 반응 물질들이 충분하게 제공되었을 경우에는 상기 반응 챔버(11)의 반응 공간(12)으로 상기 반응 물질들의 제공을 중단시킨다. 그러면, 상기 반응 물질 제공부(300)의 기화기(32) 내부에는 상기 반응 물질들이 잔류하는 경우가 발생한다.
그러므로, 상기 세정 물질 제공부(500)를 사용하여 상기 기화기(32) 내부로 상기 세정 물질을 제공한다. 이때, 상기 역류 방지용 밸브(600)는 폐쇄된 상태를 유지하고, 상기 반응 물질 제공부(300)의 선택 밸브(34)는 상기 반응 물질을 외부로 배출할 수 있는 라인(35e)으로 개방된 상태를 유지한다. 그러면, 상기 세정 물질이 상기 기화기(32) 내부로 제공되어 상기 기화기(32) 내부에 잔류하는 상기 반 응 물질들을 상기 선택 밸브(34)와 상기 라인(35e)을 통하여 외부로 용이하게 배출시킨다.
이와 같이, 본 발명에 의하면 한 묶음의 반도체 기판들 상부에 원자층 적층 방법을 수행하여 박막을 형성하는 장치의 기화기 내부에 잔류하는 반응 물질들을 용이하게 제거할 수 있다.
그러므로, 본 발명의 원자층 적층 장치를 사용할 경우에는 박막의 적층에 따른 생산성 뿐만 아니라 기화기 내부에 잔류하는 반응 물질들의 용이한 제거를 통한 유지 보수의 향상도 충분하게 기대할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (4)

  1. 한 묶음의 반도체 기판들을 수용하는 반응 공간을 갖는 반응 챔버;
    상기 반응 공간 내부에 수용된 상기 반도체 기판들의 최상부 표면 상에 그 일부를 화학 흡착시키기 위한 반응 물질들을 제공하기 위하여, 상기 반응 물질들이 제공되는 유량을 제어하기 위한 유량 제어기, 상기 유량 제어기를 통과한 상기 반응 물질들을 기화시키기 위한 기화기 및 상기 기화기를 통과한 상기 반응 물질들을 상기 반응 챔버로 제공하거나 외부로 배출하기 위한 경로를 지정하기 위한 선택 밸브를 포함하는 반응 물질 제공부;
    상기 반응 물질 제공부의 전단에 연결되고, 상기 반응 물질을 상기 반응 챔버로 원활하게 제공하기 위한 캐리어 가스를 제공하는 캐리어 가스 제공부; 및
    상기 기화기 내부에 상기 반응 물질들이 잔류할 때 상기 기화기 내부에 세정 물질을 제공하여 상기 기화기 내부에 잔류하는 반응 물질들을 외부로 배출시켜 제거하는 세정 물질 제공부를 포함하는 원자층 적층 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 세정 물질 제공부는 상기 캐리어 가스 제공부와 상기 반응 물질 제공부의 기화기 사이에 설치되는 것을 특징으로 하는 원자층 적층 장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 세정 물질 제공부는 상기 반응 물질 제공부의 기화기 전단에 직접적으로 설치되는 것을 특징으로 하는 원자층 적층 장치.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 반응 물질 제공부의 유량 제어기 전단에 설치되고, 상기 세정 물질을 제공할 때 상기 세정 물질이 상기 유량 제어기로부터 역류하는 것을 방지하는 역류 방지용 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 적층 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR200450742Y1 (ko) * 2008-06-11 2010-10-26 주식회사 테스 기화기 모니터링 장치

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