TWI506561B - Embossed hologram chip and its manufacturing method - Google Patents

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Description

壓印全像晶片(embossed hologram chip)及其製造方法
相關於本申請案之發明，係關於卡片、紙幣、證券類等容易被偽造，有必要進行真偽認證的對象物之構造及供認證該對象物的真偽之用的晶片及其製造方法。
今日亦被稱為信用卡社會，有很多卡片上市流通，還有銀行的現金卡、信用卡公司的信用卡等關於持有者的財產之卡片、有價證券之預付卡及駕照、健康保險證、護照等關於身份證明的卡片被廣泛使用。
相關於財產的卡片及有價證券之卡片的大部分，是在設於表面或背面的磁條上寫入必要的資訊，而使用ATM(自動提款機，Automatic Teller's Machine)等自動機械或手動讀取裝置，由磁條讀取磁性資訊，而執行各種處理。
圖1(a)所示者，係現行之現金卡之例。於此圖，1為塑膠等所構成的現金卡本體，於其表側被形成有記錄著資訊的磁條2及顯示現金卡的插入方向之箭頭3。又，雖然圖示省略，但必要事項以壓印(emboss)文字記載著。
被寫入磁條的資訊可以使用被稱為側錄器(skimmer)的裝置容易讀取，所以會被製作出偽卡，產生被盜刷卡的損害。
作為其對策，有使用內藏半導體記憶體之IC卡，作 為磁卡的替代，開始普及於銀行等。
然而，即使是此IC卡也可能被讀取保存於記憶體的資訊，在進行下苦工與勞力之偽造的場合，不能說是絕對安全。而且，IC卡與磁卡相比昂貴很多，無法期待迅速的普及。
銀行的提款卡的場合，僅可於1個國家中使用即可，而信用卡的場合必須在外國也可以使用，要把世界上使用中的所有磁卡信用卡統一規格置換為IC卡是事實上不可能的事。
而且，在提款卡與信用卡被壓印加工設有持有者名字等資訊，這些資訊也用於磁性資訊，所以壓印資訊成為製作偽卡的線索。
這些磁卡或IC卡遺失或遭竊的場合，持有者容易發現該事實，但是在遭竊後又回到手上的場合，特別是在沒有留意到遭竊下被返還的場合，容易發生偽卡盜刷導致的損害。
不是藉由防止卡片的偽造所致之非法使用，而作為判定卡片使用者是否為合法的手段，到目前為止採用的是4位數字構成的密碼。但此密碼常常被使用可以類推的號碼，所以迄今也發生了許多被害案件。最近出現了不採用類推而是藉由盜錄等手段來窺視密碼，因此根據密碼來防止非法使用，變得極為困難。
為了防止偽卡導致損害，利用圖案辨識技術之生體認證(生質，biomatrix)技術有一部分被採用。作為生體認證 技術之代表，有虹膜認證、指紋認證、掌紋認證、手指靜脈認證、手掌靜脈認證、手指甲靜脈認證，其中除了虹膜認證以外之認證分為接觸型與非接觸型，任一種都需要預先登錄圖案(pattern)，圖案之登錄很花時間，認證也花時間，所以運作成本變大。
在接觸型的場合必須要直接接觸於檢測裝置，會有衛生上或生理上產生嫌惡感的問題。此外，認證部分受傷的場合，或者是最慘的場合當認證部分失去的場合，生體認證是不可能的。此外，於認證過程只進行部分的認證，所以並不能說是萬全之策。
此外，只有卡片持有人才可使用的生體認證系統，對於沒有使用卡片的時間或是卡片處理裝置不在附近而需要靠代理人來操作卡片的話，是不可能的，這一點對於使用者而言是不便的。
作為防止偽造之一個手段，係在信用卡、預付卡、紙幣、證券類等安裝於塑膠形成凹凸之壓印全像(embossed Hologram，或稱「壓印式全像片」)。因為要複製此壓印全像是非常困難的，所以要偽造帶有壓印全像的卡片類在事實上是不可能的，在現在的使用型態人僅在一瞥下進行讀取，所以使用類似的壓印全像偽造卡片來使用是可能的。
與卡片同樣頻繁被偽造，其損害無法忽視的還有仿冒的名牌商品。仿冒名牌商品有僅看一眼就可以分辨出不是真品之物，其中亦有製作精巧，很難分辨出是否為真品之 物。
此外，在部分地區對於仿冒名牌商品是非法物之認識很稀薄，即使知道是仿冒商品還是繼續流通。如這樣仿冒商品在網際網路上不透過流通機構直接販賣給消費者的情形近年來逐漸增加。
此外，改變贓車的車體號碼，作為非失竊車輛輸出至海外的事件也有發生過。
為了對應這樣的情形，真品的製造者或販賣者，製作/添附限於該真品的證明書而交付給購入者，但亦有連該證明書也是偽造的情形。
此外，藉由對真品安裝全像片那樣不易複製的標籤，雖容易辨認其為真品，但是全像片的複製只是困難而已，並非不可能。
認證晶片藉由把卡片插入終端裝置的操作者，藉由目視，亦即藉由感官來確認認證圖案，不是藉由卡片終端裝置來讀取。
根據感官之認證，會隨著進行認證的個人的能力而有所差異，而且即使是同一人也會隨著認證環境及心理狀態、身體是否舒適等而有所不同，使得1次性的篩選可發揮效果，但可信賴性很低。
此外，根據感官之認證依存於進行認證的個人的認識能力，所以只可以用於少數比較單純的圖案。
根據輔助器具之認證，藉由使用放大鏡等擴大器具，或是藉由使用產生光學干涉之特殊濾光片，而對細微畫 線、特殊畫線、微小文字、特殊形狀篩查等來進行認證。
具體而言，發光基材、發光層積膜、發光墨水、熱致變色墨水、光致變色墨水等，顯示特殊光學特性的材料混入基材/層積膜/墨水等，而使用特殊濾光片、紫外線燈等輔助器具來進行認證，但這些認證最後還是依賴人的感官，所以可信賴性很低。
根據機器處理之認證，係機械性檢測出材料具有的特性而進行認證者，作為檢測對象有磁性、光學特性等。
具體而言，係把發光材料、磁性材料混入基材/層積膜/墨水等，使用檢測機器藉由OCR文字、磁性條碼而磁性或光學性賦予條碼化的特定資訊，而使用磁性/光學檢測機器者。
作為根據機械處理之認證技術，有替代生體固有的資訊而利用於媒體中隨機配置無再現性的人工物之人工物方陣系統(artifact-matrix system)。
在人工物測定，利用粒狀物之反光圖案、光纖之透光圖案、高分子纖維之視差影像圖案、纖維之影像圖案、磁性纖維之磁性圖案、隨機記錄的磁性圖案、磁條之隨機磁性圖案、記憶體胞之隨機電荷量圖案、導電性纖維之共振圖案、振動密封之共鳴圖案等偶然形成的圖案。
卡片之非法使用或成為偽造對象之事項，有發行卡片給利用者時供給的「卡片記載資訊」、與在卡片製造步驟賦予的「卡片本體資訊」。
卡片記載資訊，係對卡片本體在卡片發行時被印字/ 賦予的資訊，相當於關於持有人資訊、有效期限等關於發行的資訊。
非法使用的代表性型態之竄改，係將卡片記載資訊之全部或一部分記載資訊予以改寫的行為，消去正規資訊，而加上非法資訊。
卡片本體資訊，係由被發行的卡片除去卡片記載資訊後之卡片自身所具有的資訊，係卡片的物理形狀，主要在印刷步驟被賦予的背景模樣、下底的印刷層及保護層積層等附隨於卡片基體的資訊。
偽造，係針對卡片本體進行的不法行為，複印或模仿附隨於卡片本體的資訊之圖案或模樣等，製作外觀上近似的卡片，具體而言係以掃描器讀取賦予於真正卡片券面的圖案或模樣等，施加加工、修正等，而使用印表機來進行。
對卡片本體之偽造對策技術，即使限於印刷技術，也因印刷方式、墨水、印刷模樣之組合而存在多數種，但現在仍無具決定性者。
於偽造對策之認證方法，大致可分為根據感官者，根據輔助器具者，與根據機械處理者。
根據感官之認證，係以視覺、觸覺等人的感官來認證真偽，根據視覺者有藉由改變本體的色彩、透光、觀看角度而改變賦予的模樣或色彩等之全像片等，藉由觸覺者，有檢知被賦予的凹凸形狀、卡片本體的質感檢知等。具體而言，有商標(logo)標記、特殊字體、防複製畫線、特色 墨水、全像騙、光學變化材料、潛像模樣等，要複製/複印是困難的，視覺上可容易認證的，壓印加工、凹凸賦予、穿孔等、在指感上、視覺上進行認證者。
生質(biomatrix)或人工物方陣(artifact matrix)之類的圖案之機器讀取，一般是以攝影裝置讀取藉由圖案認識技術進行認證。因此，有根據複製技術來偽造的可能性。
作為複印困難的卡片之使用壓印全像的卡片，例如揭示於日本特公平6-85102號公報，特開平11-272836號公報，特開20-298880號公報，特開20-163530號公報，特表20-514581號公報，特開22-74283號公報，特開22-347373號公報及特許2522681號公報。
使用壓印全像的卡片之構造及製造法被揭示於特開平11-1879號公報及特開24-117636號公報。
根據本案發明人之WO27/072794號公報及WO27/072793號公報，揭示著藉由壓印全像片認證卡片自身的真偽之技術。
根據本案發明人之前案之特願27-312861號，揭示著藉由組合IC標籤(tag)與壓印全像片識別真品與偽造品之用的真偽判別構件及真偽判別方法之發明。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特公平6-85102號公報
[專利文獻2]日本專利特開平11-272836號公報
[專利文獻3]日本專利特開20-298880號公報
[專利文獻4]日本專利特開20-163530號公報
[專利文獻5]日本專利特表20-514581號公報
[專利文獻6]日本專利特開22-74283號公報
[專利文獻7]日本專利特開22-347373號公報
[專利文獻8]日本特許第2522681號公報
[專利文獻9]日本專利特開平11-1879號公報
[專利文獻10]日本專利特開24-117636號公報
[專利文獻11]WO27/072794號公報
[專利文獻12]WO27/072793號公報
於本發明，課題在於提供可以對從前泛用的提款卡或信用卡不施以基本的變更即可附加，可有效利用於偽造品的判斷之壓印全像晶片的構造及壓印全像晶片之製造方法，更具體而言，係提供WO27/072794號公報，WO27/072793號公報及特願27-312861號公報所記載之壓印全像晶片之新穎構造及這些之壓印全像晶片之製造方法。
為了解決前述課題，本申請案提供以下之手段。
規則地於壓印全像晶片配置全像坑，進行無規則地進行呈現全像現象的坑的配置。
使使用的光為複數種。
製作相當於複數壓印全像晶片的大小之全像晶片原板，由該原板切出複數之壓印全像晶片。
散布未硬化之樹脂，使其硬化。
製作壓印全像晶片製造用壓模，使用該壓模製造壓印全像晶片。
利用光的干涉之壓印全像片具有立體構造，所以除了由原型直接製造複製品以外是無法拷貝的。
此外，根據亂數或是偶然無規律形成的壓印全像片之圖案是不可能進行解析的，所以不可能藉由解析來進行偽造。
以下，參照附圖說明本發明較佳之實施型態，首先說明揭示於WO27/072794號公報，WO27/072793號公報及特願27-312861號之壓印全像晶片(chip)。
圖1顯示本案發明人所提之被安裝單色全像晶片之卡片的基本構成。
(a)為卡片全體圖，(b)為卡片剖面圖，(c)為全像晶片之剖面圖，(d)為全像晶片之功能說明圖，(e)為被輸出的檢測訊號。
此卡片1，在不透光性之卡片基體6上裝有表面板 4，於該處被貼附全像晶片5。此外，於表面板4上被形成磁條2與箭頭3。
於(c)顯示全像晶片的基本構造。
全像晶片基板5被配置使用入射光的四分之一波長的深度之壓印全像坑(pit)7與未被形成坑的平坦部分8。基板5與坑7於其上被形成金屬等反射層。此外，9為保護覆蓋。
藉由(d)說明全像晶片的功能。
經由保護覆蓋9入射的波長為λ之光在平坦部8及坑7之平坦的底部被反射，在外部檢測出實線箭頭所示之波長λ之光。
坑7之邊緣在上端反射的光與在下端反射的光的相位差了180度，彼此抵銷，所以在外部如虛線箭頭所示不被檢測出波長λ之光。
如(e)所示，反射光檢測訊號在平坦部8與坑7之邊界的邊緣會有凹下(dip)，此凹下對於1個坑6會產生2次。藉由利用此現象，可以檢測出坑7。
圖2所示者，為規則配置坑7與平坦部分8之全像晶片之例。
於此圖5為全像晶片，6為坑，7為平坦部。
在(a)可以見到平坦部7，但實際上是如(b)那樣看不見的。
又，坑的配置沒有必要是規則的，亦有配置為不規則者較佳的情形。
於圖3，顯示作為坑而構成的壓印全像係根據藉由亂數得到的2值資料進行坑的配置之全像晶片之配置例。
此2值資料，可以藉由檢測放射線物質進行核分裂所放射的放射線而得到。
於此全像晶片，1024位元之2值資料作為32×32之矩陣之正方形而配置壓印全像片。
於此圖，被寫入2值資料「0」的位置顯示空白，被寫入2值資料「1」的位置顯示「*」。
於圖4，顯示根據本案申請人提出之使用複數波長之光(在此例為紅色光R、綠色光G及藍色光B)之複色全像晶片的基本構成。
(a)為其剖面圖，(b)為其功能說明圖，(c)為被輸出的紅色光之檢測訊號，(d)為被輸出的綠色光之檢測訊號，(e)為被輸出的藍色光之檢測訊號。
在(a)，被配置著使用於全像晶片基體10的紅色入射光R、綠色入射光G及藍色入射光B之四分之一波長的深度之坑11R、11G及11B與未被形成這些坑之平坦部分11W。全像晶片基體10與坑11R、11G及11B於其上被形成金屬等反射層。此外，12為保護覆蓋。
藉由(b)進而說明全像晶片。
於基板10被形成使用的紅色光R的波長λR之四分之一深度的坑11R、及綠色光G的波長λG之四分之一深度的坑11G及藍色光B的波長λB之四分之一深度的坑11B。
經由保護覆蓋12入射的波長為λR之紅色光在坑11R的邊緣以外被反射，檢測出以實線箭頭所示之波長λR之光。
在坑11R的邊緣在上端被反射的紅色光與在下端被反射的紅色光的相位差了180度，彼此抵消，所以如虛線箭頭r所示不被檢測出波長λR之紅色光。
經由保護覆蓋12入射的波長為λG之綠色光在坑11G的邊緣以外被反射，檢測出以實線箭頭所示之波長λG之綠色光。
在坑11G的邊緣在上端被反射的綠色光與在下端被反射的綠色光的相位差了180度，彼此抵消，所以如虛線箭頭g所示不被檢測出波長λG之綠色光。
經由保護覆蓋12入射的波長為λB之藍色光在坑11B的邊緣以外被反射，檢測出以實線箭頭所示之波長λB之藍色光。
在坑11B的邊緣在上端被反射的藍色光與在下端被反射的藍色光的相位差了180度，彼此抵消，所以如虛線箭頭b所示不被檢測出波長λB之藍色光。
如(c)所示，紅色光檢測訊號在平坦部13與坑11R之邊界的邊緣會凹下，此凹下對於1個坑11R會產生2次。
如(d)所示，綠色光檢測訊號在平坦部13與坑11G之邊界的邊緣會凹下，此凹下對於1個坑11G會產生2次。
如(e)所示，藍色光檢測訊號在平坦部13與坑11B之 邊界的邊緣會凹下，此凹下對於1個坑11B會產生2次。
藉由利用這些情形，可以確實檢測出坑11R、11G、11B。
於圖5，顯示本案申請人之坑與平坦部分被規則地配置之全像晶片之例。
於此圖，10為全像晶片，11R，11G及11B為坑，11W為平坦部。
在(a)可以見到平坦部，但實際上是如(b)那樣看不見的。
又，坑的配置沒有必要是規則的，亦有配置為不規則者較佳的情形。
於圖6，顯示人工方式獲得本案申請人之作為坑或凸部被構成的全像晶片之例。
「R」、「G」、「B」及白色光「W」可以藉4進位數來表現，4進位數可以由4個2位元數，亦即「00」、「01」、「10」、「11」來表現。
根據此事實，與圖4所示的2進位數的場合同樣，藉由把R、G、B及W作為4進位數處理，可得圖6所示之4進位數矩陣。
以前述說明之本案發明人自身之先申請案為基礎，接著進而說明具有適於實用的構成之全像晶片的構造及相關於先行技術發明之全像晶片之製造方法。
(單色壓印全像實施例1)
於圖7，顯示單色坑之基本構造之實施例1。
於此圖，15為全像晶片基體，全像晶片基體15上被配置使用入射光的四分之一波長的深度之坑(pit)16與未被形成坑的平坦部分17。全像晶片基體15與坑16於其上被形成金屬等反射層。於坑16之邊緣，產生圖1所示之入射光之凹下(dip)。此外，18為保護覆蓋。
(單色壓印全像實施例2)
於圖8，顯示單色坑之基本構造之其他之實施例2。
於此圖，20為全像晶片基體，全像晶片基體20上預先被形成使用入射光的四分之一波長的深度之坑，於其中之若干坑填充樹脂24。
如此進行，於全像晶片基板20被配置使用入射光的四分之一波長的深度之坑21與未被形成坑的平坦部分22。全像晶片基體20與坑21於其上被形成金屬等反射層。如此進行而形成之坑21之邊緣，產生圖1所示之入射光之凹下(dip)。此外，23為保護覆蓋。
(複色壓印全像實施例1)
於圖9，顯示複色坑之基本構造之實施例1。
於此圖，25為全像晶片基體，全像晶片基體15上被配置使用入射光，例如紅色光R、綠色光G及藍色光B之四分之一波長的深度之坑26R、26G、26B與未被形成坑的平坦部分27。全像晶片基體25與坑26R、26G、26B 於其上被形成金屬等反射層。於坑26R，26G，26B之邊緣，產生圖4所示之入射光R，G，B之凹下。此外，18為保護覆蓋。
(複色壓印全像實施例2)
於圖10，顯示複色坑之基本構造之其他之實施例2。
於此圖，30為全像晶片基體，於全像晶片基體30預先形成使用入射光中最長波長，例如紅色光R之四分之一波長支深度的坑，於坑31R完全未被填充樹脂，於坑31G以使填充後的深度成為綠色光G的四分之一波長的方式填充樹脂，於坑31B以使填充後的深度成為藍色光B的四分之一波長的方式填充樹脂，於坑31W被完全填充。進而於包含這些坑的上面被形成金屬等之反射層。
此外，33為保護覆蓋。
於圖11顯示圖10所示之全像晶片的動作。
對具有這樣的構成之全像晶片射入紅色光R、綠色光G及藍色光時，如(a)所示，在坑31R的端緣僅紅色光R不射出，其他之綠色光G及藍色光B則射出，在坑31G的端緣僅綠色光G不射出，其他之紅色光R及藍色光B則射出，在坑31B的端緣僅藍色光B不射出，其他之紅色光R及綠色光G則射出，在包含坑31W的端緣之其他部分則射出所有的光。
根據這些射出光R、G、B之訊號顯示於(b)，(c)，(d)。
(複色壓印全像實施例3)
於圖12，顯示複色坑之基本構造之其他之實施例3。
與複色坑實施例1與2不同，在此實施例使用填充於坑的樹脂的折射率有複數種類之樹脂。
於此圖，35為全像晶片基體，全像晶片基體35上預先被形成使用入射光中最長波長，例如紅色光R的四分之一波長的深度之坑，於包含坑的內面之上面被形成金屬等反射層38。
於坑之若干係以實效深度成為綠色光G及藍色光B的波長的四分之一的方式被填充選擇了折射率之樹脂37R、37G、37B、37W。又，樹脂37W係反射全波長光之反射體。
此外，39為保護覆蓋。
於圖13顯示圖12所示之全像晶片的動作。
對具有這樣的構成之全像晶片射入紅色光R、綠色光G及藍色光B時，如(a)所示，在坑31R的端緣僅紅色光R不射出，其他之綠色光G及藍色光B則射出，在坑31G的端緣僅綠色光G不射出，其他之紅色光R及藍色光B則射出，在坑31B的端緣僅藍色光B不射出，其他之紅色光R及綠色光G則射出，在包含坑39的端緣及內部之其他部分則射出所有的光。
根據這些射出光R、G、B之訊號顯示於(b)，(c)，(d)。
(複色壓印全像實施例4)
於圖14，顯示複色坑之基本構造之其他之實施例4。
在此實施例除了實施例3之折射率不同的複數種類樹脂以外使用反射所有的光的樹脂。
於此圖，40為全像晶片基體，全像晶片基體40上預先被形成使用入射光中最長波長，例如紅色光R的四分之一波長的深度更深的之坑，於包含坑的內面之上面被形成金屬等反射層42。
於坑之若干係以實效深度成為綠色光G及藍色光B的波長的四分之一的方式被填充選擇了折射率之樹脂41R、41G、41B。此外，在剩下的坑41N被填充吸收所有波長的光的樹脂，於坑41W填充反射所有波長的光的樹脂。
此外，43為保護覆蓋。
於圖15顯示圖14所示之全像晶片的動作。
對具有這樣的構成之全像晶片射入紅色光R、綠色光G及藍色光B時，如(a)所示，在坑41R的端緣僅紅色光R不射出，其他之綠色光G及藍色光B則射出，在坑41G的端緣僅綠色光G不射出，其他之紅色光R及藍色光B則射出，在坑41B的端緣僅藍色光B不射出，其他之紅色光R及綠色光G則射出，在坑41N的端緣及內部所有的光不被射出，在包含坑41的端緣及內部之其他部分則射出所有的光。
根據這些射出光R、G、B之訊號顯示於(b)，(c)，(d)。
以下說明不藉由坑而藉由突起得到壓印全像之壓印全像晶片。
(單色壓印全像實施例3)
於圖16，顯示藉由突起得到單色壓印全像之壓印全像晶片。
於(a)，50為全像晶片基體，全像晶片基體50上被配置使用入射光的四分之一波長的高度之突起52與未被形成突起的平坦部分51。全像晶片基體50與突起52於其上被形成金屬等反射層。
此外，53為保護覆蓋。
如(b)所示，於突起52之邊緣，產生與圖1所示同樣的入射光之凹下(dip)。
根據此射出光之訊號顯示於(c)。
(複色壓印全像實施例5)
於圖17，顯示藉由突起得到單色壓印全像之壓印全像晶片。
於(a)，55為全像晶片基體，全像晶片基體55上被配置使用入射光，例如紅色光R、綠色光G及藍色光B之四分之一波長的高度之突起56R、56G、56B與未被形成坑的平坦部分56W。全像晶片基體55與突起56R、56G、 56B係於其上被形成金屬等反射層。
此外，58為保護覆蓋。
如(b)所示，於突起56R，56G，56B之邊緣，產生圖4所示之同樣之入射光R，G，B之凹下。
根據這些射出光R、G、B之訊號顯示於(c)，(d)，(e)。
以下說明藉由坑與突起得到壓印全像之壓印全像晶片。
(單色壓印全像實施例4)
於圖18，顯示藉由坑與突起得到單色壓印全像之壓印全像晶片。
於(a)，60為全像晶片基體，全像晶片基體60上被配置使用入射光的四分之一波長的深度之坑63與使用入射光的四分之一波長的高度之突起62與未被形成坑也未被形成突起的平坦部分61。全像晶片基體60與坑63及突起62於其上被形成金屬等反射層。
此外，65為保護覆蓋。
如(b)所示，於坑63的端緣與突起62之端緣，產生與圖1所示同樣的入射光之凹下(dip)。
根據此射出光之訊號顯示於(c)。
與壓印全像同樣藉由光的波長之四分之一的厚度之透明媒體而呈現的構造色之現象，係相對於壓印全像僅不射出四分之一波長的光的現象，而構造色是強烈射出四分之 一波長的光的現象。亦即，光線射入時在壓印全像片不會觀測到該光，相對地在構造色該光會比其他光更強烈地被觀測到。
接著說明可以同時利用壓印全像與構造色之全像-構造色晶片。
首先，藉由圖20說明構造色呈現的原理。
呈現構造色之「全像薄片」或者亦簡稱為「全像(薄片(flake))」之材料已有市售。全像薄片不是全像片，但與全像片同樣藉由光的干涉使未被著色的透明體看起來像是被著色。
在以下說明之實施例把全像薄片等構造色呈現體稱為構造色片。
於此圖，70為被置於絕對折射率n0之媒體中之，例如PET樹脂之具有厚度d的透光性媒體的薄層，絕對折射率為n1。此外，71為透光性媒體70的入射面，72為反射面。
又，亦可使此反射面72為金屬等之反射膜。
如(a)所示，由絕對折射率為n0的媒體垂直入射至絕對折射率為n1的透光性媒體70的入射面71的波長λ1之入射光，會在折射率不同的媒體之入射面71上部分反射，部分入射至透光性媒體70。
又，波長λ1的光係對透光性媒體70成垂直，亦即入射角θ為0度地入射，但在此因為圖示的關係而顯示為多少具有某個角度。
入射至透光性媒體70的光在射出端面72由於媒體的折射率不同而被反射，由折射率n1之透光性媒體70放射至絕對折射率為n0之媒體中。
在此場合，m為正的整数，在滿足d=(m+1/2)λ1/2n，亦即λ1=2dn/(m+1/2)的條件時，如(a)所示以入射面71反射的光的相位與透過透光性媒體70而以反射面72反射的光的相位變成相同。又，n為相對折射率，n=n1/n0。
結果，波長λ1之光的射出變強。
如(b)所示，在滿足d=(m+1/2)λ2/2n，亦即λ2=2dn/m的條件時，以入射面71反射的光的相位與透過透光性媒體70而以反射面72反射的光的相位變成相差半個波長，彼此抵消。
結果，波長λ2之光的射出變弱。
如(c)所示，以非零度之θi之入射角斜向入射的光，於入射面71以折射角θr折射，入射角θi、折射角θr與相對折射率n間成立sinθi/sinθr=n之關係。根據此關係，以入射角θi入射之光在反射面72以折射角θr入射，以反射角θr反射，而由入射面71以射出角θi射出。
在入射面71以入射角θi入射而以折射角θr折射之波長為λ3之光，m為正的整数，在滿足d=(m+1/2)λ3/2ncosθr，亦即λ3=2dncosθr/(m+1/2)的條件時，在入射面71以反射角θi反射的光的相位與透過透光性媒體70而在反射面72反射而由入射面71折射以θi射出的光的相位 變成相同。
結果，波長λ3之光的射出變強。
如(d)所示，波長為λ4之光在入射面51以入射角θi入射而以折射角θr折射的場合，在滿足d=(m+1/2)λ4/2ncosθr，亦即λ4=2dncosθr/m的條件時，在入射面71以反射角θi反射的光的相位與透過透光性媒體70而在反射面72反射而由入射面71折射以θi射出的光的相位變成相差半個波長。
結果，波長λ4之光的射出變弱。
如此進行選擇性射出的光的波長λ3或不射出的光λ4的波長依存於折射角θr之餘弦“cosθr”。反射角θr依存於入射角θi，入射角θi在0度至90度之間無階段地改變，所以其結果被選擇而(a)及(c)所示之射出的光或是(c)及(d)所示之不射出的光的波長也無階段地改變。
如此進行而呈現之顏色稱為構造色，藉由多層構成而呈現複雜的顏色，有鳥類羽毛、甲蟲之羽、蝴蝶的鱗粉、貝類之內面等大量存在於自然界中。
(全像-構造色晶片實施例1)
圖21所示者，係藉由坑構成之全像-構造色晶片之原理的說明。
於此圖，70為基體，71為透光性蓋，72、73為坑，74為透光性樹脂，75、76為金屬等反光材。
基體71、透光性蓋72、透光性樹脂74分別具有不同 的折射率。
於坑72被填充透光性樹脂74所以坑72的光學長度變得與物理性長度不同。因此，在反射膜的某部分不射出λ1的波長的光，反射膜75在除了某部分之坑內被觀測到透光性樹脂74導致之λ2波長之構造色。
於坑73被填充透光性覆蓋樹脂71所以坑73的光學長度變得與物理性長度不同。因此，在反射膜的某部分不射出λ3的波長的光，反射膜76在除了某部分之坑內被觀測到透光性樹脂71導致之λ4波長之構造色。此外，在不存在坑的部分被觀測到透光性蓋的厚度導致之λ5的構造色。
(全像-構造色晶片實施例2)
圖22所示者，係藉由突起構成之全像-構造色晶片之原理的說明。
於此圖，80為基體，81為透光性外蓋，82、83為透光性樹脂之突起，84、85為金屬等反光材。
基體80、透光性蓋81、透光性樹脂82，83分別具有不同的折射率。
突起82，83係透光性樹脂，由於其折射率使突起82，83之光學高度與物理高度不同。因此，突起82之有反射膜84的部分由於全像現象不射出對應於透光性蓋81的折射率之λ1波長的光，在沒有反射膜84的部分呈現感光性樹脂82所致之構造色現象而觀測到對應於折射率的 λ2的光。
突起83的反射膜85於內部分，被觀測到對應於透光性樹脂83的折射率之λ2的構造色，在反射膜85的某個部分射出所有的光。
使外蓋材的厚度具有光學意義的話，在蓋材與基材或是突起之上面之間也可以得到不同波長的構造色。
《壓印全像晶片製造方法》
其次，說明壓印全像晶片之製造方法。
<壓印全像晶片製造方法實施例1>
於圖23顯示壓印全像晶片製造方法實施例1。
於(a)以1顯示的是具有16枚壓印全像晶片的面積之原板。
於此原板1上形成坑103。
如此進行把被形成坑103的原板1如(b)所示裁斷成適當大小，得到壓印全像晶片102。
<壓印全像晶片製造方法實施例2>
圖24所示者，為在卡片等直接形成壓印全像晶片之製造方法。
於(a)以105顯示的是具有16枚卡片的面積之原板。
藉由於此原板105利用遮罩等於其一部分形成坑，得到具晶片107之卡片原板，將此原板如(b)所示裁斷，得 到具晶片107之卡片原板106。
<壓印全像晶片製造方法實施例3>
圖25所示者為坑之配置被固定，僅坑之資訊是偶然性決定的晶片之製造方法。
於(a)以110所示者為具有16枚晶片的面積之原板，於晶片原板110跨全面規則性或不規則性地配置坑。
於此原板散布透光性之未硬化樹脂，使其硬化而得晶片原板，將此原板如(b)所示裁斷，得到晶片111。
<壓印全像晶片製造方法實施例4>
於圖26顯示圖25所示之晶片的其他型態之製造方法。
於(a)以115所示者為具有16枚晶片的面積之原板，於晶片原板115除了相當於晶片的最外週部的坑以外跨全面規則性或不規則性地配置坑。
於此原板散布透光性之未硬化之樹脂，使其硬化。如此進行得到晶片原板，把此原板如(b)所示裁斷成適當大小，得到晶片116。
<壓印全像晶片製造方法實施例5>
於圖27顯示圖25所示之晶片的進而其他種型態之製造方法。
於(a)以120所示者為具有16枚晶片的面積之原板， 於晶片原板120跨晶片的全面規則性或不規則性地配置坑。
於相當於晶片的最外週部的部分之孔，注入非硬化性樹脂，或是予以遮蓋。
於此原板散布透光性之未硬化樹脂，使其硬化而得具有認證資訊的晶片原板，將此原板如(b)所示裁斷為適當大小，得到晶片121。
<壓印全像晶片製造方法實施例6>
於圖28所示者，係坑被不規則地配置之晶片的製造方法。在此實施例，坑之形狀不是圓形而是細長形狀，也可以形成圓形之坑。
於(a)以130所示者為具有16枚晶片的面積之原板，於晶片原板130跨晶片的全面不規則性地配置細長的坑。
這種形狀的坑可藉由在原板130上使腐蝕或溶解原板之液體材料由傾斜方向進行散布而得到。
又，由垂直方向散布的話坑的形狀為圓形。
於此原板散布透光性之未硬化樹脂，使其硬化而得據認證資訊之晶片原板，將此原板如(b)所示裁斷，得到晶片131。
在圖29~圖32所示之實施例，使用預先被形成與單色全像片用之相同深度的坑之原板。
坑之配置可以是規則配置也可以示不規則配置，在實施例說明具有規則配置的坑之原板。
此外，原板可以是具有圖27~29所示的複數晶片的面積者，亦可為具有單一晶片的面積者。
<壓印全像晶片製造方法實施例7>
圖29所示者，係最基本之實施例。
(1)所示之140係預先被形成使用光的波長的四分之一的深度的坑141之晶片原板。
(2)對所有的坑填充未硬化樹脂單體143。未硬化樹脂單體例如使用紫外線硬化樹脂。
(3)對最終不成為坑的位置之單體照射紫外線，使硬化為高分子。
(4)把未被紫外線照射而不硬化的未硬化樹脂單體由坑除去。
(5)於原板、硬化樹脂及坑的內面形成反射膜142。
(6)使全體以透光性之樹脂蓋145覆蓋。
<壓印全像晶片製造方法實施例8>
圖30所示者，係其他實施例。
(1)所示之140係預先被形成使用光的波長的四分之一的深度的坑141之晶片原板。
(2)對不形成最終的坑之坑填充未硬化樹脂單體143。未硬化樹脂單體例如使用紫外線硬化樹脂以外之熱硬化性樹脂。
(3)使單體硬化，成為高分子。
(4)於原板、硬化樹脂及坑的內面形成反射膜142。
(5)使全體以透光性之樹脂蓋145覆蓋。
如此構成的晶片使入射的光不從坑141之端緣射出，而由其他部分射出。
<壓印全像晶片製造方法實施例9>
圖31所示者，係進而其他之實施例。
(1)所示之140係預先被形成使用光的波長的四分之一的深度的坑141之晶片原板。
(2)對所有的坑填充未硬化樹脂單體143。未硬化樹脂單體使用紫外線硬化樹脂。
(3)對全面塗布光阻膜146。
(4)對成為坑的位置之光阻膜照射紫外線，使為硬化光阻膜147。
(5)把未被紫外線照射而不硬化的光阻膜除去。
(6)對未以光阻膜覆蓋的未硬化樹脂單體照射紫外線使硬化，成為高分子144。
(7)把光阻膜與被光阻膜覆蓋的，未被紫外線照射而不硬化的未硬化樹脂單體由坑除去。
(8)於原板、硬化樹脂及坑的內面形成反射膜142。
(9)使全體以透光性之樹脂蓋145覆蓋。
<壓印全像晶片製造方法實施例10>
圖32所示者，係進而其他之實施例。
(1)所示之140係預先被形成使用光的波長的四分之一的深度的坑141之晶片原板。
(2)對所有的坑填充未硬化樹脂單體143。未硬化樹脂單體使用紫外線硬化樹脂。
(3)對最終成為坑之坑的未硬化樹脂單體143形成保護膜147。未硬化樹脂單體例如使用紫外線硬化樹脂以外之熱硬化性樹脂。
(4)對未以保護膜覆蓋的未硬化樹脂單體照射紫外線使硬化，成為高分子144。
(5)把保護膜與被保護膜覆蓋的，未被紫外線照射而不硬化的未硬化樹脂單體由坑除去。
(6)於原板、硬化樹脂及坑的內面形成反射膜142。
(7)使全體以透光性之樹脂蓋145覆蓋。
如此構成的晶片使入射的光不從坑141之端緣射出，而由其他部分射出。
<壓印全像晶片製造方法實施例11>
在圖29~32之實施例使用被形成使用光的波長的四分之一的深度之坑的晶片原板，但藉由同樣的製造方法使坑之深度成為複數種而對應於多色光亦為可能。
在圖33~圖36所示之實施例，於原板並不使用預先被形成與單色全像片用之相同深度的坑之原板，而使用壓模在平坦的原板形成坑。
坑之配置可以是規則配置也可以示不規則配置，在實 施例說明具有規則配置的坑之原板。
此外，原板可以是具有圖27~29所示的複數晶片的面積者，亦可為具有單一晶片的面積者。
<壓印全像晶片製造方法實施例12>
圖33所示者，係最基本之實施例。
(1)所示之150係預先被形成使用光的波長的四分之一的深度的坑模151之模具等之晶片原板模。
(2)對所有的坑模填充未硬化樹脂單體152。未硬化樹脂單體例如使用紫外線硬化樹脂。
(3)對最終不成為坑模的位置之單體照射紫外線，使硬化為高分子。
(4)把未被紫外線照射而不硬化的未硬化樹脂單體由坑模除去。
(5)使用被形成坑模之晶片原板模形成壓模154。
(6)使壓模154由晶片原板模150脫模。
(7)使用壓模154衝壓平的原板，形成具有坑之原板160。
(8)使具有坑之原板160由壓模154脫模。
(9)於具有坑之原板160形成反射膜162。
(10)使全體以透光性之樹脂蓋163覆蓋。
<壓印全像晶片製造方法實施例13>
圖34所示者，係其他實施例。
(1)所示之150係預先被形成使用光的波長的四分之一的深度的坑模151之模具等之晶片原板模。
(2)對不形成最終的坑之坑模填充未硬化樹脂單體152。未硬化樹脂單體例如使用紫外線硬化樹脂以外之熱硬化性樹脂。
(3)使單體硬化，成為高分子153。
(4)使用被形成坑模之晶片原板模形成壓模154。
(5)使壓模154由晶片原板模150脫模。
以後之過程與圖33所示之(7)~(9)相同所以省略說明。
<壓印全像晶片製造方法實施例14>
圖35所示者，係進而其他之實施例。
(1)所示之150係預先被形成使用光的波長的四分之一的深度的坑模151之模具等之晶片原板模。
(2)對所有的坑模填充未硬化樹脂單體152。未硬化樹脂單體使用紫外線硬化樹脂。
(3)對全面塗布光阻膜156。
(4)對成為坑模的位置之光阻膜照射紫外線，使為硬化光阻膜157。
(5)把未被紫外線照射而不硬化的光阻膜除去。
(6)對未以光阻膜覆蓋的未硬化樹脂單體照射紫外線使硬化，成為高分子153。
(7)把光阻膜與被光阻膜覆蓋的，未被紫外線照射而 不硬化的未硬化樹脂單體由坑模除去。
(8)使用被形成坑模之晶片原板模形成壓模154。
(9)使壓模154由晶片原板模150脫模。
以後之過程與圖33所示之(7)~(9)相同所以省略說明。
<壓印全像晶片製造方法實施例15>
圖36所示者，係進而其他之實施例。
(1)所示之150係預先被形成使用光的波長的四分之一的深度的坑模151之模具等之晶片原板模。
(2)對所有的坑模填充未硬化樹脂單體152。未硬化樹脂單體使用紫外線硬化樹脂。
(3)對最終成為坑模之坑模的未硬化樹脂單體152形成保護膜155。未硬化樹脂單體例如使用紫外線硬化樹脂以外之熱硬化性樹脂。
(4)對未以保護膜覆蓋的未硬化樹脂單體照射紫外線使硬化，成為高分子153。
(5)把保護膜與被保護膜覆蓋的，未被紫外線照射而不硬化的未硬化樹脂單體由坑模除去。
(6)使用被形成坑模之晶片原板模形成壓模154。
(7)使壓模154由晶片原板模150脫模。
以後之過程與圖33所示之(7)~(9)相同所以省略說明。
在圖33~36之實施例使用被形成使用光的波長的四 分之一的深度之坑模的晶片原板，但藉由同樣的製造方法使坑模之深度成為複數種而對應於多色光亦為可能。
<壓印全像晶片製造方法實施例16>
簡單說明不規則地配置單色壓印全像晶片之坑或突起的方法之說明。
於圖37，170為坑171被不規則配置的晶片，(a)為由上所見之圖。
(b)及(c)為使用坑171的場合之剖面圖。
坑係把基體170藉由蝕刻等手段開口而形成使用光的四分之一波長的深度。
172為蓋。
不蝕刻基板170而藉由開口於使用光的四分之一波長的薄膜也可以得到。
(d)及(e)為使用突起176的場合之剖面圖。
突起176係於基體175上散布使用光的四分之一波長的厚度之薄片而形成的。
177為蓋。
<壓印全像晶片製造方法實施例17>
簡單說明不規則地配置複色壓印全像晶片之坑或突起的方法之說明。
於圖38，180為被不規則配置深度不同的坑181R，181G，181B的晶片，(a)為由上所見之圖。
(b)及(c)為使用坑171的場合之剖面圖。
坑係把基體180藉由蝕刻等手段開口而形成使用光的四分之一波長的深度。
182為蓋。
不蝕刻基板180而藉由開口於使用光的四分之一波長的薄膜也可以得到。
(d)及(e)為使用突起176的場合之剖面圖。
突起176係於基體175上散布使用光的四分之一波長的厚度之薄片186R，186G，186B而形成的。
187為蓋。
[產業上利用可能性]
以上說明之真偽認證晶片、具有真偽認證晶片之卡片，可以應用於銀行提款卡、信用卡、預付卡、證券、身份證、進出管制證、證明書等。
又，與壓印全像片同樣藉由入射光與反射光的干涉產生光學圖案，亦即具有發出珍珠光澤(nacreous)或是虹色(iridescent)之天然素材或人工素材之小片(chip)替代全像晶片來使用亦可。
1‧‧‧卡片
5‧‧‧壓印全像晶片
7，11，16，21，26，31，36，41‧‧‧壓印全像坑
52，56，62，68‧‧‧壓印全像突起
72，73‧‧‧壓印全像構造色坑
84，85‧‧‧壓印全像構造色突起
1，105，110，115，120，130‧‧‧原板
140‧‧‧晶片基板
150‧‧‧基板模
154‧‧‧壓模
圖1係具有坑之單色壓印全像晶片之說明。
圖2係具有坑之單色壓印全像晶片之坑的配置例。
圖3係根據亂數作成的單色壓印全像晶片之坑的配置 例。
圖4係複色壓印全像晶片之坑的配置例。
圖5係複色壓印全像晶片之坑的配置例。
圖6係根據亂數作成的複色壓印全像晶片之坑的配置例。
圖7係單色壓印全像晶片之構造實施例。
圖8係單色壓印全像晶片之構造之其他實施例。
圖9係複色壓印全像晶片之構造實施例。
圖10係複色壓印全像晶片之構造之其他實施例。
圖11係圖10之複色壓印全像晶片之說明。
圖12係複色壓印全像晶片之構造之進而其他的實施例。
圖13係圖12之複色壓印全像晶片之說明。
圖14係複色壓印全像晶片之構造之進而其他的實施例。
圖15係圖14之複色壓印全像晶片之說明。
圖16係具有突起之單色壓印全像晶片之說明。
圖17係具有突起之複色壓印全像晶片之說明。
圖18係具有坑與突起之單色壓印全像晶片之說明。
圖19係具有坑與突起之複色壓印全像晶片之說明。
圖20係構造色之原理說明。
圖21係產生壓印全像現象與構造色現象之坑的說明。
圖22係產生壓印全像現象與構造色現象之突起的說 明。
圖23係得到複數壓印全像晶片的方法之說明。
圖24係得到具有壓印全像晶片的複數卡片的方法之說明。
圖25係得到複數壓印全像晶片的其他方法之說明。
圖26係得到複數壓印全像晶片的進而其他種方法之說明。
圖27係得到複數壓印全像晶片的進而其他種方法之說明。
圖28係得到複數壓印全像晶片的進而其他種方法之說明。
圖29係製造具有坑之單色壓印全像晶片的原則方法之說明。
圖30係製造具有坑之單色壓印全像晶片的其他方法之說明。
圖31係製造具有坑之單色壓印全像晶片的進而其他種方法之說明。
圖32係製造具有坑之單色壓印全像晶片的進而其他種方法之說明。
圖33係使用壓模製造具有坑之單色壓印全像晶片的原理方法之說明。
圖34係使用壓模製造具有坑之單色壓印全像晶片的其他方法之說明。
圖35係使用壓模製造具有坑之單色壓印全像晶片的 進而其他種方法之說明。
圖36係使用壓模製造具有坑之單色壓印全像晶片的進而其他種方法之說明。
圖37係不規則地配置單色壓印全像晶片之坑或突起的方法之說明。
圖38係不規則地配置複色壓印全像晶片之坑或突起的方法之說明。
30‧‧‧全像晶片基體
31B‧‧‧坑
31G‧‧‧坑
31R‧‧‧坑
31W‧‧‧坑
33‧‧‧保護覆蓋
R‧‧‧紅色光
G‧‧‧綠色光
B‧‧‧藍色光
r‧‧‧虛線箭頭
W‧‧‧白色光
g‧‧‧虛線箭頭
b‧‧‧虛線箭頭

Claims (24)

  1. 一種壓印全像晶片(embossed hologram chip)，其特徵為：在平坦的基板上被形成複數坑(pit)；於前述基板及前述坑被形成反射層；被形成覆蓋前述基板上的前述反射層及前述坑中之反射層的透光性保護覆蓋；被形成於前述坑的前述保護覆蓋之厚度為使用光之四分之一波長。
  2. 如申請專利範圍第1項之壓印全像晶片，其中前述坑之深度為均一；前述坑係不均勻地被配置於前述基板上。
  3. 如申請專利範圍第1項之壓印全像晶片，其中前述坑之深度為均一；於前述坑被填充樹脂；前述被填充的樹脂量是不同的。
  4. 如申請專利範圍第1項之壓印全像晶片，其中前述坑之深度為均一；於前述坑被填充複數種類之樹脂；前述複數種類的樹脂的折射率不同。
  5. 如申請專利範圍第1項之壓印全像晶片，其中前述坑的深度不均一。
  6. 一種壓印全像晶片，其特徵為：在平坦的基板上被形成複數突起； 於前述基板及前述突起被形成反射層；被形成覆蓋前述基板上的反射層及前述突起之反射層的透光性之保護覆蓋；前述突起之高度為使用光之四分之一波長。
  7. 如申請專利範圍第6項之壓印全像晶片，其中前述突起的高度為均一；前述突起係不均勻地被配置於前述基板上。
  8. 如申請專利範圍第6項之壓印全像晶片，其中前述突起的高度不均一。
  9. 一種壓印全像晶片，其特徵為：在平坦的基板上被形成複數坑(pit)與突起；於前述基板、前述坑及前述突起被形成反射層；被形成覆蓋前述基板上的反射層、前述坑中之反射層及前述突起上之反射層的透光性保護覆蓋；被形成於前述坑的前述保護覆蓋之厚度及前述突起的高度為使用光之四分之一波長。
  10. 如申請專利範圍第9項之壓印全像晶片，其中前述坑之深度及前述突起之高度為均一；前述坑係不均勻地被配置於前述基板上。
  11. 如申請專利範圍第9項之壓印全像晶片，其中前述坑之深度及前述突起之高度為不均一；前述坑係不均勻地被配置於前述基板上。
  12. 一種壓印全像晶片，其特徵為：在平坦的基板上被形成複數坑(pit)； 僅於前述基板與前述坑之邊界附近被形成反射層；前述基板上及前述坑中被填充透光性樹脂；前述樹脂之厚度為使用光之四分之一波長。
  13. 如申請專利範圍第12項之壓印全像晶片，其中前述樹脂具有複數之不同的折射率。
  14. 一種壓印全像晶片，其特徵為：在平坦的基板上被形成透光性樹脂所構成的複數突起；僅於前述突起的周緣部被形成反射層；前述突起之厚度為使用光之四分之一波長。
  15. 如申請專利範圍第14項之壓印全像晶片，其中前述樹脂具有複數之不同的折射率。
  16. 一種壓印全像晶片，其特徵為：在平坦的基板上被形成透光性樹脂所構成的複數突起；僅於除了前述突起的周緣部以外的部分被形成反射層；前述突起之厚度為使用光之四分之一波長。
  17. 一種壓印全像晶片製造方法，其特徵為：準備被形成複數坑之壓印全像原板；對全部之前述複數坑填充未硬化樹脂；對前述未硬化樹脂選擇性照射紫外線而選擇性地使其硬化；除去未被硬化的前述未硬化樹脂； 於前述硬化之硬化樹脂及壓印全像原板上形成反射層；於前述反射層上形成透光性保護覆蓋。
  18. 如申請專利範圍第17項之壓印全像晶片製造方法，其中前述坑的深度為複數種。
  19. 一種壓印全像晶片製造方法，其特徵為：準備被形成複數坑之壓印全像原板；選擇前述複數坑而填充未硬化樹脂；硬化前述未硬化樹脂；於前述硬化之硬化樹脂及壓印全像原板上形成反射層；於前述反射層上形成透光性保護覆蓋。
  20. 如申請專利範圍第19項之壓印全像晶片製造方法，其中前述坑的深度為複數種。
  21. 一種壓印全像晶片製造方法，其特徵為：準備被形成複數坑模之原板；對前述複數坑模全部之坑填充未硬化樹脂；對前述未硬化樹脂照射紫外線而使其硬化；除去未被硬化的前述未硬化樹脂；於前述硬化之硬化樹脂及原板上填充壓模用樹脂形成壓印全像晶片壓模；使前述壓印全像晶片壓模壓附於壓印全像晶片用樹脂 而形成壓印全像原板；於前述壓印全像原板上形成反射層；於前述反射層上形成透光性保護覆蓋。
  22. 如申請專利範圍第21項之壓印全像晶片製造方法，其中前述坑模的坑的深度為複數種。
  23. 一種壓印全像晶片製造方法，其特徵為：準備被形成複數坑模之原板；對前述複數坑模填充未硬化樹脂；硬化前述未硬化樹脂；於前述硬化之硬化樹脂及原板上填充壓模用樹脂形成壓印全像晶片壓模；使前述壓印全像晶片壓模壓附於壓印全像晶片用樹脂而形成壓印全像原板；於前述壓印全像原板上形成反射層；於前述反射層上形成透光性保護覆蓋。
  24. 如申請專利範圍第23項之壓印全像晶片製造方法，其中前述坑模的坑的深度為複數種。
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