TWI504911B - 晶圓測試特殊圖案及探針卡缺陷的檢驗方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種晶圓測試，且特別是有關於一種晶圓測試特殊圖案及探針卡缺陷的檢驗方法。
積體電路於最後封裝測試之前，必須對晶圓中的各個晶片進行晶片針測（Chip Probing，CP），以過濾掉具有缺陷的晶片，並降低製作成本。晶片探針測試是利用探針卡的探針接觸晶圓上之晶片，將測試訊號經由探針傳導至晶片上，以測試晶片的功能，最後由測試程式判定各個晶片的好壞，以取得晶圓的測試圖（map）。
在晶圓測試的過程中，可能會因為測試機台設定錯誤、探針卡誤用或是探針卡損壞等原因，導致測試機台誤判。如此，不但會造成良率不佳，亦造成產品的損失及測試時間的浪費。圖1(a)及圖1(b)繪示習知晶片針測的壞點（bad die）分佈圖，其中的每一個點代表晶片針測後所得到的壞點。圖1(a) 晶圓測試圖 的壞點分佈呈隨機圖案，而圖1(b)的壞點分佈則具有特殊晶片針測圖案（即集中於左上方的區塊）。此特殊晶片針測圖案很有可能是由上述各種原因所造成，而需要有效率地從一般的隨機晶片針測圖案中找出來，以減少測試機台誤判的機率。
目前晶圓測試的結果均仰賴工程師依據經驗判斷是否具有特殊晶片針測圖案，藉以提早發現並修復測試機台。然而，採用人工判斷的方式通常沒有效率且浪費人力成本。
本發明提供一種晶圓測試特殊圖案及探針卡缺陷的檢驗方法，可自動偵測出晶圓測試的特殊圖案及探針卡缺陷。
本發明的晶圓測試特殊圖案的檢驗方法，適於由測試機台判斷晶圓的測試圖是否具有特殊圖案。此方法係將晶圓區分為多個測試區塊（partition），其中各個測試區塊包括多個晶片（die），並利用探針卡（probe card）的多個接點（site）分別測試晶圓的各個測試區塊中的晶片。然後，累加測試圖的各個測試區塊內有缺陷及無缺陷之晶片個數，分別進行卡方檢定並計算其最大P值（P-value）。最後，判斷所有測試區塊之最大P值中的最小值是否小於某個預設之門檻值，而若此最小值小於門檻值，即判定晶圓的測試圖具有特殊圖案。
在本發明的一實施例中，上述將晶圓區分為多個測試區塊的步驟包括以晶圓的中心為圓心，將晶圓區分為多個扇形區塊，並以不同半徑的圓，將這些扇形區塊區分為所述測試區塊。
在本發明的一實施例中，上述將晶圓區分為多個測試區塊的步驟包括將晶圓區分為寬度相同的多個長條區塊，以做為所述測試區塊。
在本發明的一實施例中，上述將晶圓區分為多個測試區塊的步驟包括調整測試區塊的範圍，使得這些測試區塊的面積相同。
在本發明的一實施例中，在上述利用多個接點分別測試所述晶片是否有缺陷，取得測試圖的步驟之後，所述方法更包括以晶圓的中心為圓心，旋轉測試區塊的範圍，並累加測試圖中在旋轉後的各個測試區塊內有缺陷及無缺陷之晶片的個數，針對各個測試區塊分別進行卡方檢定並計算最大P值，以根據所有最大P值中的最小值是否小於門檻值，判定晶圓的測試圖是否具有特殊圖案。
在本發明的一實施例中，在上述判斷最大P值中的最小值是否小於門檻值的步驟中，若最小值小於門檻值，所述方法便可確認其所對應的測試區塊的測試圖具有特殊圖案。
本發明的晶圓測試探針卡缺陷的檢驗方法，適於由透過測試機台來判斷探針卡是否具有缺陷。此方法係將晶圓區分為多個測試區塊，其中各個測試區塊包括多個晶片，並利用探針卡的多個接點分別測試至少一個晶圓，以判檢測各個測試區塊中的晶片是否有缺陷。接著，在接點測試之後，累加各個測試區塊中有缺陷及無缺陷之晶片個數，分別進行卡方檢定並計算最大P值。最後，判斷所有接點之最大P值中的最小值是否小於門檻值，而若最小值小於門檻值，即判定探針卡具有缺陷。
在本發明的一實施例中，上述累加各個測試區塊中有缺陷及無缺陷之晶片的個數時，將位於晶圓邊緣的晶片的結果排除。
在本發明的一實施例中，上述累加各個測試區塊中有缺陷及無缺陷之晶片的個數，分別進行卡方檢定並計算最大P值的步驟時，更計算各個接點測試所述晶圓的晶片的總數，並判斷此總數是否到達預設值，而當此總數到達預設值時，針對各個接點所測試的晶片，累加有缺陷及無缺陷之晶片的個數，並分別進行卡方檢定以計算最大P值。
本發明的晶圓測試的檢驗方法，適於透過測試機台判斷至少一個晶圓的測試結果是否具有特殊圖案。此方法係將所述晶圓區分為多個測試區塊，其中各個測試區塊包括多個晶片，並利用探針卡的多個接點分別測試各個測試區塊中的晶片。然後，累加各個晶圓中各個測試區塊內有缺陷及無缺陷之晶片的個數，分別進行卡方檢定以計算最大P值。最後，判斷所有測試區塊的之最大P值中的最小值是否小於門檻值，而若此最小值小於門檻值，即判定所述晶圓測試具有缺陷。
基於上述，本發明的晶圓測試特殊圖案及探針卡缺陷的檢驗方法藉由將晶圓切分為多個測試區塊，並針對各個測試區塊進行測試，從而累加有缺陷及無缺陷之晶片個數，最後再以統計方法判定晶圓測試圖是否具有特殊圖案，或判定探針卡是否具有缺陷。藉此，可自動偵測晶圓測試特殊圖案及探針卡缺陷，達到節省人力成本的目的。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
本發明係依據測試需求將晶圓區分為多個測試區塊（partition），經由探針卡測試各個測試區塊內的晶片（die）後，計算各個測試區塊中有缺陷及無缺陷之晶片個數，再利用卡方檢定（Chi-square Test）等統計方法做檢驗。藉此，可自動判定出晶圓測試圖是否具有特殊圖案，亦可判定用以測試晶片的探針卡是否具有缺陷。以下將分別舉實施例詳細說明。
關於晶圓測試特殊圖案的檢驗，圖2是依照本發明一實施例所繪示之晶圓測試特殊圖案的檢驗方法流程圖。請參照圖2，本實施例的方法適於由測試機台判斷晶圓的測試圖是否具有特殊圖案，其步驟如下：
首先，由測試機台根據測試人員的測試需求，將晶圓區分為多個測試區塊，其中各個測試區塊包括多個晶片（步驟S202）。其中，測試機台可依據測試人員所要測試之晶片針測（Chip Probing，CP）圖案將晶圓劃分為多個測試區塊，以進行後續的測試。此晶片針測圖案例如包括群聚圖案（cluster pattern）、直線圖案或其他各種形狀的圖案，在此不設限。
詳言之，在一實施例中，若測試人員選擇要測試群聚圖案，測試機台即會以晶圓的中心為圓心，將晶圓切分為多個扇形區塊，並以不同半徑的圓，再將這些扇形區塊區分為多個測試區塊。在另一實施例中，若測試人員選擇要測試直線圖案，測試機台則會直接將晶圓切分為多個寬度相同的長條區塊，以做為測試區塊。
舉例來說，圖3(a)~圖3(c)是依照本發明一實施例所繪示之區分晶圓測試區塊的示意圖。其中，若要判斷測試圖是否具有群聚圖案，由於有缺陷晶片的群聚可能集中在晶圓上的特定區塊，故可採用如圖3(a)所示的區分方式。即，以晶圓32的中心為圓心，將晶圓32區分為多個扇形區塊，並將晶圓32的半徑切為三等分（每等分的長度為r），而分別以半徑為r、2r的圓再將這些扇形區塊區分為如圖3(a)所示的多個測試區塊。
需注意的是，圖3(a)的區分方式係個別比較每個測試區塊以判斷是否具有群聚圖案，而在另一實施例中，則可進一步調整這些測試區塊的範圍，使得各個測試區塊的面積相同。基於面積相同的條件下，每個測試區塊中的總晶片數（gross die counts）相同，故此種區分方式可進一步在測試區塊之間比較出，有較多缺陷晶片的區塊（即具有群聚圖案）。如圖3(b)所示，除了以晶圓34的中心為圓心，將晶圓34區分為多個扇形區塊外，可進一步調整用以區分扇形區塊的圓，使得圓心及各個圓之間的距離為r1、r2、r3，且r1＞r2＞r3，從而使得經由這些圓區分後的測試區塊的面積相同。
另一方面，若要判斷測試圖是否具有直線圖案，則可採用如圖3(c)所示的區分方式。即，將晶圓36區分為寬度為d的多個長條區塊，以做為測試區塊。
回到圖2的流程，接著測試機台即可利用探針卡（probe card）的多個接點（site）分別對晶圓各個測試區塊中的晶片進行測試，以取得晶圓的測試圖（map）（步驟S204）。其中，隨著探針卡種類的不同，其中配置的接點數目可能有32、64甚至數百個，而配置有多個接點的探針卡可在每一次的測試中，同時針對相同數目的晶片進行晶片針測。利用探針卡對單一晶圓中不同區塊的晶片分別進行晶片針測，最後再整合各個區塊的晶片針測結果，即可得到整個晶圓的測試圖。此測試圖可表示出晶圓中有缺陷及無缺陷的晶片位置。
接著，測試機台會針對各個測試區塊中有缺陷及無缺陷的晶片進行卡方檢定，以判斷有缺陷或無缺陷的晶片是否具有特殊圖案。詳言之，測試機台會累加測試圖中各個測試區塊內有缺陷及無缺陷之晶片的個數，分別進行卡方檢定並計算最大P值（步驟S206）。其中，針對各個測試區塊，測試機台會累加有缺陷之晶片個數，進行卡方檢定並計算其P值，並累加無缺陷之晶片的個數，進行卡方檢定並計算其P值，然後再取這兩個P值中的最大值做為最大P值。
舉例來說，假設晶圓總共區分為m個測試區塊。在判斷第i個測試區塊中有缺陷晶片（fail die）是否具有特殊圖案時，可計算其卡方統計量如下：(1)
接著，可計算P值FPVi
如下：(2)
其中，Fi
和EFi
分別代表第i個測試區塊中有缺陷晶片的真實數目及預測數目，而代表自由度（degrees of freedom）為1的卡方分佈（chi-square distribution）。
另一方面，在判斷第i個測試區塊中無缺陷晶片（pass die）是否具有特殊圖案時，可計算其卡方統計量如下：(3)
接著，可計算P值PPVi
如下：(4)
其中，Pi
和EPi
分別代表第i個測試區塊中有缺陷晶片的真實數目及預測數目。
針對每一個測試區塊i，由上述計算的有缺陷晶片的P值FPVi
和及無缺陷晶片的P值PPVi
中取最大值，即可得到最大P值PVi
如下：(5)
最後，測試機台會判斷所有測試區塊之最大P值中的最小值是否小於一個門檻值（步驟S208）。其中，此門檻值為名義誤警率（Nominal false-alarm rate）α，其數值例如為0.05，但不限於此。上述判斷式可以數學式表示如下：(6)
其中，若所有測試區塊之最大P值中的最小值小於門檻值，即可判定此晶圓的測試圖具有特殊圖案（步驟S210）。反之，若所有測試區塊之最大P值中的最小值皆不小於門檻值，則可判定晶圓的測試圖不具有特殊圖案（步驟S212）。
藉由上述方法，即可自動偵測出晶圓測試中的特殊圖案，並可找出具有特殊圖案的測試區塊以便測試人員進行修復，達到節省人力成本的目的。
值得一提的是，採用上述實施例所述的區分方式，可能會將屬於同一個群聚或同一條直線的晶片切分成兩個或多個測試區塊，造成統計結果無法反映真實的分佈狀況。對此，在一實施例中，測試機台在取得晶圓的測試圖之後，除了會針對各個測試區塊判斷有缺陷或無缺陷的晶片是否具有特殊圖案外，還會進一步以晶圓的中心為圓心，旋轉這些測試區塊的範圍，並累加測試圖中在旋轉後的各個測試區塊內有缺陷及無缺陷之所述晶片的個數，分別進行卡方檢定並計算最大P值，以根據這些最大P值中的最小值是否小於門檻值，來判定晶圓的測試圖是否具有特殊圖案。
舉例來說，圖4 (a)~圖4(c)是依照本發明一實施例所繪示之旋轉晶圓測試區塊的示意圖。本實施例適於判斷測試圖是否具有群聚圖案，在圖4 (a)中，測試機台是以類似上述圖3(a)的方式將晶圓區分為多個測試區塊。待測試機台針對圖4 (a)的測試區塊檢驗是否具有特殊圖案後，即會以圖4(b)的方式將測試區塊旋轉一定角度，並針對旋轉後的測試區塊再次進行卡方檢定，以判定此晶圓是否具有特殊圖案。待測試機台針對圖4 (b)的測試區塊判定是否具有特殊圖案後，即會以圖4(c)的方式再將測試區塊旋轉一定角度，並針對旋轉後的測試區塊再次進行卡方檢定，以判定此晶圓是否具有特殊圖案。上述旋轉的角度可由測試人員依其需求自由選定，在此不設限。藉由多次旋轉測試區塊以進行特殊圖案的判定，可降低因為晶片群聚被切分至不同測試區塊而導致誤判的機率，提升特殊圖案判定的準確性。
此外，藉由上述方法，除了可自動偵測出晶圓測試具有特殊圖案外，還可進一步判斷出特殊圖案的位置，以便測試人員進行修復。詳言之，測試機台可從上述所計算之所有最大P值中，找出小於門檻值之最大P值所對應的測試區塊，從而認定該測試區塊內的晶片測試圖具有特殊圖案。
另一方面，關於晶圓測試探針卡缺陷的檢驗，圖5是依照本發明一實施例所繪示之晶圓測試探針卡缺陷的檢驗方法流程圖。請參照圖2，本實施例的方法適於由測試機台判斷用以測試晶圓的探針卡是否具有缺陷，其步驟如下：
首先，由測試機台根據探針卡的種類及尺寸，將晶圓區分為多個測試區塊，其中各個測試區塊包括多個晶片（步驟S502）。其中，與前述實施例不同的是，在本實施例中，測試機台是根據所使用探針卡接點的數目來區分測試區塊。詳言之，探針卡接點的數目可決定測試機台每次進行晶片針測可測試的晶片數目，而探針卡上接點的排列則可決定測試機台進行晶片針測可測試的測試區塊。
舉例來說，圖6是依照本發明一實施例所繪示之探針卡測試區塊的示意圖。請參照圖6，當測試機台使用的探針卡具有6個接點且6個接點是採用3×2的方形排列時，可將晶圓60對應區分為多個3×2的方形區塊（例如區塊62），以便由探針卡進行晶片針測。其中，各個區塊左上角的晶片（例如晶片64）即是由探針卡上位於左上角的接點來進行晶片針測。藉由探針卡依序對晶圓60的這些區塊進行晶圓針測，最後即可得到整個晶圓的測試圖，而統計各個區塊中不同位置晶片（例如左上角晶片）的針測結果，則可用以判斷探針卡是否具有缺陷。
回到圖5的流程，測試機台接著利用探針卡的多個接點分別對至少一個晶圓中各個測試區塊的晶片進行測試（步驟S504）。其中，測試機台是利用探針卡依序對上述所區分的測試區塊進行晶片針測，但所測試的晶圓不限於一個。詳言之，晶圓測試圖除了會受到探針卡接點良率（site yield）的影響，也會受到晶圓良率（wafer yield）的影響。為了避免單一晶圓的測試受到該晶圓良率的影響，無法真實反映出探針卡接點的缺陷，且僅測試單一晶圓時樣本可能不足，故本實施例的測試機台可同時測試多個晶圓。以圖7為例，測試機台可先針對晶圓1~5（範圍72）進行測試，再針對晶圓2~6（範圍74）進行測試，再針對晶圓3~7（範圍76）進行測試，以此類推。
接著，測試機台會累加各個接點測試上述測試區塊中有缺陷及無缺陷之晶片個數，分別進行卡方檢定以計算最大P值（步驟S506）。詳言之，針對各個接點所測試的晶片，測試機台例如會累加有缺陷之晶片的個數，進行卡方檢定以計算其P值，並累加無缺陷之晶片的個數，進行卡方檢定以計算其P值，然後再取這兩個P值中的最大值做為最大P值。類似於上述實施例針對每個測試區塊的測試圖中有缺陷及無缺陷之晶片進行卡方檢定的方式，本實施例係針對每個接點對每個晶圓的每個測試區塊的測試圖中有缺陷及無缺陷之晶片進行卡方檢定，從而得到最大P值，其計算方法與前述實施例相類似，故在此不再贅述。
需注意的是，由於位於晶圓邊緣的晶片容易受到各種因素的影響而有較高的失效率（fail rate），因此在一實施例中，測試機台在累加有缺陷及無缺陷之晶片的個數時，例如會將位於晶圓邊緣之晶片的測試圖排除。以圖8為例，測試機台會將位於晶圓80邊緣之晶片（例如晶片82）的測試圖排除，即不將這些晶片是否具有缺陷的結果計入卡方檢定的範圍內。
此外，在另一實施例中，在進行卡方檢定前，測試機台會累加每個接點所測試的晶片總數，以確定其所測試的晶片數目足以用來判定其是否具有缺陷。詳言之，測試機台累加各個接點測試所述晶圓的測試區塊的晶片總數（排除邊緣晶片），並判斷此總數是否到達一個預設值（例如300個），而當總數到達此預設值時，才針對各個接點所測試的晶片，累加有缺陷及無缺陷之晶片的個數，並分別進行卡方檢定以計算最大P值。
最後，測試機台會判斷所有接點之最大P值中的最小值是否小於門檻值（步驟S508）。其中，若所有接點之最大P值中的最小值小於門檻值，即可判定探針卡具有缺陷（步驟S510）。反之，若所有接點之最大P值中的最小值皆不小於門檻值，則可判定探針卡不具有缺陷（步驟S512）。
藉由上述方法，除了可自動偵測出晶圓測試中探針卡的缺陷外，還可進一步判斷出具有缺陷之接點的位置，以便測試人員進行修復。詳言之，測試機台可從上述所計算之所有最大P值中，找出小於門檻值之最大P值所對應的接點，從而認定該接點具有缺陷。
值得一提的是，本發明的方法不僅可應用於特殊圖案與探針卡缺陷的檢驗，還可應用至晶圓上具有兩個種類之任意特徵的特殊圖案偵測或其他缺陷的偵測，甚至可應用至任意物件上的特殊圖案偵測或缺陷偵測，而不限於上述實施方式。以下則再舉一實施例詳細說明。
圖9是依照本發明一實施例所繪示之晶圓測試的檢驗方法流程圖。請參照圖9，本實施例的方法適於由測試機台判斷晶圓的測試圖是否具有缺陷，其步驟如下：
首先，由測試機台根據測試人員的測試需求，將晶圓區分為多個測試區塊，其中各個測試區塊包括多個晶片（步驟S902）。其中，測試機台可依據測試人員所要測試之晶片針測圖案、接點的測試範圍或其他條件，將晶圓劃分為多個測試區塊，以進行後續的測試。
接著，由測試機台利用探針卡的多個接點分別對至少一個晶圓中各個晶圓的測試區塊中的晶片進行測試（步驟S904）。其中，測試機台例如是利用探針卡依序對上述所區分的測試區塊進行晶片針測，但所測試的晶圓不限於一個。
然後，測試機台會累加各個晶圓的各個測試區塊內有缺陷及無缺陷之晶片的個數，分別進行卡方檢定以計算最大P值（步驟S906）。與前述實施例不同的是，在本實施例中，測試機台可針對不同晶圓內的不同測試區塊進行卡方檢定，而不限於單一晶圓，也不限於接點位置。
最後，測試機台會判斷所有測試區塊之最大P值中的最小值是否小於門檻值（步驟S908）。其中，若所有測試區塊之最大P值中的最小值小於門檻值，即可判定晶圓測試具有缺陷（步驟S910）。反之，若所有測試區塊之最大P值中的最小值不小於門檻值，則可判定晶圓測試不具有缺陷（步驟S912）。
藉由上述方法，即可自動偵測出晶圓測試中的缺陷，並可找出具有缺陷的測試區塊以便測試人員進行修復，達到節省人力成本的目的。
綜上所述，本發明的晶圓測試特殊圖案及探針卡缺陷的檢驗方法依據所要測試的特殊圖案或探針卡接點配置將晶圓區分為多個測試區塊以分別進行晶片針測，針對各個測試區塊的測試圖，本發明利用卡方檢定的方式，以檢驗測試圖是否出現異常，從而自動判斷出晶圓測試的特殊圖案及探針卡缺陷。藉此，可節省測試人員自行判斷所花費的人力。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
32、34、36、60、80‧‧‧晶圓
62‧‧‧區塊
64、82‧‧‧晶片
72、74、76‧‧‧範圍
S202~S212‧‧‧本發明一實施例之晶圓測試特殊圖案的檢驗方法的各步驟
S502~S512‧‧‧本發明一實施例之晶圓測試探針卡缺陷的檢驗方法的各步驟
S902~S912‧‧‧本發明一實施例之晶圓測試的檢驗方法的各步驟
62‧‧‧區塊
64、82‧‧‧晶片
72、74、76‧‧‧範圍
S202~S212‧‧‧本發明一實施例之晶圓測試特殊圖案的檢驗方法的各步驟
S502~S512‧‧‧本發明一實施例之晶圓測試探針卡缺陷的檢驗方法的各步驟
S902~S912‧‧‧本發明一實施例之晶圓測試的檢驗方法的各步驟
圖1(a)及圖1(b)繪示習知晶片針測的壞點分佈圖。 圖2是依照本發明一實施例所繪示之晶圓測試特殊圖案的檢驗方法流程圖。 圖3(a)~圖3(c)是依照本發明一實施例所繪示之區分晶圓測試區塊的示意圖。 圖4 (a)~圖4(c)是依照本發明一實施例所繪示之旋轉晶圓測試區塊的示意圖。 圖5是依照本發明一實施例所繪示之晶圓測試探針卡缺陷的檢驗方法流程圖。 圖6是依照本發明一實施例所繪示之探針卡測試區塊的示意圖。 圖7是依照本發明一實施例所繪示之晶圓測試的示意圖。 圖8是依照本發明一實施例所繪示之排除邊緣晶片之測試圖的示意圖。 圖9是依照本發明一實施例所繪示之晶圓測試的檢驗方法流程圖。
S202~S212‧‧‧本發明一實施例之晶圓測試特殊圖案的檢驗方法的各步驟
Claims (10)
- 一種晶圓測試特殊圖案的檢驗方法，適於由一測試機台判斷一晶圓的測試圖是否具有特殊圖案，該方法包括下列步驟：區分該晶圓為多個測試區塊(partition)，其中各所述測試區塊包括多個晶片(die)；利用一探針卡(probe card)的多個接點(site)分別測試該晶圓的各所述測試區塊中的所述晶片，取得該晶圓的一測試圖(map)；累加該測試圖的各所述測試區塊內有缺陷及無缺陷之所述晶片的個數，分別進行卡方檢定並計算一最大P值(P-value)，其中針對所述測試區塊中的第i個測試區塊，所述方法包括：利用公式(1)計算該第i個測試區塊內有缺陷之所述晶片的卡方統計量，並利用公式(2)計算第一P值FPV i ，其中F i 和EF i 分別代表第i個測試區塊中有缺陷晶片的真實數目及預測數目，而代表自由度為1的卡方分佈：
- 如申請專利範圍第1項所述的晶圓測試特殊圖案的檢驗方法，其中區分該晶圓為所述測試區塊的步驟包括：以該晶圓的中心為圓心，區分該晶圓為多個扇形區塊，並以不同半徑的圓，區分所述扇形區塊為所述測試區塊。
- 如申請專利範圍第1項所述的晶圓測試特殊圖案的檢驗方法，其中區分該晶圓為所述測試區塊的步驟包括：區分該晶圓為寬度相同的多個長條區塊，以做為所述測試區塊。
- 如申請專利範圍第1項所述的晶圓測試特殊圖案的檢驗方法，其中區分該晶圓為所述測試區塊的步驟包括：調整所述測試區塊的範圍，使得所述測試區塊的面積相同。
- 如申請專利範圍第1項所述的晶圓測試特殊圖案的檢驗方法，其中在利用該探針卡的所述接點分別測試該晶圓的各所述測試區塊中的所述晶片，取得該晶圓的該測試圖的步驟之後，更包括： 以該晶圓的中心為圓心，旋轉所述測試區塊的範圍；以及累加該測試圖中在旋轉後的各所述測試區塊內有缺陷及無缺陷之所述晶片的個數，分別進行該卡方檢定並計算該最大P值，以根據所述最大P值中的該最小值是否小於該門檻值，判定該晶圓的該測試圖是否具有該特殊圖案。
- 如申請專利範圍第1項所述的晶圓測試特殊圖案的檢驗方法，其中在判斷所述最大P值中的該最小值是否小於該門檻值的步驟中，若該最小值小於該門檻值，所述方法更包括：判斷小於該門檻值之該最大P值所對應的該測試區塊的該測試圖具有該特殊圖案。
- 一種晶圓測試探針卡缺陷的檢驗方法，適於由一測試機台判斷用以測試晶圓的一探針卡是否具有缺陷，該方法包括下列步驟：區分該晶圓為多個測試區塊，其中各所述測試區塊包括多個晶片；利用該探針卡的多個接點分別測試至少一晶圓中各所述晶圓的所述測試區塊中的所述晶片；累加各所述接點測試所述晶圓的所述測試區塊的所述晶片的結果中有缺陷及無缺陷之所述晶片的個數，分別進行卡方檢定並計算一最大P值，其中針對所述測試區塊中的第i個測試區塊，所述方法包括：利用公式(5)計算該第i個測試區塊內有缺陷之所述晶片的 卡方統計量，並利用公式(6)計算第一P值FPV i ，其中F i 和EF i 分別代表第i個測試區塊中有缺陷晶片的真實數目及預測數目，而代表自由度為1的卡方分佈：
- 如申請專利範圍第7項所述的晶圓測試探針卡缺陷的檢驗方法，其中累加各所述接點測試所述晶圓的所述測試區塊的所述晶片的結果中有缺陷及無缺陷之所述晶片的個數，分別進行卡方檢定並計算該最大P值的步驟更包括：在累加有缺陷及無缺陷之所述晶片的個數時，排除位於所述晶圓之一邊緣的所述晶片的該結果。
- 如申請專利範圍第7項所述的晶圓測試探針卡缺陷的檢驗方法，其中累加各所述接點測試所述晶圓的所述測試區塊的所述晶片的結果中有缺陷及無缺陷之所述晶片的個數，分別進行卡方檢定並計算該最大P值的步驟更包括：累加各所述接點測試所述晶圓的所述測試區塊的所述晶片的總數，並判斷該總數是否到達一預設值；以及當該總數到達該預設值時，針對各所述接點所測試的所述晶片，累加有缺陷及無缺陷之所述晶片的個數，並分別進行卡方檢定以計算該最大P值。
- 一種晶圓測試的檢驗方法，適於由一測試機台判斷至少一晶圓的測試結果是否具有缺陷，該方法包括下列步驟：區分各所述晶圓為多個測試區塊，其中各所述測試區塊包括多個晶片；利用一探針卡的多個接點分別測試各所述晶圓的所述測試區塊中的所述晶片；累加各所述晶圓的各所述測試區塊內有缺陷及無缺陷之所述晶片的個數，分別進行卡方檢定並計算一最大P值，其中針對所述測試區塊中的第i個測試區塊，所述方法包括：利用公式(9)計算該第i個測試區塊內有缺陷之所述晶片的卡方統計量，並利用公式(10)計算第一P值FPV i ，其中F i 和EF i 分別代表第i個測試區塊中有缺陷晶片的真實數目及預測數目，而代表自由度為1的卡方分佈：
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111537893A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-08-14 | 中国科学院上海高等研究院 | 一种锂离子电池模组运行安全的评测方法、系统及电子设备 |
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2014
- 2014-06-06 TW TW103119682A patent/TWI504911B/zh active
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