TWI502683B - 導電晶種層之雷射移除 - Google Patents

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Description

導電晶種層之雷射移除
本申請案大致係關於用於製作電子裝置基板及半導體晶圓的技術，且更特定言之係關於使用雷射從此等基板及晶圓移除剩餘導電晶種層的系統及方法。
本申請案主張2011年1月31日申請的美國臨時專利申請案第61/432,539號的權利及優先權，該案之全文以引用的方式併入本文中。
在先進電子裝置封裝及電子裝置基板處理領域，銅(Cu)、鈦(Ti)、鈦/銅(Ti/Cu)、鈦鎢/銅(TiW/Cu)、鈦(Ti)、鉻/銅(CrCu)、鎳(Ni)、鈀(Pd)或類似物之所謂「晶種層」通常藉由濺鍍或其他等效方法沈積至晶圓或基板上且隨後用作在該晶種層上電鍍導電跡線或結構的標靶，例如，接合墊、再分佈層(RDL)及類似物。一旦形成所要導電跡線且移除用於圖案化的光阻，即必須移除剩餘晶種層(即仍存在於導電跡線及結構外的基板上的晶種層)，通常使用濕式化學蝕刻程序、乾式化學蝕刻程序或電漿蝕刻程序實現移除。
但是，存在與此等習知剩餘晶種層移除程序相關的許多缺陷。舉例而言，其等可能阻止更細微間距結構的形成；其等亦蝕刻本應留下的導電電路；其等促進底切及因此殘留金屬化特徵的產出，在晶種層上留下可能遮罩蝕刻影響產出的污染物；其等需要更長的處理時間及更昂貴的方法及設備且藉此構成非所要的更高的擁有成本、有限的處理能力且較不環保。
因此，在本行業中存在對與先前技術的化學蝕刻程序、乾式蝕刻程序或電漿蝕刻程序相比實現更高良率、更細微間距結構的製作及更簡單、更廉價且更環保的用於移除剩餘晶種層的系統及方法的需要。
根據本發明之一或多個實施例，提供使用避免先前技術的上述及其他缺陷的雷射切除系統從基板移除剩餘晶種層的系統及方法。
在一例示性實施例中，一種用於從一基板之一表面移除一剩餘晶種層的裝置包括：一置物台，其經組態以接收並固持基板；及一器件，其使用可有效地從表面切除剩餘晶種層的雷射光(例如，雷射光通量)照射表面。
在另一實施例中，一種用於從一基板之表面移除剩餘晶種層的方法包括使用可有效地從表面切除剩餘晶種層的雷射光(例如，雷射光通量)照射表面。
在另一實施例中，一種用於在一基板之一表面上製作導電跡線的方法包括在基板的表面上形成一介電層；在介電層上形成導電材料之一晶種層；在晶種層上形成一層光阻；將光阻圖案化；在經圖案化之光阻及晶種層上形成導電跡線；從基板移除光阻；及使用可有效地從除導電跡線以外的基板表面之區域切除晶種層的雷射光(例如，雷射光通量)照射基板的表面。
考慮下文對本發明的一些例示性實施例的詳細描述，尤其若結合隨附圖式進行此考慮，可更好地瞭解本發明的系統及方法的上述及其他特徵及優點，其中相似元件符號用於識別本發明之圖式之一者或多者所示的相似元件。
在電基板及晶圓製作行業中，在基板之一表面上形成導電結構(例如，跡線、接合墊、導電凸塊互連件、再分佈層(RDL)跡線及類似物)通常從在基板之「工作」或「作用」表面上形成介電質或電絕緣層開始。絕緣層可包括聚合物，諸如均可從HD MicroSystems(http://hdmicrosystems.com)購得之聚醯亞胺或聚苯并二噁唑或「PBO」，例如HD8930、HD8820或HD4100，可舉例而言藉由旋轉操作將該聚合物沈積至基板上。或者，可使用眾所周知的氧化技術在基板(諸如矽晶圓)上形成另一類型之絕緣體，諸如二氧化矽(SiO2 )或氮化矽(SiNx )。
在此之後，例如藉由濺鍍在基板上之絕緣層上方沈積例如Cu、Ti/Cu、TiW/Cu、Ti、CrCu、Ni、Pd或類似物之一「晶種層」。舉例而言，可在絕緣層上方形成具有例如小於大約700奈米(nm)之厚度之Ti/Cu晶種層。隨後在金屬晶種層的頂部施加一光阻，其中使用眾所周知的光微影技術使該光阻圖案化及逐漸顯影。在光阻顯影過程後，經圖案化之金屬晶種層提供用於舉例而言使用習知電鍍技術將導電材料(例如Cu)沈積至暴露在經圖案化之光阻內之Ti/Cu晶種層上之一標靶。
在此之後，將光阻從基板剝離，留下諸如圖3所示之經電鍍之晶圓300上所展示之所要的經圖案化、較厚的Cu結構，例如電路跡線、墊、導電凸塊互連件、RDL跡線及類似物，連同殘留在結構圖案之間的較薄、「剩餘」Ti/Cu晶種層，(例如，雖然展示圓形晶圓作為實例，但是形狀(諸如圓形或正方形或其他所要形狀)及尺寸無限制)。如圖3中可見，晶圓300包含複數個相同、較厚Cu結構302以及定位在Cu結構302之間之空隙中之薄、剩餘晶種層304，必須移除該剩餘晶種層304以防止結構302之間的短路。
習知地，使用濕式蝕刻、乾式蝕刻或電漿蝕刻程序從晶圓或基板移除剩餘晶種層。但是，存在與此等習知程序相關的許多缺陷，在於其等因更細微間距結構及良率規定的要求而變得「在程序方面受限」且在成本方面的考慮高度敏感的應用中所涉及的處理時間及方法可能構成較高的擁有成本。此外，習知程序中的一些程序不環保。
舉例而言，在濕式蝕刻程序之情況中，濕式蝕刻導致需要留下的金屬電路(例如，形成在基板300上之Cu「柱」或RDL跡線302)的底切。此底切減小金屬電路的接觸面積，藉此導致較低良率及產品可靠性。
此外，濕式蝕刻程序無選擇性。因此，所有金屬特徵被蝕刻，包含製造商希望保留的金屬特徵，例如，金屬電路跡線及互連凸塊。隨著互連凸塊及電路跡線的設計變得越小，濕式蝕刻的有效性變得日益有限，因為在製造商想要留下的電路圖案上發生與不想要的剩餘晶種層上相同數量的蝕刻。此不利地影響產品可靠性並限制所留下的電路的特徵尺寸(例如，間距)。如所瞭解當相對較高縱橫比特徵之間的間距減小時，此亦可增大藉由濕式蝕刻程序移除晶種層的難度。此接著提供對晶片設計的局限並限制金屬結構之間可使用的間隔。
此外，如所瞭解，濕式蝕刻程序使用蝕除金屬晶種層的刺激性化學物質。但是，蝕刻步驟前的處理步驟涉及施加各種材料至金屬晶種層，各種材料的殘餘量可能留下作為殘餘物。此等殘餘物(可為數奈米厚)充當金屬晶種層上的污染物，其「遮罩」濕式蝕刻程序，導致金屬晶種層的不完整移除並導致短路。
此外，濕式蝕刻程序需要相對大量的腐蝕性化學物質以蝕除金屬晶種層。此外，此等相同蝕刻化學物質亦傾向於滲入下伏絕緣材料中，產生負面產出效果。化學蝕刻程序的副產物係有害廢棄物，其需要昂貴的有害廢棄物處置方法。被移除的貴金屬浸透至化學蝕刻劑中並連同化學蝕刻劑被處置掉。在全球關注所謂「綠色」行動的情況下，此等化學物質的使用及處置被視作高度不合需要。
電漿蝕刻程序必然伴有類似缺陷，其增加通常與產生及控制電漿蝕刻所需的設備相關的更高成本。
但是，本文所述之使用雷射從基板移除剩餘晶種層的系統及方法有效地克服習知方法的上述及其他缺陷並提供增強的處理能力及更低製造成本。其等使器件能藉由使用簡單、清潔的雷射切除技術以較低成本及較大產量進行生產。如本文進一步所述，基於雷射的晶種層移除因此可減小總的產品製造成本並改進處理能力及良率。
此外，剩餘晶種層之雷射移除不會導致金屬電路的底切，藉此在電路特徵變得更小時實現更佳的可靠性。雷射處理方法在其材料移除方面亦更具選擇性，因為其移除非所要的剩餘晶種層，而不移除所要的較厚電路圖案(例如，金屬凸塊及RDL跡線)。使用雷射程序免除對晶片設計的局限及對金屬結構之間可使用的間隔的限制。此外，使用雷射移除程序，處理污染對切除程序無影響，因此免除影響濕式蝕刻或乾式蝕刻程序的良率問題。此外，雷射程序無需腐蝕性化學物質來蝕刻基板，藉此對綠色行動作出貢獻。此外，如下文更詳細所述，可透過切除程序回收剩餘晶種層中的貴金屬的大多數，藉此使製造商可回收及再使用被移除的金屬。
圖1及圖2圖解說明本文所述之可用於執行剩餘晶種層雷射切除技術的裝置，其中圖1係用於從一基板雷射移除一剩餘晶種層之一裝置100之一例示性實施例之一示意側視圖且圖2係用於收集及儲存如本文所述藉由圖1之裝置100移除之剩餘晶種層之一碎片移除系統200之一例示性實施例之一示意側視圖。
如參考圖1可見，例示性雷射切除裝置100包括：一可移動X-Y平移置物台102，一基板104保持於其上用於雷射處理；一照射裝置，其包括可操作以產生具有特定、預定波長的相干雷射光之光束108之一雷射光源106；及複數個光學元件，其等可彼此合作操作以可選擇地用雷射光束108照射基板104之上表面並控制該表面上的光束通量。在圖1所示的特定例示性實施例中，此等元件包含：複數個轉動鏡110，其等經配置以改變光束108的方向；一光閘112，其可操作以選擇性地阻擋或允許光束通過；一衰減器114，其可操作以選擇性地衰減光束；一變形隧道116，其可操作以控制光束之形狀；一均質器118，其可操作以控制光束的均勻度；一變形聚光透鏡120，其可操作以選擇性地塑形光束及聚焦光束；一遮罩122，其經組態以剪裁光束；及一投影透鏡124，其可操作以將光束聚光及聚焦在基板104的上表面上。
如熟習此項技術者所應瞭解，圖1所示的雷射切除裝置100之特定實施例僅舉例而言提出且絕無限制之意，且因此，可取決於手頭的特定應用調製亦可有效移除剩餘晶種層的具有更少或更多數量及/或類型的雷射光源及/或光學元件的其他器件。
如進一步所瞭解，許多類型之雷射光源106可用於有效切除晶種層，包含但不限於固態、LED及氣體雷射。舉例而言，可有利地使用可購自例如Tamarack Scientific Co.,Inc.(http://www.tamsci.com)之類型之準分子雷射。準分子雷射使用惰性氣體(例如，氬氣、氪氣或氙氣)與反應氣體(氟氣或氯氣)之組合，其在適當的電刺激條件下形成被稱作「準分子」(或在惰性氣體鹵化物的情況下，稱作「激發複合物」)的假分子，其僅可存在於通電狀態且產生具有紫外線區域中的波長的雷射光。
來自準分子雷射的UV光被生物物質及有機化合物高效吸收。準分子雷射增加足夠的能量以破壞表面組織的分子鍵(該能量透過切除而非透過燃燒而以嚴密受控方式有效分解至空氣中)而非燃燒或切割其所照射的材料。因此，準分子雷射具有有用的性質，即其等可移除特別精細的表面材料層而幾乎不加熱或改變材料剩餘物，材料剩餘物實際上保留原樣。
圖2圖解說明用於收集及儲存藉由圖1之例示性雷射切除裝置100移除之剩餘晶種層之材料之碎片移除系統200之一例示性實施例。如圖2中可見，碎片移除系統200安置在切除裝置100之投影透鏡124的正下方並鄰近切除裝置100之投影透鏡124且包括具有敞開頂部及底部的截頭圓錐腔室202，圍繞該截頭圓錐腔室202之周邊安置複數個孔或噴嘴204用於噴射氣(例如，空氣)流至從其上切除一晶種層之一基板104之上表面或工作表面206。如箭頭210所示，氣體噴嘴204與排氣裝置/泵208合作以在腔室202中形成氣體的高速橫向流動，該氣體的高速橫向流動從基板表面206掃除鬆散、切除的晶種層並如上所述以小但動力強的真空吸塵器之方式將其收集進行回收及再使用。
如下文更詳細所述，碎片移除系統200固定在投影透鏡124與基板104之間並在所投射之雷射光束下方並相對於基板102與雷射切除裝置100相連地移動或反之亦然，使得碎片移除系統200清潔被雷射裝置100照射的相同區域。如所瞭解，可藉由(使用例如X-Y平移置物台102)相對於裝置100移動基板104、藉由相對於基板104移動裝置100或藉由使兩個裝置兩者相對於彼此移動實現雷射切除裝置100相對於基板102之此移動。
可在使用準分子雷射程序將薄導電晶種層材料，諸如銅、金、銀、鈦、鈀、鉭等施加至下伏介電質或聚合物時直接切除薄導電晶種層材料。雷射切除係一種「減去」程序，其中藉由從準分子雷射或其他雷射裝置100投射的高能量UV光束直接切除薄金屬層。通常，金屬晶種層形成為具有小於約1微米(μm)的厚度以使切除程序發生。在此厚度下，易於切除金屬晶種層。基板上存在的所有其他電路結構，即需要高得多的雷射通量來移除具有大於大約1 μm之厚度之電路結構。因此，所要的電路圖案保留，而易於移除晶種層。結果係完整移除金屬晶種層而不損壞下伏聚合物層或不存在需留在基板104上的RDL跡線、柱或其他電路圖案的任何切除。
如圖4A至圖4D所示，在切除程序期間，安置在基板104(圖中為Si/介電質)上之介電質或聚合物層404上的金屬(圖中為Ti/Cu)晶種層402在較厚電路柱或跡線410之間被雷射光束108照射之區域406中因入射至其上的雷射光的光束108導致的快速加熱及冷卻循環引致的強拉伸應力而破裂，導致其與下伏介電質或聚合物層404分開。雷射光束脈衝108僅部分被下伏介電質或聚合物層404吸收使得僅光束108的能量的一小部分到達金屬基板介面。介面上的不連續性因此產生高電場梯度，導致薄金屬晶種層402從基板104的表面高速彈出。從基板104上彈出的被切除金屬層408(例如，如圖4D所示)類似於細粉末，隨後可在切除金屬層408時使用上文結合圖2所述之碎片收集系統200將其回收。由於金屬晶種層402在區域406中被「震出」基板104的表面且非直接切除或燒除，故下伏介電質或聚合物材料404在該程序期間不受損。
移除晶種層402所需的雷射能量的數量非常低且因此每次可移除大面積的晶種材料，與濕式蝕刻、乾式蝕刻或電漿蝕刻程序的習知替代物相比提供吸引人的處理能力。如圖5A所示，可在基板102的整個表面上循序步進及重複小正方形或矩形雷射光束區域502之交替橫向箭頭所示的蛇形掃描以切除晶種層402。或者，如圖5B中單個橫向箭頭所示，此亦可以跨長於基板104之相對較窄雷射光束區域504之基板104之步進、單通道掃描實現。在任一實施例中，當跨基板104掃描/步進時，以脈衝方式操作雷射裝置100，導致切除當前被雷射光束108照射的區域502或504中的晶種層402而不損壞下伏材料或鄰近、較厚金屬化電路圖案410(見圖4A至圖4D)。
矩形或正方形雷射光束108經定大小以最好地匹配基板大小及基板104上切除金屬晶種層402所需的通量。當基板104以某預定速度移動時，基板的一部分暴露於舉例而言波長308 nm或248 nm之UV雷射光。最後，基板104之所有將暴露於雷射光束108；但是如上所述，當施加適當通量時，僅晶種層402發生反應。
所使用的雷射切除光束108的大小受數個因素影響，包含舉例而言基板104的大小、基板上進行有效切除所需的通量、可用功率及類似因素。在任何情況下，如圖5A及圖5B所示，在雷射裝置100以給定頻率施加脈衝的情況下，藉由舉例而言跨雷射光束108移動基板104及X-Y平移置物台102而跨基板104之表面206連續掃描雷射光束108。以此方式，跨基板104「步進」雷射光束108直至整個基板被照射。因此，在移除被照射金屬晶種層402之一相應區段502或504後，尚未被切除的基板104的新區段被移動至雷射光束108下方，其中雷射裝置100再次施加脈衝且相應移除被照射區域502或504中的金屬晶種層402。可以非常高的速率執行此「步進、脈衝及重複」程序，該速率通常僅受限於置物台102相對於雷射切除裝置100之行進速度或如上所述，反之亦然。
圖6A及圖6B為分別以X600及X500放大倍數取得之其上形成許多金屬(Cu)電路跡線602且根據本發明之一實施例藉由雷射切除從其上移除剩餘晶種層之一基板104之顯微鏡照片。如圖6A及圖6B可見，雷射切除方法實現非常精細及緊密間隔之導電結構602之製作而無底切且在鋒利、不同邊緣之間無晶種層橋接或短路。
圖7A及圖7B係分別圖解說明製作在其工作表面形成類似圖6A及圖6B所示之導電結構且根據本發明之一或多個實施例從其基板表面移除剩餘晶種層之基板之製作所涉及之循序步驟之程序流程圖。
參考圖7A，程序從S1開始，提供其上形成一介電質或聚合物表面或介電層(例如聚合物層)之一基板。在S2，例如，藉由濺鍍在介電質或聚合物表面或層上形成導電晶種層，例如，Ti/Cu。
在S3，將光阻施加至晶種層，其中使用習知光微影及顯影技術將光阻圖案化，且在S4，例如藉由將導電金屬(例如，Cu)電鍍在所顯影的光阻之開口中而將導電金屬(例如，Cu)沈積在所顯影的光阻之開口中。
在S5，例如，使用光阻剝離技術從基板移除光阻，且在S6，根據上述裝置及方法從基板切除剩餘晶種層。如圖7B所示，此等包含在S7將基板放置在上文結合圖1所述之類型之雷射切除裝置100之置物台上及在S8，用來自具有可有效從基板上切除剩餘晶種層之通量之裝置之雷射光之脈衝照射基板表面上之一區域。
在S9，使用例如上文結合圖2所述之碎片捕獲系統200捕獲在S8從基板切除之晶種層及在S10，將置物台移動至鄰近位置並以步進及重複方式重複步驟S8與S9直至從基板之表面移除所有剩餘晶種層。
根據一或多個實施例，提供使用雷射切除技術從基板移除剩餘晶種層的系統及方法。本文所揭示之技術可提供優於習知方法之特定優點。舉例而言，根據一實施例之方法可在(例如，用碎片移除及收集系統)將剩餘晶種層用雷射從基板上照射掉時，重獲剩餘晶種層，其在習知方法下可能被作為有害廢棄物另外處置或處理。作為另一實例，根據一實施例之方法可免除對在從一基板之表面移除剩餘晶種層前預先清潔基板之需要，其可提供優於習知方法之優點。根據一實施例，本文所揭示之一或多種技術可降低製造成本及擁有成本(例如，提供濕化學之減少、有害化學處置之減少、剩餘晶種金屬的回收及/或高處理能力)。
如熟習此項技術者目前瞭解，可在不脫離本發明之精神及範疇的情況下對根據本發明之一或多個實施例之剩餘晶種層移除系統之材料、裝置、組態及方法進行許多修改、替代及變動。因此，本發明之範疇不應限於本文所示及描述之特定實施例，因為其等僅作為其一些實例，而是應全面等同於下文隨附之申請專利範圍及其等之功能等效物之範疇。
100．．．雷射切除裝置
102．．．可移動X-Y平移置物台
104．．．基板
106．．．雷射光源
108．．．光束/雷射光束
110．．．轉動鏡
112．．．光閘
114．．．衰減器
116．．．變形隧道
118．．．均質器
122．．．遮罩
124．．．投影透鏡
200．．．碎片移除系統
202．．．截頭圓錐腔室
204．．．孔/噴嘴
206．．．上表面/工作表面
208．．．排氣裝置/泵
210．．．箭頭
300．．．晶圓
302．．．Cu結構
304．．．剩餘晶種層
402．．．金屬晶種層
404．．．介電質/聚合物層
406．．．雷射光束照射之區域
408．．．金屬層
410．．．金屬化電路圖案
502．．．被照射區域
504．．．被照射區域
602．．．電路跡線/導電結構
圖1係根據本發明之一實施例之用於從一基板移除一剩餘晶種層之一裝置之一例示性實施例之一示意側視圖；
圖2係用於收集及儲存藉由圖1之裝置移除之剩餘晶種層之一碎片移除系統之一例示性實施例之一示意側視圖；
圖3係具有其上已形成複數個相同導電圖案之一表面之一半導體晶圓之一部分俯視平面圖，其展示根據本發明之一實施例晶圓移除剩餘晶種層前的晶圓；
圖4A至圖4D係一基板之示意部分側視圖，其展示根據本發明之一實施例之用於從基板移除一剩餘晶種層之例示性方法中所涉及的循序步驟；
圖5A及圖5B係一晶圓之示意俯視平面圖，其展示用於相對於晶圓的表面掃射雷射光束的替代方法，根據本發明之一實施例從該晶圓之該表面移除一剩餘晶種層；
圖6A及圖6B係分別按不同放大倍數取得的根據本發明之一實施例從其上移除一剩餘晶種層之一基板之部分之顯微鏡照片；及
圖7A及圖7B係分別展示在一基板之一表面上形成導電跡線結構及隨後根據本發明之一實施例從該基板之該表面移除一剩餘晶種層過程中所涉及的循序步驟的程序流程圖。
100．．．雷射切除裝置
102．．．可移動X-Y平移置物台
104．．．基板
106．．．雷射光源
108．．．光束/雷射光束
110．．．轉動鏡
112．．．光閘
114．．．衰減器
116．．．變形隧道
118．．．均質器
122．．．遮罩
124．．．投影透鏡

Claims (24)

  1. 一種用於從一基板之一表面移除一材料之裝置，該裝置包括：一置物台(stage)，其經組態以接收及固持該基板；及一照射器件，其用於以雷射光照射該表面；一投影透鏡，其位於該照射器件上；及一碎片(debris)移除系統，其位於該投影透鏡及該基板的該表面上，與該照射器件相連地(conjointly)移動，並可操作以收集藉由該雷射光自該基板移除(removed)的該材料，其中該投影透鏡可操作以聚光(condense)及聚焦(focus)該雷射光，使通過該碎片移除系統的一開口，並聚光及聚焦於該基板的該表面上。
  2. 如請求項1之裝置，其中：該置物台可操作以相對於該照射器件移動；該照射器件可操作以相對於該置物台移動；或該置物台及該照射器件各可操作以相對於另一者移動。
  3. 如請求項1之裝置，其中該材料包括一金屬的一薄層。
  4. 如請求項1之裝置，其中該照射器件包括一雷射光源，該雷射光源可操作以產生具有一預定波長之相干雷射光之一光束。
  5. 如請求項4之裝置，其中該雷射光源包括一固態雷射、一LED雷射或一氣體雷射。
  6. 如請求項5之裝置，其中該氣體雷射包括一準分子雷射。
  7. 如請求項6之裝置，其中該準分子雷射(excimer laser)使用包括由氬氣、氪氣及氙氣組成之群組之至少一者之一惰性氣體與包括由氟氣及氯氣組成之群組之至少一者之一反應氣體之一組合以作為一增益媒介(gain medium)。
  8. 如請求項4之裝置，其中該照射器件進一步包括由下列組成之群組之至少一者：一轉動鏡，其經配置以改變該光束之方向；一光閘，其可操作以選擇性地阻擋或允許該光束通過；一衰減器，其可操作以可選擇地衰減該光束；一變形隧道，其可操作以控制該光束之形狀；一均質器，其可操作以控制該光束之均勻度；一變形聚光透鏡，其可操作以選擇性地塑形並聚焦該光束；及一遮罩，其經組態以剪裁該光束。
  9. 如請求項1之裝置，其中該碎片移除系統包括：一截頭圓錐(frusto-conical)腔室，其具有一敞開頂部及底部提供該開口以傳遞該雷射光通過；複數個噴嘴(jets)，其等係圍繞該腔室之一周邊安置，用於噴射氣流至該基板之上表面；及一排氣泵，其可與該等噴嘴組合操作以在該腔室中產生該氣體之一高速橫向流動，該氣體之該高速橫向流動 從該基板表面掃除(sweeps away)並收集移除的該材料。
  10. 一種用於從一基板之一表面移除一材料之方法，該方法包括利用如請求項1之裝置。
  11. 如請求項11之方法，其中該利用包括以該雷射光的一通量(fluence)照射該表面，以有效自該表面切除(ablate)該材料。
  12. 如請求項11之方法，其中該照射包括：用該雷射光之一脈衝照射該基板之該表面之一所選擇之區域以提供該雷射光之一所選擇之通量。
  13. 如請求項12之方法，其中該照射包括：在一步進、脈衝及重複程序中照射該基板之整個表面。
  14. 如請求項13之方法，其中以跨該基板之該表面之一筆直路徑(pass)實現該步進、脈衝及重複程序。
  15. 如請求項14之方法，其中以跨該基板之該表面之一蛇形路徑實現該步進、脈衝及重複程序。
  16. 如請求項11之方法，其進一步包括，同時藉由該照射，利用該碎片移除系統以收集及儲存從該基板之該表面移除之該材料。
  17. 如請求項16之方法，其進一步包括再回收該所收集之材料。
  18. 一種用於在一基板之一表面上製作導電跡線之方法，該方法包括：在該基板之該表面上形成一介電層；在該介電層上形成一導電材料之一晶種層(seed layer)；在該晶種層上形成一層光阻；將該晶種層上之該光阻圖案化；在該經圖案化之光阻及晶種層上形成該等導電跡線；從該基板移除該光阻；使用可有效從該基板表面之區域，除該等導電跡線以外，切除該晶種層之雷射光之一通量照射該基板之該表面；及藉由一碎片移除系統收集自該基板的該表面移除的該晶種層之該材料，其中該照射包含通過該碎片移除系統的一中心(central)開口照射該基板。
  19. 如請求項18之方法，其中：該基板包括一半導體；該介電層包括該半導體之氧化物或聚醯亞胺；及該晶種層包括銅(Cu)、鈦(Ti)、鈦/銅(Ti/Cu)、鈦鎢/銅(TiW/Cu)、鈦(Ti)、鉻/銅(CrCu)、鎳(Ni)、鈀(Pd)。
  20. 如請求項18之方法，其中該照射係藉由一照射器件，及其中該方法進一步包含共同移動該照射器件及該碎片移除系統。
  21. 一種裝置，該裝置包括：一置物台，其經調適以接收及固持基板；及投影構件，其將一雷射光的一光束投影至該基板的一表面，該光束以有效從該基板的該表面移除一材料之一 經選擇的截面區(cross-section area)及通量，照射於該表面上；連續移動構件，在該投影構件操作期間，使該置物台及該投影構件相對於彼此連續移動；及收集及儲存構件，收集及儲存自該基板移除的該材料，其中該收集及儲存構件位於該投影構件及該基板的該表面之間，以與該投影構件共同移動，及其中該收集及儲存構件包含一開口以使該雷射光之光束通過。
  22. 如請求項21之裝置，其中由該雷射光的該光束照射的該表面之區域彼此緊鄰或疊覆(overlap)配置(disposed)。
  23. 如請求項21之裝置，其中該雷射光之光束在其波長、相位及偏光性(polarization)之在形式上係均質的(homogenous)。
  24. 如請求項21之裝置，其中該雷射光的該光束有效以震出(shock)、使揮發(vaporize)或切除該基板的該表面上一材料之一層。
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