TWI499637B - 發泡體及包含其之發光裝置 - Google Patents

發泡體及包含其之發光裝置 Download PDF

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Description

發泡體及包含其之發光裝置
本揭露是有關於一種發泡體及包含其之發光裝置。
發光二極體(light emitting diode,LED)現今已廣泛被應用於手機、數位相機、車燈、交通號誌、路燈與LCD背光源等。目前許多研究致力於改善LED之發光效率與發光均勻性等特性,以拓展其應用領域。
習知的LED是採用銀或鋁金屬作為其反射杯的材料,雖然上述金屬具有不錯的反射率(約85%),但是隨著原物料的不斷漲升,造成LED之製造成本大幅增加。此外,銀或鋁金屬所反射的光過於刺眼,相較之下,高分子材料所反射的光較為柔和。杜邦公司所生產的Nylon 6T為目前已知少數可適用於表面黏著技術(surface mounting technology,SMT)製程的高分子材料。然而,以Nylon 6T製成的反射杯之反射率約為91%。因此,亟需一種反射率高(>90%)的材料,以進一步提升LED照明的反射率。
本揭露提供一種發泡體。
本揭露提供一種發光裝置,所述發光裝置內包括上述發泡體。
本揭露的發泡體包括(a)100重量份之生質熱塑性聚合物、(b)0.1至5重量份之塑化劑、(c)0.1至50重量份之成核劑以及(d)0.1至5重量份之紫外光吸收劑。成核劑(c)以分子式(I)表示:[M1x M2y (OH)a ]z+ (An- z/n ).mH2 O 分子式(I)
其中,x、y、a、z、n、z/n、m為正整數且z=2x+3y-a,M1為二價金屬陽離子,M2為三價金屬陽離子,An- 為n價非金屬陰離子基團。
本揭露的發光裝置包括LED發光晶片、反射杯以及發泡體。發泡體位於反射杯之內部。發泡體包括(a)100重量份之熱塑性聚合物、(b)0.1至5重量份之塑化劑、(c)0.1至50重量份之成核劑以及(d)0.1至5重量份之紫外光吸收劑。成核劑(c)以分子式(I)表示:[M1x M2y (OH)a ]z+ (An- z/n ).mH2 O 分子式(I)
其中,x、y、a、z、n、z/n、m為正整數且z=2x+3y-a,M1為二價金屬陽離子,M2為三價金屬陽離子,An- 為n價非金屬陰離子基團。
基於上述,本揭露的實施例所提出之發泡體具有高發泡 倍率、高反射率、高耐黃變性以及高環境穩定性等優異特性。本揭露的發光裝置中,將上述發泡體設置於反射杯內,可藉由發泡體的良好反射性質而具有良好的亮度與視角表現。此外,發泡體的上述優異特性也有助於提升發光裝置的使用壽命。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
10‧‧‧LED發光晶片
20‧‧‧反射杯
30‧‧‧發泡體
100‧‧‧發光裝置
圖1是依照本揭露一實施例之發光裝置的剖面示意圖。
以下將列舉實施例來進一步說明本揭露的各種態樣。在本說明書中,對某一基團冠以「Cn 」來描述時,表示該基團的主鏈具有n個碳原子。在本文中,化合物的結構有時以鍵線式(skeleton formula)表示。這種表示法可以省略碳原子、氫原子以及碳氫鍵。
此外,在本說明書中,由「一數值至另一數值」表示的範圍,是一種避免在說明書中一一列舉該範圍中的所有數值的概要性表示方式。因此,某一特定數值範圍的記載,涵蓋該數值範圍內的任意數值以及由該數值範圍內的任意數值界定出的較小數值範圍,就如同在說明書中明文寫出該任意數值和該較小數值範 圍一樣。例如,「溫度為80℃至300℃」的範圍,無論說明書中是否列舉其他數值,均涵蓋「溫度為100℃至250℃」的範圍。
[發泡體]
本揭露一實施例的發泡體可包括(a)100重量份之生質熱塑性聚合物、(b)0.1至5重量份之塑化劑、(c)0.1至50重量份之成核劑以及(d)0.1至5重量份之紫外光吸收劑。以下分別詳細說明本揭露一實施例之發泡體的各組成成分。
(a)熱塑性聚合物
本揭露一實施例的發泡體包括100重量份之生質熱塑性聚合物(a)。上述生質熱塑性聚合物(a)可包括聚乳酸(polylactic acid,PLA)、熱塑性澱粉(thermoplastic starch,TPS)、聚麩胺酸(polyglutamic acid,γ-PGA)、幾丁聚醣(chitosan)或上述之組合。上述生質熱塑性聚合物具有生物可分解的特性與高度環保性。本揭露不以上述材料為熱塑性材料的限制,在其他實施例中,具有生物可分解性的其他熱塑性聚合物也可以選用為本揭露的熱塑性聚合物(a)。
在一實施例中,生質熱塑性聚合物(a)之結構式為:
上述R1 、R2 是獨立地選自氫原子、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-12 之烷基、經取代或未經取代的苯基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-12 之烷苯基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-12 之醚基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-12 之烷醇基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-12 之烷氧基以及經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-12 之環烷氧基其中之一。
(b)塑化劑
本揭露一實施例的發泡體包括0.1至5重量份之塑化劑(b)。在一實施例中,塑化劑(b)之結構式為:
上述R3 是選自氫原子、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷基、經取代或未經取代的苯基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷苯基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷烯基(alkenyl group)、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之醚基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷醇基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷氧基以及經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之環烷氧基其中之一。
在本實施例中,藉由添加塑化劑(b),可提熱塑性聚合物的發泡倍率,縮小發泡體的平均孔徑,進而提高發泡體的反射率。舉例而言,在熱塑性聚合物(a)選用聚乳酸(PLA)時,由 於聚乳酸(PLA)具有強的氫鍵,其難以塑化發泡。在單純只有PLA的情況下進行發泡,完成的發泡體的平均孔徑較大,例如40微米,甚至80~100微米,因而造成發泡體無法具有高的反射率。相較之下,塑化劑(b)的添加可以讓熱塑性聚合物在發泡之後具有較小的孔徑而改善上述情形。
(c)成核劑
本揭露一實施例的發泡體包括0.1至50重量份之成核劑(c)。成核劑(c)以分子式(I)表示:[M1x M2y (OH)a ]z+ (An- z/n ).mH2 O 分子式(I)
其中,x、y、a、z、n、z/n、m為正整數且z=2x+3y-a,M1為二價金屬陽離子,M2為三價金屬陽離子,An- 為n價非金屬陰離子基團。
在本實施例中,上分子式(I)中之M1可為鈹、鎂、鈣等二價金屬陽離子。上分子式(I)中之M2可為鋁、鎵、銦等三價金屬陽離子。上分子式(I)中之非金屬陰離子基團An- 可選自CO3 2- 、NO3 - 或PO4 3-
在本實施例中,藉由於發泡體中添加成核劑(c),可促使熱塑性聚合物(a)結晶,進而提高發泡體之耐熱性。具體而言,成核劑(c)可選用水滑石。水滑石為一種層狀雙金屬氫氧化物(layered double hydroxide,LDH),其化學式為[CaAl2 (OH)2 ]6+ (CO3 2- )3 .mH2 O,m為正整數。
(d)紫外光吸收劑
本揭露一實施例的發泡體包括0.1至5重量份之紫外光吸收劑(d)。紫外光吸收劑(d)之結構式為:
上述R4 、R5 、R6 、R7 、R8 、R9 、R10 、R11 是獨立地選自氫原子、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷基、經取代或未經取代的苯基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷苯基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷烯基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之醚基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷醇基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷氧基以及經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之環烷氧基其中之一。
在本實施例中,藉由於發泡體中添加具有至少兩個苯環的紫外光吸收劑(d),可利用其苯環來吸收紫外光,進而提高發泡體之耐紫外光性。
在本揭露之一些實施例中,可利用批次式或連續式之超臨界流體押出發泡製程來將上述組成製作成本揭露之發泡體,然本揭露不限於此。
在一實施例中,批次式超臨界流體押出發泡製程包括以 下步驟:首先,將熱塑性聚合物(a)、塑化劑(b)、成核劑(c)與紫外光吸收劑(d)等原料放至雙螺桿押出機進行混料與造粒。接著,將上述混合物放至進料桶中,經押出機押出以形成板材,並將此板材放置於批次式超臨界流體發泡設備中。之後,產生超臨界流體,其方法大致是將超臨界流體供應槽中的壓力與溫度分別調整至臨界值以上,使槽內的流體超臨界流體化。接著,打開超臨界流體入口閥門,將超臨界流體注入超臨界流體發泡設備中,並調整系統壓力與溫度,進行一或多段式壓力與溫度控制,即可讓板材發泡成型以製得本揭露之發泡體。
在另一實施例中,連續式之超臨界流體押出發泡製程包括以下步驟:首先,將熱塑性聚合物(a)、塑化劑(b)、成核劑(c)與紫外光吸收劑(d)等原料放至雙螺桿押出機進行混料與造粒。接著,將上述混合物放至進料桶中,並啟動押出機,將設備中的氣液混合段、轉接管路與冷卻段之溫度分別調整至適當溫度進行洗料。之後,產生超臨界流體,其方法大致是將超臨界流體供應槽中的壓力與溫度分別調整至臨界值以上,使槽內的流體超臨界流體化。接著,打開超臨界流體入口閥門,將超臨界流體注入押出機中,調整系統壓力與溫度,進行一或多段式壓力與溫度控制,即讓原料的混合物發泡成型而製得本揭露之發泡體。
本揭露的發泡體可應用於各種發泡高分子產品,其例如照明、建材、食品包裝、工業包裝、汽車、航太工業、電子電器、運動器材、鞋材及生醫材料等,然本揭露不限於此。
[發光裝置]
圖1是依照本揭露一實施例之發光裝置的剖面示意圖。請參照圖1,發光裝置100包括LED發光晶片10、反射杯20以及發泡體30。如圖1所示,發泡體30披覆於或是黏貼於反射杯20之內部表面,而LED發光晶片10組裝於反射杯30中。
本揭露之反射杯20例如為將原料(型號Nylon 6T,購自杜邦公司)射出成型而製得,然本揭露不限於此。在其他實施例中,反射杯20可以為金屬材料或反射材料加工而成且具有固定外型的構件。
以下參照多個實驗例來詳細說明包括本揭露之發泡體之製作流程與特性。各實驗例之發泡體的各成分含量示於表一。以下實驗例之熱塑性聚合物(a)皆使用PLA(商品名:Nature Works 3001D,L/D比為98.6莫耳%/1.4莫耳%),塑化劑(b)皆使用油酸醯胺(購自景明化工),成核劑(c)皆使用水滑石(LDH-40,購自東成昌公司),而紫外光吸收劑(d)皆使用Tinuvin 320(購自汽巴(Ciba)公司),然本揭露不限於此。
[實驗例1]
本實驗例是使用批次式超臨界流體押出發泡製程來製作發泡體。首先,將100重量份之PLA粒子放至高分子進料桶中,然後經押出機(加工溫度:130℃)押出形成厚度為0.2mm之板材。接著,將此板材放置於超臨界流體發泡設備中。之後,產生超臨界流體,其方法大致是將超臨界流體供應槽中的壓力與溫度分別調整至2200psi與38.5℃,使槽內的二氧化碳超臨界流體化。接著,打開超臨界流體入口閥門,將超臨界二氧化碳注入超臨界流體發泡設備中。調整系統壓力與溫度至2000psi與120℃,並維持半小時。接著,調整系統壓力與溫度至3200psi與100℃,並維持一小時。之後,調整系統壓力與溫度至4000psi與60℃,並維持半小時。最後,讓設備洩壓並冷卻至常溫常壓,即可製得實驗例1之發泡體。
[實驗例2]
首先,根據表一,將100重量份之PLA粒子與1.01重量份之油酸醯胺放至雙螺桿押出機(加工溫度:130℃;螺桿轉速:2000rpm)進行混料與造粒。接著,將PLA配方粒子放至高分子進料桶中,然後經單螺桿押出機(加工溫度:130℃)押出形成厚度為0.2mm之板材。接著,將此板材放置於超臨界流體發泡設備中。之後,產生超臨界流體,其方法大致是將超臨界流體供應槽中的壓力與溫度分別調整至2200psi與38.5℃,使二氧化碳超臨界流體化。接著,打開超臨界流體入口閥門,將超臨界二氧化碳注入超臨界流體發泡設備中。調整系統壓力與溫度至2000psi與120℃,並維持半小時。接著,調整系統壓力與溫度至3200psi與100℃,並維持一小時。之後,調整系統壓力與溫度至4000psi與60℃,並維持半小時。最後,讓設備洩壓並冷卻至常溫常壓,即可製得實驗例2之發泡體。
[實驗例3]
首先,根據表一,將100重量份之PLA粒子與2.04重量份之油酸醯胺放至雙螺桿押出機(加工溫度:130℃;螺桿轉速:2000rpm)進行混料與造粒。接著,將PLA配方粒子放至高分子進料桶中,然後經單螺桿押出機(加工溫度:130℃)押出形成厚度為0.2mm之板材。接著,將此板材放置於超臨界流體發泡設備中。之後,產生超臨界流體,其方法大致是將超臨界流體供應槽中的壓力與溫度分別調整至2200psi與38.5℃,使二氧化碳超臨界 流體化。接著,打開超臨界流體入口閥門,將超臨界二氧化碳注入超臨界流體發泡設備中。調整系統壓力與溫度至2000psi與120℃,並維持半小時。接著,調整系統壓力與溫度至3200psi與100℃,並維持一小時。之後,調整系統壓力與溫度至4000psi與60℃,並維持半小時。最後,洩壓並冷卻至常溫常壓,即可製得實驗例3之發泡體。
[實驗例4]
首先,根據表一,將100重量份之PLA粒子、2.27重量份之油酸醯胺與11.36重量份之水滑石放至雙螺桿押出機(加工溫度:130℃;螺桿轉速:2000rpm)進行混料與造粒。接著,將PLA配方粒子放至高分子進料桶中,然後經單螺桿押出機(加工溫度:130℃)押出形成厚度為0.2mm之板材。接著,將此板材放置於超臨界流體發泡設備中。之後,產生超臨界流體,其方法大致是將超臨界流體供應槽中的壓力與溫度分別調整至2200psi與38.5℃,使二氧化碳超臨界流體化。接著,打開超臨界流體入口閥門,將超臨界二氧化碳注入超臨界流體發泡設備中。調整系統壓力與溫度至2000psi與120℃,並維持半小時。接著,調整系統壓力與溫度至3200psi與100℃,並維持一小時。之後,調整系統壓力與溫度至4000psi與60℃,並維持半小時。最後,洩壓並冷卻至常溫常壓,即可製得實驗例4之發泡體。
[實驗例5]
本實驗例的發泡體之製作流程與實驗例4類似,唯一差 異在於,根據表一,是將100重量份之PLA粒子、2.41重量份之油酸醯胺與18.07重量份之水滑石放至雙螺桿押出機進行混料與造粒。之後,經過與實驗例4相同的其餘步驟後,即可製得實驗例5之發泡體。
[實驗例6]
本實驗例的發泡體之製作流程與實驗例4類似,唯一差異在於,根據表一,是將100重量份之PLA粒子、2.42重量份之油酸醯胺、18.2重量份之水滑石與0.61重量份之Tinuvin 320放至雙螺桿押出機進行混料與造粒。之後,經過與實驗例4相同的其餘步驟後,即可製得實驗例6之發泡體。
[實驗例7]
本實驗例的發泡體之製作流程與實驗例4類似,唯一差異在於,根據表一,是將100重量份之PLA粒子、5重量份之油酸醯胺、18.2重量份之水滑石與0.61重量份之Tinuvin 320放至雙螺桿押出機進行混料與造粒。之後,經過與實驗例4相同的其餘步驟後,即可製得實驗例7之發泡體。
[實驗例8]
本實驗例的發泡體之製作流程與實驗例4類似,唯一差異在於,根據表一,是將100重量份之PLA粒子、2.42重量份之油酸醯胺、50重量份之水滑石與0.61重量份之Tinuvin 320放至雙螺桿押出機進行混料與造粒。之後,經過與實驗例4相同的其餘步驟後,即可製得實驗例8之發泡體。
[實驗例9]
本實驗例的發泡體之製作流程與實驗例4類似,唯一差異在於,根據表一,是將100重量份之PLA粒子、2.42重量份之油酸醯胺、18.2重量份之水滑石與5重量份之Tinuvin 320放至雙螺桿押出機進行混料與造粒。之後,經過與實驗例4相同的其餘步驟後,即可製得實驗例9之發泡體。
[實驗例10]
與上述各實驗例不同,本實驗例是使用連續式超臨界流體押出發泡製程。首先,根據表一,將100重量份之PLA粒子、2.42重量份之油酸醯胺、18.2重量份之水滑石與0.61重量份之Tinuvin 320放至雙螺桿押出機(加工溫度:130℃;螺桿轉速:2000rpm)進行混料與造粒。接著,將PLA配方粒子放至高分子進料桶中,然後啟動押出機並將氣液混合段、轉接管路與冷卻段之溫度分別調整至200℃、190℃與170℃,進行洗料10分鐘。之後,產生超臨界流體,其方法大致是將超臨界流體供應槽中的壓力與溫度分別調整至2100psi與36.4℃,使二氧化碳超臨界流體化。接著,打開超臨界流體入口閥門,將超臨界二氧化碳注入押出機中。將氣液混合段的螺桿轉速、壓力與溫度分別調整至100rpm、4800psi與180℃。之後,將轉接管路段的壓力與溫度分別調整至4200psi與130℃。接著,將冷卻段的螺桿轉速、壓力與溫度分別調整至10rpm、3300psi與110℃。最後,於模頭內進行洩壓與冷卻,即可製得實驗例10之發泡體。
以下參照表二,對上述實驗例1至實驗例7之發泡體進行特性測試。在此,耐黃變性測試的方式為使用波長340nm的紫外光照射200小時,並觀察其黃變情況。環境穩定性測試的方式為經過溫度為-30℃至60℃的冷熱衝擊10次後,並觀察其變形程度。
由表二的結果可看出,在實驗例1中,由於未添加作為塑化劑之油酸醯胺,故發泡體之孔徑最大,且發泡倍率較小,進 而使其發泡體具有較差的反射率,不利於反射構件的應用。值得一提的是,在實驗例6與實驗例7中,由於同時添加有作為塑化劑之油酸醯胺、作為成核劑之水滑石與作為紫外光吸收劑之Tinuvin 320,故其發泡體可具有較小的孔徑、較大的發泡倍率與較佳的反射率。此外,實驗例6與實驗例7的發泡體還可同時通過耐黃變性測試與環境穩定性測試。
以下分別將實驗例6與實驗例7之發泡體應用於LED中,並分別對其亮度、視角與反射率進行量測,其結果列於表三,請參照下表三。應用例1為配置有實驗例6之發泡體的發光裝置,應用例2為配置有實驗例7之發泡體的發光裝置,比較例為配置有商品反射杯(Nylon 6T+TiO2 )的發光裝置。在此,發泡體設置於發光裝置的方式可以參照圖1。
由表三的結果可知,相較於比較例之發光裝置,使用本揭露之發泡體的發光裝置可具有較高的亮度、較大的視角與較佳的反射率。
綜上所述,本揭露的實施例所提出之發泡體的主成分為生質高分子材料,故其具有生物可分解性與高度環保性。此外,本揭露之發泡體還包括塑化劑、成核劑與紫外光吸收劑,使發泡體可具有低比重、高發泡倍率、高反射率、高耐黃變性以及高環 境穩定性等優異特性。另外,本揭露所提出之發光裝置之內部包括上述發泡體,故可具有良好的亮度、視角與反射率表現。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧LED發光晶片
20‧‧‧反射杯
30‧‧‧發泡體
100‧‧‧發光裝置

Claims (16)

  1. 一種發泡體,包括:(a)100重量份之生質熱塑性聚合物;(b)0.1至5重量份之塑化劑;(c)0.1至50重量份之成核劑,該成核劑的分子式(I)為:[M1x M2y (OH)a ]z+ (An- z/n ).mH2 O 分子式(I)其中,x、y、a、z、n、z/n、m為正整數且z=2x+3y-a,M1為二價金屬陽離子,M2為三價金屬陽離子,An- 為n價非金屬陰離子基團;以及(d)0.1至5重量份之紫外光吸收劑。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發泡體,其中該生質熱塑性聚合物(a)包括聚乳酸(polylactic acid,PLA)、熱塑性澱粉(thermoplastic starch,TPS)、聚麩胺酸(polyglutamic acid,γ-PGA)、幾丁聚醣(chitosan)或上述之組合。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的發泡體,其中該生質熱塑性聚合物(a)的結構為: 其中,R1 、R2 是獨立地選自氫原子、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-12 之烷基(alkyl group)、經取代或未經取代的苯基(phenyl group)、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-12 之烷苯基(alkyl phenyl group)、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-12 之醚 基(ether group)、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-12 之烷醇基(alkanol group)、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-12 之烷氧基(alkoxy group)以及經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-12 之環烷氧基(cycloalkoxy group)其中之一。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的發泡體,其中該塑化劑(b)之結構為 其中,R3 是選自氫原子、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷基、經取代或未經取代的苯基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷苯基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷烯基(alkenyl group)、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之醚基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷醇基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷氧基以及經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之環烷氧基其中之一。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的發泡體,其中該紫外光吸收劑(d)之結構式為: 其中,R4 、R5 、R6 、R7 、R8 、R9 、R10 、R11 是獨立地選自氫 原子、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷基、經取代或未經取代的苯基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷苯基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷烯基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之醚基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷醇基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷氧基以及經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之環烷氧基其中之一。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的發泡體,其中該以分子式(I)表示的成核劑(c)之An- 包括CO3 2- 、NO3 - 或PO4 3-
  7. 如申請專利範圍第1項所述的發泡體,其中該發泡體之平均孔徑小於等於30微米。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的發泡體,其中該發泡體之比重為0.03至0.16。
  9. 一種發光裝置,包括:反射杯;LED發光晶片,組裝於該反射杯中;以及發泡體,位於該反射杯之內部,其中,該發泡體包括:(a)100重量份之熱塑性聚合物;(b)0.1至5重量份之塑化劑;(c)0.1至50重量份之成核劑,該成核劑以分子式(I)表示:[M1x M2y (OH)a ]z+ (An- z/n ).mH2 O 分子式(I)其中,x、y、a、z、n、z/n、m為正整數且z=2x+3y-a,M1 為二價金屬陽離子,M2為三價金屬陽離子,An- 為n價非金屬陰離子基團;以及(d)0.1至5重量份之紫外光吸收劑。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的發光裝置,其中該發泡體之該熱塑性聚合物(a)包括聚乳酸(polylactic acid,PLA)、熱塑性澱粉(thermoplastic starch,TPS)、聚麩胺酸(polyglutamic acid,γ-PGA)、幾丁聚醣(chitosan)或上述之組合。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的發光裝置,其中該熱塑性聚合物(a)的結構為: 其中,R1 、R2 是獨立地選自氫原子、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-12 之烷基(alkyl group)、經取代或未經取代的苯基(phenyl group)、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-12 之烷苯基(alkyl phenyl group)、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-12 之醚基(ether group)、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-12 之烷醇基(alkanol group)、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-12 之烷氧基(alkoxy group)以及經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-12 之環烷氧基(cycloalkoxy group)其中之一。
  12. 如申請專利範圍第9項所述的發光裝置,其中該發泡體之該塑化劑(b)之結構式為: 其中,R3 是選自氫原子、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷基、經取代或未經取代的苯基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷苯基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷烯基(alkenyl group)、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之醚基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷醇基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷氧基以及經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之環烷氧基其中之一。
  13. 如申請專利範圍第9項所述的發光裝置,其中該發泡體之該紫外光吸收劑(d)之結構式為: 其中,R4 、R5 、R6 、R7 、R8 、R9 、R10 、R11 是獨立地選自氫原子、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷基、經取代或未經取代的苯基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷苯基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷烯基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之醚基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷醇基、經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之烷氧基以及經取代或未經取代的直鏈或支鏈C1-20 之環烷氧基其中之一。
  14. 如申請專利範圍第9項所述的發光裝置,其中該發泡體之以分子式(I)表示的成核劑(c)之An- 包括CO3 2- 、NO3 - 或PO4 3-
  15. 如申請專利範圍第9項所述的發光裝置,其中該發泡體之平均孔徑小於等於30微米。
  16. 如申請專利範圍第9項所述的發光裝置,其中該發泡體之比重為0.03至0.16。
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