TWI498489B - 能因應由於熱膨脹係數之差異所產生變形的定位銷及半導體製造裝置 - Google Patents
能因應由於熱膨脹係數之差異所產生變形的定位銷及半導體製造裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI498489B TWI498489B TW099133292A TW99133292A TWI498489B TW I498489 B TWI498489 B TW I498489B TW 099133292 A TW099133292 A TW 099133292A TW 99133292 A TW99133292 A TW 99133292A TW I498489 B TWI498489 B TW I498489B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- hole
- groove portion
- groove
- coplanar
- pin
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 49
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 25
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 13
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16B—DEVICES FOR FASTENING OR SECURING CONSTRUCTIONAL ELEMENTS OR MACHINE PARTS TOGETHER, e.g. NAILS, BOLTS, CIRCLIPS, CLAMPS, CLIPS OR WEDGES; JOINTS OR JOINTING
- F16B19/00—Bolts without screw-thread; Pins, including deformable elements; Rivets
- F16B19/02—Bolts or sleeves for positioning of machine parts, e.g. notched taper pins, fitting pins, sleeves, eccentric positioning rings
Description
本發明係關於定位銷，尤關於能因應由於熱膨脹係數之差異所產生變形的定位銷、及含有該定位銷的半導體製造裝置。
在半導體電漿蝕刻技術中，被處理晶圓通常藉由靜電夾具(ESC，electrostatic chuck)來固定。靜電夾具係藉由定位銷進行與聚焦環及位於此聚焦環下方的下層石英環的定位(參照專利文獻1。其中，圖17中111相當於前述下層石英環，112相當於前述聚焦環。又，專利文獻1中省略定位銷)。但是，在將晶圓搬入、搬出蝕刻處理室時，或在進行蝕刻期間，靜電夾具、聚焦環及下層石英環(以下有時寫為「構件」。)由於各種要因而偏移(shift)，並產生晶圓電弧(wafer arcing)或靜電夾具電弧(ESC arcing)。前述偏移之要因大致區分如下。(1)因蝕刻處理室內之真空吸抽而產生偏移。亦即，使腔室內的大氣成為真空的瞬間之非常大的壓力差導致前述構件產生偏移。(2)因晶圓真空預備室模組(LLM，load-lock module)與蝕刻處理室間壓力差而產生偏移。亦即，在晶圓搬送系統使晶圓經過晶圓真空預備室模組內並將其搬入蝕刻處理室時，首先使晶圓真空預備室模組內為真空，位於晶圓真空預備室模組與蝕刻處理室之間的閘門當晶圓真空預備室模組內成為真空後打開，晶圓搬送系統將晶圓搬入蝕刻處理室內。在此閘門開閉之瞬間產生壓力差，並因此導致前述構件產生偏移。(3)由於溫度變化而產生偏移。亦即，在蝕刻處理中，靜電夾具在約0℃到約40℃間反復進行溫度升降之操作，因為各構件之熱膨脹係數均不同，導致前述構件產生偏移。習知的改良方法中，已對於壓力差所導致的偏移問題(亦即前述(1)及(2)所導致的偏移)進行改良。例如，有種方法為控制蝕刻處理室排氣口的低真空節流閥流量而縮小真空吸抽時的壓力差，又有藉由起動順序與壓力感測器之改變，而在打開閘門前縮小晶圓真空預備室模組與蝕刻處理室之間的壓力差等改良。但是，仍然留下最根本的問題，亦即各構件熱膨脹係數之差異所導致的偏移(亦即，前述(3)所導致的偏移)。所以，急須開發能去除由於各構件熱膨脹係數之差異所產生偏移的定位銷。
專利文獻1：日本特開2005-277369號公報
本發明考量到上述問題，其目的在於提供一種能去除由於構件間熱膨脹係數之差異所產生偏移的定位銷。
為達成前述目的，本發明係一種定位銷，其包含：第一部分，係中空圓柱體；以及第二部分，係具有多數側表面的中空多邊形柱體，與前述第一部分一體同軸成型，前述多數側表面包含第一側表面、第二側表面、第三側表面及第四側表面，前述第一側表面平行於前述第二側表面，於前述中空多邊形柱體垂直於軸向的剖視圖中，前述第一側表面的長度與前述第二側表面的長度均大於前述第一側表面與前述第二側表面之間的長度，前述第三側表面與第四側表面位於前述第一側表面與前述第二側表面之間；並且，前述第一部分的前述圓柱體之側表面上形成有第一溝槽部，即沿前述圓柱體的軸向平行延伸的2處以上之溝槽，前述第二部分中前述第三側表面與前述第四側表面上各自形成有第二溝槽部，即沿前述中空多邊形柱體之軸向平行延伸的溝槽，至少在前述第一溝槽部與前述第二溝槽部的其中一者之溝槽的兩端部形成有貫穿孔，前述第一溝槽部的兩端部形成有貫穿孔時，前述貫穿孔具有的寬度大於前述第一溝槽部，前述第二溝槽部的兩端部形成有貫穿孔時，前述貫穿孔具有的寬度大於前述第二溝槽部。
亦可令前述第三側表面平行於前述第四側表面，且前述第三
側表面與前述第四側表面垂直於前述第一側表面與前述第二側表面。
亦可令前述第一溝槽部在前述圓柱體之圓周方向上以等間隔的方式形成。
亦可令前述定位銷包含：第三部分，設於前述第一部分與前述第二部分之間，與前述第一部分及前述第二部分一體同軸成形；以及第三溝槽部，分別形成在前述第三部分中沿著第三側表面的側表面上與沿著前述第四側表面的側表面上；並且，至少在前述第一溝槽部、前述第二溝槽部或前述第三溝槽部的兩端部形成有前述貫穿孔，前述第一溝槽部的兩端部形成有貫穿孔時，前述貫穿孔具有的寬度大於前述第一溝槽部，前述第二溝槽部的兩端部形成有貫穿孔時，前述貫穿孔具有的寬度大於前述第二溝槽部，前述第三溝槽部的兩端部形成有貫穿孔時，前述貫穿孔具有的寬度大於前述第三溝槽部。
亦可令前述定位銷具有第三部分設於前述第一部分與前述第二部分之間，前述第二溝槽部沿著前述第二部分及前述第三部分的軸向而延伸到前述第三部分。
亦可令前述第三部分係具有多數側表面的中空多邊形柱體，前述多數側表面包含第五側表面、第六側表面、第七側表面及第八側表面，前述第五側表面平行相對於前述第六側表面，前述第七側表面與前述第八側表面位於前述第五側表面與前述第六側表面之間且垂直於前述第五側表面與第六側表面，前述第一側表面與前述第五側表面為共平面，前述第二側表面與前述第六側表面為共平面，前述第三側表面與前述第七側表面為共平面，前述第四側表面與前述第八側表面為共平面。另，亦可令前述第一側表面與前述第五側表面為非共平面，前述第二側表面與前述第六側表面為非共平面。
亦可令前述第三部分係具有多數側表面的中空柱體，前述多數側表面包含第五側表面、第六側表面、第七側表面及第八側表面，前述第五側表面平行相對於前述第六側表面，前述第七側表
面與前述第八側表面位於前述第五側表面與前述第六側表面之間且彎曲，前述第一側表面與前述第五側表面為共平面，前述第二側表面與前述第六側表面為共平面。另，亦可令前述第一側表面與前述第五側表面為非共平面，前述第二側表面與前述第六側表面為非共平面。
另，可令前述貫穿孔從側面觀察為長方形，亦可令前述貫穿孔從側面觀察為圓形。
本發明的另一態樣係一種半導體製造裝置，其包含靜電夾具、前述靜電夾具之周邊構件、及用於前述靜電夾具與前述周邊構件之定位銷，前述定位銷包含：第一部分，係中空圓柱體；以及第二部分，係具有多數側表面的中空多邊形柱體，與前述第一部分一體同軸成型，前述多數側表面包含第一側表面、第二側表面、第三側表面及第四側表面，前述第一側表面平行於前述第二側表面，於前述中空多邊形柱體垂直於軸向之剖視圖中，前述第一側表面的長度與前述第二側表面的長度均大於前述第一側表面與前述第二側表面之間的長度，前述第三側表面與第四側表面位於前述第一側表面與前述第二側表面之間；並且，前述第一部分的前述圓柱體之側表面上形成有第一溝槽部，即沿前述圓柱體之軸向平行延伸的2處以上之溝槽，前述第二部分的前述第三側表面與前述第四側表面上各自形成有第二溝槽部，即沿前述中空多邊形柱體之軸向平行延伸的溝槽，至少在前述第一溝槽部與前述第二溝槽部的其中一者之溝槽的兩端部形成有貫穿孔，在前述第一溝槽部的兩端部形成有貫穿孔時，前述貫穿孔具有的寬度大於前述第一溝槽部，在前述第二溝槽部的兩端部形成有貫穿孔時，前述貫穿孔具有的寬度大於前述第二溝槽部，前述定位銷使用於前述靜電夾具及前述周邊構件，前述定位銷藉由插入前述靜電夾具及前述周邊構件內，使得前述第一部分緊密插入前述靜電夾具之圓形銷孔且前述第二部分的前述第一側表面及前述第二側表面分別緊密接觸於前述周邊構件之長圓形銷孔的兩個平行相對的長邊，在前述靜電夾具與前述周邊構件的同一圓周上以等間隔的方
式設置至少3根前述定位銷。另，長圓形係指由直線形的兩個平行相對的長邊，與半圓狀朝外側彎曲的兩個相對的短邊所構成之形狀。
可令前述周邊構件具有聚焦環，亦可令其更具有下層石英環。
亦可令前述定位銷包含設於前述第一部分與前述第二部分之間的第三部分，前述第三部分係具有多數側表面的中空多邊形柱體，前述多數側表面包含第五側表面、第六側表面、第七側表面及第八側表面，前述第五側表面平行相對於前述第六側表面，前述第七側表面與前述第八側表面位於前述第五側表面與前述第六側表面之間且垂直於前述第五側表面與第六側表面，前述第一側表面與前述第五側表面為共平面，前述第二側表面與前述第六側表面為共平面，前述第三側表面與前述第七側表面為共平面，前述第四側表面與前述第八側表面為共平面。
又，亦可令前述定位銷包含設於前述第一部分與前述第二部分之間的第三部分，前述第三部分係具有多數側表面的中空柱體，前述多數側表面包含第五側表面、第六側表面、第七側表面及第八側表面，前述第五側表面平行相對於前述第六側表面，前述第七側表面與前述第八側表面位於前述第五側表面與前述第六側表面之間且彎曲，前述第一側表面與前述第五側表面為共平面，前述第二側表面與前述第六側表面為共平面。
本發明的又另一態樣係定位銷，其包含：第一部分，係中空圓柱體；第二部分，係具有多數側表面的中空多邊形柱體，與前述第一部分一體同軸成型，前述多數側表面包含第一側表面、第二側表面及第三側表面，前述第一側表面平行於前述第二側表面，前述第三側表面位於前述第一側表面與前述第二側表面之間且垂直於前述第一側表面與前述第二側表面；以及槽部，沿前述第三側表面連續形成於前述第一部分與前述第二部分，且貫通前述第一部分與前述第二部分。
本發明之定位銷使用於靜電夾具及其周邊構件，前述定位銷插入前述靜電夾具及前述周邊構件內時，前述第一部分緊密插入前述靜電夾具之圓形銷孔且前述第二部分的前述第一側表面及前述第二側表面能分別緊密接觸於前述周邊構件之長圓形銷孔的兩個平行相對的長邊。另，長圓形係指由直線形的兩個平行相對的長邊，與半圓狀朝外側彎曲的兩個相對的短邊所構成之形狀。
本發明的另一態樣係一種定位銷，其包含：第一部分，係中空圓柱體；第二部分，係具有多數側表面的中空多邊形柱體，前述多數側表面包含第一側表面、第二側表面、第三側表面及第四側表面，前述第一側表面平行相對於前述第二側表面，前述第三側表面與前述第四側表面位於前述第一側表面與前述第二側表面之間且垂直於前述第一側表面與前述第二側表面；第三部分，係具有多數側表面的中空多邊形柱體，且與前述第一部分及前述第二部分一體同軸成型，使前述第二部分隔在其與前述第一部分之間，前述多數側表面包含第五側表面、第六側表面、第七側表面及第八側表面，前述第五側表面平行相對於前述第六側表面，前述第七側表面與前述第八側表面位於前述第五側表面與前述第六側表面之間且垂直於前述第五側表面與第六側表面，前述第一側表面與前述第五側表面為共平面，前述第二側表面與前述第六側表面為共平面，前述第三側表面與前述第七側表面為共平面，前述第四側表面與前述第八側表面為共平面；第一溝槽部，沿著共平面之前述第三側表面與前述第七側表面連續形成於前述第一部分、前述第二部分及前述第三部分，且貫通前述第一部分、前述第二部分及前述第三部分；以及第二溝槽部，形成於前述第二部分的前述第四側表面上，貫通前述第二部分，並平行相對於前述第一溝槽部。
前述第二溝槽部可分別朝定位銷之軸向延伸到前述第一部分及前述第三部分。前述第一側表面與前述第五側表面可為非共平面，又前述第二側表面與前述第六側表面亦可為非共平面。
又，本發明另一態樣的定位銷，使用於靜電夾具及其周邊構件，前述周邊構件具有聚焦環及下層石英環，前述定位銷插入前述靜電夾具前述聚焦環及前述下層石英環時，前述第一部分緊密插入前述靜電夾具之圓形銷孔，前述第二部分的前述第一側表面及前述第二側表面分別緊密接觸於前述下層石英環之長圓形銷孔的兩個平行相對的長邊，且前述第三部分的前述第五側表面及前述第六側表面分別緊密接觸於前述聚焦環之長圓形銷孔的兩個平行相對的長邊。
亦可令前述第二溝槽部可分別朝前述第二部分及前述第三部分的軸向延伸直到前述第一部分及前述第三部分。
依據本發明，在利用定位銷使構件定位時，能去除由於該構件間熱膨脹係數之差異所產生偏移。
(實施發明之最佳形態)
本發明之實施形態及優越點，利用下文配合顯示本發明原理的圖式予以詳細說明清楚。
本說明書採用附圖而更加明白地說明本發明例示實施形態與該實施形態之優越點及特徴。在此，各圖式僅為例示說明圖，未依據實際比例製圖，並非依這些圖式所示比例做為實施之依據。
圖1係顯示半導體製造裝置M中藉由定位銷1使靜電夾具3、聚焦環5及下層石英環7定位的狀態之說明圖。亦即，半導體製造裝置M具有：定位銷1、靜電夾具3、聚焦環5及下層石英環7。如圖1所示，進行定位時，定位銷1同時插入靜電夾具3、聚焦環5及下層石英環7之銷孔內。此時因為定位銷1貫穿下層石英環7，故定位銷1之定位範圍包含前述三個構件3、5、7。一般而言，定位銷1係以聚醯亞胺材料(例如Vespel(杜邦公司之註冊商標)SP-1)製造，或以其他適當的材料製造。靜電夾具3係以鋁製造。聚焦環5係以矽製造。下層石英環7係以石英製造。
圖2係顯示靜電夾具3、聚焦環5及下層石英環7之銷孔配置的說明圖。如圖2所示，插有定位銷1的銷孔，在靜電夾具3、聚焦環5及下層石英環7的同一圓周上以等間隔的方式形成多處。另，圖2中以聚焦環5之銷孔51圖示作為銷孔。又，圖2例中形成3處銷孔51，亦可形成4處以上。
習知電漿蝕刻設備中，靜電夾具3之銷孔為圓形，聚焦環5與下層石英環7之銷孔均為長圓形，定位銷1之外形為實心狀圓柱形。其中，定位銷1以完全且緊密的方式插入靜電夾具3之圓形銷孔(末圖示)，且定位銷1的其他部分能同時插入聚焦環5與下層石英環7之長圓形銷孔(圖3)。圖3係顯示將習知定位銷1插入聚焦環5之長圓形銷孔51的狀態之說明圖。如圖3所示，定位銷1插入聚焦環5之長圓形銷孔51時，定位銷1的圓周兩側與銷孔51的兩個平行相對的長邊51a及51b緊密接觸而固定聚焦環5。另，銷孔51之長邊51a及51b如圖2所示，朝聚焦環5的徑方向(圖2中的虛線方向，以下有時稱「法線方向」)延伸，藉由3根定位銷1將聚焦環5固定。同樣，下層石英環7亦藉由此方法來固定。但是，電漿蝕刻處理中因為反復進行靜電夾具3之溫度上昇、下降的操作，故靜電夾具3、聚焦環5、下層石英環7及定位銷1由於溫度變化而產生膨脹與收縮。而且，這些靜電夾具3、聚焦環5、下層石英環7及定位銷1之熱膨脹係數各異，其由於溫度變化所導致的偏移不同。再者，因為靜電夾具3擁有圓盤狀構造，而聚焦環5與下層石英環7擁有環狀構造，這些構件3、5、7的法線方向熱膨脹偏移，比其體積熱膨脹偏移更加顯著。此外，擁有實心構造的定位銷1產生熱膨脹時，其體積熱膨脹偏移更為清楚。在此狀況中，靜電夾具3、聚焦環5、下層石英環7及定位銷1產生熱膨脹時，定位銷1的體積熱膨脹偏移無法因應其他構件3、5、7的熱膨脹偏移。因此，定位銷1與其他構件3、5、7之間產生間隙。此時，其他構件3、5、7未受定位銷1固定，產生其他構件3、5、7的損傷(尤其是聚焦環5的損傷)、定位銷1本身破碎、或定位銷1從銷孔脫落，進而喪失定位效果。又，定位銷1密合插入銷孔51時，定位銷1的圓周與銷孔51之長邊51a、51b大致成線接觸，故其接觸面積很小。所以，在進行電漿蝕刻時，電漿非常容易侵入銷孔51內而侵蝕定位銷1，因此構件3、5、7產生偏移。又，此現象亦縮短定位銷1的使用壽命。
圖4(A)係依據本發明實施形態的定位銷100之立體圖，圖4(B)係沿圖4(A)的Y-Y線段之剖視圖。如圖4(A)與圖4(B)所示，定位銷100包含一體同軸成型的第一部分A與第二部分B，且擁有中空構造以及槽部110，形成「C」型構造並藉由彈簧張力而獲得定位效果。其中，槽部110亦可形成此「C」型構造之開口。圖5(A)係沿圖4(A)的a-a線段之剖視圖，顯示第一部分A之剖面。圖5(B)係沿圖4(A)的b-b線段之剖視圖，顯示第二部分B之剖面。第一部分A係中空圓柱體。定位銷100插入靜電夾具3內時，第一部分A緊密插入靜電夾具3之圓形銷孔內。第二部分B係中空多邊形柱體，具有多數側表面。第二部分B的這些側表面中，平行相對的第一側表面120與第二側表面120'(圖5(B))，在定位銷100插入聚焦環5及下層石英環7內時分別與聚焦環5及下層石英環7之長圓形銷孔的兩個平行相對的長邊緊密接觸，能承受法線方向的熱脹冷縮偏移且使圓周間的間隙為最小。具體而言如圖6所示，以聚焦環5為例，定位銷100插入聚焦環5之銷孔51時，第二部分B的第一側表面120與第二側表面120'能分別緊密接觸於銷孔51的兩個平行相對的長邊51a及51b。又，下層石英環7之狀況與上述相同。此外，槽部110沿著第一側表面120與第二側表面120'之間的另一側表面，即沿第三側表面130，連續形成於第一部分A與第二部分B，且貫通第一部分A及第二部分B。又，第三側表面130垂直於第一側表面120與第二側表面120'。
因為定位銷100擁有中空構造及槽部110，所以靜電夾具3、聚焦環5及下層石英環7產生熱脹冷縮時，使得定位銷100因應由於前述構件3、5、7之熱膨脹係數差異所導致的變形，減少變形所導致的偏移。在此，若定位銷擁有實心構造，則其整體體積在熱脹冷縮中由於溫度而變化，則無法因應其他構件3、5、7所產生的變形。但是，因為定位銷100擁有中空構造及槽部110，故其熱膨脹形態從體積熱膨脹變成線熱膨脹，進而亦能因應其他構件3、5、7所產生的變形。又，定位銷100的第二部分B之第一側表面120、第二側表面120'與長邊51a、51b的接觸從線接觸變成面接觸。此時，接觸面積大於線接觸之接觸面積，故電漿蝕刻時電漿不易侵入各構件之銷孔內，因而延長定位銷100的使用壽命且防止其他構件3、5、7受到定位銷100之熱膨脹所損傷。單一定位銷100係進行圓周方向的定位。在靜電夾具3、聚焦環5及下層石英環7的同一圓周上，將3根以上的定位銷100以等間隔的方式配置在此圓周上時，定位銷100的第一側表面120、第二側表面120'與銷孔51之長邊51a，51b滑動，承受熱脹或冷縮導致的法線方向偏移，產生對於前述構件3、5、7的定位效果。亦即，如圖2所示插有定位銷100的銷孔以等間隔的方式多數(圖示之例為3處)形成於其他構件3、5、7的同一圓周上時，即使其他構件3、5、7分別朝法線方向偏移，亦藉由定位銷100的第一側表面120與第二側表面120'使這些其他構件3、5、7定位。
另，如圖7所示的定位銷100，亦使用於進行靜電夾具3及聚焦環5的定位時。亦即，在省略下層石英環7時亦能使用定位銷100。另，此時利用定位銷100的靜電夾具3及聚焦環5定位與上述實施形態相同故省略說明。
圖8係依據本發明另一實施形態的定位銷200之立體圖。圖9(A)係圖8所示的定位銷200之前視圖，圖9(B)係圖8所示的定位銷200之後視圖，圖9(C)係沿圖8的Z-Z線段之剖視圖。如圖8至圖9(C)所示，定位銷200包含一體同軸成型的第一部分A'、第二部分B'及第三部分C'，且擁有中空構造及第一溝槽部210與第二溝槽部240。圖10(A)係沿圖8的a'-a'線段之剖視圖，顯示第一部分A'的剖面。圖10(B)係沿圖8的b'-b'線段之剖視圖，顯示第二部分B'的剖面。圖10(C)係沿圖8的c'-c'線段之剖視圖，顯示第三部分C'的剖面。定位銷200亦可與定位銷100同樣具有「C」型構造，且第一溝槽部210亦形成此種「C」型構造之開口，進而藉由彈簧張力而獲得定位效果。第一部分A'係中空圓柱體。定位銷
200插入靜電夾具3時，第一部分A'緊密插入靜電夾具3之圓形銷孔。第二部分B'係中空多邊形柱體，具有多數側表面。第二部分B'的這些側表面中，平行相對的第一側表面220與第二側表面220'，當定位銷200插入下層石英環7時，分別緊密接觸於下層石英環7之長圓形銷孔的兩個平行相對的長邊(類似於圖6)。第一側表面220與第二側表面220'之間存在有平行相對的第三側表面225與第四側表面225'，且第三側表面225與第四側表面225'垂直於第一側表面220與第二側表面220'。第三部分C'亦係中空多邊形柱體，具有多數側表面。第三部分C'的這些側表面中，平行相對的第五側表面230與第六側表面230'，當定位銷200插入聚焦環5時，分別緊密接觸於聚焦環5之長圓形銷孔的兩個平行相對的長邊(類似於圖6)。第五側表面230與第六側表面230'之間存在有平行相對的第七側表面235與第八側表面235'，且第七側表面235與第八側表面235'垂直於第五側表面230與第六側表面230'。
第一側表面220與第五側表面230可為共平面(coplane)或非共平面(non-coplane)的其中任一者。第二側表面220'與第六側表面230'可為共平面或非共平面的其中任一者。圖8中，第一側表面220與第五側表面230為非共平面，第二側表面220'與第六側表面230'亦為非共平面。亦即，第一側表面220與第五側表面230之間具有落差，第二側表面220'與第六側表面230'之間亦有落差。第三側表面225與第七側表面235為共平面，又第四側表面225'與第八側表面235'為共平面。本發明的另一個實施形態中，第一側表面220與第五側表面230為共平面，第二側表面220'與第六側表面230'亦為共平面。亦即，第一側表面220與第五側表面230之間並無落差，第二側表面220'與第六側表面230'之間亦無落差。第一溝槽部210沿著共平面的第三側表面225與第七側表面235，連續形成於第一部分A'、第二部分B'及第三部分C'上，並貫通第一部分A'、第二部分B'及第三部分C'。第二溝槽部240形成於第二部分B'的第四側表面225'上並貫通第二部分B'，第一溝槽部210平行相對於第二溝槽部240。此外，第二溝槽部240亦分別在第一部分A'的圓柱體及第三部分C'的第八側表面235'上朝定位銷200的軸向延伸，形成分別貫通此圓柱體及第八側表面235'一部分的槽部。
因為定位銷200擁有中空構造及第一溝槽部210，故其熱膨脹形態從體積熱膨脹變成線熱膨脹，能因應其他構件3、5、7產生的變形。此外，因為定位銷200的第二部分B'具有第二溝槽部240，故第二部分B'本身具有板狀彈簧之功能，提升對於定位銷200變形的適應性。定位銷200亦藉由例如上述定位銷100之配置方式在半導體電漿蝕刻設備中實施定位。又，也能在靜電夾具3、聚焦環5及下層石英環7的同一圓周上，將3根以上的定位銷200以等間隔的方式配置在此圓周上。此時，將承受熱脹或冷縮導致的法線方向偏移，產生對於前述構件3、5、7的定位效果。亦即，如圖2所示插有定位銷200的銷孔以等間隔的方式多數(圖示之例為3處)形成於其他構件3、5、7的同一圓周上時，即使其他構件3、5、7分別朝法線方向偏移，定位銷200亦承受這些其它構件3、5、7熱脹或冷縮導致的法線方向偏移，將其他構件3、5、7定位。
圖11(A)係本發明其他實施形態的定位銷300之立體圖，圖11(B)係沿圖11(A)的Y-Y線段之剖視圖，圖11(C)係圖11(A)所示的定位銷300之前視圖。如圖11(A)至圖11(C)所示，定位銷300包含一體同軸成型的第一部分310與第二部分320，且擁有中空構造及第一溝槽部330、貫穿孔335、第二溝槽部340。貫穿孔335形成於第一溝槽部330的兩端部，從側面觀察為長方形。又，貫穿孔335具有的寬度大於第一溝槽部330。此第一溝槽部330、貫穿孔335、及第二溝槽部340逐一分別在定位銷300上形成相對的2處。圖12(A)係圖11(A)的a-a線段之剖視圖，顯示第一部分310的剖面。圖12(B)係圖11(A)的b-b線段之剖視圖，顯示第二部分320的剖面。第一部分310係中空圓柱體。定位銷300插入靜電夾具3內時，第一部分310緊密插入靜電夾具3之圓形銷孔內。第一部分310中，沿著後述第三側表面355與第四側表面355'的側表面上，各自形成有上述第一溝槽部330與貫穿孔335。第二部分320係中空多邊形柱體，具有多數側表面。第二部分320的這些側表面中，第一側表面350與第二側表面350'係平行相對(圖12(B))。第一側表面350之長度L1與第二側表面350'之長度L1各自長於第一側表面350與第二側表面350'之間的長度L2。藉此，定位銷300在聚焦環5之銷孔51內不會旋轉，能進行適當的定位。又，第一側表面350與第二側表面350'，當定位銷300插入聚焦環5及下層石英環7內時，分別緊密接觸於聚焦環5及下層石英環7之長圓形銷孔的兩個平行相對的長邊，能承受法線方向的熱脹冷縮偏移且使圓周間的間隙為最小。具體而言如圖13所示，以聚焦環5為例，定位銷300插入聚焦環5之銷孔51時，第二部分320的第一側表面350與第二側表面350'能分別接觸於銷孔51的兩個平行相對的長邊51a及51b。又，下層石英環7的情況亦與上述相同。第一側表面350與第二側表面350'之間，存在有平行相對的第三側表面355與第四側表面355'，且第三側表面355與第四側表面355'垂直於第一側表面350與第二側表面350'。第二部分320的第三側表面355與第四側表面355'上，各自形成有上述第二溝槽部340。第二溝槽部340的一端部係開口在第二部分320一端部。
因為定位銷300擁有中空構造及第一溝槽部330、貫穿孔335、第二溝槽部340，所以靜電夾具3、聚焦環5及下層石英環7產生熱脹冷縮時，使得定位銷300因應前述構件3、5、7之熱膨脹係數差異導致的變形，減少變形導致的偏移。亦即，定位銷300的熱膨脹形態從體積熱膨脹變成線熱膨脹，而能亦因應其他構件3、5、7產生的變形。而且，因為第一溝槽部330的兩端部形成有貫穿孔335，故能在貫穿孔335承受第一部分310產生變形時的第一溝槽部330之偏移。又，定位銷300的第二部分320之第一側表面350、第二側表面350'與長邊51a、51b的接觸從線接觸變成面接觸。此時，接觸面積大於線接觸之接觸面積，故，在電漿蝕刻時電漿不易侵入各構件之銷孔內，因而延長定位銷300的使用壽命且防止其他構件3、5、7受到定位銷300之熱膨脹所損傷。尤其，因為第一溝槽部330及貫穿孔335未貫通第一部分310，故能抑制放電。又，單一定位銷300係進行圓周方向的定位。在靜電夾具3、聚焦環5及下層石英環7的同一圓周上將3根以上的定位銷300以等間隔的方式配置在此圓周上時，將承受熱脹或冷縮所導致的法線方向偏移，產生對於前述構件3、5、7的定位效果。亦即，插有圖2所示定位銷300的銷孔以等間隔的方式多數(圖示之例為3處)形成於其他構件3、5、7的同一圓周上時，即使其他構件3、5、7分別朝法線方向偏移，亦能藉由定位銷300之第一側表面350與第二側表面350'將這些其他構件3、5、7定位。
另，上述實施形態之定位銷300中，第一溝槽部330的兩端部形成有貫穿孔335，但亦可為至少在第一溝槽部330或第二溝槽部340的兩端部形成有貫穿孔。亦可例如圖14所示，在第二部分320中於第二溝槽部340的兩端部形成有貫穿孔345。貫穿孔345從側面觀察為長方形。又，貫穿孔345具有的寬度大於第二溝槽部340。此時，第二溝槽部340及貫穿孔345並未貫通第二部分320。因此，能更加抑制放電，再延長定位銷300的使用壽命。
又，上述實施形態之貫穿孔335亦可如圖15所示從側面觀察為約略圓形。此貫穿孔335之徑大於第一溝槽部330的寬度。此時，亦能在貫穿孔335承受第一部分310產生變形時的第一溝槽部330之偏移。又，因為第一溝槽部330及貫穿孔335並未貫通第一部分310，故能抑制放電。
又，上述實施形態之第三側表面355與第四側表面355'為平行，並垂直於第一側表面350與第二側表面350'，但亦可如圖16所示的第三側表面355與第四側表面355'彎曲朝外側凸出。此情況下，形成定位銷300的第二部分320時，例如只要削去中空圓柱體中相對的側表面而形成第一側表面350與第二側表面350'，進而形成第二溝槽部340即可。因此，定位銷300之加工變得容易。再者，上述實施形態中，第三側表面355與第一側表面350之間的側表面係平面，但亦可彎曲朝外側凸出。同樣的，第三側表面355與第二側表面350'之間的側表面、第四側表面355'與第一側表面350之間的側表面，第四側表面355'與第二側表面350'之間的側表面亦可彎曲朝外側凸出。
另，上述定位銷300亦使用於進行靜電夾具3及聚焦環5之定位時(類似於圖7)。亦即，在省略下層石英環7時亦能使用定位銷300。另，此時利用定位銷300進行的靜電夾具3及聚焦環5之定位與上述實施形態相同故省略說明。
圖17(A)係依據本發明另一實施形態的定位銷400之立體圖，圖17(B)係沿圖17(A)的Y-Y線段之剖視圖，圖17(C)係圖17(A)所圖示的定位銷400之前視圖。定位銷400在上述實施形態的定位銷300的第一部分320與第二部分320之間更具有第三部分。亦即，如圖17(A)到圖17(C)所示，定位銷400包含一體同軸成型的第一部分410、第二部分420及第三部分430，且擁有中空構造及第一溝槽部440、貫穿孔445、第二溝槽部450、第三溝槽部460。貫穿孔445形成於第一溝槽部440的兩端部，從側面觀察為長方形。又，貫穿孔445具有的寬度大於第一溝槽部440。這些第一溝槽部440、貫穿孔445、第二溝槽部450及第三溝槽部460逐一分別在定位銷400上形成相對的2處。圖18(A)係沿圖17(A)的a-a線段之剖視圖，顯示第一部分410的剖面。圖18(B)係沿圖17(A)的b-b線段之剖視圖，顯示第三部分430的剖面。圖18(C)係沿圖17(A)的c-c線段之剖視圖，顯示第二部分420的剖面。第一部分410係中空圓柱體。定位銷400插入靜電夾具3內時，第一部分410緊密插入靜電夾具3之圓形銷孔內。第一部分410中，沿著後述第三側表面475(第七側表面485)與第四側表面475'(第八側表面485')的側表面上，各自形成有上述第一溝槽部440與貫穿孔445。第二部分420係中空多邊形柱體，具有多數側表面。第二部分420的這些側表面中，平行相對的第一側表面470與第二側表面470'(圖18(C))當定位銷400插入聚焦環5內時，分別緊密接觸於聚焦環5之長圓形銷孔的兩個平行相對的長邊(類似於圖13)。第一側表面470與第二側表面470'之間存在有平行相對的第三側表面475與第四側表面475'，第三側表面475與第四側表面475'垂直於第一側表面470與第二側表面470'。第二部分420的第三側表面475與第四側表面475'上各自形成有上述第二溝槽部450。第二溝槽部470的一端部開口於第二部分420的一端部。第三部分430亦係中空多邊形柱體，具有多數側表面。第三部分430的這些側表面中，平行相對的第五側表面480與第六側表面480'(圖18(B))當定位銷400插入下層石英環7內時，分別緊密接觸於下層石英環7之長圓形銷孔的兩個平行相對的長邊(類似於圖13)。第五側表面480與第六側表面480'之間存在有平行相對的第七側表面485與第八側表面485'，第七側表面485與第八側表面485'垂直於第五側表面480與第六側表面480'。第二部分430的第七側表面485與第八側表面485'上，各自形成有上述第三溝槽部460。
第一側表面470與第五側表面480可為共平面(coplane)或非共平面(non-coplane)的其中任一者。第二側表面470'與第六側表面480'可為共平面或非共平面的其中任一者。圖17中，第一側表面470與第五側表面480為共平面，第二側表面470'與第六側表面480'亦為共平面。亦即，第一側表面470與第五側表面480之間並無落差，第二側表面470'與第六側表面480'之間亦落差。第三側表面475與第七側表面485為共平面，又第四側表面475'與第八側表面485'為共平面。另，本發明的另一實施形態中，第一側表面470與第五側表面480為非共平面，第二側表面470'與第六側表面480'亦為非共平面。亦即，第一側表面470與第五側表面480之間具有落差，第二側表面470'與第六側表面480'之間亦具有落差。
因為定位銷400擁有中空構造及第一溝槽部440、貫穿孔445、第二溝槽部450、第三溝槽部460，其熱膨脹形態從體積熱膨脹變成線熱膨脹，故能因應其他構件3、5、7產生的變形。而且，因為第一溝槽部440的兩端部形成有貫穿孔445，故能在貫穿孔445承受第一部分440產生變形時的第一溝槽部440之偏移。定位銷400亦藉由例如上述定位銷300的配置方式而在半導體電漿蝕刻設備實施定位。又，亦可在靜電夾具3、聚焦環5及下層石英環7的同一圓周上，以等間隔的方式將3根以上的定位銷400配置在此圓周上。此時場合將承受熱脹或冷縮導致的法線方向偏移，產生對於前述構件3、5、7的定位效果。亦即，如圖2所示插有定位銷400的銷孔在其他構件3、5、7的同一圓周上以等間隔的方式多數(圖示之例為3處)形成時，即使其他構件3、5、7分別朝法線方向偏移，定位銷400亦能承受其他構件3、5、7的熱脹或冷縮所導致的法線方向偏移，將其他構件3、5、7定位。
另，上述實施形態之定位銷400中係在第一溝槽部440的兩端部形成有貫穿孔445，但亦可至少在第一溝槽部440、第二溝槽部450或第三溝槽部460的兩端部形成有貫穿孔。亦可例如圖19所示，在第二部分420中第二溝槽部450的兩端部形成有貫穿孔455。貫穿孔455從側面觀察為長方形。又，貫穿孔455具有的寬度大於第二溝槽部450。此時，第二溝槽部450及貫穿孔455並未貫通第二部分450。因此，能更加抑制放電，再延長定位銷400的使用壽命。又，亦可在定位銷400的第三部分430中也將貫穿孔465形成於第三溝槽部460的兩端部。貫穿孔465從側面觀察為長方形，且具有的寬度大於第三溝槽部460。
又，上述實施形態的定位銷400中亦可如圖20所示，第二溝槽部450與第三溝槽部460為連續形成。
又，亦可使上述實施形態的貫穿孔445從側面觀察為約略圓形(類似於圖15)。此貫穿孔445之直徑大於第一溝槽部440的寬度。此時，亦能在貫穿孔445承受第一部分410產生變形時的第一溝槽部440之偏移。又，因為第一溝槽部440及貫穿孔445未貫通第一部分410，故能抑制放電。
圖21(A)係依據本發明另一實施形態的定位銷500之立體圖，圖21(B)係沿圖21(A)的Y-Y線段之剖視圖，圖21(C)係圖21(A)所示定位銷500之前視圖。定位銷500係將上述實施形態之定位銷400中的第三部分430之形狀定為中空圓柱體形狀。如圖21(A)到圖21(C)所示，定位銷500包含一體同軸成型之第一部分510、第二部分520及第三部分530，且擁有中空構造及第一溝槽部540、貫穿孔545、第二溝槽部550、第三溝槽部560。貫穿孔545形成於第一溝槽部540的兩端部，從側面觀察為長方形。又，貫穿孔545具有的寬度大於第一溝槽部540。這些第一溝槽部540、貫穿孔545、第二溝槽部550及第三溝槽部560逐一分別於定位銷500形成相對的2處。圖22(A)係圖21(A)的a-a線段之剖視圖，顯示第一部分510的剖面。圖22(B)係圖21(A)的b-b線段之剖視圖，顯示第三部分530的剖面。圖22(C)係圖21(A)的c-c線段之剖視圖，顯示第二部分520的剖面。第一部分510係中空圓柱體。定位銷500插入靜電夾具3內時，第一部分510緊密插入靜電夾具3之圓形銷孔內。第一部分510中，沿著後述第三側表面575與第四側表面575'的側表面上，各自形成有上述第一溝槽部540與貫穿孔545。第二部分520係中空多邊形柱體，具有多數側表面。第二部分520的這些側表面中，平行相對的第一側表面570與第二側表面570'(圖22(C))當定位銷400插入聚焦環5內時，分別緊密接觸於聚焦環5之長圓形銷孔的兩個平行相對的長邊(類似於圖13)。第一側表面570與第二側表面570'之間，存在有平行相對的第三側表面575與第四側表面575'，第三側表面575與第四側表面575'係垂直於第一側表面570與第二側表面570'。第二部分520之第三側表面575與第四側表面575'上分別形成有上述第二溝槽部550。第二溝槽部570的一端部開口於第二部分520的一端部。第三部分530係中空柱體，具有多數側表面。第三部分530的這些側表面中，平行相對的第五側表面580與第六側表面580'(圖22(B))當定位銷500插入下層石英環7內時，分別緊密接觸於下層石英環7之長圓形銷孔的兩個平行相對的長邊(類似於圖13)。第五側表面580與第六側表面580'之間，存在有彎曲朝外側凸出的第七側表面585與第八側表面585'。第二部分530的第七側表面585與第八側表面585'上，分別有上述第三溝槽部560沿著上述第三側表面575與第四側表面575'形成。
第一側表面570與第五側表面580可為共平面(coplane)或非共平面(non-coplane)的其中任一者。第二側表面570'與第六側表面580'可為共平面或非共平面的其中任一者。圖21中，第一側表面570與第五側表面580為共平面，第二側表面570'與第六側表面580'亦為共平面。亦即，第一側表面570與第五側表面580之間並無落差，第二側表面570'與第六側表面580'之間亦無落差。另，在本發明又另一實施形態中，第一側表面570與第五側表面580為非共平面，第二側表面570'與第六側表面580'亦為非共平面。亦即，第一側表面570與第五側表面580之間具有落差，第二側表面570'與第六側表面580'之間亦有落差。
因為定位銷500擁有中空構造及第一溝槽部540、貫穿孔545、第二溝槽部550、第三溝槽部560，故與上述定位銷400同樣能將其他構件3、5、7定位。另，利用定位銷進行的構件3、5、7之定位與上述定位銷400相同故省略說明。
上述實施形態中，第一溝槽部330、440、540分別在第一部分310、410、510形成2處，但該個數並不限定於上述實施形態。例如第一溝槽部330、440、540可形成1處，亦可形成3處以上。
第一溝槽部330、440、540形成3處以上時，第一溝槽部330、440、540分別在第一部分310、410、510的圓周方向上以等間隔的方式形成。例如第一溝槽部330、440、540形成3處時，第一溝槽部330、440、540在第一部分310、410、510的側表面每隔120度形成。此時，能更加提升第一部分310、410、510針對靜電夾具3之銷孔的中心定位精度。
此外，本發明之定位銷並非僅用於半導體電漿蝕刻設備，例如，亦能應用於由於熱膨脹係數差異而產生偏移的構件、構造之定位等等必須定位的其他技術領域。舉例而言，亦可將本發明之定位銷使用於橋或建築物之接合處，或應用於機動載具零件之接合定位。
本發明已利用實施形態及圖式詳細說明，但本發明所屬技術領域中具有通常知識者能在不超越本發明之本質範疇進行的各種改良、改變及同等效果之置換，此種改良、改變及同等效果之置換依然屬於本發明之申請專利範圍內。
(產業上利用性)
本發明有助於熱膨脹係數有所差異之構件的定位。
1、100、200、300、400、500‧‧‧定位銷
3‧‧‧靜電夾具
5‧‧‧聚焦環
7‧‧‧下層石英環
51‧‧‧銷孔
51a、51b‧‧‧長邊
110‧‧‧槽部
120、220、350、470、570‧‧‧第一側表面
120'、220'、350'、470'、570'‧‧‧第二側表面
130、225、355、475、575‧‧‧第三側表面
210、330、440、540‧‧‧第一溝槽部
225'、355'、475'、575'‧‧‧第四側表面
230、480、580‧‧‧第五側表面
230'、480'、580'‧‧‧第六側表面
235、485、585‧‧‧第七側表面
235'、485'、585'‧‧‧第八側表面
240、340、450、550‧‧‧第二溝槽部
310、410、510、A、A'‧‧‧第一部分
320、420、520、B、B'‧‧‧第二部分
335、345、445、455、465、545‧‧‧貫穿孔
430、530、C、C'‧‧‧第三部分
460、560‧‧‧第三溝槽部
M‧‧‧半導體製造裝置
圖1係顯示定位銷對於靜電夾具，聚焦環及下層石英環進行定位的狀態之說明圖。
圖2係顯示靜電夾具、聚焦環及下層石英環之銷孔配置的說明圖。
圖3係顯示習知定位銷差入聚焦環之長圓形銷孔的狀態之說明圖。
圖4(A)係依據本發明實施形態的定位銷之立體圖，圖4(B)係沿圖4(A)的Y-Y線段之剖視圖。
圖5(A)係沿圖4(A)的a-a線段之剖視圖，圖5(B)係沿圖4(A)的b-b線段之剖視圖。
圖6係顯示依據本發明實施形態的定位銷插入聚焦環之長圓形銷孔的狀態之說明圖。
圖7係顯示定位銷對於靜電夾具及聚焦環進行定位的狀態之說明圖。
圖8係顯示依據本發明其他實施形態的定位銷之立體圖。
圖9(A)係圖8所示定位銷之前視圖，圖9(B)係圖8所示定位銷之後視圖，圖9(C)係沿圖8的Z-Z線段之剖視圖。
圖10(A)係沿圖8的a'-a'線段之剖視圖，圖10(B)係沿圖8的b'-b'線段之剖視圖，圖10(C)係沿圖8的c'-c'線段之剖視圖。
圖11(A)係依據本發明另一實施形態的定位銷之立體圖，圖11(B)係沿圖11(A)的Y-Y線段之剖視圖，圖11(C)係圖11(A)所示定位銷之前視圖。
圖12(A)係沿圖11(A)的a-a線段之剖視圖，圖12(B)係沿圖11(A)的b-b線段之剖視圖。
圖13係顯示依據本發明實施形態的定位銷插入聚焦環之長圓形銷孔的狀態之說明圖。
圖14係依據本發明另一實施形態的定位銷之前視圖。
圖15係顯示依據本發明另一實施形態的定位銷之中的貫穿孔形狀之說明圖。
圖16係依據本發明另一實施形態的定位銷之第二部分的剖視圖。
圖17(A)係依據本發明另一實施形態的定位銷之立體圖，圖17(B)係沿圖17(A)的Y-Y線段之剖視圖，圖17(C)係圖17(A)所示定位銷之前視圖。
圖18(A)係沿圖17(A)的a-a線段之剖視圖，圖18(B)係沿圖17(A)之b-b線段的剖視圖，圖18(C)係沿圖17(A)的c-c線段之剖視圖。
圖19係依據本發明另一實施形態的定位銷之前視圖。
圖20係依據本發明另一實施形態的定位銷之前視圖。
圖21(A)係依據本發明另一實施形態的定位銷之立體圖，圖21(B)係沿圖21(A)的Y-Y線段之剖視圖，圖21(C)係圖21(A)所示定位銷之前視圖。
圖22(A)係沿圖21(A)的a-a線段之剖視圖，圖22(B)係沿圖21(A)的b-b線段之剖視圖，圖22(C)係沿圖21(A)的c-c線段之剖視圖。
100．．．定位銷
110．．．槽部
120．．．第一側表面
A．．．第一部分
B．．．第二部分
Claims (20)
- 一種定位銷，包含：第一部分，係為緊密地插入第一構件的孔洞之中空圓柱體；以及第二部分，係可滑動地插入第二構件的長圓形孔洞內之具有多數側表面的中空多邊形柱體，與該第一部分一體同軸成型，該多數側表面包含第一側表面、第二側表面、第三側表面及第四側表面，該第一側表面平行於該第二側表面，於該中空多邊形柱體垂直於軸向的剖視圖中，該第一側表面的長度與該第二側表面的長度均大於該第一側表面與該第二側表面之間的長度，該第三側表面與第四側表面位於該第一側表面與該第二側表面之間；在該第二部分滑動時，該第一側表面及該第二側表面係接觸於該第二構件之長圓形孔洞的兩平行相對的長邊，以承受由於熱脹冷縮造成之法線方向的偏移；並且，該第一部分的該圓柱體之側表面上形成有第一溝槽部，即沿該圓柱體的軸向平行延伸的2處以上之溝槽，該第二部分中該第三側表面與該第四側表面上各自形成有第二溝槽部，即沿該中空多邊形柱體之軸向平行延伸的溝槽，至少在該第一溝槽部與該第二溝槽部的其中一者之溝槽的兩端部形成有貫穿孔，於該第一溝槽部的兩端部形成有貫穿孔時，該貫穿孔具有的寬度大於該第一溝槽部，於該第二溝槽部的兩端部形成有貫穿孔時，該貫穿孔具有的寬度大於該第二溝槽部。
- 如申請專利範圍第1項之定位銷，其中，該第三側表面平行於該第四側表面，且該第三側表面與該第四側表面垂直於該第一側表面與該第二側表面。
- 如申請專利範圍第1或2項之定位銷，其中，該第一溝槽部在該圓柱體之圓周方向上以等間隔的方式形成。
- 如申請專利範圍第1或2項之定位銷，包含： 第三部分，設於該第一部分與該第二部分之間，與該第一部分及該第二部分一體同軸成形；以及第三溝槽部，分別形成在該第三部分中沿著第三側表面的側表面上與沿著該第四側表面的側表面上；並且，至少在該第一溝槽部、該第二溝槽部或該第三溝槽部的兩端部形成有該貫穿孔，於該第一溝槽部的兩端部形成有貫穿孔時，該貫穿孔具有的寬度大於該第一溝槽部，於該第二溝槽部的兩端部形成有貫穿孔時，該貫穿孔具有的寬度大於該第二溝槽部，於該第三溝槽部的兩端部形成有貫穿孔時，該貫穿孔具有的寬度大於該第三溝槽部。
- 如申請專利範圍第1或2項之定位銷，其中，具有第三部分，設於該第一部分與該第二部分之間，該第二溝槽部沿著該第二部分及該第三部分的軸向而延伸到該第三部分。
- 如申請專利範圍第4項之定位銷，其中，該第三部分係具有多數側表面的中空多邊形柱體，該多數側表面包含第五側表面、第六側表面、第七側表面及第八側表面，該第五側表面平行相對於該第六側表面，該第七側表面與該第八側表面位於該第五側表面與該第六側表面之間且垂直於該第五側表面與第六側表面，該第一側表面與該第五側表面為共平面，該第二側表面與該第六側表面為共平面，該第三側表面與該第七側表面為共平面，該第四側表面與該第八側表面為共平面。
- 如申請專利範圍第4項之定位銷，其中，該第三部分係具有多數側表面的中空柱體，該多數側表面包含第五側表面、第六側表面、第七側表面及第八側表面，該第五側表面平行相對於該第六側表面，該第七側表面與該第八側表面位於該第五側表面與該第六側表面之間且彎 曲，該第一側表面與該第五側表面為共平面，該第二側表面與該第六側表面為共平面。
- 如申請專利範圍第6項之定位銷，其中，該第一側表面與該第五側表面為非共平面，該第二側表面與該第六側表面為非共平面。
- 如申請專利範圍第1或2項之定位銷，其中，該貫穿孔從側面觀察為長方形。
- 如申請專利範圍第1或2項之定位銷，其中，該貫穿孔從側面觀察為圓形。
- 一種半導體製造裝置，其包含靜電夾具、該靜電夾具之周邊構件、及用於該靜電夾具與該周邊構件之定位銷；該定位銷包含：第一部分，係緊密地插入第一構件的孔洞之中空圓柱體；以及第二部分，係可滑動地插入第二構件的長圓形孔洞內之具有多數側表面的中空多邊形柱體，與該第一部分一體同軸成型，該多數側表面包含第一側表面、第二側表面、第三側表面及第四側表面，該第一側表面平行於該第二側表面，於該中空多邊形柱體垂直於軸向之剖視圖中，該第一側表面的長度與該第二側表面的長度均大於該第一側表面與該第二側表面之間的長度，該第三側表面與第四側表面位於該第一側表面與該第二側表面之間；在該第二部分滑動時，該第一側表面及該第二側表面係接觸於該第二構件之長圓形孔洞的兩平行相對的長邊，以承受由於熱脹冷縮造成之法線方向的偏移；並且，該第一部分的該圓柱體之側表面上形成有第一溝槽部，即沿該圓柱體之軸向平行延伸的2處以上之溝槽，該第二部分的該第三側表面與該第四側表面上各自形成有第二溝槽部，即沿該中空多邊形柱體之軸向平行延伸的溝槽，至少在該第一溝槽部與該第二溝槽部的其中一者之溝槽的兩端部形成有貫穿孔，在該第一溝槽部的兩端部形成有貫穿孔時，該貫穿孔具有的 寬度大於該第一溝槽部，在該第二溝槽部的兩端部形成有貫穿孔時，該貫穿孔具有的寬度大於該第二溝槽部，該定位銷使用於該靜電夾具與該周邊構件，該定位銷藉由插入該靜電夾具及該周邊構件內，使得該第一部分緊密插入該靜電夾具之圓形銷孔且該第二部分的該第一側表面及該第二側表面分別緊密接觸於該周邊構件之長圓形銷孔的兩個平行相對的長邊，在該靜電夾具與該周邊構件的同一圓周上以等間隔的方式設置至少3根該定位銷。
- 如申請專利範圍第11項之半導體製造裝置，其中，該周邊構件具有聚焦環。
- 如申請專利範圍第12項之半導體製造裝置，其中，該周邊構件更具有下層石英環。
- 如申請專利範圍第11~13項中任一項之半導體製造裝置，其中，該定位銷包含設於該第一部分與該第二部分之間的第三部分，該第三部分係具有多數側表面的中空多邊形柱體，該多數側表面包含第五側表面、第六側表面、第七側表面及第八側表面，該第五側表面平行相對於該第六側表面，該第七側表面與該第八側表面位於該第五側表面與該第六側表面之間且垂直於該第五側表面與第六側表面，該第一側表面與該第五側表面為共平面，該第二側表面與該第六側表面為共平面，該第三側表面與該第七側表面為共平面，該第四側表面與該第八側表面為共平面。
- 如申請專利範圍第11~13項中任一項之半導體製造裝置，其中，該定位銷包含設於該第一部分與該第二部分之間的第三部分，該第三部分係具有多數側表面的中空柱體， 該多數側表面包含第五側表面、第六側表面、第七側表面及第八側表面，該第五側表面平行相對於該第六側表面，該第七側表面與該第八側表面位於該第五側表面與該第六側表面之間且彎曲，該第一側表面與該第五側表面為共平面，該第二側表面與該第六側表面為共平面。
- 一種定位銷，其包含：第一部分，係緊密地插入第一構件的孔洞之中空圓柱體；第二部分，係可滑動地插入第二構件的長圓形孔洞內之具有多數側表面的中空多邊形柱體，與該第一部分一體同軸成型，該多數側表面包含第一側表面、第二側表面及第三側表面，該第一側表面平行於該第二側表面，該第三側表面位於該第一側表面與該第二側表面之間且垂直於該第一側表面與該第二側表面；以及溝槽部，沿該第三側表面連續形成於該第一部分與該第二部分，且貫通該第一部分與該第二部分；在該第二部分滑動時，該第一側表面及該第二側表面係接觸於該第二構件之長圓形孔洞的兩平行相對的長邊，以承受由於熱脹冷縮造成之法線方向的偏移。
- 如申請專利範圍第16項之定位銷，其中，該定位銷使用於靜電夾具及其周邊構件，該定位銷藉由插入該靜電夾具及該周邊構件內，使得該第一部分緊密插入該靜電夾具之圓形銷孔且該第二部分的該第一側表面及該第二側表面分別緊密接觸於該周邊構件之長圓形銷孔的兩個平行相對的長邊，在該靜電夾具與該周邊構件的同一圓周上以等間隔的方式設置至少3根該定位銷。
- 一種定位銷，包含：第一部分，係緊密地插入第一構件的孔洞之中空圓柱體；第二部分，係可滑動地插入第二構件的長圓形孔洞內之具有多數側表面的中空多邊形柱體，該多數側表面包含第一側表面、第二側表面、第三側表面及第四側表面，該第一側表面平行相對於該第二側表面，該第三側表面與該第四側表面位於該第一側表 面與該第二側表面之間且垂直於該第一側表面與該第二側表面；第三部分，係具有多數側表面的中空多邊形柱體，且與該第一部分及該第二部分一體同軸成型，使該第二部分隔在其與該第一部分之間，該多數側表面包含第五側表面、第六側表面、第七側表面及第八側表面，該第五側表面平行相對於該第六側表面，該第七側表面與該第八側表面位於該第五側表面與該第六側表面之間且垂直於該第五側表面與第六側表面，該第一側表面與該第五側表面為共平面，該第二側表面與該第六側表面為共平面，該第三側表面與該第七側表面為共平面，該第四側表面與該第八側表面為共平面；第一溝槽部，沿著共平面之該第三側表面與該第七側表面連續形成於該第一部分、該第二部分及該第三部分，且貫通該第一部分、該第二部分及該第三部分；以及第二溝槽部，形成於該第二部分的該第四側表面上，貫通該第二部分，並平行相對於該第一溝槽部；在該第二部分滑動時，該第一側表面及該第二側表面係接觸於該第二構件之長圓形孔洞的兩平行相對的長邊，以承受由於熱脹冷縮造成之法線方向的偏移。
- 如申請專利範圍第18項之定位銷，其中，該定位銷使用於靜電夾具及其周邊構件，該周邊構件具有聚焦環及下層石英環，該定位銷藉由插入該靜電夾具該聚焦環及該下層石英環，使得該第一部分緊密插入該靜電夾具之圓形銷孔，該第二部分的該第一側表面及該第二側表面分別緊密接觸於該下層石英環之長圓形銷孔的兩個平行相對的長邊，且該第三部分的該第五側表面及該第六側表面分別緊密接觸於該聚焦環之長圓形銷孔的兩個平行相對的長邊，在該靜電夾具與該周邊構件的同一圓周上，以等間隔的方式設置至少3根該定位銷。
- 如申請專利範圍第18項之定位銷，其中，該第二溝槽部可分別沿著該第二部分及該第三部分之軸向延伸到該第一部分及該第三 部分。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2009/067158 WO2011039881A1 (ja) | 2009-10-01 | 2009-10-01 | 熱膨張係数の差異によって生じる変形に適応可能な位置決めピン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201131082A TW201131082A (en) | 2011-09-16 |
| TWI498489B true TWI498489B (zh) | 2015-09-01 |
Family
ID=43825735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW099133292A TWI498489B (zh) | 2009-10-01 | 2010-09-30 | 能因應由於熱膨脹係數之差異所產生變形的定位銷及半導體製造裝置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI498489B (zh) |
| WO (1) | WO2011039881A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111810507B (zh) * | 2020-06-29 | 2021-10-22 | 北京汽车集团越野车有限公司 | 定位销组件、制作方法及制作装置 |
| TW202341343A (zh) * | 2021-12-23 | 2023-10-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板支持器及電漿處理裝置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6256625A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-12 | Iseki & Co Ltd | 湿式クラツチ装置 |
| TW200411803A (en) * | 2001-06-26 | 2004-07-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Electrostatic chuck |
| JP2008249073A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Nsk Ltd | リニアガイド装置のスライダ抜け止め構造 |
| CN101405510A (zh) * | 2006-02-04 | 2009-04-08 | R.W.黑克豪森托克斯紧固工厂有限及两合公司 | 膨胀销 |
| TW200930090A (en) * | 2007-12-19 | 2009-07-01 | Aten Int Co Ltd | Video splitter with video compensation function and compensation method thereof |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2934094A1 (de) * | 1979-08-23 | 1981-03-26 | Artur Dr.H.C. 72178 Waldachtal Fischer | Stiftartiges verbindungselement |
| JPH0527691Y2 (zh) * | 1989-06-19 | 1993-07-15 | ||
| JP3833583B2 (ja) * | 2002-07-08 | 2006-10-11 | 日本写真印刷株式会社 | ガイドピンとガイドブッシュ |
| JP2009187990A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
-
2009
- 2009-10-01 WO PCT/JP2009/067158 patent/WO2011039881A1/ja active Application Filing
-
2010
- 2010-09-30 TW TW099133292A patent/TWI498489B/zh active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6256625A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-12 | Iseki & Co Ltd | 湿式クラツチ装置 |
| TW200411803A (en) * | 2001-06-26 | 2004-07-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Electrostatic chuck |
| CN101405510A (zh) * | 2006-02-04 | 2009-04-08 | R.W.黑克豪森托克斯紧固工厂有限及两合公司 | 膨胀销 |
| JP2008249073A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Nsk Ltd | リニアガイド装置のスライダ抜け止め構造 |
| TW200930090A (en) * | 2007-12-19 | 2009-07-01 | Aten Int Co Ltd | Video splitter with video compensation function and compensation method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201131082A (en) | 2011-09-16 |
| WO2011039881A1 (ja) | 2011-04-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI455239B (zh) | 凸輪鎖電極夾 | |
| US9410249B2 (en) | Wafer releasing | |
| JP3189241U (ja) | シャワーヘッド電極およびガスケット | |
| US6682113B2 (en) | Wafer clamping mechanism | |
| TWI628736B (zh) | 晶圓承載端效器 | |
| US9460950B2 (en) | Wafer carrier for smaller wafers and wafer pieces | |
| KR20020077937A (ko) | 기판 지지 방법 및 그 장치 | |
| KR20180098704A (ko) | 자가 중심설정 서셉터 링 조립체 | |
| KR20110087204A (ko) | 구조물을 어닐링하기 위한 어닐링 공정 | |
| JP2016534299A (ja) | 半導体装置のためのシーリング溝の方法 | |
| JP4096636B2 (ja) | ウエハ支持治具およびそれを用いた半導体素子製造方法 | |
| TWI498489B (zh) | 能因應由於熱膨脹係數之差異所產生變形的定位銷及半導體製造裝置 | |
| US20030219986A1 (en) | Substrate carrier for processing substrates | |
| US20230278062A1 (en) | Showerhead with embedded nut | |
| EP2541590B1 (en) | Plasma processing device | |
| JP2022160436A (ja) | 両面処理のためのパターニングされたチャック | |
| US20130270756A1 (en) | Retaining system for retaining and holding a wafer | |
| KR102124737B1 (ko) | SiC막 구조체 및 SiC막 구조체의 제조 방법 | |
| JP5612408B2 (ja) | 熱膨張係数の差異によって生じる変形に適応可能な位置決めピン及び半導体製造装置 | |
| US20200295265A1 (en) | Deposition mask and methods of manufacturing and using a deposition mask | |
| US10276354B2 (en) | Segmented focus ring assembly | |
| US10373841B2 (en) | Photomask manufacturing method | |
| US20020181184A1 (en) | Wafer space supporting apparatus installed on electrostatic chuck and method for fabricating the same | |
| CN111524783A (zh) | 等离子体处理装置 | |
| US20230146837A1 (en) | Apparatus and methods for fine planar non-uniformity improvement |