TWI497032B - 缺陷檢查裝置 - Google Patents

Description

缺陷檢查裝置 相關申請案之交叉參考

本申請案係基於並主張2010年8月10日提出申請之第2012-178052號日本專利申請案之優先權之權益，該日本專利申請案之全部內容以引用方式併入本文中。

本文中所闡述之實施例一般而言係關於一種用於一奈米壓印模板或諸如此類之缺陷檢查之缺陷檢查裝置。

在一奈米壓印模板之缺陷檢查中，無法解析該模板之圖案，此乃因模板之圖案等於一晶圓之放大率且超過檢查裝置之光學解析能力。由於因一拉製程序所致的模板之不均勻性而在一檢查影像中存在基礎雜訊。由拉製程序導致之模板之不均勻性指示發生在電子束拉製、顯影及蝕刻中之線邊緣粗糙度。

由拉製程序導致之模板之不均勻性增加在自檢查裝置側觀看時之假缺陷之數目且使偵測敏感度降級。然而，在奈米壓印程序中，該不均勻性並不總是發展成一重大缺陷。重大缺陷被分類為一短路缺陷或開路缺陷且可對一器件之操作造成一大影響。因此，在一奈米壓印模板之一檢查中，需要在准許基礎雜訊之同時偵測一重大缺陷。

在目前光學微影之一遮罩缺陷檢查中，提供晶粒與晶粒間比較方法及晶粒與資料庫間比較方法。以上方法欲對準兩個晶粒且規定一 不一致部分為一缺陷。然而，在奈米壓印模板中，由於主要因模板拉製程序所致的基礎雜訊之存在以及由於在將晶粒彼此做比較之操作中缺陷信號較小，僅藉由晶粒與晶粒間比較難以偵測一重大缺陷。

作為另一檢查系統，提供其中藉由提取一缺陷之特性來偵測一缺陷之一特性提取系統。在此系統中，可使裝置組態為簡單的，但有時應用該系統變得困難，此取決於一圖案。此外，作為又一檢查系統，提供用於基於因多波長所致的光譜特性偵測邊緣粗糙度之一方法、藉由使用一電子束之圖案檢查方法及諸如此類。然而，由於以上方法在偵測敏感度及偵測時間上並不充足，因此難以將以上方法實際上應用於奈米壓印模板之一檢查。

在奈米壓印技術中，檢查缺陷係主要問題之一。

根據一項實施例，一種缺陷檢查裝置包括：一檢查單元，其經組態以藉由相對於一待檢查樣品在不同光學條件下拍攝具有一光學系統之一解析度極限或小於該解析度極限之重複圖案而獲取複數個檢查影像；一邊緣影像提取單元，其經組態以自該複數個檢查影像提取邊緣影像；及一缺陷判定單元，其經組態以基於該複數個邊緣影像判定該圖案之一缺陷之存在。

10‧‧‧檢查單元

11‧‧‧檢查機構

12‧‧‧檢查機構

13‧‧‧檢查機構

20‧‧‧判定單元

21‧‧‧邊緣提取電路

22‧‧‧邊緣提取電路

23‧‧‧邊緣提取電路

25‧‧‧缺陷判定電路

31‧‧‧樣品

32‧‧‧XYθ台

33‧‧‧台

34‧‧‧照明光學系統

35‧‧‧影像形成光學系統

36‧‧‧光電二極體陣列/成像感測器

37‧‧‧感測器電路

38‧‧‧半反射鏡

40‧‧‧主機電腦

41‧‧‧載台控制電路

42‧‧‧XYθ馬達

43‧‧‧焦點控制電路

51‧‧‧待檢查區域

52‧‧‧條帶形式檢查條帶/經劃分檢查條帶

圖1係展示根據一第一實施例之一缺陷檢查裝置之示意性組態之一方塊圖。

圖2係展示用於圖1之缺陷檢查裝置中之一檢查機構之一項實例之一圖式。

圖3係用於圖解說明在一樣品上設定之檢查條帶之一示意圖。

圖4A、圖4B係展示檢查機構中之一光學照明系統之組態之視圖。

圖5A、圖5B係展示奈米壓印模板及輸入影像之開路/短路缺陷之間的關係之示意圖。

圖6A至圖6C係展示一奈米壓印模板之缺陷與基礎雜訊之一變化之間的差異之示意圖。

圖7係用於圖解說明根據一第二實施例之一缺陷檢查裝置之操作之一流程圖。

圖8A至圖8C係展示用於圖解說明第二實施例之效應的在減少基礎雜訊之同時加重一缺陷信號之效應之示意圖。

圖9A、圖9B係展示用於圖解說明第二實施例之效應的在一濾波器之應用之前及之後獲得之影像之示意圖。

圖10係用於圖解說明根據一第三實施例之一缺陷檢查裝置之操作之一流程圖。

圖11A至圖11C係展示用於圖解說明第三實施例之效應的移除一周邊圖案之效應之示意圖。

下文參考圖式闡釋本發明實施例之一缺陷檢查裝置。

(第一實施例)

圖1係展示根據一第一實施例之一缺陷檢查裝置之示意性組態之一方塊圖。

本發明實施例之檢查裝置包含在複數個不同光學條件下檢查一樣品上之一圖案之一檢查單元10及基於在檢查單元10中獲得之複數個檢查影像判定該圖案之一缺陷之存在或不存在之一判定單元20。

檢查單元10包含具有不同光學條件之複數個檢查機構11至13。該等檢查機構自身根本不受限制且圖2中展示其之一項實例。

在圖2中，一樣品31係一奈米壓印主模板或其複製品。將樣品31放置於經提供為可沿水平方向及旋轉方向移動之一XYθ台32上。藉助 於諸如一DUV(紫外線)雷射之一光源33及一照明光學系統34將光施加至形成於樣品31上之一圖案。

藉助此裝置，如圖3中所展示，將其中存在形成於樣品31上之圖案之一待檢查區域51虛擬地劃分成具有寬度W之條形式檢查條帶52。此外，藉由控制XYθ台32之操作以連續掃描經劃分檢查條帶52而進行一檢查。

經由一影像形成光學系統35使通過樣品31之光入射於一光電二極體陣列(成像感測器)36上。然後，如圖3中所展示，在光電二極體陣列36上形成經虛擬地劃分之圖案之條形式區域之一部分之一影像作為由影像形成光學系統35放大之一光學影像。可使用一線感測器、CCD影像感測元件或諸如此類作為光電二極體陣列36。

形成於光電二極體陣列36上之圖案之影像由光電二極體陣列36進行光電轉換且藉助於一感測器電路37經受影像處理以獲得一檢查影像。將該檢查影像供應至一判定單元20。然後，藉由藉助於判定單元20提取該檢查影像之一邊緣來判定樣品31上之圖案之一缺陷之存在或不存在。

藉助於一主機電腦40控制台32。亦即，可藉由藉助於在主機電腦40之控制下之一載台控制電路41控制一XYθ台42而將台32移動至一所要位置。此外，影像形成光學系統35藉助於在主機電腦40之控制下之一焦點控制電路43控制相對於樣品31之焦點。此外，台32上之樣品31係自一自動裝載機(未展示)載運而來。

如前文所闡釋，檢查單元10包含光學條件不同之複數個檢查機構11至13，但可提供各種類型之機構作為具有不同光學條件之檢查機構。

舉例而言，可使用如圖4A中所展示之一透射照明光學系統及如圖4B中所展示之一反射照明光學系統來使檢查機構之光學條件不 同。圖式中之符號31至36標示與圖1之彼等部分相同之部分且符號38指示反射來自光源側之入射光且透射來自樣品側之反射光之一半反射鏡。

可使用一圓形偏光照明光學系統之一檢查機構及一線性偏光照明光學系統之一檢查機構來使檢查機構之光學條件不同。此外，可使用一明視場照明光學系統之一檢查機構及一暗視場照明光學系統之一檢查機構。期望藉由反射照明使用一明視場照明光學系統以輸入具有高對比度之一檢查影像。

作為使檢查機構之光學條件不同之另一實例，可使用其中設定不同照明光學系統之西格瑪比(sigma ratio)及焦點移位量之複數個光學系統。亦即，使用其中每一照明光學系統之西格瑪比及焦點移位量中之至少一者不同之複數個檢查機構且可自各別檢查機構獲取樣品31之檢查影像。此外，在每一檢查機構中，使照明光學系統之西格瑪比及焦點移位量可變且可藉由改變西格瑪比及焦點移位量中之至少一者來獲取樣品31之一檢查影像。

奈米壓印模板以一簡單結構形成，該簡單結構具有其中在分離一鉻膜時留下玻璃之一區域及藉由蝕刻玻璃獲得之一部分，且該奈米壓印模板變為具有100%之一光學透射因數之一階段物質。因此，必須適當地設定西格瑪比及焦點移位量以獲取具有高對比度之一檢查影像。通常，期望將西格瑪比設定為0.1至0.5且根據缺陷類型適當地設定焦點移位量。

並非總是必需提供複數個檢查機構作為檢查單元10，且可改變一個檢查機構之光學條件以檢查同一樣品。在圖2之檢查機構中，舉例而言，改變焦點以設定一前焦點、恰好對焦及後焦點之三個焦點條件。因此，甚至當使用一個裝置時，亦可使用該裝置作為複數個檢查機構11至13。

判定單元20包含將複數個檢查影像自檢查單元10輸入至其的複數個邊緣提取電路21至23及基於邊緣提取電路21至23之輸出判定一圖案缺陷之存在或不存在之一缺陷判定電路25。邊緣提取電路21至23加重輸入檢查影像之灰階變化以獲取邊緣影像。缺陷判定電路25判定是否超過針對來自邊緣提取電路21至23之各別邊緣影像預先設定之臨限值。當判定超過邊緣影像之臨限值中之至少一者時，判定在圖案中存在缺陷且輸出缺陷資訊。

接下來，闡釋本發明實施例中之缺陷判定操作。

在各別邊緣提取電路21至23中處理檢查單元10中所獲取之複數個檢查影像且提取檢查影像中之圖案之邊緣。然後，將邊緣輸入至缺陷判定電路25，判定一缺陷之存在或不存在，且若存在缺陷則輸出缺陷資訊。在此情形中，藉由拍攝具有檢查機構之光學系統中之解析度極限或小於該解析度極限之重複精細圖案來獲得檢查影像。在(舉例而言)線與空間之間距係P、檢查波長係λ且數值孔徑係NA時，該解析度極限經如下定義。

P=0.61×λ/NA

在此實施例中，將檢查P<<0.61×λ/NA或更小之一範圍中之一物件。奈米壓印主模板及其複製品經形成而具有包含以上解析度極限或小於以上解析度極限之線與空間且不能藉助於一檢查機構藉由光學檢查解析。

此外，藉由在改變光學條件時獲得及收集之影像組態複數個檢查影像。在此情形中，檢查影像並不限於用於一半導體檢查之一UV光學影像且可係低解析度之一SEM影像。舉例而言，可藉由透射照明或反射照明或者一明視場光學系統或暗視場光學系統獲得光學條件之差異。此外，可考量其中設定不同照明光學系統之西格瑪比及焦點移位量之一光學系統或基於圓形偏光或線性偏光之一照明光學系統。

即使缺陷係一重大缺陷，該缺陷亦無法在一特定光學條件下偵測且可在一規定之光學條件下有效地偵測。因此，在缺陷判定電路25中，檢查在複數個光學條件下獲得之檢查影像之邊緣，且若辨識出甚至一個缺陷則判定存在一缺陷。

圖5A、圖5B展示奈米壓印模板及輸入影像之一短路缺陷與一開路缺陷之間的關係。圖5A展示短路缺陷之情形且圖5B展示開路缺陷之情形。作為輸入影像之一實例，展示藉由改變照明系統之模式所獲得之兩種類型之影像。該等影像係藉由使用邊緣提取電路處理檢查影像而獲得之邊緣影像。假設將透射照明光學系統設定為(模式1)且將反射照明光學系統設定為(模式2)。一模板缺陷觀察為如每一影像之中心中所展示之一亮點或暗點。此外，由於將模板之線寬度尺寸設定為光學解析度或小於光學解析度，因此未將其經解析為線與空間。代替此，線寬誤差粗糙度(LER)或諸如此類以背景雜訊之形式分佈為一紋理影像。此使得難以偵測一精細短路缺陷或開路缺陷。

針對如圖5A中所展示之短路缺陷，在(模式1)中難以識別缺陷且在(模式2)中容易識別缺陷。另一方面，針對如圖5B中所展示之開路缺陷，在(模式1)中容易識別缺陷且在(模式2)中難以識別缺陷。亦即，存在適用於根據缺陷類型偵測一缺陷之一模式。因此，藉由以複數種模式進行檢查穩定地檢查缺陷變得可能。

應理解，在關於如圖6A中所展示之一輸入影像(邊緣影像)比較有缺陷部分(圖6B)與背景(圖6C)中之一灰階之直方圖時，有缺陷部分上之一色散值變得較大。因此，根據色散度偵測僅一缺陷變得可能。

因此，根據本發明實施例，可藉由在於不同光學條件下所拍攝之複數個檢查影像中判定一缺陷而在准許基礎雜訊之同時以高敏感度迅速地檢查奈米壓印模板之重大缺陷。

此外，在此實施例中，可藉由拍攝具有光學系統之解析度極限 或小於該解析度極限之重複精細圖案而僅偵測缺陷。因此，可減少可在使用一高解析度影像時導致之假缺陷之發生，且不需要慣例上所需要的一程序，諸如一影像對準程序或諸如此類。因此，可降低裝置成本。

此外，可藉由選擇檢查單元10中之檢查機構11至13(選擇不同光學條件)獲得以下效應。

藉由使用其中設定不同照明光學系統之西格瑪比及焦點移位量之一光學系統而偵測奈米壓印模板之一開路缺陷或短路缺陷、一雜質拓撲缺陷或諸如此類係有用的。

可藉由利用透射照明及反射照明作為光學條件而獲得以下效應。亦即，由於奈米壓印模板係透明的，因此可獲得可在反射光學系統中將影像對比度設定為較高之一優點。藉由同時自透射光學系統收集影像而偵測不透明雜質變得可能。

可藉由利用基於圓形偏光或線性偏光之一照明光學系統作為光學條件而獲得以下效應。亦即，可藉由改變線與空間之圖案中之偏光條件或諸如此類而獲得增強缺陷偵測敏感度之效應。

通常，使用明視場照明，但可藉由使用暗視場照明預期抑制背景之一雜訊分量之效應。

(第二實施例)

圖7係用於圖解說明根據一第二實施例之一缺陷檢查裝置之操作之一流程圖。

本實施例之基本組態與第一實施例之基本組態相同且在此實施例中改良了邊緣提取電路21至23之程序。

在邊緣提取電路21至23中，在輸入一檢查影像(步驟S1)之後，藉由如圖8A中所展示在整個影像中掃描將一目標像素設定為一中心的大小為N×N之一窗來計算每一窗區域中之一平均階度值及色散(步驟 S2、S3)。此外，導出根據平均階度及色散所判定之一函數值且用該函數值(舉例而言，色散值)替換中心影像(步驟S4)。然後，基於用該函數值替換之中心影像來提取一邊緣影像且輸出如此提取之邊緣影像(步驟S5)。

因此，將如圖8B中所展示之輸入影像轉換為如圖8C中所展示之一邊緣影像。亦即，獲得其中有缺陷部分變大且邊緣經加重之一影像。可放大窗大小N以增強計算精確度。此外，可使窗大小N較小以增強空間解析度。

為在准許基礎雜訊之同時偵測一重大缺陷，必需多加關注其統計變化。基礎雜訊並非局部具有規定之指向性，且毗鄰像素之間的一階度變化相對較小。該重大缺陷展現與周圍像素相比局部發亮或發暗之一點之特性，且在亮點或暗點之周邊部分中具有一振動波形，且毗鄰像素之間的一階度變化變大。

因此，針對將目標像素設定為一中心之一窗(舉例而言，N×N像素)中之影像計算平均階度及色散，且在目標影像中代入根據平均階度及色散所判定之一函數值。因此，可區分缺陷與基礎雜訊。

在此情形中，可藉由考量缺陷及基礎雜訊之頻率特性而適當選擇窗之大小。作為函數之定義，可考量以下值。

(色散)

(色散)+(係數)×(平均階度)

(色散)+(係數)×(平均階度)²

該色散具有與由拉製程序導致的線邊緣粗糙度之量值之平方成比例地變化之一性質。與使用一空間差動濾波器之一方法相比，以上方法並不取決於一規定之邊緣方向且給出可在抑制基礎雜訊之同時加重缺陷之一非線性效應。此外，可藉由使用一邏輯電路及電腦程式容易地執行計算平均階度及色散之操作。此方法不限於一光學檢查且可 藉助於利用大量電荷之一電子束掃描顯微鏡而應用於使用低對比度之影像之一檢查。

圖9A、圖9B展示在藉由將以上濾波器應用於一檢查影像所獲得之程序之前及之後所獲得之影像。應理解，可在圖9B中所展示的在應用濾波器之後之影像中而非在圖9A中所展示的在應用濾波器之前之影像中更清晰地提取一影像缺陷。

因此，在此實施例中，當光學檢查奈米壓印模板時，除第一實施例之外，亦可藉由應用統計空間濾波器加強一缺陷信號且減少基礎雜訊。因此，可更有效地偵測僅重大缺陷。此外，在此實施例中，不論圖案之方向如何，皆可獲得一穩定信號。

(第三實施例)

圖10係用於圖解說明根據一第三實施例之一缺陷檢查裝置之操作之一流程圖。

該裝置之基本組態與第一實施例之組態相同且在此實施例中改良了邊緣提取電路21至23中之程序。

在邊緣提取電路21至23中，在輸入一檢查影像(步驟S11)之後，設定用於進行一缺陷檢查之一有效區域(步驟S12)。然後，在整個影像中掃描大小為N×N之一窗且計算每一窗區域中之一平均階度值及色散(步驟S13、S14)。此外，導出根據平均階度及色散所判定之一函數值且用該函數值替換中心影像(步驟S15)。然後，遮蔽有效區域外部之像素(步驟S16)。在此狀態中，基於用該函數值替換之中心影像提取一邊緣影像，且輸出如此提取之邊緣影像(步驟S17)。

舉例而言，第二實施例中所闡述之方法在線與空間之重複圖案之情形中不會有問題。然而，舉例而言，由於在晶片之周邊區域中亮度與暗度之間的差異變得較大，因此此差異導致錯誤偵測。在此一情形中，除用於預先限制並規定一檢查區域之一方法之外，亦考量用於 辨識周邊圖案且抑制缺陷偵測之一方法。作為用於辨識周邊圖案之方法，偵測一窗之最大階度且判定是否超過臨限值係有效的，此乃因周邊圖案之階度變得比線與空間之階度大。此外，若周邊圖案大到足以被解析，則考量藉由使用習用晶粒與晶粒間比較或晶粒與資料庫間比較方法來進行一檢查。

在此實施例中，在如第二實施例中提取邊緣影像之後，藉由遮蔽有效區域外部之像素而自缺陷檢查排除周邊圖案。因此，防止了缺陷檢查之錯誤偵測。在此情形中，有效區域由具有小於或等於檢查光學系統之解析度之微小尺寸之一重複圖案區域定義。周邊圖案係具有待由檢查光學系統解析之大尺寸之一圖案區域。因此，若不執行遮罩程序，則出現可在接近於周邊圖案之檢查區域中錯誤地偵測一缺陷之一可能性。可藉由輸入指示檢查區域之屬性資料且抑制一非檢查區域中之偵測來執行遮罩程序。

如圖11A至圖11C中所展示，應理解，提供藉由消除周邊圖案防止錯誤偵測之效應。若不關於圖11A中所展示之一輸入影像執行遮罩程序，則會偵測一邊緣部分且此部分可錯誤地偵測為一缺陷，如圖11B中所展示。另一方面，若執行遮罩程序，則不會偵測一邊緣部分且可預先防止錯誤偵測，如圖11C中所展示。

因此，根據此實施例，可獲得與第二實施例之效應相同之效應且可抑制因檢查區域外部之周邊圖案所致之一假缺陷之發生。

(修改)

本發明不限於以上實施例。

具有不同光學條件之檢查機構未必限於以上實施例中所闡述之機構類型且可應用各種類型之檢查機構。此外，具有不同光學條件之檢查機構之數目並非有限的且若提供複數個檢查機構則足夠。另外，甚至當使用僅一個檢查機構時，若使該檢查機構之組態容易地改變光 學條件，則亦可使用該檢查機構來代替複數個檢查機構。

此外，舉例而言，在該等實施例中，闡釋針對奈米壓印模板之缺陷檢查，但缺陷檢查並不限於此情形且可應用於各種類型之遮罩缺陷檢查。另外，該缺陷檢查可應用於針對具有包含檢查機構之解析度極限或小於該解析度極限之一圖案之一樣品之一檢查。

雖然已闡述特定實施例，但此等實施例已僅以實例之方式呈現，且不意欲限制本發明之範疇。實際上，本文所闡述之新穎實施例可以多種其他形式體現；此外，可在不背離本發明之精神之情況下在本文中所闡述之實施例之形式上做出各種省略、替代及改變。附圖及其等效物意欲涵蓋如將歸屬於本發明之範疇及精神內之此等形式或修改。

10‧‧‧檢查單元

11‧‧‧檢查機構

12‧‧‧檢查機構

13‧‧‧檢查機構

20‧‧‧判定單元

21‧‧‧邊緣提取電路

22‧‧‧邊緣提取電路

23‧‧‧邊緣提取電路

25‧‧‧缺陷判定電路

Claims (20)

1. 一種缺陷檢查裝置，其包括：一檢查單元，其經組態以藉由相對於一待檢查樣品在不同光學條件下拍攝不大於一光學系統之一解析度極限之重複圖案而獲取複數個檢查影像，一邊緣影像提取單元，其經組態以自該複數個檢查影像分別提取邊緣影像，及一缺陷判定單元，其經組態以基於該複數個邊緣影像判定該圖案之一缺陷之存在。
2. 如請求項1之裝置，其中該檢查單元包含其中照明光學系統之西格瑪比及焦點移位量中之至少一者不同之複數個檢查機構且自該複數個檢查機構獲取該等檢查影像。
3. 如請求項1之裝置，其中該檢查單元包含其中一照明光學系統之一西格瑪比及焦點移位量兩者皆可變之一個檢查機構且改變該西格瑪比及焦點移位量中之至少一者以獲取該複數個檢查影像。
4. 如請求項1之裝置，其中該檢查單元包含一透射照明檢查機構及反射照明檢查機構且自該等各別檢查機構獲取該等檢查影像。
5. 如請求項1之裝置，其中該檢查單元包含一圓形偏光照明光學系統之一檢查機構及一線性偏光照明光學系統之一檢查機構且自該等各別檢查機構獲取該等檢查影像。
6. 如請求項1之裝置，其中該檢查單元包含一明視場光學系統之一檢查機構及一暗視場光學系統之一檢查機構且自該等各別檢查機構獲取該等檢查影像。
7. 如請求項1之裝置，其中該邊緣影像提取單元提取其中該檢查影 像之一灰階之一變化經加重之一邊緣影像。
8. 如請求項1之裝置，其中該邊緣影像提取單元計算針對該檢查影像之每一像素將一像素設定為一中心之具有N像素×N像素之一窗之一平均階度(gradation)值及色散、將根據該平均階度值及色散所判定之一函數值代入一中心像素且基於用該函數值替換之該中心影像提取該邊緣影像。
9. 如請求項8之裝置，其中該邊緣影像提取單元遮蔽其中針對該檢查影像之每一像素將該像素設定為一中心之該窗之一最大階度值已超過一臨限值之一區域而非代入該函數值。
10. 如請求項1之裝置，其中該缺陷判定單元相對於該各別複數個邊緣影像判定一缺陷之存在且當在該複數個邊緣影像中之至少一者中辨識出一缺陷時判定一缺陷之存在。
11. 一種缺陷檢查裝置，其包括：一檢查單元，其經組態以藉由相對於其上形成有不大於一光學系統之一解析度極限之重複圖案之一奈米壓印模板在不同光學條件下拍攝該等重複圖案而獲取複數個檢查影像，一邊緣影像提取單元，其經組態以自該複數個檢查影像提取其中一灰階之變化經加重之邊緣影像，及一缺陷判定單元，其經組態以基於該複數個邊緣影像判定該圖案之一缺陷之存在。
12. 如請求項11之裝置，其中該檢查單元包含其中一照明光學系統之一西格瑪比及焦點移位量中之至少一者不同之複數個檢查機構且自該複數個檢查機構獲取該等檢查影像。
13. 如請求項11之裝置，其中該檢查單元包含其中一照明光學系統之一西格瑪比及焦點移位量兩者皆可變之一個檢查機構且改變該西格瑪比及焦點移位量中之至少一者以獲取該複數個檢查影 像。
14. 如請求項11之裝置，其中該檢查單元包含一透射照明檢查機構及反射照明檢查機構且自該等各別檢查機構獲取該等檢查影像。
15. 如請求項11之裝置，其中該檢查單元包含一圓形偏光照明光學系統之一檢查機構及一線性偏光照明光學系統之一檢查機構且自該等各別檢查機構獲取該等檢查影像。
16. 如請求項11之裝置，其中該檢查單元包含一明視場光學系統之一檢查機構及一暗視場光學系統之一檢查機構且自該等各別檢查機構獲取該等檢查影像。
17. 如請求項11之裝置，其中該邊緣影像提取單元計算針對該檢查影像之每一像素將一像素設定為一中心之具有N像素×N像素之一窗之一平均階度值及色散、將根據該平均階度值及色散所判定之一函數值代入一中心像素且基於用該函數值替換之該中心影像提取該邊緣影像。
18. 如請求項17之裝置，其中該邊緣影像提取單元遮蔽其中針對該檢查影像之每一像素將該像素設定為一中心之該窗之一最大階度值已超過一臨限值之一區域而非代入該函數值。
19. 如請求項11之裝置，其中該缺陷判定單元相對於該各別複數個邊緣影像判定一缺陷之存在且當在該複數個邊緣影像中之至少一者中辨識出一缺陷時判定一缺陷之存在。
20. 一種缺陷檢查裝置，其包括：一檢查單元，其經組態以藉由在其中相對於一待檢查樣品改變一照明光學系統之一西格瑪比及焦點移位量中之至少一者之不同光學條件下拍攝不大於一光學系統之一解析度極限之重複圖案而獲取複數個檢查影像， 一邊緣影像提取單元，其經組態以藉由以下步驟自該複數個檢查影像分別提取邊緣影像：計算針對該檢查影像之每一像素將一像素設定為一中心之一窗之一平均階度值及色散；將根據該平均階度值及色散所判定之一函數值代入一中心像素；基於用該函數值替換之該中心影像提取一邊緣影像；及遮蔽其中該窗之一最大階度值已超過一臨限值之一區域而非代入該函數值，及一缺陷判定單元，其經組態以基於該複數個邊緣影像判定該圖案之一缺陷之存在。