JP2012015464A - 欠陥検査装置 - Google Patents
欠陥検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012015464A JP2012015464A JP2010153346A JP2010153346A JP2012015464A JP 2012015464 A JP2012015464 A JP 2012015464A JP 2010153346 A JP2010153346 A JP 2010153346A JP 2010153346 A JP2010153346 A JP 2010153346A JP 2012015464 A JP2012015464 A JP 2012015464A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- image
- lights
- defect
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】欠陥検査装置10は、ナノサイズの予め定めたパターンが形成された透光性を有するナノインプリントモールド12に、前記ナノサイズより大きい波長の照明光を照射する光源14と、照射光が照射されるナノインプリントモールド12を透過する光を二つの光に分割するハーフミラー18と、分割された二つの光が、予め定めた方向に横ずれするように前記二つの光を各々偏向させる偏向器20A、20Bと、偏向された二つの光の位相差φがπ−Δ(−90°<Δ<90°)となるように、二つの光の少なくとも一方の光の位相をシフトさせる位相シフタ28と、位相シフトされた二つの光を合波するハーフミラー30と、合波された光を結像させる結像レンズ32と、結像された光学像を撮像する撮像素子34と、を備える。
【選択図】図1
Description
12 ナノインプリントモールド
14 光源
16 コリメートレンズ
18 ハーフミラー
20A、20B 偏向器
22、26 ミラー
24 位相補償板
28 位相シフタ
28A、28B プリズム
30 ハーフミラー
32 結像レンズ
34 撮像素子
40 制御部
42A、42B 駆動部
44 駆動部
46 メモリ
72、82、84、90 レンズ
76 λ/2板
78 偏光分離器
80 位相シフト器
86 偏光合波器
88 検光子
90 結像レンズ
122 純水
124 液浸部
132 周期パターンカットマスク
Claims (5)
- ナノサイズの予め定めたパターンが形成された透光性を有するナノインプリントモールドに、前記ナノサイズより大きい波長の照明光を照射する光照射手段と、
前記照明光が照射される前記ナノインプリントモールドを透過する光を二つの光に分割する光分割手段と、
分割された二つの光が、予め定めた方向に横ずれするように前記二つの光を各々偏向させる偏向手段と、
前記偏向手段により偏向された前記二つの光の位相差がπ−Δ(−90°<Δ<90°)となるように、前記二つの光の少なくとも一方の光の位相をシフトさせる位相シフト手段と、
前記位相シフト手段により位相シフトされた前記二つの光を合波する合波手段と、
前記合波手段により合波された光を結像させる結像レンズと、
前記結像レンズにより結像された光学像を撮像する撮像手段と、
を備えた欠陥検査装置。 - 前記パターンは、複数の同一パターンを含み、
前記偏向手段は、前記二つの光による像が、二つの同一パターンの像となるように、前記二つの光を各々偏向させる
請求項1記載の欠陥検査装置。 - 前記撮像手段により撮像された画像と、予め定めた形状の欠陥像を含む比較画像と、の相関画像を生成する相関画像生成手段
を備えた請求項1又は請求項2記載の欠陥検査装置。 - 前記ナノインプリントモールドの前記パターンが形成された面と反対側の面を純水に浸す液浸手段
を備えた請求項1〜請求項3の何れか1項に記載の欠陥検査装置。 - 前記パターンに対応したフーリエ変換パターンの光学像が形成されるフーリエ変換面に、前記フーリエ変換パターンの光学像をカットするマスク手段が設けられた
請求項1〜請求項4の何れか1項に記載の欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010153346A JP5554164B2 (ja) | 2010-07-05 | 2010-07-05 | 欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010153346A JP5554164B2 (ja) | 2010-07-05 | 2010-07-05 | 欠陥検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012015464A true JP2012015464A (ja) | 2012-01-19 |
JP5554164B2 JP5554164B2 (ja) | 2014-07-23 |
Family
ID=45601504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010153346A Expired - Fee Related JP5554164B2 (ja) | 2010-07-05 | 2010-07-05 | 欠陥検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5554164B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014033173A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-02-20 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリントリソグラフィ用マスクおよびその製造方法 |
JP2014110407A (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 設計欠陥マスクの製造方法 |
JP2015046490A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | 大日本印刷株式会社 | 検査方法、ナノインプリント用モールド製造方法、ナノインプリント方法、および、検査装置 |
TWI497032B (zh) * | 2012-08-10 | 2015-08-21 | Toshiba Kk | 缺陷檢查裝置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017166919A (ja) | 2016-03-15 | 2017-09-21 | 東芝メモリ株式会社 | テンプレートの欠陥検査方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09138198A (ja) * | 1995-11-15 | 1997-05-27 | Nikon Corp | 欠陥検査装置 |
JPH10504905A (ja) * | 1994-10-25 | 1998-05-12 | ピクセル・システムズ・インコーポレイテッド | 光学的計算を用いる物体表面のパターン検査器及びパターン検査方法 |
JP2001027611A (ja) * | 1999-07-13 | 2001-01-30 | Lasertec Corp | 欠陥検査装置 |
JP2005308725A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 透明板欠陥検査装置 |
JP2006071611A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Hamamatsu Photonics Kk | 蛍光顕微鏡および蛍光相関分光解析装置 |
JP2010078400A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | テンプレート検査方法および欠陥検査装置 |
-
2010
- 2010-07-05 JP JP2010153346A patent/JP5554164B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10504905A (ja) * | 1994-10-25 | 1998-05-12 | ピクセル・システムズ・インコーポレイテッド | 光学的計算を用いる物体表面のパターン検査器及びパターン検査方法 |
JPH09138198A (ja) * | 1995-11-15 | 1997-05-27 | Nikon Corp | 欠陥検査装置 |
JP2001027611A (ja) * | 1999-07-13 | 2001-01-30 | Lasertec Corp | 欠陥検査装置 |
JP2005308725A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 透明板欠陥検査装置 |
JP2006071611A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Hamamatsu Photonics Kk | 蛍光顕微鏡および蛍光相関分光解析装置 |
JP2010078400A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | テンプレート検査方法および欠陥検査装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014033173A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-02-20 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリントリソグラフィ用マスクおよびその製造方法 |
JP2017126780A (ja) * | 2012-07-11 | 2017-07-20 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリントリソグラフィ用マスクおよびその製造方法 |
TWI497032B (zh) * | 2012-08-10 | 2015-08-21 | Toshiba Kk | 缺陷檢查裝置 |
JP2014110407A (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 設計欠陥マスクの製造方法 |
JP2015046490A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | 大日本印刷株式会社 | 検査方法、ナノインプリント用モールド製造方法、ナノインプリント方法、および、検査装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5554164B2 (ja) | 2014-07-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101735403B1 (ko) | 검사 방법, 템플릿 기판 및 포커스 오프셋 방법 | |
JP4760564B2 (ja) | パターン形状の欠陥検出方法及び検出装置 | |
JP5444334B2 (ja) | 干渉欠陥検知及び分類 | |
JP4869129B2 (ja) | パターン欠陥検査方法 | |
KR102529770B1 (ko) | 관심 특성을 결정하는 계측 장치 및 방법 | |
TWI402498B (zh) | 影像形成方法及影像形成裝置 | |
JPH06294750A (ja) | 光学式基板検査装置 | |
CN107683400A (zh) | 用于测量在半导体晶片上的高度的方法及设备 | |
JP5554164B2 (ja) | 欠陥検査装置 | |
JP2006085182A (ja) | 自動フォトマスク検査装置及び方法 | |
KR20170028847A (ko) | 포토마스크 블랭크의 결함 검사 방법, 선별 방법 및 제조 방법 | |
KR101522676B1 (ko) | 패턴 검사 장치 | |
US20160088213A1 (en) | Inspection apparatus, coordinate detection apparatus, coordinate detection method, and wavefront aberration correction method | |
JP4645113B2 (ja) | 光検査方法及び光検査装置並びに光検査システム | |
JP2018120211A (ja) | フォトマスクブランクの欠陥検査方法、選別方法及び製造方法 | |
JP5279280B2 (ja) | 形状測定装置 | |
JP2012026977A (ja) | 欠陥検査装置 | |
JP2011169743A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP2014235365A (ja) | フォーカス制御方法、及び光学装置 | |
JP2012042218A (ja) | 欠陥検査装置 | |
JP2012018096A (ja) | 欠陥検査装置 | |
JP5825622B2 (ja) | 変位・ひずみ分布計測光学系と計測手法 | |
JP4518704B2 (ja) | 位相シフトマスク検査装置及び位相シフトマスク検査方法 | |
JP2006194799A (ja) | 形状と材質の測定方法 | |
JP4555925B2 (ja) | 立体形状測定装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121220 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130918 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130924 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140528 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5554164 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |