JP2012018096A - 欠陥検査装置 - Google Patents
欠陥検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012018096A JP2012018096A JP2010156129A JP2010156129A JP2012018096A JP 2012018096 A JP2012018096 A JP 2012018096A JP 2010156129 A JP2010156129 A JP 2010156129A JP 2010156129 A JP2010156129 A JP 2010156129A JP 2012018096 A JP2012018096 A JP 2012018096A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polarization
- light
- lights
- pattern
- defect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
【課題】検査対象物に形成された異方性のパターンの欠陥を精度良く検出する。
【解決手段】欠陥検査装置10は、予め定めたパターンが形成された透光性を有するナノインプリントモールド12に、照明光を照射する光源14と、前記照明光を偏光状態が直交する二つの光に分離する偏光分離素子16と、分離された前記二つの光の偏光方向が同一となるように前記二つの光の少なくとも一方の偏光方向を変更するλ/2板20Aと、ナノインプリントモールド12を透過した二つの光の偏光方向が直交するように前記二つの光の少なくとも一方の偏光方向を変更するλ/2板20Bと、二つの光を結合する偏光結合素子24と、偏光結合素子24により結合された光の光学像を撮像する撮像素子26と、を備える。
【選択図】図1
【解決手段】欠陥検査装置10は、予め定めたパターンが形成された透光性を有するナノインプリントモールド12に、照明光を照射する光源14と、前記照明光を偏光状態が直交する二つの光に分離する偏光分離素子16と、分離された前記二つの光の偏光方向が同一となるように前記二つの光の少なくとも一方の偏光方向を変更するλ/2板20Aと、ナノインプリントモールド12を透過した二つの光の偏光方向が直交するように前記二つの光の少なくとも一方の偏光方向を変更するλ/2板20Bと、二つの光を結合する偏光結合素子24と、偏光結合素子24により結合された光の光学像を撮像する撮像素子26と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、欠陥検査装置に係り、特に、ナノインプリントモールドの欠陥検査装置に関する。
半導体リソグラフィのロードマップ(例えばSEMATECH Lithography Forum 2008)によると、次々世代2016年の回路線幅HPは16−22nmと想定されている。その世代の露光装置・方式は、従来の延長である縮小投影露光方式と、新規にナノインプリント(NIL:Nano−Imprint Lithography)方式が検討されている。
前者の光学方式においては、現行使用されている波長193nmを発振するArFレーザを光源とした露光では分解能が不足であるため、液浸法のダブルパターニングや波長13.5nmのEUV光源が必要で、これらの研究・開発が急ピッチで進められている。液浸ダブルパターニング法は、2回露光によるスループット低下とコストアップが課題である。EUV光源は、ArFレーザより一桁以上も波長が短く、その光源と光学系の実用化研究は、困難度が極めて高い。
それに対し、近年、ナノスケールの凹凸パターンが形成されたナノインプリントモールド(金型)を樹脂薄膜が塗布された基板に押し当てて、樹脂薄膜に凹凸パターンを転写する成形加工技術であるナノインプリント技術を半導体デバイスの製造技術に利用することが検討されている。
この方法は、フォトリソグラフィ技術等と比較して、簡便且つ低コストでナノスケールの加工が可能である。
しかしながら、ナノインプリントモールドは、ナノスケールの微細な凹凸パターンが形成されるため、その欠陥を高精度で検出する必要がある。
従来の露光マスクとナノインプリントモールドとの間には、光学的に、以下に示す2つの大きな相違点がある。
(1)欠陥サイズの微細化(等倍光学系の影響)
従来の半導体露光は4倍の縮小光学系を組んでいるのに対し、ナノインプリントにおいては等倍のモールドを用いる。従って、露光マスクの欠陥サイズが、半導体製品の欠陥サイズの4倍で数10nm〜100nmであるのに対し、ナノインプリントモールドの欠陥サイズは、半導体の欠陥サイズと等しい10nm程度に抑える必要がある。この欠陥サイズは、光の波長(DUV光/遠紫外線のArFレーザで、193nm)に対して1桁以上も小さい。
(2)測定サンプルの光学物性
露光マスクは、透明な石英基板上に金属(主にCr)にてパターンを作製している。Crは不透明かつ金属光沢を持つため、サンプルに照射された光は反射・散乱と吸収とを受け、透過光・反射光とも光量が大きく変化する。従って、欠陥の有無を、直接、光の明暗として検出することができる。一方、ナノインプリントモールドは石英基板自身の凹凸によりパターンを作成しているため、欠陥は、透明体の微小な凹凸の差に過ぎない。このため、ナノインプリントモールドにおいては、欠陥が存在しても微小な位相ずれが生じるだけで、欠陥の有無に拘わらず透過する光の強度は同等となる(以下このような物体を「位相物体」と呼ぶ)。
これらいずれの相違点も、ナノインプリントモールドの欠陥検査を難しくしている。
透明材料(位相物体)の凹凸を検出する方法としては、例えば特許文献1、2に記載されたような干渉顕微鏡による方法が考えられる。
特許文献1には、複屈折偏光部材を用いた干渉顕微鏡により位相シフトマスクの位相シフト量を検査する装置が開示されている。
特許文献2には、干渉顕微鏡により、パターンの無欠陥部分を光学的に消去して欠陥部分を光学的に抽出することにより検出する装置が開示されている。
しかしながら、特許文献1記載の技術は、透明領域通過部分と位相シフト領域部分との比較しかできない。また、複屈折性偏光部材から出射された、互いに垂直で異なる偏光方向の光が測定部と参照部とをそれぞれ照射するため、たとえ測定部と参照部のパターンが同一であっても、有効屈折率が測定部を透過した測定光と参照部を透過した参照光とで異なるとともに、偏光の回転が測定光と参照光とで異なる。このため、測定光と参照光とを結合させたときに干渉が生じない成分が残り、光量差によって測定光と参照光の同一パターンのキャンセルが不完全になるとともに、欠陥の誤検出や見落としが生じてしまう、という問題がある。
この問題について、具体的に説明する。
ナノインプリントモールドのように、光の波長よりも小さい欠陥サイズ(数nm〜数十nm)を検出する場合、像として欠陥形状を分解することはできず、その面積差に起因する屈折率の差として像の明暗を検出することになる。この場合、欠陥が無い場合には、測定光と参照光との偏光状態が同一であれば両者がキャンセルし合い、画面全体が同一強度となる。
ところが、本発明者らが特許文献1の図1に記載されたような干渉法を用いた装置でナノサイズの欠陥の検出ができるか実験したところ、図7(A)の左側に示したナノインプリントモールド100Aのパターンがない部分に対して同図(A)の右側に示したように欠陥100が形成されている場合や、図7(B)に示したような角柱形状のパターン104が形成されたナノインプリントモールド100Bに対して同図(B)の右側に示したように欠陥102が形成されている場合については、欠陥を検出できるものの、図8に示すような実際の半導体の回路パターン106に基づいて作成されたナノインプリントモールドの欠陥については、欠陥の誤検出や見落としが生じるだけでなく、欠陥の無い同一パターンのナノインプリントモールドを測定しても同一パターンのキャンセルが不完全となる問題が生じた。
そこで、本発明者らは、検出光の偏光方向とパターンの方向との関係を精査した。その結果、図7(A)、(B)に示したような等方性のパターン、すなわち対称性の高いパターンに対しては、入射光の偏光状態に拘わらず、干渉法を用いた装置で同一パターンをキャンセルできるが、図8に示したような異方性の強いパターン、すなわち非対称性の高いパターンに対しては、入射光の偏光によってはキャンセルできないことを見出した。
この原因を解明するために、本発明者らは、図9(A)に示すような、簡単な異方性のパターン108が形成されたナノインプリントモールド110に偏光方向がTE方向と、TE方向と直交するTM方向と、の二つの偏光方向の光が入射した場合を想定し、当該二つの偏光方向の光の有効屈折率をシミュレーションした。なお、パターン108Aは、空気(屈折率n1=1)とし、パターン108Bは石英(屈折率n2=1.5)とした。図9(B)にその結果を示す。なお、横軸は空気の割合、縦軸は有効屈折率である。同図(B)に示すように、異方性を持つパターン108に、偏光方向がTE方向と、TE方向と直交するTM方向の光を入射した場合、それぞれの光の有効屈折率nTE、nTMが異なることが判った(構造性複屈折)。
図10には、偏光の回転による二つの光束の結合時の光量変動の計算結果について示した。同図に示すように、測定部を透過した測定光112と参照部を透過した参照光114とが垂直な偏光方向を維持したままナノインプリントモールドを透過した場合、測定部と参照部が同一パターンであれば測定光112と参照光114とが互いにキャンセルされ、干渉光116の光量は零となる。
一方、測定光と参照光の偏光方向が垂直な状態が維持されず、例えば測定光112と偏光方向が回転した参照光118とがナノインプリントモールドを透過した場合、キャンセルされずに干渉光120の光量は零とはならず変動する。
実際の半導体回路やナノインプリントモールドのパターンは、図9(A)のように単純に一方向のみに向いているわけではない。従って、ナノインプリントモールドに入射した光はパターンの方向に従って異なった屈折率で屈折および透過するため、ナノインプリントモールドから出射された光は、図11に示すように、偏光軸が回転する。しかも、ナノインプリントモールドに入射する二つの光束の偏光方向が異なる場合、二つの光束は、各々異なった屈折率で屈折および透過してナノインプリントモールドから出射され、出射された二つの光束の偏光軸の回転量も異なったものになる。
この場合、特許文献1の図1に記載されたような装置に搭載された(複屈折性の)結晶素子で二つの光束を結合して干渉させても、二つの光束の屈折率及び偏光の回転に伴う二つの光束の光量差により、同一パターンをキャンセルすることができないことが判った。
なお、光の波長より大きな測定物・パターンに関しては、光にとってパターンは回折格子であり、波長及びパターン間隔に応じた方角に回折する。
このナノインプリントモールドと偏光方向に起因する問題は、特許文献1の図1に記載されたような複屈折性の結晶素子を用いた偏光分離方式だけでなく、例えばMZ(マッハツェンダー)方式のような全ての干渉方式に対しても問題になりうる。これは以下の理由による。すなわち、ナノサイズの欠陥を検出する場合、輝度を高めるとともにビーム径を小さくする必要があり、これらを両立させることは従来の面発光型のランプでは実現が困難であり、レーザのような点光源を用いなければならない。そして、半導体レーザや半導体露光に用いられるArFエキシマレーザが直線偏光であるように、一般にレーザ光は何らかの偏光を持っている場合が多い。また、図12(A)に示すような欠陥122、124のように、形状が等方性であることは稀であり、図12に示す欠陥126、128のように、何らかの異方性を持つのが普通だからである。
従って、干渉方式を用い、ナノインプリントモールドに直線偏光を入射させた場合、二つの光束間での光強度の差は無くても、同一サイズの欠陥に対する屈折率(感度)が異なり、その結果、欠陥を見落とす可能性が出てくる。
また、特許文献2の図10〜図12、明細書の段落「0026」〜「0029」には、回路パターンに応じた「光学像」およびその振幅(光の強度)パターン、即ち光の波長で形状を分解できる周期パターンの実像のパターンが記されている。
さらに、特許文献2記載の技術では、ウェハ上の2つの物点(周期パターン)からの光学像および周期パターンを干渉させることにより欠陥を検出するが、その際の周期パターンの影響を消すために両者間の位相差をπとしている。このような測定では、光学像を得られない光波長以下の欠陥からの信号を抽出するのは難しい。さらにレーリー散乱の式から判るように、物体からの散乱光量は、(欠陥)サイズの6乗に比例して著しく低下する。例えば、光学像が得られる最小のサイズは、数百nm程度であるが、ナノインプリントモールドにおいて必要とされる欠陥のサイズは10nmと、1.5桁小さい。これは、物体からの散乱光量が10桁近く減衰することを意味している。これにより、光の波長以下の欠陥部分からの信号(散乱光になる)は、バックグラウンドノイズや散乱光のレベルに埋もれてしまい、欠陥を検出することが困難である。
なお、特許文献2では、図2に示されているように、収束光路中に、シフト量及びシフト方向を調整するシフト調整手段(横ズラシ部材)46、56があるので、球面収差が発生し、信号光量の低下やノイズ(バックグラウンド)が上昇するなど干渉信号が劣化する。これによってもnmサイズの欠陥に対するS/Nが著しく低下し、欠陥検出をさらに困難にするという問題もある。
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、検査対象物に形成された異方性のパターンの欠陥を精度良く検出することが可能な欠陥検査装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、請求項1記載の発明は、予め定めたパターンが形成された透光性を有する検査対象物に、照明光を照射する光源と、前記照明光を偏光方向が直交する二つの光に分離する偏光分離素子と、分離された前記二つの光の偏光状態が同一となるように前記二つの光の少なくとも一方の偏光方向を変更すると共に、前記検査対象物を透過した二つの光の偏光方向が直交するように前記二つの光の少なくとも一方の偏光方向を変更する、又は、前記検査対象物に入射される前記二つの光の偏光方向と前記検査対象物に形成された前記パターンが形成された方向とが成す角度が略同一となるように、前記検査対象物の傾き角度を変更する変更手段と、前記二つの光を結合する偏光結合素子と、前記偏光結合素子により結合された光の光学像を撮像する撮像手段と、を備えたことを特徴とする。
この発明によれば、分離された前記二つの光の偏光方向が同一となるように前記二つの光の少なくとも一方の偏光方向を変更すると共に、前記検査対象物を透過した二つの光の偏光方向が直交するように前記二つの光の少なくとも一方の偏光方向を変更する、又は、前記検査対象物に入射される前記二つの光の偏光方向と前記検査対象物に形成された前記パターンが形成された方向とが成す角度が略同一となるように、前記検査対象物の傾き角度を変更する変更手段を備えたので、検査対象物に形成された異方性のパターンによる偏光依存性による影響を抑制することができ、欠陥を精度良く検出することが可能になる。
なお、請求項2に記載したように、前記変更手段は、前記偏光分離素子と前記検査対象物との間で且つ前記二つの光のうち一方の光の光路上に設けられた第1のλ/2板と、前記検査対象物と前記偏光結合素子との間で且つ前記一方の光の光路上に設けられた第2のλ/2板と、を含む構成としてもよい。
また、請求項3に記載したように、前記変更手段は、前記偏光分離素子と前記検査対象物との間で且つ前記二つの光の光路上に設けられた第1のλ/4板と、前記検査対象物と前記偏光結合素子との間で且つ前記二つの光の光路上に設けられた第2のλ/4板を含む構成としてもよい。
請求項4に記載したように、前記検査対象物が、ナノインプリントモールドである構成としてもよい。
本発明によれば、検査対象物に形成された異方性のパターンの欠陥を精度良く検出することが可能になる、という効果を有する。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
(第1実施形態)
図1には、本実施形態に係る欠陥検査装置10を示した。欠陥検査装置10は、ナノサイズの予め定めたパターンが形成されたナノインプリントモールド12の欠陥を検査するための装置である。
ナノインプリントモールド12は、例えば石英等の透光性を有する材料を用いて所謂ナノインプリントリソグラフィ(NIL)によって作製され、一方の面12Aにパターン幅やパターンピッチが数nm〜数十nmの予め定めたパターンが形成される。
図1に示すように、欠陥検査装置10は、視野分割する干渉顕微鏡であり、光源14、偏光分離素子16、レンズ18、λ/2板20A、20B、レンズ22、偏光結合素子24、及び撮像素子26を含んで構成されている。
光源14から出射された照明光Lは、偏光分離素子16に入射される。偏光分離素子16は、光源14から入射された光を図2(A)に示すように偏光方向が直交する二つの光束L1、L2に分離する。
偏光分離素子16を透過した光束L1、L2は、レンズ18によって平行光とされ、光束L1はλ/2板20Aに、光束L2はナノインプリントモールド12に入射する。
λ/2板20Aは、レンズ18を透過した光束L1の偏光軸を90°回転させ、図2(B)に示すように、レンズ18を透過した光束L2と同一の偏光方向に偏光する。
λ/2板20Bは、ナノインプリントモールド12を透過した光束L1の偏光軸を90°回転させ、ナノインプリントモールド12を透過した光束L2の偏光方向と直交する方向に偏光する。
λ/2板20Bを透過した光束L1とナノインプリントモールド12を透過した光束L2とは、レンズ22によって集光され、偏光結合素子24に入射する。偏光結合素子24は、光束L1、光束L2を結合する。偏光結合素子24によって結合された光による像は、撮像素子26によって撮像される。
このように、ナノインプリントモールド12上の異なる2つの領域を透過した光を合波した光の像を撮像できる。異なる2つの領域に同一パターンが形成されているのであれば、これらの像は干渉して打ち消し合うが、何れか一方に図7に示すような欠陥102がある場合、この欠陥102を強調した干渉画像を得ることができ、欠陥を検出することができる。
また、欠陥検査装置10では、レンズ18を透過した光束L1のみがλ/2板20Aを透過してナノインプリントモールド12に入射し、ナノインプリントモールド12を透過した光束L1のみλ/2板20Bを透過するように構成されている。このため、ナノインプリントモールド12に入射する光束L1及び光束L2の偏光方向が図2(B)に示すように同一となるため、同一パターンが精度良くキャンセルされた干渉画像を得ることができる。これにより、異方性のパターンの欠陥であっても精度良く検出することができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態について説明する。なお、欠陥検査装置10と同一部分には同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図3には、本実施形態に係る欠陥検査装置10Aの構成を示した。同図に示すように、欠陥検査装置10Aが図1に示した欠陥検査装置10と異なるのは、λ/2板20A、20Bに代えて、λ/4板21A、21Bを備えている点である。その他の構成は欠陥検査装置10と同一であるので、その詳細な説明は省略する。
光源14から出射された照明光Lは、偏光分離素子16に入射される。偏光分離素子16は、光源14から入射された光を図4(A)に示すように偏光方向が直交する二つの光束L1、L2に分離する。
偏光分離素子16を透過した光束L1、L2は、レンズ18によって平行光とされ、λ/4板21Aに入射する。
偏光方向が直交する直線偏光の光束L1、L2がλ/4板21Aに入射すると、光束L1、L2は、図4(B)に示すように、ともに円偏光の光束L1、L2となって出射される。
円偏光とされた光束L1、L2は、ナノインプリントモールド12を透過してλ/4板21Bに入射し、偏光方向が直交する直線偏光の光束L1、L2となって出射される。
このように、本実施形態に係る欠陥検査装置10Aでは、レンズ18とナノインプリントモールド12との間に、偏光方向が直交する光束L1、L2をともに円偏光に変換するλ/4板21Aを設けると共に、ナノインプリントモールド12とレンズ24との間に、円偏光の光束L1、L2を偏光方向が直交する直線偏光の光束L1、L2に変換するλ/4板21Bを設けた構成とした。
これにより、ナノインプリントモールド12に入射する光束L1及び光束L2が図4(B)に示すようにともに円偏光となるため、同一パターンが精度良くキャンセルされた干渉画像を得ることができる。これにより、異方性のパターンの欠陥であっても精度良く検出することができる。
(第3実施形態)
次に、本発明の第2実施形態について説明する。なお、欠陥検査装置10と同一部分には同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図5には、本実施形態に係る欠陥検査装置10Bの構成を示した。同図に示すように、欠陥検査装置10Bが図1に示した欠陥検査装置10と異なるのは、λ/2板20A、20Bが省略されており、かつ、ナノインプリントモールド12が、所定角度(図6(B)では一例として45°)傾けて配置されるようにナノインプリントモールド12の傾き角度を変更できるように構成されている点である。その他の構成は欠陥検査装置10と同一であるので、その詳細な説明は省略する。
図6(B)に示すように、ナノインプリントモールド12は、そのパターン30が伸びる方向Pと光束L1、L2の偏光方向とが成す角度がともに45°となるように傾けて配置されている。これにより、光束L1、L2が、偏光方向が直交する直線偏光であっても、パターン30の伸びる方向による屈折率の変化への影響が抑制され、同一パターンが精度良くキャンセルされた干渉画像を得ることができる。これにより、異方性のパターンの欠陥であっても精度良く検出することができる。
なお、ナノインプリントモールド12に形成されるパターンは、当然図6に示すような単純なパターンだけではないが、半導体装置を製造するためのマスクやモールドは、XYステージを有する電子線描画装置によってパターンを描画する場合が多いので、パターンはX方向又はY方向に伸びるパターンである場合が多い。従って、ナノインプリントモールド12をX方向又はY方向に伸びるパターンと交差するように、例えば45°となるように傾けることにより、パターン30の方向と光束L1の偏光方向とが成す角度と、パターン30の方向と光束L2の偏光方向とが成す角度と、をほぼ同一角度にすることができ、異方性のパターンであっても欠陥を精度良く検出することが可能となる。
10、10A、10B 欠陥検査装置
12 ナノインプリントモールド
14 光源
16 偏光分離素子
18 レンズ
20A、20B λ/2板
21A、21B λ/4板
22 レンズ
24 偏光結合素子
26 撮像素子
12 ナノインプリントモールド
14 光源
16 偏光分離素子
18 レンズ
20A、20B λ/2板
21A、21B λ/4板
22 レンズ
24 偏光結合素子
26 撮像素子
Claims (4)
- 予め定めたパターンが形成された透光性を有する検査対象物に、照明光を照射する光源と、
前記照明光を偏光方向が直交する二つの光に分離する偏光分離素子と、
分離された前記二つの光の偏光方向が同一となるように前記二つの光の少なくとも一方の偏光方向を変更すると共に、前記検査対象物を透過した二つの光の偏光状態が直交するように前記二つの光の少なくとも一方の偏光方向を変更する、又は、前記検査対象物に入射される前記二つの光の偏光方向と前記検査対象物に形成された前記パターンが形成された方向とが成す角度が略同一となるように、前記検査対象物の傾き角度を変更する変更手段と、
前記二つの光を結合する偏光結合素子と、
前記偏光結合素子により結合された光の光学像を撮像する撮像手段と、
を備えた欠陥検査装置。 - 前記変更手段は、前記偏光分離素子と前記検査対象物との間で且つ前記二つの光のうち一方の光の光路上に設けられた第1のλ/2板と、前記検査対象物と前記偏光結合素子との間で且つ前記一方の光の光路上に設けられた第2のλ/2板と、を含む
請求項1記載の欠陥検査装置。 - 前記変更手段は、前記偏光分離素子と前記検査対象物との間で且つ前記二つの光の光路上に設けられた第1のλ/4板と、前記検査対象物と前記偏光結合素子との間で且つ前記二つの光の光路上に設けられた第2のλ/4板を含む
を備えた請求項1記載の欠陥検査装置。 - 前記検査対象物が、ナノインプリントモールドである
を備えた請求項1〜請求項3の何れか1項に記載の欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010156129A JP2012018096A (ja) | 2010-07-08 | 2010-07-08 | 欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010156129A JP2012018096A (ja) | 2010-07-08 | 2010-07-08 | 欠陥検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012018096A true JP2012018096A (ja) | 2012-01-26 |
Family
ID=45603448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010156129A Withdrawn JP2012018096A (ja) | 2010-07-08 | 2010-07-08 | 欠陥検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012018096A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016021531A (ja) * | 2014-07-15 | 2016-02-04 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び方法、物品の製造方法、並びにプログラム |
WO2016092697A1 (ja) * | 2014-12-12 | 2016-06-16 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
US9927376B2 (en) | 2016-03-15 | 2018-03-27 | Toshiba Memory Corporation | Template defect inspection method |
-
2010
- 2010-07-08 JP JP2010156129A patent/JP2012018096A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016021531A (ja) * | 2014-07-15 | 2016-02-04 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び方法、物品の製造方法、並びにプログラム |
WO2016092697A1 (ja) * | 2014-12-12 | 2016-06-16 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
JPWO2016092697A1 (ja) * | 2014-12-12 | 2017-09-21 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
US10416551B2 (en) | 2014-12-12 | 2019-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprinting apparatus, imprinting method, and article manufacturing method |
US9927376B2 (en) | 2016-03-15 | 2018-03-27 | Toshiba Memory Corporation | Template defect inspection method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102523532B1 (ko) | 구조의 특성을 결정하는 방법 및 계측 장치 | |
TWI557513B (zh) | 疊對測量裝置及使用該疊對測量裝置之微影裝置及器件製造方法 | |
JP4869129B2 (ja) | パターン欠陥検査方法 | |
JP6341883B2 (ja) | 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 | |
JP4672704B2 (ja) | 基板のオーバーレイ誤差を測定する方法、基板製造方法、および検査装置 | |
JP2009200466A (ja) | 検査方法及び装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セル、並びに、デバイス製造方法 | |
KR101522676B1 (ko) | 패턴 검사 장치 | |
JP2010251798A (ja) | 基板の性質を測定する方法、スキャトロメータ、及び、リソグラフィ装置 | |
JP4701460B2 (ja) | 検査装置、検査方法、及びパターン基板の製造方法 | |
CN101055430B (zh) | 光刻设备、透镜干涉仪和装置制造方法 | |
JP5279280B2 (ja) | 形状測定装置 | |
TW201107735A (en) | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method | |
JP5554164B2 (ja) | 欠陥検査装置 | |
JP2012018096A (ja) | 欠陥検査装置 | |
JP2012026977A (ja) | 欠陥検査装置 | |
TWI575228B (zh) | 影像感測器、感測方法及微影裝置 | |
US9927376B2 (en) | Template defect inspection method | |
JP2012042218A (ja) | 欠陥検査装置 | |
US20060147820A1 (en) | Phase contrast alignment method and apparatus for nano imprint lithography | |
JP2009236839A (ja) | 表面検査装置 | |
JP2007040915A (ja) | 周期構造の欠陥測定装置 | |
CN116295038B (zh) | 基于超表面光栅的纳米级二维位移测量装置及方法 | |
Ogawa et al. | Characteristics of an autofocus system on a grating with period smaller than the focus-beam wavelength | |
JP2005308607A (ja) | 分光エリプソメータ | |
JPH03181805A (ja) | 位相シフトマスクのシフター膜厚測定器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121220 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20130430 |