TWI575228B - 影像感測器、感測方法及微影裝置 - Google Patents

影像感測器、感測方法及微影裝置 Download PDF

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Description

影像感測器、感測方法及微影裝置
本發明係關於一種用於感測藉由微影裝置經由圖案化器件而投影的影像之影像感測器，且係關於一種使用影像感測器來偵測此影像之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板之目標部分上之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或比例光罩)可用以產生對應於IC之個別層之電路圖案，且可將此圖案成像至具有輻射敏感材料(抗蝕劑)層之基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。一般而言，單一基板將含有經順次地曝光之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。
需要能夠監視或預測微影裝置之實際效能(特別是藉由輻射之投影通過光罩而產生的實際影像)，其又至少部分地判定可藉由給定光罩而形成於基板上之圖案。形成於基板上之圖案可經受可在微影裝置之操作期間變化的各種因素。
舉例而言，在微影裝置之操作期間可存在比例光罩(光罩)加熱，其可產生經投影影像之失真，經投影影像之失真又造成所形成圖案之失真。一般而言，比例光罩失真遍及比例光罩之區域非均一，且因此此情形引起影像之非均一失真。亦可存在歸因於透鏡之加熱之影像中之失真。因為透鏡及比例光罩在微影機器之使用期間變熱，所以此等失真本質上係動態的。實務上亦可存在振動效應，或起因於機械及光學組件之屬性或對準或操作之變化之效應。
執行各種度量衡程序以判定微影裝置之效能是否保持在其所需規範內為吾人所知。對於下一代微影，需要為大約10奈米至20奈米之高解析度特徵。此情形引起極緊密對準及聚焦控制要求。此意謂可需要對微影裝置之成像品質及操作參數以及程序控制迴路之其他部件之較緊密控制。International Technology Roadmap for Semiconductors(2013版本)(Lithography Summary)中描述當前或未來微影技術遭遇或預料的一些挑戰。
用於量測或預測微影裝置之效能之各種技術為吾人所知，且此等量測或預測之結果可用以設定或變化操作參數。
典型比例光罩係由對應於器件結構之經圖案化區域以及用於度量衡且用於(例如)影像對準及聚焦控制之經圖案化標記組成。舉例而言，使橫靠比例光罩之所要投影圖案包括標記為吾人所知。可直接藉由感測器或藉由對應於形成於基板台處之基板上之標記的圖案之量測來量測藉由微影裝置之投影光學件進行之電磁輻射之投影而由基板台處之標記產生的影像。對應於標記之影像可用以判定藉由比例光罩之加熱造成的微影圖案之特徵失真之很可能位準。然而，標記定位於比例光罩之一側處或定位於主微影圖案之邊緣處，且加熱誘發性失真效應可朝向定位有光罩圖案之比例光罩之中心而不同。此外，標記之特徵常常具有與光罩之個別特徵之尺度(例如，有下至大約100奈米或低 於100奈米寬)不同的尺度(例如，有幾微米寬)，且標記之尺度之特徵的任何失真可並非總是為對光罩特徵之尺度之特徵失真的準確導引。對於在為193奈米之波長下操作的一些特定微影系統，藉由為大約320奈米寬之比例光罩特徵之投影而將產品特徵放置於晶圓上，以在晶圓上產生有大約80奈米寬的產品特徵(遵循在比例光罩與晶圓之間發生的四倍縮小率)。存在沈積於晶圓上之額外特徵，其被稱為輔助特徵，該等特徵用於光學近接校正且在晶圓上為大約13奈米至25奈米寬(藉由投影及大約50奈米至100奈米寬的對應比例光罩特徵的關聯四倍縮小率而獲得)。對於經組態以在EUV波長下操作之微影系統，沈積於晶圓上之產品特徵可有大約10奈米至100奈米寬。
儘管可獲得對於標記圖案之給定失真之可存在於比例光罩之中心的加熱誘發性失真之估計，但存在對此等估計之準確度之限制。若自存在於圖案之邊緣處之標記進行之量測內插產品圖案之失真，則產生內插誤差。比例光罩加熱效應可導致在一些狀況下為3奈米至4奈米之疊對偏移(例如，經沈積圖案中之順序層之間的偏移)，即使在使用標記技術來估計比例光罩加熱之效應或使用比例光罩加熱之電腦模型以其他方式來估計比例光罩加熱之效應時。
對實際經處理晶圓執行之量測可判定實務上藉由特定微影裝置及比例光罩沈積何種圖案。然而，除了藉由比例光罩在裝置之影像平面處形成之影像以外，所沈積圖案亦將取決於其他因素。舉例而言，抗蝕劑之特徵、抗蝕劑與經施加輻射之間的相互相用及晶圓之後續處理亦可影響所得圖案。
已建議提供代替晶圓而定位於基板台處且可用以直接量測自比例光罩投影之影像的空中影像感測器。需要提供可直接量測自比例光罩投影之影像的改良型、較快或至少替代感測器。
根據本發明之一態樣，提供一種用於感測經由一微影圖案化器件而投影之一影像之一區之影像感測器，其包含一感測器光罩陣列及一感測器元件陣列，其中該感測器光罩陣列包含感測器光罩的一陣列，每一感測器光罩定位於該等感測器元件中之各別至少一感測器元件上方；該等感測器光罩中之每一者具有孔隙之一圖案，且該等感測器光罩中之至少一者之該孔隙圖案不同於該等感測器光罩中之至少一其他感測器光罩之該孔隙圖案。
藉由提供諸感測器光罩具有不同孔隙圖案的一感測器光罩陣列，可使用與該等感測器光罩相關聯之該等感測器元件直接對一影像區進行取樣，而具有增加之解析度及/或增加之信雜比。
對於該等感測器光罩中之每一者，該孔隙圖案可包含係基於作為一代碼而提及的一預定義二元序列之一孔隙圖案，且所得光罩可被稱作一經寫碼孔隙。該圖案可為敞開孔隙及非孔隙或封閉孔隙之二維配置，或敞開孔隙及非孔隙或封閉孔隙之一維配置。該等感測器光罩中之每一者可定位於該等感測器元件之一各別單一感測器元件上方。
使用於感測器光罩中之至少一者之該孔隙圖案基於之該代碼可實質上正交於對應於用於該等感測器光罩之至少一其他感測器光罩之該孔隙圖案的該代碼。術語正交在此處意謂描述該兩個感測器光罩之該等代碼之間的純量點積為0或一常數。
用於該等感測器光罩中之至少一些感測器光罩之該等孔隙圖案可根據一循環差集。每一感測器光罩可包含一循環差集經寫碼光罩。該等感測器光罩中之每一者或至少一些可表示一共同光罩模板之不同循環移位。
可實質上根據自一哈德瑪得矩陣導出之一S矩陣來編碼該等感測器光罩中之至少一些感測器光罩。舉例而言，可在Hadamard Transform Optics(Martin Harwit，Elsevier，2012年)中找到哈德瑪得 矩陣之細節。
該等感測器光罩中之至少一些感測器光罩或每一者可包含孔隙之一均一冗餘陣列。該等感測器光罩中之至少一些感測器光罩或每一者可包含均一冗餘陣列之一兩個孔不接觸(No Two Holes Touching，NTHT)類型。
該影像區之面積可實質上相同於或大於每一感測器元件之面積及/或每一感測器光罩之面積。該等孔隙圖案可使得當該影像區依次與該等光罩中之每一者對準時，該影像區之實質上所有部分可與該等感測器光罩中之至少一者之至少一孔隙對準。
該影像感測器可經組態成使得在操作中當被安裝於包含該微影圖案化器件之一微影裝置中時，該影像感測器與該經投影影像之相對移動提供該等感測器元件中之複數個不同感測器元件對該影像之該區之取樣，彼等感測器元件中之至少一些相比於彼等感測器元件中之至少一些其他感測器元件具有孔隙圖案不同的感測器光罩。
該影像感測器可經組態以藉由複數個該等感測器元件中之每一者對該影像之該區之取樣而獲得複數個感測器量測信號，且該感測器光罩之該等孔隙圖案可使得可一起處理該等感測器量測信號以獲得用於該經取樣區之影像資料。該影像資料可包含一二維像素陣列。每一像素可表示一各別位置處之影像強度。
該感測器光罩之該等孔隙圖案可使得可藉由將該等感測器量測信號與一解碼矩陣迴旋運算而一起處理該等感測器量測信號，以獲得用於該經取樣區之影像資料。
該等感測器光罩之該等孔隙圖案可使得可藉由對於該等感測器量測信號執行一循環迴旋運算程序而一起處理該等感測器量測信號，以獲得用於該經取樣區之影像資料。
該影像資料可包含經由該微影圖案化器件而投影之該影像之該 區的一表示。
對於該等感測器光罩中之每一者，實質上所有該等孔隙可具有大於50奈米、視情況大於100奈米之一最大寬度。
對於該等感測器光罩中之每一者，實質上所有該等孔隙可具有在50奈米至200奈米之一範圍內、視情況在80奈米至150奈米之一範圍內、視情況為大約100奈米的一最大寬度。
對於該等感測器光罩中之每一者，該等孔隙中之至少一些可具有相關聯的螢光材料。因此，形成該影像之電磁輻射可在其傳遞通過該等孔隙中之該至少一些時造成該相關聯的螢光材料中之螢光。該等感測器元件可經組態以偵測由該螢光材料發出螢光之輻射。
該電磁輻射可具有在電磁光譜內之任何合適波長。
該影像感測器之該定位可包含將該影像感測器定位成實質上處於包括該微影光罩之一微影裝置之一影像平面。
該影像感測器之該定位可包含將該影像感測器定位於一基板台上或包括該微影光罩之一微影裝置之一基板台位置處。
該等感測器光罩中之每一者可定位成實質上鄰近於該等感測器元件中之一相關聯的感測器元件。
該等感測器光罩中之每一者可位於該等感測器元件中之一相關聯的感測器元件之一分離距離內，且該等分離距離可小於1微米、視情況小於500奈米、視情況小於100奈米。
該影像感測器可用於感測具有在4奈米至500奈米之一範圍內、視情況在4奈米至25奈米之一範圍內、視情況在100奈米至400奈米之一範圍內、視情況實質上等於365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米中之一者之一波長的電磁輻射。
在可獨立提供之本發明之一另外態樣中，提供一種感測經由一微影圖案化器件而投影之一影像之一區之方法，其包含：將一影像感 測器定位成使得其接收經由該微影圖案化器件而投影之該影像之至少一部分，其中該影像感測器包含一感測器光罩陣列及一感測器元件陣列，該感測器光罩陣列包含感測器光罩的一陣列，每一感測器光罩定位於該等感測器元件中之各別至少一感測器元件上方；該等感測器光罩中之每一者具有孔隙之一圖案，且該等感測器光罩中之至少一者之該孔隙圖案不同於該等感測器光罩中之至少一其他感測器光罩之該孔隙圖案；且該方法進一步包含：--提供該影像感測器與該經投影影像之相對移動使得藉由該等感測器元件之複數個不同感測器元件對該影像之至少該區進行取樣，彼等感測器元件中之至少一些相比於彼等感測器元件中之至少一些其他感測器元件具有孔隙圖案不同的感測器光罩；及對於該影像之該等經取樣區中之每一者，一起處理藉由該等感測器元件中之該複數個不同感測器元件對該影像之該區之該取樣而獲得的感測器量測，藉此獲得表示該經取樣區之影像資料。
該感測器可包含如所主張或本文所描述之任何感測器。
該等感測器量測之該一起處理可包含將該等感測器量測與一解碼矩陣迴旋運算。
該等感測器量測之該一起處理可包含執行一循環迴旋運算程序。
該影像資料可包含經由該微影圖案化器件而投影之該影像之該區的一表示。
提供該影像感測器與該經投影影像之相對移動可包含在該影像感測器及/或該經投影影像之一平面中提供相對橫向移動。
該方法可進一步包含在實質上垂直於該影像感測器及/或該經投影影像之一平面的一方向上提供該影像感測器與該經投影影像之進一步相對移動，藉此在相對於該經投影影像平面之複數個偏移位置處對該影像之該區進行取樣。該方法可包含自藉由對該複數個偏移位置處 之該影像進行取樣而獲得的該影像資料判定該影像之一場深度。亦可自該影像資料判定依據橫向位置而變化的場深度之一變化。
該方法可包含將該感測器安裝於一微影裝置中，使得該感測器之該等感測器光罩實質上處於該微影裝置之一投影系統之一焦平面，該投影系統在操作中經由該微影圖案化器件而投影該影像。
該方法可包含將該感測器安裝於包括該微影圖案化器件之一微影裝置之一基板台上，以對該影像之該區進行取樣。
在可獨立提供之本發明之一另外態樣中，提供一種微影裝置，其包含：一照明系統，其用於提供一輻射光束；一支撐結構，其用於支撐一圖案化器件，該圖案化器件用以在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案；一基板台，其用於固持一基板；一投影系統，其用於投影該經圖案化輻射光束以在該基板台處提供一影像；及如所主張或本文所描述之感測器，其安裝於該基板台上以用於感測該影像之至少一區。
一態樣中之特徵可在適當時被提供為任何其他態樣中之特徵。舉例而言，感測器、裝置或方法中之任一者之特徵可被提供為感測器、裝置或方法之任何另一者之特徵。一態樣中之任何特徵可結合任何其他態樣中之任何合適特徵來提供。
2‧‧‧影像感測器
4‧‧‧外殼
6‧‧‧陣列
8‧‧‧感測器光罩/經圖案化光罩
8'‧‧‧感測器光罩/經圖案化光罩
8"‧‧‧感測器光罩/經圖案化光罩
8'''‧‧‧感測器光罩/經圖案化光罩
10‧‧‧陣列
12‧‧‧感測器元件
20‧‧‧影像區
30‧‧‧感測器信號
42‧‧‧鉻層
44‧‧‧螢光材料層
AM‧‧‧調整構件
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構/物件台
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PB‧‧‧輻射光束
PM‧‧‧第一定位器件
PL‧‧‧項目/投影系統/透鏡
PW‧‧‧第二定位器件
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台/物件台/晶圓台
現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件，且在該等圖式中：- 圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置；- 圖2為根據一實施例之感測器裝置的示意性說明；- 圖3為圖2所展示之感測器的替代圖；- 圖4為圖3之感測器之感測器光罩陣列之感測器光罩的說明；- 圖5A為可用於圖2之感測器裝置之感測器光罩陣列中之替代感 測器光罩的說明；- 圖5B為藉由複數個感測器元件及關聯感測器光罩進行之影像區之取樣的示意性說明；- 圖5C為藉由圖5B所說明之取樣而獲得的感測器量測的標繪圖；- 圖5D為藉由顯示影像資料而獲得的影像，影像資料係藉由一起處理感測器量測而獲得，感測器量測係自圖5B之取樣而獲得；- 圖6為根據一實施例的感測器元件及包括螢光材料之關聯感測器光罩的示意性說明；- 圖7展示透射通過孔隙之輻射之作為孔隙大小之函數的相對強度的標繪圖；及- 圖8為使用一實施例而獲取之經取樣影像中之根據模擬作為獲取時間之函數的r.m.s.誤差的標繪圖。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)或度量衡或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻 射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的器件。應注意，被賦予至輻射光束之圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束；以此方式，經反射光束經圖案化。
支撐結構固持圖案化器件。支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐件可使用機械夾持、真空或其他夾持技術，例如，在真空條件下之靜電夾持。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動且可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於(例如)所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤流體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射光學系統、反射光學系統及 反射折射光學系統。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般術語「投影系統」同義。
照明系統亦可涵蓋各種類型之光學組件，包括用於導向、塑形或控制輻射光束的折射、反射及反射折射光學組件，且此等組件亦可在下文中被集體地或單個地稱作「透鏡」。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上支撐結構)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板浸潤於具有相對高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。
圖1示意性地描繪根據本發明之一特定實施例之微影裝置。該裝置包含：- 照明系統(照明器)IL，其用以調節輻射光束PB(例如，UV輻射或EUV輻射)；- 支撐結構(例如，支撐結構)MT，其用以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至用以相對於項目PL來準確地定位該圖案化器件之第一定位器件PM；- 基板台(例如，晶圓台)WT，其用於固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至用於相對於項目PL而準確地定位該基板之第二定位器件PW；及- 投影系統(例如，折射投影透鏡)PL，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束PB之圖案成像至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代 地，裝置可屬於反射類型(例如，使用如以上所提及之類型之可程式化鏡面陣列)。
照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係借助於包含(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整光束之角強度分佈之調整構件AM。通常，至少可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL通常包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器提供在橫截面中具有所要均一性及強度分佈的經調節輻射光束PB。
輻射光束PB入射於被固持於支撐結構MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，光束PB傳遞通過透鏡PL，透鏡PL將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器件PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於光束PB之路徑中。相似地，第一定位器件PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於光束PB之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，將憑藉形成定位器件PM及PW之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現物件台MT及WT之移動。然而，在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件 MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下較佳模式中：
1.在步進模式中，在將被賦予至光束PB之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中成像之目標部分C之大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至光束PB之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。藉由投影系統PL之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至光束PB之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
實施例之一特徵在於：空中影像感測器可定位於微影裝置之晶圓台WT(諸如，圖1之晶圓台WT)上，其代替晶圓或基板且用以感測藉由該裝置經由圖案化器件MA而投影的影像。
圖2示意性地說明根據一實施例之影像感測器。在此狀況下，七 個分離影像感測器2提供於外殼4中，每一影像感測器用於感測經投影影像之一不同部分。該等感測器2中之一者在圖2中以分解形式被展示，且包含定位於感測器元件12之陣列10上方之感測器光罩8之陣列6。可使用感測器元件之任何合適陣列，例如，2D或1D CCD/CMOS陣列，或2D或1D光偵測器陣列。
圖3中展示感測器2中之一者的另一正面圖。
感測器元件中之每一者經組態成使得其產生量值之量測，量值係取決於落在感測器元件上的具有在適當範圍內之波長之輻射之量。感測器元件陣列可為已知感測器陣列，且包括用於自感測器元件獲得偵測信號之適當電路，例如，濾光器、積光器、樣本及保持電路。
藉由處理資源執行來自偵測元件中之每一者之偵測信號之處理。在一些實施例中，處理資源係呈機載電路之形式，例如，ASIC或積體電路。在其他實施例中，處理資源係呈外部處理資源之形式，例如，微影裝置之合適經程式化通用電腦或控制電腦。下文中更詳細地描述特定實施例中之偵測信號之處理。
圖2及圖3之實施例之特徵在於：感測器光罩8中之每一者包含一經寫碼孔隙圖案。
圖4中示意性地展示感測器光罩8中之一者。以白色展示光罩中之孔隙，其允許影像之輻射之傳遞至相關聯的感測器元件。以黑色展示阻擋輻射之光罩之區。圖5A中示意性地展示用作圖2之裝置中之光罩陣列之部分的替代感測器光罩。圖5A之光罩具有大小4.6微米×4.6微米，且具有為該光罩之總面積之12%的有效敞開面積。
在一些實施例中，光罩中之所有孔隙具有相同大小，例如，具有相同大小的圓形孔隙。在此等實施例中，圖4及圖5A之感測器光罩之孔隙包含並排但不接觸的適當數目個圓形或其他形狀孔隙之配置，例如，以規則正方形或矩形圖案來近似圖4所展示之孔隙形狀。圖5A 中展示此等孔隙。
實施例之一特徵在於：用於不同感測器元件之感測器光罩孔隙圖案中之至少一些不同。
在圖2至圖5之實施例之感測器2的狀況下，用於感測器2之每一感測器光罩8之孔隙圖案不同於用於所有其他感測器光罩8之孔隙圖案，且每一孔隙圖案為經寫碼孔隙圖案。在此狀況下，感測器光罩中之每一者表示一共同光罩模板之不同循環移位。可自循環差集導出此模板。每一經寫碼孔隙圖案可為均一冗餘陣列(uniformly redundant array，URA)，且循環差集可規定在URA中在何處存在敞開孔隙。舉例而言，在簡單實例中，對於具有七個輸入項之URA，循環差集C={0,1,2,4}給出={1110100}之URA(URA在第0部位、第1部位、第2部位及第4部位處敞開)。
用於特定感測器光罩之孔隙圖案可由二元矩陣表示，其中該矩陣中之輸入項表示感測器光罩上之規則間隔之位置，且該矩陣中之每一輸入項為1或0，此取決於孔隙中之對應位置是為孔隙抑或為光罩材料(允許輻射傳遞抑或阻擋輻射)。此表示可在選擇或設計用於不同感測器光罩之經寫碼孔隙圖案時特別有用。
圖2至圖5之實施例之一特徵在於：在操作中，藉由複數個感測器元件中之每一者對投影影像之相同部分依次進行取樣，每一感測器元件具有一具不同孔隙圖案的感測器光罩。藉由定位器件PW之操作以移動經定位有感測器2之基板台WT而使感測器2相對於投影影像而移動。
圖5B至圖5D中示意性地說明對於包括圖5A之光罩之光罩陣列之藉由感測器元件之不同感測器元件進行的投影影像之相同部分之取樣。圖5B展示具有與感測器元件中之一者之相同大小的投影影像之區20，其中影像之白色部分表示高輻射強度且影像區之黑色部分表示 低或零輻射強度。在程序開始時，影像區20經定位成與感測器光罩8中之第一感測器光罩重合，且藉由相關聯的感測器元件12藉由執行在量測週期期間由該感測器元件12接收的輻射之量測而對該影像區進行取樣。
接著存在影像區20與感測器2之一系列相對橫向移動，使得該影像區經定位成依次與感測器光罩8'、8"、8'''等等之一系列另外感測器光罩重合，且在每一移動之後，藉由對應感測器元件12'、12"、12'''等等對該影像區進行取樣。可藉由晶圓台之移動來達成相對橫向移動，但在替代實施例中，除了晶圓台之移動以外或代替晶圓台之移動，亦可藉由移動影像(例如，藉由投影光學件之控制)來達成相對橫向移動。
在圖2至圖5之實施例中，藉由感測器2之感測器元件中之每一者依次對影像區20進行取樣。在替代實施例中，可藉由感測器之感測器元件之僅一子集來對影像區進行取樣。
圖5C為由感測器之感測器元件12、12'、12"、12'''等等獲得之影像區20之量測的標繪圖，其中圓圈30中之每一者表示由感測器元件中之一各別感測器元件自影像區20之取樣而獲得的感測器信號。感測器量測(經投影強度)中之每一者不同，此係因為對應感測器光罩8、8'、8"、8'''等等之孔隙圖案中之每一者不同，且因此將使具有適當波長的不同量之電磁輻射自影像區20通過至其對應感測器元件。
在程序之下一階段，一起處理來自不同感測器元件12、12'、12"、12'''等等之感測器量測，以獲得表示影像區20之影像資料。
在詳細考慮感測器量測之處理的情況下，經量測之影像區20之大小可被視為具有大小L×L。待獲得之區20之影像的所要解析度為p×p。可接著假定該區待由由L/p×L/p個元素(例如，像素)組成的離散矩陣A表示。舉例而言，若影像中之所關注所要區具有大小1000奈米 ×1000奈米且解析度為100奈米×100奈米，則影像A可由大小為10×10的離散矩陣表示。
如上文所描述，運用一系列經圖案化光罩8、8'、8"、8'''等等對區20進行掃描。在此狀況下，該系列經圖案化光罩可由矩陣Mij表示，其中藉由分別循環移位M乘i及j像素來導出Mij。M可被認為是光罩模板或基座光罩，其中該系列經圖案化光罩表示均一冗餘陣列、NTHT URA陣列、自哈德瑪得矩陣導出之S矩陣，或如方程式3中描述之循環迴旋屬性成立之1與0(敞開及封閉孔隙)之任何二元配置。
用於成像之所關注區可(例如)具有大小1微米×1微米至10微米×10微米。此實例中之相關解析度可為大約50奈米至200奈米，此係因為此為高端微影機器之解析度。因此，在此狀況下之i及j之值可自5至200變化，亦即，可在此實例中使用多達200×200個感測器光罩及感測器元件。因此，在此狀況下，偵測器陣列可具有多達200×200個光偵測元件，且對應感測器光罩陣列可具有200×200個圖案，每一圖案包含200×200個元素之一光罩模板之循環移位。
可在以下步驟中描述方法。感測器光罩陣列係基於光罩模板M。Mij為M乘i及j元素分別在x及y方向上之循環移位。因此，M00等於M自身。藉由提供感測器光罩陣列與待量測之影像區之相對移動，感測器光罩被逐個帶入空中影像下方。對於每一感測器光罩，光偵測感測器元件偵測信號D(i,j)，該信號D(i,j)可被表示為：D(i,j)=c.Mij.A (方程式1)
其中c為自至感測器量測單元的輻射強度之純量轉換因數，且.表示矩陣之間的純量(點)積之等效者，亦即，此表示兩個矩陣之對應輸入項之乘積的總和。若Mij及A被表達為向量，則其將等於點積。
所獲取信號矩陣D為具有與M相同尺寸的二維矩陣。因為每一感測器光罩圖案Mij為M之經循環移位版本，所以合成信號矩陣D等於除 純量因數c.以外的M與A之循環迴旋運算，。對於矩陣M，對應解碼矩陣DM係藉由如下方程式給出：DM=2.M-1 (方程式2)
當DM再次與經偵測矩陣D循環迴旋運算時，結果為cA，其為所接收空中影像之所欲表示，如自以下段中之分析可理解。
在此實施例中，M與DM係藉由如下屬性而相關：
其中表示循環迴旋運算。針對i=j=0，δ=1，且針對所有其他i及j，δ=0。
δ ij =0，所有其他i及j(方程式3)
現在在獲取D之後，將其與DM循環迴旋運算(此時在處理單元中進行)。可將結果R書寫為：
在使用如方程式3所描述之M之屬性的情況下，吾人可將R書寫為
此展示經擷取影像為除純量轉換因數之外之空中影像A之複本。
可理解，如圖5C中所標繪的藉由感測器元件12、12'、12"、12'''等等獲得之量測構成經偵測信號D，其中彼等量測中之每一者表示經偵測信號D之元素D(i,j)中之一者。在此狀況下感測器量測之一起處理包含循環迴旋運算輸入項為藉由不同感測器元件獲得的感測器量測之矩陣(D(i,j))與解碼矩陣DM，以獲得呈表示影像區20之資料集之形式且由L/p×L/p個像素組成的影像資料。在此狀況下之影像具有面積L×L(例如，10微米×10微米)且運用面積為p×p(例如，100奈米×100奈米)之像素予以解析。
圖5D展示藉由影像區20之取樣及如上文關於圖5B及圖5C所描述 之感測器量測之後續處理而獲得的經量測空中影像。該影像之解析度實質上等於感測器光罩中之最小開口，其亦對應於方程式3中之離散δ函數之寬度。
應理解，感測器元件12陣列可同時對複數個影像區進行取樣，而並非對僅單一影像區20進行取樣，其中每一感測器元件在任一時間對影像區中之一不同影像區進行取樣。可對經取樣影像區中之每一者執行上文關於圖5A至圖5D所描述之處理，以建置較大影像。在圖2之實施例中，亦可藉由圖2之實施例之不同感測器2同時掃描影像之數個不同部分(在此狀況下，影像之七個不同部分)。
藉由使用具有不同經寫碼孔隙圖案之一系列孔隙光罩且運用感測器元件經由不同孔隙光罩對影像區進行取樣，可獲得具有增加之解析度及縮減之添加雜訊影響之影像區之表示。相比於運用單一掃描針孔進行之量測，所得影像將具有更大信雜比。藉由使用具有多個孔隙之孔隙光罩，可接收較多光子，且可顯著縮減比如偵測器讀出雜訊、熱雜訊之添加雜訊之影響，且因此，可獲得較佳影像，同時亦縮減獲取時間。
在更詳細地考慮雜訊的情況下，若N0被視為表示經寫碼孔隙光罩M(例如，代碼序列中之1)中之敞開孔隙之數目，Nph被視為表示在獲取時間期間透射通過一個孔隙(例如，「針孔」)之光子之數目且Nc為代碼序列中之元素之總數目(亦即，M中之輸入項之總數目)，則在形成經取樣經寫碼影像D時接收之光子之平均數目為N0×Nph，歸因於光子散粒雜訊之信號中之標準偏差係由如下方程式表示：
且歸因於偵測器雜訊之信號中之標準偏差係由σd表示。
在經解碼影像之狀況下，在經量測信號矩陣與解碼矩陣之迴旋運算之後，影像中之光子之平均數目再次為N0×Nph，此係因為與DM 之迴旋運算涉及Nc添加操作，散粒雜訊標準偏差係由如下方程式表示：
且偵測器雜訊標準偏差等於。比較此影像與將已藉由單一孔隙代替使用配置於經寫碼圖案中之多個孔隙之所呈現技術而形成之影像，光子之平均數目將為Nph，影像中之散粒雜訊標準偏差則將為，且影像中之偵測器雜訊標準偏差將為σ d 。
查看在該兩種狀況下之信雜比，在使用經寫碼圖案之狀況下之偵測器雜訊之效應減低達，且散粒雜訊增加達倍，其在使用封閉孔隙之數目多達總孔隙數目一半的代碼之狀況下為大約。因此可看到，比如偵測器雜訊之添加雜訊之效應在此量測方案中減低達大量。
可出於多種度量衡、程序控制或設計目的使用經量測空中影像cA。舉例而言，藉由比較經量測空中影像cA與比例光罩設計資訊(例如，圖形設計系統(GDS)資料)，可導出(使用計算模型)對準位置(x,y,z)。因此，可比較實際經量測影像與預期將基於比例光罩設計資訊而形成之影像，且可判定為了使經量測影像與來自比例光罩設計資訊之預期影像最佳匹配而必須對經量測影像進行的任何位置調整(例如，藉由晶圓台之移動)。在比例光罩影像場內部之多個部位處對對準位置之量測允許(例如)借助於在掃描期間之合適偏移移動(例如，速度及/或加速度改變)及/或藉由在曝光期間透鏡元件之動態調整而進行比例光罩(加熱)誘發性疊對效應之校正，以補償失真。經量測空中影像可用以量測歸因於加熱及夾持之比例光罩失真。
一些實施例之特徵為：可在實質上垂直於晶圓台之平面之方向(例如，在z方向上)上變化空中影像感測器之位置，藉此在不同z平面處，例如，在實質上垂直於經投影影像之平面之方向上相對於該經投 影影像之平面之不同偏移位置，量測空中影像。藉由處理自在不同偏移位置(例如，高度)處對影像進行取樣獲得之所得影像資料，可(例如)藉由比較在不同偏移處獲得之影像特徵而判定聚焦深度。場之深度可依據橫向位置而變化，且可判定處於影像之不同部位之個別產品特徵的場之深度。
儘管在圖2至圖5之實施例中，經寫碼孔隙光罩係根據循環差集，但在替代實施例中可使用其他合適經寫碼孔隙光罩。舉例而言，在一些實施例中，經寫碼孔隙光罩可包含偽隨機二元序列，或可包含表示如用於哈德瑪得編碼之S矩陣之光罩。可在每一狀況下使用合適解碼矩陣。自循環差集及如用於哈德瑪得編碼之S矩陣導出之URA可特別合適，此係因為其可符合方程式3之正交性條件，同時具有為1之大約一半元素(對應於敞開孔隙)，且因此允許針對每一取樣大量光子通過。
可重要的是提供可具有與感測器元件中之每一者或感測器光罩中之每一者實質上相同的面積之在考慮中的影像區之實質上所有部分(一旦藉由感測器元件中之至少一者對其進行取樣)。因此，在一些實施例中，當影像區依次與感測器光罩中之每一者對準時，影像區之實質上所有部分係與該等光罩中之至少一者之至少一孔隙對準。因此，在此等實施例中，經由感測器光罩對影像區之實質上所有部分進行取樣，且實質上不存在經由至少一感測器光罩未被取樣之影像區之部分。
在一些實施例中，感測器光罩中之每一者包含孔隙之均一冗餘陣列，及/或用於感測器光罩中之至少一者之孔隙圖案實質上正交於用於感測器光罩之至少一其他感測器光罩之孔隙圖案。
在圖2至圖5之實施例中，感測器元件陣列為二維陣列。在替代實施例中，可使用感測器元件之任何合適配置，例如，一維陣列或其 他配置。同時對不同影像區進行取樣之經遮蔽陣列之使用可提供快速信號獲取。
可使用任何合適配置以提供待取樣之影像與感測器之間的相對移動，以使能夠使用不同感測器元件經由不同感測器光罩對影像進行取樣。舉例而言，在一些實施例中可使用使用晶圓台或任何其他合適機構之感測器之移動。替代地或另外，可(例如)藉由比例光罩及關聯光束光學件之移動及/或藉由鏡面及/或透鏡之對準進行之影像之合適移動而移動影像自身。
對於用以給出空中影像之準確估計之感測器，應「凍結」並記錄最佳聚焦平面處之強度分佈。然而，在一些狀況下，當在最佳聚焦平面處形成空中影像之平面波被允許行進通過感測器光罩(例如，感測器光罩8、8'、8"等等)之孔隙且行進至感測器元件(例如，感測器元件12、12'、12"等等)時，其可獲取(例如)歸因於在平面波至孔隙之進入與藉由感測器元件進行之感測器信號之對齊之間之間發生的繞射、反射或干涉或其他效應之額外相位及振幅移位。舉例而言，影像之平面波可進行干涉以給出可不同於在最佳聚焦部位處之分佈的淨電磁分佈。
鑒於在傳遞通過孔隙之後之干涉或其他繞射效應之可能發生，在一些實施例中，在孔隙光罩之每一孔隙處提供螢光材料，使得待取樣之影像之電磁輻射在傳遞通過光罩之孔隙之後與該螢光材料相互作用，從而使該螢光材料發螢光。接著來自螢光材料之發出螢光輻射係藉由感測器元件予以偵測。因為發出螢光輻射通常實質上非相干，所以可藉由使用螢光材料而縮減干涉或相似效應。可藉由將螢光材料用於孔隙中而量測在最佳聚焦平面處之確切強度分佈之記錄。
圖6為根據一實施例之感測器元件12及關聯感測器光罩8的示意性說明。可在圖2至圖5之實施例之變體中針對彼等實施例之陣列6之 感測器光罩8中之每一者使用該感測器光罩8。
圖6之感測器光罩8包含經疊對於螢光材料層44上之鉻層42，其中該鉻層中之孔隙形成感測器光罩孔隙。在此狀況下，螢光材料填充孔隙，但在其他實施例中，螢光材料可僅在鉻層或其他孔隙層之前的層中。可藉由任何合適方法(例如，使用順次沈積及蝕刻程序)而形成感測器光罩。在圖6之實施例中，螢光材料為由Optical Glass公司生產之Lumilass B(RTM)，但在替代實施例中可使用任何合適螢光材料。Lumilass B(RTM)為摻雜有Eu2+離子之氟磷酸玻璃之類型，且具有為1.4476之折射率、為0.86之量子效率及為幾微秒之衰變時間，且係偏振不敏感的。
已執行模擬以判定用於感測器光罩之孔隙之合適最小大小，例如，用於可(例如)以規則正方形或矩形圖案之形式並排地配置之圓形孔隙之合適最小大小，以提供圖4所展示之孔隙圖案。圖7展示一些此等模擬之結果，其表示波長為193奈米之平面波光針對各種入射角通過鉻層中之孔隙之透射。對光之參考係針對具有適當波長之電磁輻射，且並不意欲限於裸眼可見的光。
圖7之左下圖展示到達孔隙且傳遞通過孔隙之經模擬平面波光。圖7之左上圖為傳遞通過孔隙之輻射針對為0度之入射角之作為孔隙直徑之函數的相對強度之標繪圖。在此狀況下，輻射之相對強度為已傳遞通過孔隙之相對於在孔隙處接收的輻射通量之輻射通量。為1之相對強度值將指示在孔隙處接收之所有光之完全透射。在此狀況下，可看到，由模擬引起之一些相對強度值大於1，其由一些孔隙處之聚焦效應及在近似孔隙下方之能量時之近似誤差引起。
圖7之右上標繪圖及右下標繪圖相似於左上標繪圖，但展示分別針對為70度及45度之入射角之作為孔隙寬度之函數的相對強度。
自該等標繪圖可看到，基於模擬，透射針對低於50奈米之孔隙 大小變得可忽略。可將合理孔隙大小採取為大約100奈米，以獲得良好透射屬性及孔隙光罩之相對易於可製造性兩者。
圖8展示自另一模擬獲得之標繪圖，其展示自一實施例之經模擬使用而獲得的經解碼空中影像中之作為獲取時間之函數的正規化r.m.s.誤差。該模擬假定為1瓦特/平方公分之照明強度、為0.001(0.1%)之感測器效率、為100奈米之空中影像解析度，及為4.6微米×4.6微米之空中影像大小。
感測器及孔隙光罩可供出於微影目的使用任何合適波長之電磁輻射之微影裝置使用，任何合適波長例如，在4奈米至400奈米之範圍內之波長，例如，在100奈米至400奈米之範圍內(諸如，365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米)之常用波長。感測器及孔隙光罩可供使用在或接近極紫外線(EUV)範圍(例如，在4奈米至25奈米之範圍內之波長)的任何合適波長之電磁輻射之微影裝置使用。
實施例提供可提供無標記感測(例如，在比例光罩上無需特定標記結構)之感測器。因此，此等感測器可在比例光罩影像場內部執行量測，其可提供用於改良微影裝置之效能的寶貴資訊。舉例而言，該等感測器可用於光學近接校正(OPC)驗證或透鏡設置程序。該等感測器亦可用於抗蝕劑模型及程序驗證，以及用於判定比例光罩加熱效應。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。該描述不意欲限制本發明。
2‧‧‧影像感測器
4‧‧‧外殼
6‧‧‧陣列
8‧‧‧感測器光罩/經圖案化光罩
10‧‧‧陣列
12‧‧‧感測器元件

Claims (25)

  1. 一種用於感測經由一微影圖案化器件而投影之一影像之一區之影像感測器，其包含：一感測器光罩陣列及一感測器元件陣列，其中：該感測器光罩陣列包含感測器光罩的一陣列，每一感測器光罩定位於該等感測器元件中之各別至少一感測器元件上方；該等感測器光罩中之每一者具有孔隙之一圖案，且該等感測器光罩中之至少一者之該孔隙圖案不同於該等感測器光罩中之至少一其他感測器光罩之該孔隙圖案。
  2. 如請求項1之影像感測器，其中對於該等感測器光罩中之每一者，該孔隙圖案包含一經寫碼孔隙圖案。
  3. 如請求項1或2之影像感測器，其中用於該等感測器光罩中之至少一者之該孔隙圖案實質上正交於用於該等感測器光罩中之至少一其他感測器光罩之一孔隙圖案。
  4. 如請求項1或2之影像感測器，其中用於該等感測器光罩中之至少一些感測器光罩之該等孔隙圖案係根據一循環差集。
  5. 如請求項1或2之影像感測器，其中該等感測器光罩中之至少一些感測器光罩包含一哈德瑪得編碼光罩及/或實質上根據可自一哈德瑪得矩陣導出之一S矩陣予以編碼。
  6. 如請求項1或2之影像感測器，其中該等感測器光罩中之至少一些感測器光罩包含孔隙之一均一冗餘陣列。
  7. 如請求項1或2之影像感測器，其經組態成使得在操作中當被安裝於包含該微影圖案化器件之一微影裝置中時，該影像感測器與該經投影影像之相對移動提供該等感測器元件中之複數個不同感測器元件對該影像之該區之取樣，彼等感測器元件中之至 少一些相比於彼等感測器元件中之至少一些其他感測器元件具有孔隙圖案不同的感測器光罩。
  8. 如請求項1或2之影像感測器，其經組態以藉由複數個該等感測器元件中之每一者對該影像之該區之取樣而獲得複數個感測器量測，其中該等感測器光罩之該等孔隙圖案係使得可一起處理該等感測器量測以獲得表示該經取樣區之影像資料。
  9. 如請求項8之影像感測器，其中該等感測器光罩之該等孔隙圖案係使得可一起處理該等感測器量測以藉由將該等感測器量測與一解碼矩陣迴旋運算而獲得該影像資料。
  10. 如請求項8之影像感測器，其中該等感測器光罩之該等孔隙圖案係使得可一起處理該等感測器量測以藉由對於該等感測器量測執行一循環迴旋運算程序而獲得用於該經取樣區之該影像資料。
  11. 如請求項1或2之影像感測器，其中對於該等感測器光罩中之每一者，實質上所有該等孔隙具有大於50奈米、視情況大於100奈米之一最大寬度。
  12. 如請求項1或2之影像感測器，其中對於該等感測器光罩中之每一者，該等孔隙中之至少一些具有相關聯的螢光材料。
  13. 如請求項1或2之影像感測器，其中該等感測器光罩中之每一者定位成實質上鄰近於該等感測器元件中之一相關聯的感測器元件。
  14. 如請求項1或2之影像感測器，其中該等感測器光罩中之每一者位於該等感測器元件中之一相關聯的感測器元件之一分離距離內，且該分離距離小於1微米、視情況小於500奈米、視情況小於100奈米。
  15. 如請求項1或2之影像感測器，其用於感測具有在4奈米至500奈 米之一範圍內、視情況在4奈米至25奈米之一範圍內、視情況在100奈米至400奈米之一範圍內、視情況實質上等於365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米中之一者之一波長的電磁輻射。
  16. 一種感測經由一微影圖案化器件而投影之一影像之一區之方法，其包含：將一影像感測器定位成使得其接收經由該微影圖案化器件而投影之該影像之至少部分，其中：該影像感測器包含一感測器光罩陣列及一感測器元件陣列，該感測器光罩陣列包含感測器光罩的一陣列，每一感測器光罩定位於該等感測器元件中之各別至少一感測器元件上方；該等感測器光罩中之每一者具有孔隙之一圖案，且該等感測器光罩中之至少一者之該孔隙圖案不同於該等感測器光罩中之至少一其他感測器光罩之該孔隙圖案；且該方法進一步包含：提供該影像感測器與該經投影影像之相對移動使得藉由該等感測器元件之複數個不同感測器元件對該影像之至少該區進行取樣，彼等感測器元件中之至少一些相比於彼等感測器元件中之至少一些其他感測器元件具有孔隙圖案不同的感測器光罩；及對於該影像之該等經取樣區中之每一者，一起處理藉由該等感測器元件中之該複數個不同感測器元件對該影像之該區之該取樣而獲得的感測器量測，藉此獲得表示該經取樣區之影像資料。
  17. 如請求項16之方法，其中該感測器包含一如請求項1至15中任一項之感測器。
  18. 如請求項16或17之方法，其中該等感測器量測之該一起處理包含將該等感測器量測與一解碼矩陣迴旋運算。
  19. 如請求項16或17之方法，其中該等感測器量測之該一起處理包含執行一循環迴旋運算程序。
  20. 如請求項16或17之方法，其中該影像資料包含經由該微影圖案化器件而投影之該影像之該區的一表示。
  21. 如請求項16或17之方法，其中提供該影像感測器與該經投影影像之相對移動包含：在該影像感測器及/或該經投影影像之一平面中提供相對橫向移動。
  22. 如請求項16或17之方法，其進一步包含在實質上垂直於該影像感測器及/或該經投影影像之一平面的一方向上提供該影像感測器與該經投影影像之相對移動，藉此在相對於該經投影影像之一平面之複數個偏移位置處對該影像之該區進行取樣。
  23. 如請求項16或17之方法，其包含將該感測器安裝於一微影裝置中使得該感測器之該等感測器光罩實質上處於該微影裝置之一投影系統之一焦平面，該投影系統在操作中經由該微影圖案化器件而投影該影像。
  24. 如請求項16或17之方法，其包含將該感測器安裝於包括該微影圖案化器件之一微影裝置之一基板台上，以對該影像之該區進行取樣。
  25. 一種微影裝置，其包含：一照明系統，其用於提供一輻射光束；一支撐結構，其用於支撐一圖案化器件，該圖案化器件用以在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案；一基板台，其用於固持一基板；一投影系統，其用於投影該經圖案化輻射光束以在該基板台 處提供一影像；及一如請求項1至15中任一項之感測器，其安裝於該基板台上以用於感測該影像之至少一區。
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