TWI490947B - 熱製程輻射之孔洞控制 - Google Patents

Description

熱製程輻射之孔洞控制

本發明之實施例大體而言係關於一種用於控制來自孔洞之輻射的裝置及方法。

半導體上之積體元件的大小已經縮減以匹配對更小及功能更強大之裝置的持續需求。隨著半導體裝置上之特徵變得更小，用於諸如光微影術及熱處理之製程的光需要更高的解析度。用於半導體應用之任何光微影術或輻射熱處理系統之關鍵能力為輻射均勻性及控制。

先進之退火裝置使用孔洞以每次處理一個場。孔洞在晶圓上成像，且僅孔洞之透射區域得以處理。可遮罩或阻斷一些無需或不用處理的區域，而不是處理整個場。

當光與諸如孔洞之邊緣或微影遮罩之邊緣的障礙物接觸時，障礙物可使光衍射。光之衍射可在曝露之光阻劑或退火部分形成邊緣、圓角或其他效應，而該等效應並不存在於孔洞或遮罩之設計中。

光學臨近效應修正(OPC)已用於解決光微影術中已知障礙物所形成的預期光失真。此可藉由基於特徵之間的寬 度及間隔的預計算查閱資料表而驅動(基於規則式OPC)，或藉由使用緊密模型以動態類比最終圖案而驅動，且進而驅動一般分為諸部分之邊緣的運動以找到最佳解決方案(基於模型式OPC)。

隨著特徵愈來愈緊密，必須提高光熱處理中之輻射均勻性及控制以適應上述變化。現有系統能夠達成約3%的不均勻性。然而，由於對製造能力之需求在繼續增加，需要進一步改善。

因此，在此項技術中需要允許在基於光學之半導體處理中增加不均勻性且進而增加產量之方法及裝置。

在一實施例中，一種用於處理基板之裝置可包括熱退火輻射源及孔洞，該孔洞經定位以接收來自熱退火輻射源之輻射能。孔洞可包括至少一個透射構件及能量阻斷構件。能量阻斷構件可包括干涉區域，其中干涉區域界定穿過透射構件的透射區域。另外，裝置可包括至少一個結構，該結構影響穿過孔洞之透射區域之部分之輻射能的透射。

在另一實施例中，一種用於處理基板之裝置可包括用於提供輻射能的熱退火輻射源，及孔洞，該孔洞經定位以接收來自熱退火輻射源之輻射能。孔洞可包括至少一個透射構件，一或更多第一結構，該一或更多第一結構包含在透射構件中或透射構件上形成的干涉區域及透射區域。在本實施例中，透射區域係由第一結構界定。裝置亦可包括一或更多第二結構，該一或更多第二結構安置於孔洞之透射區域的至 少部分中。

100‧‧‧孔洞

102‧‧‧第一構件

104A‧‧‧能量阻斷構件

104B‧‧‧能量阻斷構件

106‧‧‧第二構件

108‧‧‧開口

110‧‧‧塗層

112‧‧‧焦平面

114A‧‧‧內部邊緣

114B‧‧‧內部邊緣

120‧‧‧孔洞

200‧‧‧熱處理裝置

202‧‧‧孔洞

206‧‧‧干涉區域

208‧‧‧透射區域

210‧‧‧熱退火輻射源

212‧‧‧輻射能

214‧‧‧基板

216‧‧‧輻射能

218‧‧‧圖像

312‧‧‧孔洞

314‧‧‧接線

316‧‧‧干涉區域

318‧‧‧透射區域

322‧‧‧孔洞

324‧‧‧接點區域

326‧‧‧干涉區域

328‧‧‧透射區域

332‧‧‧孔洞

334‧‧‧塗佈區域

336‧‧‧干涉區域

338‧‧‧透射區域

342‧‧‧孔洞

344‧‧‧切割區域

346‧‧‧干涉區域

348‧‧‧透射區域

410‧‧‧圖形

412‧‧‧孔洞

414‧‧‧接線

416‧‧‧干涉區域

418‧‧‧透射區域

422‧‧‧孔洞

424‧‧‧接點

426‧‧‧干涉區域

428‧‧‧透射區域

432‧‧‧孔洞

434‧‧‧塗佈區域

436‧‧‧干涉區域

438‧‧‧透射區域

442‧‧‧孔洞

444‧‧‧接線

446‧‧‧干涉區域

448‧‧‧透射區域

可詳細理解本發明之上述特徵結構之方式，即以上簡要概述的本發明之更特定描述可參閱實施例進行，其中一些實施例在附加圖式中圖示，以便可詳細瞭解上文所述的本發明之特徵。然而，應注意，附加圖式僅圖示本發明之典型實施例，且因此並非視為限制本發明之範疇，因為本發明可允許其他同等有效之實施例。

第1A圖及第1B圖圖示根據一或更多實施例之孔洞的側視圖。

第2圖圖示控制輻射能至基板之透射的孔洞。

第3A圖至第3D圖圖示具有光學臨近效應修正之孔洞的替代實施例。

第4A圖至第4D圖圖示具有強度修正之孔洞的替代實施例。

相同元件符號已視需要用於指定圖式中共有之相同元件以便於理解。應預期到，一實施例中所揭示之元件可有益地用於其他實施例而無需特定敘述。

本文揭示一種用於熱處理基板之裝置，該裝置包括提供輻射能的輻射源，及孔洞，該孔洞經定位以接收來自輻射源之輻射能，孔洞具有一或更多結構，該等結構影響穿過孔洞之透射區域之部分之輻射能的透射。孔洞可包括一或更多構件，及一或更多干涉區域，其中干涉區域環繞透射區域。 干涉區域可包含能量阻斷區域。孔洞通常使輻射形成所要形狀，且將所成形之輻射場指向基板。

結構可包括部分透射塗層，該部分透射塗層可安置於部分或整個透射區域之上。可包括凸面、凹面及塗層之結構可安置於孔洞之透射區域的至少部分中。孔洞之構件可為能量阻斷構件，該等能量阻斷構件中之至少一者可包含干涉區域及/或透射區域，或可收斂或發散輻射能的透射構件。凸面及凹面之尺寸可小於輻射能之波長，以避免自孔洞發出之不良圖像形成至輻射場中。結構中之至少一者可將輻射能指向基板之所要退火區域。

結構中之一者可為末端成形結構或強度校正結構，該等結構可包括形成於孔洞之構件中之一者上或內部的凸面、凹面或以上兩者之組合。凸面可包括接線、接點或其他形狀，該等形狀沉積或蝕刻於透射構件之頂部。凹面可包括接線、接點或其他形狀，該等形狀沉積或蝕刻在透射構件內部。末端成形結構或強度校正結構亦可包括形成於孔洞或構件中之一者上或者內部的部分透射塗層。

孔洞之任何部分上的塗層可為反射塗層、不透明塗層、部分透射塗層、部分反射塗層或以上各者之組合。此類塗層通常經選擇以藉由移除或減少輻射源所發射之輻射能的不均勻性而使到達基板之輻射能之強度更均勻。在一實施例中，孔洞可收斂或發散輻射能。

凸面或凹面可藉由諸如光微影術之微影製程而形成在孔洞或孔洞之構件上。孔洞之任何部分上之凸面或凹面可 為反射的、不透明的、部分透射的、部分反射的、或以上各者之組合。凸面或凹面可經定位以便將輻射指向基板之所要退火區域的一或更多部分。在一或更多實施例中，孔洞或構件之結構可為接線。在另一實施例中，結構之尺寸可小於輻射能之波長。參閱以下圖式可更好地瞭解本申請案之實施例。

第1A圖圖示根據一實施例之孔洞100的側視圖。孔洞100可具有第一構件102，該第一構件102對於選定形式之能量為實質上透明的，諸如對於具有選定波長之光或雷射輻射。可為不透明的、部分透射或部分反射的能量阻斷構件104A可形成在第一構件102之表面的一部分上，從而界定開口108，能量可以開口108之形狀穿過開口108。第二構件106可安置於第一構件102及能量阻斷構件104上，從而覆蓋開口108。第二構件106對於將要透射穿過孔洞100的能量亦可為實質上透明的，且第二構件106之材料可與第一構件102相同。孔洞100之邊緣係藉由確保微粒不進入開口108之塗層110來封閉。

孔洞100可經定位以使得能量阻斷構件104位於入射在孔洞100之能量的焦平面112上，以確保能量場之精確截斷。因為開口108定位於能量之焦平面上，開口中收集之任何粒子，例如第一構件102之表面上的粒子，在所透射之能量場中投射會導致基板之不均勻處理的陰影。第二構件106覆蓋開口108且封閉孔洞100之邊緣，以確保黏附至孔洞100之任何粒子距離焦平面足夠遠，以使得在最終能量場中失焦，從而由於粒子之陰影所導致之最終能量場之強度變化有 所減少。

第一構件102及第二構件106通常由相同材料製成，諸如玻璃或石英。能量阻斷構件104A可為不透明材料、部分透射材料或部分反射材料，諸如金屬，白漆或介電鏡。能量阻斷構件104A可為成形的及/或有形狀的。能量阻斷構件104A可係使用適當黏接劑(諸如，加拿大香脂)塗覆至第一構件102上。或者，在蒸氣應用製程中，能量阻斷構件104A可沉積或生成在第一構件102上，且隨後經蝕刻以形成開口108。第二構件106通常係使用黏接劑塗覆至能量阻斷構件104。然而，其他連接手段可用以連接第一構件102及第二構件106。舉例而言，第二構件106亦可在蒸汽應用製程中沉積或生成。

塗層110可為透氣性的或不透氣性的材料。塗層可為黏接劑或使用黏接劑塗覆的硬質材料。或者，塗層110可藉由將第一構件102及第二構件106之邊緣與能量阻斷構件104A之邊緣熔融熔合而形成。

為避免孔洞100之折射效應，能量阻斷構件104A之內部邊緣114A所界定之開口108的側壁可為錐形的、角形的、傾斜的或者以其他方式成形以使得折射效應最小化，例如藉由匹配自熱退火輻射源射出之輻射能之傳播方向來使折射效應最小化。

第1B圖圖示根據另一實施例之孔洞120的側視圖。孔洞120與第1A圖所示之孔洞100類似，但孔洞120不具有中心開口108。孔洞120包含嵌入有能量阻斷構件104之透射 構件122。減少孔洞120中不同媒體之間之介面的數目可減弱折射效應。如上文結合第1A圖所描述，在第1B圖之實施例中，能量阻斷構件104B之內部邊緣114B展示為錐形。

藉由環繞著第一透射構件之中心台架蝕刻或研磨環形隔板，且藉由使用非光學活性之黏接劑(諸如拿大香脂)將環形能量阻斷構件黏附於環形隔板上，接著將第二透射構件黏附於能量阻斷構件及第一透射構件之中心台架上，即可製成第1B圖之孔洞120。或者，能量阻斷構件可黏附至不具有中心台架的第一透射構件上，且第二透射構件可藉由在能量阻斷構件上及第一透射構件之曝露部分上沉積一種材料且用透射材料填補中心開口而形成。在此項技術中，透射材料之沉積眾所熟知，且可用任何已知沉積或塗覆製程來實踐。

孔洞之大小可有所變化。較小孔洞可定位於較大孔洞附近，以減小所透射之能量場之大小。較小孔洞亦可經再次移除以利用較大孔洞。可提供多個不同大小之孔洞，以允許針對不同大小之退火區域改變能量場之大小。或者，單個孔洞可具有可變之孔洞大小。兩個矩形通道可形成在透明外殼中，且兩對不透明的或反射性致動半板可安置於矩形通道中，使得一對半板共存於透明外殼之中心部分。半板對可經定向以沿正交軸移動，以使得藉由移動各對半板在矩形通道之內更加靠近或更遠離，大小可變之矩形孔洞可得以形成。

孔洞100及孔洞120可以任何所要方式放大或縮小穿過孔洞之光線的圖像。孔洞之放大因數可為1：1，孔洞本質上並未放大，或可在約1.1：1與5：1因數之間以縮小圖像之尺 寸，例如約2：1或約4：1。縮減尺寸可適用於一些實施例，因為所成像之能量場之邊緣可藉由尺寸縮小而銳化。以在約1：1.1與約1：5之間的因數放大(例如約1：2)可用於一些實施例，以藉由增加所成像之能量場之覆蓋區域而改良效率及產量。

其他實施例可包括使用第一透射構件而不使用第二透射構件或使用兩個以上透射構件，以建立根據上述描述之替代實施例。同樣，實施例可用諸如凸面、凹面或塗層之結構代替能量阻斷構件104。

第2圖圖示根據一實施例之熱處理裝置200的俯視圖。熱處理裝置200具有孔洞202，孔洞202具有干涉區域206及透射區域208。干涉區域206可減少或阻止輻射能之透射，此與例如藉由利用上面安置有非透射層而影響輻射能之透射的能量阻斷構件104或其他區域類似。透射區域208使輻射能透射穿過孔洞202，且可包括完全透射或部分透射輻射能之區域，諸如能量阻斷構件。儘管透射區域及周圍之干涉區域展示為正方形，但實施例可取決於使用者之需要而包括所有已知形狀或形狀之群組。另外，一些實施例可不包括干涉區域206。

熱處理裝置200具有熱退火輻射源210。熱退火輻射源210發出輻射能212，輻射能212可為相干光，例如雷射束。孔洞202經定位以接收來自熱退火輻射源210之輻射能212。孔洞使輻射能212成形且透射所得輻射能216至基板214。

透射至基板214之所得輻射能216在基板之表面上形成圖像218，因為受輻射能212在透射區域208之邊緣處衍射的影響，圖像218由透射區域208成形。由於孔洞202之衍射，圖像218在基板214上之形狀可不同於透射區域之形狀。同樣，由於孔洞202之衍射，所得輻射能216之強度圖案亦可不同於輻射能212之原始強度圖案。

在不受理論約束之情況下，當波與障礙物接觸時，彼等波可圍繞障礙物彎曲。就熱處理而言，穿過透射區域之輻射能既由透射區域成形，且圍繞透射區域彎曲。圖像之拐角處可存在光學死區，且輻射能可在圖像之邊緣「退出」。

折射結構可用以校正一些衍射效應，諸如突增效應。藉由在透射區域形成形狀，折射結構可調解預期光學死區及特定波長之光的其他性質，以更接近所要透射至基板之圖像。

結合或獨立於折射結構，藉由在孔洞之透射區域形成塗層及凸面或凹面，可進一步控制輻射能之形狀。本文中所描述之結構校正圖像之末端。第3A至3D圖圖示具有末端成形結構之孔洞構件的替代實施例，該等末端成形結構諸如形成在透射表面上的接線、接點及塗層。本文所揭示之實施例並非意欲限制所有可能實施例。

第3A圖圖示根據一實施例之具有一或更多接線的末端成形孔洞。孔洞312可具有透射區域318，該區域係藉由干涉區域316界定於第一及第二構件中。透射區域318之邊緣可各自具有一或更多接線314，該等接線可呈三角形及柵格 狀圖案或其他圖案。接線314可各自具有如下尺寸，例如小於選定用於基板之輻射能之波長的寬度。據信，若接線之尺寸大於輻射能之波長，則接線可在基板上形成陰影。

接線之間距可經調節以控制穿過孔洞之透射區域之輻射能的通量。舉例而言，接線314之間的間距在透射區域318之邊界附近可較小且在透射區域318之中心區域處可較大。接線314之間距可用以減少可產生於所得輻射能之邊緣處的彎曲。

儘管本文所描繪之接線呈柵格形狀，但是接線可呈任何形狀。在一些情況下，接線可形成為諸如六邊形或圓形之形狀。另外，接線可各自具有一或更多曲線。最終，接線可各自具有不同尺寸以控制透射率，例如藉由在要求圖像之更多透射處使用較小尺寸的接線。上述實施例之多種組合可用以實現類似結果。

第3B圖圖示根據一實施例之具有一或更多接點的末端成形孔洞。孔洞322可具有透射區域328，該區域係藉由干涉區域326界定於第一及第二構件中。透射區域328之邊緣可具有接點區域324，接點區域324可基於要求減小輻射能之透射率之位置而呈三角形圖案或其他圖案。接點區域324可具有直徑小於輻射能之波長的接點。接點之間距可經加寬以允許更多輻射能穿過孔洞。舉例而言，接點區域324中接點之間距可隨著接點區域324接近透射區域328之邊界而縮減。如上所述，接點之定位、接點之透射率及接點之間距皆可用以控制死區及彎曲。另外，接點之間距無需相對於彼此 保持統一。接點之形狀無需為圓形，而可為橢圓形、正方形或其他所要形狀。另外，變化之尺寸、接點之大小及接點之間距可共同使用，以控制穿過透射區域328之總透射。

第3C圖圖示根據一實施例之具有至少一個塗佈區域的末端成形孔洞。孔洞332可具有透射區域338，該區域係藉由干涉區域336界定於第一及第二構件中。透射區域338之邊緣可具有塗佈區域334，塗佈區域334可基於要求減小輻射能之透射率之位置而呈正方形圖案或其他圖案。塗層對輻射能之透射率可基於使用者之需要而均勻或變化，諸如高度透射之塗層位於預期有死區之區域附近，而彎曲區域附近具有逐漸增強之不透明性。

一個以上之區域可經塗佈。塗佈區域334係可藉由已知技術來沉積，諸如化學氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)或物理氣相沉積(physical vapor deposition,PVD)。塗佈區域334可為反射的或不透明的或以上兩者之組合，諸如無定形碳層。塗佈區域334亦可經蝕刻以進一步界定邊緣或在所得輻射能中形成保護區。

用於本文所描述之實施例中之凸面、凹面及塗層係可藉由蝕刻製程、沉積製程或以上兩者之組合形成。蝕刻製程可包括微影製程，例如光微影術。沉積製程可包括CVD或PVD，諸如電漿增強CVD製程。所沉積之凸面、凹面及塗層可由反射材料、部分透射材料或不透明材料組成。以上列出之用於形成凹面及凸面之製程的類型並非意欲限制。可預想的是，可根據本文所描述之實施例採用如下任何製程，該等 製程形成可減少、阻斷或重定向穿過透射構件之透射區域之光之透射的結構。

凸面、凹面或塗層可用於減少、阻斷或重定向透射。使用透鏡狀特徵可達成之重定向透射對於修復均勻性而言很重要。當相同頻率之兩個波長結合時，所得圖案係由兩個波長之間的相位差確定。相位中之波將經歷相長干涉，而相位外之波將經歷相消干涉。因為相比未經重定向之波，經重定向之波行進路徑稍長，因此，經重定向之波可用以增強或干涉輻射能之其他部分。此效應可用以形成可用以處理所得輻射能之形狀的可控制死區。

考慮到具有一個以上之構件之孔洞，凸面、凹面或塗層可形成在孔洞之任何構件的任何表面上，而此舉會影響透射區域的透射。另外，凸面、凹面或塗層可形成在一個以上之表面上，在該等表面上凸面、凹面或塗層們可共同或分別影響輻射能。凸面、凹面及塗層亦可形成在同一表面，包括同一表面之同一區域，在該表面上凸面、凹面及塗層可影響透射穿過孔洞的輻射能。

第3D圖圖示根據一或更多實施例之具有一或更多切割區域的末端成形孔洞。孔洞342可具有透射區域348，該區域係藉由干涉區域346界定於第一及第二構件中。透射區域348之邊緣可有一或更多切割區域344，該一或更多切割區域344可基於要求減小輻射能透射之位置及形狀而呈正方形圖案或其他圖案。切割區域344可為固體塗層、部分透射塗層，蝕刻設計、如上所述之接點或接線，或以上各者之任何 組合。在所描述之區域，輻射能可得以減少或完全阻斷，從而保護基板之元件或區域。上述之末端成形結構可用以校正切割區域344之邊緣處的折射，諸如在透射區域之邊緣處的接線可用以校正突增效應。

上述之凸面、凹面及塗層可用以使輻射能成形，以與將受影響之區域相匹配。可使用凸面、凹面、塗層及能量阻斷構件或以上各者之組合來形成末端成形結構。同樣，凸面、凹面及塗層可用以提供所得輻射能之更均勻之強度。

結合或獨立於上述之末端成形結構，藉由在孔洞之透射區域上形成強度校正結構，可進一步控制輻射能之強度。第4A至4D圖圖示具有強度校正結構之孔洞構件的替代實施例，該等強度校正結構諸如形成在透射表面上之接線、接點及塗層。本文所揭示之實施例並非意欲限制所有可能實施例。

第4A圖描繪具有一或更多接線之強度校正孔洞的俯視圖。孔洞412可具有透射區域418，該區域係藉由干涉區域416界定於第一及第二構件中。透射區域418之中心可具有一或更多接線414，該接線可藉由使用柵格狀圖案而圓形形狀。可基於如可能所要求之減少輻射能透射之位置及強度而使用其他形狀及圖案。如上所述，接線414可蝕刻為一或更多構件，安置於構件上或內部，或以上各者之組合。本文所描述之接線414可包括先前所描述之變體，諸如改變接線之尺寸，改變接線之間之間距或改變接線之形狀，以控制穿過孔洞412之透射區域418的總體透射。

在此實施例中，接線可形成為具有柵格狀圖案的圓形結構，在該結構中，距離中心愈遠，接線之尺寸愈小且接線之間距愈大，從而形成具有較低透射率的中心區域及具有愈來愈高之透射率的外部區域。此實施例經設計以減小預期受較小折射影響之區域的透射，以使強度位於中心且邊緣之強度更均勻。其他凸面、凹面、塗層或其他因數可能影響所得輻射能之強度，因為輻射能之強度對應於透射區域418。因而，接線414既不必位於中心，亦無需在強度校正區域之部分之間具有不同透射率。

第4B圖描繪具有一或更多接點之強度校正孔洞的俯視圖。孔洞422可具有透射區域428，該區域係藉由干涉區域426界定於第一及第二構件中。透射區域428之中心可具有一或更多接點424，該一或更多接點424可呈接點之間之距離增加的圓形形狀。可基於如可能所要求之減少輻射能透射之位置及強度而使用其他形狀及圖案。如上所述，一或更多接點424可蝕刻為一或更多構件，安置於一或更多構件上或內部，或以上各者之組合。本文所描述之一或更多424接點可包括先前所描述之變體，諸如改變接點之尺寸、改變接點之間之間隔、改變接點之透射率或改變接點之形狀，以控制穿過孔洞422之透射區域428之輻射能的總體透射。

在此實施例中，接點可形成為如下圓形結構，在該結構中，距離中心愈遠，接點之間之間隔愈大，且因此接點愈少。此實施例可形成具有較低透射率的中心區域及具有愈來愈高之透射率的外部區域。此實施例經設計以減小預期受 較小折射影響之區域的透射，以使強度位於中心且邊緣之強度更均勻。其他凸面、凹面、塗層或其他因數可影響所得輻射能之強度，因為輻射能之強度對應於透射區域428。因而，一或更多接點424既不必位於中心，亦無需在強度校正區域之部分之間具有不同透射率。

第4C圖描繪了具有塗佈區域434之強度校正孔洞的俯視圖。孔洞432可具有透射區域438，該區域係藉由干涉區域436界定於第一及第二構件中。透射區域438之中心可具有塗佈區域434，塗佈區域434可基於要求減小輻射能透射率之位置而呈圓形圖案或其他圖案。如上所述，塗佈區域434可包含部分透射塗層。同樣，塗層可為反射塗層或不透明塗層。其他實施例可根據使用者之需要而包括結合反射塗層及不透明塗層兩者。

在此實施例中，塗佈區域可形成為環狀結構或梯度狀結構，在該結構中，中心區域具有較低透射率而外部環或外部區域具有愈來愈高之透射率。此實施例經設計以減小預期受較小折射影響之區域的透射，以使強度位於中心且邊緣之強度更均勻。其他凸面、凹面、塗層或其他因數可影響所得輻射能之強度，因為輻射能之強度對應於透射區域。因而，塗佈區域既不必位於中心，亦無需在強度校正區域之部分之間具有不同透射率。另外，儘管此實施例所展示之環狀結構之邊界係可辨別的，但是其他實施例中可包括具有不可辨別之邊界的梯度或環狀結構。

第4D圖描繪了透射區域內形成有形狀410及一或 更多接線444之強度校正孔洞的俯視圖。孔洞442可具有透射區域448，該區域係藉由干涉區域446界定於第一及第二構件中。透射區域可具有形成在所成形之干涉區域446中的一或更多形狀410。透射區域448之中心可具有一或更多接線444，該一或更多接線444可基於要求減小輻射能透射率之位置而呈四角星形狀圖案或其他圖案。此實施例所描述之接線444可用於校正已由一或更多形狀410改變之光束的強度，以得到可在基板上生成更多正方形圖像的所得輻射能。儘管此實施例描述為使用接線以改變輻射能之強度且生成更均勻之所得輻射能，但也可使用任何類型之凸面、凹面或塗層，不管單獨使用還是使用以上各者之一些組合。

上述實施例亦可連同收斂或發散輻射能之構件(諸如透鏡)一起使用。構件可在構件之一或更多區域或在整個構件中收斂或分散輻射能。輻射能之收斂或分散可藉由構件之總體形狀改變、在構件之特定部分成形，或以上兩者之組合。另外，在一或更多實施例中可組合收斂及分散之部分以形成可收斂和分散輻射能之構件。

參閱強度校正孔洞或末端成形孔洞描述的凸面、凹面塗層可以任何組合使用，以形成透射至基板之邊緣均勻且強度均勻之所得輻射能。特定之實施例並非意欲限制本申請案中所揭示之可能實施例之範疇。

本文所描述之實施例係關於一種用於控制流經孔洞之輻射的裝置。控制輻射意欲包括控制透射至基板之輻射形狀及場強度。藉由提供呈如上所述之形狀的接線或接點，可 控制所得輻射能之形狀及強度。本文中所描述之實施例可結合彼此使用或單獨使用。藉由使用孔洞上之強度校正或末端成形結構之組合，來自輻射能之圖像可在較短時間段內更均勻地影響基板。

儘管上述內容針對本發明之實施例，在不脫離本發明之基本範疇之情況下，可設計本發明之其他及另外之實施例，且本發明之範疇係由以下申請專利範圍之範疇確定。

200‧‧‧熱處理裝置

202‧‧‧孔洞

206‧‧‧干涉區域

208‧‧‧透射區域

210‧‧‧熱退火輻射源

212‧‧‧輻射能

214‧‧‧基板

216‧‧‧輻射能

218‧‧‧圖像

Claims (18)

1. 一種用於處理一基板之裝置，該裝置包含：一熱退火輻射源；一孔洞，該孔洞經定位以接收來自該熱退火輻射源之輻射能，該孔洞包含：一或更多個透射構件(transmissive member)；及一能量阻斷構件，其中該能量阻斷構件產生一干涉區域，且其中該干涉區域界定穿過該一或更多個透射構件之一透射區域；及一結構，該結構影響穿過該透射構件之該透射區域之一部分的輻射能透射(transmission of radiant energy)，其中影響輻射能透射的該結構不是均勻的橫跨該透射構件。
2. 如請求項1所述之裝置，其中該結構為一部分透射塗層。
3. 如請求項2所述之裝置，其中該部分透射塗層被安置於整個該透射區域上。
4. 如請求項1所述之裝置，其中該結構為一末端成形結構。
5. 如請求項4所述之裝置，其中該末端成形結構包含形成於該一或更多個透射構件上或內(on or in)的凸面、凹面或以上兩者之一組合。
6. 如請求項4所述之裝置，其中該末端成形結構包含一部分透射塗層，該部分透射塗層形成於該一或更多個透射構件中之至少一者上或內。
7. 如請求項1所述之裝置，其中該結構為一強度校正結構。
8. 如請求項7所述之裝置，其中該強度校正結構包含形成於該一或更多個透射構件中之至少一者上或內的一塗層。
9. 一種用於處理一基板之裝置，該裝置包含：一熱退火輻射源，該熱退火輻射源提供輻射能；一孔洞，該孔洞經定位以接收來自該熱退火輻射源之輻射能，該孔洞包含：一或更多個透射構件；一或更多個第一結構，該一或更多個第一結構包含形成於該一或更多個透射構件中之至少一者上或內的一干涉區域；及一透射區域，其中該透射區域係由該第一結構所界定且該透射區域包含至少一第一區域與一第二區域；及一或更多個第二結構，該一或更多個第二結構被安置於該透射構件之該透射區域之至少一部分上或內，其中相較於該第二區域，該一或更多個第二結構更大程度地改變在該第一區域中之輻射能透射。
10. 如請求項9所述之裝置，其中該一或更多個透射構件包含至少兩個透射構件，且其中該等第一結構被安置於該一或更多個透射構件中之超過一者上或內。
11. 如請求項9所述之裝置，其中該等第二結構包含一末端成形結構。
12. 如請求項11所述之裝置，其中該等末端成形結構包含形成於該一或更多個透射構件中之至少一者上或內的凸面、凹面或以上兩者之一組合。
13. 如請求項11所述之裝置，其中該等末端成形結構包含形成於該一或更多個透射構件中之至少一者上或內的一部分透射塗層。
14. 一種用於處理一基板之裝置，該裝置包含：一熱退火輻射源，該熱退火輻射源提供輻射能；一孔洞，該孔洞經定位以接收來自該熱退火輻射源之輻射能，該孔洞包含：至少一個透射構件；一或更多個第一結構，該一或更多個第一結構包含形成於每一透射構件上或內的一干涉區域；及一透射區域，其中該透射區域係由該第一結構所界定；及 一或更多個第二結構，該一或更多個第二結構被安置於該孔洞之該透射區域之至少一部分內，其中該等第二結構具有小於該輻射能之波長的一尺寸或其中該等第二結構包含一強度校正結構。
15. 如請求項14所述之裝置，其中該等強度校正結構包含形成於每一透射構件上或內的凸面、凹面或以上兩者之一組合。
16. 如請求項14所述之裝置，其中該等強度校正結構包含形成於每一透射構件上或內的一塗層。
17. 一種用於處理一基板之裝置，該裝置包含：一熱退火輻射源，該熱退火輻射源提供輻射能；一孔洞，該孔洞經定位以接收來自該熱退火輻射源之輻射能，該孔洞包含：一或更多個透射構件；一或更多個第一結構，該一或更多個第一結構包含形成於該一或更多個透射構件中之至少一者上或內的一干涉區域；及一透射區域，其中該透射區域係由該第一結構所界定且該透射區域包含至少一第一區域與一第二區域；及一或更多個第二結構，該一或更多個第二結構被安置於該透射構件之該透射區域之至少一部分上或內，其中該等第二結構包含一末端成形結構或一強度校正結構，且其中該末 端成形結構或該強度校正結構包含形成於該一或更多個透射構件上或內的凸面、凹面或以上兩者之一組合。
18. 一種用於處理一基板之裝置，該裝置包含：一熱退火輻射源；一孔洞，該孔洞經定位以接收來自該熱退火輻射源之輻射能，該孔洞包含：至少一個透射構件；及一能量阻斷構件，其中該能量阻斷構件包含一干涉區域，且其中該干涉區域界定穿過每一透射構件之一透射區域；及至少一個結構，該結構影響穿過該孔洞之該透射區域之一部分的輻射能透射，其中(1)該能量阻斷構件為錐形，或(2)其中該結構為包含形成於每一透射構件上或內的凸面、凹面或以上兩者之一組合的一強度校正結構。