TWI489620B - 利用一光電二極體之互補金氧半導體影像感測器像素 - Google Patents

利用一光電二極體之互補金氧半導體影像感測器像素 Download PDF

Info

Publication number
TWI489620B
TWI489620B TW096115318A TW96115318A TWI489620B TW I489620 B TWI489620 B TW I489620B TW 096115318 A TW096115318 A TW 096115318A TW 96115318 A TW96115318 A TW 96115318A TW I489620 B TWI489620 B TW I489620B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
charge
voltage
floating diffusion
region
photosensitive region
Prior art date
Application number
TW096115318A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200802832A (en
Inventor
Weize Xu
Original Assignee
Omnivision Tech Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Omnivision Tech Inc filed Critical Omnivision Tech Inc
Publication of TW200802832A publication Critical patent/TW200802832A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI489620B publication Critical patent/TWI489620B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50—Control of the SSIS exposure
    • H04N25/53—Control of the integration time
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
    • H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
    • H04N25/672—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction between adjacent sensors or output registers for reading a single image
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

利用一光電二極體之互補金氧半導體影像感測器像素
本發明大體而言係關於影像感測器之領域，且更特定言之，係關於此等CMOS影像感測器，其中影像信號在自像素陣列輸出之後立即轉換為數位信號。
CMOS影像感測器之一趨勢係像素大小之持續按比例縮小。當前CMOS影像感測器皆具有相同或近似之結構：每一像素中之用以將光信號轉換為電荷之感光裝置，諸如光電二極體PD及光閘；用於將電荷轉換為電壓之浮動擴散區(FD)電容器；及用於緩衝來自較大輸出匯流排電容之浮動擴散區電容並將電信號發送出像素陣列之放大器。初步藉由FD電容來判定像素輸出信號擺動，且可藉由PD來截獲電荷之數目。電荷之最大數目與光電二極體之大小成比例。為了維持感測器效能，需要較大PD大小及PD大小與像素大小之間的最小比率(>30%)或填充因數，其限制像素大小之進一步減小。在本發明中，將光電二極體之電位(而非浮動擴散區處之電壓)用作影像信號且轉換為數位信號，使得在不影響感測器效能之情況下達成像素大小及填充因數兩者之減小。
本發明係針對於克服上述問題中之一或多個。簡言之，根據本發明之一態樣，本發明包括一影像感測器，其包含：一光敏區，其積聚對應於所接收入射光之電荷；一轉 移閘，其用於轉移來自光敏區之電荷之全部或一部分；一電壓供應源，其具有施加至轉移閘之隨時間而增加之電壓；一浮動擴散區，其用於接收來自光敏區之電荷之全部或一部分並將電荷轉換為電壓；一放大器，其用於接收並放大來自浮動擴散區之信號；一脈衝偵測器，其用於偵測來自放大器之電壓脈衝；及一計數器，其用於對增加電壓之起始直至自偵測器接收到一指示自光敏區至浮動擴散區之電荷轉移之起始之信號之間的時脈週期進行計數。
自以下對較佳實施例及隨附申請專利範圍之詳細描述的審閱並藉由參看隨附圖式，將更清楚地理解並瞭解本發明之此等及其他態樣、目標、特徵及優勢。
本發明具有以下優勢：高速處理、較低功率耗散及低雜訊。其進一步消除像素放大器之非線性及臨限值變化之效應。其亦消除像素之間的浮動擴散區變化。
參看圖1，其展示本發明之影像感測器15之像素陣列10，該影像感測器15具有複數個像素20及複數個類比數位轉換器30，該複數個類比數位轉換器30用於以預定方式來接收並儲存來自該複數個像素20之信號。類比數位轉換器陣列25連接至像素陣列10之輸出。複數個行類比數位轉換器30包含類比數位轉換器陣列25。複數個脈衝偵測器40分別連接至像素匯流排95之輸出(如圖2中所示)，且複數個計數器50分別連接至複數個脈衝偵測器40。
為了理解之清楚起見，應注意，本發明之上述設備限制類比電路使用(為了達成雜訊及功率耗散減少之目的)並最大限度地使用數位電路之優勢。亦應注意，為了理解之清楚起見，為了說明本發明之複數個像素之代表性像素，圖2僅說明本發明之一個像素及其相關聯之電路。應理解，本發明包括複數個此等像素；例如，圖1之像素陣列10。如圖2中所示，像素20由積聚對應於所接收入射光之電荷的光敏區或光電二極體60構成。轉移閘(TG)70將來自光電二極體60之電荷轉移至電荷電壓轉換區或浮動擴散區(CFD)80，該電荷電壓轉換區或浮動擴散區(CFD)80將電荷轉換為電壓信號。重設電晶體(RG)90設定用於浮動擴散區(CFD)80及像素輸出行匯流排95之參考電壓，該像素輸出行匯流排95將藉由閉合開關S1而連接至脈衝偵測器40之輸入。放大器或放大器電晶體(M2)100接收並放大來自浮動擴散區(CFD)80之信號。列選擇電晶體110選擇特定像素列以輸出至像素匯流排95。
圖3包括圖2之較佳時序且包括待施加至圖2中所涉及之組件之時序信號的通用時序信號縮寫--RS、TG、RG、SHR及Enable。現參看圖2及圖3，一影像在整合期間被複數個光電二極體60截獲，且在整合之後，像素陣列10中之一像素列經選擇以藉由將一"高"施加至列選擇電晶體(RS)110之閘極來讀出。接著，將一脈衝電壓施加至重設電晶體(RG)90之閘極以清除來自浮動擴散區(CFD)電容器80之電荷且接著將浮動擴散區(CFD)80重設至參考電壓。浮 動擴散區(CFD)80處之電壓藉由放大器100來放大且發送出至行匯流排95。藉由行匯流排95處之參考信號，時脈SHR自"高"變為"低"以閉合開關S1。SHR時脈亦重設計數器50及脈衝偵測器40。在SHR脈衝之後，一致能(enable)時脈使每一行電路中之計數器開始對時脈週期之數目進行計數。初始電壓V1施加至轉移閘且開始使電壓逐漸地傾斜(大體上線性傾斜)。在轉移閘電壓傾斜期間，浮動擴散區(CFD)80處之電壓藉由源極隨耦器放大器100來緩衝並經由行匯流排95而發送出至類比數位轉換器陣列25。每一行類比數位轉換器30中一個的脈衝偵測器40開始監視像素輸出電壓。當偵測到像素輸出處之脈衝電壓時，脈衝偵測器輸出自低改變至高，且計數器50停止。應注意，電壓脈衝可在正方向或負方向上。換言之，脈衝偵測器40設定於參考電壓，且電壓脈衝可高於或低於參考電壓。時脈週期之經計數之數目為每一對應行之原始數位化信號值。
當傾斜之轉移閘(TG)電壓在TG閘70下產生充足電位時，光電二極體60中所積聚之電荷開始自光電二極體60流動至浮動擴散區(CFD)80。應注意，與如同在先前技術中感測光電二極體上之"整個"電荷相反，本發明使用浮動擴散區80來感測自光電二極體60之電荷轉移之"開始"或"起始"。返回至本發明之論述，在電荷轉移起始後，即在浮動擴散區80處產生電壓改變，且經由像素放大器(M2)100而將電壓改變經由行匯流排95發送出至行脈衝偵測器40。此電壓改變(正的或負的)觸發脈衝偵測器40以改變輸出狀 態。計數器50之"致能"輸入感測來自脈衝偵測器40之輸出之改變且接著停止計數。行計數器50之內容為原始像素數位輸出。
參看圖4A至4C，為了清楚起見而應注意，先前技術偵測電子之數目。相反，本發明之影像感測器偵測光電二極體之電荷電位，或換言之，其偵測光電二極體之未填充之電位井之深度。在像素陣列20之光電二極體60上存在光的情況下，電荷被產生並積聚於光電二極體60之電位井121中。在像素中在光電二極體60與浮動擴散區(CFD)80之間存在轉移閘(TG)70，該浮動擴散區80用以將電荷轉換為電壓。施加於轉移閘(TG)70之閘極上之電壓控制該閘極下之電位，且在電壓高於轉移閘70之臨限電壓時產生導電通道。光電二極體60之電位井121與浮動擴散區域80藉由轉移閘(TG)70之此產生之通道而被連接。在此閘極電壓增加之情況下，閘極下之電位降低。當轉移閘70下之電位等於光電二極體60之井121之電位時，積聚於光電二極體60中之電荷開始經由轉移閘(TG)70而自光電二極體60移動至擴散區域80。電荷自光電二極體60至浮動擴散區(CFD)80之移動將在浮動擴散區(CFD)區域80處產生電壓信號，該電壓信號接著被發送至像素放大器(M2)100之輸入。脈衝偵測器40偵測行匯流排95處之電壓改變。電子自光電二極體60至浮動擴散區80之移動將觸發行類比數位轉換器30中之脈衝偵測器40以改變其輸出狀態。脈衝偵測器40之輸出狀態之此改變會停止計數器50，且原始數位碼在計數器50之輸出 處被產生。此數位碼或數位信號表示由像素所產生之影像信號。此原始數位碼包括不良特徵，諸如雜訊及偏移，該等不良特徵可在下一數位處理階段得以校正及校準，此為熟習此項技術者所熟知。
參看圖5，其展示數位相機125，其中安置有本發明之影像感測器15以說明本發明之較佳商用實施例。
10‧‧‧像素陣列
15‧‧‧影像感測器
20‧‧‧像素
25‧‧‧類比數位轉換器陣列
30‧‧‧類比數位轉換器
40‧‧‧脈衝偵測器
50‧‧‧計數器
60‧‧‧光敏區或光電二極體
70‧‧‧轉移閘(TG)
80‧‧‧電荷電壓轉換區或浮動擴散區(CFD)
90‧‧‧重設電晶體(RG)
95‧‧‧像素輸出行匯流排
100‧‧‧像素放大器或放大器電晶體(M2)
110‧‧‧列選擇電晶體
121‧‧‧電位井
125‧‧‧數位相機
圖1為本發明之像素陣列及其相關聯之電路的說明；圖2為圖1之像素及類比數位轉換器之詳細視圖；圖3為圖2之時序圖；圖4A以示意形式說明本發明之影像感測器；圖4B說明本發明之橫截面；圖4C為了清楚地說明本發明之概念而說明圖4B之井電位圖；及圖5為用於說明本發明之影像感測器之典型商用實施例之本發明的數位相機。
20‧‧‧像素
30‧‧‧類比數位轉換器
40‧‧‧脈衝偵測器
50‧‧‧計數器
60‧‧‧光敏區或光電二極體
70‧‧‧轉移閘(TG)
80‧‧‧電荷至電壓轉換區或浮動擴散區(CFD)
90‧‧‧重設電晶體(RG)
95‧‧‧像素輸出行匯流排
100‧‧‧像素放大器或放大器電晶體(M2)
110‧‧‧列選擇電晶體
S1‧‧‧開關

Claims (16)

  1. 一種影像感測器，其包含：(a)一光敏區，其積聚對應於所接收入射光之電荷；(b)一轉移閘，其用於轉移來自該光敏區之該電荷之全部或一部分；(c)一電壓供應源，其具有一施加至該轉移閘之隨時間而增加之電壓；(d)一浮動擴散區，其用於接收來自該光敏區之該電荷之該全部或一部分並將該電荷轉換為一電壓；(e)一放大器，其用於接收並放大一來自該浮動擴散區之信號；(f)一脈衝偵測器，其用於偵測一來自該放大器之電壓脈衝；及(g)一計數器，其用於對增加之該電壓之起始直至自該偵測器接收到一指示自該光敏區至該浮動擴散區之電荷轉移之起始之信號之間的時脈週期進行計數。
  2. 如請求項1之影像感測器，其中該電壓脈衝為一正方向或負方向。
  3. 如請求項1之影像感測器，其進一步包含一重設電晶體，該重設電晶體用於重設該浮動擴散區及該計數器兩者。
  4. 如請求項1之影像感測器，其中該光敏區為一光電二極體。
  5. 如請求項1之影像感測器，其進一步包含一列選擇電晶 體，該列選擇電晶體電連接至該放大器以用於致能讀出。
  6. 一種成像裝置，其包含：(a)一光敏區，其積聚對應於所接收入射光之電荷；(b)一轉移閘，其用於轉移來自該光敏區之該電荷之全部或一部分；(c)一電壓供應源，其具有一施加至該轉移閘之隨時間而增加之電壓；(d)一浮動擴散區，其用於接收來自該光敏區之該電荷之該全部或一部分並將該電荷轉換為一電壓；(e)一放大器，其用於接收並放大一來自該浮動擴散區之信號；(f)一脈衝偵測器，其用於偵測一來自該放大器之電壓脈衝；及(g)一計數器，其用於對增加之該電壓之起始直至自該偵測器接收到一指示自該光敏區至該浮動擴散區之電荷轉移之起始之信號之間的時脈週期進行計數。
  7. 如請求項6之成像裝置，其中該電壓脈衝為一正方向或負方向。
  8. 如請求項6之成像裝置，其進一步包含一重設電晶體，該重設電晶體用於重設該浮動擴散區及該計數器兩者。
  9. 如請求項6之成像裝置，其中該光敏區為一光電二極體。
  10. 如請求項6之成像裝置，其進一步包含一列選擇電晶 體，該列選擇電晶體電連接至該放大器以用於致能讀出。
  11. 一種操作一影像感測器之方法，該方法包含以下步驟：(a)藉由一具有一容量之光敏區來積聚對應於所接收入射光之電荷；(b)藉由一轉移閘來轉移來自該光敏區之該電荷之全部或一部分；(c)將一隨時間而增加之電壓施加至該轉移閘；(d)藉由一電荷收集部分來接收來自該光敏區之該電荷之全部或一部分並將該電荷轉換為一電壓；及(e)使用一脈衝偵測器及計數器用於指示自該光敏區至該電荷收集部分之電荷轉移之起始；其中一輸出數位信號表示該容量之一部分，該部分係基於一與由該電荷所佔據之該容量之預定關係。
  12. 如請求項11之方法，其進一步包含以下步驟：將一未填充之容量提供為基於該預定關係之該容量之該部分。
  13. 如請求項11之方法，其進一步包含以下步驟：將該電荷收集區提供為一浮動擴散區。
  14. 如請求項11之方法，其進一步包含以下步驟：將該光敏區提供為一光電二極體。
  15. 如請求項12之方法，其進一步包含以下步驟：將該電荷收集區提供為一浮動擴散區。
  16. 如請求項11之方法，其進一步包含提供電壓脈衝為一正方向或負方向。
TW096115318A 2006-05-02 2007-04-30 利用一光電二極體之互補金氧半導體影像感測器像素 TWI489620B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/416,055 US7382008B2 (en) 2006-05-02 2006-05-02 Ultra-small CMOS image sensor pixel using a photodiode potential technique

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200802832A TW200802832A (en) 2008-01-01
TWI489620B true TWI489620B (zh) 2015-06-21

Family

ID=38537945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096115318A TWI489620B (zh) 2006-05-02 2007-04-30 利用一光電二極體之互補金氧半導體影像感測器像素

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7382008B2 (zh)
EP (1) EP2014084B1 (zh)
JP (1) JP4961013B2 (zh)
KR (1) KR101379046B1 (zh)
CN (1) CN101438576B (zh)
TW (1) TWI489620B (zh)
WO (1) WO2007133380A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7652706B2 (en) * 2006-02-15 2010-01-26 Eastman Kodak Company Pixel analog-to-digital converter using a ramped transfer gate clock
US8049256B2 (en) * 2006-10-05 2011-11-01 Omnivision Technologies, Inc. Active pixel sensor having a sensor wafer connected to a support circuit wafer
US7936039B2 (en) * 2008-10-20 2011-05-03 Teledyne Scientific & Imaging, Llc Backside illuminated CMOS image sensor with photo gate pixel
KR200449735Y1 (ko) * 2010-04-07 2010-08-05 주식회사 지테크인터내셔날 체지방 측정장치
US9076706B2 (en) 2011-01-07 2015-07-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor based on depth pixel structure
FR2998666B1 (fr) * 2012-11-27 2022-01-07 E2V Semiconductors Procede de production d'images avec information de profondeur et capteur d'image
US9319612B2 (en) * 2013-07-08 2016-04-19 Semiconductor Components Industries, Llc Imagers with improved analog-to-digital circuitry
TWI569644B (zh) * 2015-04-20 2017-02-01 財團法人工業技術研究院 影像感測裝置、系統及其方法和電荷感測裝置
JP2018019335A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 ソニー株式会社 撮像素子および撮像装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1163059A (zh) * 1997-04-08 1997-10-29 浙江通用包装机械厂 有螺旋直冷式蒸发器的冰淇淋机
CN1300161A (zh) * 1999-12-09 2001-06-20 德国汤姆森-布兰特有限公司 图象记录器
US20020118289A1 (en) * 2000-12-14 2002-08-29 Soo-Chang Choi CMOS image sensor having a chopper-type comparator to perform analog correlated double sampling
CN1681211A (zh) * 2004-02-23 2005-10-12 索尼株式会社 模拟数字转换方法和装置、半导体器件及电子装置
CN1706182A (zh) * 2003-02-28 2005-12-07 松下电器产业株式会社 固态成像装置驱动方法
TW200614671A (en) * 2004-04-26 2006-05-01 Sony Corp Counter circuit, ad conversion method, ad converter, semiconductor device for detecting distribution of physical quantities, and electronic apparatus

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH021948A (ja) * 1988-06-10 1990-01-08 Mitsubishi Electric Corp 信号伝送装置
JP2666522B2 (ja) * 1990-05-14 1997-10-22 日本電気株式会社 電荷転送装置
JPH05292409A (ja) * 1992-04-09 1993-11-05 Sony Corp Ｃｃｄ撮像装置
JP2500436B2 (ja) * 1993-05-10 1996-05-29 日本電気株式会社 信号処理装置
CN1222029A (zh) * 1997-11-11 1999-07-07 日本电气株式会社 输出量高的以cmos为基础的图像传感器
JP4246890B2 (ja) * 2000-06-26 2009-04-02 株式会社東芝 固体撮像装置
CN100347859C (zh) * 2001-03-05 2007-11-07 松下电器产业株式会社 固体摄象装置
KR20030084341A (ko) * 2002-04-26 2003-11-01 주식회사 하이닉스반도체 특성을 향상시킨 시모스 이미지센서의 단위화소
US7238977B2 (en) * 2004-08-19 2007-07-03 Micron Technology, Inc. Wide dynamic range sensor having a pinned diode with multiple pinned voltages
US20070131992A1 (en) * 2005-12-13 2007-06-14 Dialog Semiconductor Gmbh Multiple photosensor pixel image sensor
KR100767629B1 (ko) * 2006-01-05 2007-10-17 한국과학기술원 높은 광감도를 갖는 ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 이의 제조방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1163059A (zh) * 1997-04-08 1997-10-29 浙江通用包装机械厂 有螺旋直冷式蒸发器的冰淇淋机
CN1300161A (zh) * 1999-12-09 2001-06-20 德国汤姆森-布兰特有限公司 图象记录器
US20020118289A1 (en) * 2000-12-14 2002-08-29 Soo-Chang Choi CMOS image sensor having a chopper-type comparator to perform analog correlated double sampling
CN1706182A (zh) * 2003-02-28 2005-12-07 松下电器产业株式会社 固态成像装置驱动方法
CN1681211A (zh) * 2004-02-23 2005-10-12 索尼株式会社 模拟数字转换方法和装置、半导体器件及电子装置
TW200614671A (en) * 2004-04-26 2006-05-01 Sony Corp Counter circuit, ad conversion method, ad converter, semiconductor device for detecting distribution of physical quantities, and electronic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009535979A (ja) 2009-10-01
JP4961013B2 (ja) 2012-06-27
CN101438576A (zh) 2009-05-20
TW200802832A (en) 2008-01-01
US7382008B2 (en) 2008-06-03
EP2014084B1 (en) 2016-09-14
KR20090009845A (ko) 2009-01-23
EP2014084A1 (en) 2009-01-14
CN101438576B (zh) 2012-11-14
US20070257284A1 (en) 2007-11-08
KR101379046B1 (ko) 2014-03-28
WO2007133380A1 (en) 2007-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI489620B (zh) 利用一光電二極體之互補金氧半導體影像感測器像素
US10594973B2 (en) Conditional-reset, multi-bit read-out image sensor
TWI403094B (zh) 使用斜面傳輸閘極時脈的類比／數位轉換器
US7795650B2 (en) Method and apparatus for backside illuminated image sensors using capacitively coupled readout integrated circuits
US8576317B2 (en) Solid-state image pickup apparatus signal processing method for a solid-state image pickup apparatus, and electronic apparatus
US8022350B2 (en) Imaging pixel comprising a comparator to compare integrated photocurrent to a reference value and digital output circuitry
US20100271517A1 (en) In-pixel correlated double sampling pixel
TWI625972B (zh) 具有類比計數器元件的數位單位胞元
US10419699B1 (en) Method for shift register digital in pixel unit cell
JP6354221B2 (ja) 撮像装置及び電子機器
JP2005348324A (ja) 撮像装置及び撮像システム
JP2008079250A (ja) 固体撮像装置
KR101178861B1 (ko) 이미지 센서
JP2013141144A (ja) Ａ／ｄ変換回路、撮像素子、および電子機器
JP2012068253A (ja) 光電変換装置及び撮像装置
JP2008154292A (ja) 撮像装置及び撮像システム