JPH021948A - 信号伝送装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〕 この発明は、光電変換などの機能を有する半導体装置か
らの出力信りを伝送づる信号伝送装置に関するものであ
る。

（従来の技術） 第５図は、この種の信号伝送装置の従来例を示づ回路図
である。図において、１は外部から入射された光を信号
電夕■に変換するフォトダイオードぐあり、そのカソー
ドは電源２に接続され、アノードは接地されている。ま
た、このフォトダイオード１のカソードには、複数のＮ
ヂャネルＭＯＳトランジスタＱ１．Ｑ２．　・Ｑ（ｎ−
１＞、Ｑｎを縦続接続して構成した電信転送回路３が接
続され、その最終段のＭＯＳトランジスタＱｎは出力増
幅器４を介して出力端子５に接続されている。

電荷転送回路３の、前後に隣り合うＭＯＳトランジスタ
相互の間では、一方のＭＯＳ　ｔ−ランジスタのソース
と他方のＭＯＳトランジスタのドレインとが共通となる
ように、各ＭＯＳトランジスタＱ１　、Ｇ２．−、Ｑ　
（ｎ−１）、Ｑｎ／）＜連続的ニ形成されている。Ｇ１
．Ｇ２．　・Ｇ（ｎ−１）、Ｇ「）は゛電荷転送回路３
の各ＭＯ８ｔ−ランジスタＱ１〜Ｑ　ｎのゲートに個別
に接続されたパル、ス入力用の入力端子である。

従来の信号伝送装置は上記のように構成され、外部から
光が入射してフォトダイオード１に発生した信号電荷は
、入力端子Ｇ１に所定のパルスが印加されて電荷転送回
路３の第１段目のＭＯＳトランジスタＱ１がオンするこ
とによって、このＭＯＳトランジスタＱ１のソース部（
第２段目のＭＯＳトランジスタＧ２のドレイン部でもあ
る）に移される。以ト、入力端子Ｇ２〜Ｑｎの配列順序
にしたがって、これらの入力端子Ｇ２〜Ｑｎから対応す
る個々のＭＯ８Ｉ−ランジスタＱ２〜Ｑ　ｎのゲートに
順次所定のパルスが印加され、その印加順序に１ノたが
ってＭＯＳトランジスタＧ２−Ｑｎが順次オンする。こ
の動作によって信号電荷は電荷転送回路３を経て転送さ
れ、最終段のＭＯＳトランジスタＱｎのソース部まで読
み出された信号゛電荷は出力増幅器４で増幅されて出力
端子５から出力される。

上記したように電ｊｊｊ転送回路３の各ＭＯＳトランジ
スタＱ１〜Ｑｎが連続的に配列して形成されていること
に３１つて、これらのＭＯＳトランジスタＱ１〜Ｑｎの
代りに配線を介して接続した場合に見られるような、信
号電荷に及ぶ配線抵抗の影響がここでは大幅に軽減され
ることになる。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の信号伝送装置は以−トのように構成されているの
で、電荷転送回路３内を信号電荷が転送される際、完全
に転送されないで電荷の一部が電荷転送回路３の途中に
残されることになる。、このため、正確な信号電荷を出
力できず、十分なＳ／Ｎを得ることができ・ないという
問題点があった１゜この５Ｆ、明は、このような問題点
を解消するために／ｊされたちので、Ｓ／Ｎの高い信号
伝送を行うことのできる信号伝送装置を得ることを目的
とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る信号伝送装置は、ＭＯＳトランジスタを
複数段接続するとと６に、隣り合うＭＯＳトランジスタ
のソースとドレインが共通となる各段の信号電荷蓄積部
のボテンシＰル深さを後段に向かうにつれて順次低く設
定して構成され、外部から受りる物理間を信号電荷に変
換するトランスデ１−サに接続されてトランスｉユーナ
から出力される信号電荷を順次転送する電荷転送手段と
、この電荷転送手段の各段の信号電荷蓄積部の゛重荷蓄
積容量を所定の順序で段階的に小さくづるためのパルス
を前記ＭＯＳトランジスタのゲートに与える動作を周期
的に繰り返す駆動手段と、この駆動手段の１周期の動作
の間に、前記電荷転送手段のｈ１終段のＭＯＳトランジ
スタに信号゛電荷が転送されてくる同数を係数する計数
ｆ段とを備えたものである。

〔作用〕

この発明においては、トランスデューナから出力される
信号電荷が大きいほど、駆動手段の１周期の動作の間に
、電荷転送手段の最終段のＭＯＳトランジスタに信号電
荷が転送されてくる同数が多くなるので、信号電荷番よ
この同数をｌｉ１数する計数手段の計数値としてアナ１
］グ信号からデジタル信号に変換されＣ出力されること
になる。

〔実施例〕

第１図は、この発明による信号伝送装置の一実施例を示
す回路図である。図にＪ３いて、６は外部から受りる光
、音などの物理ｔｎを信号電荷に変換する！−ランスデ
ューナの一例として用いられているフォトダイオードで
あり、外部から入射される光に応じて信号電荷を発生す
る１、このフォトダイオード６のカソードは電源７に接
続され、アノードは接地されている。またフォトダイオ
ード６のカソードには、電荷転送回路８が接続されてい
る。

この電荷転送回路８はフォトダイオード６で発生した化
８電荷を転送するための回路であって、複数（ここでは
３個）のＮチ１シネルＭＯＳトランジスタ９ａ、９ｂ、
９ｃを縦続接続して構成され、その最終段のＭＯＳトラ
ンジスタ９Ｃのソースは別のＮチレニンルＭＯＳトラン
ジスタ１０のゲートに接続されている。このＭｏ８　ｔ
−ランジスタ１０のドレインは電源１１に接続され、そ
のソースはカウンタ１２の入力側に接続され、カウンタ
１２の出力側は出力端子１３に接続されてい、る。１４
は電荷転送回路８を駆動するパルスを出力する駆動回路
であり、各端子１５ａ、１５ｂ、１５ｃを介して電荷転
送回路８の各ＭＯＳトランジスタ９８〜９Ｃのゲートに
個別に接続されている。１６はカウンタ１２の内容をク
リアするリセット１３号を人力するためのりけット喘子
Ｃある。

上記した゛重荷転送回路８では、重視に隣り合うＭｏＳ
トランジスタ相互間にＪ３いＣ１一方のＭＯＳトランジ
スタのソースと他方のＭｏ８　ｌ−ランジスタのドレイ
ンとが共通どなるように、各ＭＯＳトランジスタ９８〜
９Ｇが連続的に形成されている。

第２図は、゛重荷転送回路８の各段のＭＯＳトランジス
タ９ａ〜９Ｃのソース部つまり信号電荷蓄積部となるポ
テンシャル井戸１７ａ、１７ｂ、１７Ｃを示ず模式図で
あり、そのポテンシャルは前段のＭＯＳトランジスタ９
ａから後段のＭＯＳトランジスタ９Ｃに至るにしたがっ
て順次低くなるように設定されている。第２図において
、１８は一ノＡトダイオード６のポテンシャル深さをホ
す。

第３図は、駆動回路１４の各端子１５ａ〜１５Ｃから電
荷転送回路８の各ＭＯＳトランジスタ９ａ・〜９Ｃのゲ
ートに印加されるパルス波形を示ず。

また第４図（ａ）へ・（１）は、この信号伝送装置の動
作中における電荷転送回路８の各ＭＯ３トランジスタ９
８〜９Ｃのポテンシャル井戸１７ａ〜１７Ｇの状１ぶを
示す模式図である。以下、これらの図を＠照しつつ、こ
の信号伝送装置の動作を説明する。

駆動回路１４から電荷転送回路８のいずれのＭＯＳトラ
ンジスタ９８〜９Ｃのゲートにもパルスが印加されない
第３図のａの時刻では、各ＭＯＳトランジスタ９ａ−９
Ｃのポテンシャ１月戸１７８〜１７ｃは第４図（ａ）の
状態にあり、光を受けてフォトダイオード６で発生した
信号電荷はフォトダイオード６に蓄積されたままの状態
に置かれ、いずれのポテンシャル井戸１７ａ〜１７にも
信号電荷は存在しない。

次に、第３図のｂの時刻において、駆動回路１４の端子
１５ａから電荷転送回路８の第１段目のＭｏ３　ｌ−ラ
ンジスタ９ａのゲートに正電位のパルスが印加されると
、このＭＯＳトランジスタ９ａがオンとなり、第４図（
ｂ）に斜線部分で示すように、フォトダイオ−ドロに蓄
積されていた信ｙ）電荷のすべてが第１段目のポテンシ
ャル井戸１７ａに転送される。

次に、第３図の時刻すと時刻Ｃの間に、駆動回路１４の
端子１５ｂから第２段［１のＭＯＳトランジスタ９ｂの
ゲートに所定レベルの正電位のパルスが印加されると、
第４図（Ｃ）に破線で示づよ・うに第１段目のポテンシ
ャル井戸１７ａと第２段目のポテンシャル井戸１７ｂの
間のバリアが低下しＣ１第１段目のポテンシャル井戸１
７ａの電荷蓄積容量が低下する。第４図（Ｃ）のときの
ポテンシャル井戸１７ａの電荷蓄積容量を１と仮定する
と、第４図（ｂ）のときのポテンシャル井戸１７ａの電
荷蓄積容量は１／２に低Ｆケる。、このため、ポテンシ
ャル井戸ｉ７ａに蓄積されていた信号電荷の１／２が第
２段目のポテンシャル井戸１７ｂに矢印で示すように転
送され、第３図の時刻Ｃでは信号電荷は第４図（Ｃ）に
斜線部分で示すように第１段目のポテンシャル井戸′１
７ａと第２段目のボデンシセルＪｔ戸１７ｂにそれぞれ
１／２ずつ蓄積される。

次に、第３図の時刻Ｃど時刻ｄの間に、駆動回路１４の
端子１５０から第３段目のＭＯＳト・ランジスタ９Ｇの
ゲートに所定レベルの正電位パルスが印加されると、第
４図（ｄ）に破線で示すように第２段目のポテンシャル
井戸１７ｂと第３段目」のポテンシャル井戸１７Ｇの間
のバリアが低下して、第２段目のポテンシャル井戸１７
ｂの電荷蓄積容量が１／４に低下する。このため、ボテ
シン１！ル月戸１７ｂに蓄積されていた１／２の信号電
荷の半分つまり１／４が第３段目のボテフシ１！ル井戸
１７ｃに矢印で示すように転送される。したがって、第
１段目、第２段目、第３段目のボテンシャル井戸１７ａ
、１７ｂ、１７ｃに蓄積されている信号電荷量をそれぞ
れΔ、Ｂ、Ｃとすると、第３図の時刻ｄでの信号電荷ｆ
ｆ１（Ａ、Ｂ、Ｃ）は（１／２．１／４．１／４）とな
る。ポテンシャル井戸１７Ｃつまり第３段目のＭＯＳト
ランジスタ９のソース側に転送された信号電荷によっＣ
１このとき次段のＭＯＳトランジスタ１０がオンして信
号（電流）が出力され、そのオン信号（２進数の「１］
に相当する信号）がカウンタ１２に人力され、カウンタ
１２はこれを計数する。ポテンシャル井戸１７ｃに電荷
が存在しなければＭＯＳ　Ｉ−ランジスタ１０はオフの
ままであり、カウンタ１２に信号は入力されない（２進
数の１−０１に対応）。

次に、第３図の時刻ｄと時刻ｅの間に、駆動回路１４の
端子１５Ｃから第３段目のＭＯＳ　ｌ−ランジスタ９Ｃ
のゲートに、先の時刻Ｃと時刻ｄの間に与えられたパル
スよりも高レベルの正電位パルスが印加されると、第４
図（Ｃ）に破線で示すように第２段目のボテフシ１！ル
井戸１７ｂと第３段目のポテンシャル井戸１７Ｇの間の
バリアが低下しで、第２段目のポテンシャル井戸１７ｂ
の電荷蓄積容ＩＨが１／８に低下づる。このため、ボテ
ンシトルＩ↑戸１７ｂ１．：蓄積されていた１／４の信
号電荷の半分つより１／８が第３段目のポテンシャル井
戸１７ｃに矢印で示すように転送される。したがって、
第３図のｅの時刻において、電荷転送回路８内に残され
ている信号電荷１（Ａ、８．Ｃ’）は（１／２．１／８
．１／８）となる。このどき、第３３段「１のボデンシ
ｔｌルｆ１戸１７ｃに転送された信号電荷によって、再
びＭＯ８Ｉ−ランジスタ１０がオン１ノで、カーシンタ
１２は２１！１目のオンイｉｉ　？ｔを計数する。す４
ｇわら、計数値は「２」となる、。

次に、第３図の時刻Ｃと時刻ｒの間に、駆動回路１４の
端子１５ｃから第３段目のＭＯＳトランジスタ９Ｇのゲ
ートに、先の時刻ｄと時刻ｅの間に与えられたパルスよ
りも高レベルの正電位パルスが印加されると、第４図（
［）に破線で示Ｊように第２段目のポテンシャル井戸１
７ｂと第３段目のボデフシ１１ル井戸１７ｃの間のバリ
アが第２段目のポテンシャル井戸１７ｂの深さまで低下
して、第２段目のポテンシャル井＞−ｒ　１７　ｂの電
荷蓄積容量はＯに低下する。このため、ポテンシャル井
戸１７ｂに蓄積されていた１７８の信＠電気のづべてが
第３段目のポテンシャル井戸１７ｃに矢印で示すように
転送される。したがって、第３図のｆの時刻にＪ３いて
、電荷転送回路Ｂ内に残されている信号電荷間（Ａ、＋
３．０）は（１／２．０．１／Ｅ３）どなる。このとき
、第３段目のボテンシャル井戸１７ｃに転送された信号
電荷によってＭＯＳトランジスタ１０がオンして、カウ
ンタ１３の計数値は「３１とになる。

次に、第３図の時刻ｆと時刻（コの間に、駆動回路１４
の端子１５ｂから第２段目のＭＯＳトランジスタ９ｂの
ゲートに、先の時刻すと時刻Ｃの間に与えられたパルス
よりも高レベルの正電位パルスが印加されると、第４図
（９）に破線で示すように第１段目のポテンシャル井戸
１７ａと第２段目のボテフシ１Ｐル井戸１７ｂの間のバ
リアが低下して、第１段目のポテンシャル井戸１７ａの
電荷蓄積容量が１／４に低下する。このため、ボテンシ
ャル１１戸１７ａに蓄積されていた１／２の信号電荷の
半分つまり１／４が第２段１」のボテンシャル月戸１７
ｂに矢印で示すように転送される。したがって、第３図
のｑの時刻において電荷転送回路８内に残されＣいる信
号電荷量（Ａ、Ｂ、Ｃ）は（１／４．１／４．０）とな
る。このときには、第３３段のＭＯＳトランジスタ９Ｃ
へは信号電荷が転送されないので電荷転送回路８からの
出力はなく、カウンタ１３の係数値は［３］のまま変ら
ない。

次に、第３図の時刻ｑと時刻りの間に、駆ｖＪｒｑ路１
４の端子１５ｃから第３段目のＭＯＳトランジスタ９Ｃ
のゲートに、先の時刻ｄと時刻ｅの間にりえられたパル
スと同レベルの正電位パルスが印加されると、第４図（
ｈ）に破線で示すように第２段目のポテンシャル井戸１
７ｂと第３段目のポテンシャル井戸１７ｃの間のバリア
が低下して、第２段目のポテンシャル井戸１７ｂの電荷
蓄積容量が１／８に低下する。このため、ポテンシャル
井戸１７ｂに蓄積されていた１／４の信号電荷の半分つ
まり１／８が第３段目のポテンシャル井戸１７Ｃに矢印
で示すように転送される。したがって、第３図の時刻り
において電荷転送回路８内に残され′Ｃいる信号電荷間
（Ａ、Ｂ、Ｃ）・は（１／４．１／８．１／８）となる
。このとき、第３段目のポテンシャル井戸１７Ｇに転送
された信号電荷によってＭＯＳトランジスタ１０がオン
して、カウンタ１３の計数値は「４」となる。

次に、第３図の時刻ｉ）と時刻ｉの間に駆動回路１４の
端子１５Ｇから第３段目のＭＯＳ　トランジスタ９Ｃの
ゲートに、先の時刻０と時Ｓｌｌ　ｆの間に与えられた
パルスと同レベルの正転位パルスが印加されるど、第４
図（１）に破線で示すように第２段目のポテンシャル井
戸１７ｂと第３段目のポテンシャル井戸１７ｃの間のバ
リアが第２段目のポテンシャル井戸１７ｂの深さまで低
下して、第２段目のポテンシャル井戸１７ｂの電荷蓄積
容量は０に低下する。このため、ポテンシャル井戸１７
ｂ１．：蓄積されていた１／８の信号電荷のすべてが第
３段］」のポテンシャル井戸１７ｃに矢印で示す、」；
うに転送される。したがって、第３図のｉの時刻におい
て電荷転送［！」路８内に残されている信号電（Ｉ？ｉ
早（Ａ、　Ｂ、　Ｃ）は（１／４．０．１／８）どなる
。このとき、第３段１］のポテンシャルｊＬ戸１７Ｇに
転送された信号電荷によってＭＯＳトランジスタ１０が
オンして、カウンタ１３の係数（直（よ「５１となる。

。 次に、第３図の時刻ｉと時刻ｊの間に、駆動回路１４の
端子１５ｂから第２段目のＭＯＳ　ｔ−ランジスタ９ｂ
のゲートに、先の時刻ｆと時刻９の間に与えられたパル
スＪ：りも高レベルの正電位パルスが印加されると、第
４図（ｊ）に破線で承りように第１段目のボテシン１１
ル月戸１７Ｆ１と第２段目のボテンシャル１１戸１７ｂ
の間のバリアが第１段［１のポテンシャル井戸ｉ　７　
ａの深さまで低下して、第１段目のポテンシャル井戸１
７ａの電荷蓄積容けはＯに低下する。このため、ポテン
シャル井戸１７ａに蓄積されていた１／４の信号電荷の
すべてが第２段目のボテフシ１？ル井戸１７ｂに矢印で
示すように転送される。したがって、第３図のｊの時刻
において電荷転送回路８内に残されている信号電荷量（
Ａ、Ｂ、Ｃ）は（０，１／４．Ｏ）となる。このときに
は第３段のＭＯＳ　ｔ−ランジスタ９Ｇへは信号電荷が
転送されないのぐ電荷転送回路８からの出力はなく、カ
ウンタ１３の計数値は「５」のまま変らない。

次に、第３図の時刻ｊと時刻にの間に、駆動回路１４の
端子１５ｃから第３段目のＭＯＳトランジスタ９Ｃのゲ
ートに、先の時刻ｄと時刻ｅの間に与えられたパルスと
同レベルの正転位パルスが印加されると、第４図（ｋ）
に破線で示すように第２段目のポテンシャル井戸１７ｂ
と第３段目のポテンシャル井戸１７Ｇの間のバリアが低
下しで、第２段［１のボテシン１１ル月戸１７ｂの電荷
？５積容吊が１／８に低下する。このため、ポテンシャ
ル井戸１７ｔ）に蓄積されていた１／４の信号電荷の半
分つまり１／８が第３段目のポテンシャル井戸１７ｃに
矢印で示すように転送される。したがって、第３図のｋ
の時刻において、電荷転送回路８内に残されている信号
電荷量（Ａ、Ｂ、Ｃ）は（０，１／８．１／８）となる
。このとぎ、第３段［１のポテンシャル井戸１７ｃに転
送されたイΔ＞；５２ＨＥによってＭＯＳ　ｌ−ランジ
スタ１０がオンして、カウンタ１３の計数値は「６１と
なる。

次に、第３図の時刻にと時刻ｌの間に、駆動回路１４の
端子１５ｃから第３段目のＭＯＳ　ｌ〜ランジスタ９Ｃ
のゲートに、先の時刻ｅと時刻ｒの間に与えられたパル
スと同レベルの正転位パルスが印加されると、第４図（
１）に破線で示すように第２段［１のポテンシャル井戸
１７ｂと第３段口のポテンシャル井戸１７Ｇの間のバリ
アが第２段目のボテシン１！ル月戸１７ｂの深さまて・
低下して、第２段目のポテンシャル井戸１７ｂの電荷蓄
積容ωはＯに低下りる。このため、ポテンシャル井戸１
７ｂに蓄積されていた１／８の信号電荷の寸べてか第３
段［１のポテンシャル井戸１７ｃに矢印で示すＪ：うに
転送される。したがって、第３図の１の時刻にＪ３いて
電荷転送回路８内に残されている信号電荷量（Δ、Ｂ、
Ｃ）は（０，０，１／８）となる。このとき、第３段［
１のポテンシャル井戸１７ｃに転送された信号電荷によ
ってＭＯＳトランジスタ１０がオンし、カウンタ１３の
計数値は［７１となる。

このようにして、電荷転送回路８内か、らすべての信号
°電荷が出力されることにより、この信号伝送装置の１
周期の動作が終了する。そして、このときカウンタ１２
から出力されで出力端子１３より１ｒｙ、り出される計
数値（この場合「７Ｊ）が信号電荷に対応する出力信号
となる。すなわち、信号電荷は電荷転送回路８を経てア
ナｌ」グ信号からデジタル信号に変換されて出力される
ことになる。

上記した１周期の動作の終ｒ時点ひ、リヒット端子１６
からカウンタ１３にリレット信号に入力され、これによ
ってカウンタ１３はクリアされる。

上記説明においては、フォトダイオ−ドロから１のｔＰ
ｉの信号電荷が出力される場合の動作について説明した
が、０以ト〜１以下の最の信号電荷が出力される場合に
ついても、駆動回路１４から電荷転送回路８の各ＭＯＳ
トランジスタ９ａ〜９Ｃのゲートに印加されるパルスの
種類およσ印加順序は仝＜　Ｉｒ７１様にして行われる
。そして、その動作によって、第１段［］のポテンシャ
ル井戸１７ａでは電荷蓄積容量が１→１／２→１／４→
０の順序で、また第２段目のボデンシＩ／ル井戸１７ｂ
では電荷蓄槓容吊が１／２→１／４→０の順序で段階的
に減少し、１７８を最小単位として１周期の間に信号型
Ｍの大きさに応じた同数の出力が電荷転送回路８から得
られる。

表１は、フォトダイオード６から出力される信号電荷の
大きさと、これに対応する電荷転送回路表　　１ 一般的に、第４図（ｄ）の動作時点で電荷転送回路８内
に残る信号電荷を先述した内式を用いて（Ａ、Ｆ３．Ｃ
）で表わすと、ここではフォトダイオ−ドロから出力さ
れる信号電荷の大きさが（Ａ＋−１３）以上（△（−Ｂ
−トＣ）以Ｆの範囲内のものは（△＋１３４−　Ｃ）と
して近似的に求められる。表１には各信号−上前の大き
ざの段階に対応する近似値を付記して示している。

なお、Ｅ記実施例では、３個のＭＯＳ　ｔ−ランジスタ
９ａ〜９Ｇで電荷転送回路８を構成し、駆り１回路１４
から各ＭＯＳトランジスタ９ａ〜９ｃのゲートに印加す
るパルスとして３段階のレベルを設定した例について示
したが、ＭＯＳトランジスタの数およびパルスのレベル
の段数を増すことによって、信号電荷の大きさをさらに
細かい段階に分けＣｆデジタル信号しで取り出すことが
できる。

一般的に、ＭＯＳ　ｔ−ランジスタの個数をｘ、１周期
の間に変化させるパルスの段数をｙ（Ｏレベルは除き、
同じレベルは２回に数えないものとする）とすると、２
ｘ手３　（ｘ≧２　、　ｙ≧２）段階に分（プＣ信号電
荷の大きざを表わすことかできる−（ただし、ｙについ
ては１増寸ごとにソース部のボデンシャルが前段階のレ
ベルの１／２になるように設定するものとする）。

また、上記実施例ではトランスデユーサとして、光を信
号電荷に変換するフォトダイオード６を用いた場合につ
いて説明したが、光に限らずその伯の物ＰＣケを信号電
荷に変換するものであれば、他の１〜ランスデユーサを
用いても同様の結果を得ることができる。

〔発明の効果〕

以−［のように、この発明によれば、トランス１コーサ
から出力される信号電荷を、その人ざさに応じて電荷転
送手段から数段階に分けて取り出し、その同数を計数手
段で計数することによってデジタル信号として得るよう
に構成しＣいるので、信号伝送のＳ／Ｎが大幅に向上す
るという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明による信号伝送装置の一実施例を示す
回路図、第２図はその′電荷転送回路にＪ３【プる各Ｍ
ＯＳトランジスタのポテンシャルｎ戸を示す模式図、第
３図はその駆動回路の出力パルスの動作タイミングを示
づタイミングチャート、第４図（ａ）〜（１）はその信
号伝送装置の１周期の動作中における各ＭＯＳトランジ
スタのポテンシャル井戸の状態を示す模式図、第５図は
従来の信号伝送装置を示す回路図である。 図において、６はフォトダイオード、８は電荷転送回路
、９　ａ　〜９　Ｃｄ３よび１０はＭ　ＯＳ　ｌ−ラン
ジスタ、１２はカウンタ、１４は駆動回路、１７８〜１
７ｃはボデンシャルＪ１戸である。 ／ｉお、各図中向−符Ｙ５は毎ｊ−また【ま相当部分を
小ず。 代即人　　大　岩　増　雄 第１図 第３図 第　２　図 第５図 第 悶 （１＜） （ρ） （ｊ） １／ａ １’／ｌ）　ｌ　’／Ｃ １ａ ＋７ｂ ７ｃ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＭＯＳトランジスタを複数段接続するとともに、
   隣り合うＭＯＳトランジスタのソースとドレインが共通
   となる各段の信号電荷蓄積部のポテンシャル深さを後段
   に向かうにつれて順次低く設定して構成され、外部から
   受ける物理間を信号電荷に変換するトランスデューサに
   接続されてトランスデューサから出力される信号電荷を
   順次転送する電荷転送手段と、 この電荷転送手段の各段の信号電荷蓄積部の電荷蓄積容
   量を所定の順序で段階的に小さくするためのパルスを前
   記ＭＯＳトランジスタのゲートに与える動作を周期的に
   繰り返す駆動手段と、この駆動手段の１周期の動作の間
   に、前記電荷転送手段の最終段のＭＯＳトランジスタに
   信号電荷が転送されてくる同数を係数する計数手段とを
   備える信号伝送装置。