TWI488557B - 電子零件模組及其製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種電子零件模組及其製造方法,尤其是關於一種具備配線基板、構裝於該配線基板上之電子零件及柱狀之連接端子構件、以及密封電子零件及連接端子構件之樹脂層之電子零件模組中的連接端子構件與配線基板之接合部之構造及接合部之製造方法。
對該發明具有興趣之技術,例如記載於日本特開2008-16729號公報(專利文獻1)。於專利文獻1中,記載有如下半導體裝置:將作為柱狀之連接端子構件之內部連接用電極,與配置於有機基板之配線圖案上之既定位置的連接電極用金屬墊(pad)部接合,且藉由密封樹脂將內部連接用電極密封。此外,於專利文獻1中,記載有內部連接用電極亦可與連接電極用金屬墊部進行焊接(soldering)。
然而,一旦藉由焊料連接內部連接用電極,則於將半導體裝置構裝於構裝用基板時之回焊(reflow)步驟中,將遇到如下問題:作為接合材料之焊料因再熔融而體積膨脹,導致焊料沿著內部連接用電極與密封樹脂之間隙往半導體裝置外側流出或噴出。
專利文獻1:日本特開2008-16729號公報
因此,本發明之目的在於:在如上述半導體裝置般之電子零件模組中,用以抑制在將其構裝於構裝用基板時所實施之回焊步驟中之接合材料之流出。
簡單而言,本發明之特徵在於:於配線基板上之導電焊墊(land)與柱狀之連接端子構件之接合部中,藉由使金屬間化合物生成,用以抑制回焊時之接合材料之流出。
首先,本發明係適於電子零件模組之構造。本發明之電子零件模組,具備:配線基板,係具有相互對向之第1及第2主面;電子零件,係構裝於配線基板之至少第1主面上;導電焊墊,係形成於配線基板之至少第1主面上;柱狀之連接端子構件,係具有相互對向之第1及第2端面,將第1端面以朝向導電焊墊之狀態配置,且透過接合部接合於導電焊墊;以及樹脂層,係於使該連接端子構件之第2端面露出之狀態下,以密封上述電子零件及連接端子構件之方式形成於配線基板之第1主面上。
為解決上述技術問題,本發明之電子零件模組之第1特徵在於:於藉由波長色散型X射線分析裝置(WDX,Wavelength Dispersion of X-ray)分析上述接合部之剖面時,於該接合部之剖面存在有至少生成有Cu-Sn系、M-Sn系及Cu-M-Sn系之金屬間化合物(M為Ni及/或Mn)之金屬間化合物生成區域(以下,有時稱為「生成區域」)。該等之金屬間化合物,係如例如使用以Sn系金屬作為主成分者作為用以形成接合部之接合材料,且連接端子構件之至少表面由Cu-M系合金構成之情形般,在使用Sn系金屬與Cu-M系合金之組合之情形必然地生成者。
此外,第2特徵在於:上述生成區域,係在將接合部之剖面於縱及橫各10塊均等地細分化成合計100塊時,至少存在2種構成元素不同之金屬間化合物之塊數相對於除了於1塊中僅存在Sn系金屬成分之塊以外之剩餘之總塊數的比例(以下,有時亦稱為「分散度」)為70%以上。
上述之所謂的「除了僅存在Sn系金屬成分之塊以外之剩餘之塊」,換言之,係存在金屬間化合物之塊。
此外,上述之所謂的「構成元素不同之金屬間化合物」,例如,係Cu-Mn-Sn金屬間化合物與Cu-Sn金屬間化合物之類的關係之金屬間化合物。例如,Cu6
Sn5
與Cu3
Sn係構成元素(亦即,Cu與Sn)彼此相同之金屬間化合物,因此以1種類計數。此外,上述之所謂的「至少2種」,係不僅為上述Cu-Sn系、M-Sn系及Cu-M-Sn系之3種金屬間化合物,亦包含此以外之金屬間化合物(例如,Ag-Sn系等)在內而進行計數之至少2種。
生成區域,無論是否不包含或包含Sn系金屬成分,較佳為:其含有率設為30體積%以下。Sn系金屬成分,由於在置於例如300℃以上之高溫環境下之情形,可能再熔融並流出,而造成接合部之耐熱性之降低。因此,可藉由將Sn系金屬成分之含有率設為30體積%以下,而抑制耐熱性之降低。
當接合部整體並未成為生成區域,於接合部中,使生成區域位於連接端子構件側,且使較生成區域包含較多Sn系金屬成分之區域位於導電焊墊側,則使得用以生成金屬間化合物之反應從連接端子構件側產生,因此,因該反應而產生之孔隙(void),容易往導電焊墊側逃逸,難以留在生成區域內部。另一方面,於包含較多Sn系金屬成分之導電焊墊側,例如即使殘存有孔隙,於此處實質上亦不生成金屬間化合物,因此孔隙並未聚集而以分散之狀態存在,因此,孔隙不會成為裂痕之起點。藉此,可抑制裂痕之產生。
連接端子構件,較佳為:可藉由例如由Cu-M系合金構成整體、或於其表面形成由Cu-M系合金所構成之鍍敷膜等而賦予。
上述生成區域,較佳為:亦存在於連接端子構件之第2端面,亦即與接合部為相反側之端面。在連接端子構件例如以Cu為主成分之
情形,於對構裝用基板進行構裝之回焊步驟中,存在有Cu被焊料侵蝕而接合可靠性降低之類的問題。然而,如上所述,當於連接端子構件之與接合部為相反側之端面亦存在有生成區域,則即使於回焊溫度下,金屬間化合物亦不熔融,因此於回焊步驟中,可防止焊料與連接端子構件間之擴散,其結果為,可維持較高之接合可靠性。
此外,本發明亦適於用以製造如上述般之電子零件模組之方法。
本發明之電子零件模組之製造方法,具備:準備配線基板之步驟,該配線基板係具有相互對向之第1及第2主面且於至少第1主面上形成有導電焊墊;準備電子零件之步驟;準備柱狀之連接端子構件之步驟,該柱狀之連接端子構件係具有相互對向之第1及第2端面且至少表面由Cu-M系合金(M為Ni及/或Mn)所構成;準備接合材料之步驟,該接合材料係以熔點低於Cu-M系合金之低熔點金屬為主要成分;構裝步驟,係將電子零件構裝於配線基板之至少第1主面上;賦予接合材料並且配置連接端子構件之步驟,係於連接端子構件與導電焊墊之間賦予接合材料,並且於使第1端面朝向導電焊墊之狀態下配置連接端子構件;熱處理步驟,係以低熔點金屬熔融之溫度進行熱處理,以將連接端子構件與導電焊墊透過接合材料而接合;以及形成樹脂層之步驟,係以密封電子零件及連接端子構件之方式,於配線基板之第1主面上形成樹脂層。
而且,本發明之電子零件模組之製造方法,其特徵在於:上述低熔點金屬,係Sn單體或包含70重量%以上之Sn之合金;上述Cu-M系合金,係於與該低熔點金屬之間生成金屬間化合物者,且與該金屬間化合物之晶格常數差為50%以上;上述熱處理步驟,包含於連接端子構件與導電焊墊之間,至少生成Cu-Sn系、M-Sn系及Cu-M-Sn系之金屬間化合物之步驟。
於本發明之電子零件模組之製造方法中,上述低熔點金屬,較佳為:Sn單體或包含85重量%以上之Sn之合金。其原因在於:於低熔點金屬與Cu-M系合金之間變得更容易形成金屬間化合物。
此外,低熔點金屬,較佳為:Sn單體、或包含選自由Cu、Ni、Ag、Au、Sb、Zn、Bi、In、Ge、Al、Co、Mn、Fe、Cr、Mg、Mn、Pd、Si、Sr、Te、及P所構成之群中之至少1種與Sn之合金。藉由將低熔點金屬選為如此之組成,而可於與Cu-M系合金之間容易形成金屬間化合物。
為了於與Sn系之低熔點金屬之間,更低溫且短時間地容易形成金屬化合物,Cu-M系合金,較佳為以5~30重量%之比例含有M,更佳為以10~15重量%之比例含有M。
至少表面由Cu-M系合金所構成之連接端子構件,可藉由例如由Cu-M系合金構成、或於其表面形成由Cu-M系合金所構成之鍍敷膜等而賦予。於前者之情形,一旦提高熱處理步驟中之溫度、或延長時間,則與連接端子構件之反應將持續至接合材料中所含之Sn成分消失為止,且可使接合部全部成為金屬間化合物生成區域。於後者之情形,由於僅鍍敷膜之厚度相應地產生生成金屬間化合物之反應,因此,可藉由調整鍍敷膜之厚度,而調整金屬間化合物生成區域之厚度。當然,即使是前者之情形,亦可藉由控制熱處理步驟之溫度及/或時間,而調整金屬間化合物生成區域之厚度。
例如,若採用上述後者之構成,則於熱處理步驟中,容易使在導電焊墊側生成之金屬間化合物之量,少於在連接端子構件側生成之金屬間化合物之量。
根據本發明,於生成區域中所生成之金屬間化合物使接合部高熔點化。因此,於後續步驟或藉由使用者之回焊步驟中,可於接合部中難以進行再熔融。藉此,可抑制再熔融導致之接合材料之體積膨脹,發展
出接合材料沿著連接端子構件與樹脂層之間隙流出或噴出之類的問題。
此外,假設即使賦予接合部之包含Sn系低熔點金屬之接合材料再熔融,並即將沿著連接端子構件與樹脂層之間隙流出,亦於接合材料與連接端子構件接觸時,以相對較短之時間達成用以生成Cu-Sn系、M-Sn系及Cu-M-Sn系之類的金屬間化合物之反應,且利用該反應消耗低熔點金屬,因此,就該方面而言,亦可使接合材料之流出或噴出之類的問題難以產生。
此外,亦可降低由接合材料之體積膨脹所導致的樹脂層與連接端子構件、及與接合部之間的剝離之問題。
1‧‧‧電子零件模組
2‧‧‧第1主面
3‧‧‧第2主面
4、42‧‧‧配線基板
5‧‧‧電子零件
6、45‧‧‧連接端子構件
7、43‧‧‧導電焊墊
8‧‧‧第1端面
9‧‧‧第2端面
10、44‧‧‧接合部
11、46‧‧‧樹脂層
19‧‧‧由Cu-M系合金所構成之鍍敷膜
21‧‧‧接合材料
22‧‧‧低熔點金屬粉末
23‧‧‧焊劑
25、35‧‧‧金屬間化合物生成區域
26‧‧‧富含Sn區域
圖1,係表示本發明之一實施形態之電子零件模組1之剖面圖。
圖2,係依序表示為了製造圖1所示之電子零件模組1而實施之步驟之剖面圖。
圖3(A)~(B),係用以說明圖2(A)所示之步驟之細節者,圖3(A)係將透過接合材料21將連接端子構件6配置於與導電焊墊7之間之狀態放大表示之剖面圖,圖3(B)係將為了透過接合部10而接合連接端子構件6與導電焊墊7而進行熱處理後之狀態放大表示之剖面圖。
圖4,係表示圖3(A)所示之連接端子構件6之變形例之剖面圖。
圖5,係表示將圖1所示之電子零件模組1構裝於構裝用基板31上之狀態之剖面圖。
圖6,係用以說明於圖5所示之往構裝用基板31上之構裝中,適合在連接端子構件6中採用之較佳之構造者,且係將電子零件模組1中之連接端子構件6所處之部分放大表示之剖面圖。
圖7,係表示於實驗例中製作之試驗工件41之外觀之一部分斷裂立體
圖。
圖8,係表示將圖7所示之試驗工件41構裝於印刷基板47上之狀態的外觀之俯視圖。
參照圖1,針對本發明之一實施形態之電子零件模組1進行說明。
電子零件模組1,具備有具有相互對向之第1及第2主面2及3之配線基板4。配線基板4,例如可藉由利用將複數片陶瓷胚片積層且燒成而製造成的多層陶瓷基板賦予。陶瓷胚片,係應成為低溫燒結陶瓷之原料之氧化鋁及玻璃等之混合粉末與有機黏合劑及溶劑等一起混合成的漿料經片材化者。於陶瓷胚片中,藉由雷射加工等而形成導孔(via hole),且於形成之導孔填充包含Ag或Cu等之導電膏(paste),並形成層間連接用之通孔導體。此外,於陶瓷胚片中,藉由印刷導電膏而形成各種之電極圖案。
之後,藉由將複數片陶瓷胚片積層、壓接而形成陶瓷積層體,並藉由以約1000℃左右之相對較低之溫度燒成而獲得配線基板4。於如此方式而獲得之配線基板4之內部,雖於圖1中未圖示,但係設置有通孔導體及包含內部電極圖案之配線導體。
另外,配線基板4,除了可藉由如上述之具備由低溫燒結陶瓷材料所構成之陶瓷層的多層陶瓷基板賦予之情形以外,亦可為氧化鋁系基板、玻璃基板、複合材料基板、或使用有樹脂或聚合物材料等之印刷基板,或者亦可為單層基板,且根據電子零件模組1之使用目的,適當選擇最佳之材質或構造。
於配線基板4之第1主面2上,構裝晶片零件或IC(Integrated Circuit,積體電路)等之類的複數個電子零件5。此外,同樣地於第1主面2上,構裝複數個柱狀之連接端子構件6。於圖1中,圖示有用以構裝連接
端子構件6之導電焊墊7。導電焊墊7,係形成於配線基板4之第1主面2上。柱狀之連接端子構件6,具有相互對向之第1及第2端面8及9,將第1端面8以朝向導電焊墊7之狀態配置,且透過接合部10接合於導電焊墊7。另外,關於接合部10之詳細之組成及構造,參照圖3進行下述。
電子零件模組1,具備樹脂層11,該樹脂層11係於使連接端子構件6之第2端面9露出之狀態下,以密封上述電子零件5及連接端子構件6之方式,形成於配線基板4之第1主面2上。於圖1中,電子零件5係其頂面亦由樹脂層11覆蓋,但電子零件5之頂面亦可於露出之狀態下密封。
接著,參照圖2(A)~(C),針對電子零件模組1之製造方法進行說明。另外,在圖2(A)~(C)中,係與圖1所示之電子零件模組1上下顛倒地表示。
首先,藉由如上述之方法製作配線基板4,接著,如圖2(A)所示,於配線基板4之第1主面2上使用接合材料構裝電子零件5及連接端子構件6。此處,參照圖3(A)及圖3(B),尤其針對連接端子構件6之構裝更詳細地進行說明。
於圖3(A)及圖3(B)中,將配線基板4及連接端子構件6之各一部分放大進行圖示。於圖3(A)及圖3(B)中,雖圖示有設置於配線基板4之導電焊墊7,但於該實施形態中,導電焊墊7,係由基底層13、形成於該基底層13上之第1鍍敷層14、及形成於該第1鍍敷層14上之第2鍍敷層15所構成。典型上,基底層13係藉由烘烤包含Cu之導電膏而形成,第1鍍敷層14係由Ni鍍敷膜所構成,第2鍍敷層15係由Au鍍敷膜所構成。此外,於圖3(A)及圖3(B)中,亦圖示有形成於配線基板4之內部之內部電極圖案16及17。一方之內部電極圖案16,係與上述之導電焊墊7電連接。
作為連接端子構件6,準備至少表面由Cu-M系合金(M為Ni及/或Mn)所構成者。連接端子構件6,可如圖3(A)所示,整體由Cu-M系合金構成,亦可如圖4所示,表面由Cu-M系合金所構成之鍍敷膜19被覆者。於後者之情形,連接端子構件6之本體部20,係例如由Cu構成。連接端子構件6,係具有所需之剖面尺寸及長邊方向尺寸者,且例如係藉由將具有圓形或多角形之剖面形狀之金屬線材以既定之長度切斷而獲得者。
另一方面,準備圖3(A)所示之接合材料21。接合材料21,係用以形成上述接合部10者,且使由熔點低於上述Cu-M系合金之低熔點金屬構成之粉末22分散於焊劑(flux)23中而成者。
作為上述低熔點金屬,使用Sn單體、或者包含70重量%以上、較佳為85重量%以上之Sn之合金。更具體而言,低熔點金屬,較佳為Sn單體、或包含選自由Cu、Ni、Ag、Au、Sb、Zn、Bi、In、Ge、Al、Co、Mn、Fe、Cr、Mg、Mn、Pd、Si、Sr、Te及P所構成之群中之至少1種與Sn之合金。藉由將低熔點金屬選為如此組成,可於與構成上述連接端子構件6之至少表面之Cu-M系合金之間容易生成金屬間化合物。
上述焊劑23,係發揮將作為接合對象物之連接端子構件6及導電焊墊7或接合材料21中之金屬粉末22之表面的氧化被膜去除之功能。然而,接合材料21並不一定必需包含焊劑23者,亦可應用無需焊劑23之接合法。例如,亦可藉由一邊進行加壓一邊進行加熱之方法、或於強還原性環境下進行加熱之方法等,而去除接合對象物或金屬粉末之表面之氧化被膜,而可進行可靠性較高之接合。另外,於包含焊劑23之情形,較佳為:相對於接合材料21整體,以7~15重量%之比例包含焊劑23。
作為焊劑23,可使用包含媒介劑、溶劑、觸變劑、活性劑等眾知者。
作為媒介劑之具體之例,可列舉:由松香及將其改質而成之
改質松香等衍生物所構成之松香系樹脂、合成樹脂、或該等之混合體等。作為由松香及將其改質而成之改質松香等衍生物所構成之松香系樹脂之具體之例,可列舉:脂松香(gum rosin)、妥爾松香、木松香、聚合松香、氫化松香、甲醯化(formylation)松香、松酯(rosin ester)、松香改質馬來酸樹脂、松香改質酚樹脂、松香改質醇酸樹脂、及其他各種松香衍生物等。作為由松香及將其改質而成之改質松香等衍生物所構成之合成樹脂之具體之例,可列舉:聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、苯氧基(phenoxy)樹脂、萜烯(terpene)樹脂等。
此外,作為溶劑,已知有乙醇、酮、酯、醚、芳香族系、烴類等,作為具體之例,可列舉:苄醇(苯甲醇)、乙醇、異丙醇、丁醇、二乙二醇(diethylene glycol)、乙二醇、丙三醇、乙基賽路蘇(乙氧基乙醇醚,ethyl cellosolve)、丁基賽路蘇(butyl cellosolve)、乙酸乙酯、乙酸丁酯、苯甲酸丁酯、己二酸二乙酯(diethyl adipate)、十二烷、十四烯、α-松脂醇(α-terpineol)、松脂醇、2-甲基-2,4-戊二醇(2-methyl-2,4-pentanediol)、2-乙基己二醇、甲苯、二甲苯、丙二醇單苯醚(propylene glycol monophenyl ether)、二乙二醇單己醚(diethylene glycol monohexyl ether)、乙二醇單丁醚(ethylene glycol monobutyl ether)、二乙二醇單丁醚、己二酸二異丁酯(di-isobutyl adipate)、2-甲-2,4-戊二醇(hexylene glycol)、環己烷二甲醇(cyclohexane diemethanol)、2-松油氧基乙醇(2-terpinyl oxy ethanol)、2-二氫松油氧基乙醇(2-dihydro terpinyl oxy ethanol)、及該等混合而成者等。
此外,作為觸變劑之具體之例,可列舉:氫化蓖麻油(hydrogenated Castor Oil)、棕櫚蠟(carnauba wax)、醯胺(amide)類、羥基脂肪酸(hydroxyfatty acid)類、二亞苄基山梨醇(dibenzylidene sorbitol)、雙(對甲基亞苄基,p-methyl benzylidene)山梨醇(bis-sorbitol)類、蜜蠟、硬脂酸醯胺(stearic acid amide)、羥基硬脂酸伸乙基雙醯胺(hydroxy stearic acid ethylene bis-amide)等。此外,該等中,可視需要添加辛酸(caprylic acid)、月桂酸(lauric acid)、肉豆
蔻酸(myristic acid)、棕櫚酸(palmitic acid)、硬脂酸(stearin acid)、蘿酸(behenic acid)之類之脂肪酸、1,2-羥基硬脂酸之類之羥基脂肪酸、抗氧化劑、界面活性劑、胺類等而成者,亦可用作觸變劑。
此外,作為活性劑,例示有:胺之氫鹵酸鹽、有機鹵化物、有機酸、有機胺、多元醇等。
作為活性劑之上述胺之氫鹵酸鹽之具體者,例示有:二苯胍(diphenylguanidine)氫溴酸鹽、二苯胍鹽酸鹽、環己胺(cyclohexylamine)氫溴酸鹽、乙基胺鹽酸鹽、乙基胺氫溴酸鹽、二乙基苯胺氫溴酸鹽、二乙基苯胺鹽酸鹽、三乙醇胺氫溴酸鹽、單乙醇胺氫溴酸鹽等。
作為活性劑之上述有機鹵化物之具體之例,可列舉:氯化石蠟、四溴乙烷、二溴丙醇、2,3-二溴-1,4-丁二醇、2,3-二溴-2-丁烯-1,4-二醇、三(2,3-二溴丙)異氰尿酸酯等。
此外,作為活性劑之有機酸之具體之例,有:丙二酸、福馬酸(fumaric acid)、乙醇酸、檸檬酸、蘋果酸、丁二酸、苯基丁二酸、馬來酸(順丁烯二酸,maleic acid)、水楊酸、鄰胺苯甲酸、戊二酸、辛二酸、己二酸、癸二酸、硬脂酸、松脂酸、苯甲酸、偏苯三甲酸(trimellitic acid)、均苯四甲酸(pyromellitic acid)、十二酸(月桂酸,dodecanoic acid)等,進一步地,作為有機胺之具體者,可列舉:單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、三丁胺、苯胺、二乙基苯胺等。
此外,作為活性劑之多元醇,例示有:赤蘚醇(丁四醇,erythritol)、鄰苯三酚(pyrogallol)、核糖醇等。
此外,作為焊劑23,亦可使用包含選自由環氧樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂(polyimid resin)、矽氧樹脂或其之改質樹脂、丙烯酸樹脂(acrylic resin)所構成之熱硬化性樹脂群中之至少1種,或者選自由聚醯胺樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚甲基丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯樹脂、纖維素系樹脂
所構成之熱塑性樹脂群中之至少1種者。
另一方面,上述構成連接端子構件6之至少表面之Cu-M系合金,係可藉由接合材料21之加熱熔融,而以與上述Sn系之低熔點金屬之組合,生成獲得310℃以上之熔點的金屬間化合物者。於Cu-M系合金為Cu-Mn系合金之情形,Mn佔該合金之比例較佳為10~15重量%,於Cu-Ni系合金之情形,Ni佔該合金之比例較佳為10~15重量%。
藉由將Cu-M系合金選為如上所述之組成,而可以更低溫且短時間地於與Sn系之低熔點金屬之間容易形成金屬間化合物。該金屬化合物,係非於之後可實施之回焊步驟中熔融者。
於Cu-M系合金中,在不阻礙與Sn系之低熔點金屬之反應之程度下,例如,亦可以1重量%以下之比例含有雜質。作為雜質,可列舉:Zn、Ge、Ti、Sn、Al、Be、Sb、In、Ga、Si、Ag、Mg、La、P、Pr、Th、Zr、B、Pd、Pt、Ni、Au等。
此外,一旦考慮接合性或反應性,則低熔點金屬粉末22中之氧濃度,較佳為2000 ppm以下,尤其係10~1000 ppm較佳。
此外,Cu-M系合金,係以生成於低熔點金屬粉末22之周圍、亦即生成於接合部10(參照圖2(A)、圖3(B))之金屬間化合物與該Cu-M系合金之間的晶格常數差成為50%以上之方式選擇。所謂上述晶格常數差,係如隨後揭示之式子所示,將金屬間化合物之晶格常數減去Cu-M系合金之晶格常數所得之值,除以Cu-M系合金之晶格常數,並將所得數值之絕對值乘以100所得的數值(%)。亦即,該晶格常數差,係表示最初生成於與Cu-M系合金之界面之金屬間化合物之晶格常數,相對於Cu-M系合金之晶格常數存在某種差異者,且係無關於哪一晶格常數是否較大者。
晶格常數差,係以如下式表示:晶格常數差(%)=[|{(金屬間化合物之晶格常數)-(Cu-M系合
金之晶格常數)}|/(Cu-M系合金之晶格常數)]×100。
再次參照圖3(A),一邊將上述接合材料21賦予至連接端子構件6與導電焊墊7之間,一邊將連接端子構件6以使其第1端面8朝向導電焊墊7之狀態配置。接著,於該狀態下,以接合材料21中所含之低熔點金屬粉末22熔融之溫度進行熱處理。將熱處理後之狀態表示於圖3(B)。
藉由上述熱處理而將接合材料21加熱,一旦達到構成低熔點金屬粉末22之Sn系低熔點金屬之熔點以上之溫度,則低熔點金屬粉末22熔融,並失去作為粉末之形態。
之後,一旦進一步繼續加熱,則Sn系低熔點金屬與位於連接端子構件6之表面之Cu-M系合金反應,形成圖3(B)所示之形態之接合部10。
於藉由波長色散型X射線分析裝置(WDX)分析接合部10之剖面時,確認於該接合部10之剖面存在至少生成Cu-Sn系、M-Sn系及Cu-M-Sn系之金屬間化合物之金屬間化合物生成區域25。藉由WDX亦確認到:該金屬間化合物生成區域25,在將接合部10之剖面於縱及橫各10塊均等地細分成合計100塊時,至少存在2種構成元素不同之金屬間化合物之塊數相對於除了於1塊中僅存在Sn系金屬成分之塊以外之剩餘之總塊數、亦即存在金屬間化合物之總塊數的比例(分散度)為70%以上。
如上所述,一旦於金屬間化合物生成區域25至少存在Cu-sn系、M-Sn系及Cu-M-Sn系之類3種以上之金屬間化合物,且生成區域25內之金屬間化合物成為以分散度70%以上之方式良好地分散之狀態,則使得應力集中難以產生,藉此,如由下述實驗例可知般,即使因由熱衝擊等產生之線膨脹係數差所引起之應變而導致應力負載於接合部10之情形,亦難以產生裂痕,因此,可使接合部10中之阻抗值上升或接合強度降低之類之問題難以產生。
如圖3(B)所示,較佳為:上述金屬間化合物生成區域25位於連接端子構件6側,且使相較於生成區域25包含較多之Sn系金屬成分之富含Sn區域26位於導電焊墊7側。其理由如下所述。
於產生生成區域25之過程中,通常會產生孔隙,但假設亦於導電焊墊7側配置Cu-M系合金之情形,則從接合部10之上下同時地引起金屬間化合物之生成,因此,所產生之孔隙容易集中於接合部10之中央。而且,於如此之接合步驟中,接合部10從其上下受到按壓。因該等情況,導致在接合部10之內部,所產生之空隙相連,而成為較大之層狀之空隙並殘留。一旦於接合部10之內部存在較大之空隙,則於墜落試驗或熱衝擊試驗中,存在以空隙為起點之裂痕產生的情況。尤其是,一旦裂痕變大,導致接合部10斷裂,將引起嚴重之問題。
相對於此,如圖3(B)所示,於金屬間化合物生成區域25僅位於連接端子構件6側之情形,亦即,在使金屬間化合物僅於連接端子構件6與接合部10之間生成之情形,因從一方向產生反應,因此所產生之孔隙容易往導電焊墊7側逃逸且難以留在生成區域25內部。另一方面,即使於導電焊墊7側之富含Sn區域26例如殘留有孔隙,亦因此處實質上不生成金屬間化合物,而使孔隙不聚集且以分散之狀態存在,因此,孔隙不會成為裂痕之起點。藉此,可抑制裂痕之產生。
如上所述之使金屬間化合物生成區域25位於連接端子構件6側且使富含Sn區域26位於導電焊墊7側的構成,使用如圖4所示之形成有由Cu-M系合金所構成之鍍敷膜19的連接端子構件6者可更容易地獲得。其原因在於:僅鍍敷膜19之厚度相應地產生生成金屬間化合物之反應,因此可藉由調整鍍敷膜19之厚度,而調整金屬間化合物生成區域25之厚度。
另外,若不特別期望使金屬間化合物生成區域25位於連接端子構件6側,且使富含Sn區域26位於導電焊墊7側之構成之上述優點,
則導電焊墊7亦可為至少表面由Cu-M系合金所構成者。
為了提升接合部10、尤其是生成區域25之耐熱性,生成區域25較佳為不包含Sn系金屬成分,且例如即使含有Sn系金屬成分,亦較佳為:其含有率為30體積%以下。Sn系金屬成分,於置於例如300℃以上之高溫環境下之情形,可能再熔融並流出,因此導致生成區域25之耐熱性之降低。因此,藉由將Sn系金屬成分之含有率設為30體積%以下,可使耐熱性較為提升。為降低如此之Sn系金屬成分之含有率,係涉及晶格常數。
如上所述,一旦構成連接端子構件6之至少表面之Cu-M系合金之晶格常數,於與在生成區域25生成之金屬間化合物的晶格常數之間具有50%以上之晶格常數差,則因構成接合材料21中所含之低熔點金屬粉末22之Sn系低熔點金屬與構成連接端子構件6之至少表面之Cu-M系合金的反應使金屬間化合物之生成迅速地進行,而可於短時間內充分地使生成區域25中之Sn系金屬成分之含量降低。
另外,接合材料21,亦可為非如上所述之膏之形態,而係例如板狀之固體之形態。
此外,接合材料21不僅可包含Sn系之低熔點金屬粉末22,亦可進一步包含由Cu-M系合金所構成之粉末。於該情形,即使連接端子構件6之至少表面非由Cu-M系合金所構成、亦即即使例如連接端子構件6係由Cu構成,亦可於接合部10中形成至少生成有Cu-Sn系、M-Sn系及Cu-M-Sn系之金屬間化合物之金屬間化合物生成區域25。
接著,如圖2(B)所示,以密封電子零件5及連接端子構件6之方式,於配線基板4之第1主面2上形成樹脂層11。樹脂層11,例如可由對環氧樹脂或酚樹脂、氰酸鹽(cyanate)樹脂等之熱硬化性之樹脂,混合氧化鋁或氧化矽(二氧化矽)、二氧化鈦等無機填料所形成之複合樹脂而形成。
例如,於使用在PET(polyethylene terephthalate,聚對苯二甲酸乙二酯)膜上使複合樹脂成形並半硬化而成之樹脂片材,形成樹脂層11之情形,在周圍配置有具有所欲之厚度之隔片或模具之狀態之配線基板4覆蓋樹脂片材,且以樹脂之厚度成為隔片或模具之厚度之方式,將樹脂片材進行加熱加壓後,利用烘箱(oven)加熱配線基板4而使樹脂硬化,藉此,可形成具有所欲厚度之樹脂層11。
另外,樹脂層11,亦可應用使用有液狀樹脂之灌注(potting)技術或轉移成形技術、壓縮成形技術等能夠形成樹脂層之其他一般之成形技術而形成。
接著,如圖2(C)所示,藉由利用輥刀(roller blade)等對樹脂層11之表面進行研削或研磨,而去除多餘之樹脂,使樹脂層11之表面平坦化,並且使連接端子構件6之第2端面9於樹脂層11之表面露出。藉此,完成電子零件模組1。另外,雖未圖示,但於該步驟中,亦可以電子零件5之頂面露出之方式研削、研磨。此外,於電子零件5為IC之情形,亦可對IC之頂面本身進行研削、研磨。藉此,可使電子零件模組1更低背化。
於因賦予連接端子構件6之第1端面8側之接合材料21之厚度等之影響,而於連接端子構件6之距離配線基板4之第1主面2之高度產生不均的情形,可藉由與樹脂層11一起對連接端子構件6之第2端面9側進行研削或研磨,而使連接端子構件6之距離配線基板4之高度一致。另外,參照圖4並如上所述,於連接端子構件6係被由Cu-M系合金所構成之鍍敷膜19被覆之情形,即使是研削或研磨之後,亦殘留鍍敷膜19之至少一部分。
於圖2(C)所示之階段中,於以連接端子構件6之第2端面9適當地露出之方式形成樹脂層11之情形,對樹脂層11之表面進行研磨或研削之步驟亦可不一定要實施。
另外,電子零件模組1,亦可如上所述般個別地製造,但亦可採用如下之方法:於形成複數個電子零件模組1之集合體之後,分割成各個電子零件模組1。
如以上述之方式獲得之電子零件模組1,係如圖5所示,構裝於構裝用基板31上。於圖5中,圖示有設置於構裝用基板31之導電焊墊32、以及將導電焊墊32與電子零件模組1之連接端子構件6接合之接合部33。接合部33,係由包含例如Sn系低熔點金屬之焊料所賦予,且應用回焊步驟,以形成接合部33。
於上述回焊步驟中,電子零件模組1之接合部10之尤其是金屬間化合物生成區域25(參照圖3(B)),因耐熱強度優異,而不會再熔融。
此外,於回焊步驟中,假設即使接合部10之富含Sn區域26(參照圖3(B))再熔融,並即將沿著連接端子構件6與樹脂層11之間隙流出,亦於富含Sn區域26中所含之Sn系低熔點金屬與連接端子構件6接觸時,於相對較短時間內達成用以生成Cu-Sn系、M-Sn系及Cu-M-Sn系之類之金屬間化合物之反應,且由該反應消耗Sn系低熔點金屬,因此,就該方面而言,可使接合材料21之流出或噴出之類之問題難以產生。
進一步地,對於以下方面亦應予以關注。於上述連接端子構件6與導電焊墊7之接合步驟期間,對連接端子構件6於朝向導電焊墊7之方向施加力,因此如圖3(A)所示,接合材料21以具有較連接端子構件6之徑長為大之徑長之方式擴大。因此,由圖3(B)可知,金屬間化合物生成區域25,成為具有較連接端子構件6之徑長為大之徑長之狀態。其結果為,接合部10中之金屬間化合物生成區域25,成為如遮蔽連接端子構件6與樹脂層11之間隙般之壁,藉此,亦可抑制接合材料21之流出或噴出。
於圖6中,表示有於對上述構裝用基板31上之構裝中,電
子零件模組1之連接端子構件6中適合採用之較佳之構造。於圖6所示之連接端子構件6之第2端面9、亦即與配線基板4之與導電焊墊7之接合部10(圖6中未圖示)為相反側之端面,存在有與上述金屬間化合物生成區域25同等之金屬間化合物生成區域35。
於連接端子構件6以例如Cu為主成分之情形,於對構裝用基板31進行構裝之回焊步驟中,存在有Cu被焊料侵蝕導致接合可靠性降低之類之問題。然而,如上所述,一旦金屬間化合物生成區域35亦存在於連接端子構件6之第2端面9,則即使在回焊溫度下金屬間化合物亦不熔融,因此於回焊步驟中,可防止作為賦予接合部33(參照圖5)之接合材料之焊料與連接端子構件6間之擴散,其結果為,可維持接合可靠性為較高。
另外,圖6所示之金屬間化合物生成區域35,若使用與上述賦予接合部10之接合材料21相同組成之接合材料,以形成接合部33,則於用以對構裝用基板31上進行構裝之回焊步驟中自然地形成,但亦可於對構裝用基板31上之構裝前之電子零件模組1之階段中預先形成。於後者之情形,若於圖3(A)所示之步驟中,亦於連接端子構件6之第2端面9上預先塗佈與接合材料21相同組成之接合材料,則於圖3(B)所示之步驟中,形成金屬間化合物生成區域35。
以上,已參照圖示之實施形態對本發明進行了說明,但本發明亦可應用於例如不僅於配線基板4之第1主面2,亦於第2主面3設置有電子零件及/或連接端子構件之電子零件模組。
接著,對基於本發明實施之實驗例進行記載。
(實驗例1)於實驗例1中,製作有如圖7所示之形態之試驗工件41。
試驗工件41,具備:配線基板42,係以低溫燒結陶瓷材料
構成;12個導電焊墊43,係於配線基板42之一主面上以成為3個×4個之矩陣之方式形成之實施有Ni鍍敷膜之由Cu所構成;柱狀之12個連接端子構件45,係透過接合部44接合於導電焊墊43之各個;及樹脂層46,係以密封連接端子構件45之方式,於配線基板42之一主面上形成之由環氧樹脂所構成。
配線基板42,具有3 mm×2.4 mm之平面尺寸及1 mm之厚度;連接端子構件45,係直徑為0.3 mm,長度為0.5 mm,排列間距為0.6 mm,此外,樹脂層之厚度為0.55 mm。
為獲得該試驗工件41之接合部44,而準備有將由表1之「構成接合材料之低熔點金屬」之欄中所示之低熔點金屬所構成之粉末與焊劑混合而成的膏狀之接合材料。作為焊劑,使用松香:74重量%、二乙二醇單丁醚:22重量%、三乙醇胺:2重量%、及氫化蓖麻油:2重量%之調配比率者。此外,焊劑之調配比例,係以焊劑之佔接合材料整體之比例成為10重量%。
此外,作為連接端子構件45,準備有由表1之「連接端子構件」之欄中記載之「組成」所構成者。於表1之「連接端子構件」之欄中,亦表示以a軸作為基準之「晶格常數」。
接著,準備配線基板42,且於導電焊墊43上以0.05 mm之厚度塗佈上述接合材料後,於其上配置連接端子構件45。
接著,使用回焊裝置,於150℃~180℃之溫度範圍內維持90秒、於220℃以上維持40秒、於240℃以上維持15秒,以將峰值溫度設為235℃~245℃之溫度分佈進行熱處理,藉此,將導電焊墊43與連接端子構件45接合,形成接合部44。
接著,於該階段中,評價表1所示之「最初生成之金屬間化合物」。所謂的「最初生成之金屬間化合物」,係於接合材料與連接端子構
件45之界面最初生成之金屬間化合物,且藉由以FE-WDX(Field Emission-Wavelength Dispersion of X-ray,場發射-波長色散型X射線分析裝置)對接合部44之剖面進行映射(mapping)分析而確認。「晶格常數」,係以a軸作為基準而求出者。此外,表1之「晶格常數差」,係藉由上述式子而求出者。
此外,於表1中,於接合部44中生成之金屬間化合物之代表例,表示於「接合部中生成之金屬間化合物例」之欄中。因此,於接合部44,亦可生成於表1所記載者以外之金屬間化合物。關於在接合部44中生成之金屬間化合物,亦藉由以FE-WDX對接合部44之剖面進行映射分析而確認。
另外,上述分析之結果確認了:於接合部44中,金屬間化合物生成區域位於連接端子構件45側,且較金屬間化合物生成區域包含較多Sn系金屬成分的區域位於導電焊墊43側。
此外,如表1所示,評價「分散度」。「分散度」係以如下順
序求出。
(1)於接合部44之剖面照片中,於與連接端子構件45之界面附近之區域,將接合部44於縱與橫各10塊均等地細分化為合計100塊。
(2)對1塊之中存在2種以上金屬間化合物之塊數進行計數。
(3)若有不存在金屬間化合物之塊,則將從已細分化之100塊之中將該塊去除後之剩餘之塊數作為總塊數,且將(2)中存在2種以上金屬間化合物之塊數除以總塊數再乘以100所得之值,設為分散度(%)。
接著,以密封連接端子構件45之方式,於配線基板42之一主面上形成樹脂層46,完成圖7所示之試驗工件41。
如表1所示,對以如此之方式製作而成之試驗工件41,實施「流出試驗」、「墜落試驗」及「熱衝擊試驗」。
於「流出試驗」中,對試驗工件41於溫度125℃下實施24小時之預處理後,於溫度85℃且相對濕度85%之高溫高濕環境下放置168小時,接著,於峰值溫度260℃之回焊條件下加熱3次後,藉由外觀觀察,評價於連接端子構件45之露出面有無接合材料之流出。對於在所有連接端子構件45中未確認有流出者,判定為合格,且於「流出試驗」之欄中表示為「○」;對於在連接端子構件45中之至少1個確認有流出者,判定為不合格,且於「流出試驗」之欄中表示為「×」。
於「墜落試驗」中,成為如下狀態:將圖7所示之10個試驗工件41,如圖8所示構裝於印刷基板47上,且雖未圖示,但將該印刷基板47安裝於由POM(polyoxymethylene,聚甲醛)材成形之平面尺寸120 mm×50 mm且厚度30 mm之固持器(holder)。然後,對該固持器之6面,從1.5 m之高度實施各3次之墜落試驗,檢查外觀上之不良狀況。其結果為,對於所有之試驗工件41均未確認有不良狀況者,判定為合格,且於「墜落試驗」之欄中表示為「○」;對於至少1個試驗工件41確認有不良狀況者,判定為不合格,且於「墜落試驗」之欄中表示為「×」。
於「熱衝擊試驗」中,對於圖7所示之形態之試驗工件,實施賦予於-55℃與+125℃之各個之溫度條件下分別保持30分鐘之循環至1000次的熱衝擊試驗之後,評價在連接端子構件中之電導通狀態。其結果為,對於500個連接端子構件均導通者判定為合格,且於「熱衝擊試驗」之欄中表示為「○」;將至少1個成為開起(open)不良者判定為不合格,且於「熱衝擊試驗」之欄中表示為「×」。
於表1中,試樣16~18係本發明之範圍外之比較例。
於本發明之範圍內之試樣1~15中,由「接合部中生成之金屬間化合物例」可知,至少存在有Cu-Sn系、M-Sn系(M為Ni及/或Mn)及Cu-M-Sn系之金屬間化合物,此外,關於「分散度」,顯示70%以上之值。
其結果為,於試樣1~15中,關於「流出試驗」、「墜落試驗」及「熱衝擊試驗」之任一者,均獲得「○」之評價。
另外,於表1中雖未表示,但對於使「構成接合材料之低熔點金屬」及「連接端子構件」與試樣2相同且導電焊墊43亦設成與「連接端子構件」相同組成的試樣,亦進行同樣之評價。其結果為,亦於該試樣中,「最初生成之金屬間化合物」、「晶格常數差」、「接合部中生成之金屬間化合物例」及「分散度」成為與試樣2相同,且於「流出試驗」、「墜落試驗」及「熱衝擊試驗」之任一者中,均獲得「○」之評價。然而,於該試樣中,雖並非特別嚴重,但於接合部44中可確認到微小裂痕。
相對於該等,於本發明之範圍外之試樣16~18中,關於「流出試驗」、「墜落試驗」及「熱衝擊試驗」之任一者,均獲得「×」之評價。推測其原因在於:於試樣16及17中,作為「接合部中生成之金屬間化合物例」,未滿足至少存在Cu-Sn系、M-Sn系及Cu-M-Sn系之金屬間化合物之條件,此外,於試樣16~18中,「晶格常數差」較小為20%,且「分散度」未滿70%。
(實驗例2)實驗例2係為求出構成連接端子構件之至少表面之Cu-M系合金中的M之較佳之含有率而實施。
首先,作為接合材料,準備有如表2之「構成接合材料之低熔點金屬」之欄所示般包含「Sn」者、亦即與實驗例1之試樣3中所使用者相同者。
另一方面,作為代替實驗例1中之導電焊墊43及連接端子
構件45之接合對象物,準備有均具有表2之「接合對象物之組成」之欄中所示之組成的導電焊墊及連接端子構件。
接著,於與實驗例1同樣之條件下,透過接合材料,配置具備上述導電焊墊之配線基板與連接端子構件,且使用回焊裝置進行熱處理,藉此,將導電焊墊與連接端子構件接合,形成接合部。
如表2所示,針對以如此之方式獲得之接合部,評價「低熔點金屬殘留率」。當評價「低熔點金屬殘留率」時,將所得之試樣中之接合部切取約7 mg,於測定溫度30℃~300℃、升溫速度5℃/分鐘、N2
環境、參考Al2
O3
之條件下實施示差掃描熱量測定(DSC(Differential Scanning calorimetry)測定)。根據所得之DSC圖之Sn之熔融溫度中之熔融吸熱峰值之吸熱量,將殘留之Sn成分量定量化。接著,根據該Sn成分量,求出Sn成分相對於金屬成分整體之比例作為「低熔點金屬殘留率」。
由表2可知,當構成接合對象物之Cu-M(M為Mn或Ni)合金中之M之含有率為5~30重量%時,殘留Sn成分某種程度地降低,但當M之含有率為10~15重量%時,可謀求殘留Sn成分之進一步降低。由此可知,為了於Cu-M系合金與Sn系之低熔點金屬之間,容易以更低溫且短時間形成金屬化合物,Cu-M系合金較佳為以5~30重量%之比例含有M,
更佳為以10~15重量%之比例含有M。
2‧‧‧第1主面
4‧‧‧配線基板
6‧‧‧連接端子構件
7‧‧‧導電焊墊
8‧‧‧第1端面
10‧‧‧接合部
13‧‧‧基底層
14‧‧‧第1鍍敷層
15‧‧‧第2鍍敷層
16‧‧‧內部電極圖案
17‧‧‧內部電極圖案
21‧‧‧接合材料
22‧‧‧低熔點金屬粉末
23‧‧‧焊劑
25‧‧‧金屬間化合物生成區域
26‧‧‧富含Sn區域
Claims (15)
- 一種電子零件模組,其特徵在於,具備:配線基板,具有相互對向之第1及第2主面;電子零件,構裝於該配線基板之至少該第1主面上;導電焊墊,形成於該配線基板之至少該第1主面上;柱狀之連接端子構件,具有相互對向之第1及第2端面,將該第1端面以朝向該導電焊墊之狀態配置,且透過接合部而接合於該導電焊墊;以及樹脂層,於使該連接端子構件之該第2端面露出之狀態下,以密封該電子零件及該連接端子構件之方式,形成於該配線基板之該第1主面上;於藉由波長分散型X射線分析裝置(WDX)分析該接合部之剖面時,於該接合部之剖面存在至少生成有Cu-Sn系、M-Sn系及Cu-M-Sn系之金屬間化合物(M為Ni及/或Mn)之金屬間化合物生成區域,且該金屬間化合物生成區域,於將該接合部之剖面於縱及橫各10塊均等地細分化成合計100塊時,至少存在2種以上構成元素不同之金屬間化合物之塊數相對於除了於1塊中僅存在Sn系金屬成分之塊以外之剩餘之總塊數的比例為70%以上。
- 如申請專利範圍第1項之電子零件模組,其中,該金屬間化合物生成區域,包含30體積%以下之Sn系金屬成分。
- 如申請專利範圍第2項之電子零件模組,其中,該金屬間化合物生成區域,不包含Sn系金屬成分。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電子零件模組,其中,該接合部,使該金屬間化合物生成區域位於該連接端子構件側,且使較該金屬間化合物生成區域包含較多Sn系金屬成分之區域位於該導電焊墊 側。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電子零件模組,其中,該連接端子構件係由Cu-M系合金所構成。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電子零件模組,其中,該連接端子構件,具有形成於其表面之由Cu-M系合金所構成之鍍敷膜。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電子零件模組,其中,該金屬間化合物生成區域,亦存在於該連接端子構件之該第2端面。
- 一種電子零件模組之製造方法,其特徵在於,具備如下步驟:準備具有相互對向之第1及第2主面且至少於該第1主面上形成有導電焊墊之配線基板;準備電子零件;準備具有相互對向之第1及第2端面且至少表面由Cu-M系合金(M為Ni及/或Mn)所構成的柱狀之連接端子構件;準備以熔點較該Cu-M系合金為低之低熔點金屬為主要成分之接合材料;於該配線基板之至少該第1主面上構裝該電子零件;對該連接端子構件與該導電焊墊之間賦予該接合材料,並且在使該第1端面朝向該導電焊墊之狀態下配置該連接端子構件;以透過該接合材料將該連接端子構件與該導電焊墊進行接合之方式,在該低熔點金屬熔融之溫度進行熱處理之熱處理步驟;以及以密封該電子零件及該連接端子構件之方式,於該配線基板之該第1主面上形成樹脂層;該低熔點金屬,係Sn單體或包含70重量%以上之Sn之合金,且該Cu-M系合金係於與該低熔點金屬之間生成金屬間化合物者,並與該金屬間化合物之晶格常數差為50%以上; 該熱處理步驟,包含於該連接端子構件與該導電焊墊之間,至少生成Cu-Sn系、M-Sn系及Cu-M-Sn系之金屬間化合物之步驟。
- 如申請專利範圍第8項之電子零件模組之製造方法,其中,該低熔點金屬,係Sn單體或包含85重量%以上之Sn之合金。
- 如申請專利範圍第8或9項之電子零件模組之製造方法,其中,該低熔點金屬,係Sn單體、或包含選自由Cu、Ni、Ag、Au、Sb、Zn、Bi、In、Ge、Al、Co、Mn、Fe、Cr、Mg、Mn、Pd、Si、Sr、Te、及P所構成之群中之至少1種與Sn之合金。
- 如申請專利範圍第8或9項之電子零件模組之製造方法,其中,該Cu-M系合金,係以5~30重量%之比例含有該M。
- 如申請專利範圍第11項之電子零件模組之製造方法,其中,該Cu-M系合金,係以10~15重量%之比例含有該M。
- 如申請專利範圍第8或9項之電子零件模組之製造方法,其中,該連接端子構件,係由該Cu-M系合金所構成。
- 如申請專利範圍第8或9項之電子零件模組之製造方法,其中,該連接端子構件,具有形成於其表面之由該Cu-M系合金所構成之鍍敷膜。
- 如申請專利範圍第8或9項之電子零件模組之製造方法,其中,於該熱處理步驟中,在該導電焊墊側生成之該金屬間化合物之量,少於在該連接端子構件側生成之該金屬間化合物之量。
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