TWI487932B - 光學元件及其製造方法 - Google Patents

光學元件及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI487932B
TWI487932B TW102142377A TW102142377A TWI487932B TW I487932 B TWI487932 B TW I487932B TW 102142377 A TW102142377 A TW 102142377A TW 102142377 A TW102142377 A TW 102142377A TW I487932 B TWI487932 B TW I487932B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
nano
pillars
coo
light
seed layer
Prior art date
Application number
TW102142377A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201520584A (zh
Inventor
Miin Jang Chen
Wen Ching Hsu
Original Assignee
Global Wafers Co Ltd
Miin Jang Chen
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Global Wafers Co Ltd, Miin Jang Chen filed Critical Global Wafers Co Ltd
Priority to TW102142377A priority Critical patent/TWI487932B/zh
Priority to US14/550,239 priority patent/US9593406B2/en
Priority to CN201410669594.5A priority patent/CN104658982A/zh
Priority to JP2014236921A priority patent/JP2015102872A/ja
Publication of TW201520584A publication Critical patent/TW201520584A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI487932B publication Critical patent/TWI487932B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
    • G02B1/115—Multilayers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165—Multilayered product
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/627—Electroplating characterised by the visual appearance of the layers, e.g. colour, brightness or mat appearance
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
    • Y10T428/24364—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.] with transparent or protective coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)

Description

光學元件及其製造方法
本發明係關於一種光學元件及其製造方法，並且特別地，關於對寬頻光皆具有低反射率且對光入射角度不敏感的光學元件及其製造方法。
光伏系統的保護蓋、照明系統的光罩、攝影系統的保護蓋等，皆為這些系統的必要光學元件。這些光學元件的入光面與出光面對於入射光線的反射率直接影響這些系統的效能。
上述光學元件對於寬頻可見光波長範圍皆應具有低反射率。相關先前技術已有藉由蒸鍍或濺鍍製程在基材表面上反覆鍍上不同的光學薄膜以完成多層薄膜結構。此多層薄膜結構對寬頻可見光波長範圍的反射率皆很低。然而，此多層薄膜結構對於入射光的入射角度相當敏感，也就是此多層薄膜結構對於入射角度較大的入射光，反射率也較大。
綜觀現有技術所製造的光學元件，尚未見到對寬頻光皆具有低反射率且對光入射角度不敏感的光學元件被提出。
因此，本發明所欲解決之一技術問題在於提供一種對寬頻光皆具有低反射率且對光入射角度不敏感的光學元件及其製造方法。
本發明之一較佳具體實施例之光學元件包含透 明的基材、第一引晶層、多個第一奈米柱以及第一保護層。第一引晶層係形成以被覆透明的基材之入光面。多個第一奈米柱係形成於第一引晶層上。第一保護層係形成以完全被覆多個第一奈米柱。
於一具體實施例中，多個第一奈米柱大體上垂直透明的基材之入光面。
於一具體實施例中，多個第一奈米柱在透明的基材之入光面上成多個叢集排列。每一個叢集係由多個與基材之入光面的法線方向成不同夾角的第一奈米柱所構成。
進一步，本發明之光學元件還包含第二引晶層、多個第二奈米柱以及第二保護層。第二引晶層係形成以被覆透明的基材之出光面。多個第二奈米柱係形成於第二引晶層上。第二保護層係形成以完全被覆多個第二奈米柱。
本發明之第一較佳具體實施例之製造光學元件的方法，首先係製備透明的基材。接著，本發明之方法係形成第一引晶層以被覆透明的基材之入光面。接著，本發明之方法係形成多個第一奈米柱於第一引晶層上。最後，本發明之方法係形成第一保護層以完全被覆多個第一奈米柱。
於一具體實施例中，第一引晶層係由第一氧化物所形成，並且可以藉由水熱法(hydrothermal synthesis)製程、原子層沉積(atomic layer deposition)製程、濺鍍製程、溶膠-凝膠製程、有機化學氣相沉積製程、化學氣相沉積製程、電化學沉積製程，或其他沉積製程所形成。
於一具體實施例中，多個第一奈米柱係由第二氧化物所形成，並且可以藉由水熱法製程、溶膠-凝膠製程、有機化學氣相沉積製程、化學氣相沉積法、電化學沉積製程、模版製程、氣液固沉積(vapor-liquid-solid growth)製程、氣相傳輸沉積製程，或其他沉積製程所形成。
與先前技術不同，本發明之光學元件不但對寬頻光皆具有低反射率，並且對光入射角度不敏感。
關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。
1‧‧‧光學元件
10‧‧‧透明的基材
102‧‧‧入光面
104‧‧‧出光面
12‧‧‧第一引晶層
14‧‧‧第一奈米柱
16‧‧‧第一保護層
17‧‧‧第二引晶層
18‧‧‧第二奈米柱
19‧‧‧第二保護層
N‧‧‧法線方向
圖1係本發明之一較佳具體實施例之光學元件的剖面視圖。
圖2為圖1中第一奈米柱與第一引晶層接合處的局部放大圖。
圖3係本發明之光學元件之一範例的側視掃描式電子顯微鏡(SEM)照片。
圖4係本發明之光學元件之一範例的頂視SEM照片。
圖5係本發明之光學元件之一變化的剖面視圖。
圖6為圖5中第二奈米柱與第二引晶層接合處的局部放大圖。
圖7至圖9係本發明之一較佳具體實施例之製造光學元件的方法之過程的剖面視圖。
圖10係本發明之對齊類型的第一奈米柱的側視示意圖。
圖11係本發明之準對齊類型的第一奈米柱的側視示意圖。
圖12係本發明之花朵類型的第一奈米柱的側視示意圖。
圖13及圖14係本發明之製造光學元件的方法進一步的步驟之過程的剖面視圖。
圖15係本發明之ZnO第一奈米柱之一範例的反射率測試 結果。
請參閱圖1及圖2，圖1係以剖面視圖示意地繪示本發明之一較佳具體實施例之光學元件1。圖2為圖1中第一奈米柱14與第一引晶層12接合處的局部放大圖。本發明之光學元件1可以做為光伏系統的保護蓋、照明系統的光罩、攝影系統的保護蓋等，但不以此為限。
如圖1及圖2所示，本發明之一較佳具體實施例之光學元件1包含透明的基材10、第一引晶層12、多個第一奈米柱14以及第一保護層16。於一具體實施例中，透明的基材10可以由玻璃、壓克力、單晶晶體(例如，藍寶石)等材料所製成。
第一引晶層12係形成以被覆透明的基材10之入光面102。多個第一奈米柱14係形成於第一引晶層12上。第一保護層16係形成以完全被覆多個第一奈米柱14。因第一保護層16的尺度很小，所以於圖1中，第一保護層16與多個第一奈米柱14一起標示。於圖2中，可以清楚看出第一保護層16完全被覆於多個第一奈米柱14的表面，且每一該第一奈米柱14上所被覆的第一保護層16之一側表面與其相鄰的第一奈米柱14上所被覆的第一保護層16之一側表面之間具有一間隙。
第一引晶層12的功用在於協助後續形成的第一奈米柱14在第一引晶層12上分布均勻。若無第一引晶層12，直接形成在透明的基材10之入光面102上的第一奈米柱14會分布不均，甚至入光面102上會有些區域未形成第一奈米柱14。
請參閱圖3及圖4，該等圖式為本發明之光學元件1之一範例的掃描式電子顯微鏡(SEM)照片，以顯示多個第 一奈米柱14的結構。圖3及圖4所示之範例，其多個第一奈米柱14係由ZnO所形成，圖3顯示第一奈米柱14的側視外觀，圖4顯示第一奈米柱14的頂視外觀。圖3及圖4證實本發明所形成的多個第一奈米柱14其高度與外徑比值相當高。於實際應用中，本發明之多個第一奈米柱14具有高度與外徑比值的範圍為約1至100。也就是說，多個第一奈米柱14本身的深寬比相當高。藉由本身具高深寬比的第一奈米柱14，本發明之光學元件1對光入射角度不敏感。本發明之光學元件1對於寬頻光的反射率將於下文中以實際測試數據做說明。
於一具體實施例中，多個第一奈米柱14大體上垂直透明的基材10之入光面102。
於另一具體實施例中，多個第一奈米柱14在透明的基材10之入光面102上成多個叢集排列。每一個叢集係由多個與入光面102的法線方向成不同夾角的第一奈米柱14所構成。
於一具體實施例中，第一引晶層12係由第一氧化物所形成。第一氧化物地組成可以是Al2 O3 、AlX TiY OZ 、AlX CrY OZ 、AlX ZrY OZ 、AlX HfY OZ 、AlX SiY OZ 、B2 O3 、BX PY OZ 、BiOX 、BiX TiY OZ 、BaTiO3 、CaO、CoO、CoOX 、Co3 O4 、CrOX 、CeO2 、Cu2 O、CuO、FeO、FeOX 、Ga2 O3 、GeO2 、HfO2 、In2 O3 、LaAlO3 、La2 O3 、La2 CoO3 、La2 NiO3 、La2 MnO3 、MoN、Mo2 N、MoX N、MoO2 、MgO、MnOX 、NiO、Nb2 O5 、PtO2 、PX BY OZ 、RuO、Sc2 O3 、SiO2 、SiX TiY OZ 、SiX ZrY OZ 、SiX HfY OZ 、SnO2 、Sb2 O5 、SrO、SrCO3 、SrTiO3 、Ta2 O5 、TaOX NY 、TiX ZrY OZ 、TiO2 、TiX HfY OZ 、VOX 、WO3 、Y2 O3 、ZnO、ZrO2 、PrOX 、Nd2 O3 、Sm2 O3 、Eu2 O3 、Gd2 O3 、Dy2 O3 、Ho2 O3 、Er2 O3 、Tm2 O3 、Lu2 O3 ，或上述化合物之混合物，其中0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1。
於一具體實施例中，多個第一奈米柱14係由第 二氧化物所形成。第二氧化物之組成可以是Al2 O3 、AlX TiY OZ 、AlX CrY OZ 、AlX ZrY OZ 、AlX HfY OZ 、AlX SiY OZ 、B2 O3 、BX PY OZ 、BiOX 、BiX TiY OZ 、BaTiO3 、CaO、CoO、CoOX 、Co3 O4 、CrOX 、CeO2 、Cu2 O、CuO、FeO、FeOX 、Ga2 O3 、GeO2 、HfO2 、In2 O3 、LaAlO3 、La2 O3 、La2 CoO3 、La2 NiO3 、La2 MnO3 、MoN、Mo2 N、MoX N、MoO2 、MgO、MnOX 、NiO、Nb2 O5 、PtO2 、PX BY OZ 、RuO、Sc2 O3 、SiO2 、SiX TiY OZ 、SiX ZrY OZ 、SiX HfY OZ 、SnO2 、Sb2 O5 、SrO、SrCO3 、SrTiO3 、Ta2 O5 、TaOX NY 、TiX ZrY OZ 、TiO2 、TiX HfY OZ 、VOX 、WO3 、Y2 O3 、ZnO、ZrO2 、PrOX 、Nd2 O3 、Sm2 O3 、Eu2 O3 、Gd2 O3 、Dy2 O3 、Ho2 O3 、Er2 O3 、Tm2 O3 、Lu2 O3 ，或上述化合物之混合物，其中0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1。
於一具體實施例中，第一保護層16之組成可以是Al2 O3 、AlN、AlP、AlAs、AlX TiY OZ 、AlX CrY OZ 、AlX ZrY OZ 、AlX HfY OZ 、AlX SiY OZ 、B2 O3 、BN、BX PY OZ 、BiOX 、BiX TiY OZ 、BaS、BaTiO3 、CdS、CdSe、CdTe、CaO、CaS、CaF2 、CuGaS2 、CoO、CoOX 、Co3 O4 、CrOX 、CeO2 、Cu2 O、CuO、CuX S、FeO、FeOX 、GaN、GaAs、GaP、Ga2 O3 、GeO2 、HfO2 、Hf3 N4 、HgTe、InP、InAs、In2 O3 、In2 S3 、InN、InSb、LaAlO3 、La2 S3 、La2 O2 S、La2 O3 、La2 CoO3 、La2 NiO3 、La2 MnO3 、MoN、Mo2 N、MoX N、MoO2 、MgO、MnOX 、MnS、NiO、NbN、Nb2 O5 、PbS、PtO2 、POX 、PX BY OZ 、RuO、Sc2 O3 、Si3 N4 、SiO2 、SiC、SiX TiY OZ 、SiX ZrY OZ 、SiX HfY OZ 、SnO2 、Sb2 O5 、SrO、SrCO3 、SrTiO3 、SrS、SrS1-X SeX 、SrF2 、Ta2 O5 、TaOX NY 、Ta3 N5 、TaN、TaNX 、TiX ZrY OZ 、TiO2 、TiN、TiX SiY NZ 、TiX HfY OZ 、VOX 、WO3 、W2 N、WX N、WS2 、WX C、Y2 O3 、Y2 O2 S、ZnS1-X SeX 、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnF2 、ZrO2 、Zr3 N4 、PrOX 、Nd2 O3 、Sm2 O3 、Eu2 O3 、Gd2 O3 、Dy2 O3 、Ho2 O3 、Er2 O3 、Tm2 O3 、Lu2 O3 或上述化合物之混合物，其中0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1。由於氧化物形成的多個第一奈米柱14較不能抵抗環境的侵蝕，上述材料組成所形成的第一保護層16可以有效保護氧化物形成 的多個第一奈米柱14，以避免氧化物形成的多個第一奈米柱14遭受環境的侵蝕。同時，第一保護層16可進一步降低光學元件1對於寬頻光的反射率。
進一步，如圖5及圖6所示，本發明之光學元件1還包含第二引晶層17、多個第二奈米柱18以及第二保護層19。第二引晶層17係形成以被覆透明的基材10之出光面104。多個第二奈米柱18係形成於第二引晶層17上。第二保護層19係形成以完全被覆多個第二奈米柱18。第二引晶層17的功用在於協助後續形成的第二奈米柱18在第二引晶層17上分布均勻。圖5、圖6中具有與圖1、圖2中相同號碼標記之元件，有相同或類似的結構以及功能，在此不多做贅述。於實際應用中，第二引晶層17的組成可以與第一引晶層12的組成相同。多個第二奈米柱18的組成可以與多個第一奈米柱14的組成相同。第二保護層19的組成可以與第一保護層16的組成相同。藉由多個第二奈米柱18，光線射出本發明之光學元件1的霧度可以大幅提升。
請參閱圖7至圖9，該等圖式係以剖面視圖示意地繪示本發明之一較佳具體實施例之製造光學元件1的方法。
首先，如圖7所示，本發明之方法係製備透明的基材10。於一具體實施例中，透明的基材10可以由玻璃、壓克力、單晶晶體(例如，藍寶石)等所製成。
接著，如圖8所示，本發明之方法係形成第一引晶層12以被覆透明的基材10之入光面102。
於一具體實施例中，第一引晶層12係由第一氧化物所形成，並且可以藉由水熱法製程、原子層沉積製程、濺鍍製程、溶膠-凝膠製程、有機化學氣相沉積製程、化學氣相沉積製程、電化學沉積製程，或其他沉積製程所形成。
於一具體實施例中，第一引晶層12係由第一氧 化物所形成。第一氧化物地組成可以是Al2 O3 、AlX TiY OZ 、AlX CrY OZ 、AlX ZrY OZ 、AlX HfY OZ 、AlX SiY OZ 、B2 O3 、BX PY OZ 、BiOX 、BiX TiY OZ 、BaTiO3 、CaO、CoO、CoOX 、Co3 O4 、CrOX 、CeO2 、Cu2 O、CuO、FeO、FeOX 、Ga2 O3 、GeO2 、HfO2 、In2 O3 、LaAlO3 、La2 O3 、La2 CoO3 、La2 NiO3 、La2 MnO3 、MoN、Mo2 N、MoX N、MoO2 、MgO、MnOX 、NiO、Nb2 O5 、PtO2 、PX BY OZ 、RuO、Sc2 O3 、SiO2 、SiX TiY OZ 、SiX ZrY OZ 、SiX HfY OZ 、SnO2 、Sb2 O5 、SrO、SrCO3 、SrTiO3 、Ta2 O5 、TaOX NY 、TiX ZrY OZ 、TiO2 、TiX HfY OZ 、VOX 、WO3 、Y2 O3 、ZnO、ZrO2 、PrOX 、Nd2 O3 、Sm2 O3 、Eu2 O3 、Gd2 O3 、Dy2 O3 、Ho2 O3 、Er2 O3 、Tm2 O3 、Lu2 O3 ，或上述化合物之混合物，其中0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1。
接著，如圖9所示，本發明之方法係形成多個第一奈米柱14於第一引晶層12上。第一引晶層12的功用在於協助後續形成的第一奈米柱14在第一引晶層12上分布均勻。
最後，同樣示於圖9，本發明之方法係形成第一保護層16以完全被覆多個第一奈米柱14。因第一保護層16的尺度很小，所以於圖9中，第一保護層16與多個第一奈米柱14一起標示。
於一具體實施例中，多個第一奈米柱14係由第二氧化物所形成。第二氧化物之組成可以是Al2 O3 、AlX TiY OZ 、AlX CrY OZ 、AlX ZrY OZ 、AlX HfY OZ 、AlX SiY OZ 、B2 O3 、BX PY OZ 、BiOX 、BiX TiY OZ 、BaTiO3 、CaO、CoO、CoOX 、Co3 O4 、CrOX 、CeO2 、Cu2 O、CuO、FeO、FeOX 、Ga2 O3 、GeO2 、HfO2 、In2 O3 、LaAlO3 、La2 O3 、La2 CoO3 、La2 NiO3 、La2 MnO3 、MoN、Mo2 N、MoX N、MoO2 、MgO、MnOX 、NiO、Nb2 O5 、PtO2 、PX BY OZ 、RuO、Sc2 O3 、SiO2 、SiX TiY OZ 、SiX ZrY OZ 、SiX HfY OZ 、SnO2 、Sb2 O5 、SrO、SrCO3 、SrTiO3 、Ta2 O5 、TaOX NY 、TiX ZrY OZ 、TiO2 、TiX HfY OZ 、VOX 、WO3 、Y2 O3 、ZnO、ZrO2 、PrOX 、Nd2 O3 、Sm2 O3 、Eu2 O3 、Gd2 O3 、Dy2 O3 、Ho2 O3 、Er2 O3 、Tm2 O3 、Lu2 O3 ， 或上述化合物之混合物，其中0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1。
於一具體實施例中，多個第一奈米柱14係由第二氧化物所形成，並且可以藉由水熱法製程、溶膠-凝膠製程、有機化學氣相沉積製程、化學氣相沉積法、電化學沉積製程、模版製程、氣液固沉積製程、氣相傳輸沉積製程，或其他沉積製程所形成。
於一具體實施例中，第一保護層16之組成可以是Al2 O3 、AlN、AlP、AlAs、AlX TiY OZ 、AlX CrY OZ 、AlX ZrY OZ 、AlX HfY OZ 、AlX SiY OZ 、B2 O3 、BN、BX PY OZ 、BiOX 、BiX TiY OZ 、BaS、BaTiO3 、CdS、CdSe、CdTe、CaO、CaS、CaF2 、CuGaS2 、CoO、CoOX 、Co3 O4 、CrOX 、CeO2 、Cu2 O、CuO、CuX S、FeO、FeOX 、GaN、GaAs、GaP、Ga2 O3 、GeO2 、HfO2 、Hf3 N4 、HgTe、InP、InAs、In2 O3 、In2 S3 、InN、InSb、LaAlO3 、La2 S3 、La2 O2 S、La2 O3 、La2 CoO3 、La2 NiO3 、La2 MnO3 、MoN、Mo2 N、MoX N、MoO2 、MgO、MnOX 、MnS、NiO、NbN、Nb2 O5 、PbS、PtO2 、POX 、PX BY OZ 、RuO、Sc2 O3 、Si3 N4 、SiO2 、SiC、SiX TiY OZ 、SiX ZrY OZ 、SiX HfY OZ 、SnO2 、Sb2 O5 、SrO、SrCO3 、SrTiO3 、SrS、SrS1-X SeX 、SrF2 、Ta2 O5 、TaOX NY 、Ta3 N5 、TaN、TaNX 、TiX ZrY OZ 、TiO2 、TiN、TiX SiY NZ 、TiX HfY OZ 、VOX 、WO3 、W2 N、WX N、WS2 、WX C、Y2 O3 、Y2 O2 S、ZnS1-X SeX 、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnF2 、ZrO2 、Zr3 N4 、PrOX 、Nd2 O3 、Sm2 O3 、Eu2 O3 、Gd2 O3 、Dy2 O3 、Ho2 O3 、Er2 O3 、Tm2 O3 、Lu2 O3 或上述化合物之混合物，其中0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1。由於氧化物形成的多個第一奈米柱14較不能抵抗環境的侵蝕，上述材料組成所形成的第一保護層16可以有效保護氧化物形成的多個第一奈米柱14，以避免氧化物形成的多個第一奈米柱14遭受環境的侵蝕。同時，第一保護層16可進一步降低光學元件1對於寬頻光的反射率。
於實際應用中，多個第一奈米柱14具有高度與 外徑比的範圍為約1至100。也就是說，多個第一奈米柱14本身的深寬比相當高。
於一具體實施例中，第一保護層16係藉由原子層沉積製程所形成。由於具有高深寬比的第一奈米柱14，藉由一般的沉積製程無法將第一保護層16完全被覆多個第一奈米柱14。原子層沉積製程僅在多個第一奈米柱14的表面進行化學反應，導致『自限成膜』(self-limiting)以及逐層(layer-by-layer)的薄膜生長模式，因此可完全被覆多個第一奈米柱14之表面。本發明所採用的原子層沉積製程具有以下優點：(1)可在原子等級控制材料的形成；(2)可更精準地控制薄膜的厚度；(3)材料成份的控制十分精準；(4)具有優異的均勻度(uniformity)；(5)具有優異的三維包覆性(conformality)；(6)無孔洞結構、缺陷密度低；(7)具有大面積與批次型的量產能力；以及(8)沉積溫度較低…，等製程優點。
請參閱圖10至圖12，該等圖式分別為本發明之三個範例的側視示意圖，以顯示不同範例之多個第一奈米柱14的結構。於圖10至圖12中，僅繪示局部第一引晶層12以及透明的基材10之法線方向N。於圖10所示之範例中，多個第一奈米柱14大體上垂直透明的基材10之入光面102，也就是與法線方向N平行。在此稱圖10所示的多個第一奈米柱14為對齊類型的第一奈米柱14。於圖11所示之範例中，多個第一奈米柱14在透明的基材10之入光面102上成多個叢集排列，每一個叢集係由多個與入光面102的法線方向N成不同夾角的第一奈米柱14所構成。於圖11中，每一個叢集的第一奈米柱14散開的角度並不大。在此稱圖11所示的多個第一奈米柱14為準對齊類型的第一奈米柱14。圖12所示之範例其第一奈米柱14的排列類似圖11所示之範例。與圖11所示之範例不同處，圖12所示之範例其每一個叢集的第一奈米柱14散開的角度較大，好似展開的花朵。在此稱圖 12所示的多個第一奈米柱14為花朵類型的第一奈米柱14。
請參閱圖13至圖14，該等圖式係以剖面視圖示意地繪示本發明之一較佳具體實施例之製造光學元件1的方法進一步的步驟。
進一步，如圖13所示，本發明之方法係形成第二引晶層17，以被覆透明的基材10之出光面104。
進一步，如圖14所示，本發明之方法係形成多個第二奈米柱18於第二引晶層17上。第二引晶層17的功用在於協助後續形成的第二奈米柱18在第二引晶層17上分布均勻。
最後，如圖14所示，本發明之方法係形成第二保護層19以完全被覆多個第二奈米柱18。藉由多個第二奈米柱18，光線射出本發明之光學元件1的霧度可以大幅提升。
於實際應用中，第二引晶層17的組成及製程可以與第一引晶層12的組成與製程相同。多個第二奈米柱18的組成與製程可以與多個第一奈米柱14的組成與製程相同。第二保護層19的組成與製程可以與第一保護層16的組成與製程相同。甚至第二保護層19可以與第一保護層16在同一道原子沉積製程中同時形成，以降低製造成本。此外，第二引晶層17可以與第一引晶層12在同一道製程中同時形成，以降低製造成本。
請參閱圖15，為本發明以ZnO形成第一奈米柱14陣列的反射率測試結果。ZnO形成第一奈米柱14陣列並且被覆12nmAl2 O3 第一保護層16的反射率測試結果也顯示於圖15。圖15的測試結果證實本發明之光學元件1以ZnO形成第一奈米柱14陣列，對於寬頻光具有低反射率。Al2 O3 第一保護層16可進一步降低本發明之光學元件1對於寬頻光的反射率。
藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之面向加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的面向內。因此，本發明所申請之專利範圍的面向應該根據上述的說明作最寬廣的解釋，以致使其涵蓋所有可能的改變以及具相等性的安排。
1‧‧‧光學元件
10‧‧‧透明的基材
102‧‧‧入光面
104‧‧‧出光面
12‧‧‧第一引晶層
14‧‧‧第一奈米柱
16‧‧‧第一保護層

Claims (17)

  1. 一種光學元件，包含：一透明的基材，具有一入光面；一第一引晶層，係形成以被覆該入光面；多個第一奈米柱，係形成於該第一引晶層上；以及一第一保護層，係形成以完全被覆該多個第一奈米柱；其中，每一該第一奈米柱上所被覆的第一保護層之一側表面與其相鄰的第一奈米柱上所被覆的第一保護層之一側表面之間具有一間隙。
  2. 如請求項1所述之光學元件，其中該多個第一奈米柱具有一高度與外徑比的範圍為約1至100。
  3. 如請求項1所述之光學元件，其中該多個第一奈米柱在該入光面上成多個叢集排列，每一個叢集係由多個與該入光面之一法線方向成不同夾角的第一奈米柱所構成。
  4. 如請求項1所述之光學元件，其中該多個第一奈米柱大體上垂直該入光面。
  5. 如請求項1所述之光學元件，其中該第一引晶層係由一第一氧化物所形成，並且該多個第一奈米柱係由一第二氧化物所形成。
  6. 如請求項5所述之光學元件，其中該第一氧化物之組成以及該第二氧化物之組成分別係選自由Al2 O3 、AlX TiY OZ 、AlX CrY OZ 、AlX ZrY OZ 、AlX HfY OZ 、AlX SiY OZ 、B2 O3 、BX PY OZ 、BiOX 、BiX TiY OZ 、BaTiO3 、CaO、CoO、CoOX 、Co3 O4 、CrOX 、CeO2 、Cu2 O、CuO、FeO、FeOX 、Ga2 O3 、 GeO2 、HfO2 、In2 O3 、LaAlO3 、La2 O3 、La2 CoO3 、La2 NiO3 、La2 MnO3 、MoN、Mo2 N、MoX N、MoO2 、MgO、MnOX 、NiO、Nb2 O5 、PtO2 、PX BY OZ 、RuO、Sc2 O3 、SiO2 、SiX TiY OZ 、SiX ZrY OZ 、SiX HfY OZ 、SnO2 、Sb2 O5 、SrO、SrCO3 、SrTiO3 、Ta2 O5 、TaOX NY 、TiX ZrY OZ 、TiO2 、TiX HfY OZ 、VOX 、WO3 、Y2 O3 、ZnO、ZrO2 、PrOX 、Nd2 O3 、Sm2 O3 、Eu2 O3 、Gd2 O3 、Dy2 O3 、Ho2 O3 、Er2 O3 、Tm2 O3 、Lu2 O3 以及上述化合物之混合物所組成之一群組中之其一，0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1。
  7. 如請求項1所述之光學元件，其中該第一保護層之組成係選自由Al2 O3 、AlN、AlP、AlAs、AlX TiY OZ 、AlX CrY OZ 、AlX ZrY OZ 、AlX HfY OZ 、AlX SiY OZ 、B2 O3 、BN、BX PY OZ 、BiOX 、BiX TiY OZ 、BaS、BaTiO3 、CdS、CdSe、CdTe、CaO、CaS、CaF2 、CuGaS2 、CoO、CoOX 、Co3 O4 、CrOX 、CeO2 、Cu2 O、CuO、CuX S、FeO、FeOX 、GaN、GaAs、GaP、Ga2 O3 、GeO2 、HfO2 、Hf3 N4 、HgTe、InP、InAs、In2 O3 、In2 S3 、InN、InSb、LaAlO3 、La2 S3 、La2 O2 S、La2 O3 、La2 CoO3 、La2 NiO3 、La2 MnO3 、MoN、Mo2 N、MoX N、MoO2 、MgO、MnOX 、MnS、NiO、NbN、Nb2 O5 、PbS、PtO2 、POX 、PX BY OZ 、RuO、Sc2 O3 、Si3 N4 、SiO2 、SiC、SiX TiY OZ 、SiX ZrY OZ 、SiX HfY OZ 、SnO2 、Sb2 O5 、SrO、SrCO3 、SrTiO3 、SrS、SrS1-X SeX 、SrF2 、Ta2 O5 、TaOX NY 、Ta3 N5 、TaN、TaNX 、TiX ZrY OZ 、TiO2 、TiN、TiX SiY NZ 、TiX HfY OZ 、VOX 、WO3 、W2 N、WX N、WS2 、WX C、Y2 O3 、Y2 O2 S、ZnS1-X SeX 、ZnO、 ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnF2 、ZrO2 、Zr3 N4 、PrOX 、Nd2 O3 、Sm2 O3 、Eu2 O3 、Gd2 O3 、Dy2 O3 、Ho2 O3 、Er2 O3 、Tm2 O3 、Lu2 O3 以及上述化合物之混合物所組成之一群組中之其一，0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1。
  8. 如請求項1所述之光學元件，進一步包含：一第二引晶層，係形成以被覆該透明的基材之一出光面；多個第二奈米柱，係形成於該第二引晶層上；以及一第二保護層，係形成以完全被覆該多個第二奈米柱。
  9. 一種製造一光學元件之方法，包含下列步驟：製備一透明的基材，具有一入光面；形成一第一引晶層以被覆該透明的基材之一入光面；形成多個第一奈米柱於該第一引晶層上；以及形成一第一保護層以完全被覆該多個第一奈米柱；其中，每一該第一奈米柱上所被覆的第一保護層之一側表面與其相鄰的第一奈米柱上所被覆的第一保護層之一側表面之間具有一間隙。
  10. 如請求項9所述之方法，其中該多個第一奈米柱具有一高度與外徑比的範圍為約1至100。
  11. 如請求項9所述之方法，其中該多個第一奈米柱在該入光面上成多個叢集排列，每一個叢集係由多個與該入光面之一法線方向成不同夾角的第一奈米柱所構成。
  12. 如請求項9所述之方法，其中該多個第一奈米柱大體上垂直該入光面。
  13. 如請求項9所述之方法，其中該第一引晶層係由一第一氧化物所形成，且係藉由一水熱法製程、一原子層沉積製程、一濺鍍製程、一溶膠-凝膠製程、一有機化學氣相沉積製程、一化學氣相沉積製程以及一電化學沉積製程所組成之群組中之其一所形成。
  14. 如請求項13所述之方法，其中該多個第一奈米柱係由一第二氧化物所形成，且藉由一水熱法製程、一溶膠-凝膠製程、一有機化學氣相沉積製程、一化學氣相沉積法、一電化學沉積製程、一模版製程、一氣液固沉積製程以及一氣相傳輸沉積製程所組成之群組中之其一所形成。
  15. 如請求項14所述之方法，其中該第一氧化物之組成以及該第二氧化物之組成分別係選自由Al2 O3 、AlX TiY OZ 、AlX CrY OZ 、AlX ZrY OZ 、AlX HfY OZ 、AlX SiY OZ 、B2 O3 、BX PY OZ 、BiOX 、BiX TiY OZ 、BaTiO3 、CaO、CoO、CoOX 、Co3 O4 、CrOX 、CeO2 、Cu2 O、CuO、FeO、FeOX 、Ga2 O3 、GeO2 、HfO2 、In2 O3 、LaAlO3 、La2 O3 、La2 CoO3 、La2 NiO3 、La2 MnO3 、MoN、Mo2 N、MoX N、MoO2 、MgO、MnOX 、NiO、Nb2 O5 、PtO2 、PX BY OZ 、RuO、Sc2 O3 、SiO2 、SiX TiY OZ 、SiX ZrY OZ 、SiX HfY OZ 、SnO2 、Sb2 O5 、SrO、SrCO3 、SrTiO3 、Ta2 O5 、TaOX NY 、TiX ZrY OZ 、TiO2 、TiX HfY OZ 、VOX 、WO3 、Y2 O3 、ZnO、ZrO2 、PrOX 、Nd2 O3 、Sm2 O3 、Eu2 O3 、Gd2 O3 、Dy2 O3 、Ho2 O3 、Er2 O3 、Tm2 O3 、Lu2 O3 以及上述化合物之混合物所組成之一群組中之其一，0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1。
  16. 如請求項9所述之方法，其中該第一保護層之組成係選自 由Al2 O3 、AlN、AlP、AlAs、AlX TiY OZ 、AlX CrY OZ 、AlX ZrY OZ 、AlX HfY OZ 、AlX SiY OZ 、B2 O3 、BN、BX PY OZ 、BiOX 、BiX TiY OZ 、BaS、BaTiO3 、CdS、CdSe、CdTe、CaO、CaS、CaF2 、CuGaS2 、CoO、CoOX 、Co3 O4 、CrOX 、CeO2 、Cu2 O、CuO、CuX S、FeO、FeOX 、GaN、GaAs、GaP、Ga2 O3 、GeO2 、HfO2 、Hf3 N4 、HgTe、InP、InAs、In2 O3 、In2 S3 、InN、InSb、LaAlO3 、La2 S3 、La2 O2 S、La2 O3 、La2 CoO3 、La2 NiO3 、La2 MnO3 、MoN、Mo2 N、MoX N、MoO2 、MgO、MnOX 、MnS、NiO、NbN、Nb2 O5 、PbS、PtO2 、POX 、PX BY OZ 、RuO、Sc2 O3 、Si3 N4 、SiO2 、SiC、SiX TiY OZ 、SiX ZrY OZ 、SiX HfY OZ 、SnO2 、Sb2 O5 、SrO、SrCO3 、SrTiO3 、SrS、SrS1-X SeX 、SrF2 、Ta2 O5 、TaOX NY 、Ta3 N5 、TaN、TaNX 、TiX ZrY OZ 、TiO2 、TiN、TiX SiY NZ 、TiX HfY OZ 、VOX 、WO3 、W2 N、WX N、WS2 、WX C、Y2 O3 、Y2 O2 S、ZnS1-X SeX 、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnF2 、ZrO2 、Zr3 N4 、PrOX 、Nd2 O3 、Sm2 O3 、Eu2 O3 、Gd2 O3 、Dy2 O3 、Ho2 O3 、Er2 O3 、Tm2 O3 、Lu2 O3 以及上述化合物之混合物所組成之一群組中之其一，0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1，該第一保護層係藉由一原子層沉積製程所形成。
  17. 如請求項9所述之方法，進一步包含下列步驟：形成一第二引晶層以被覆該透明的基材之一出光面；形成多個第二奈米柱於該第二引晶層上；以及形成一第二保護層以完全被覆該多個第二奈米柱。
TW102142377A 2013-11-21 2013-11-21 光學元件及其製造方法 TWI487932B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102142377A TWI487932B (zh) 2013-11-21 2013-11-21 光學元件及其製造方法
US14/550,239 US9593406B2 (en) 2013-11-21 2014-11-21 Optical device and manufacture thereof
CN201410669594.5A CN104658982A (zh) 2013-11-21 2014-11-21 光学组件及其制造方法
JP2014236921A JP2015102872A (ja) 2013-11-21 2014-11-21 光学素子及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102142377A TWI487932B (zh) 2013-11-21 2013-11-21 光學元件及其製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201520584A TW201520584A (zh) 2015-06-01
TWI487932B true TWI487932B (zh) 2015-06-11

Family

ID=53173576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102142377A TWI487932B (zh) 2013-11-21 2013-11-21 光學元件及其製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9593406B2 (zh)
JP (1) JP2015102872A (zh)
CN (1) CN104658982A (zh)
TW (1) TWI487932B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102613927B1 (ko) * 2016-02-23 2023-12-15 토카이 옵티칼 주식회사 플라스틱 기재 nd 필터 및 안경용 플라스틱 기재 nd 필터
CN105785484B (zh) * 2016-05-06 2017-09-01 浙江工贸职业技术学院 一种自清洁光学树脂镜片及其制备方法
CN106378146B (zh) * 2016-08-12 2020-11-06 东北大学秦皇岛分校 一种铒离子掺杂镍酸镧光催化剂及其制备方法和应用
CN106673452A (zh) * 2016-12-09 2017-05-17 东莞珂洛赫慕电子材料科技有限公司 一种适用于铝基材的低熔点无机粘结剂及其制备方法
CN108855150B (zh) * 2018-05-07 2021-06-15 西南石油大学 一种光催化降解苯酚的复合光催化剂的制备方法
CN109309136B (zh) * 2018-10-12 2020-01-14 浙江大学 一种超薄MgO层修饰Cu2O平面异质结太阳能电池
CN109518163A (zh) * 2018-11-27 2019-03-26 合肥安德科铭半导体科技有限公司 一种锆掺杂二氧化铪铁电薄膜的制备方法、产物及其应用
CN109704597A (zh) * 2019-03-07 2019-05-03 福建工程学院 一种耐磨损、减反射、透明隔热玻璃及其制备方法
CN111041541B (zh) * 2019-12-30 2021-02-26 临沂鑫海新型材料有限公司 一种高性能的镍基耐磨合金
CN113219565B (zh) * 2021-04-30 2022-03-18 中国建筑材料科学研究总院有限公司 一种消杂光窗口元件及其制备方法和应用
CN113511810B (zh) * 2021-09-09 2021-11-26 南通市国光光学玻璃有限公司 一种高折射率光学玻璃及其制备方法
WO2024059924A1 (pt) * 2022-09-23 2024-03-28 Instituto Hercílio Randon Célula fotovoltaica, uso de nanopartículas de nióbio, método de produção de energia e método para aumentar o rendimento quântico de fotoluminescência em célula solar

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011152799A1 (en) * 2010-06-03 2011-12-08 Agency For Science, Technology And Research Method of forming epitaxial zinc oxide films
WO2012112120A1 (en) * 2011-02-17 2012-08-23 Nanyang Technological University Inorganic nanorods and a method of forming the same, and a photoelectrode and a photovoltaic device comprising the inorganic nanorods
US20130019932A1 (en) * 2011-07-18 2013-01-24 Gwangju Institute Of Science And Technology Nanostructure Array Substrate, Method for Fabricating the Same and Dye-Sensitized Solar Cell Using the Same
TW201328965A (zh) * 2012-01-03 2013-07-16 Univ Nat Cheng Kung 抗反射層之製備方法以及以該方法所製備之抗反射層

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006178147A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Pentax Corp 高精度で、耐久性及び耐湿性に優れたサブ波長構造光学素子
WO2008069163A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma display panel and field emission display
JP4857290B2 (ja) * 2007-01-22 2012-01-18 キヤノン株式会社 光学部材及び光学部材の製造方法
JP2008203473A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Nissan Motor Co Ltd 反射防止構造及び構造体
JP5294584B2 (ja) * 2007-07-27 2013-09-18 キヤノン株式会社 光学素子及び光学機器
KR100972842B1 (ko) * 2007-09-11 2010-07-28 포항공과대학교 산학협력단 나노막대를 포함하는 나노디바이스 및 그 제조 방법
JP5067133B2 (ja) * 2007-11-13 2012-11-07 住友金属鉱山株式会社 吸収型ｎｄフィルター
JP2010271374A (ja) * 2009-05-19 2010-12-02 Canon Inc 光学系及びそれを有する光学機器
JP5625278B2 (ja) * 2009-08-03 2014-11-19 大日本印刷株式会社 反射防止フィルム、偏光板、および表示装置
JP5511307B2 (ja) * 2009-10-23 2014-06-04 キヤノン株式会社 光学部材、及びその製造方法
JP5653069B2 (ja) * 2010-05-07 2015-01-14 キヤノン株式会社 酸化アルミニウム前駆体ゾルの製造法、及び光学用部材の製造方法
KR101217210B1 (ko) * 2010-10-07 2012-12-31 서울대학교산학협력단 발광소자 및 그 제조방법
JP2012208257A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Kuraray Co Ltd 反射防止構造及び光学部材
JP5728572B2 (ja) * 2011-05-17 2015-06-03 キヤノン電子株式会社 光学フィルタ及び光学装置
US8878157B2 (en) * 2011-10-20 2014-11-04 University Of Kansas Semiconductor-graphene hybrids formed using solution growth
EP2722889B1 (en) * 2012-10-18 2018-03-21 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting diode with improved efficiency though current spreading

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011152799A1 (en) * 2010-06-03 2011-12-08 Agency For Science, Technology And Research Method of forming epitaxial zinc oxide films
WO2012112120A1 (en) * 2011-02-17 2012-08-23 Nanyang Technological University Inorganic nanorods and a method of forming the same, and a photoelectrode and a photovoltaic device comprising the inorganic nanorods
US20130019932A1 (en) * 2011-07-18 2013-01-24 Gwangju Institute Of Science And Technology Nanostructure Array Substrate, Method for Fabricating the Same and Dye-Sensitized Solar Cell Using the Same
TW201328965A (zh) * 2012-01-03 2013-07-16 Univ Nat Cheng Kung 抗反射層之製備方法以及以該方法所製備之抗反射層

Also Published As

Publication number Publication date
US20150140271A1 (en) 2015-05-21
CN104658982A (zh) 2015-05-27
TW201520584A (zh) 2015-06-01
JP2015102872A (ja) 2015-06-04
US9593406B2 (en) 2017-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI487932B (zh) 光學元件及其製造方法
Bandyopadhyay et al. Study of optical properties of some sol–gel derived films of ZnO
CN102472854A (zh) 光学体、窗构件、建筑构件、日光遮蔽装置和建筑物
JP6760678B2 (ja) 光学フィルム及びその製造方法
WO2011022423A2 (en) Nanowire grid polarizers and methods for fabricating the same
Ohnishi et al. Parallel integration and characterization of nanoscaled epitaxial lattices by concurrent molecular layer epitaxy and diffractometry
CN105280832A (zh) 纳米结构材料方法和装置
US10541266B2 (en) Atomically precise surface engineering for producing imagers
US11543157B2 (en) Radiative cooling device and method of manufacturing the same
CN106574985A (zh) 防反射膜及具备防反射膜的光学部件
US9989687B2 (en) Wave plate having consistent birefringence properties across the visible spectrum and manufacturing method for same
Anitha et al. Effect of substrates on the structural, morphological, and optical properties of sprayed CdO thin films using nebulizer
CN103018808A (zh) 光子筛及其制作方法
CN105659124A (zh) 无机光学元件及其制造方法
CN109580542A (zh) 一种采用光学显微镜表征二维材料层厚和堆叠形式的方法
KR20220044991A (ko) 감광 디바이스
Buckley et al. Optical reflectance of solution processed quasi-superlattice ZnO and Al-doped ZnO (AZO) channel materials
Li et al. Hemi‐Shell Arrays Harvesting Ultra‐Broadband Light
JPH10133253A (ja) 光量絞り装置
Liu et al. Hybrid structures and optical effects in Morpho scales with thin and thick coatings using an atomic layer deposition method
Bhuiyan et al. Valence-band characterization of AgGaSe2 thin films
Quan et al. Influence of heterostructure on structure, electric and magnetic properties of Bi0. 5 (Na0. 80, K0. 20) 0.5 TiO3/BaZrO3 films prepared by the sol–gel method
Sun et al. Ultra-thin high-reflector film designed for LYSO scintillators
US20190252560A1 (en) Colorful thin film solar cell for minimizing reduction of efficiency
US20130135712A1 (en) Yttrium oxide coated optical elements with improved mid-infrared performance

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees