TWI486101B - 用於一電漿處理設備之元件 - Google Patents

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Description

用於一電漿處理設備之元件 相關申請案
本申請案主張美國專利臨時申請案第60/851,746號之優先權，該案之名稱為COMPONENTS FOR A PLASMA PROCESSING APPARATUS，且於2006年10月16日申請，其全部內容以併入方式援引為本案之參考。
電漿處理設備係用以藉由包括蝕刻、物理蒸汽沈積(PVD)、化學蒸汽沈積(CVD)、離子植入及光阻劑移除等技術來處理基板。使用在電漿處理中之一種電漿處理設備係包括一反應腔室，其包含上及下電極。在該等電極之間建立一電場以將作用氣體激發成電漿狀態來處理位在該反應腔室中之基板。
本發明提供一種用於一電漿處理設備之元件。該元件包括一第一構件，其具有一第一熱膨脹係數且包括複數個穿孔，該等穿孔具有一第一部分及一比該第一部分更寬之第二部分，該第二部分係部分地由至少一負荷支承表面所界定。該元件包括複數個第一繫扣構件，其具有一第二熱膨脹係數且被安裝在該第一構件之該等穿孔中，該第一繫扣構件包括一負荷支承表面。至少一可撓曲間隔件，其安裝在界定該穿孔之該第二部分之該負荷支承表面與該第一繫扣構件之該負荷支承表面之間。一第二繫扣構件係與每一 第一繫扣構件相嚙合俾以一預定夾持力來將該第一構件牢固至該第二構件。該至少一可撓曲間隔件係用以調適在周圍溫度與一上升處理溫度之間之熱循環期間所產生的力。
在另一實施例中，其係提供用於一電漿處理設備之元件，其包括一具有一第一熱膨脹係數之第一構件。一第二構件包括複數個穿孔，該等穿孔具有一第一部分及一比該第一部分更寬之第二部分。該第二部分係部分地由至少一負荷支承表面所界定。複數個具有一第二熱膨脹係數之第一繫扣構件係被安裝在該第二構件之該等穿孔中。該等第一繫扣構件包括一負荷支承表面。至少一可撓曲間隔件係安裝在界定該穿孔之該第二部分之該負荷支承表面與該第一繫扣構件之該負荷支承表面之間。一第二繫扣構件係與每一第一繫扣構件相嚙合，俾以一預定夾持力來將該第一構件牢固至該第二構件，該至少一可撓曲間隔件係用以調適在周圍溫度與一上升處理溫度之間之熱循環期間所產生之力。
在一較佳實施例中，該元件係用於一電漿處理設備之噴灑頭電極總成。該噴灑頭電極總成包括一鋁熱控制板，其包括複數個穿孔，該等穿孔具有一第一部分及一比該第一部分更寬之第二部分。該第二部分係部分地由至少一負荷支承表面所界定。複數個不銹鋼繫扣構件係安裝在該熱控制板之該等穿孔中，該等第一繫扣構件包括一負荷支承表面。複數個可撓曲間隔件係安裝在該穿孔之該第二部分之該負荷支承表面與該第一繫扣構件之該負荷支承表面之 間。一第二繫扣構件係與每一第一繫扣構件相嚙合以將該熱控制板以一預定夾持力牢固至一襯背構件。該等可撓曲間隔件係用以調適在周圍溫度與一上升處理溫度之間之熱循環期間於該熱控制板與該等第一繫扣構件之間之熱膨脹差異所產生之力。一矽電極被附接至該襯背板。
提供種在一電漿處理設備中處理一半導體基板之方法。將一基板放置在一電漿處理設備之一反應腔室中之一基板支撐件上。藉由噴灑頭電極總成將一作用氣體導入至該反應腔室中。自該作用氣體產生一電漿，該電漿位在該噴灑頭電極總成與該基板之間。以該電漿來處理該基板。
在積體電路製造期間在半導體晶圓之表面上的粒子污染物之控制對於達成具可靠性裝置及獲得高產量而言係必要的。諸如電漿處理設備之處理設備可能便係一粒子污染物源。舉例來說，在晶圓表面上存在粒子可能會在光微影及蝕刻步驟期間局部性地破壞圖案轉移。因此，這些粒子會將瑕疵導入至重要的特徵，包括閘極結構、金屬間介電層或金屬互連線，進而造成積體電路元件之故障或失效。
已有提供一電漿處理設備之元件，其可以將粒子污染物降低且最佳地減至最少。該等元件包括繫扣構件，其可以調適在該等電漿處理元件於熱循環期間由於元件之構件的熱膨脹係數差異所產生之應力，且將額外的粒子污染物的產生減至最少。該等繫扣構件可用以繫扣各種不同元件之任何構件，其中兩構件被加熱且在電漿處理期間經歷熱膨 脹。亦有提供在包含一或多個此等元件之電漿處理腔室中處理半導體基板之方法。
圖1顯示用於一電漿處理設備之一噴灑頭電極總成10之一例示性實施例，於其中將處理例如矽晶圓之半導體基板。該噴灑頭電極總成例如亦揭示在共同擁有的美國專利申請公告案第2005/0133160號，該案全部內容在此併入援引為本案之參考。該噴灑頭電極總成10包含一噴灑頭電極，該噴灑頭電極包括一上電極12、一被牢固至該上電極12之襯背構件14及一熱控制板16。包括一下電極及可選用之靜電夾持電極之一基板支撐件18(僅其一部分顯示在圖1中)係被定位於位在該電漿處理設備之真空處理腔室中之該上電極12下方。欲接受電漿處理之一基板20係機械式地或被靜電式地夾持在該基板支撐件18之一上支撐表面22上。
在所示之實施例中，該噴灑頭電極之上電極12包括一內電極構件24、及一可選用的外電極構件26。該內電極構件24係較佳地為一圓柱板(例如，由矽構成之板)。該內電極構件24可具有小於、等於或大於一待處理晶圓之直徑，例如，若該板係由矽製成，則最高為12英吋(300毫米)之直俓。在一較佳實施例中，該噴灑頭電極總成10係大到足以處理大基板，諸如具有300毫米或更大之直徑的半導體晶圓。針對300毫米之晶圓，該上電極12之直徑至少為300毫米。然而，該噴灑頭電極總成之尺寸可經設計以處理其他的晶圓尺寸或具有非圓形構形之基板。在所示之實施例 中，該內電極構件24係比該基板20更寬。為了處理300毫米之晶圓，可提供該外電極構件26以將該上電極12之直徑從例如大約15英吋擴展至大約17英吋。該外電極構件26可以係一連續構件(例如，連續的多晶矽環圈)，或者可以係分段構件(例如，包括2-6個獨立區段經配置成一環圈構形，諸如由矽構成之多個區段)。在包括多個區段外電極構件26之上電極12的實施例中，該等區段係較佳地具有彼此相重疊之邊緣，以保護底層的結合材料免於曝露於電漿。該內電極構件24較佳地包括多個延伸穿過該襯背構件14之氣體通道28，以將作用氣體噴射至一位在該上電極12及該下電極18之間之電漿反應腔室中的空間中。
矽係作為該內電極構件24及該外電極構件26之電漿曝露表面之較佳材料。高純度單晶矽可減少電漿處理期間之基板污染，且在電漿處理期間亦可光滑地磨耗，以藉此減少粒子。可用以作為該上電極12之電漿曝露表面之其他材料包括例如SiC或AlN。
在所示之實施例中，該襯背構件14包括一襯背板30及一環繞襯背板30之周圍延伸之襯背環32。在該實施例中，該內電極構件24係與該襯背板30共同延伸，且該外電極構件26係與周圍之襯背環32共同延伸。然而，該襯背板30可延伸超過該內電極構件24而使得一單一襯背板可用以支撐該內電極構件24及該分段式外電極構件26。該內電極構件24及該外電極構件26係較佳地藉由一結合材料而附接至該襯背構件14。
該襯背板30及襯背環32係較佳地由一在化學性質上與用以在電漿處理腔室中處理半導體基板之作用氣體相容且具有導電性及導熱性的材料所製成。可用以製造該襯背構件14之例示性適當材料包括鋁、鋁合金、石墨及SiC。
該上電極12可藉由一適當之導熱及導電性彈性結合材料而附接至該襯背板30及該襯背環32，該彈性結合材料係可調適熱應力，且可傳遞介於該上電極12及該襯背板30與襯背環32之間的熱及電能。使用彈性體來將一電極總成之表面結合在一起係揭示在例如共同擁有之美國專利第6,073,577號中，其全部內容在此併入援引為本案之參考。
該襯背板30及襯背環32係藉由適當的繫扣構件而附接至該熱控制板16。圖2係附接該襯背構件14(或襯背板30)至圖1所示之該熱控制板16之繫扣構件34/36的放大視圖。在本實施例中，該等繫扣構件34/36包含一第一繫扣構件34及一第二繫扣構件36。該第一繫扣構件34較佳地包括一頭部38、軸桿40、外螺紋41及一負荷支承表面42。舉例來說，該第一繫扣構件34可以係一具有螺紋之螺絲、螺栓或類似構件。在本實施例中，該第二繫扣構件36各與一各別的第一繫扣構件34之外螺紋相嚙合。該第二繫扣構件36可以係一螺旋線圈、任何內螺紋結構或類似構件。該等繫扣構件34/36之一較佳材料係氮-60(Nitronic-60)，其係一種可以在一真空環境中提供抗磨損之不銹鋼。
本實施例之該等繫扣構件34/36亦可用以附接該襯背環32(如圖1所示)至該熱控制板16。
如圖2所示，該第一繫扣構件34係插係至該熱控制板16之穿孔44/46中。在該熱控制板16中之該等穿孔44/46具有一階狀結構，且包括一比一第二部分46更寬之第一部分44(例如，一盲孔)，以及一負荷支承表面42。該第二繫扣構件36被附接至或埋設在該襯背構件14中之一凹口中。當該第一繫扣構件34之螺紋與第二繫扣構件36之螺紋相嚙合時，該熱控制板16被牢固至該襯背構件14。此嚙合提供一預定的夾持力，該夾持力分佈於該第一繫扣構件34之該負荷支承表面42及該熱控制板16之該等穿孔44/46的負荷支承表面。
經測定，若第一繫扣構件34之材料具有低於該熱控制板16之材料的熱膨脹係數，則在襯背構件14與該熱控制板16之間的夾持力會大幅增加，因為這些元件被加熱至一上升的半導體基板電漿處理溫度，諸如大約80℃至大約160℃。
舉例來說，在一實施例中，該第一繫扣構件34可以由不銹鋼製成，諸如氮-60，並且插入該鋁熱控制板16之穿孔44/46中。在本實施例中，該第二繫扣構件36係一附接至該鋁或石墨襯背構件14之不銹鋼螺旋線圈。該熱控制板16藉由將該等繫扣構件36/38拴緊而被牢固至該襯背構件14，以提供一預定的夾持力。圖3係顯示處在周圍溫度之此一構形。
在將圖3之結構加熱至一上升處理溫度(例如大約80℃至大約160℃)後，該鋁熱控制板16(熱膨脹係數=14x10-6 (℉)-1 ) 及該不銹鋼第一繫扣構件34(熱膨脹係數=9.89x10-6 (℉)-1 )會以不同的速率膨脹，如圖4所示。該第一繫扣構件34必須在一軸向方向上膨脹(圖4所示之箭頭A)以調適該熱控制板16之較大的熱膨脹(圖4所示之箭頭B)。此外，該熱控制板16及該第一繫扣構件34之相鄰靠之負荷支承表面42可變形以調適該熱控制板16之熱膨脹。因此，在該鋁熱控制板16及該襯背構件14之間的夾持力於上升處理溫度下會增加。來自於熱循環所形成之力會造成該等繫扣構件34/36之鬆弛，這係因為對第一繫扣構件34之負荷支承表面42、該熱控制板16及螺絲之局部損壞所造成，且因此會產生粒子。
一種降低該等負荷支承表面42及螺紋局部受損之措施係採用一由相同於該熱控制板16之材料或者係由具有近似於該熱控制板16之熱膨脹係數的其他材料所構成之第一繫扣構件34。此措施可以將第一繫扣構件34之負荷支承表面42及熱控制板16上由於不同熱膨脹所造成的力量減至最小，因為該第一繫扣構件34及熱控制板16係以大約相同的速率熱膨脹。
經測定，使用經電鍍之鋁第一繫扣構件34可以適當地防止夾持力之大幅增加，進而防止第一繫扣構件34之負荷支承表面42、該熱控制板16及螺絲的局部受損。舉例來說，該第一繫扣構件34(例如，螺絲)材料可由經電鍍之鋁來製成，且插入至由鋁製成之熱控制板16的該等穿孔44/46中。該第二繫扣構件36(一不銹鋼螺旋線圈)被附接至一石 墨襯背構件14。該熱控制板16藉由該等繫扣構件34/36以一預定夾持力被牢固至該襯背構件14。然而，大量的粒子會由於來自於該第一繫扣構件34之電鍍塗層之碎屑而產生，這係因為在該經電鍍之鋁第一繫扣構件34(例如，螺絲)及不銹鋼第二繫扣構件36(例如，螺旋線圈)之間的不同膨脹所造成。因此，在一極不適合具有此等污染之電漿處理腔室中，該第一繫扣構件34應由具有一適當熱膨脹係數之材料所製成，且該材料在電漿處理期間不會導入污染物。
圖5係用以將該襯背構件14(或襯背板30)附接至該熱控制板16之例示性實施例的放大視圖，其可以同時改善兩個前述之問題，亦即，由於熱膨脹所產生之應力以及粒子污染物之碎屑。在本實施例中，該第一繫扣構件34(例如，螺絲)材料係不銹鋼且插入至該鋁熱控制板16之該等穿孔44/46中。該第二繫扣構件36係一附接至該鋁或石墨襯背構件14之不銹鋼氮-60螺旋線圈。一可撓曲間隔件48安裝在該穿孔44之第一部分中，其介於該第一繫扣構件34之負荷支承表面與該熱控制板16之負荷支承表面42之間。舉例來說，該可撓曲間隔件48可以係具有相同或不同彈簧常數之複數個碟片彈簧(例如BELLEVILLE墊圈)、一螺旋狀彈簧或任何其中用以撓曲該可撓曲間隔件48所需之力係明顯小於(例如，相差一階之量值)用以變形該第一繫扣構件34或負荷支承表面42所需之力的機械結構。
圖6係另一例示性實施例，其中該穿孔44/46係形成在該 襯背構件14中。針對此一構形，該穿孔44/46形成在該襯背構件14中且具有一階狀結構，其包括一比第二部分46更寬之第一部分44(例如，一盲孔)，以及具有一負荷支承表面42。一可撓曲間隔件48係安裝在該穿孔44之該第一部分中，其介於該第一繫扣構件34之負荷支承表面42與襯背構件14之負荷支承表面42之間。該第二繫扣構件36被附接至或埋設在該熱控制板16中。
如圖7所示，該第一繫扣構件34被牢固至該第二繫扣構件36，使得該可撓曲間隔件48(例如，碟片彈簧)在周圍溫度下並未完全為平坦。圖8描繪圖7所示之結構處在一上升溫度(例如，大約80℃至大約160℃)。如圖8所示，熱膨脹之力量係由該可撓曲間隔件48所調適(亦即，該碟片彈簧被壓縮)，而非使該第一繫扣構件34變形或使該熱控制板16及第一繫扣構件34之負荷支承表面42變形。
具有本實施例之可撓曲間隔件48之該等繫扣構件34/36亦可用以將圖1所示之襯背環32附接至該熱控制板16。
抵抗該熱控制板16之經電鍍之鋁塗層之該可撓曲間隔件48的力量亦可能會造成該電鍍塗層之某些碎屑，且可能會將粒子物質導引於該晶圓上。為了將此特徵減到最低，一平墊圈50可安裝於熱控制板16之負荷支承表面42與該可撓曲間隔件48之間。較佳地，平墊圈50係由硬化不銹鋼(例如，析出硬化型不銹鋼PH17-4-H900)所製成。
圖5-8之實施例因為以下之理由而具有優點：(i)該可撓曲間隔件48調適由該熱控制板16之熱膨脹所產生之應力， 因而將該負荷支承表面42及螺絲之損壞減至最低；及(ii)可使用氮-60不銹鋼螺旋線圈，其係一種在一真空環境中可以提供抗磨損之材料。如上所述且如圖4所示，與僅使用一不銹鋼螺絲而不採用該可撓曲間隔件48有關之一缺點在於由熱膨脹所產生之應力會損壞該負荷支承表面42及螺絲且造成粒子產生。雖然經電鍍之鋁繫扣構件可以消除由於熱膨脹所產生之應力，然而其易於造成粒子污染物之碎屑。因此，使用可撓曲間隔件48在良好適用於一真空處理環境之材料選擇上可提供額外的靈活性，同時可減少與各種不同材料之熱膨脹係數的差異有關的不利影響。再者，熱控制板16、可撓曲間隔件48及第一繫扣構件34可以由任何適當的材料所形成，該材料可以提供對於使用在一電漿環境中之氣體的抗腐蝕性，同時減少電漿處理期間之粒子污染物。
圖5-8之實施例可用以附接一電漿處理設備中被加熱且可能會導入粒子物質之任何兩個構件。舉例來說，該第一及第二繫扣構件34/36及可撓曲間隔件48可用以附接基板支撐件18之元件，該等元件係會受到由於電漿處理設備之加熱及冷卻所造成之熱應力。
實例1
執行測試以在一由加州弗雷蒙市之Lam Research公司所製造之EXELAN ® FLEXTM 介電質電漿蝕刻系統中加熱至一上升處理溫度期間測定第一繫扣構件36材料對於粒子產生之效應。就這些測試而言，其係針對電鍍之鋁螺絲超過 0.09微米之粒子的產生與來自於氮-60不銹鋼螺絲所產生之該等粒子相比較。該等測試係藉由將一鋁熱控制板16夾持至一類似於圖3所示之構形的石墨襯背構件14來執行。在電鍍鋁螺絲之測試期間，一平墊圈(類似於平墊圈50)被安裝在該熱控制板16之負荷支承表面42與該螺絲之間。一第二繫扣構件36(一氮-60不銹鋼螺旋線圈)係埋設在該石墨襯背構件14中。被夾持之鋁熱控制板16及石墨襯背構件14被放置在電漿蝕刻腔室中且被定位於一具有一基準線粒子數之矽晶圓上方。該腔室在一惰性氣體中被加熱至大約110-115℃之溫度但不產生一電漿，造成被夾持之鋁熱控制板16及石墨襯背構件14熱膨脹。接著將該腔室在一惰性氣體中冷卻至周圍溫度，俾使被夾持之鋁熱控制板16及石墨襯背構件14收縮。經過多次測試，矽晶圓表面接著便以一光學表面分析器來分析大於0.09微米之粒子數量(該分析器可滿足大約20000個粒子數)。如表1所示，相較於電鍍鋁螺絲，不銹鋼螺絲產生實質較少(亦即，相差一階的量值)之大於0.09微米之粒子。
實例2
針對以下三種螺絲構形來進行測試以測量在該熱控制板 16與襯背構件14之間的夾持力：(i)不銹鋼螺絲；(ii)電鍍鋁螺絲；及(iii)具有碟片彈簧之不銹鋼螺絲。將一個500磅之負荷室併入於兩個經建構以模擬熱控制板16及具有一穿孔44/46之襯背構件14的鋁測試固定座之間。一第二繫扣構件36(一氮-60不銹鋼螺旋線圈)係埋設在模擬襯背構件14之該鋁固定座。在電鍍鋁螺絲之測試期間，一類似於平墊圈50之平墊圈係安裝在該經建構以模擬熱控制板16之固定座與螺絲之間。將該等不同螺絲構形之每一者予以拴緊至最終力矩的一半，接著再拴緊至最終力矩(例如，12in-lb或15in-lb)，並且自該500磅負荷室測量得到一夾持力。在重複測試之前，先清潔該螺絲之螺紋及該穿孔之第二部分。如以下表2所示，具有該等彈簧碟片之不銹鋼螺絲針對最低最終力矩係展現出最高的中位數夾持力及最小的標準差。這些特性有利地以一較低的力矩來提供一更高且更均勻一致的夾持力，以有助於在例行性維修期間拆解及重新組裝該電漿處理設備。
雖然本發明已針對其特定實施例予以詳加說明，然而熟習此項技術者應瞭解，在不違背本發明後附請求項範圍的 情況下仍可以實行各種不同之變化及修飾及採用均等物。
10‧‧‧噴灑頭電極總成
12‧‧‧上電極
14‧‧‧襯背構件
16‧‧‧熱控制板
18‧‧‧基板支撐件
20‧‧‧基板
22‧‧‧上支撐表面
24‧‧‧內電極構件
26‧‧‧外電極構件
28‧‧‧氣體通道
30‧‧‧襯背板
32‧‧‧襯背環
34‧‧‧第一繫扣構件
36‧‧‧第二繫扣構件
38‧‧‧頭部
40‧‧‧軸桿
41‧‧‧外螺紋
42‧‧‧負荷支承表面
44‧‧‧穿孔
46‧‧‧穿孔
48‧‧‧可撓曲間隔件
50‧‧‧平墊圈
圖1顯示用於一電漿處理設備之一噴灑頭電極總成及一基板支撐件之一實施例的一部分。
圖2顯示用以將一熱控制板附接至一襯背構件之一第一繫扣構件及一第二繫扣構件。
圖3顯示於周圍溫度下以一預定夾持力來將一熱控制板附接至一襯背構件之一第一繫扣構件及一第二繫扣構件。
圖4顯示處在上升處理溫度之圖3的構形。
圖5顯示用以將一熱控制板附接至一具有一可撓曲間隔件之襯背構件之一第一繫扣構件及一第二繫扣構件。
圖6顯示另一繫扣構形，其中該第一繫扣構件被倒置。
圖7顯示於周圍溫度下藉由一可撓曲間隔件以一預定夾持力來將一熱控制板附接至一襯背構件之一第一繫扣構件及一第二繫扣構件。
圖8顯示處在一上升處理溫度之圖7的構形。
10‧‧‧噴灑頭電極總成
12‧‧‧上電極
14‧‧‧襯背構件
16‧‧‧熱控制板
18‧‧‧基板支撐件
20‧‧‧基板
22‧‧‧上支撐表面
24‧‧‧內電極構件
26‧‧‧外電極構件
28‧‧‧氣體通道
30‧‧‧襯背板
32‧‧‧襯背環
34‧‧‧第一繫扣構件
36‧‧‧第二繫扣構件

Claims (32)

  1. 一種用於一電漿處理設備之元件，包含：一第一構件，其具有一第一熱膨脹係數且包括複數個穿孔，該等穿孔具有一第一部分及一比該第一部分更寬之第二部分，該第二部分係部分地由至少一負荷支承表面所界定；複數個第一繫扣構件，其具有一第二熱膨脹係數且被安裝在該第一構件之該等穿孔中，該等第一繫扣構件包括一負荷支承表面；至少一可撓曲間隔件，其安裝於在部分界定該穿孔之該第二部分之該負荷支承表面與該第一繫扣構件之該負荷支承表面之間的該第一構件之該等穿孔之一者的該第二部分中，其中該至少一可撓曲間隔件在周圍溫度下並非完全平坦；一襯背構件，其具有一凹口且具有一熱膨脹係數；一第二繫扣構件，其與每一第一繫扣構件相嚙合並接附至或嵌入於該襯背構件之該凹口中，俾以一預定夾持力將該第一構件牢固至該襯背構件；其中該第二繫扣構件係一獨立且離散的元件；以及其中該至少一可撓曲間隔件係經調適以在一上升處理溫度被壓縮，俾以藉此承受在周圍溫度與該上升處理溫度之間之熱循環期間所產生之力，該至少一可撓曲間隔件經組態使得撓曲該至少一可撓曲間隔件所需之一力小於變形該第一繫扣構件或變形部分界定該第一構件之該 第二部分之負荷支承表面所需之一力。
  2. 如請求項1之元件，其中該至少一可撓曲間隔件係用以降低在該熱循環期間來自於該第一構件或第一繫扣構件之粒子產生。
  3. 如請求項1之元件，其中該至少一可撓曲間隔件係位在相同穿孔中之一或多個碟片彈簧。
  4. 如請求項3之元件，其進一步包含一安裝在每一可撓曲間隔件及該第一構件之負荷支承表面之間的平墊圈。
  5. 如請求項1之元件，其中該第一繫扣構件之每一者包含外螺紋，且該第二繫扣構件之每一者包含一螺旋線圈，其具有與一各別第一繫扣構件之該外螺紋相嚙合之內螺紋。
  6. 如請求項1之元件，其中該第一熱膨脹係數大於該第二熱膨脹係數。
  7. 如請求項1之元件，其中該第一熱膨脹係數相等於該第二熱膨脹係數。
  8. 如請求項1之元件，其中該第一構件係一熱控制板。
  9. 如請求項8之元件，其中該熱控制板係由鋁或一鋁合金材料所構成。
  10. 如請求項1之元件，其中該襯背構件包含一襯背板及一圍繞該襯背板之周圍延伸之襯背環。
  11. 如請求項1之元件，其中該襯背構件係由鋁或石墨所構成。
  12. 如請求項1之元件，其進一步包含附接至該襯背構件之 一噴灑頭電極。
  13. 如請求項12之元件，其中該噴灑頭電極包含一內側矽電極及一外側矽電極。
  14. 一種用於一電漿處理設備之元件，包含：一第一構件，其具有一第一熱膨脹係數；一第二構件，其包括複數個穿孔，該等穿孔具有一第一部分及一比該第一部分更寬之第二部分，該第二部分係部分地由至少一負荷支承表面所界定；複數個第一繫扣構件，其具有一第二熱膨脹係數且被安裝在該第二構件之該等穿孔中，該等第一繫扣構件之每一者包括一負荷支承表面；至少一可撓曲間隔件，其安裝於該穿孔之該負荷支承表面與該第一繫扣構件之該負荷支承表面之間的該等穿孔之該第二部分中；以及一第二繫扣構件，其與每一第一繫扣構件相嚙合，俾以一預定夾持力將該第一構件牢固至該第二構件，其中該至少一可撓曲間隔件在周圍溫度並非完全平坦；其中該第二繫扣構件係獨立且離散的元件；以及其中該至少一可撓曲間隔件經調適以於一上升處理溫度被壓縮，俾藉此承受在周圍溫度與該上升處理溫度之間之熱循環期間所產生之力，該至少一可撓曲間隔件經組態使得撓曲該至少一可撓曲間隔件所需之一力小於變形該第一繫扣構件或變形該第一構件之負荷支承表面所需之一力。
  15. 如請求項14之元件，其中該可撓曲間隔件係用以大致降低在該熱循環期間來自於該第一構件或第一繫扣構件之粒子產生。
  16. 如請求項14之元件，其中該至少一可撓曲間隔件係一或多個碟片彈簧。
  17. 如請求項16之元件，其進一步包含一安裝在每一可撓曲間隔件及該第二構件之負荷支承表面之間的平墊圈。
  18. 如請求項14之元件，其中該第一繫扣構件之每一者包含外螺紋，且該第二繫扣構件之每一者包含一螺旋線圈，其具有與一各別第一繫扣構件之該外螺紋相嚙合之內螺紋。
  19. 如請求項14之元件，其中該第一熱膨脹係數大於該第二熱膨脹係數。
  20. 如請求項14之元件，其中該第一熱膨脹係數相等於該第二熱膨脹係數。
  21. 如請求項14之元件，其中該第一構件係一熱控制板。
  22. 如請求項21之元件，其中該熱控制板係由鋁或一鋁合金材料所構成。
  23. 如請求項14之元件，其中該第二構件係一襯背構件。
  24. 如請求項23之元件，其中該襯背構件包含一襯背板及一圍繞該襯背板之周圍延伸之襯背環。
  25. 如請求項24之元件，其中該襯背構件係由鋁或石墨所構成。
  26. 如請求項14之元件，其進一步包含一附接至該第二構件 之第三構件。
  27. 如請求項26之元件，其中該第三構件係一噴灑頭電極。
  28. 如請求項27之元件，其中該噴灑頭電極包含一內側矽電極及一外側矽電極。
  29. 一種用於一電漿處理設備之噴灑頭電極總成，包含：一鋁熱控制板，其包括複數個穿孔，該等穿孔具有一第一部分及一比該第一部分更寬之第二部分，該第二部分係部分地由至少一負荷支承表面所界定；複數個不銹鋼之第一繫扣構件，其安裝在該熱控制板之該等穿孔中，該等第一繫扣構件包括一負荷支承表面；至少一可撓曲間隔件，其安裝在該穿孔之該負荷支承表面與該第一繫扣構件之該負荷支承表面之間的穿孔之該第二部分中；一襯背構件，其包含複數個穿孔；複數個第二繫扣構件，其位於該襯背構件之該等穿孔中，並與該等第一繫扣構件之各別一者相嚙合，俾以一預定夾持力將該熱控制板牢固至該襯背構件，其中該至少一可撓曲間隔件在周圍溫度下並非完全平坦；以及一附接至該襯背構件的矽電極；其中該複數個第二繫扣構件係由不銹鋼所形成；以及其中該至少一可撓曲間隔件經調適以在一上升處理溫度被壓縮，俾以藉此承受在周圍溫度與該上升處理溫度之間之熱循環期間由於該熱控制板及該第一繫扣構件之 間熱膨脹的不同所產生之力。
  30. 如請求項29之噴灑頭電極總成，其中該至少一可撓曲間隔件係一或多個碟片彈簧。
  31. 如請求項30之噴灑頭電極總成，其進一步包含一安裝在每一可撓曲間隔件及該熱控制板之負荷支承表面之間的平墊圈。
  32. 如請求項29之噴灑頭電極總成，其中不銹鋼之該等第一繫扣構件之每一者包含外螺紋，且該等第二繫扣構件之每一者包含一不銹鋼螺旋線圈，該不銹鋼螺旋線圈具有與一各別不銹鋼繫扣構件之該等外螺紋相嚙合之內螺紋。
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