TWI482888B - 靶材的電鍍系統及其方法 - Google Patents

Description

靶材的電鍍系統及其方法

本案係關於一種用以製作靶材的電鍍系統及其方法。尤其，本案係關於在電鍍期間直接加熱待鍍物，以提升電鍍物的結晶性的電鍍系統及其方法。

電鍍是一種電沉積的過程，其步驟包括：(1)電鍍物擴散到待鍍物的周圍、(2)電鍍物吸附到待鍍物的表面、(3)電鍍物的電荷轉移、(4)電鍍物於待鍍物上的表面擴散以及(5)電鍍物於待鍍物上的結晶成長。一般電鍍物係以離子的狀態存在於電鍍液中，而電鍍物要擴散到待鍍物的周圍主要有下列兩種方式：(1)濃度梯度所造成的擴散以及(2)如攪拌等外力驅使所產生的對流。其中攪拌或加熱電鍍液等方式都可增加電鍍物在電鍍液中的擴散速率，進而提升電鍍製程的鍍膜速率，但是攪拌和加熱電鍍液係無法提升電鍍物在待鍍物上的表面擴散速率。

如果電鍍物在待鍍物表面上缺乏足夠的時間進行表面擴散，則如第一圖(a)所示，第一電鍍層原子112尚未擴散到待鍍物表面111上適當的結晶位置時，第二電鍍層原子113就已經沉積於第一電鍍層原子112上，因此第一電鍍層原子112無法進行進一步的表面擴散，而導致第一圖(a)中結晶性以及緻密性不佳的電鍍膜層11。如果電鍍物在待鍍物表面上具有足夠的時間進行表面擴散，則如第一圖(b)所示，第二電鍍層原子123可於第一電鍍層原子122在待鍍物表面121上的擴 散完成後才沉積下來，進而產生結晶性以及緻密性良好的電鍍膜層12。

在現今的半導體製程中，靶材的濺鍍是常用的技術。一般靶材是利用粉末加壓成形，再進行高溫燒結而完成。然而，此類的粉體燒結技術，將使熔點較低的元素在燒結的過程中液化，甚至於揮發。同樣地，若是藉由金屬鎔鍊鑄造的方式來製作靶材，仍然會有高溫加熱而液化或揮發的問題。如此一來，靶材的成分比例將難以控制。然而，若用電鍍的方式來製造靶材，電鍍靶材本身由於電鍍膜層結晶性不佳以及緻密性不良等問題，將使靶材內產生大量的缺陷，而這些缺陷會在濺鍍過程中，產生局部放電的問題。

本案申請人鑑於習知技術中的不足，經過悉心試驗與研究，並一本鍥而不捨之精神，終構思出本案「靶材的電鍍系統及其方法」。本案透過直接對待鍍物加熱的方式，提升待鍍物本身的能量，進而使電鍍物在待鍍物表面上的擴散速率有所提升，因此電鍍物有較充分的時間擴散到適當的結晶位置，以加強電鍍膜層的結晶性與緻密性。

為了增進靶材的結晶性以及緻密性，本發明透過直接加熱待鍍物的方式，使電鍍物吸附於待鍍物上並還原成原子或分子後，仍有足夠的能量可以繼續擴散，而到達適當的結晶位置。

本發明之目的係在提升電鍍物於待鍍物上的表面擴散速率。因此透過加熱器或是光源照射等方式，直接於待鍍物上 施加一熱能。

為了達到上述目的，本發明提出一種製造靶材的電鍍方法，該方法包括下列步驟：直接於一待鍍物的上提供一熱能；以及對該待鍍物的實施一電鍍製程。

根據上述構想，該靶材係為一金屬靶或一合金靶。

根據上述構想，該電鍍製程包括下列步驟：提供一電鍍液、一電極以及一外接電路；將該電極電性連接該外接電路以及該待鍍物；以及將該待鍍物浸泡於該電鍍液中。

根據上述構想，該熱能係透過一加熱器、具有一光波長的一光源或是該加熱器以及該光源的一組合，直接對該待鍍物加熱。。

根據上述構想，一第一吸收光譜顯示出該電鍍液的一第一吸收波長，該第一吸收光譜係於具有複數量測波長的一波長區段中進行量測，且該等量測波長扣除該第一吸收波長即為複數可選波長，而該光波長選自該等可選波長。

根據上述構想，其中一第二吸收光譜顯示出該待鍍物的一第二吸收波長，而該光波長係選自該第二吸收波長。

為了達到上述目的，本發明另提出用以製作一靶材的一電鍍系統，其包括：一電極，用以連結一待鍍物；以及一能量提供裝置，用以直接施加一熱能於該待鍍物。

根據上述構想，該能量提供裝置係為一加熱器、具有一光波長的一光源或是該加熱器以及該光源的一組合。

根據上述構想，該電鍍系統更具有一電鍍液，用以浸泡該待鍍物以進行一電鍍製程；以及一外接電路，與該電極連接，以提供一電流來進行該電鍍製程。

本案所提出之「靶材的電鍍系統及其方法」將可由以下的實施例說明而得到充分瞭解，使得熟習本技藝之人士可以據以完成之，然而本案之實施並非可由下列實施例而被限制其實施型態，熟習本技藝之人士仍可依據除既揭露之實施例的精神推演出其他實施例，該等實施例皆當屬於本發明之範圍。

請參閱第二圖(a)，其係為本發明加熱待鍍物的電鍍系統示意圖。電鍍系統包括作為陰極電極之待鍍物21、陽極電極22、電鍍電源供應器231、電鍍電線232、電鍍液24、電鍍液容器25、作為能量供應裝置的加熱器261、加熱器電線262以及加熱電源供應器263。其中電鍍電源供應器231透過電鍍電線232與待鍍物21以及陽極電極22電性連接，加熱電源供應器263透過加熱器電線262與加熱器261電性連接，待鍍物21、陽極電極22以及加熱器261浸泡於電鍍液24中，而電鍍液24盛裝於電鍍液容器中，並由一溶劑與複數溶質所組成，而複數溶質至少包括一電鍍物。

在另一實施例中，若加熱器261的外殼可導電，且不影響加熱電源供應器263的供電下，電鍍電源供應器231亦可透過電鍍電線232直接與加熱器261電性連接。在另一實施例中，待鍍物21可裝置設於一電極上，而該電極可與待鍍物21以及加熱器261一起浸泡於電鍍液24中。

電鍍電源供應器231以及電鍍電線232係為一外接電路，提供陽極電極22以及待鍍物21足夠的電壓與電流，以 使電鍍物可電沉積於待鍍物21的表面上。

在另一實施例中，陽極電極22可為一惰性電極，例如鉑(Pt)電極、石墨(C)電極等。在電鍍製程進行期間，由於電鍍液24中的電鍍物會電沉積於待鍍物21上，因此電鍍液24中電鍍物的濃度會隨時間而下降，故可與電鍍期間適度的添加電鍍物至電鍍液24中，亦或適度的添加濃度較高的電鍍液，使電鍍系統中的電鍍液濃度可維持在一定的濃度範圍中。

在另一實施例中，陽極電極22可為一金屬材料的一金屬電極，而此金屬材料可與電鍍物的成分實質上相同，意即電鍍物可為金屬材料的金屬離子。因此在電鍍期間，陽極電極22經電解離後，可形成新的電鍍物，進而於電鍍期間補充電鍍物電沉積時的消耗。故，電鍍液24中電鍍物的濃度較不易受時間的影響而產生變化。

由於加熱器261係直接與待鍍物21連接，因此加熱器261可直接對於待鍍物21進行加熱。在一般的電鍍製程中，雖然會使用加熱器來加熱電鍍液，但是由於電鍍液本身的熱對流，而無法對於待鍍物有良好的加熱效果。此外有些電鍍製程須不斷的提供電鍍物至電鍍液中，對於電鍍液本身的溫度控制實屬不易，更何況是要維持待鍍物穩定的加熱效果。因此，透過加熱器261直接對待鍍物21加熱，可維持待鍍物21的溫度不會任意變化，此外雖然會有些熱能逸散到電鍍液24中，但加熱器261係直接控制待鍍物21的溫度，因此待鍍物21的溫度不易受電鍍液24的影響。較佳地，加熱器261係透過熱傳導的方式提供熱能給待鍍物21，且加熱器261可透過一電能轉換成熱能的方式來達成加熱的效果。

請參閱第二圖(b)，其係為本發明待鍍物照光的電鍍系統示意圖。其電鍍系統包括作為陰極電極之待鍍物21、陽極電極22、電鍍電源供應器231、電鍍電線232、電鍍液24、電鍍液容器25、作為能量供應裝置的光源27。其中電鍍電源供應器231透過電鍍電線232與待鍍物21以及陽極電極22電性連接，待鍍物21以及陽極電極22浸泡於電鍍液24中，而電鍍液24盛裝於電鍍液容器25裡，並由一溶劑與複數溶質所組成，而複數溶質至少包括一電鍍物。

第二圖(b)與第二圖(a)之間的差異僅在於將加熱器261、加熱器電線262、加熱電源供應器263置換成光源27。然而，待鍍物21係浸泡於電鍍液24中，就算將光源27設置於電鍍液24裡，以拉近待鍍物21與光源27之間的距離，但對於待鍍物21的加熱效果未必會有太多的助益。為了使光源27可以有良好的加熱效果，可選擇一特定波長的光波作為光源27。

在前述實施例中，可先量測電鍍液24以及待鍍物21的吸收光譜，而分別獲得一第一吸收光譜以及一第二吸收光譜。該第一吸收光譜會顯示出電鍍液24的吸收波峰，該第二吸收光譜會顯示出待鍍物21的吸收波峰。由於電鍍液24的吸收波峰以及待鍍物21的吸收波峰皆可不只一個，因此定義電鍍液24的吸收波峰係由至少一第一波長的光波所造成，待鍍物21的吸收波峰係由至少一第二波長的光波所造成。

較佳地，為了提高待鍍物21的加熱效果，意即提高待鍍物21對於光源27的吸收率，光源27的波長可從至少一第二波長的光波中進行選擇。較佳地，由於不同的吸收波峰會有 不同的吸收率，因此可針對不同的需求從至少一第二波長中選擇。若需要高吸收率的光源27，可從該第二吸收光譜中選擇一吸收率最高的第二吸收波長，來作為光源27的光波長。

較佳地，為了降低光源27對於電鍍液24的加熱效果，意即降低電鍍液24對於光源27的吸收率，光源27可從至少一第一波長以外的波長進行選擇。一般而言，在量測第一吸收光譜時，會選定一波長範圍內的波長作為複數量測波長，因此若將複數量測波長扣掉至少一第一波長以後，即可取得複數可選波長。較佳地，光源27的光波長可從複數可選波長中選擇，即可降低電鍍液24對於光源27的吸收效果，以避免電鍍液24的溫度過度提升。

較佳地，光源27的光波長可同時參考至少一第一波長以及至少一第二波長來進行選擇，意即從至少一第二波長中挑選出未與至少一第一波長相同的波長的光波來作為光源，即可在提升待鍍物21的加熱效率之同時，亦可降低對於電鍍液24的加熱效果。

請參閱第三圖，其係為不同基板溫度的電鍍試片的X-光繞射(XRD)圖。曲線31係為電鍍液溫度50℃和基板溫度為室溫的XRD圖，曲線32係為電鍍液以及基板溫度皆為50℃的XRD圖。其中，作為待鍍物的基板之成分係為鉬(Mo)基板，Mo的繞射峰位於40.2°的位置，電鍍物的成分係為二硒化銅銦(CuInSe₂ ，CIS)，CIS的繞射峰依據粉末繞射標準聯合委員會(Joint Committee on Powder Diffraction Standards，JCPDS)的JCPDS卡(JCPDS card)，其主要的繞射峰位於26.6°、44.1°、44.2°以及52.3°，分別代表CIS的(112)面、(220) 面、(204)面以及(316)面。

將曲線31與曲線32比較來看，曲線32有較為明顯的CIS(112)繞射峰，意即當基板溫度較高時，電鍍物具有較好的結晶性，因而有較為明顯的電鍍物繞射峰。這是因為較高的基板溫度，可使電鍍物在基板的表面上有較高的表面擴散速率，因此有足夠的時間讓各個元素擴散到適當的結晶位置，而產生大量沿(112)面成長的CIS結晶。

相對地，曲線31具有較為明顯的Mo基板繞射峰，而CIS(112)的繞射峰相對較不明顯，意即基板溫度較低時，電鍍物不具有良好的結晶性。這是因為較低的基板溫度，會使電鍍物在基板表面上的表面擴散速率較低，因此各個元素尚未擴散到適當的結晶位置時，就有新的電鍍膜層產生而阻礙電鍍物的表面擴散，而無法產生大量具有同一結晶面的CIS結晶。此外，由於CIS結晶的緻密性不佳，也因此產生較多Mo基板的X光繞射數。

請參閱第四圖(a)與第四圖(b)，其係分別為電鍍液溫度50℃和基板溫度室溫以及電鍍液和基板溫度皆50℃的表面形貌圖，其中上述表面形貌圖係由掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope，SEM)所拍攝。由兩圖比較可看出，基板溫度較高時，電鍍膜層較為平坦，晶粒間的縫隙較少且較不明顯，當基板溫度較低時，電鍍膜層較為粗糙，晶粒間的縫隙較為明顯。這是因為基板溫度較高時，電鍍物具有較高的表面擴散速度，可移動到適當的結晶位置，而可以產生緻密度較高的電鍍膜層，相對表面粗糙度大幅下降。相反地，基板溫度較低時，電鍍物具有較低的表面擴散速率，因此無 法在新的電鍍膜層產生前，移動到適當的結晶位置，故其緻密度相對較低，且表面粗糙度相對較高。

請參閱下表一，其為不同基板溫度的表面粗糙度比較表。其中表面粗糙度係透過原子力顯微鏡(Atomic Force Mocroscope，AFM)所量測。由下表可看出，基板溫度為室溫的電鍍膜層的表面粗糙度遠大於基板溫度50℃的電鍍膜層。這是因為基板溫度較高時，電鍍物於基板21上的表面擴散較快，較有充分的時間移動到適當的結晶位置，而較能以相同的結晶面進行晶粒成長，故表面粗糙度相對較低。由AFM以及SEM的量測結果以及觀察結果，可顯示出較高的基板溫度，可提升電鍍膜層的緻密度，並降地膜層的表面粗糙度。

請參閱第五圖，其係為本發明電鍍方法流程圖，其步驟包括：(S51)將一待鍍物設置在一電極上；(S52)將該電極與外接電路電性連接；(S53)將該待鍍物至於一電鍍液中；(S54)直接於該待鍍物上施加一熱能；以及(S55)外接電路施加一電能以進行電鍍。

請合併參閱第二圖(a)與第二圖(b)以及第五圖，在步驟S51中，可將作為待鍍物的待鍍物21設置在一電極上。較佳地，若待鍍物21本身可導電，即可作為陰極電極，而不需額外使用電極。較佳地，若加熱器261的外殼可導電，亦可當 作電極來使用。

在步驟S52中，將電鍍電源供應器231連接於電鍍電線232上而形成外接電路，外接電路的兩端分別接上陽極電極22以及設置有待鍍物21的陰極電極。較佳地，若待鍍物本身可導電時，外接電路可直接與待鍍物21電性連接。較佳地，若加熱器261外殼可導電以作為電極時，外接電路可與加熱器261電性連接。

在步驟S53中，將陰極電極連同待鍍物21、陽極電極22以及加熱器261浸泡於電鍍液24中。若能量提供裝置係為光源27時，則將待鍍物21以及陽極電極22浸泡於電鍍液24即可，光源27可置於電鍍液外。較佳地，光源27亦可置入電鍍液24中，以使待鍍物21與光源27之間的距離更近。

在步驟S54中，由加熱電源供應器263提供一電流，該電流通過加熱器電線262流入加熱器261中，使加熱器261直接對待鍍物21進行加熱。若能量提供裝置係為光源27時，將光源27的開關打開，即可使光源27開始釋放特定光波長的光波，以對待鍍物21進行加熱。

在步驟S55中，由外接電路提供一電流，藉由電鍍電源供應器231、電鍍電線232、待鍍物21、電鍍液24以及陽極電極24所形成的通路，使本案之電鍍系統開始進行一電鍍製程。

在上述的實施例中，除了透過加熱器261以及光源27的方式加熱外，可透過其他的方式直接對待鍍物21進行加熱，亦可合併多種不同的加熱方式進行加熱。此外，加熱器261的設置方式除了本案圖式所揭露的方式之外，亦可有其 他的設置方式。較佳地，待鍍物21除了需要電鍍膜層的表面外，皆可由加熱器261完全包覆，來維持待鍍物21整體溫度的均勻性，然而此設置方式可能使加熱器261加熱電鍍液24的加熱面積較大，而使電鍍液24的溫度較高。較佳地，加熱器261能以多點設置的方式設置於待鍍物21上，如此一來可減少加熱器261與電鍍液24的接觸面積，以降低電鍍液24被加熱的程度，然而此設置方式可能使待鍍物21整體溫度的均勻性較差。因此，可視電鍍膜層的需求，來決定要以何種設置方式來設置加熱器261

在上述實施例中，加熱待鍍物21難免會加熱到電鍍液24。然而待鍍物21的溫度提升，會使電鍍物的表面擴散速率上升，就算電鍍物的電沉積速率，因電鍍液24的溫度上升而變快，電鍍物仍可因表面擴散速率的加快，而使電鍍膜層相較於一般加熱電鍍液時來的平整，且有較佳的結晶性。

在上述實施例中，除了加熱電鍍液等方式來提升電鍍速率外，亦可提高外接電路所提供的電壓。然而提高電鍍速率勢必會使電鍍膜層的粗糙度提高且結晶度下降，因此在本發明的電鍍方法下，即可在較快的電鍍速率下，仍維持較為平整的電鍍膜層，以及結晶性較好的晶粒。

在上述實施例中，一般電鍍系統的陽極電極22與待鍍物21的熔點都會比電鍍液24的沸點高，因此在加熱待鍍物21時，需將待鍍物21的溫度控制在電鍍液24的沸點以下，以避免待鍍物周圍的電鍍液24產生蒸發的問題，而使電鍍液24的濃度產生不當的變化。

請參閱第六圖，其係為本發明經電鍍製程製作的靶材的 示意圖。靶材6經電鍍完成後，可再經快速升溫的方式，以避免鎔鍊鑄造或粉體燒結的長時間加熱過程。因此，透過電鍍的方式所製造的靶材6，能夠製作出包含熔點較低的元素的靶材，例如：銅銦硒(CuInSe，CIS)以及銅銦鎵硒(CuInGaSe，CIGS)的元素硒。此外，透過本案的電鍍系統以及電鍍方式，可使靶材6不會有一般電鍍產品具有大量缺陷的問題，因此可避免局部放電的狀況。

在上述實施例中，由於電鍍係有大面積的生產特性，且不需加熱至高溫並長時間的持溫，因此相對成本較為低廉，有助於靶材大規模的生產。另外，由於靶材有其特定的形狀，因此亦可將模具作為一待鍍物來限制靶材的形狀，並於電鍍完成後，再將模具與靶材分離。此外，亦可直接以一平板作為待鍍物，來進行大面積的製造，在經由後續加工的方式來達到特定形狀。

實施例

1.一種製造靶材的電鍍方法的步驟包括：直接於一待鍍物上提供一熱能以及對該待鍍物實施一電鍍製程。

2.如實施例1中的方法，其中該靶材為金屬靶、合金靶。

3.如實施例1~2中的任何一個實施例中的方法，其中該熱能係透過一加熱器直接對該待鍍物加熱。

4.如實施例1~3中的任何一個實施例中的方法，其中該加熱器係透過一電能來產生的該熱能。

5.如實施例1~4中的任何一個實施例中的方法，其中該熱能係以熱傳導的方式施加在該待鍍物上。

6.如實施例1~5中的任何一個實施例中的方法，其中該電鍍製程包括下列步驟：提供一電鍍液、一電極以及一外接電路；將該電極電性連接該外接電路以及該待鍍物；以及將該待鍍物浸泡於該電鍍液中。

7.如實施例1~6中的任何一個實施例中的方法，其中該熱能可透過具有一光波長的一光源提供。

8.如實施例1~7中的任何一個實施例中的方法，其中該光波長係參考該電鍍液的一第一吸收光譜來選取，而該第一吸收光譜顯示出該電鍍液的一第一吸收波長，且該第一吸收光譜係於具有複數量測波長的一波長區段中進行量測。

9.如實施例1~8中的任何一個實施例中的方法，其中將該等量測波長扣除該第一吸收波長即為複數可選波長，而該光波長選自該等可選波長。

10.如實施例1~9中的任何一個實施例中的方法，其中該光波長係參考該待鍍物的一第二吸收光譜來選取，而第二吸收光譜顯示出該待鍍物的一第二吸收波長。

11.如實施例1~10中的任何一個實施例中的方法，其中該光波長係選自該第二吸收波長。

12.如實施例1~11中的任何一個實施例中的方法，其中該待鍍物的一溫度需低於該電鍍液的沸點。

13.一種用以製作靶材的電鍍系統，其包括用以連結一待鍍物的一電極以及用以直接施加一熱能於該待鍍物的一能量提供裝置。

14.如實施例13中的電鍍系統，其中該靶材為金屬靶、合金靶。

15.如實施例13~14中的任何一個實施例的電鍍系統，其中該能量提供裝置係為一加熱器。

16.如實施例13~15中的任何一個實施例的電鍍系統，其中該加熱器係透過一電能來產生的該熱能。

17.如實施例13~16中的任何一個實施例的電鍍系統，其中該能量提供裝置係以熱傳導的方式加熱在該待鍍物上。

18.如實施例13~17中的任何一個實施例的電鍍系統，更包括用以浸泡該待鍍物以進行一電鍍製程的一電鍍液以及與該電極連接以提供一電流來進行該電鍍製程的一外接電路。

19.如實施例13~18中的任何一個實施例的電鍍系統，其中該能量提供裝置係為具有一光波長的一光源提供。

20.如實施例13~19中的任何一個實施例的電鍍系統，其中該光波長係參考該電鍍液的一第一吸收光譜來選取，而該第一吸收光譜顯示出該電鍍液的一第一吸收波長，且該第一吸收光譜係於複數量測波長中進行量測。

21.如實施例13~20中的任何一個實施例的電鍍系統，其中將該等量測波長扣除該第一吸收波長即為複數可選波長，而該光波長選自該等可選波長。

22.如實施例13~21中的任何一個實施例的電鍍系統，其中該光波長係參考該待鍍物的一第二吸收光譜來選取，而第二吸收光譜顯示出該待鍍物的一第二吸收波長。

23.如實施例13~22中的任何一個實施例的電鍍系統，其中該光波長係選自該第二吸收波長。

24.如實施例13~23中的任何一個實施例的電鍍系統，其中該待鍍物的一溫度需低於該電鍍液的沸點。

以上所述實施例僅係為了方便說明而舉例，並非限制本發明。因此熟悉本技藝之人士在不違背本發明之精神，對於上述實施例進行修改、變化，然皆不脫如附申請專利範圍所欲保護者。

11、12‧‧‧電鍍膜層

111、121‧‧‧待鍍物表面

112、122‧‧‧第一電鍍層原子

113、123‧‧‧第二電鍍層原子

21‧‧‧待鍍物

22‧‧‧陽極電極

231‧‧‧電鍍電源供應器

232‧‧‧電鍍電線

24‧‧‧電鍍液

25‧‧‧電鍍液容器

261‧‧‧加熱器

262‧‧‧加熱器電線

263‧‧‧加熱電源供應器

27‧‧‧光源

S51‧‧‧將一待鍍物設置在一電極上

S52‧‧‧將該電極與外接電路電性連接

S53‧‧‧將該待鍍物至於一電鍍液中

S54‧‧‧直接於該待鍍物上施加一熱能

S55‧‧‧外接電路施加一電能以進行電鍍

6‧‧‧靶材

第一圖(a)為結晶性和緻密性不佳的電鍍膜層示意圖；第一圖(b)為結晶性和緻密性良好的電鍍膜層示意圖；第二圖(a)為本發明待鍍物加熱的電鍍系統示意圖；第二圖(b)為本發明待鍍物照光的電鍍系統示意圖；第三圖為不同基板溫度的電鍍試片的X-光(X-ray)繞射圖；第四圖(a)為電鍍液溫度50℃和待鍍物溫度室溫的電鍍試片的SEM圖；第四圖(b)為電鍍液和待鍍物溫度皆為50℃的電鍍試片的SEM圖；以及第五圖為本發明電鍍方法的流程圖。

第六圖為本發明經電鍍製程製作的靶材的示意圖。

21‧‧‧待鍍物

22‧‧‧陽極電極

231‧‧‧電鍍電源供應器

232‧‧‧電鍍電線

24‧‧‧電鍍液

25‧‧‧電鍍液容器

261‧‧‧加熱器

262‧‧‧加熱器電線

263‧‧‧加熱電源供應器

Claims (10)

1. 一種製造靶材的電鍍方法，其包含：提供一電鍍液具有複數個電鍍物；將一加熱器直接與一待鍍物連接而提供一熱能；對該待鍍物實施一電鍍製程；以及藉由使用該加熱器加熱該待鍍物以提升該些複數電鍍物在該待鍍物的表面擴散速率。
2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該靶材為金屬靶、合金靶。
3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該熱能係透過一加熱器提供。
4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該電鍍製程包含下列步驟：提供一電極以及一外接電路；將該電極電性連接該外接電路以及該待鍍物；以及將該待鍍物浸泡於該電鍍液中。
5. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該熱能係透過具有一光波長的一光源直接對該待鍍物加熱。
6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中一該第一吸收光譜顯示出該電鍍液的一第一吸收波長，該第一吸收光譜係於具有複數量測波長的一波長區段中進行量測，且將該等量測波長扣除該第一吸收波長即為複數可選波長，而該光波長選自該等可選波長。
7. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中一第二吸收光譜顯示出該待鍍物的一第二吸收波長，而該光波長係選自該第 二吸收波長。
8. 一種用以製作靶材的電鍍系統，其包含：一電鍍液，具有複數個電鍍物；一電極，用以連結一待鍍物；以及一加熱裝置，直接與該待鍍物連接，以直接施加一熱能於該待鍍物以提升該複數些電鍍物在該待鍍物上的表面擴散速率。
9. 如申請專利範圍第8項所述之電鍍系統，其中該加熱裝置係為一加熱器、具有一光波長的一光源或是該加熱器以及該光源的一組合。
10. 如申請專利範圍第8項所述之電鍍系統，其中該加熱裝置完全包覆該待鍍物，該電鍍系統更包含：該電鍍液，用以浸泡該待鍍物以進行一電鍍製程；以及一外接電路，與該電極連接，以提供一電流來進行該電鍍製程。