TWI481671B - Composition for light semiconductor element encapsulation - Google Patents
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Description
本發明關於一種用於將LED等光半導體元件密封的組成物,詳細而言,關於一種組成物,含有藉由加成反應而在聚矽氧鏈導入環氧基的分支聚矽氧樹脂,能夠產生可使用時間長、耐熱衝撃性等優異的硬化物。
過去以來,為了將光半導體元件密封而廣泛使用著環氧樹脂組成物。該環氧樹脂組成物,通常含有脂環式環氧樹脂、硬化劑及硬化觸媒。藉由澆鑄、轉送成形等成形法,使該組成物流進配置有光半導體元件的金屬模具並使其硬化,而將光半導體元件密封。但是,伴隨著LED的亮度及功率提升、環氧樹脂的變色劣化的問題發生。特別是脂環式環氧樹脂會因為藍色光或紫外線而變黃,因此會有LED元件壽命縮短的問題。
於是有文獻提出一種含環氧變性聚矽氧的組成物,係以環氧化合物使耐熱耐光優異的聚矽氧變性。就該環氧變性聚矽氧而言,已知有例如使具有環氧基的矽烷與矽醇縮合而合成出的樹脂(專利文獻1);具有至少兩個環氧環的倍半矽氧烷(專利文獻2);在由單官能矽氧烷單元(M單元)與四官能矽氧烷單元(Q單元)所構成之有機聚矽氧烷導入環氧基的物質(專利文獻3)等。
但是,含有該等聚矽氧樹脂之組成物,其硬化物之彈性率低且脆。因此以該組成物密封的LED,會有在溫度循環測試之中,樹脂容易發生龜裂的問題。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平7-97433號公報
[專利文獻2]日本特開2005-263869號公報
[專利文獻3]日本特開平7-18078號公報
本發明人等為了解決上述問題,發明了一種組成物,係含有具有指定直鏈聚矽氧烷構造之環氧變性聚矽氧樹脂(日本特願2008-195122號)。本發明目的為對於該組成物在耐熱衝撃性及可使用時間方面作進一步改良。
本發明人等,各種檢討的結果發現,藉由進行加成反應而在聚矽氧鏈導入環氧基,能夠達成上述目的,以至於使本發明完成。亦即,本發明為一種光半導體元件封裝用組成物,包含下述(A)、(B)、(C)及(D):
(A)分支聚矽氧樹脂,係藉由含不飽和基的環氧化合物、與具有SiH基之有機聚矽氧烷之加成反應所調製,且每一分子具有3個以上的環氧基、1個以上的(R1
SiO3/2
)單元、3個以上的(R2
R3
R4
SiO1/2
)單元及3個以上的(R2
R3
SiO)n
(n為1~20之整數)的構造:100質量份
[R1
為C1-20
之一價有機基;R2
及R3
互相獨立,而為C1-20
之一價有機基;R4
為C1-20
之一價有機基;但是在一分子中的R4
之中,3個以上為含環氧基之基]
(B)每一分子具有兩個以上的環氧基之非芳香族系環氧樹脂:相對於(A)成分與(B)成分之合計100質量份而言為50質量份以下
(C)硬化劑:相對於(A)成分與(B)成分的環氧基之合計1莫耳而言,與該環氧基具有反應性之基為0.4~1.5莫耳之量
(D)硬化觸媒(A)成分:相對於(B)成分及(C)成分之合計100質量份而言為0.01~3質量份
上述本發明之光半導體元件封裝用組成物的可使用時間長,而且在保存中黏度不會上昇。另外,該組成物之硬化物,能形成高硬度而同時耐熱衝撃性優異、良好的光半導體封裝。
在本發明之組成物之中,(A)分支聚矽氧樹脂,係藉由含不飽和基的環氧化合物與具有SiH基之有機聚矽氧烷之加成反應所調製。藉由此方式,與含有藉由縮合反應導入環氧基的聚矽氧樹脂的情況相比,可達成更長的可使用時間。加成反應係依照指定方法,在鉑觸媒的存在下進行。
(A)分支聚矽氧樹脂的每一分子具有3個以上的環氧基。環氧基被包含在後述R4
中,隔著藉由上述加成反應而成為飽和的鍵結例如來自乙烯基的伸乙基、來自烯丙基的伸丙基,進一步還有連結該飽和鍵與環氧基的基,而鍵結於矽原子。(A)分支聚矽氧樹脂的環氧當量為200~1500g/eq,宜為200~1200g/eq。
(A)分支聚矽氧樹脂每一分子具有1個以上的(R1
SiO3/2
)單元、3個以上的(R2
R3
R4
SiO1/2
)單元、及3個以上的(R2
R3
SiO)n
(n為1~20之整數)構造。由於具有分支,因此硬化物的硬度高。
R1
、R2
、R3
及R4
為C1~20
之一價有機基,但是,在一分子中的R4
之中,3個以上為含環氧基之基。就C1~20
之一價有機基而言,可列舉甲基、乙基、丙基、丁基等烷基、環戊基、環己基、冰片基等脂環式基、苯基等芳香基等。R1
宜為苯基,R2
及R3
宜為甲基。
就R4
之含環氧基之基而言,可例示γ-縮水甘油醚基乙基及β-(3,4-環氧環己基)乙基及該等組合。宜為β-(3,4-環氧環己基)乙基。
(A)分支聚矽氧樹脂宜為以下述式(2)所表示。
在式(2)之中,R1
~R4
如以上所述,p、q及r為1~20之整數(宜為1~10),s為1~5之整數(宜為1~2)。
(A)分支聚矽氧樹脂如以上所述,使具有乙烯基等不飽和基的環氧化合物在鉑等金屬觸媒的存在下加成至具有SiH基之有機聚矽氧烷而調製。例如上述式(2)之物質,可使以下述式(3)所表示之末端具有SiH基之有機聚矽氧烷與具有不飽和基的環氧化合物進行加成反應而得到,
(在式(3)之中,R1
~R4
、p、q、r及s如以上所述)。
就該具有不飽和基的環氧化合物而言,可例示一氧化乙烯基環己烯(CELLOXIDE 2000Z,DAICEL化學工業公司製)。
上述式(3)之有機聚矽氧烷,可藉由使例如R1
SiX3
、HR2
R3
SiX所表示之有機矽化合物(X為烷氧基等水解性基),與具有(R2
R3
SiO)n
(n=1~20)構造而末端具有水解性基的有機聚矽氧烷發生水解及縮合反應而合成。
就(B)每一分子具有兩個以上的環氧基之非芳香族系環氧樹脂而言,可列舉(3,4-環氧環己烷)甲基3',4'-環氧環己基羧酸酯等脂環式環氧樹脂;雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、苯酚酚醛型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、芳烷基型環氧樹脂及聯苯芳烷基型環氧樹脂等使芳香環氫化的氫化型環氧樹脂;二環戊二烯型環氧樹脂等。從耐光性的觀點考量,其中尤其以脂環式環氧樹脂為適合。
(B)環氧樹脂之摻合量,相對於(A)成分與(B)成分之合計100質量份而言為50質量份(宜為40質量份)以下。若超過50質量份,則耐光性有變低的傾向。
就(C)硬化劑而言,可使用任意的環氧樹脂之硬化劑,可列舉胺系硬化劑、酚系硬化劑、酸酐系硬化劑。宜為使用酸酐系硬化劑。就酸酐系硬化劑而言,可列舉苯二甲酸酐、馬來酸酐、偏苯三甲酸酐、焦蜜石酸酐、六氫苯二甲酸酐、3-甲基-六氫苯二甲酸酐、4-甲基-六氫苯二甲酸酐、或3-甲基-六氫苯二甲酸酐與4-甲基-六氫苯二甲酸酐之混合物、四氫苯二甲酸酐、納迪克酸酐、甲基納迪克酸酐、降冰片烷-2,3-二羧酸酐、甲基降冰片烷-2,3-二羧酸酐等。
(C)硬化劑之摻合量相對於組成物中之(A)成分與(B)成分的環氧基之合計1莫耳而言為0.4~1.5莫耳,亦即相對於全環氧樹脂1當量而言,硬化劑為0.4~1.5當量,宜為0.5~1.0當量。
就(D)硬化觸媒而言,可列舉四丁基鏻O,O-二乙基二硫代磷酸酯、四苯基鏻四苯基硼酸鹽等四級鏻鹽、三苯基膦、二苯基膦等有機膦系硬化觸媒、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)十一烯-7、三乙醇胺、芐基二甲胺等三級胺系硬化觸媒、2-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑等咪唑類等,其中尤其以四級鏻鹽為佳。
(D)硬化觸媒的摻合量相對於(A)、(B)及(C)成分之合計100質量份而言為0.01~3質量份。若硬化觸媒的摻合量低於前述下限值,則會有無法充分得到環氧樹脂與硬化劑的反應促進效果的顧慮。另一方面,若硬化觸媒的摻合量高於前述上限值,則會有成為硬化時或迴焊測試時的變色原因的顧慮。
在不脫離本發明目標產物範圍,還可在上述各成分另外摻合慣用的添加劑,例如抗氧化劑、變色防止劑、劣化防止劑、二氧化矽等無機充填劑、矽烷系偶合劑、變性劑、可塑劑、稀釋劑等。另外還可添加用於改變波長的螢光體或如氧化鈦微粉末、二氧化矽等這樣的光散射劑等。
本發明之組成物,可藉著將(A)聚矽氧樹脂、(B)環氧樹脂、(C)硬化劑及(D)硬化觸媒及依照必要摻合的各種添加劑加以熔融混合而調製。熔融混合採用周知的方法即可,可列舉例如將上述成分裝入反應器以批次式進行熔融混合的方法,另外還有將上述成分投予至捏合機或熱三滾筒機等混練機,連續地熔融混合的方法。
亦可將所得到的熔融混合物,在注入鑄型的狀態以及指定的溫度下使其B階段化而固化,然後供使用。
以本發明之組成物密封發光半導體的型態並未受到特別限制,例如可將配置於具有開口部的筐體內的發光半導體覆蓋住,並將組成物充填至筐體內,然後使其硬化而密封。另外還可將LED搭載至經過矩陣化的基板上,並藉由印刷法、轉送成型、射出成型、壓縮成形等而將其加以密封。在以灌封或射出等方式被覆LED等發光半導體元件的情況,本發明之組成物係以液狀為佳,在25℃由旋轉黏度得到的測定值為10~1,000,000mPa‧s,尤其以100~1,000,000mPa‧s左右為佳。另一方面,在以轉送成型等製造發光半導體裝置的情況,可使用上述液狀樹脂,然而亦可藉著使液狀樹脂增黏而固化(B階段化),粒化之後成型而製造。
以下藉由實施例對本發明作說明,而本發明並不受該等實施例限定。
在反應容器裝入CELLOXIDE 2000(DAICEL化學工業公司製)112.71g(0.908莫耳)、甲苯208ml、氯化鉑酸2%辛醇溶液(Pt量20ppm)後,滴入下述式(a)所表示之有機聚矽氧烷(n=1)100g(0.303莫耳)、甲苯61ml,加熱回流16小時。
反應結束後,在減壓下除去甲苯,並進行過濾,而得到目標產物的樹脂(樹脂1)。樹脂1的環氧當量為262g/eq。
在上式(a)所表示之有機聚矽氧烷的1
H-NMR(300MHz,CDCl3
)中,在0.38ppm、4.98ppm(Si-H)、7.50ppm及7.75ppm可觀察到峰。另一方面,在樹脂1的1
H-NMR(300MHz,CDCl3
)中,在0.09ppm、0.51ppm、1.15ppm、1.29ppm、2.12ppm、3.12ppm及7.24ppm可觀察到峰,確認在末端鍵結了脂環式環氧基。另外,在樹脂1的29
Si-NMR(60MHz,CDCl3
)中,在-76~-80ppm(PhSiO3/2
)及8~11ppm(Me2
SiO)可觀察到峰,確認在藉由縮合反應調製的樹脂中,並不存在通常觀察到的烷氧基。
在反應容器裝入CELLOXIDE 2000(DAICEL化學工業公司製)74.51g(0.600莫耳)、甲苯150ml、氯化鉑酸2%辛醇溶液(Pt量20ppm)後,滴入上述式(a)所表示之有機聚矽氧烷(n=5)161g(0.200莫耳)、甲苯40ml,加熱回流16小時。反應結束後、在減壓下除去甲苯並進行過濾,得到目標產物的樹脂(樹脂2)。樹脂2的環氧當量為546g/eq。
在反應容器裝入CELLOXIDE 2000(DAICEL化學工業公司製)74.51g(0.600莫耳)、甲苯150ml、氯化鉑酸2%辛醇溶液(Pt量20ppm)後,滴入上述式(a)所表示之有機聚矽氧烷(n=10)520g(0.200莫耳)、甲苯100ml,加熱回流16小時。反應結束後,在減壓下除去甲苯並進行過濾,而得到目標產物的樹脂(樹脂3)。樹脂3的環氧當量為1023g/eq。
在反應容器裝入CELLOXIDE 2000(DAICEL化學工業公司製)99.35g(0.800莫耳)、甲苯180ml、氯化鉑酸2%辛醇溶液(Pt量20ppm)後,滴入下述式(b)所表示之有機聚矽氧烷84g(0.200莫耳)、甲苯40ml,加熱回流。反應結束後,在減壓下除去甲苯並進行過濾,得到目標產物的樹脂(樹脂4)。樹脂4的環氧當量為269g/eq。
在上式(b)所表示之有機聚矽氧烷的1
H-NMR(300MHz,CDCl3
)中,在0.31ppm、4.85ppm(Si-H)、7.39ppm、7.76ppm可觀察到峰。另一方面,在樹脂4的1
H-NMR(300MHz,CDCl3
)中,在0.02ppm、0.43ppm、1.07ppm、1.53ppm、1.90ppm、2.06ppm、3.10ppm、7.17ppm可觀察到峰,確認在末端鍵結了脂環式環氧基。在樹脂4的29
Si-NMR(60MHz,CDCl3
)中,在-74~-83ppm(PhSiO3/2
)、7~11ppm(Me2
SiO)可觀察到峰,確認了在藉由縮合反應調製的樹脂中並不存在通常觀察到的烷氧基。
在反應容器裝入MeO(Me)2
SiO(Me2
SiO)n
Si(Me)2
OMe(n=約1.5個)596.82g(2.10莫耳)、苯基三甲氧基矽烷(信越化學工業公司製KBM103)95.34g(0.70莫耳)、異丙醇1250ml後,添加氫氧化四甲基銨25%水溶液21.75g、水195.75g,在室溫攪拌3小時。反應結束後,在系統內加入甲苯1250ml,並以磷酸二氫鈉水溶液中和。使用分液漏斗、將殘渣以熱水洗淨。在減壓下除去甲苯,而得到寡聚物。進一步在寡聚物中加入3-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷(信越化學工業公司製KBM303)517.44g(2.10莫耳)、異丙醇600ml後,添加氫氧化四甲基銨25%水溶液21.75g、水195.75g,在室溫攪拌3小時。反應結束後,在系統內加入甲苯1250ml,並以磷酸二氫鈉水溶液中和。使用分液漏斗,將殘渣以熱水洗淨。在減壓下除去甲苯,而得到目標產物的樹脂(定為「樹脂5」)。樹脂5的環氧當量為441g/eq。
另外,在樹脂5的29
Si-NMR(60MHz,CDCl3
)中,在-64~-56ppm(PhSiO3/2
)、-52~-44ppm(完全縮合T單元Si部分)、-41~-36ppm(含烷氧基的T單元Si部分)、-4~3ppm(完全縮合D單元Si部分)、6~10ppm(含烷氧基的D單元Si部分)可觀察到峰,確認了烷氧基的殘留。
使用所得到的樹脂及以下成分,調製出組成物。
(B)環氧樹脂:(3,4-環氧環己烷)甲基3',4'-環氧環己基羧酸酯(CELLOXIDE 2021P,DAICEL工業股份有限公司製)
(C)硬化劑:甲基六氫苯二甲酸酐(MH,新日本理化股份有限公司製)
(D)硬化觸媒:有機鏻鹽(UCAT-5003,San-Apro股份有限公司製)
黏著助劑:3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷(KBM-803,信越化學工業股份有限公司製)
按照表1所揭示的配方(質量份),調製出組成物。
使用所得到的組成物,在100℃放置2小時,進一步在150℃進行後烘烤(Postcure)4小時,得到厚度5mm之棒狀硬化物。使用此棒狀硬化物,針對外觀、彎曲彈性率及彎曲強度(JIS K-6911)、耐光測試後之外觀作評估。耐光測試係將初期在400nm的透過率定為100%,求出UV照射(高壓水銀燈30mW/cm2
、365nm)12小時後的透過率。另外,測定23℃/保存8hr後的黏度對在23℃初期黏度的比值。將結果揭示於表1。
使用實施例2、3及比較例1之組成物,分別藉著以下方法製作出LED裝置各3個。將InGaN系藍色發光元件藉由銀糊劑固定在厚度1mm、邊長3mm,開口部直徑2.6mm、底邊鍍銀的LED用預成型封裝。接下來,以金導線連接外部電極與發光元件。將各組成物注入封裝的開口部。使其在100℃硬化1小時,進一步在150℃硬化2小時,而製作出LED裝置。使用所製作的LED裝置,在下述條件的溫度循環測試與在65℃/95%RH下進行3000小時LED點燈測試中,以目視觀察封裝界面有無黏著不良、龜裂的現象以及有無變色的現象。將結果揭示於表2。
由表1可知,藉由縮合反應所得到而含樹脂5的比較例1之組成物,其黏度顯著上昇。另外,由表2可知,由比較例1之組成物所得到的封裝,與由實施例之組成物所得到的硬化物相比,耐熱衝撃性及耐光性較差。
本發明之光半導體元件封裝用組成物,適合用於形成可使用時間長、耐光性以及耐熱衝撃性優異的光半導體裝置。
Claims (5)
- 一種光半導體元件封裝用組成物,其特徵為含有下述(A)、(B)、(C)及(D):(A)藉由含不飽和基的環氧化合物與具有SiH基之有機聚矽氧烷之加成反應所調製以下述式(2)所表示之分支聚矽氧樹脂100質量份
- 如申請專利範圍第1項之組成物,其中,R1 係苯基、R2 及R3 係甲基,以及含環氧基之基係β-(3,4-環氧環己基)乙基。
- 如申請專利範圍第1或2項之組成物,其中,(C)硬化劑係酸酐。
- 如申請專利範圍第1或2項之組成物,其中進一步含巰基系矽烷偶合劑。
- 如申請專利範圍第3項之組成物,其中進一步含巰基系矽烷偶合劑。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009214499A JP5293525B2 (ja) | 2009-09-16 | 2009-09-16 | 光半導体素子封止用組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201124475A TW201124475A (en) | 2011-07-16 |
TWI481671B true TWI481671B (zh) | 2015-04-21 |
Family
ID=43862652
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW099131235A TWI481671B (zh) | 2009-09-16 | 2010-09-15 | Composition for light semiconductor element encapsulation |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5293525B2 (zh) |
KR (1) | KR101751541B1 (zh) |
CN (1) | CN102020853B (zh) |
TW (1) | TWI481671B (zh) |
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JP2014227544A (ja) * | 2013-05-27 | 2014-12-08 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体素子封止用樹脂組成物及び該組成物を用いてなる光半導体装置 |
JP6098531B2 (ja) * | 2014-01-23 | 2017-03-22 | 信越化学工業株式会社 | 樹脂組成物、樹脂フィルム及び半導体装置とその製造方法 |
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JP6523780B2 (ja) | 2014-09-29 | 2019-06-05 | 東京応化工業株式会社 | 膜形成性組成物、及びそれを用いた硬化被膜の製造方法 |
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-
2009
- 2009-09-16 JP JP2009214499A patent/JP5293525B2/ja active Active
-
2010
- 2010-09-15 TW TW099131235A patent/TWI481671B/zh active
- 2010-09-15 KR KR1020100090262A patent/KR101751541B1/ko active IP Right Grant
- 2010-09-16 CN CN201010286520.5A patent/CN102020853B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070299165A1 (en) * | 2006-06-27 | 2007-12-27 | Gelcore Llc | Phenyl-containing silicone epoxy formulations useful as encapsulants for LED applications |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011063686A (ja) | 2011-03-31 |
CN102020853A (zh) | 2011-04-20 |
KR20110030368A (ko) | 2011-03-23 |
CN102020853B (zh) | 2014-07-02 |
KR101751541B1 (ko) | 2017-06-27 |
TW201124475A (en) | 2011-07-16 |
JP5293525B2 (ja) | 2013-09-18 |
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