TWI479591B

TWI479591B - 晶圓承載機

Info

Publication number: TWI479591B
Application number: TW098141129A
Authority: TW
Inventors: Mitsuo Natsume; Shin Kawahisa; Takumi Mizokawa
Original assignee: Sinfonia Technology Co Ltd
Priority date: 2008-12-02
Filing date: 2009-12-02
Publication date: 2015-04-01
Also published as: JP5381054B2; US20100135753A1; KR20100062962A; JP2010135355A; US8821098B2; TW201027659A; KR101621975B1

Description

晶圓承載機

本發明係關於一種在潔淨室內鄰接半導體製造裝置而配置之晶圓承載機。

在半導體之製造步驟中，為了提高良率或品質，一般在潔淨室內對晶圓進行處理。但是，在元件之高積體化或電路之微細化、及晶圓之大型化進展之今日，於整體潔淨室內管理小灰塵，在成本和技術上均較為困難。因此，近年來作為提高潔淨室內整體清淨度之替代方法，是採用引進只對晶圓周圍之局部空間更提高清淨度之「微環境(minienviroment)方式」而進行晶圓之搬運或其他處理。在微環境方式中，一般利用以下兩者作為重要裝置：收納用容器，稱為FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式晶圓盒)，於高清淨之環境下搬運並保管晶圓；及晶圓承載機(Load Port)，為介面部裝置，在與半導體製造裝置之間取送FOUP內之晶圓，同時在與搬運裝置之間進行FOUP之交接。亦即，在潔淨室內，特別是一邊使FOUP內和半導體製造裝置內維持高清淨度，一邊使配置有晶圓承載機之空間、換言之係使FOUP外和半導體製造裝置外達到低清淨度，藉此抑制潔淨室之建置及運轉成本。

另外，在使設於晶圓承載機之門部密接在FOUP背面所設之窗之狀態下，使該等門部和窗同時開放，將FOUP內之晶圓供給到半導體製造裝置內。然後，經各種處理或加工之晶圓從半導體製造裝置內再度被收容在FOUP內。

然而，半導體製造裝置內係維持在適合晶圓之處理或加工之既定氣體環境，但是當從FOUP內將晶圓送出到半導體製造裝置內時，FOUP之內部空間和半導體製造裝置之內部空間相互連通。因此，當FOUP內之環境清淨度比半導體製造裝置內還低時，FOUP內之氣體會進入到半導體製造裝置內，而對半導體製造裝置內之氣體環境造成不良影響。另外，當將晶圓從半導體製造裝置內收納在FOUP內時，亦會有因FOUP內之氣體環境中水分、氧氣或其他氣體等而在晶圓之表面形成氧化膜之問題。

因此，在專利文獻1揭示有一種晶圓承載機，在使FOUP之內部空間和半導體製造裝置之內部空間相連通前，為使FOUP內形成為與半導體製造裝置內相同或大致相同之氣體環境，當檢測到收納有晶圓之FOUP已載置於晶圓承載機之載置板時，則將既定之氣體(例如氮氣或惰性氣體等)注入到FOUP內使其充滿，而將FOUP內置換為既定之氣體環境。

另外，習知亦有另一態樣是設置與晶圓承載機分離之吹淨(purge)專用裝置，將氮氣或乾燥空氣等之既定氣體注入到FOUP內，而將FOUP內置換成為既定之氣體，在經該吹淨專用裝置將FOUP內置換成為既定之氣體環境後，則搬運到晶圓承載機，進行以後之處理。

[專利文獻1]日本專利特開2006-351619號公報

然而，若為當檢測到FOUP已載置在晶圓承載機之載置板時即將氮氣或乾燥空氣等之氣體注入到FOUP內，而將FOUP內置換成為既定氣體環境之晶圓承載機，則在置換作業(吹淨作業)中，因為載置部佔用於吹淨作業中之FOUP，因而無法發揮晶圓承載機之本來功能，即，發揮使晶圓在FOUP內和半導體製造裝置內之間出入的功能，而有作業效率降低之問題。

另外一方面，在後者之態樣中，除需要與晶圓承載機分離之專用的吹淨裝置外，隨晶圓承載機和吹淨專用裝置之相對距離越大時，FOUP從吹淨專用裝置移動到晶圓承載機之載置板之距離越增大，仍然會產生作業效率降低之問題。

本發明為著眼於此種課題而完成者，其主要目的在於提供一種晶圓承載機，即使在吹淨作業中，亦可使晶圓在FOUP內和半導體製造裝置內之間出入，同時可使進行吹淨作業之位置、和使晶圓在FOUP內和半導體製造裝置內之間出入的位置盡可能相接近，使FOUP之移動距離變小，可提高作業效率。

亦即，本發明之晶圓承載機為在半導體之製造步驟中所使用者，其在潔淨室內與半導體製造裝置相鄰接而設置，並收取搬運而來之FOUP，使FOUP內所收納之晶圓在半導體製造裝置內與FOUP內之間進行出入；其特徵在於，其具備有：吹淨台，具有可將FOUP內之氣體環境置換為氮氣或乾燥空氣之吹淨機(purge port)；開口台，與吹淨台並排設置，且具有通到半導體製造裝置內之開口部、及可開閉開口部之門部；及移動機構，使FOUP在吹淨台和開口台之間移動。

如此，因為可以同時進行在吹淨台從吹淨機將氮氣或乾燥空氣吹入至FOUP內而將FOUP內之氣體環境置換為氮氣或乾燥空氣之作業、即吹淨作業、及在開口台使晶圓在FOUP內和半導體製造裝置內之間進行出入的作業，因此即使在置換作業(吹淨作業)中，亦可避免晶圓承載機佔用於吹淨作業中之FOUP之情形，即使在置換作業(吹淨作業)中，亦可使晶圓在FOUP內和半導體製造裝置內之間進行出入，可提高作業效率。而且，並排地設置吹淨台和開口台，構成為透過移動機構可使FOUP在該等吹淨台和開口台之間移動，因此盡可能使進行吹淨作業之位置、及使晶圓在FOUP內和半導體製造裝置內之間進行出入的位置相接近，可縮小FOUP之移動距離，更進一步提高作業效率。此處，本發明之「半導體製造裝置」包含具備有被配置在與晶圓承載機直接相鄰接之位置之移送室者、或未具備有移送室者之該等任一者。另外，移送室內設有移送機，用於在FOUP內和半導體製造裝置內之間各一片地移送FOUP內之晶圓、或移送可裝卸設置在FOUP內而收納有複數片晶圓之多段式匣盒。

另外，在使開口台之開閉部開放而使FOUP內和半導體製造裝置內相連通之情況時，FOUP內之氣體環境相較於吹淨作業不久後，其清淨度降低，為了消除由於FOUP內之氣體環境中水分、氧氣或其他氣體等而可能在晶圓表面形成氧化膜之問題，開口台亦可設有副吹淨部，用以當使門部作動而開放開閉部時，可將氮氣或乾燥空氣吹入至FOUP內。

依照本發明之晶圓承載機，即使在吹淨作業中亦可使晶圓在FOUP內和半導體製造裝置內之間進行出入，同時透過移動機構可使FOUP在進行吹淨作業之位置、與使晶圓在FOUP內和半導體製造裝置內之間進行出入的位置之間較佳地移動，而提高作業效率。

以下，參照圖式說明本發明之一實施形態。

本實施形態之晶圓承載機1如圖1所示，在半導體之製造步驟中所使用，在共同之潔淨室A內被配置為與半導體製造裝置B相鄰接，密接FOUP 9側的門而進行開閉，在與半導體製造裝置B之間進行FOUP 9內所收容晶圓(未圖示)的出入。另外，圖1為從上方觀看晶圓承載機1與其周邊之俯視圖，其模式表示潔淨室A中晶圓承載機1和半導體製造裝置B之相對位置關係。

晶圓承載機1如圖1至圖5(圖2和圖3為從相互不同之角度觀看晶圓承載機1之整體概略圖，圖4為晶圓承載機1之前視圖，圖5為從圖4箭頭X方向觀看到晶圓承載機1之側視圖)所示，其具備有成一體之以下兩要素：吹淨台2，將氮氣和惰性氣體或乾燥空氣等之氣體(本實施形態中使用氮氣)注入到FOUP 9內，將FOUP 9內之氣體環境置換為氮氣；及開口台3，將收容在FOUP 9內之晶圓排出到半導體製造裝置B內，同時將經半導體製造裝置B處理過之晶圓收容在FOUP 9內；更進一步，其具備有移動機構4，用於使FOUP 9在吹淨台2和開口台3之間進行移動。

本實施形態中所使用之FOUP 9由於為習知者，故省略其詳細之說明。半導體製造裝置B如圖1所示，為具備有半導體製造裝置本體B1、及被配置為與半導體製造裝置本體B1相鄰接之移送室B2，移送室B2內例如設有移送機(未圖示)，該移送機使FOUP 9內之晶圓各1片在FOUP 9內和移送室B2內之間、及在移送室B2內和半導體製造裝置本體B1內之間進行移送。另外，亦可在FOUP 9和半導體製造裝置B(半導體製造裝置本體B1和移送室B2)之間移送每個收納有複數片晶圓之匣盒。藉由此種構成，潔淨室A中，半導體製造裝置本體B1內、移送室B2內及FOUP 9內可維持在高清淨度，另一方面，在配置有晶圓承載機1之空間、換言之為半導體製造裝置本體B1外、移送室B2外及FOUP 9外則達較低之清淨度。以下，主要說明本實施形態之晶圓承載機1的構成。

吹淨台2主要地具備有：吹淨台側框架21，形成為大致矩形板狀，並在大致垂直姿勢下被配置；吹淨台側載置板22，以大致水平姿勢配置在離該吹淨台側框架21之高度方向中央部稍微靠近上方之位置處；和吹淨機(注入用吹淨機23、排出用吹淨機24)，設在吹淨台側載置板22。吹淨台側框架21被配置在後述開口台側框架31和共同之基座框架5前面。本實施形態之晶圓承載機1可於使基座框架5背面密接在半導體製造裝置B(具體而言為移送室B2)前面之狀態下而加以使用(參照圖1)。

吹淨台側載置板22中形成有吹淨台側缺口部22a，用來避免與後述移動機構4中可升降移動及水平移動之主平台41互相干涉。另外，在該吹淨台側載置板22形成有朝上突出之3個突起部22b，使該等突起部22b卡合在FOUP 9底面所形成之孔洞(未圖示)，藉此可將FOUP 9定位在吹淨台側載置板22上。

吹淨機(注入用吹淨機23、排出用吹淨機24)成對設置在沿著吹淨台側載置板22之寬度方向離開之位置處，一者具有注入氮氣之注入用吹淨機23功能，另一者具有排出FOUP 9內之環境氣體之排出用吹淨機24功能。注入用吹淨機23及排出用吹淨機24具有用於限制氣體逆流之閥功能，可在嵌合於FOUP 9底部所設置之注入口及排出口(均未圖示)之狀態而加以連結。另外，各吹淨機(注入用吹淨機23、排出用吹淨機24)與注入口及取出口之嵌合部分，透過設在注入用吹淨機23和排出用吹淨機24前端部之襯墊等而形成密閉狀態。

另外，在吹淨台側載置板22設有加壓感測器，當檢測到FOUP 9中底部已按壓加壓感測器之被按壓部時，透過來自未圖示控制部之信號，從注入用吹淨機23噴出氮氣，經由注入口將氮氣注入到FOUP 9內。這時，充滿在FOUP 9內之空氣等氣體，從FOUP 9之排出口經由排出用吹淨機24而排出到FOUP 9外。

開口台3具備有：開口台側框架31，形成大致矩形板狀，在大致垂直姿勢下被配置；開口台側載置板32，以大致水平姿勢被設在離該開口台側框架31之高度方向中央部稍微靠上方之位置處；開口部33，其開口下緣被設定在開口台側框架31中與開口台側載置板32為大致相同高度之位置處，可連通半導體製造裝置B內(具體而言為移送室B2內)；及門部34，使該開口部33開閉。此處，開口台側框架31及吹淨台側框架21並排設在共同之基座框架5前面，該等開口台側框架31及吹淨台側框架21俯視下被配置為同一直線狀(參照圖1)。

開口台側載置板32中形成有開口台側缺口部32a，用來避免與後述移動機構4中可升降移動及水平移動之主平台41互相干涉。另外，該開口台側載置板32形成有向上突出之3個突起部32b。該等3個突起部32b被設置在與設於吹淨台側載置板22之3個突起部22b相對應的位置處，藉由使該等3個突起部32b卡合在FOUP 9底面所形成之孔洞(未圖示)，可將FOUP 9定位在開口台側載置板32上。本實施形態中，將開口台側載置板32之高度位置設定在與吹淨台側載置板22相同或大致相同之高度位置。

門部34為可在開狀態和閉狀態間作動者，該開狀態係於將FOUP 9載置在開口台側載置板32之狀態下，以密接於FOUP 9背面所設置之窗(未圖示)的狀態使該窗開放而成者，該閉狀態係遮斷鄰接半導體製造裝置B(具體而言為移送室B2)之內部空間和FOUP 9之內部空間而成者，具體之開閉構造準用習知者。

另外，如圖6所示在開口台3之開口部33附近設有副吹淨部(頂部副吹淨部35、側部副吹淨部36)，當門部34開放時、即當門部34處於開狀態時，將氮氣和惰性氣體或乾燥空氣等之氣體(本實施形態中使用氮氣)吹入到FOUP 9內。本實施形態中，於開口部33中開口上緣部附近設置有頂部副吹淨部35，在開口部33中兩側緣部附近設置有側部副吹淨部36。該等頂部副吹淨部35及側部副吹淨部36，被設在較門部34更深處(半導體製造裝置B側)。另外，頂部副吹淨部35及側部副吹淨部36被組裝於開口台側框架31內，而在通常之使用狀態下無法從外觀辨識到。另外，圖6為將圖3之一部分擴大而模式地表示副吹淨部(頂部副吹淨部35、側部副吹淨部36)之構造及副吹淨部與開口部33之相對位置關係之圖，基於說明之方便，省略門部34等。

頂部副吹淨部35由分支自氣體管351之複數頂部噴嘴352所構成。本實施形態中，沿著開口部33之上邊以等間距配置合計4個之頂部噴嘴352，並使該等前端分別成為朝向下方且前方(FOUP 9側)之姿勢。

側部副吹淨部36由分支自氣體管361之複數側部噴嘴362所構成。本實施形態中，沿著開口部33之側邊以等間距配置分別在開口部33之兩側配置合計4個之側部噴嘴362，並使該等前端分別朝向側方且前方(FOUP 9側)之姿勢。

另外，本實施形態之晶圓承載機1在開口台3設有映像裝置(未圖示)，用於映像FOUP 9內所收納晶圓之片數和位置。

如此，本實施形態之晶圓承載機1中，吹淨台2和開口台3構成上可被配置在半導體製造裝置B(具體而言為移送室B2)之前面，而呈沿著其面方向且水平方向並排之狀態，透過以下所說明之移動機構4使FOUP 9在吹淨台2和開口台3之間進行移動。

移動機構4具備有：主平台41，上面可載置FOUP 9；升降移動部42，用於升降移動主平台41；及水平移動部43，使主平台41在吹淨台2和開口台3之間水平移動。

主平台41為例如俯視下呈大致三角形狀之板狀構件，其中形成有朝上突出之3個突起部41a，藉由使該等突出部41a卡合在FOUP 9底面中所形成與上述不同之孔洞(未圖示)，可將FOUP 9定位在主平台41上。亦即，在FOUP 9之底面形成有6個定位用孔洞，其中3個與主平台41之突起部41a卡合，其餘3個與吹淨台側載置板22之突起部22b或開口台側載置板32之突起部32b卡合。

升降移動部42為使主平台41在下降位置和上升位置間進行升降動作者，其中，該下降位置係被設定在比吹淨台側載置板22及開口台側載置板32還低之位置處，該上升位置係被設定在比吹淨台側載置板22及開口台側載置板32還高之位置處。升降移動部42使用複數液壓式或氣壓式之氣缸421而構成(參照圖4)。氣缸421被蓋體422所覆蓋。

水平移動部43為使主平台41在吹淨台側位置(圖1實線所示之位置)和開口台側位置(圖1虛線所示之位置)之間進行水平移動者，其中，該吹淨台側位置俯視下係可至少嵌合在吹淨台側載置板22中所形成之吹淨台側缺口部22a，該開口台側位置俯視下係可至少嵌合在開口台側載置板32中所形成之開口台側缺口部32a。水平移動部43具備有：軌道支持板431，以水平姿勢設置在涵蓋吹淨台側框架21及開口台側框架31之區域；軌道432(圖示例中為2根軌道432)，被設在軌道支持板431上，且使其長度方向與晶圓承載機1之寬度方向相一致；及台車433，可沿軌道432進行移動。本實施形態中於台車433上配置升降移動部42及主平台41。

另外，在晶圓承載機1之通常使用時，以蓋(未圖示)來覆蓋移動機構4中升降移動部42及水平移動部43。又，該移動機構4亦可具有移動主平台41而使主平台41所載置之FOUP 9接近離開門部34之功能、或將經搬運裝置以任意方向載置的FOUP 9之方向變更(移動)為正確方向之功能。其次，說明形成此種構成之晶圓承載機1之使用方法及作用。

首先，由未圖示之搬運裝置將FOUP 9搬運到晶圓承載機1。經搬運之FOUP 9被載置在位於吹淨台側位置且為上升位置之主平台41，伴隨該主平台41由升降移動部42從上方位置朝降下位置移動之動作，FOUP 9被載置於吹淨台側載置板22。此時，吹淨台側載置板22上所設之突起部22b係卡合在於FOUP 9底部所形成之孔洞。在FOUP 9被載置在吹淨台側載置板22之同時或大致同時，設在吹淨台側載置板22之注入用吹淨機23及排出用吹淨機24，分別連結於FOUP 9底部所形成之注入口及排出口，自注入用吹淨機23注入氮氣至FOUP 9內，將充滿在FOUP 9內之氣體從排出用吹淨機24排出到FOUP 9外。

其次，使內部空間經氮氣充填之FOUP 9，透過移動機構4從吹淨台2移動到開口台3。具體而言，使位於降下位置之主平台41由升降移動部42朝上升位置移動。在該上升移動之途中，FOUP 9從吹淨台側載置板22被移載到主平台41上。此時，主平台41上所設置之突起部41a係卡合於FOUP 9底部所形成之孔洞。然後，使主平台41透過水平移動部43從吹淨台側位置朝向開口台側位置移動。使主平台41由升降移動部42從上升位置朝降下位置移動，將FOUP 9載置在開口台側載置板32。此時，開口台側載置板32上所設置之突起部32b卡合在FOUP 9底部所形成之孔洞。

然後，在將FOUP 9載置在開口台側載置板32之不久後，則將FOUP 9內之晶圓從開口台3依序排出至半導體製造裝置B內。具體而言，開口台3之門部34於密接在FOUP 9之窗(未圖示)之狀態下從閉狀態變成開狀態，在使開口部33開放之狀態下，由移送室B2內所設置之移送機，將FOUP 9內之晶圓依序移送至半導體製造裝置B內。移送至移送室B2內之晶圓接著被移送到半導體製造裝置本體B1內，供於以半導體製造裝置本體B1進行之半導體製造處理步驟。經半導體製造裝置本體B1完成半導體製造處理步驟之晶圓，透過移送機經由移送室B2內而依序收納在FOUP 9內。本實施形態之晶圓承載機1在開口台3之開口部33呈開放時、換言之在門部34為開狀態時、更換言之是在使晶圓於FOUP 9內和半導體製造裝置B內之間進行出入時，從頂部副吹淨部35及側部副吹淨部36朝FOUP 9內吹附氮氣。藉由此種方式，當晶圓在FOUP 9內和半導體製造裝置B內之間進行出入時，可將FOUP 9內之氣體環境置換為低位準程度之氮氣、或除去多餘之水分。

當全部晶圓經半導體製造處理步驟後而收納在FOUP 9內時，開口台3之門部34於密接在FOUP 9之窗之狀態下從開狀態變成閉狀態，而使開口部33閉合。然後，載置在開口台側載置板32之FOUP 9由未圖示之搬運機構運出至下個步驟。另外，如有需要，亦可將收納有經半導體製造處理步驟後晶圓之FOUP 9，透過移動機構4從開口台3移動至吹淨台2，在吹淨台2再度經過吹淨處理步驟。如此一來，可對收納有經半導體製造處理步驟後晶圓之FOUP 9立即開始吹淨處理，可防止處理過後晶圓之氧化。

另外，在開口台3，在進行使晶圓在FOUP 9內和半導體製造裝置B內之間進行出入的處理之同時或大致同時，藉由對搬運至吹淨台2之下個批量FOUP 9進行吹淨處理，可有效地在晶圓承載機1上進行晶圓之出入處理步驟吹淨處理步驟，可縮短每個FOUP 9之處理時間。

如此，本實施形態之晶圓承載機1在寬度方向並排設置有：吹淨台2，具有注入用吹淨機23及排出用吹淨機24；和開口台3，具有可開閉通到半導體製造裝置B內之開口部33之門部34；故在吹淨台2中可通過注入用吹淨機23及排出用吹淨機24進行將FOUP 9內之氣體環境置換為氮氣或乾燥空氣等氣體之吹淨作業，並在開口台3可使晶圓於FOUP 9內和半導體製造裝置B內之間進行出入，即使在吹淨作業中，亦可發揮使晶圓在FOUP 9內和半導體製造裝置B內之間進行出入的FOUP 9本來功能，可大幅地提高作業效率。又，在使晶圓在FOUP 9內和半導體製造裝置B內之間進行出入後，即使於進行吹淨作業之情況下，亦不需要將FOUP 9留在開口台3，在不對下個批量FOUP 9發生較大時間損耗下可持續進行晶圓之出入處理。

而且，本實施形態之晶圓承載機1更具備有用於使FOUP 9在吹淨台2和開口台3之間移動的移動機構4，因此可盡可能使進行吹淨作業之位置、和使晶圓在FOUP 9內和半導體製造裝置B內之間進行出入之位置的離開距離相接近，可縮短FOUP 9之移動距離，使FOUP 9之移動時間縮短，可達到作業效率之更進一步提高。

尤其，開口台3具備有在開口部33開放時可吹入氮氣到FOUP 9內之副吹淨部(頂部副吹淨部35、側部副吹淨部36)，因此如上述，在使晶圓在FOUP 9內和半導體製造裝置B內之間進行出入時，從頂部副吹淨部35及側部副吹淨部36朝FOUP 9內吹附氮氣，藉此可將FOUP 9內之氣體環境置換為氮氣、或可除去多餘之水分，可防止晶圓之氧化，同時可避免濕氣之不良影響。又，在被收容在共同FOUP 9內之複數晶圓中，最初經半導體製造處理步驟後而收容在FOUP 9內之晶圓在最後經半導體製造處理步驟後之晶圓被收容在FOUP 9內為止，通常在FOUP 9內隨著晶圓出入作業之時間經過，會因曝露在氮氣充填度(置換度)降低之氣體環境下而會稍微受到不良之影響，但藉由分別從頂部副吹淨部35及側部副吹淨部36朝FOUP 9內吹附氮氣，可有效抑制FOUP 9內氮氣充填度(置換度)之降低，可於良好狀態下將晶圓收納在FOUP 9內。

另外，本發明不受限於上述實施形態。例如，吹淨台和開口台之相對位置關係亦可相反。另外，若如圖7所示，並排2台本實施形態之晶圓承載機1，以各晶圓承載機1中開口台3互相鄰接之方式設定各個晶圓承載機1中吹淨台2和開口台3之相對位置關係，則可使各開口台3上所載置FOUP 9內之晶圓有效出入於共同之半導體製造裝置B內。在此種情況，各晶圓承載機1之吹淨台2亦可不直接與半導體製造裝置B相接。

又，吹淨台中吹淨機(注入用吹淨機、排出用吹淨機)之數目或配置位置亦可適當變更。可僅由頂部副吹淨部或側部副吹淨部之任一者構成開口台之副吹淨部、或亦可由開口部之下緣附近所設置之底部副吹淨部來構成。副吹淨部之吹出口(在上述實施形態中相當於噴嘴)之數目或形狀亦可適當地變更。

另外，移動機構若為只要至少使FOUP在吹淨台和開口台之間移動者即可，亦可只具有使FOUP水平移動之功能。又，在移動機構為具備有主平台者之情況下，主平台俯視形狀等可適當地變更，亦可於吹淨台側載置板及開口台側載置板分別形成用於避免與主平台干涉之既定形狀缺口部。移動機構亦可為不具備有主平台、而是於吊掛FOUP之狀態下使其在吹淨台和開口台之間移動者、或為使FOUP在既定帶件上滑動而使其在吹淨台和開口台之間移動者。

進而又，上述實施形態中設在移送室內之移送機可為在FOUP內和半導體製造裝置本體內之間移送多段式匣盒者，該多段式匣盒收納有複數片可裝卸於FOUP內之晶圓。另外，亦可將晶圓承載機設置為與不具有移送室之半導體製造裝置相鄰接。

除此之外，各部分具體構成不受限於上述實施形態，在不脫離本發明主旨之範圍內可有各種變化。

1．．．晶圓承載機

2．．．吹淨台

3．．．開口台

4．．．移動機構

5．．．基座框架

9．．．FOUP

21．．．吹淨台側框架

22．．．吹淨台側載置板

22a．．．吹淨台側缺口部

22b．．．突起部

23．．．注入用吹淨機

24．．．排出用吹淨機

31．．．開口台側框架

32．．．開口台側載置板

32a．．．開口台側缺口部

32b．．．突起部

33．．．開口部

34．．．門部

35．．．頂部副吹淨部

36．．．側部副吹淨部

41．．．主平台

41a．．．突起部

42．．．升降移動部

43．．．水平移動部

351．．．氣體管

352．．．頂部噴嘴

361．．．氣體管

362．．．側部噴嘴

421．．．氣缸

422．．．蓋體

431．．．軌道支持板

432．．．軌道

433．．．台車

A．．．潔淨室

B．．．半導體製造裝置

B1．．．半導體製造裝置本體

B2．．．移送室

圖1為本發明一實施形態之晶圓承載機之俯視圖，其為模式地表示潔淨室中晶圓承載機和半導體製造裝置之相對位置關係之圖。

圖2為該實施形態之晶圓承載機之整體概略圖。

圖3為從與圖2不同的角度觀看該實施形態之晶圓承載機之整體概略圖。

圖4為該實施形態之晶圓承載機之前視圖。

圖5為圖4之X方向箭視圖。

圖6為模式地表示該實施形態之晶圓承載機之副吹淨部之圖。

圖7為與圖1對應表示並排配置2台該實施形態之晶圓承載機而成之態樣之圖。