TWI478209B - A substrate processing apparatus, and a substrate processing system - Google Patents

A substrate processing apparatus, and a substrate processing system Download PDF

Info

Publication number
TWI478209B
TWI478209B TW100118844A TW100118844A TWI478209B TW I478209 B TWI478209 B TW I478209B TW 100118844 A TW100118844 A TW 100118844A TW 100118844 A TW100118844 A TW 100118844A TW I478209 B TWI478209 B TW I478209B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
power supply
substrate
unit
sensor
wafer
Prior art date
Application number
TW100118844A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201212099A (en
Inventor
Hikaru Akada
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201212099A publication Critical patent/TW201212099A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI478209B publication Critical patent/TWI478209B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
    • H02J50/80—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power involving the exchange of data, concerning supply or distribution of electric power, between transmitting devices and receiving devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F16/00—Information retrieval; Database structures therefor; File system structures therefor
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F17/00—Digital computing or data processing equipment or methods, specially adapted for specific functions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
    • H02J50/10—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
    • H02J50/10—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling
    • H02J50/12—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling of the resonant type
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
    • H02J50/40—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using two or more transmitting or receiving devices
    • H02J50/402—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using two or more transmitting or receiving devices the two or more transmitting or the two or more receiving devices being integrated in the same unit, e.g. power mats with several coils or antennas with several sub-antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
    • H02J50/90—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power involving detection or optimisation of position, e.g. alignment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Databases & Information Systems (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

基板處理裝置之資料取得方法及基板處理系統
本發明係關於具備複數個模組之基板處理裝置之資料取得方法及前述資料取得方法所使用之感測器用基板。
於半導體製造工程之一的光阻工程中，於作為基板之半導體晶圓(以下，稱為晶圓)的表面塗布抗蝕劑，將此抗蝕劑以特定的圖案予以曝光後，顯影來形成抗蝕劑圖案。於此抗蝕劑圖案之形成上，使用到塗布、顯影裝置，塗布、顯影裝置係具備對晶圓進行各種處理之模組。
高精度地對晶圓進行處理而不想產生不良，於前述塗布、顯影裝置中，需要在裝置稼動前或其後之檢查時，關於各模組需要取得資料。例如，於將抗蝕劑等之藥液塗布於晶圓之液體處理模組，設置有吸附保持晶圓的背面中央部之同時，使其旋轉之旋轉夾頭，被供給至晶圓的旋轉中心之藥液，藉由離心力被擴展。為了藉由前述藥液形成均一性高的膜，在裝置稼動前要進行檢查，來界定旋轉夾頭的旋轉中心的位置。然後，於晶圓之處理時，以晶圓的中心和旋轉夾頭的旋轉中心一致之方式，在旋轉夾頭載置晶圓。如此，關於界定旋轉夾頭的旋轉中心之手法，例如專利文獻1有記載。另外，於對晶圓進行熱處理之加熱模組中，關於晶圓的加熱溫度之資料被取得。
於此種資料之取得上，有使用到搭載有各種感測器之感測器用晶圓，於有別於晶圓之另外的電源部，以有線方式連接感測器用晶圓，將此感測器用晶圓搬運至各模組來進行檢查之情形。但是如此以有線連接的情形，作業人員必須個別地對各模組搬入感測器用晶圓，費工夫。因此，為了提高資料的取得效率，有藉由鋰離子2次電池等構成電源部，搭載於感測器用晶圓，藉由塗布、顯影裝置之基板搬運機構，依序搬運於模組間，來進行資料取得之情形。如此，使用搭載有電源部之感測器用晶圓來進行檢查之手法，被記載於前述專利文獻1或專利文獻2。
但是塗布、顯影裝置，為了提高產出，具備多數個模組，在全部的模組花費特定的時間來進行量測之情形，搭載於感測器用晶圓之電源部的電池，使得容量變大，大型化之同時也變重。如此一來，處理模組之環境和實際的晶圓搬入時之環境不同，有所取得之資料的精度降低之虞。
[先前專利文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]　日本專利特開2007-311775
[專利文獻2]　日本專利特開2008-109027
本發明係基於此種情形下所完成者，其目的在於提供：有效率地取得基板處理裝置之各處理模組的資料之同時，可以高精度地進行檢查之技術。另外，基於感測器用基板(量測用基板)之電池一變大時，該電池的體積或重量變大，進而充電之時間變長的影響，感測器用基板和製程基板之差異變大，量測值之精度變差。因此，提供輕、薄、充電時間短之感測器用基板之技術。
本發明之基板處理裝置之資料取得方法，係於具備：搬入儲存有複數基板之載體之載體區塊、及處理由載體區塊所被搬入之基板的複數個處理模組、及具備基台及可進退自如地設置於前述基台之第1保持構件，且在複數個處理模組間搬運基板用之基板搬運機構的基板處理裝置中，其特徵為包含：將具備有：收集處理模組之資訊用的感測器部、及包含對此感測器部供給電力之同時，也可充電之蓄電部之第1電源部之感測器用基板保持於前述第1保持構件之工程；及接著，使前述第1保持構件前進，將感測器用基板交付處理模組之工程；及之後，藉由前述感測器用基板之感測器部來取得關於處理模組之資料之工程；及前述第1保持構件在接受由前述處理模組所被充電的電力已被消耗之前述感測器用基板之後後退，藉由與前述基台一同移動之第2電源部，以非接觸方式對感測器用基板的第1電源部充電之工程。
本發明之具體的型態，例如如下述般。
a)　前述蓄電部，係藉由電氣雙層電容器、奈米混成電容器或者鋰離子電容器所構成。
b)　前述基板搬運機構，係具備：被設置為用來保持基板，且對基台可以進退自如之第2保持構件，前述第2電源部，係被設置於對被保持於前述第2保持構件之前述第1電源部進行充電之充電用基板。
c)　對感測器用基板之第1電源部充電之工程，係包含：以使被連接於充電前述第1電源部用之充電電路，且被設置於感測器用基板之受電線圈、及設置於前述充電用基板之供電線圈相互對向之方式，使感測器用基板和供電用基板對位來進行充電之工程。
進而，具體之型態如下述般。
d)　前述第2電源部，係被設置於基台。
e)　包含判定：被保持於第1基板保持部之感測器用基板，是否位於藉由第2電源部被充電之充電位置之工程。
f)　包含：判定前述第1電源部的充電量是否已成為事先設定的設定值之工程；及判定前述第1電源部之充電量已到達事先設定的設定值時，停止第1電源部的充電之工程。
g)　具備：於感測器用基板設置有利用前述第1電源部的電力來投光之投光部，在前述第1電源部的充電量已到達前述設定值時，停止來自前述投光部之投光的工程；及於前述基台或前述充電用基板設置有和前述投光部成對之受光部，前述受光部接受來自前述投光部的投光之工程，前述第1電源部之充電量是否已到達前述設定值之判定，係依據前述受光部之受光來進行。
h)　具備：於前述基板處理裝置，設置有對充電用基板之第2電源部進行充電用之充電機構，從前述充電機構對第2電源部以非接觸方式進行充電之工程。
本發明之感測器用基板，係能以基板搬運裝置將取得各種測量資料用之感測器搬運至對基板施以特定處理用之處理模組所構成之感測器用基板，其特徵為：具備：收集提供給前述處理模組之製程處理的種種資料資訊用之感測器部；及以無線發送藉由此感測器部所收集之前述資料資訊之發送部；及具有對前述感測器部及發送部供電之可充電的蓄電部之電源部；及被連接於前述電源部之電路，接受由外部所供給之電力，且供給前述蓄電部用之受電線圈部，前述受電線圈部，係沿著此感測器用基板的平面設置為複數個。
作為前述感測器用基板之具體的型態，例如如下述般。
a)　前述蓄電部，係藉由電氣雙層電容器、奈米混成電容器或者鋰離子電容器所構成。
b)　具備：檢測前述電源部之電源電壓或由該電源部所流出之電流的檢測部、及依據此檢測部的檢測結果，輸出充電完了之檢測訊號的輸出部。
如依據本發明，設置於藉由基板搬運機構被搬運於處理模組間之感測器用基板的電源部之容量被抑制。因此，可以抑制資料取得時間變長之同時，也可以抑制感測器用基板之尺寸或重量。而且，感測器用基板之重量或厚度的自由度變高，可以進行高精度之檢查。另外，感測器用基板之電池(蓄電部)係使用電氣雙層電容器等，可以謀求充電時間之縮短。
(第1實施型態)
針對適用本發明之檢測方法的基板處理裝置之塗布、顯影裝置1之構造、及製造半導體裝置用之晶圓W的搬運路徑作說明。第1圖係表示於塗布、顯影裝置1連接有曝光裝置C5之抗蝕劑圖案形成系統的平面圖，第2圖係同系統的斜視圖。另外，第3圖係塗布、顯影裝置1之縱剖面圖。
就構造而言，此塗布、顯影裝置1係設置有載體區塊C1，交付臂12由被載置於該載置台11上之密閉型載體C取出晶圓W，交付給處理區塊C2，交付臂12從處理區塊C2接受處理完畢的晶圓W而送返載體C。
前述處理區塊C2係如第2圖所示般，於此例中，係將進行顯影處理用之第1區塊(DEV層)B1、於抗蝕劑膜之下層形成反射防止膜用之第2區塊B2、進行抗蝕劑膜之形成用之第3區塊(COT層)B3由下依序予以層積所構成。
處理區塊C2之各層，由平面視圖來看，係同樣地構成。如以第2區塊(BCT層)B2為例，一面也參照第4圖一面作說明時，BCT層B2係藉由：形成作為塗布膜之例如抗蝕劑膜用之反射防止膜形成單元21、及藉由加熱系統之模組所構成之棚單元U1～U5、及設置於前述反射防止膜形成單元21與棚單元U1～U5之間，且於被包含在此等單元的模組間進行晶圓W之交付的搬運臂G2所構成。模組係指晶圓W被載置之場所。
反射防止膜形成單元21係具備4台之反射防止膜形成模組BCT1～BCT4。此等反射防止膜形成模組BCT1～BCT4係具備保持晶圓W的背面中央部，且使依垂直軸周圍旋轉之旋轉夾頭22。另外，具備對被載置於旋轉夾頭22之晶圓W供給藥液之未圖示出的藥液供給噴嘴。
另外，前述棚單元U1～U5係沿著搬運臂G2移動之水平的直線搬運路徑之搬運區域R1被排列，個別2台之加熱模組23被上下層積來構成。加熱模組係具備熱板，被載置於該熱板之晶圓W被加熱處理。
搬運臂G2係具備：從載體區塊C1側朝介面區塊C4側在水平方向延伸的導軌31，機架32沿著該導軌31移動。於機架32設置有沿著垂直軸升降的升降台33，於升降台33上設置有在垂直軸周圍轉動之基台34。基台34係具備包圍晶圓W的側面周圍之上部叉35及下部叉36。這些上部叉35及下部叉36係於水平方向相互獨立地在基台34上進退來存取模組。於上部叉35、下部叉36個別設置有支撐晶圓W的背面之背面支撐部38、39。
關於第3區塊(COT層)B3，係設置有相當於前述反射防止膜形成模組BCT1～BCT4之抗蝕劑膜形成模組COT1～COT4。而且在各模組中，除了代替反射防止膜形成用之藥液，抗蝕劑被供給至晶圓W之外，和COT層B3、BCT層B2為同樣的構成。
關於第1區塊(DEV層)B1，於一個DEV層B1內，有對應反射防止膜形成單元21之顯影處理單元被2段地層積，顯影處理單元係具備顯影模組DEV。總稱顯影處理模組DEV、反射防止膜形成模組BCT及抗蝕劑膜形成模組COT為藥液處理模組。
另外，DEV層B1係和BCT層B2同樣地具備棚單元U1～U5，構成棚單元U1～U5之加熱模組，係包含：在顯影處理前進行加熱處理之複數個加熱模組(PEB)、及於顯影處理後對晶圓W進行加熱處理之複數個之加熱模組(POST)。此DEV層B1的搬運臂G1係對各顯影模組DEV及各加熱模組搬運晶圓W。即對於2段的顯影處理模組，搬運臂G1係被共通化。
詳細說明各層之基板搬運機構之搬運臂G的動作。設於上部叉35、下部叉36之中，一方無晶圓W，另一方保持有晶圓W之狀態，在此狀態下，搬運臂G之基台34移動至某模組之面前。然後，上部叉35及下部叉36中之一方的叉朝該模組前進，取出被放置於模組之晶圓W。然後，於空的該模組接受另一方的叉所保持之晶圓W。之後，搬運臂G的基台34為了將一方的晶圓W交付給下游側之模組而移動。本實施型態係利用如此構成之搬運臂G，如後述般，對感測器用晶圓8進行充電。
如第1圖及第3圖所示般，於處理區塊處理區塊C2設置有棚單元U6，來自載體區塊C1之晶圓W被搬運至前述棚單元U6之一的交付模組BF1。BCT層B2之搬運臂G2從此交付模組BF1取得晶圓W，搬運至反射防止膜形成模組BCT1～BCT4之中的一個，接著，將形成有反射防止膜之晶圓W搬運至加熱模組23。
之後，搬運臂G2將晶圓W搬運至棚單元U6的交付模組BF2，晶圓W藉由交付臂D1，依序被搬運至對應第3區塊(COT層)B3之交付模組BF3。第3區塊(COT層)B3內的搬運臂G3，從此交付模組BF3取得晶圓W，搬運至抗蝕劑塗布模組COT1～COT4中之一個，形成抗蝕劑膜後，搬運至加熱模組23。
之後，利用加熱模組被加熱處理後，晶圓W被搬運至棚單元U6的交付模組BF4。一方面，於DEV層B1內的上部設置有從設置於棚單元U6之交付模組TRS14直接將晶圓W搬運至設置於棚單元U7之交付模組TRS15用之專用的搬運手段之梭子16。形成有抗蝕劑膜之晶圓W，藉由交付臂D1從交付模組BF4被交付給交付模組TRS14，利用該交付模組TRS14被交付給梭子16。
梭子16將晶圓W搬運至棚單元U7的交付模組TRS15，該晶圓W由設置於介面區塊介面區塊C4之介面臂18所接受，被搬運至介面區塊C3。另外，第3圖中之被附上CPL的交付模組，係兼為調溫用之冷卻模組，被附上BF之交付模組，係兼為可以載置複數片晶圓W之緩衝模組。
接著，晶圓W藉由介面臂18而被搬運至曝光裝置C4進行曝光處理。接著，晶圓W藉由介面臂17被搬運至棚單元U7之交付模組TRS11或TRS12，藉由第1區塊(DEV層)B1之搬運臂G1，被搬運至包含於棚單元U1～U5之加熱模組(PEB)接受加熱處理。
之後，晶圓W藉由搬運臂G1被搬運至交付模組CPL1或CPL2後，被搬運至顯影模組DEV接受顯影處理。之後，被搬運至其中之一的加熱模組(POST)接受加熱處理。之後，藉由搬運臂G1被交付於棚單元U6之交付模組BF7。之後，晶圓W介由交付臂12回到載體C之原本被放置的位置。
於上述之載體區塊C1，在交付臂12可以存取的位置設置有待機模組4。被搬運至模組進行特定檢查之感測器用晶圓8A～8C及充電用基板之供電用晶圓6被儲存於此待機模組4。供電用晶圓6係在待機模組4的外部充電感測器用晶圓8A～8C用之工具。供電用晶圓6於待機模組4被充電。以後，總稱感測器晶圓8A～8C而記載為感測器用晶圓8。另外，也可以將感測器用晶圓8和供電用晶圓6儲存於專用的載體(卡匣)C，只在檢查時，將該載體C載置於載體區塊C1的載置台11使用。進而，待機模組4也可以設置於棚單元U6，如感測器用晶圓8、供電用晶圓6對於各搬運臂G之交付都可以的話，設置於任何處都可。
第5圖係待機模組4之縱剖側面圖。待機模組4係支撐各晶圓的周圍，可以將各晶圓儲存於上下方向地成為棚狀。例如，待機模組4之上方側構成作為感測器用晶圓8A～8C的儲存空間41，待機模組4的下方側構成為供電用晶圓6的儲存空間42。儲存空間41、42係藉由隔壁43被隔開。
第6圖係表示隔壁43的下面，於此下面設置有成為光感測器之受光部44。受光部44例如位於被儲存在儲存空間42之供電用晶圓6的中央部上，與後述的供電用晶圓6之投光部63成為一對。此受光部44及投光部63係具有控制從待機模組4對於供電用晶圓6之接觸供電的繼續及停止的功能。另外，於隔壁43的下方側，以包圍此受光部44之方式設置有複數個磁性感測器45。此等磁性感測器45係對應供電用晶圓6的磁鐵62而設置，設置為位於此磁鐵62上。磁性感測器45係具有檢測磁鐵62的位置，即供電用晶圓6的位置，進行從待機模組4對供電用晶圓6之供電的觸發器之功能。
另外，例如於儲存空間42的下方設置有扁平的圓形的供電部46。於供電部46的表面設置有朝上方延伸的供電銷48，此供電銷48係對供電用晶圓6供給電力。
第7圖係包含此待機模組4之塗布、顯影裝置1之概略電路圖。供電銷48係被連接於對該供電銷48供電用之送電電路51，送電電路51係介由控制電路53而被連接於裝置控制器54。另外，前述受光部44係被連接於控制電路53，磁性感測器45係介由磁極檢測電路52而被連接於控制電路53。如檢測出磁鐵62的磁力時，磁性感測器45成為ON，因應檢測出的磁力，將訊號輸出至磁極檢測電路52。磁極檢測電路52因應來自磁性感測器45的輸出訊號，將檢測訊號輸出至裝置控制器54，裝置控制器54檢測磁力的強度。
塗布、顯影裝置1係具備天線55，天線55係無線接收從感測器用晶圓8所發送的檢查資料之訊號。天線55接收的訊號係介由控制藉由該天線55之通訊的通訊電路56被輸出至裝置控制器54。於控制電路53及裝置控制器54之前段，連接有AC/DC轉換器57，從塗布、顯影裝置1之外部的交流電源所供給的交流電流，於該轉換器57被轉換為直流電流，被供應給各電路。控制電路53係控制被供應給後段的各電路之電力。天線55、通訊電路56及裝置控制器54係構成接收關於處理模組之資料的接收部。
控制裝置54例如由電腦構成，具有未圖示出的程式儲存部。於此程式儲存部儲存有：進行上述及後述的搬運，以搬運週期被執行之方式，編入有命令之例如由軟體所形成的程式。藉由此程式被讀出於裝置控制器54，裝置控制器54對塗布、顯影裝置1之各部發送控制訊號。藉此，塗布、顯影裝置1之各部的動作受到控制，各模組之動作及模組間的各晶圓之交付等被控制著。此程式例如以被儲存於硬碟、緻密光碟、光磁硬碟或記憶卡等之記憶媒體的狀態被儲存於程式儲存部。
接著，關於供電用晶圓6，一面參照個別表示其表面、背面之第8(a)、(b)圖一面作說明。於供電用晶圓6埋設有已經說明之磁鐵62，磁鐵62例如係被形成為環狀。
說明供電用晶圓6之表面側。於中央部設置有前述投光部63。於投光部63的周圍設置有受光部64，此受光部64例如不管供電用晶圓6之面向，以可以接受設置於感測器用晶圓8之投光部83的光之方式，於周圍方向設置有複數個。此受光部64及投光部83係具有控制從供電用晶圓6對感測器用晶圓8之非接觸供電的繼續及停止的功能。
另外，例如於受光部64之直徑方向外側，例如沿著供電用晶圓6的周圍方向設置有複數個磁性感測器65。該磁性感測器65係對應設置於感測器用晶圓8之磁鐵81。磁性感測器65係具有：檢測磁鐵81的位置，即感測器用晶圓8A～8C的位置，進行從供電用晶圓6對感測器用晶圓8之非接觸供電(無線供電)之觸發器的功能。另外，於供電用晶圓6的表面設置有供電用線圈6A。以圖中箭頭拉出指示之前端所示般，供電用線圈6A係其導線被捲繞為平面狀之平面型線圈。
說明供電用晶圓6之背面。於該背面設置有構成蓄電部之多數的電氣雙層電容器66，於此電氣雙層電容器66儲存有從待機模組4所供給的電力。電氣雙層電容器66可以高速地進行充放電，能快速地對感測器用晶圓8進行充電，能謀求模組之資料的取得時間之縮短。另外，於供電用晶圓6的背面例如設置有環狀的電極60。此電極60係接觸待機模組4之供電銷48，從供電銷48被發送的電力介由電極60被供應給電氣雙層電容器66。
第9圖係供電用晶圓6之概略電路圖。於前述供電線圈6A、前述電極60個別連接有受電電路67、送電電路68，受電電路67、送電電路68之其中一方，係以被連接於後述的充放電控制電路69之方式設置有開關SW3。投光部63及受光部64被連接於充放電控制電路69，另外，磁性感測器65係介由磁極檢測電路71被連接於充放電控制電路69。依據來自受光部64及磁極檢測電路71之輸出，充放電控制電路69控制開關SW3之切換。
前述電氣雙層電容器66係被連接複數並列而成為並列部72，並列部72係複數串列地被連接，構成電源部70。充電此電源部70(第2電源部)時，開關SW3切換，使得電極60介由受電電路67而被連接於該電源部70。充電感測器用晶圓8時，開關SW3切換，使得供電線圈6A介由送電電路68被連接於該電源部70。電源部70及電流檢測部73係串列地被連接於充放電控制電路69。充放電控制電路69係藉由來自電流檢測部73之輸出，判定電源部70是否充滿電，以控制來自投光部63之投光。
另外，供電用晶圓6係具備：抑制各電氣雙層電容器66之充電的不均的充電平衡電路74或昇壓電路75。磁性感測器65係介由磁極檢測電路71而被連接於充放電控制電路69。一檢測到感測器用晶圓8之磁鐵81的磁力時，磁性感測器65成為ON，因應檢測到的磁力，將訊號輸出至磁極檢測電路71。磁極檢測電路71因應來自磁性感測器65之輸出訊號，將檢測訊號輸出至裝置控制器54，裝置控制器54檢測磁力的強度。
接著，說明感測器用晶圓8。感測器用晶圓8A～8C除了所搭載的感測器的種類不同外，各為同樣地構成，此處，做為代表，說明感測器用晶圓8A。感測器用晶圓8A例如具備加速度感測器，如先前技術項目中說明過的，係檢測旋轉夾頭22的旋轉中心的位置。第10(a)、(b)圖係個別表示感測器用晶圓8A的表面(a)、背面(b)。於感測器晶圓8A埋入有對應供電用晶圓6之磁性感測器65之例如環狀的磁鐵81。
說明感測器用晶圓8A之表面。於該表面設置有包含加速度感測器86A之電路單元86。加速度感測器86A係位於感測器用晶圓8A的中心，檢測晶圓8A在旋轉夾頭22上旋轉，加速度一作用於加速度感測器86A時，感測器用晶圓8A將因應該加速度之訊號輸出至裝置控制器54。裝置控制器54依據此訊號運算旋轉夾頭22之旋轉中心。
另外，於晶圓W的表面設置有電氣雙層電容器84。此電氣雙層電容器84係構成儲存由供電用晶圓6所供給的電力之蓄電部。電氣雙層電容器84係和電氣雙層電容器66相同，能以高速進行充放電，藉由供電用晶圓6被快速地充電，可以謀求模組資料之取得時間的縮短。
接著，說明感測器用晶圓8A的背面。於該背面，例如在圓周方向配設有和供電用晶圓6的受光部64成對的投光部83。另外，於感測器用晶圓8A之圓周方向，設置有受電線圈82。受電線圈82係如圖中以箭頭拉出之前端所示般，為平面型線圈。於已經說明之供電用線圈6A和供電用晶圓6表面之間，及受電線圈82與感測器用晶圓8A之間，例如層積有未圖示出之磁性薄板及金屬薄板，如後述般，於進行無線供電時，基於磁場、電場之不需要的輻射受到抑制。
第11圖係感測器用晶圓8A之概略電路圖，一面也參照此圖一面做說明。受電線圈82係介由受電電路87而被連接於充放電控制電路88，投光部83被連接於充放電控制電路88。和供電用晶圓6同樣地，電氣雙層電容器84係被相互連接來構成電源部90。但是此電源部90(第1電源部)的容量，係被設定為儲存有進行一個模組之資料收集所必要的電力，比供電用晶圓6之電源部70的容量小。另外，和供電用晶圓6相同地，於電源部90連接有充電平衡電路92，抑制對各電氣雙層電容器84之充電的不均。
關於此感測器用晶圓8A，也和供電用晶圓6相同，在充放電控制電路88與電源部90之間設置有電流檢測部91。藉由從電流檢測部91之輸出，充放電控制電路88判定電源部90是否充滿電，控制從投光部83之投光的開、關。
於電源部90的後段設置有昇壓電路93，比來自電源部90的輸入電壓還高的輸出電壓介由昇壓電路93被輸出至後段的控制電路95。於控制電路95連接有構成加速度感測器86A之感測器電路96及通訊電路97。控制電路95係控制從感測器電路96對通訊電路97之輸出，藉由感測器電路96所取得之資料係介由控制電路95被輸入通訊電路97，從天線98發送至裝置控制器54。控制電路95、通訊電路97及天線98係構成接受來自電源部90之電力，發送資料之無線發送部。
感測器用晶圓8B例如為了取得各層之加熱模組中之晶圓的加熱溫度之資料，代替加速度感測器86A而具備溫度感測器。關於此加熱溫度之資料，如更具體地說明時，例如使加熱模組之加熱處理製程中之晶圓的全溫度變化，對應製程時間予以紀錄之資料。另外，感測器用晶圓8C係代替加速度感測器86A，例如具備測量各模組之濕度及風速用之濕度感測器及風速感測器，個別量測模組之製程中的濕度狀態、製程中流動之氣流的方向及風速。除了感測器及藉由感測器所取得之資料的不同外，各感測器用晶圓8係相互同樣地構成。
關於搭載在感測器用晶圓8之感測器及取得之模組的資料的種類，並不限定於此，例如在此之外，作為感測器用晶圓，可以具備傾斜感測器，取得被搬運至模組之模組設置狀態的傾斜資料來構成。如此，感測器用晶圓取得調整製程參數用之資料，及驗證執行最佳製程用之設定值的資料。使用者得以設定、選擇依據測量的用途所使用之感測器用晶圓。
如第12圖所示般，於上部叉35、下部叉36個別保持有感測器用晶圓8A、供電用晶圓6。基台34移動搬運區域R1時，上部叉35及下部叉36係位於第12圖所示之後退位置，感測器用晶圓8A及供電用晶圓6係相互重疊。此時，如第13圖所示般，感測器用晶圓8A之磁鐵81係位於供電用晶圓6之各磁性感測器65上，另外，二次側線圈之受電線圈82係位於一次側線圈之供電線圈6A上。
在變成了此種位置關係時，充放電控制電路69介由各磁性感測器65所檢測出之磁力超過臨界值，該充放電控制電路69之連接，係從受電電路67被切換為送電電路68。然後電流從電源部70流向供電線圈6A，於供電線圈6A的周圍形成磁通。第13圖之虛線所示箭頭，係表示此磁通，藉由電磁感應，於感測器用晶圓8A的受電線圈82產生感應電動勢，電流流向感測器用晶圓8A之電源部90，該電源部90被充電。
接著，一面參照第15圖一面說明在電源被投入塗布、顯影裝置1時，供電用晶圓6藉由待機模組4被充電之流程。流程中，以點線所區隔之左側、右側，係個別表示待機模組4之動作、供電用晶圓6的動作。另外，第16圖係表示供電用晶圓6、感測器用晶圓8A各別充電量的變化之曲線。此曲線之橫軸表示時間，曲線的縱軸表示充電量(mAh)。縱軸的點P1、P2分別表示感測器用晶圓8A之充滿電位準、供電用晶圓6之充滿電位準。也一面參照此第17圖一面做說明。
電源被投入裝置1時，如第5圖所示般，各感測器用晶圓8及供電用晶圓6係於待機模組4待機，供電用晶圓6之電極60介由受電電路67被連接於電源部70。而且，待機模組4之供電銷48與前述電極60接觸。然後，電源被投入裝置1時，待機模組4之各磁性感測器45檢測供電用晶圓6之磁鐵62的磁力，成為ON(步驟S1)，前述電極60被送電(步驟S12、第16圖中之時刻t1)，供電用晶圓6之電源部70被充電，從投光部63被投光(步驟S14)。待機模組4之受光部64接受來自投光部63之光，對於供電銷48之送電持續著。
供電用晶圓6之充放電控制電路69判定電源部70是否充滿電(步驟S15)，在判定為還沒充滿電之情形，來自投光部63之投光被持續著，對於電源部70的充電繼續。在電源部70被判定為充滿電時(第16圖中之時刻t2)，來自投光部63之投光停止(步驟S16)，藉此，待機模組4之受光部64的受光停止時(步驟S17)，對於供電銷48之送電停止(步驟S18)，表示供電用晶圓6已充滿電之充滿電訊號被發送至裝置控制器54(步驟S19)。
接著，關於一面搬運被充電之供電用晶圓6及感測器用晶圓8A，一面進行各液體處理模組之檢查的工程，在上述第16圖之時序圖之外，也一面參照第17圖之流程與第18圖～第20圖之搬運臂G2的動作圖一面做說明。第17圖之流程中，以點線區隔之左側、右側係各別表示供電用晶圓6之動作、感測器用晶圓8A之動作。感測器用晶圓8A及供電用晶圓6係以和晶圓W同樣的路徑被搬運於各層間。但是於各層中，和晶圓W之情形不同，依序被搬運至全部的液體處理模組，而且不被搬運至構成棚單元U1～U5之加熱模組。
例如晶圓W之處理停止時，使用者從未圖示出之操作部進行特定的操作，指示藉由感測器用晶圓8A之資料的取得。此時，例如裝置控制器54如取得來自供電用晶圓6之充滿電訊號，則快速地開始資料之取得。如未取得充滿電訊號，則在取得了充滿電訊號時，開始資料之取得。
首先，供電用晶圓6藉由交付臂12從待機模組4被搬運至交付模組BF1，搬運臂G2的下部叉36在前進位置接受該供電用晶圓6(步驟S21、第18(a)圖)，朝後退位置移動(第18(b)圖)。接著，感測器用晶圓8A藉由交付臂12從待機模組4被搬運至交付模組BF1，搬運臂G2的上部叉35在前進位置接受該供電用晶圓6(步驟S22、第18(c)圖)，朝後退位置移動。
叉35、36重疊，感測器用晶圓8位於供電用晶圓6上時(步驟S23、第18(d)圖)，藉由供電用晶圓6之磁鐵62的磁力，各磁性感測器65成為ON(步驟S24)，供電線圈6A介由送電電路68被連接於電源部70，從電源部70被送電至供電用晶圓6之供電線圈6A，於線圈6A的周圍產生磁通(步驟S25、第16圖中時刻t3)。搬運臂G2的基台34從交付模組BF1之前面朝向反射防止膜形成模組BCT1之前面移動(第19(a)圖)。
如已經說明般，藉由電磁感應，於受電線圈82產生電流，感測器用晶圓8A之電源部90被充電(步驟S26)，從感測器用晶圓8A之投光部83被投光(步驟S27)。供電用晶圓6之受光部64受光，對於供電線圈6A之送電被繼續著。
感測器用晶圓8A之充放電控制電路88判定電源部90是否已經被充滿電(步驟S28)，在判定還未被充滿電之情形，來自投光部83之投光持續，對於電源部90之充電持續著。電源部90被判定為充滿電時，充放電控制電路88停止來自投光部83之投光(步驟S29)，供電用晶圓6之受光部64之受光停止(步驟S30)。供電用晶圓6之供電線圈6A介由受電電路67被連接於電源部70，對於供電線圈6A之送電停止(步驟S31、第16圖中時刻t4)。從感測器用晶圓8A之天線83對裝置控制器54輸出表示可以搬運至模組進行檢查之旨意的可搬運訊號(步驟S32)。
裝置控制器54一接收可搬運訊號時，輸出搬運訊號，上部叉35朝反射防止膜形成模組BCT1前進，感測器用晶圓8A被交付給旋轉夾頭22(第19(b)圖、第17圖中時刻t5)。旋轉夾頭22以特定的角速度旋轉，所獲得的檢測資料介由天線83被發送至裝置控制器54(第19(c)圖)。然後裝置控制器54進行資料之解析，檢測作用於加速度感測器86A之加速度，進而依據該加速度，運算旋轉夾頭22的旋轉中心與感測器用晶圓8A之旋轉中心的偏心距離。旋轉夾頭22之旋轉停止後，藉由上部叉35錯開感測器用晶圓8A之位置，再度進行同樣的檢查。
例如進行特定次數之重複檢測，裝置控制器54依據偏心距離來界定旋轉夾頭22的旋轉中心的座標。檢查結束後(第16圖中時刻t6)，感測器用晶圓8A被交付至前進的上部叉35，上部叉35後退，感測器用晶圓8A與供電用晶圓6重疊(第19(d)圖、第16圖中時刻t7)，依循上述步驟S24～S32之工程，感測器用晶圓8A一面被充電，一面搬運臂G2的基台34移動至反射防止膜形成模組BCT2之前面。感測器用晶圓8A之充電一結束時(第16圖中時刻t8)，感測器用晶圓8A被交付給反射防止膜形成模組BCT2的旋轉夾頭22(第19(e)圖、時刻t9)，以後和BCT1相同地進行BCT2之檢查。
反射防止膜形成模組BCT2之檢查後，感測器用晶圓8A在關於一個之液體處理模組之檢查結束時，藉由供電用晶圓6被充電，被交付給下一液體處理模組。然後感測器用晶圓8A及供電用晶圓6依BCT層B2→COT層B3→DEV層B1之順序被搬運，關於全部的液體處理模組結束檢查時，供電用晶圓6從搬運臂G1之下部叉36被交付給交付模組BF7。
之後供電用晶圓6，藉由交付臂14被搬運至待機模組4(時刻t10)，依循步驟S11～S19之流程被再充電。感測器用晶圓8A係從搬運臂G1的下部叉36和供電用晶圓6同樣地，介由交付模組BF7被搬運至待機模組4待機。檢查結束後，晶圓W被搬運時，依據被界定的座標，以晶圓W的旋轉中心和旋轉夾頭22的旋轉中心一致之方式，裝置控制器54控制晶圓W的搬運。
雖針對感測器用晶圓8A之搬運例子做了說明，但感測器用晶圓8B在各層之液體處理模組之處理外，依序被搬運至各層之加熱模組，取得該加熱模組中之晶圓的加熱溫度之資料。感測器用晶圓8C例如被搬運至包含液體處理模組及加熱模組之對晶圓進行處理的全部的模組，取得風速及濕度等之資料。
依據此第1實施型態之塗布、顯影裝置1，於下部叉36保持供電用晶圓6，在一個液體處理模組之檢查結束時，從供電用晶圓6對感測器用晶圓8A供給電力，感測器用晶圓8A被充電。因此，搭載於感測器用晶圓8A之電源部90的容量受到抑制，可以抑制感測器用晶圓8A之重量或厚度之增加，在液體處理模組之檢查時，可以使檢測的加速度接近實際之晶圓W處理時之加速度，可以獲得高精度之檢測資料。另外，各晶圓藉由搬運臂G自動地被搬運，可以有效率地進行檢查資料之取得。
另外，如此可以提高重量或厚度的自由度，在藉由感測器用晶圓8B測量晶圓之溫度變化時，能夠取得接近晶圓W的溫度變化之資料。另外，藉由抑制晶圓的厚度，可以使將感測器用晶圓8C搬入模組時之該模組的環境接近晶圓W搬入時之環境，可以高精度地測量模組內之風速及濕度。
進而，在此實施型態中，感測器用晶圓8的電源部90被充滿電後，該感測器用晶圓8被搬運至模組。因此，可以防止在模組中之資料取得時期間，電源部90之電力變少而使得資料的精度降低。
另外，於此例子中，不需要將感測器用晶圓8及供電用晶圓6之電源部70、90從晶圓取出充電，可以自動地對各電源部70、90充電，能夠提升檢查的效率。另外，構成電源部70、90之電氣雙層電容器84能以高速進行充放電，具有可以謀求檢查時間之縮短的優點。電氣雙層電容器84和鋰離子2次電池之類的化學反應型的電池相比，利用旋轉夾頭22在旋轉中，基於離心力之液體洩漏之顧慮少，具有容易操作之優點。
於上述之例子中，雖是進行一個之液體處理模組的檢查時，對感測器用晶圓8A進行充電，但在檢查一個之液體處理模組時，進行複數次充電亦可。例如為了對於旋轉夾頭22錯開感測器用晶圓8A之位置，上部叉35一接受感測器用晶圓8A時，上部叉35先後退，對感測器用晶圓8A進行充電後，再度將感測器用晶圓8A交付給前述旋轉夾頭22。在此情形，具有可以使感測器用晶圓8A進一步輕量化的優點。
(第2實施型態)
接著，針對第2實施型態，以和第1實施型態的差異點為中心做說明。於第2實施型態中，感測器用晶圓8例如藉由下部叉36被搬運。然後被下部叉36所支撐之感測器用晶圓8與基台34接近，藉由電磁感應，感測器用晶圓8從搬運臂的基台34被充電。此第2實施型態之塗布、顯影裝置1之概略構造，係如第20圖所示，此概略構造除了代替供電銷48，供電線圈47被連接於送電電路之外，和第1實施型態之塗布、顯影裝置1之概略構造相同。供電線圈47係和第1實施型態之供電線圈6A同樣地構成。
第21圖係表示搬運臂G2之基台34。於第1實施型態中，設置於待機模組4之受光部44、磁性感測器45、供電線圈47係被設置於該基台34。如第22圖所示般，下部叉36位於後退位置時，受光部44接受來自感測器用晶圓8之投光部83的光。另外，下部叉36位於後退位置時，感測器用晶圓8之受電線圈82位於供電線圈47上，藉由供電線圈47與受電線圈82間之電場感應，可以對感測器用晶圓8A進行充電。另外，在下部叉36位於後退位置時，各磁性感測器45成為可以檢測感測器用晶圓8之磁鐵81的磁力。在此情形，供電線圈47具有對受電線圈供給電力之第2電源部的功能。
於第2實施型態中，下部叉36在前進位置從模組取得感測器用晶圓8，一移動至後退位置時，基台34之各磁性感測器45成為ON，依循和已經說明之步驟S25～S32同樣的流程，感測器用晶圓8被充電。於此第2實施型態中，也可以獲得和第1實施型態相同的效果。但是在第1實施型態中，不需要於搬運臂G設置對磁性感測器或感測器用晶圓8供電用之線圈等之供電部，可以防止搬運臂G之大型化或維護之複雜化，較為理想。
(第3實施型態)
第23圖係表示其他之供電用晶圓6的概略電路構造。於此例子中，藉由無線控制對於感測器用晶圓8之供電的持續及停止的時機，沒有設置受光部64及投光部63。代之，於電源部70的後段介由控制電路101設置有通訊電路102，於通訊電路102連接有天線103。另外，雖然省略圖示，但在感測器用晶圓8中，並沒有設置和受光部64成對之投光部83。
另外，搬運臂G的上部叉35及下部叉36，係將因應基台34上的位置之位置訊號輸出至裝置控制器54。於此實施型態中，為了控制開始感測器用晶圓8之充電的時機，與感測器用晶圓8之磁力的檢測無關地，係依據來自各叉35、36之前述位置訊號來進行。
關於從供電用晶圓6對於感測器用晶圓8之充電，說明和第1實施型態之差異點。取得感測器用晶圓8A之上部叉35一移動至後退位置，裝置控制器54接收從上部叉35所輸出的位置訊號。介由塗布、顯影裝置1之天線55指示充電開始之訊號，被無線發送至供電用晶圓6之天線103，開始從供電用晶圓6對於感測器用晶圓8之充電。一充滿電時，感測器用晶圓8介由天線98對前述天線103無線發送充電停止訊號，停止從供電用晶圓6之充電。
於從待機模組4對於供電用晶圓6進行充電之情形，也和從供電用晶圓6對於感測器用晶圓8進行充電之情形相同，利用無線通訊，可以控制充電之持續及停止。例如，交付臂12輸出因應其位置而不同之位置訊號，在將供電用晶圓6搬入待機模組4時，開始從該待機模組4對於供電用晶圓6之充電亦可。如依據此第3實施型態，磁鐵、磁性感測器、受光部及投光部都不需要，待機模組、供電用晶圓及感測器用晶圓的構造可以簡化，較為理想。但是如第1實施型態般，藉由設置磁鐵及磁性感測器，具有搬運臂G及交付臂12在放下晶圓W之情形，可以防止將電力浪費地供應給一次側線圈或供電銷48之優點。另外，於第2實施型態中，也和此第3實施型態相同，也可以依據交付臂的位置來控制充電之開始。
於上述之各實施型態中，利用光感測器來控制對於感測器用晶圓8之充電停止的時機，但為了控制此時機，並不限定於使用光感測器。例如，於供電用晶圓6設置：檢測對於感測器用晶圓8供給電力時之負載的負載檢測電路、及依據藉由此負載檢測電路所檢測之負載，判定感測器用晶圓8之電源部90是否充滿電之判定電路，依據判定電路的判定結果，來切換感測器用晶圓8之供電的持續及停止亦可。另外，以充電開始後，一經過特定的時間自動地停止充電之方式，於供電用晶圓6設置計時器，來控制對於感測器用晶圓8之充電時間亦可。
另外，於上述之各實施型態中，作為構成電源部70、90之可充電的蓄電部，代替電氣雙層電容器，也可以使用鋰離子2次電池等之2次電池。但是，相對於前述2次電池，係藉由化學反應將電能轉換為化學能予以儲存，電氣雙層電容器係將電氣當成電荷予以儲存，電能的儲存、放電可以高速。因此，作為各蓄電部，為了提高資料的取得效果，以利用電氣雙層電容器來構成為佳。在電氣雙層電容器之外，奈米混成電容器或鋰離子電容器等，同樣地將電氣以電荷形式予以儲存，可以合適地作為蓄電部。另外，於上述例子中，藉由電磁感應從送電側對於受電側進行無線供電，在此之外，也可以利用磁場共鳴、電場共鳴、利用電磁波送電來進行無線供電。
另外，上述之受電線圈82及供電用線圈6A，代替其為平面型線圈，也可以做成軸線在晶圓的厚度方向延伸之圓筒線圈。但是藉由做成平面型線圈，可以抑制供電用晶圓6A及感測器用晶圓8之厚度，另外，在搬運時，空氣阻抗少，可以抑制位置偏差，較為有利。
另外，於上述之各實施型態中，也可以從待機模組4對於供電用晶圓6進行非接觸供電。第24圖係可以進行該種非接觸供電所構成之供電用晶圓6之概略構造圖。和第1實施型態之供電用晶圓6的差異點，可舉在受電電路67及送電電路68與供電線圈6A之間設置有開關SW1、SW2。
在對電源部70充電時，供電電圈6A介由受電電路67被連接於充放電控制電路69，以供電線圈6A不被連接於送電電路68之方式，開關SW1～SW3被切換。另外，在對感測器用晶圓8充電時，供電線圈6A介由送電電路68被連接於充放電電路69，以供電線圈6A不被連接於受電電路67之方式，開關SW1～SW3被切換。各開關SW之切換，係藉由充放電控制電路69來進行。例如，於待機模組4設置第2實施型態之供電線圈47，從供電線圈47對於供電線圈6A進行非接觸供電。即於此例子中，供電線圈6A在供電用晶圓6被充電時，作用為二次側線圈，在對感測器用晶圓8充電時，作用為一次側線圈。
1．．．塗布、顯影裝置
4．．．待機模組
6．．．供電用晶圓
8A．．．感測器用晶圓
G．．．搬運臂
22．．．旋轉夾頭
35．．．上部叉
36．．．下部叉
44．．．受光部
45．．．磁性感測器
46．．．供電部
47．．．供電線圈
54．．．裝置控制器
6A．．．供電線圈
63．．．投光部
64．．．受光部
65．．．磁性感測器
70．．．電源部
81．．．磁鐵
82．．．受電線圈
83．．．投光部
90．．．電源部
第1圖係本發明之實施型態的塗布、顯影裝置之平面圖。
第2圖係塗布、顯影裝置的斜視圖。
第3圖係前述塗布、顯影裝置之縱剖面圖。
第4圖係前述塗布、顯影裝置之搬運臂的斜視圖。
第5圖係設置於塗布、顯影裝置之待機模組的縱剖側面圖。
第6圖係表示前述待機模組之表示前述待機模組之供電用晶圓的收容部之頂部的平面圖
第7圖係塗布、顯影裝置1之概略電路圖。
第8圖係供電用晶圓的表面圖及背面圖。
第9圖係供電用晶圓的概略電路圖。
第10圖係感測器用晶圓的表面圖及背面圖。
第11圖係感測器用晶圓的概略電路圖。
第12圖係進行感測器用晶圓的充電時之搬運臂的斜視圖。
第13圖係表示感測器用晶圓與供電用晶圓之位置關係的斜視圖。
第14圖係表示藉由磁場感應來進行供電之樣子的說明圖。
第15圖係表示供電用晶圓被充電之工程的流程圖。
第16圖係表示各晶圓之充電量的變化之時序圖。
第17圖係表示感測器晶圓被充電之工程的流程圖。
第18圖係表示搬運臂的動作之說明圖。
第19圖係表示搬運臂的動作之說明圖。
第20圖係其他實施型態之塗布、顯影裝置1之概略電路圖。
第21圖係其他實施型態之搬運臂的平面圖。
第22圖係前述搬運臂的側面圖。
第23圖係其他供電用晶圓之概略電路圖。
第24圖係其他供電用晶圓之概略電路圖。
6．．．供電用晶圓
6A．．．供電線圈
8A．．．感測器用晶圓
63．．．投光部
64．．．受光部
65．．．磁性感測器
70．．．電源部
81．．．磁鐵
82．．．受電線圈
83．．．投光部

Claims (16)

  1. 一種基板處理裝置之資料取得方法，該基板處理裝置為具備：搬入儲存有複數基板之載體之載體區塊、及處理由載體區塊所被搬入之基板的複數個處理模組、及具備基台及可進退自如地設置於前述基台之第1保持構件，且在複數個處理模組間搬運基板用之基板搬運機構，該基板處理裝置之資料取得方法特徵為包含：將具備有：收集處理模組之資訊用的感測器部、及包含對此感測器部供給電力之同時，也可充電之蓄電部之第1電源部之感測器用基板保持於前述第1保持構件之工程；及接著，使前述第1保持構件前進，將感測器用基板交付處理模組之工程；及之後，藉由前述感測器用基板之感測器部來取得關於處理模組之資料之工程；及前述第1保持構件在接受由前述處理模組所被充電的電力已被消耗之前述感測器用基板之後後退，藉由與前述基台一同移動之第2電源部，以非接觸方式對感測器用基板的第1電源部充電之工程。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置之資料取得方法，其中，前述蓄電部，係藉由電氣雙層電容器所構成。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置之資料取得方法，其中，前述蓄電部，係藉由奈米混成電容器 所構成。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置之資料取得方法，其中，前述蓄電部，係藉由鋰離子電容器所構成。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中之任一項所記載之基板處理裝置之資料取得方法，其中，前述基板搬運機構，係具備：被設置為用來保持基板，且對基台可以進退自如之第2保持構件，前述第2電源部，係被設置於對被保持於前述第2保持構件之前述第1電源部進行充電之充電用基板。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之基板處理裝置之資料取得方法，其中，對感測器用基板之第1電源部充電之工程，係包含：以使被連接於充電前述第1電源部用之充電電路，且被設置於感測器用基板之受電線圈、及設置於前述充電用基板之供電線圈相互對向之方式，使感測器用基板和供電用基板對位來進行充電之工程。
  7. 如申請專利範圍第5項所記載之基板處理裝置之資料取得方法，其中，具備：於前述基板處理裝置，設置有對充電用基板之第2電源部進行充電用之充電機構，從前述充電機構對第2電源部以非接觸方式進行充電之工程。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中之任一項所記載之基板處理裝置之資料取得方法，其中，前述第2電源部，係被設置於基台。
  9. 如申請專利範圍第1至4項中之任一項所記載之基板處理裝置之資料取得方法，其中，包含判定：被保持於第1基板保持部之感測器用基板，是否位於藉由第2電源部被充電之充電位置之工程。
  10. 如申請專利範圍第1至4項中之任一項所記載之基板處理裝置之資料取得方法，其中包含：判定前述第1電源部的充電量是否已成為事先設定的設定值之工程；及判定前述第1電源部之充電量已到達事先設定的設定值時，停止第1電源部的充電之工程。
  11. 如申請專利範圍第10項所記載之基板處理裝置之資料取得方法，其中，具備：於感測器用基板設置有利用前述第1電源部的電力來投光之投光部，在前述第1電源部的充電量已到達前述設定值時，停止來自前述投光部之投光的工程；及於前述基台或前述充電用基板設置有和前述投光部成對之受光部，前述受光部接受來自前述投光部的投光之工程，前述第1電源部之充電量是否已到達前述設定值之判定，係依據前述受光部之受光來進行。
  12. 如申請專利範圍第1至4項中之任一項所記載之基板處理裝置之資料取得方法，其中，前述感測器用基板，係具備：從前述第1電源部接受電力的供給之無線發送部，將關於前述處理模組之資料發送至基板處理裝置之接收部。
  13. 一種基板處理系統，包含：用以對基板施以特定處理用之複數處理模組；具備基台及進退自如地被設置在前述基台之保持構件的基板搬運裝置；和藉由該基板搬運裝置，為了取得各種測量資料，構成能夠搬運之感測器用基板，該基板處理系統之特徵為：前述感測器用基板具備：收集提供給前述處理模組之製程處理的種種資料資訊用之感測器部；及以無線發送藉由此感測器部所收集之前述資料資訊之發送部；及具有對前述感測器部及發送部供電之可充電的蓄電部之第1電源部；及為了接受從與前述基台同時移動之第2電源部以非接觸被送電之電力而供給至前述蓄電部，而與前述第1電源部之電路連接的受電線圈部；及檢測前述電源部之電源電壓或由該電源部所流出之電流的檢測部；及依據此檢測部的檢測結果，輸出充電完了之檢測訊號的輸出部，前述受電線圈部，係沿著此感測器用基板的平面設置為複數個，將前述感測器用基板，在各自位於用以從一處理模組接取在前述一處理模組消耗掉前述蓄電部之電力的前述感測器用基板之前述基台的前進位置，和將前述感測器用基 板從前述一處理模組交付至另外的處理模組為止，為了藉由前述受電線圈部對前述蓄電部進行充電，在前述基台相對於一處理模組較前述前進位置後退的後退位置的前述保持構件，進行保持。
  14. 如申請專利範圍第13項所記載之基板處理系統，其中，前述蓄電部，係藉由電氣雙層電容器所構成。
  15. 如申請專利範圍第13項所記載之基板處理系統，其中，前述蓄電部，係藉由奈米混成電容器所構成。
  16. 如申請專利範圍第13項所記載之基板處理系統，其中，前述蓄電部，係藉由鋰離子電容器所構成。
TW100118844A 2010-05-31 2011-05-30 A substrate processing apparatus, and a substrate processing system TWI478209B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010124773A JP5445335B2 (ja) 2010-05-31 2010-05-31 基板処理装置のデータ取得方法及び基板処理システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201212099A TW201212099A (en) 2012-03-16
TWI478209B true TWI478209B (zh) 2015-03-21

Family

ID=45066760

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100118844A TWI478209B (zh) 2010-05-31 2011-05-30 A substrate processing apparatus, and a substrate processing system

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9268739B2 (zh)
JP (1) JP5445335B2 (zh)
KR (1) KR101493582B1 (zh)
CN (1) CN102934213B (zh)
TW (1) TWI478209B (zh)
WO (1) WO2011152396A1 (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5293719B2 (ja) * 2010-10-01 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板
JP5704129B2 (ja) * 2012-06-22 2015-04-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板
JP5712975B2 (ja) * 2012-07-06 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 計測用基板、基板処理装置及び基板処理装置の運転方法
JP5899099B2 (ja) * 2012-10-09 2016-04-06 東京エレクトロン株式会社 薬液吐出量計測用治具、薬液吐出量計測機構及び薬液吐出量計測方法
JP6894594B2 (ja) * 2015-03-31 2021-06-30 株式会社ＮｅｊｉＬａｗ 部材、情報取得システム
US11569138B2 (en) * 2015-06-16 2023-01-31 Kla Corporation System and method for monitoring parameters of a semiconductor factory automation system
NL2017837A (en) 2015-11-25 2017-06-02 Asml Netherlands Bv A Measurement Substrate and a Measurement Method
CN105721802A (zh) * 2016-03-23 2016-06-29 京东方科技集团股份有限公司 待机控制电路及其工作方法、播放设备
US10074549B2 (en) * 2016-03-28 2018-09-11 Tokyo Electron Limited Method for acquiring data indicating electrostatic capacitance
US11917743B2 (en) * 2016-12-29 2024-02-27 Whirlpool Corporation Electromagnetic cooking device with automatic melt operation and method of controlling cooking in the electromagnetic cooking device
US10509052B2 (en) * 2017-02-06 2019-12-17 Lam Research Corporation Smart vibration wafer with optional integration with semiconductor processing tool
KR102395191B1 (ko) 2017-10-12 2022-05-06 삼성전자주식회사 센서 모듈, 반도체 제조 장치, 및 반도체 소자의 제조 방법
JP7029983B2 (ja) * 2018-03-09 2022-03-04 東京エレクトロン株式会社 測定器及び測定器のずれ量を求める方法
US11468590B2 (en) * 2018-04-24 2022-10-11 Cyberoptics Corporation Wireless substrate-like teaching sensor for semiconductor processing
US20200044468A1 (en) * 2018-07-31 2020-02-06 Ling Yung LIN Mobile power supply module with light source
WO2020066571A1 (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
US11373890B2 (en) * 2018-12-17 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Wireless in-situ real-time measurement of electrostatic chucking force in semiconductor wafer processing
JP2022520768A (ja) * 2019-02-14 2022-04-01 パーシモン テクノロジーズ コーポレイション ロボットシステムのためのレーダーベースの位置測定
CN112635285B (zh) * 2020-12-03 2023-12-12 长江存储科技有限责任公司 等离子体工艺腔室电弧放电的监测方法及系统
CN114613657A (zh) * 2020-12-09 2022-06-10 细美事有限公司 用于晶片型传感器的充电和自动校准的控制程序、容器及半导体元件制造设备
JP7050139B2 (ja) * 2020-12-14 2022-04-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び測定用基板
KR102584513B1 (ko) * 2020-12-31 2023-10-06 세메스 주식회사 온도 변화가 수반되는 분위기에 제공되는 기판 지지 부재의 수평 측정용 기판형 센서, 이를 이용한 수평 측정 방법 및 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체
US12004299B1 (en) * 2023-02-01 2024-06-04 Tactotek Oy Interface assembly and method for manufacturing interface assembly

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200421419A (en) * 2002-12-03 2004-10-16 Sensarray Corp Integrated process condition sensing wafer and data analysis system
JP2007157896A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2007266079A (ja) * 2006-03-27 2007-10-11 Nikon Corp 変形量計測装置、調整方法及び判定方法
TW200739780A (en) * 2005-12-13 2007-10-16 Sensarray Corp Process condition sensing wafer and data analysis system
JP2008109027A (ja) * 2006-10-27 2008-05-08 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板受け渡し位置の調整方法及び記憶媒体

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1017593C2 (nl) 2001-03-14 2002-09-17 Asm Int Inspectiesysteem ten behoeve van procesapparaten voor het behandelen van substraten, alsmede een sensor bestemd voor een dergelijk inspectiesysteem en een werkwijze voor het inspecteren van procesapparaten.
US7024947B2 (en) * 2002-03-07 2006-04-11 Alps Electric Co., Ltd. Detection device including circuit component
US8167522B2 (en) * 2005-03-30 2012-05-01 Brooks Automation, Inc. Substrate transport apparatus with active edge gripper
JP5003102B2 (ja) * 2006-10-27 2012-08-15 東京エレクトロン株式会社 静電チャックの診断方法、真空処理装置及び記憶媒体
US7582491B2 (en) 2006-10-27 2009-09-01 Tokyo Electron Limited Method for diagnosing electrostatic chuck, vacuum processing apparatus, and storage medium

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200421419A (en) * 2002-12-03 2004-10-16 Sensarray Corp Integrated process condition sensing wafer and data analysis system
JP2007157896A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
TW200739780A (en) * 2005-12-13 2007-10-16 Sensarray Corp Process condition sensing wafer and data analysis system
JP2007266079A (ja) * 2006-03-27 2007-10-11 Nikon Corp 変形量計測装置、調整方法及び判定方法
JP2008109027A (ja) * 2006-10-27 2008-05-08 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板受け渡し位置の調整方法及び記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011253844A (ja) 2011-12-15
US20130080099A1 (en) 2013-03-28
CN102934213B (zh) 2016-01-20
CN102934213A (zh) 2013-02-13
TW201212099A (en) 2012-03-16
KR101493582B1 (ko) 2015-02-13
US9268739B2 (en) 2016-02-23
WO2011152396A1 (ja) 2011-12-08
JP5445335B2 (ja) 2014-03-19
KR20130014587A (ko) 2013-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI478209B (zh) A substrate processing apparatus, and a substrate processing system
JP5293719B2 (ja) 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板
JP5712975B2 (ja) 計測用基板、基板処理装置及び基板処理装置の運転方法
JP5561419B2 (ja) ウエハ検出装置、ウエハ貼り合わせ装置、ウエハ検出方法、ウエハ貼り合わせ方法
JP5490741B2 (ja) 基板搬送装置の位置調整方法、及び基板処理装置
US8362744B2 (en) Battery charging pad employing magnetic induction
KR101020021B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 전달 위치의 조정 방법 및 기억 매체
JP4956328B2 (ja) 搬送アームの移動位置の調整方法及び位置検出用治具
JP5348183B2 (ja) 電池内蔵機器と充電装置
JP5083339B2 (ja) 基板搬送装置及び基板搬送方法並びに記憶媒体
TW200525606A (en) Alignment stage apparatus
TW201245742A (en) Probe card detecting apparatus, wafer position alignment apparatus and wafer position alignment method
WO2013094126A1 (ja) 電子機器及び電子機器充電システム
JP2013506297A (ja) 非接触インタフェースシステム
JP7171231B2 (ja) 搬送用装置、検体測定システムおよび搬送方法
JP4874540B2 (ja) センサー装置を制御する方法及び装置
CN111152127A (zh) 涡流检测装置和研磨装置
KR101838806B1 (ko) 반도체 소자들을 지지하기 위한 스테이지 및 이를 구비하는 반도체 소자 테스트 장치
WO2012132145A1 (ja) 充電台
TW200832595A (en) Processing apparatus
JP2014027298A (ja) 基板搬送装置の位置調整方法
CN103001333A (zh) 非接触供电装置
CN100431131C (zh) 被处理体的输送系统和被处理体的输送方法
JP5671799B2 (ja) ホルダラック
JP3181265U (ja) 基板搬送装置