KR20130014587A

KR20130014587A - 기판 처리 장치의 데이터 취득 방법 및 센서용 기판

Info

Publication number: KR20130014587A
Application number: KR1020127031265A
Authority: KR
Inventors: 히카루 아카다
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2010-05-31
Filing date: 2011-05-31
Publication date: 2013-02-07
Also published as: WO2011152396A1; TW201212099A; US9268739B2; KR101493582B1; CN102934213A; TWI478209B; CN102934213B; JP2011253844A; JP5445335B2; US20130080099A1

Abstract

센서용 기판을 사용해서 기판 처리 장치의 처리 모듈에 관한 데이터를 효율적으로 정밀도 높게 취득하는 방법이 제공된다. 이 방법은, 처리 모듈에 관한 데이터를 취득하기 위한 센서부와, 상기 센서부에 전력을 공급하기 위한 충전 가능한 축전부를 포함하는 제1 전원부를 구비한 센서용 기판을, 상기 제1 보유 지지 부재에 의해 보유 지지하는 공정과, 이어서, 상기 제1 보유 지지 부재를 전진시켜서 상기 센서용 기판을 처리 모듈에 전달하는 공정과, 그 후, 상기 센서용 기판의 상기 센서부에 의해 상기 처리 모듈에 관한 데이터를 취득하는 공정과, 상기 제1 보유 지지 부재가 상기 처리 모듈로부터 충전된 전력이 소비된 상기 센서용 기판을 수취해서 후퇴하고, 그 상태에서 상기 베이스와 함께 이동하는 제2 전원부에 의해 비접촉으로 상기 센서용 기판의 상기 제1 전원부를 충전하는 공정을 포함하고 있다.

Description

기판 처리 장치의 데이터 취득 방법 및 센서용 기판{DATA ACQUISITION METHOD OF SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND SENSOR SUBSTRATE}

본 발명은 복수의 모듈을 구비하는 기판 처리 장치의 데이터 취득 방법 및 상기 데이터 취득 방법에 사용되는 센서용 기판에 관한 것이다.

반도체 제조 공정의 하나인 포토레지스트 공정에 있어서는, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 한다)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광하고, 그 후에 현상해서 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 이 레지스트 패턴의 형성에는 웨이퍼에 각종 처리를 행하는 여러가지 모듈을 구비한 도포, 현상 장치가 사용된다.

웨이퍼에 문제를 발생시키지 않고 고정밀도로 처리를 행하기 위해서는, 도포, 현상 장치의 가동 전 혹은 점검 시에 각 모듈에 관한 데이터를 취득할 필요가 있다. 예를 들어, 레지스트 등의 약액을 웨이퍼에 도포하는 액 처리 모듈에는 웨이퍼의 이면 중앙부를 흡착 유지해서 웨이퍼를 회전시키는 스핀 척이 설치되어 있고, 웨이퍼의 회전 중심으로 공급된 약액은 원심력에 의해 신장된다. 균일성이 높은 약액의 막을 형성하기 위해서, 장치 가동 전의 검사에 의해 스핀 척의 회전 중심의 위치가 특정되고, 웨이퍼의 처리 시에는 스핀 척의 회전 중심으로 웨이퍼의 중심이 일치하도록 스핀 척에 웨이퍼가 적재된다. 또한, 웨이퍼에 열처리를 행하는 가열 모듈에서는 웨이퍼의 가열 온도에 관한 데이터가 취득된다.

이와 같은 데이터의 취득을 위해서 각종 센서가 탑재된 센서용 웨이퍼가 사용되고 있다. 일례로서, 전원부에 전선을 통해서 접속된 센서용 웨이퍼가 검사 대상 모듈에 반입되어 데이터의 취득이 행해진다. 그러나, 센서용 웨이퍼와 전원부가 전선 접속되어 있는 경우에는, 작업자가 검사 대상 모듈에 센서용 웨이퍼를 반입하는 수고가 든다. 이 문제를 해결하기 위해서, 전원부를 리튬 이온 2차 전지 등으로 구성해서 센서용 웨이퍼에 탑재하는 것이 제안되어 있다. 이에 의해, 도포, 현상 장치에 구비된 기판 반송 기구에 의해 모듈에 웨이퍼를 반입할 수 있고, 데이터의 취득 효율을 높일 수 있다. 전원부를 탑재한 센서용 웨이퍼를 이용한 검사에 관해서는 일본 특허 출원 공개 제2008-109027호에 기재되어 있다.

그러나, 도포, 현상 장치는 처리량을 높이기 위해서 다수의 모듈을 구비하고 있고, 모든 모듈에서 소정의 시간을 들여서 측정을 행하기 위해서는 대용량의 전지, 즉 대형이면서 무거운 전지가 필요해진다. 그렇게 되면, 센서용 웨이퍼가 반입된 처리 모듈 내의 환경이 제품 웨이퍼 반입 시의 환경과는 상이하여, 취득되는 데이터의 정밀도가 저하되어버릴 우려가 있다.

본 발명은 기판 처리 장치의 각 처리 모듈의 데이터를 고정밀도로, 또한, 효율적으로 취득할 수 있는 기술을 제공한다.

본 발명은 복수의 기판을 보관한 캐리어를 반입하는 캐리어 블록과, 캐리어 블록으로부터 반입된 기판을 처리하는 복수의 처리 모듈과, 베이스 및 상기 베이스에 진퇴 가능하게 설치된 제1 보유 지지 부재를 구비하는 동시에 상기 복수의 처리 모듈간에서 기판을 반송하기 위한 기판 반송 기구를 구비한 기판 처리 장치에 있어서 데이터를 취득하는 방법에 있어서, 처리 모듈에 관한 데이터를 취득하기 위한 센서부와, 상기 센서부에 전력을 공급하기 위한 충전 가능한 축전부를 포함하는 제1 전원부를 구비한 센서용 기판을, 상기 제1 보유 지지 부재로 보유 지지하는 공정과, 계속해서, 상기 제1 보유 지지 부재를 전진시켜서 상기 센서용 기판을 처리 모듈에 전달하는 공정과, 그 후, 상기 센서용 기판의 상기 센서부에 의해 상기 처리 모듈에 관한 데이터를 취득하는 공정과, 상기 제1 보유 지지 부재가 상기 처리 모듈로부터 충전된 전력이 소비된 상기 센서용 기판을 수취해서 후퇴하고, 그 상태에서 상기 베이스와 함께 이동하는 제2 전원부에 의해 비접촉으로 상기 센서용 기판의 상기 제1 전원부를 충전하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다.

상기 방법에 이하의 구체적인 형태(a) 내지 (g)를 채용할 수 있다.

(a)상기 축전부는 전하를 축적하는 것에 의해 축전을 행하는 캐패시터, 예를 들어 전기 이중층 캐패시터, 나노 하이브리드 캐패시터 또는 리튬 이온 캐패시터에 의해 구성된다.

(b)상기 기판 반송 기구는 기판을 보유 지지하기 위해서 설치되는 동시에 상기 베이스에 대하여 진퇴 가능한 제2 보유 지지 부재를 구비하고, 상기 제2 전원부는 상기 제2 보유 지지 부재에 보유 지지된 상기 제1 전원부에 충전을 하는 충전용 기판에 설치되어 있다.

(c)상기 센서용 기판의 제1 전원부를 충전하는 공정은, 상기 제1 전원부를 충전하기 위한 회로에 접속되는 동시에 상기 센서용 기판에 설치된 수전 코일과, 상기 충전용 기판에 설치된 급전 코일과 서로 대향하도록 센서용 기판을 급전용 기판에 대하여 위치시킨 상태에서 충전을 행하는 공정을 포함한다.

(d)상기 제2 전원부는 상기 베이스에 설치된다.

(e)제1 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 센서용 기판이 제2 전원부에 의해 충전되는 충전 위치에 위치하고 있는지의 여부를 판정하는 공정을 포함한다.

(f)상기 제1 전원부의 충전량이 미리 설정된 설정값으로 되었는지 아닌지를 판정하는 공정과, 상기 제1 전원부의 충전량이 미리 설정된 설정값으로 되었다고 판정되었을 때에 제1 전원부의 충전을 정지하는 공정을 포함한다.

(g)상기 센서용 기판에는 상기 제1 전원부의 전력을 사용해서 투광하는 투광부가 설치되고, 상기 제1 전원부의 충전량이 상기 설정값으로 되었을 때에 상기 투광부로부터의 투광을 정지하는 공정과, 상기 베이스 또는 상기 충전용 기판에는 상기 투광부와 쌍을 이루는 수광부가 설치되고, 상기 투광부로부터의 투광을 상기 수광부가 수광하는 공정을 구비하고, 상기 제1 전원부의 충전량이 상기 설정값으로 되었는지 아닌지의 판정은 상기 수광부의 수광에 기초해서 행해진다.

(h)기판 처리 장치에는 상기 충전용 기판의 상기 제2 전원부에 충전을 행하기 위한 충전 기구가 설치되고, 상기 충전 기구로부터 제2 전원부에 비접촉으로 충전을 행하는 공정을 구비한다.

또 본 발명의 다른 관점에 따르면, 기판 반송 장치로 반송 가능하게 구성된 센서용 기판이며, 처리 모듈에 관한 데이터를 취득하기 위한 센서부와, 상기 센서부에 의해 수집된 상기 데이터를 무선으로 송신하는 송신부와, 상기 센서부 및 상기 송신부에 급전하는 충전 가능한 축전부를 갖는 전원부와, 상기 전원부의 회로와 접속되고, 외부로부터 송전되는 전력을 수전해서 상기 축전부에 공급하기 위한 복수의 수전 코일부를 구비하고, 상기 복수의 수전 코일부는, 이 센서용 기판의 평면에 따라 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 센서용 기판이 제공된다.

상기 센서용 기판에 이하의 구체적인 형태를 채용할 수 있다.

(a)상기 축전부는, 전하를 축적하는 것에 의해 축전을 행하는 캐패시터, 예를 들어 전기 이중층 캐패시터, 나노 하이브리드 캐패시터 또는 리튬 이온 캐패시터에 의해 구성된다.

(b)상기 전원부의 전원 전압 또는 당해 전원부로부터 흐르는 전류를 검출하는 검출부와, 이 검출부의 검출 결과에 기초하여 충전 완료의 검지 신호를 출력하는 출력부를 구비한다.

본 발명에 따르면, 기판 반송 기구에 의한 처리 모듈간을 반송되는 센서용 기판에 설치되는 전원부의 용량을 억제할 수 있다. 이 때문에 단시간으로의 충전이 가능해져 데이터 취득을 위한 필요한 시간이 단축된다. 또한, 소용량의 전원부를 사용함으로써, 센서용 웨이퍼의 두께 및 중량을 실제 웨이퍼에 근접시킬 수 있어서 높은 정밀도로 검사를 행할 수 있다.

도 1은 기판 처리 장치의 일례로서의 도포, 현상 장치의 평면도이다.
도 2는 도포, 현상 장치의 사시도이다.
도 3은 도포, 현상 장치의 종단 측면도이다.
도 4는 도포, 현상 장치의 반송 아암의 사시도이다.
도 5는 도포, 현상 장치에 설치되는 대기 모듈의 종단 측면도이다.
도 6은 대기 모듈의 급전용 웨이퍼의 수납부의 천장(격벽의 하면)을 도시한 평면도이다.
도 7은 도포, 현상 장치의 데이터 취득 방법에 관련되는 부분의 개략적인 회로도이다.
도 8은 급전용 웨이퍼의 표면도(a) 및 이면도(b)이다.
도 9는 급전용 웨이퍼의 개략적인 회로도이다.
도 10은 센서용 웨이퍼의 표면도(a) 및 이면도(b)이다.
도 11은 센서용 웨이퍼의 개략적인 회로도이다.
도 12는 센서용 웨이퍼의 충전을 행할 때의 반송 아암의 사시도이다.
도 13은 센서용 웨이퍼와 급전용 웨이퍼의 위치 관계를 나타내는 사시도이다.
도 14는 자계 유도에 의해 급전이 행해지는 모습을 나타낸 설명도이다.
도 15는 급전용 웨이퍼가 충전되는 공정을 나타내는 흐름도이다.
도 16은 급전용 웨이퍼 및 센서용 웨이퍼의 충전량의 변화를 나타내는 타임차트이다.
도 17은 센서용 웨이퍼가 충전되는 공정을 나타내는 흐름도이다.
도 18은 반송 아암의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 19는 반송 아암의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 20은 제2 실시 형태의 도포, 현상 장치의 개략적인 회로도이다.
도 21은 제2 실시 형태의 반송 아암의 평면도이다.
도 22는 제2 실시 형태의 반송 아암의 측면도이다.
도 23은 제3 실시 형태의 급전용 웨이퍼의 개략적인 회로도이다.
도 24는 다른 급전용 웨이퍼의 개략적인 회로도이다.

이하에 발명의 적합한 실시 형태에 대해서 첨부 도면을 참조해서 설명한다.

(제1 실시 형태)

우선 데이터 취득 방법에 의해 데이터가 취득되는 처리 모듈을 구비한 기판 처리 장치로서의 도포, 현상 장치(1)의 구성, 및 도포, 현상 장치(1) 내의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해서 설명한다. 도 1에는 도포, 현상 장치(1)에 노광 장치(C5)가 접속된 레지스트 패턴 형성 시스템의 평면도를 도시하고 있고, 도 2는 동일한 시스템의 사시도이다. 또한, 도 3은 도포, 현상 장치(1)의 종단면도이다.

이 도포, 현상 장치(1)에는 캐리어 블록(C1)이 설치되어 있다. 캐리어 블록(C1)의 적재대(11) 상에 적재된 밀폐형의 캐리어(C)로부터, 전달 아암(12)이 웨이퍼(W)를 취출해서 처리 블록(C2)에 전달하고, 또한, 처리 블록(C2)으로부터 전달 아암(12)이 처리 완료된 웨이퍼(W)를 수취해서 캐리어(C)에 복귀시킨다.

처리 블록(C2)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 현상 처리를 행하기 위한 제1 블록(DEV층)(B1)과, 레지스트막의 하층인 반사 방지막을 형성하기 위한 제2 블록(BCT층)(B2)과, 레지스트막의 형성을 행하기 위한 제3 블록(COT층)(B3)을 밑에서부터 이 순서대로 적층해서 구성되어 있다.

처리 블록(C2)의 각층(DEV, BCT, COT층)은 평면에서 볼 때 마찬가지로 구성되어 있다. 제2 블록(BCT층)(B2)을 예로 들어서 도 4도 참조하면서 설명하면, BCT층(B2)은, 도포막으로서 예를 들어 레지스트막의 하층의 반사 방지막을 형성하기 위한 반사 방지막 형성 유닛(21)과, 가열계의 모듈에 의해 구성되는 선반 유닛(U1 내지 U5)과, 상기 반사 방지막 형성 유닛(21)과 선반 유닛(U1 내지 U5)의 사이에 설치되고, 이들의 유닛에 포함되는 모듈간에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 아암(G2)에 의해 구성되어 있다. 모듈이란 웨이퍼(W)가 적재되는 장소를 제공하는 도포, 현상 장치(1)의 구성 요소를 의미한다.

반사 방지막 형성 유닛(21)은 4기의 반사 방지막 형성 모듈(BCT1 내지 BCT4)을 구비하고 있다. 이들 반사 방지막 형성 모듈(BCT1 내지 BCT4)은, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 보유 지지하고, 연직축 주위로 회전시키는 스핀 척(22)을 구비하고 있고, 또한, 스핀 척(22)에 적재된 웨이퍼(W)에 약액을 공급하는 도시하지 않은 약액 공급 노즐을 구비하고 있다.

또한, 상기 선반 유닛(U1 내지 U5)은 반송 아암(G2)이 이동하는 수평한 직선 반송로인 반송 영역(R1)에 따라서 배열되어 있고, 각 선반 유닛은 각각 2기의 가열 모듈(23)을 상하에 적층해서 구성되어 있다. 가열 모듈은 열판을 구비하고, 상기 열판에 적재된 웨이퍼가 가열 처리된다.

반송 아암(G2)은 캐리어 블록(C1)측으로부터 인터페이스 블록(C4)측을 향해서 수평 방향으로 신장한 가이드(31)를 구비하고 있고, 그 가이드(31)에 따라서 프레임(32)이 이동한다. 프레임(32)에는 연직축에 따라서 승강하는 승강대(33)가 설치되고, 승강대(33) 상에는 연직축 주위로 회전하는 베이스(34)가 설치되어 있다. 베이스(34)는 웨이퍼(W)의 측주를 둘러싸는 상부 포크(35) 및 하부 포크(36)를 구비하고 있다. 이들 상부 포크(35) 및 하부 포크(36)는 베이스(34) 상을 수평 방향으로 서로 독립하여 진퇴하고, 모듈에 액세스한다. 상부 포크(35), 하부 포크(36)에는 각각 웨이퍼(W)의 이면을 지지하는 이면 지지부(38, 39)가 설치되어 있다.

제3 블록(COT층)(B3)에는 상기 반사 방지막 형성 모듈(BCT1 내지 BCT4)에 상당하는 기구적 구성을 갖는 레지스트막 형성 모듈(COT1 내지 COT4)이 설치되어 있다. 레지스트막 형성 모듈(COT1 내지 COT4)에 있어서 반사 방지막 형성용의 약액 대신에 레지스트액이 웨이퍼(W)에 공급되는 것을 제외하면, COT층(B3)은 BCT층(B2)과 동일한 구성을 갖고 있다.

제1 블록(DEV층)(B1) 내에는 각각이 반사 방지막 형성 유닛(21)에 상당하는 기구적 구성을 갖는 2개의 현상 처리 유닛이 2단으로 적층되어 있다. 현상 처리 유닛은 현상 모듈(DEV)을 구비하고 있다. 현상 처리 모듈(DEV), 반사 방지막 형성 모듈(BCT) 및 레지스트막 형성 모듈(COT)을 총칭해서 액 처리 모듈이라고 부른다.

또한, DEV층(B1)은 BCT층(B2)과 마찬가지로 선반 유닛(U1 내지 U5)을 구비하고 있고, 선반 유닛(U1 내지 U5)을 구성하는 가열 모듈에는, 현상 처리 전에 가열 처리를 행하는 복수의 가열 모듈(PEB)과, 현상 처리 후에 웨이퍼(W)에 가열 처리를 행하는 복수의 가열 모듈(POST)이 포함되어 있다. 이 DEV층(B1)의 반송 아암(G1)은 각 현상 모듈(DEV)과, 각 가열 모듈에 웨이퍼(W)를 반송한다. 즉, 2단의 현상 처리 유닛에 대하여 1개의 반송 아암(G1)이 공용되어 있다.

각 층의 기판 반송 기구인 반송 아암(G)의 동작을 상세하게 설명한다. 상부 포크(35), 하부 포크(36) 중 한쪽에는 웨이퍼(W)가 없고, 다른 쪽에는 웨이퍼(W)가 보유 지지되어 있으며, 반송 아암(G)의 베이스(34)가 어떤 1개의 모듈의 앞쪽에 위치하고 있는 것으로 한다. 이 상태에서 상부 포크(35) 및 하부 포크(36) 중 한쪽의 포크가 당해 모듈에 전진하고, 모듈에 놓여 있는 웨이퍼(W)를 취출한다. 그리고, 비어있는 그 모듈에 다른 쪽의 포크가 보유 지지하고 있는 웨이퍼(W)를 전달한다. 그 후, 반송 아암(G)의 베이스(34)는 한쪽의 웨이퍼(W)를 하류측의 모듈에 전달하기 위해서 이동한다. 본 실시 형태에서는, 이와 같이 구성된 반송 아암(G)을 이용하여 후술하는 바와 같이 센서용 웨이퍼(8)에 충전을 행한다.

처리 블록(C2)에는 도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이 선반 유닛(U6)이 설치되어 있고, 캐리어 블록(C1)으로부터의 웨이퍼(W)는 상기 선반 유닛(U6)의 하나의 전달 모듈(BF1)에 반송된다. BCT층(B2)의 반송 아암(G2)은, 이 전달 모듈(BF1)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 반사 방지막 형성 모듈(BCT1 내지 BCT4) 중 어느 하나에 반송하고, 계속해서 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)를 가열 모듈(23)에 반송한다.

그 후, 반송 아암(G2)은 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U6)의 전달 모듈(BF2)에 반송하고, 웨이퍼(W)는 전달 아암(D1)에 의해 제3 블록(COT층)(B3)에 대응하는 전달 모듈(BF3)에 순차 반송된다. 제3 블록(COT층)(B3) 내의 반송 아암(G3)은, 이 전달 모듈(BF3)로부터 웨이퍼(W)를 수취해서 레지스트 도포 모듈(COT1 내지 COT4) 중 어느 하나에 반송하고, 레지스트막을 형성한 후, 가열 모듈(23)에 반송한다.

그 후, 가열 모듈에서 가열 처리된 후, 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U6)의 전달 모듈(BF4)에 반송된다. 한편, DEV층(B1) 내의 상부에는, 선반 유닛(U6)에 설치된 전달 모듈(TRS14)로부터 선반 유닛(U7)에 설치된 전달 모듈(TRS15)에 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 전용 반송 수단인 셔틀(16)이 설치되어 있다. 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 전달 아암(D1)에 의해 전달 모듈(BF4)로부터 전달 모듈(TRS14)에 전달되고, 당해 전달 모듈(TRS14)에서 셔틀(16)에 전달된다.

셔틀(16)은 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U7)의 전달 모듈(TRS15)에 반송하고, 상기 웨이퍼(W)는 인터페이스 블록(C4)에 설치된 인터페이스 아암(18)에 수취되고, 인터페이스 블록(C3)에 반송된다. 또한, 도 3 중의 CPL이 붙여져 있는 전달 모듈은 온도 조절용의 냉각 모듈로서의 기능도 갖고 있고, BF가 붙여져 있는 전달 모듈은 복수매의 웨이퍼(W)를 적재 가능한 버퍼 모듈을 겸하고 있다.

계속해서, 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(18)에 의해 노광 장치(C4)에 반송되어 노광 처리가 행해진다. 계속해서, 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(17)에 의해 선반 유닛(U7)의 전달 모듈(TRS11 또는 TRS12)에 반송되고, 제1 블록(DEV층)(B1)의 반송 아암(G1)에 의해 선반 유닛(U1 내지 U5)에 포함되는 가열 모듈(PEB)에 반송되어 가열 처리를 받는다.

그 후 웨이퍼(W)는 반송 아암(G1)에 의해 전달 모듈(CPL1 또는 CPL2)에 반송된 후, 현상 모듈(DEV)에 반송되어서 현상 처리를 받는다. 그 후, 어느 하나의 가열 모듈(POST)에 반송되어 가열 처리를 받는다. 그 후, 반송 아암(G1)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달 모듈(BF7)에 전달된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 전달 아암(12)을 거쳐서 캐리어(C)가 원래 놓여 있던 위치로 복귀된다.

상기의 캐리어 블록(C1)에는 전달 아암(12)이 액세스 할 수 있는 위치에 대기 모듈(4)이 설치되어 있다. 이 대기 모듈(4)에는 모듈에 반송되어서 소정의 검사를 행하는 센서용 웨이퍼(8A 내지 8C)와, 충전용 기판인 급전용 웨이퍼(6)가 보관된다. 급전용 웨이퍼(6)는 대기 모듈(4)의 외부에서 센서용 웨이퍼(8A 내지 8C)를 충전하기 위한 지그이며, 급전용 웨이퍼(6)는 대기 모듈(4)에서 충전된다. 이후, 센서용 웨이퍼(8A 내지 8C)를 구별할 필요가 없는 경우에는, 센서용 웨이퍼(8)라고 기재하는 경우도 있다. 또한, 센서용 웨이퍼(8)와 급전용 웨이퍼(6)를 전용 캐리어(카세트)(C)에 담아서 검사 시에만 상기 캐리어(C)를 캐리어 블록(C1)의 적재대(11)에 올려서 사용할 수도 있다. 또한, 대기 모듈(4)은 선반 유닛(U6)에 설치되고 있어도 되고, 각 반송 아암(G)에 센서용 웨이퍼(8) 및 급전 웨이퍼(6)의 전달이 가능하면 어디에 설치되어 있어도 된다.

도 5는 대기 모듈(4)의 종단 측면도이다. 대기 모듈(4)은 각 웨이퍼의 주연을 지지한 상태에서 복수의 웨이퍼를 상하 방향에 배열해서 보관할 수 있는 선반의 형태로 구성되어 있다. 예를 들어 대기 모듈(4)의 상부는 센서용 웨이퍼(8A 내지 8C)의 보관 공간(41)으로서 구성되고, 대기 모듈(4)의 하부는 급전용 웨이퍼(6)의 보관 공간(42)으로서 구성되어 있다. 보관 공간(41, 42)은 격벽(43)에 의해 구획되어 있다.

도 6은 격벽(43)의 하면을 도시하고 있고, 이 하면에는 광 센서를 이루는 수광부(44)가 설치되어 있다. 수광부(44)는 보관 공간(42)에 보관된 급전용 웨이퍼(6)의 중앙부 상방에 위치하여 급전용 웨이퍼(6)의 투광부(63)(후술)와 대향한다. 수광부(44) 및 투광부(63)는 대기 모듈(4)로부터 급전용 웨이퍼(6)에의 접촉 급전의 계속 및 정지를 제어하는 역할을 갖는다. 또한, 격벽(43)의 하면에는 수광부(44)를 둘러싸도록 복수의 자기 센서(45)가 설치되어 있다. 이들의 자기 센서(45)는 급전용 웨이퍼(6)의 자석(62)에 대응해서 설치되어 있고, 이 자석(62) 상에 위치하도록 설치되어 있다. 자기 센서(45)는 자석(62)의 위치, 즉 급전용 웨이퍼(6)의 위치를 검출하여 대기 모듈(4)로부터 급전용 웨이퍼(6)에의 급전 개시의 트리거의 역할을 갖는다.

보관 공간(42)의 하부에는 편평한 원형의 급전부(46)가 설치되어 있다. 급전부(46)의 표면에는 상방에 향해서 신장되는 급전 핀(48)이 설치되어 있고, 이 급전 핀(48)은 급전용 웨이퍼(6)에 전력을 공급한다.

도 7은 대기 모듈(4)을 포함하는 도포, 현상 장치(1) 중 데이터 취득 방법에 관련되는 부분의 개략적인 회로도이다. 급전 핀(48)은 당해 급전 핀(48)에 송전하기 위한 송전 회로(51)에 접속되어 있고, 송전 회로(51)는 제어 회로(53)를 거쳐서 장치 컨트롤러(54)에 접속되어 있다. 또한, 상기 수광부(44)는 제어 회로(53)에 접속되어 있고, 자기 센서(45)는 자극 검출 회로(52)를 거쳐서 제어 회로(53)에 접속되어 있다. 자석(62)의 자력을 검출하면 자기 센서(45)가 ON이 되고, 검출한 자력에 따라서 신호를 자극 검출 회로(52)에 출력한다. 자극 검출 회로(52)는 자기 센서(45)로부터의 출력 신호에 따라서 검출 신호를 장치 컨트롤러(54)에 출력하고, 장치 컨트롤러(54)가 자력의 강도를 검출한다.

도포, 현상 장치(1)는 안테나(55)를 구비하고 있고, 안테나(55)는 센서용 웨이퍼(8)로부터 송신된 검사 데이터의 신호를 무선 수신한다. 안테나(55)가 수신한 신호는, 상기 안테나(55)에 의한 통신을 제어하는 통신 회로(56)를 거쳐서 장치 컨트롤러(54)에 출력된다. 제어 회로(53) 및 장치 컨트롤러(54)의 전단에는 AC/DC 컨버터(57)가 접속되어 있고, 도포, 현상 장치(1)의 외부의 교류 전원으로부터 공급된 교류 전류는, 상기 컨버터(57)에서 직류 전류로 변환되어 각 회로에 공급된다. 제어 회로(53)는 후단의 각 회로에 공급되는 전력을 제어한다. 안테나(55), 통신 회로(56) 및 장치 컨트롤러(54)는 처리 모듈에 관한 데이터를 수신하는 수신부를 구성한다.

장치 컨트롤러(54)는, 예를 들어 컴퓨터로 이루어지고, 도시하지 않은 프로그램 저장부를 갖고 있다. 이 프로그램 저장부에는, 상술 및 후술하는 반송이 행해지고, 반송 사이클이 실행되도록 명령이 짜여진 예를 들어 소프트웨어로 이루어지는 프로그램이 저장되어 있다. 이 프로그램이 장치 컨트롤러(54)에 판독됨으로써, 장치 컨트롤러(54)는 도포, 현상 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 송신한다. 그것에 의해, 도포, 현상 장치(1)의 각 부의 동작이 제어되고, 각 모듈의 동작 및 모듈간에서의 각 웨이퍼의 전달 등이 제어된다. 이 프로그램은, 예를 들어 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그네트 옵티컬 디스크 또는 메모리 카드 등의 기억 매체에 수납된 상태로 프로그램 저장부에 저장된다.

계속해서 급전용 웨이퍼(6)에 대해서 그 표면 및 이면을 각각 도시한 도 8의 (a), (b)를 참조하면서 설명한다. 급전용 웨이퍼(6)에는 상술한 자석(62)이 매설되어 있고, 자석(62)은 예를 들어 링 형상으로 형성되어 있다.

급전용 웨이퍼(6)의 표면측에 대해서 설명한다. 중앙부에는 상기 투광부(63)가 설치되어 있다. 투광부(63)의 주위에는 수광부(64)가 설치되어 있다. 수광부(64)는, 예를 들어, 급전용 웨이퍼(6)의 방향에 따르지 않고, 센서용 웨이퍼(8)에 설치되는 투광부(83)의 광을 수광할 수 있도록 둘레 방향에 복수 설치되어 있다. 이 수광부(64) 및 투광부(83)는 급전용 웨이퍼(6)로부터 센서용 웨이퍼(8)에의 비접촉 급전의 계속 및 정지를 제어하는 역할을 갖는다.

또한, 예를 들어 수광부(64)의 직경 방향 외측에는, 예를 들어 급전용 웨이퍼(6)의 둘레 방향을 따라서 복수의 자기 센서(65)가 설치되어 있다. 자기 센서(65)는 센서용 웨이퍼(8)에 설치되는 자석(81)에 대응한다. 자기 센서(65)는 자석(81)의 위치, 즉 센서용 웨이퍼(8A 내지 8C)의 위치를 검출하여, 급전용 웨이퍼(6)로부터 센서용 웨이퍼(8)에의 비접촉 급전(무선 급전)의 개시의 트리거의 역할을 갖는다. 또한, 급전용 웨이퍼(6)의 표면에는 급전용 코일(6A)이 설치되어 있다. 도면 중 화살표로 끌어낸 앞에 도시한 바와 같이, 급전용 코일(6A)은 도선이 평면 형상으로 권회된 평면형 코일이다.

급전용 웨이퍼(6)의 이면에 대해서 설명한다. 상기 이면에는 축전부를 구성하는 다수의 전기 이중층 캐패시터(66)가 설치되어 있고, 이 전기 이중층 캐패시터(66)에 대기 모듈(4)로부터 공급되는 전력이 축적된다. 전기 이중층 캐패시터(66)는 충방전을 고속으로 행할 수 있고, 센서용 웨이퍼(8)에 빠르게 충전을 행할 수 있으므로, 모듈의 데이터의 취득 시간의 단축을 도모할 수 있다. 또한, 급전용 웨이퍼(6)의 이면에는 예를 들어 링 형상의 전극(60)이 설치되어 있다. 이 전극(60)이 대기용 모듈(4)의 급전 핀(48)에 접촉하고, 급전 핀(48)으로부터 송전된 전력이 전극(60)을 거쳐서 전기 이중층 캐패시터(66)에 공급된다.

도 9는 급전용 웨이퍼(6)의 개략적인 회로도이다. 상기 급전 코일(6A) 및 상기 전극(60)에는 수전 회로(67) 및 송전 회로(68)가 각각 접속되어 있고, 수전 회로(67) 및 송전 회로(68) 중 어느 한쪽이 후술하는 충방전 제어 회로(69)에 접속되도록 스위치(SW3)가 설치되어 있다. 투광부(63) 및 수광부(64)는 충방전 제어 회로(69)에 접속되고, 또 자기 센서(65)는 자극 검출 회로(71)를 거쳐서 충방전 제어 회로(69)에 접속되어 있다. 수광부(64) 및 자극 검출 회로(71)로부터의 출력 에 기초하여 충방전 제어 회로(69)는 스위치(SW3)의 전환을 제어한다.

복수의 병렬로 접속된 전기 이중층 캐패시터(66)에 의해 1개의 병렬부(72)가 구성되고, 복수의 병렬부(72)를 직렬 접속함으로써 전원부(70)가 구성되어 있다. 이 전원부(70)(제2 전원부)를 충전할 때에, 전극(60)이 수전 회로(67)를 거쳐서 상기 전원부(70)에 접속되도록 스위치(SW3)가 바뀐다. 센서용 웨이퍼(8)를 충전할 때에는 급전 코일(6A)이 송전 회로(68)를 거쳐서 상기 전원부(70)에 접속되도록 스위치(SW3)가 바뀐다. 전원부(70) 및 전류 검출부(73)는 직렬로 충방전 제어 회로(69)에 접속되어 있다. 충방전 제어 회로(69)는 전류 검출부(73)로부터의 출력에 의해 전원부(70)가 만충전이 되어 있는지 아닌지를 판정하고, 투광부(63)로부터의 투광을 제어한다.

또한, 급전용 웨이퍼(6)는 각 전기 이중층 캐패시터(66)의 충전의 치우침을 억제하는 충전 밸런스 회로(74)와 승압 회로(75)를 구비하고 있다. 자기 센서(65)는 자극 검출 회로(71)를 거쳐서 충방전 제어 회로(69)에 접속되어 있다. 센서용 웨이퍼(8)의 자석(81)의 자력을 검출하면 자기 센서(65)가 ON이 되고, 검출한 자력에 따라서 신호를 자극 검출 회로(71)에 출력한다. 자극 검출 회로(71)는 자기 센서(65)로부터의 출력 신호에 따라서 검출 신호를 장치 컨트롤러(54)에 출력하고, 장치 컨트롤러(54)가 자력의 강도를 검출한다.

계속해서 센서용 웨이퍼(8)에 대해서 설명한다. 센서용 웨이퍼(8A 내지 8C)는 탑재되어 있는 센서의 종류가 다른 이외에는 각각 마찬가지로 구성되어 있고, 여기서는 대표로 센서용 웨이퍼(8A)에 대해서 설명한다. 센서용 웨이퍼(8A)는, 예를 들어 가속도 센서를 구비하고, 배경 기술의 항목에서 설명한 바와 같이, 스핀 척(22)의 회전 중심의 위치를 검출한다. 도 10(a), (b)는 센서용 웨이퍼(8A)의 표면(a), 이면(b)을 각각 도시하고 있다. 센서용 웨이퍼(8A)에는 급전용 웨이퍼(6)의 자기 센서(65)에 대응하는 예를 들어 링 형상의 자석(81)이 매립되어 있다.

센서용 웨이퍼(8A)의 표면에 대해서 설명한다. 상기 표면에는 가속도 센서(86A)를 포함하는 회로 유닛(86)이 설치되어 있다. 가속도 센서(86A)는 센서용 웨이퍼(8A)의 중심에 위치하고, 검사 웨이퍼(8A)가 스핀 척(22) 상에서 회전하고, 가속도 센서(86A)에 가속도가 작용하면, 센서용 웨이퍼(8A)는 그 가속도에 따른 신호를 장치 컨트롤러(54)에 출력한다. 장치 컨트롤러(54)는 이 신호에 기초하여 스핀 척(22)의 회전 중심을 연산한다.

또한, 센서용 웨이퍼(8A)의 표면에는 전기 이중층 캐패시터(84)가 설치되어 있다. 이 전기 이중층 캐패시터(84)는 급전용 웨이퍼(6)로부터 공급되는 전력을 축전하는 축전부를 구성한다. 전기 이중층 캐패시터(84)는 전기 이중층 캐패시터(66)와 마찬가지로 충방전을 고속으로 행할 수 있고, 빠르게 급전용 웨이퍼(6)에 의해 충전되므로, 모듈의 데이터의 취득 시간의 단축을 도모할 수 있다.

계속해서, 센서용 웨이퍼(8A)의 이면에 대해서 설명한다. 상기 이면에는 각각이 급전용 웨이퍼(6)의 수광부(64)와 쌍을 이루어 대향하는 복수의 투광부(83)가 둘레 방향에 배치되어 있다. 또한, 도 5에서는 투광부(83)의 표시는 생략되어 있다. 또한, 센서용 웨이퍼(8A)의 둘레 방향에 복수의 수전 코일(82)이 나열되어 있다. 수전 코일(82)은 도면 중에 화살표로 끌어낸 앞에 도시한 바와 같이 평면형 코일이다. 상술한 급전용 코일(6A)과 급전용 웨이퍼(6) 표면의 사이 및 수전 코일(82)과 센서용 웨이퍼(8A)의 사이에는, 예를 들어 도시하지 않은 자성 시트 및 금속 시트가 적층되어 있고, 후술하는 바와 같이 무선 급전을 행할 때에 자계, 전계에 의한 불필요한 복사가 억제되도록 되어 있다.

도 11은 센서용 웨이퍼(8A)의 개략적인 회로도이며, 이 도면도 참조하면서 설명을 계속한다. 수전 코일(82)은 수전 회로(87)를 거쳐서 충방전 제어 회로(88)에 접속되어 있고, 투광부(83)는 충방전 제어 회로(88)에 접속되어 있다. 급전용 웨이퍼(6)와 마찬가지로 전기 이중층 캐패시터(84)는 서로 접속되어 전원부(90)를 구성하고 있다. 단, 이 전원부(90)(제1 전원부)의 용량은, 하나의 모듈에 관한 데이터 수집을 행하기 위해서 필요한 전력이 축적되도록 설정되어 있으며, 급전용 웨이퍼(6)의 전원부(70)의 용량보다도 작다. 또한, 급전용 웨이퍼(6)와 마찬가지로 전원부(90)에는 충전 밸런스 회로(92)가 접속되어, 각 전기 이중층 캐패시터(84)에의 충전의 치우침을 억제한다.

이 센서용 웨이퍼(8A)에 있어서도, 급전용 웨이퍼(6)와 마찬가지로 충방전 제어 회로(88)와 전원부(90)의 사이에는 전류 검출부(91)가 설치되어 있다. 전류 검출부(91)로부터의 출력에 의해, 충방전 제어 회로(88)는 전원부(90)가 만충전이 되어 있는지 아닌지를 판정하고, 투광부(83)로부터의 투광의 온 오프를 제어한다.

전원부(90)의 후단에는 승압 회로(93)가 설치되어 있고, 전원부(90)로부터의 입력 전압보다도 높은 출력 전압이 승압 회로(93)를 거쳐서 후단의 제어 회로(95)에 출력된다. 제어 회로(95)에는 가속도 센서(86A)를 구성하는 센서 회로(96) 및 통신 회로(97)가 접속되어 있다. 제어 회로(95)는 센서 회로(96)로부터 통신 회로(97)에의 출력을 제어하고, 센서 회로(96)에 의해 취득된 데이터는 제어 회로(95)를 거쳐서 통신 회로(97)에 입력되어 안테나(98)로부터 장치 컨트롤러(54)에 송신한다. 제어 회로(95), 통신 회로(97) 및 안테나(98)는 전원부(90)로부터의 전력 공급을 받아서 데이터를 송신하는 무선 송신부를 구성한다.

센서용 웨이퍼(8B)는 가속도 센서(86A) 대신에, 예를 들어 각 층의 가열 모듈에 있어서의 웨이퍼의 가열 온도의 데이터를 취득하기 위한 온도 센서를 구비하고 있다. 이 가열 온도의 데이터란, 구체적으로는, 예를 들어, 가열 모듈의 가열 처리 프로세스중에 있어서의 웨이퍼의 전체 온도 변화를 프로세스 시간에 대응시켜서 기록한 데이터이다. 또한, 센서용 웨이퍼(8C)는 가속도 센서(86A) 대신에, 예를 들어 각 모듈의 습도 및 풍속을 측정하기 위한 습도 센서 및 풍속 센서를 구비하고 있고, 모듈의 프로세스중의 습도 상태, 프로세스중에 흐르는 기류의 방향 및 풍속을 각각 측정한다. 센서 및 센서에 의해 취득하는 데이터의 차이를 제외하고 각 센서용 웨이퍼(8)는 서로 마찬가지로 구성되어 있다.

센서용 웨이퍼(8)에 탑재하는 센서 및 취득하는 모듈의 데이터의 종류에 관해서는 상기의 예에 한정되지 않는다. 예를 들어, 센서용 웨이퍼는 기울기 센서를 구비하고, 모듈에 반송되어서 모듈 설치 상태의 기울기 데이터를 취득하도록 구성되어 있어도 된다. 이와 같이 센서용 웨이퍼는 프로세스 파라미터를 조정하기 위한 데이터 및 최적인 프로세스를 실행하기 위한 설정값을 검증하기 위한 데이터를 취득한다. 사용자는 측정의 용도에 따라서 사용하는 센서용 웨이퍼를 설정하여 선택한다.

도 12에 도시한 바와 같이 상부 포크(35), 하부 포크(36)에 각각 센서용 웨이퍼(8A), 급전용 웨이퍼(6)가 보유 지지된다. 베이스(34)가 반송 영역(R1)을 이동할 때에 상부 포크(35) 및 하부 포크(36)는 도 12에 도시하는 후퇴 위치에 있고, 센서용 웨이퍼(8A) 및 급전용 웨이퍼(6)가 서로 겹친다. 이 때, 도 13에 도시한 바와 같이 급전용 웨이퍼(6)의 각 자기 센서(65) 상에 센서용 웨이퍼(8A)의 자석(81)이 위치하고, 또 1차측 코일인 급전 코일(6A) 상에 2차측 코일인 수전 코일(82)이 위치한다.

이와 같은 위치 관계가 이루어졌을 때에, 충방전 제어 회로(69)가 각 자기 센서(65)를 거쳐서 검출하는 자력이 임계값을 초과하고, 상기 충방전 제어 회로(69)의 접속이 수전 회로(67)에서 송전 회로(68)로 바뀐다. 그리고, 전원부(70)로부터 급전 코일(6A)에 전류가 흘러 급전 코일(6A)의 주위에 자속이 형성된다. 도 13의 쇄선의 화살표는 이 자속을 나타내고 있고, 전자기 유도에 의해 센서용 웨이퍼(8A)의 수전 코일(82)에 기전력이 발생하고, 센서용 웨이퍼(8A)의 전원부(90)에 전류가 흘러 상기 전원부(90)가 충전된다.

계속해서, 도 15를 참조하면서, 도포, 현상 장치(1)에 전원이 투입되었을 때에, 대기 모듈(4)에서 급전용 웨이퍼(6)가 충전되는 플로우에 대해서 설명한다. 흐름도 중 점선으로 구획한 좌측 및 우측은 대기 모듈(4)의 동작 및 급전용 웨이퍼(6)의 동작을 각각 나타내고 있다. 또한, 도 16은 급전용 웨이퍼(6), 센서용 웨이퍼(8A) 각각의 충전량의 변화를 나타내는 그래프이다. 이 그래프의 횡축은 시간을 나타내고, 그래프의 종축은 충전량(mAh)을 나타내고 있다. 종축의 점(P1, P2)은 센서용 웨이퍼(8A)의 만충전 레벨, 급전용 웨이퍼(6)의 만충전 레벨을 각각 나타내고 있다. 이 도 16도 참조하면서 설명을 행한다.

도포, 현상 장치(1)에 전원이 투입될 때에는, 도 5에 도시한 바와 같이 각 센서용 웨이퍼(8) 및 급전용 웨이퍼(6)는 대기 모듈(4)에서 대기하고 있고, 급전용 웨이퍼(6)의 전극(60)이 수전 회로(67)를 거쳐서 전원부(70)에 접속되어 있다. 또한, 대기 모듈(4)의 급전 핀(48)이 상기 전극(60)에 접촉하고 있다. 그리고, 도포, 현상 장치(1)에 전원이 투입되면, 대기 모듈(4)의 각 자기 센서(45)가 급전용 웨이퍼(6)의 자석(62)의 자력을 검출해서 ON이 되고(스텝S11), 상기 전극(60)에 송전되고(스텝S12, 도 16 중 시각(t1)), 급전용 웨이퍼(6)의 전원부(70)가 충전되어서 투광부(63)로부터 투광된다(스텝S14). 대기 모듈(4)의 수광부(64)가 투광부(63)로부터의 광을 수광하고, 급전 핀(48)에의 송전이 계속된다.

급전용 웨이퍼(6)의 충방전 제어 회로(69)는 전원부(70)가 만충전이 되어 있는지 아닌지를 판정하고(스텝S15), 만충전이 되어 있지 않다고 판정한 경우, 투광부(63)로부터의 투광이 계속되고, 전원부(70)에의 충전이 계속된다. 전원부(70)가 만충전이 되어 있다고 판정되면(도 16 중 시각(t2)), 투광부(63)로부터의 투광이 정지하고(스텝S16), 그것에 의해 대기 모듈(4)의 수광부(64)의 수광이 정지하면(스텝S17), 급전 핀(48)에의 송전이 정지되고(스텝S18), 급전용 웨이퍼(6)가 만충전된 것을 나타내는 만충전 신호가 장치 컨트롤러(54)에 송신된다(스텝S19).

계속해서, 충전된 급전용 웨이퍼(6)와 센서용 웨이퍼(8A)를 반송하면서 각 액 처리 모듈의 검사를 행하는 공정에 대해서, 상기의 도 16의 타임차트에 보태어 도 17의 흐름도와 도 18 내지 도 20의 반송 아암(G2)의 동작 도면을 참조해서 설명한다. 도 17의 흐름도 중 점선으로 구획한 좌측 및 우측은 급전용 웨이퍼(6)의 동작 및 센서용 웨이퍼(8A)의 동작을 각각 나타내고 있다. 센서용 웨이퍼(8A) 및 급전용 웨이퍼(6)는 제품 웨이퍼(W)와 동일한 경로로 각 층(BCT, COT, DEV) 내로 반송된다. 단, 각 층에 있어서는, 제품 웨이퍼(W)의 경우와 달리 센서용 웨이퍼(8A) 및 급전용 웨이퍼(6)는 모든 액 처리 모듈에 순차 반송되지만, 선반 유닛(U1 내지 U5)을 구성하는 가열 모듈에는 반송되지 않는다.

예를 들어 웨이퍼(W)의 처리가 정지되어 있을 때에, 사용자가 도시하지 않은 조작부로부터 소정의 조작을 행하여 센서용 웨이퍼(8A)에 의한 데이터의 취득을 지시한다. 이 때, 예를 들어 장치 컨트롤러(54)가 급전용 웨이퍼(6)로부터의 만충전 신호를 수취하고 있으면, 빠르게 데이터의 취득이 개시된다. 만충전 신호를 수취하지 않고 있으면, 만충전 신호를 수취했을 때에 데이터의 취득이 개시된다.

우선, 전달 아암(12)에 의해 급전용 웨이퍼(6)가 대기 모듈(4)로부터 전달 모듈(BF1)에 반송되고, 반송 아암(G2)의 하부 포크(36)가 전진 위치에서 상기 급전용 웨이퍼(6)를 수취하고(스텝S21, 도 18(a)), 후퇴 위치로 이동한다(도 18(b)). 계속해서, 전달 아암(12)에 의해 센서용 웨이퍼(8A)가 대기 모듈(4)로부터 전달 모듈(BF1)에 반송되고, 반송 아암(G2)의 상부 포크(35)가 전진 위치에서 상기 급전용 웨이퍼(6)를 수취하고(스텝S22, 도 18(c)), 후퇴 위치로 이동한다.

포크(35, 36)가 서로 겹치고, 급전용 웨이퍼(6) 상에 센서용 웨이퍼(8)가 위치하면(스텝S23, 도 18(d)), 급전용 웨이퍼(6)의 자석(62)의 자력에 의해 각 자기 센서(65)가 ON이 되고(스텝S24), 급전 코일(6A)이 송전 회로(68)를 거쳐서 전원부(70)에 접속되고, 전원부(70)로부터 급전용 웨이퍼(6)의 급전 코일(6A)에 송전되어서 코일(6A)의 주위에 자속이 발생한다(스텝S25, 도 16 중 시각(t3)). 반송 아암(G2)의 베이스(34)는 전달 모듈(BF1)의 바로 앞으로부터 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)의 바로 앞을 향해서 이동한다(도 19(a)).

상술한 바와 같이, 전자기 유도에 의해 수전 코일(82)에 전류가 발생하고, 센서용 웨이퍼(8A)의 전원부(90)가 충전되고(스텝S26), 센서용 웨이퍼(8A)의 투광부(83)로부터 투광된다(스텝S27). 급전용 웨이퍼(6)의 수광부(64)가 수광되어 급전 코일(6A)에의 송전이 계속된다.

센서용 웨이퍼(8A)의 충방전 제어 회로(88)는 전원부(90)가 만충전이 되어 있는지 아닌지를 판정하고(스텝S28), 만충전이 되어 있지 않다고 판정한 경우, 투광부(83)로부터의 투광이 계속되어 전원부(90)에의 충전이 계속된다. 전원부(90)가 만충전이 되었다고 판정되면, 충방전 제어 회로(88)는 투광부(83)로부터의 투광을 정지하고(스텝S29), 급전용 웨이퍼(6)의 수광부(64)의 수광이 정지한다(스텝S30). 그러자 급전용 웨이퍼(6)의 전극(60)이 수전 회로(67)를 거쳐서 전원부(70)에 접속되어 급전 코일(6A)에의 송전이 정지한다(스텝S31, 도 16 중 시각(t4)). 센서용 웨이퍼(8A)의 안테나(98)로부터 장치 컨트롤러(54)에, 모듈에 반송해서 검사를 행하는 것이 가능한 취지를 나타내는 반송 가능 신호가 출력된다(스텝S32).

장치 컨트롤러(54)는 반송 가능 신호를 받으면, 반송 신호를 출력하고, 상부 포크(35)가 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)에 전진하고, 스핀 척(22)에 센서용 웨이퍼(8A)가 전달된다(도 19(b), 도 16 중 시각(t5)). 스핀 척(22)이 소정의 각 속도로 회전하여 얻어진 검출 데이터가, 장치 컨트롤러(54)에 안테나(98)를 거쳐서 송신된다(도 19(c)). 그리고, 장치 컨트롤러(54)가 데이터의 해석을 행하고, 가속도 센서(86A)에 작용하는 가속도를 검출하고, 또한 그 가속도에 기초하여 스핀 척(22)의 회전 중심과 센서용 웨이퍼(8A)의 회전 중심의 편심 거리를 연산한다. 스핀 척(22)의 회전 정지 후, 상부 포크(35)에 의해 센서용 웨이퍼(8A)의 위치를 어긋나게 하여 재차 동일한 검사를 행한다.

소정의 횟수 반복해서 검사가 행해지고, 장치 컨트롤러(54)는 복수의 편심 거리 데이터에 기초하여 스핀 척(22)의 회전 중심의 좌표를 특정한다. 검사 종료 후(도 16 중 시각(t6)), 센서용 웨이퍼(8A)는 전진한 상부 포크(35)에 전달되고, 상부 포크(35)가 후퇴해서 센서용 웨이퍼(8A)와 급전용 웨이퍼(6)가 겹치고(도 19(d), 도 16 중 시각(t7)), 상기 스텝S24 내지 S32의 순서에 따라서 센서용 웨이퍼(8A)가 충전되면서 반송 아암(G2)의 베이스(34)가 다른 반사 방지막 형성 모듈(BCT2)의 바로 앞으로 이동한다. 센서용 웨이퍼(8A)의 충전이 완료되면(도 16 중 시각(t8)), 센서용 웨이퍼(8A)는 반사 방지막 형성 모듈(BCT2)의 스핀 척(22)에 전달되고(도 19(e), 도 16 중 시각(t9)), 이후는 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)에서 행해진 순서와 동일한 순서에 의해 반사 방지막 형성 모듈(BCT2)의 검사가 행해진다.

반사 방지막 형성 모듈(BCT2)의 검사 후에도 센서용 웨이퍼(8A)는 하나의 액 처리 모듈에 관한 검사가 끝날 때마다 급전용 웨이퍼(6)에 의해 충전되어 다음 액 처리 모듈에 전달된다. 그리고, 센서용 웨이퍼(8A) 및 급전용 웨이퍼(6)는 BCT층(B2)→COT층(B3)→DEV층(B1)의 순서대로 반송되고, 모든 액 처리 모듈에 대해서 검사를 종료하면, 급전용 웨이퍼(6)는 반송 아암(G1)의 하부 아암(36)으로부터 전달 모듈(BF7)에 전달된다.

그 후, 급전용 웨이퍼(6)는 전달 아암(12)에 의해 대기 모듈(4)에 반송되고(도 16 중 시각(t10)), 스텝S11 내지 스텝S19의 순서에 따라서 재충전된다. 센서용 웨이퍼(8A)는 반송 아암(G1)의 하부 아암(36)으로부터 급전용 웨이퍼(6)와 마찬가지로 전달 모듈(BF7)을 거쳐서 대기 모듈(4)에 반송되어 그곳에서 대기한다. 검사 종료 후, 제품 웨이퍼(W)가 반송될 때에는, 상기의 검사에 의해 특정된 좌표에 기초하여 제품 웨이퍼(W)의 회전 중심이 스핀 척(22)의 회전 중심에 일치하도록 장치 컨트롤러(54)가 웨이퍼(W)의 반송을 제어한다.

센서용 웨이퍼(8B)는 각 층의 액 처리 모듈 대신에 각 층의 가열 모듈에 순차 반송되고, 상기 가열 모듈에 있어서의 웨이퍼의 가열 온도의 데이터를 취득한다. 센서용 웨이퍼(8C)는, 예를 들어 액 처리 모듈 및 가열 모듈을 포함하는 웨이퍼에 처리를 행하는 모든 모듈에 반송되고, 풍속 및 습도 등의 데이터를 취득한다.

상술한 제1 실시 형태에 있어서는, 하부 포크(36)에 급전용 웨이퍼(6)를 보유 지지하고, 1개의 액 처리 모듈에서의 검사가 끝날 때마다 급전용 웨이퍼(6)로부터 센서용 웨이퍼(8A)에 전력이 공급되어 센서용 웨이퍼(8A)가 충전된다. 따라서, 센서용 웨이퍼(8A)에 탑재하는 전원부(90)의 용량은 작아도 좋으므로, 센서용 웨이퍼(8A)의 무게나 두께의 증가를 억제할 수 있다. 이로 인해, 액 처리 모듈에서의 검사 시에 검출하는 가속도를 실제의 웨이퍼(W)의 처리 시의 가속도로 근접시킬 수 있으므로, 정밀도 높은 검사 데이터를 얻을 수 있다. 또한, 센서용 웨이퍼를 반송 아암(G)에 의해 자동으로 반송할 수 있으므로, 효율적으로 검사 데이터의 취득을 행할 수 있다.

또한, 센서용 웨이퍼의 무게나 두께를 제품 웨이퍼에 근접시킬 수 있으므로, 센서용 웨이퍼(8B)에 의해 웨이퍼의 온도 변화를 측정할 때에 제품 웨이퍼(W)의 온도 변화와 가까운 데이터를 얻을 수 있다. 또 센서용 웨이퍼의 두께를 제품 웨이퍼에 근접시킬 수 있으므로, 센서용 웨이퍼(8C)를 모듈에 반입했을 때의 상기 모듈의 분위기를 제품 웨이퍼(W) 반입 시의 분위기에 근접시킬 수 있으므로, 정밀도 높게 모듈 내의 풍속 및 습도를 측정할 수 있다.

또한, 이 실시 형태에서는 센서용 웨이퍼(8)의 전원부(90)가 만충전이 된 후, 상기 센서용 웨이퍼(8)가 모듈에 반송된다. 따라서, 모듈에 있어서 데이터 취득중에 전원부(90)의 전력이 적어짐으로써 데이터의 정밀도가 저하되는 것을 방지할 수 있다.

또한, 이 예에서는 센서용 웨이퍼(8) 및 급전용 웨이퍼(6)의 전원부(70, 90)를 웨이퍼로부터 제거해서 충전할 필요가 없고, 자동으로 각 전원부(70, 90)에 충전할 수 있으므로, 검사의 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 전원부(70, 90)를 구성하는 전기 이중층 캐패시터(84)는 충방전을 고속으로 행할 수 있으므로, 검사 시간의 단축을 도모할 수 있다는 이점이 있다. 전기 이중층 캐패시터(84)는 리튬 이온 2차 전지와 같은 화학 반응형의 전지에 비해, 스핀 척(22)으로 회전중에 원심력에 의해 액 누설될 우려가 적으므로, 취급이 용이하다는 이점이 있다.

상기의 예에서는, 1개의 액 처리 모듈의 검사를 행할 때마다 센서용 웨이퍼(8A)에 충전을 행하고 있지만, 1개의 액 처리 모듈을 검사함에 있어서 복수회 충전을 행해도 된다. 예를 들어, 스핀 척(22)에 대한 센서용 웨이퍼(8A)의 위치를 어긋나게 하기 위해서 상부 포크(35)가 센서용 웨이퍼(8A)를 수취한 후, 상부 포크(35)를 일단 후퇴시켜서 센서용 웨이퍼(8A)에 충전을 행하고, 그 후에 상기 스핀 척(22)에 다시 센서용 웨이퍼(8A)를 전달해도 된다. 이 경우, 센서용 웨이퍼(8A)를 또한 경량화할 수 있다는 이점이 있다.

(제2 실시 형태)

다음에, 제2 실시 형태에 대해서 제1 실시 형태와의 차이점을 중심으로 설명한다. 제2 실시 형태에서는, 센서용 웨이퍼(8)는 하부 포크(36)에 의해 반송된다. 그리고, 하부 포크(36)에 지지된 센서용 웨이퍼(8)와 베이스(34)가 근접하고, 반송 아암의 베이스(34)로부터 전자기 유도에 의해 센서용 웨이퍼(8)가 충전된다. 이 제2 실시 형태에 있어서의 도포, 현상 장치(1)의 데이터 취득 방법에 관한 부분의 개략 구성은 도 20에 도시되어 있고, 이 개략 구성은 급전 핀(48) 대신에 급전 코일(47)이 송전 회로에 접속되어 있는 것을 제외하면, 제1 실시 형태의 도포, 현상 장치(1)의 개략 구성과 동일하다. 급전 코일(47)은 제1 실시 형태의 급전 코일(6A)과 마찬가지로 구성되어 있다.

도 21은 반송 아암(G2)의 베이스(34)를 도시하고 있다. 제1 실시 형태에서는 대기 모듈(4)에 설치되어 있던 수광부(44), 자기 센서(45), 급전 코일(47)이 상기 베이스(34)에 설치되어 있다. 도 22에 도시한 바와 같이 하부 포크(36)가 후퇴 위치에 있을 때에, 수광부(44)는 센서용 웨이퍼(8)의 투광부(83)로부터의 광을 수광한다. 또한, 하부 포크(36)가 후퇴 위치에 있을 때에, 급전 코일(47) 상에 센서용 웨이퍼(8)의 수전 코일(82)이 위치하고, 급전 코일(47)과 수전 코일(82)의 사이의 전자기 유도에 의해 센서용 웨이퍼(8A)를 충전할 수 있게 되어 있다. 또한, 하부 포크(36)가 후퇴 위치에 있을 때에, 각 자기 센서(45)는 센서용 웨이퍼(8)의 자석(81)의 자력을 검출할 수 있게 되어 있다. 이 경우, 급전 코일(47)이 수전 코일에 전력을 공급하는 제2 전원부의 역할을 갖는다.

제2 실시 형태에서는, 모듈로부터 하부 포크(36)가 전진 위치에서 센서용 웨이퍼(8)를 수취하고, 후퇴 위치로 이동하면, 베이스(34)의 각 자기 센서(45)가 ON이 되고, 상술한 스텝S25 내지 스텝S32와 동일한 순서에 따라서 센서용 웨이퍼(8)가 충전된다. 이 제2 실시 형태에 있어서도 제1 실시 형태와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 단, 제1 실시 형태에서는, 반송 아암(G)에 자기 센서나 센서용 웨이퍼(8)에 급전하기 위한 코일 등의 급전부를 설치할 필요가 없으므로, 반송 아암(G)의 대형화나 메인터넌스의 복잡화를 방지할 수 있으므로, 제1 실시 형태 쪽이 보다 바람직하다.

(제3 실시 형태)

다음에, 제3 실시 형태에 대해서 제1 실시 형태와의 차이점을 중심으로 설명한다. 도 23은 제3 실시 형태에 관한 급전용 웨이퍼(6)의 개략 회로 구성을 도시하고 있다. 제3 실시 형태에서는, 센서용 웨이퍼(8)에의 급전의 계속 및 정지의 타이밍을 무선으로 제어하므로, 수광부(64) 및 투광부(63)가 설치되어 있지 않다. 그 대신에, 전원부(70)의 후단에는 제어 회로(101)를 거쳐서 통신 회로(102)가 설치되어 있고, 통신 회로(102)에는 안테나(103)가 접속되어 있다. 또한, 도시는 생략하고 있지만, 센서용 웨이퍼(8)에는 수광부(64)와 쌍을 이루는 투광부(83)가 설치되어 있지 않다.

반송 아암(G)의 상부 포크(35) 및 하부 포크(36)의 구동 제어부(도시하지 않음)는 베이스(34) 상의 위치에 따른 위치 신호를 장치 컨트롤러(54)에 출력한다. 이 제3 실시 형태에서는, 센서용 웨이퍼(8)의 충전을 개시하는 타이밍의 제어는 센서용 웨이퍼(8)의 자력의 검출에 따르지 않고, 각 포크(35, 36)로부터의 상기 위치 신호에 기초해서 행해진다.

급전용 웨이퍼(6)로부터 센서용 웨이퍼(8)에의 충전에 대해서, 제1 실시 형태와의 차이점을 설명한다. 센서용 웨이퍼(8A)를 수취한 상부 포크(35)가 후퇴 위치로 이동하면, 그 취지를 나타내는 위치 신호가 상부 포크(35)로부터 출력되어서 그것을 장치 컨트롤러(54)가 수신한다. 그러자, 도포, 현상 장치(1)의 안테나(55)를 거쳐서 충전 개시를 지시하는 신호가 급전용 웨이퍼(6)의 안테나(103)에 무선 송신되고, 급전용 웨이퍼(6)로부터 센서용 웨이퍼(8)에의 충전이 개시된다. 만충전이 되면, 센서용 웨이퍼(8)는 안테나(98)를 거쳐서 상기 안테나(103)에 충전 정지 신호를 무선 송신하고, 급전용 웨이퍼(6)로부터의 충전이 정지한다.

대기 모듈(4)로부터 급전용 웨이퍼(6)에 충전을 행하는 경우에도, 급전용 웨이퍼(6)로부터 센서용 웨이퍼(8)에 충전을 행하는 경우와 마찬가지로 무선 통신을 이용하여 충전의 계속 및 정지를 제어할 수 있다. 예를 들어, 전달 아암(12)의 구동 제어부(도시하지 않음)가 전달 아암(12)의 위치에 따라서 위치 신호를 출력하도록 하여, 급전용 웨이퍼(6)가 대기 모듈(4)에 반입되었을 때에 대기 모듈(4)로부터 급전용 웨이퍼(6)에의 충전이 개시되도록 해도 된다. 이 제3 실시 형태에 따르면, 자석, 자기 센서, 수광부 및 투광부가 불필요해지므로, 대기 모듈, 급전용 웨이퍼 및 센서용 웨이퍼의 구조가 간소화되므로 바람직하다. 단, 제1 실시 형태와 같이 자석 및 자기 센서가 설치되어 있는 경우에는, 반송 아암(G) 및 전달 아암(12)이 웨이퍼(W)를 떨어뜨렸을 경우에, 전력을 1차측의 코일이나 급전 핀(48)에 불필요하게 공급하는 것을 방지할 수 있으므로, 이 점에 있어서는 제1 실시 형태가 유리하다. 또한, 제2 실시 형태에 있어서도, 이 제3 실시 형태와 마찬가지로 전달 아암의 위치 신호에 기초하여 충전의 개시를 제어해도 된다.

상기의 각 실시 형태에 있어서는, 광 센서를 이용해서 센서용 웨이퍼(8)에의 충전 정지의 타이밍을 제어하고 있지만, 이것에는 한정되지 않는다. 예를 들어, 급전용 웨이퍼(6)에, 센서용 웨이퍼(8)로 전력을 공급할 때의 부하를 검출하는 부하 검출 회로와, 이 부하 검출 회로에 의해 검출된 부하에 기초하여 센서용 웨이퍼(8)의 전원부(90)가 만충전인지 아닌지를 판정하는 판정 회로를 설치하고, 판정 회로의 판정 결과에 기초하여 센서용 웨이퍼(8)의 급전의 계속 및 정지를 전환할 수 있도록 해도 된다. 또한, 충전의 개시 후, 소정의 시간이 경과하면 자동적으로 충전을 정지하도록 타이머를 급전용 웨이퍼(6)에 설치하여 센서용 웨이퍼(8)에의 충전 시간을 제어해도 된다.

또한, 상기의 각 실시 형태에서, 전원부(70, 90)를 구성하는 충전 가능한 축전부로서, 전기 이중층 캐패시터 대신에 리튬 이온 2차 전지 등의 2차 전지를 사용해도 된다. 단, 상기 2차 전지가 전기 에너지를 화학 반응에 의해 화학 에너지로 변환해서 축적하는 것에 비해, 전기 이중층 캐패시터는 전기를 전하로서 축적하므로, 전기 에너지의 저축, 방전이 고속이다. 따라서, 축전부는 데이터의 취득 효율을 높이기 위해서 전기 이중층 캐패시터를 사용해서 구성하는 것이 바람직하다. 전기 이중층 캐패시터 이외에도 나노 하이브리드 캐패시터나 리튬 이온 캐패시터 등은 동일하게 전기를 전하인 채로 축적하므로, 축전부로서 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 상기의 예에서는 송전측으로부터 수전측으로 전자기 유도를 이용해서 비접촉 급전을 행하고 있지만, 이것 대신에 자계 공명이나 전계 공명을 이용해도 되고, 또한, 전자파 송전을 이용해서 비접촉 급전을 행해도 된다.

상기의 수전 코일(82) 및 급전용 코일(6A)을 상술한 평면형 코일로 하는 대신에, 웨이퍼의 두께 방향에 축선이 연장하는 원통 코일로 하여 구성해도 된다. 단, 평면형 코일로 함으로써 급전용 웨이퍼(6A) 및 센서용 웨이퍼(8)의 두께를 억제할 수 있고, 또 반송 시에 공기 저항이 적으므로 위치 어긋남을 억제할 수 있으므로, 평면형 코일 쪽이 유리하다.

또한, 대기 모듈(4)로부터 급전용 웨이퍼(6)에 비접촉 급전을 행해도 된다. 도 24는 그러한 비접촉 급전을 행할 수 있도록 구성한 급전용 웨이퍼(6)의 개략 구성도이다. 제1 실시 형태의 급전용 웨이퍼(6)와의 차이점으로서, 수전 회로(67) 및 송전 회로(68)와 급전 코일(6A)의 사이에 스위치(SW1, SW2)가 설치되어 있는 것을 예로 들 수 있다.

전원부(70)를 충전할 때에, 급전 코일(6A)이 수전 회로(67)를 거쳐서 충방전 제어 회로(69)에 접속되고, 급전 코일(6A)은 송전 회로(68)에 접속되지 않도록 스위치(SW1 내지 SW3)를 전환할 수 있다. 또한, 센서용 웨이퍼(8)를 충전할 때에는, 급전 코일(6A)이 송전 회로(68)를 거쳐서 충방전 제어 회로(69)에 접속되고, 급전 코일(6A)은 수전 회로(67)에 접속되지 않도록 스위치(SW1 내지 SW3)를 전환할 수 있다. 각 스위치(SW)의 전환은 충방전 제어 회로(69)에 의해 행해진다. 예를 들어, 대기 모듈(4)에 제2 실시 형태의 급전 코일(47)이 설치되고, 급전 코일(47)로부터 급전 코일(6A)에 비접촉 급전이 행해진다. 즉, 이 예에서는 급전 코일(6A)이, 급전용 웨이퍼(6)가 충전될 때에는 2차측 코일, 센서용 웨이퍼(8)를 충전할 때에는 1차측 코일로서 기능한다.

Claims

복수의 기판을 보관한 캐리어를 반입하는 캐리어 블록과, 캐리어 블록으로부터 반입된 기판을 처리하는 복수의 처리 모듈과, 베이스 및 상기 베이스에 진퇴 가능하게 설치된 제1 보유 지지 부재를 구비하는 동시에 상기 복수의 처리 모듈간에서 기판을 반송하기 위한 기판 반송 기구를 구비한 기판 처리 장치에 있어서 데이터를 취득하는 방법에 있어서,
처리 모듈에 관한 데이터를 취득하기 위한 센서부와, 상기 센서부에 전력을 공급하기 위한 충전 가능한 축전부를 포함하는 제1 전원부를 구비한 센서용 기판을, 상기 제1 보유 지지 부재에 의해 보유 지지하는 공정과,
이어서, 상기 제1 보유 지지 부재를 전진시켜서 상기 센서용 기판을 처리 모듈에 전달하는 공정과,
그 후, 상기 센서용 기판의 상기 센서부에 의해 상기 처리 모듈에 관한 데이터를 취득하는 공정과,
상기 제1 보유 지지 부재가 상기 처리 모듈로부터 충전된 전력이 소비된 상기 센서용 기판을 수취해서 후퇴하고, 그 상태에서 상기 베이스와 함께 이동하는 제2 전원부에 의해 비접촉으로 상기 센서용 기판의 상기 제1 전원부를 충전하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항에 있어서,
상기 축전부는 전기 이중층 캐패시터에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항에 있어서,
상기 축전부는 나노 하이브리드 캐패시터에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항에 있어서,
상기 축전부는 리튬 이온 캐패시터에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 반송 기구는 기판을 보유 지지하기 위해서 설치되는 동시에 상기 베이스에 대하여 진퇴 가능한 제2 보유 지지 부재를 구비하고,
상기 제2 전원부는 상기 제2 보유 지지 부재에 보유 지지된 상기 제1 전원부에 충전을 하는 충전용 기판에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
제5항에 있어서,
상기 센서용 기판의 제1 전원부를 충전하는 공정은, 상기 제1 전원부를 충전하기 위한 회로에 접속되는 동시에 상기 센서용 기판에 설치된 수전 코일과, 상기 충전용 기판에 설치된 급전 코일이 서로 대향하도록 센서용 기판을 급전용 기판에 대하여 위치시킨 상태에서 충전을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 전원부는 상기 베이스에 설치되는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
제1 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 센서용 기판이 제2 전원부에 의해 충전되는 충전 위치에 위치하고 있는지의 여부를 판정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 전원부의 충전량이 미리 설정된 설정값으로 되었는지 아닌지를 판정하는 공정과, 상기 제1 전원부의 충전량이 미리 설정된 설정값으로 되었다고 판정되었을 때에, 제1 전원부의 충전을 정지하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제9항에 있어서,
상기 센서용 기판에는 상기 제1 전원부의 전력을 사용해서 투광하는 투광부가 설치되고,
상기 제1 전원부의 충전량이 상기 설정값으로 되었을 때에 상기 투광부로부터의 투광을 정지하는 공정과,
상기 베이스 또는 상기 충전용 기판에는 상기 투광부와 쌍을 이루는 수광부가 설치되고,
상기 투광부로부터의 투광을 상기 수광부가 수광하는 공정을 구비하고,
상기 제1 전원부의 충전량이 상기 설정값으로 되었는지 아닌지의 판정은 상기 수광부의 수광에 기초해서 행해지는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
기판 처리 장치에는 상기 제2 전원부에 충전을 행하기 위한 충전 기구가 설치되고,
상기 충전 기구로부터 제2 전원부에 비접촉으로 충전을 행하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제11 중 어느 한 항에 있어서,
상기 센서용 기판은 상기 제1 전원부로부터 전력의 공급을 받는 무선 송신부를 구비하고, 상기 무선 송신부가 상기 처리 모듈에 관한 데이터를 기판 처리 장치의 수신부에 송신하는 것을 특징으로 하는 방법.
기판 반송 장치로 반송 가능하게 구성된 센서용 기판이며,
처리 모듈에 관한 데이터를 취득하기 위한 센서부와,
상기 센서부에 의해 수집된 상기 데이터를 무선으로 송신하는 송신부와,
상기 센서부 및 상기 송신부에 급전하는 충전 가능한 축전부를 갖는 전원부와,
상기 전원부의 회로와 접속되고, 외부로부터 송전되는 전력을 수전해서 상기 축전부에 공급하기 위한 복수의 수전 코일부를 구비하고,
상기 복수의 수전 코일부는 이 센서용 기판의 평면에 따라서 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 센서용 기판.
제13항에 있어서,
상기 축전부는 전기 이중층 캐패시터에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 센서용 기판.
제13항에 있어서,
상기 축전부는 나노 하이브리드 캐패시터에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 센서용 기판.
제13항에 있어서,
상기 축전부는 리튬 이온 캐패시터에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 센서용 기판.
제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전원부의 전원 전압 또는 상기 전원부로부터 흐르는 전류를 검출하는 검출부와, 이 검출부의 검출 결과에 기초하여 충전 완료의 검지 신호를 출력하는 출력부를 구비한 것을 특징으로 하는 센서용 기판.