TWI476561B - 電壓產生器 - Google Patents

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TWI476561B TW102111156A TW102111156A TWI476561B TW I476561 B TWI476561 B TW I476561B TW 102111156 A TW102111156 A TW 102111156A TW 102111156 A TW102111156 A TW 102111156A TW I476561 B TWI476561 B TW I476561B
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    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities

Description

電壓產生器
本發明是有關於一種電壓產生器，且特別是有關於一種帶隙(band gap)電壓產生器。
感測器技術與人們生活之間的關係已越來越密切。用於感測環境溫度的感測器還可以用在消費性電子裝置的應用中。在未來的增值產品中，於系統內晶片(System On Chip,SOC)中配置精密的溫度感測器可以使產品獲得優勢。這種溫度感測器藉由帶隙電壓產生器來實施，而所述帶隙電壓產生器用於提供獨立於溫度的電壓以及與絕對溫度成比例的電壓。現有技術溫度感測器將參考電壓VREF、與絕對溫度成比例的電壓作比較，以獲得溫度資訊。也就是說，設計一種精密的帶隙電壓產生器十分重要，並且這樣可以精確地檢測出環境溫度。
本發明提供一種電壓產生器，所述電壓產生器用於產生輸出電壓，所述輸出電壓與環境溫度成比例。
本發明所提供的所述電壓產生器包含：第一電流源、第二電流源、第一電阻器、參考電壓產生器、第一放大器以及第二放大器。所述第一電流源根據第一偏壓電壓產生第一電流和第二電流，並且所述第二電流被提供給公共端。所述第一電流和所述第二電流具有第一溫度係數。所述第二電流源根據第二偏壓電壓產生第三電流和第四電流，並且所述第三電流和所述第四電流具有第二溫度係數。所述第一電阻器具有第一端和第二端，所述第一端耦接到第一電流源以接收第一電流。所述第一電阻器在所述第一端上產生輸出電壓。所述參考電壓產生器根據第一電流和第三電流提供第一參考電壓和第二參考電壓。所述第一放大器耦接到參考電壓產生器和第一電流源。所述第一放大器根據第一參考電壓和第二參考電壓產生所述第一偏壓電壓。第二電阻器耦接在第二電流源與參考接地電壓之間，並且所述第二電阻器接收第二電流源以產生第三參考電壓。所述第二放大器耦接到參考電壓產生器和第二電流源。所述第二放大器根據第二參考電壓和第三參考電壓產生所述第二偏壓電壓。其中，第一溫度係數與第二溫度係數是互補的。
基於上述，本發明所提供的所述電壓產生器根據具有第一溫度係數的第二電流以及具有第二溫度係數的第三電流來產生輸出電壓，其中，所述第一溫度係數與所述第二溫度係數是互補的。所提出的電壓產生器可以減少裝置失配因素，並且性能得到了提升。此外，本發明所提供的所述電壓產生器十分簡單並且能 節省更多空間，從而降低主要成本。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100、200、300‧‧‧電壓產生器
110、120、210、220、310、320‧‧‧電流源
130、230、330‧‧‧參考電壓產生器
R1、R2、R3、R4、R5‧‧‧電阻器
AMP1、AMP2‧‧‧放大器
VBIAS1、VBIAS2‧‧‧偏壓電壓
I1、I2、I3、I4‧‧‧電流
CT‧‧‧公共端
VREF‧‧‧電壓
VR1、VR2‧‧‧參考電壓
GND‧‧‧參考接地電壓
VPTAT‧‧‧輸出電壓
M1~M4、T1~T2‧‧‧電晶體
VDD‧‧‧參考電源
E1~E4‧‧‧端點
351、352‧‧‧截波器
CK‧‧‧時脈信號
CKB‧‧‧反相時脈信號
IN11、IN12、IN21、IN22‧‧‧輸入端
SW11-SW14、SW21-SW24‧‧‧開關S
圖1是根據本發明的一個實施例的電壓產生器100的電路圖。
圖2是根據本發明的一個實施例的另一種電壓產生器200的電路圖。
圖3是根據本發明的一個實施例的又一種電壓產生器200的電路圖。
圖4是根據本發明的一個實施例的截波器351的電路圖。
圖5是根據本發明的一個實施例的截波器352的電路圖。
參考圖1，圖1是根據本發明的一個實施例的電壓產生器100的電路圖。電壓產生器100包含電流源110和120、參考電壓產生器130、電阻器R1和R2以及放大器AMP1和AMP2。電流源110根據第一偏壓電壓VBIAS1產生第一電流I1和第二電流I2，並且第二電流I2被提供給公共端CT，並且第一電流I1和第二電流I2具有第一溫度係數。電流源120耦接到公共端CT。電流源120根據第二偏壓電壓VBIAS2產生第三電流I3和第四電流I4。第三電流I3被提供至公共端CT，並且第三電流I3和第四電 流I4具有第二溫度係數。其中，所述第一溫度係數與所述第二溫度係數是互補的。例如，第一溫度係數是正溫度係數，而第二溫度係數是負溫度係數。
由於第一溫度係數與第二溫度係數是互補的，因此公共端CT上的電壓VREF可以與環境溫度無關。
參考電壓產生器130耦接到公共端CT，並且參考電壓產生器130通過公共端CT接收第二電流I2和第三電流I3。此外，參考電壓產生器130根據第二電流I2和第三電流I3產生第一參考電壓VR1和第二參考電壓VR2。放大器AMP1耦接到參考電壓產生器130，並且放大器AMP1的第一輸入端接收第一參考電壓VR1，並且放大器AMP1的第二輸入端接收第二參考電壓VR2。放大器AMP1產生第一偏壓電壓VBIAS1，並且將第一偏壓電壓VBIAS1提供給電流源110。放大器AMP2的第一輸入端接收第二參考電壓VR2，並且放大器AMP2的第二輸入端耦接到電阻器R2與電流源120的連接端。放大器AMP2根據第二參考電壓VR2以及電阻器R2與電流源120的連接端上的電壓來產生第二偏壓電壓VBIAS2。
電阻器R1耦接在電流源110與參考接地電壓GND之間。電阻器R1接收第一電流I1並對應產生輸出電壓VPTAT。如果第一溫度係數是正溫度係數，那麼輸出電壓VPTAT的電壓值正比於環境溫度。此外，電阻器R2耦接在放大器AMP2的第二輸入端與參考接地電壓GND之間。放大器AMP2的第二輸入端上的電 壓值等於第四電流I4的電流電壓值乘以電阻器R2的電阻。
通過將具有負溫度係數的第三電流I3傳送到參考電壓產生器130中。第一電流I1與溫度變化之間的關係曲線的斜率得以增大。當電壓產生器100用作溫度檢測器時，容易實現電壓VREF與輸出電壓VPTAT之間的比較操作。並且，輸出電壓VPTAT可以較不受電壓產生器100中的電子元件的不匹配所影響而獲得較高的準確度。
參考圖2，圖2是根據本發明的一個實施例的另一種電壓產生器200的電路圖。電壓產生器200包含電流源210和220、參考電壓產生器230、電阻器R1和R2以及放大器AMP1和AMP2。電流源210包含電晶體M1和M2。電晶體M1和M2的第一端耦接到參考電源VDD。電晶體M1和M2的控制端耦接到放大器AMP1以接收第一偏壓電壓VBIAS1。電晶體M1和M2的第二端分別產生第一電流I1和第二電流I2。第一電流I1被提供至電阻器R1，並且第二電流I2被提供給公共端CT。
電流源220包含電晶體M3和M4。電晶體M3和M4的控制端耦接到放大器AMP2以接收第二偏壓電壓VBIAS2。電晶體M3和M4的第一端耦接到參考電源VDD。電晶體M3和M4的第二端分別產生第三電流I3和第四電流I4。第三電流I3被提供給公共端CT，並且第四電流I4被提供給端點E3。端點E3是電阻器R2、電流源220以及放大器AMP2的連接端。
參考電壓產生器230包含電阻器R3、R4和R5以及電晶 體T1和T2。電阻器R3耦接在公共端CT與端點E1之間，其中，端點E1耦接到放大器AMP1的第一輸入端。電阻器R1耦接在公共端CT與端點E2之間，其中，端點E2耦接到放大器AMP2的第二輸入端。電阻器R5的第一端耦接到端點E2，並且電阻器R5的第二端耦接到電晶體T2。電晶體T1的第一端耦接到端點E1，電晶體T1的第二端和控制端耦接到參考接地電壓GND。電晶體T2的第二端和控制端耦接到參考接地電壓GND。
電晶體T1和T2被配置成二極體。電晶體T1和T2的第一端可以作為二極體的陽極，並且二極體的陰極耦接到參考接地電壓GND。
參考圖3，圖3是根據本發明的一個實施例的又一種電壓產生器200的電路圖。電壓產生器300包含電流源310和320、參考電壓產生器330、電阻器R1和R2、放大器AMP1和AMP2以及截波器351和352。與電壓產生器200的不同之處在於，電壓產生器300進一步包含截波器351和352。截波器351耦接在參考電壓產生器330與放大器AMP1之間，並且截波器352耦接在放大器AMP2與參考電壓產生器330之間。具體而言，截波器351的兩個輸入端分別耦接到端點E1和端點E2，並且截波器351的兩個輸出端分別耦接到放大器AMP1的第一輸入端IN11和第二輸入端IN12。截波器352的兩個輸入端分別耦接到端點E2和端點E3，並且截波器352的兩個輸出端分別耦接到放大器AMP2的第一輸入端IN21和第二輸入端IN22。截波器351和352分別用於消除 放大器AMP1和AMP2的偏移電壓，並且截波器351和352由時脈信號CK來控制。
參考圖4，圖4是根據本發明的一個實施例的截波器351的電路圖。截波器351包含開關SW11-SW14。開關SW11的第一端耦接到端點E1，開關SW11的第二端耦接到放大器AMP1的第一輸入端IN11。開關SW11由時脈信號CK來控制。開關SW12的第一端耦接到端點E1，開關SW12的第二端耦接到放大器AMP1的第二輸入端IN12。開關SW12由反相時脈信號CKB來控制。其中，時脈信號CK與反相時脈信號CKB是互補的。開關SW13的第一端耦接到端點E2，開關SW13的第二端耦接到放大器AMP1的第一輸入端IN11。開關SW13由反相時脈信號CKB來控制。開關SW14的第一端耦接到端點E2，開關SW14的第二端耦接到放大器AMP1的第二輸入端IN12。開關SW14由時脈信號CK來控制。也就是說，開關SW11與SW14的接通或斷開狀態是相同的，開關SW12與SW13的接通或斷開狀態是相同的，而開關SW11與SW12的接通或斷開狀態是不同的。
參考圖5，圖5是根據本發明的一個實施例的截波器352的電路圖。截波器352包含開關SW21-SW24。開關SW21的第一端耦接到端點E2，開關SW21的第二端耦接到放大器AMP2的第一輸入端IN21。開關SW21由時脈信號CK來控制。開關SW22的第一端耦接到端點E2，開關SW22的第二端耦接到放大器AMP2的第二輸入端IN22。開關SW22由反相時脈信號CKB來控制。開 關SW23的第一端耦接到端點E3，開關SW23的第二端耦接到放大器AMP2的第一輸入端IN21。開關SW23由反相時脈信號CKB來控制。開關SW24的第一端耦接到端點E3，開關SW24的第二端耦接到放大器AMP2的第二輸入端IN22。開關SW24由時脈信號CK來控制。也就是說，開關SW21與SW24的接通或斷開狀態是相同的，開關SW22與SW23的接通或斷開狀態是相同的，而開關SW21與SW22的接通或斷開狀態是不同的。
綜上所述，本發明提供了電流源，以便將具有不同溫度係數的電流提供給參考電壓產生器。第一電流與溫度變化之間的關係曲線的斜率因此而增大。此外，輸出電壓可以在較少遭遇裝置失配的情況下獲得較高的準確度。
100‧‧‧電壓產生器
110、120‧‧‧電流源
130‧‧‧參考電壓產生器
R1、R2‧‧‧電阻器
AMP1、AMP2‧‧‧放大器
VBIAS1、VBIAS2‧‧‧偏壓電壓
I1、I2、I3、I4‧‧‧電流
CT‧‧‧公共端
VREF‧‧‧電壓
VR1、VR2‧‧‧參考電壓
GND‧‧‧參考接地電壓
VPTAT‧‧‧輸出電壓

Claims (10)

  1. 一種電壓產生器，包括：一第一電流源，其根據一第一偏壓電壓產生一第一電流和一第二電流，並且所述第二電流被提供給一公共端，並且所述第一電流和所述第二電流具有一第一溫度係數；一第二電流源，其根據一第二偏壓電壓產生第三電流和第四電流，並且所述第三電流和所述第四電流具有一第二溫度係數；一第一電阻器，其具有第一端和第二端，其第一端耦接到所述第一電流源以接收所述第一電流，所述第一電阻器在所述第一電阻器的第一端產生一輸出電壓；一參考電壓產生器，其根據所述第一電流和所述第三電流提供第一參考電壓和第二參考電壓；一第一放大器，其耦接到所述參考電壓產生器和所述第一電流源，所述第一放大器根據所述第一參考電壓和所述第二參考電壓產生所述第一偏壓電壓；一第二電阻器，其耦接在所述第二電流源與一參考接地電壓之間，所述第二電阻器接收所述第二電流源以產生一第三參考電壓；以及一第二放大器，其耦接到所述參考電壓產生器和所述第二電流源，所述第二放大器根據所述第二參考電壓和所述第三參考電壓產生所述第二偏壓電壓，其中，所述第一溫度係數與所述第二溫度係數是互補的。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電壓產生器，其中，所述第一電流源包括：一第一電晶體，其具有第一端、第二端以及控制端，所述第一電晶體的第一端耦接到一參考電源，所述第一電晶體的控制端接收所述第一偏壓電壓，並且所述第一電晶體的第二端產生所述第一偏壓電壓；以及一第二電晶體，其具有第一端、第二端以及控制端，所述第二電晶體的第一端耦接到所述參考電源，所述第二電晶體的控制端接收所述第一偏壓電壓，並且所述第二電晶體的第二端耦接到所述公共端。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的電壓產生器，其中，所述第二電流源包括：一第一電晶體，其具有第一端、第二端以及控制端，所述第一電晶體的第一端耦接到一參考電源，所述第一電晶體的控制端接收所述第一偏壓電壓，並且所述第一電晶體的第二端產生所述第二偏壓電壓；以及一第二電晶體，其具有第一端、第二端以及控制端，所述第二電晶體的第一端耦接到所述參考電源，所述第二電晶體的控制端接收所述第二偏壓電壓，並且所述第二電晶體的第二端產生所述第四電流。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的電壓產生器，其中，所述參考電壓產生器包括： 一第三電阻器，其耦接在所述公共端與所述第一放大器的第一輸入端之間；一第四電阻器，其耦接在所述公共端與所述第一放大器的第二輸入端之間；一第五電阻器，其具有第一端和第二端，所述第五電阻器的第一端耦接到所述第一放大器的第二輸入端；一第一二極體，所述第一二極體的陽極耦接到所述放大器的第一輸入端，所述第一二極體的陰極耦接到所述參考接地電壓；以及一第二二極體，所述第二二極體的陽極耦接到所述第五電阻器的第二端，所述第二二極體的陰極耦接到所述參考接地電壓。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的電壓產生器，其中，所述第一二極體是一第一電晶體，並且所述第二二極體是一第二電晶體，所述第一電晶體具有第一端、第二端以及控制端，所述第一電晶體的第二端和控制端耦接到所述參考接地電壓，所述第一電晶體的第一端耦接到所述第一放大器的第一輸入端，所述第二電晶體具有第一端、第二端以及控制端，所述第二電晶體的第二端和控制端耦接到所述參考接地電壓，所述第一電晶體的第一端耦接到所述第五電阻器的第二端。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的電壓產生器，其更包括：一截波器，其耦接在所述第一放大器與所述參考電壓產生器之間。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的電壓產生器，其中，所述截波器包括：一第一開關，所述第一開關的第一端接收所述第一參考電壓，所述第一開關的第二端耦接到所述第一放大器的第一輸入端，並且所述第一開關由一時脈信號來控制；一第二開關，所述第二開關的第一端接收所述第一參考電壓，所述第二開關的第二端耦接到所述第一放大器的第二輸入端，並且所述第二開關由一反相時脈信號來控制；一第三開關，所述第三開關的第一端接收所述第二參考電壓，所述第三開關的第二端耦接到所述第一放大器的第一輸入端，並且所述第三開關由所述反相時脈信號來控制；以及一第四開關，所述第四開關的第一端接收所述第二參考電壓，所述第四開關的第二端耦接到所述第一放大器的第二輸入端，並且所述第四開關由所述時脈信號來控制。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的電壓產生器，其進一步包括：一截波器，其耦接在所述第二放大器與所述參考電壓產生器之間。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的電壓產生器，其中，所述截波器包括：一第一開關，所述第一開關的第一端接收所述第二參考電壓，所述第一開關的第二端耦接到所述第二放大器的第一輸入 端，並且所述第一開關由一時脈信號來控制；一第二開關，所述第二開關的第一端接收所述第二參考電壓，所述第二開關的第二端耦接到所述第二放大器的第二輸入端，並且所述第二開關由反相時脈信號來控制；一第三開關，所述第三開關的第一端耦接到所述第二電阻器和所述第二電流源，所述第三開關的第二端耦接到所述第二放大器的第一輸入端，並且所述第三開關由所述反相時脈信號來控制；以及一第四開關，所述第四開關的第一端耦接到所述第二電阻器和所述第二電流源，所述第四開關的第二端耦接到所述第二放大器的所述第二輸入端，並且所述第四開關由所述時脈信號來控制。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的電壓產生器，其中，所述第一放大器和所述第二放大器中的每一者都具有截波器輸出級。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140232480A1 (en) * 2013-02-19 2014-08-21 Issc Technologies Corp. Clock apparatus
US9261415B1 (en) * 2014-09-22 2016-02-16 Infineon Technologies Ag System and method for temperature sensing
WO2016064492A1 (en) * 2014-10-20 2016-04-28 Ambiq Micro, Inc. Adaptive voltage converter
CN106647906A (zh) * 2015-10-26 2017-05-10 马维尔国际贸易有限公司 使用斩波技术的开关电容器带隙基准电路
US9859000B1 (en) * 2016-06-17 2018-01-02 Winbond Electronics Corp. Apparatus for providing adjustable reference voltage for sensing read-out data for memory
TWI664807B (zh) * 2018-11-20 2019-07-01 智原科技股份有限公司 放大器
CN112068634B (zh) * 2019-06-11 2022-08-30 瑞昱半导体股份有限公司 参考电压产生装置
KR20210151399A (ko) * 2020-06-05 2021-12-14 에스케이하이닉스 주식회사 바이어스 생성 회로, 바이어스 생성 회로를 포함하는 버퍼 회로 및 버퍼 회로를 포함하는 반도체 시스템
CN112558672A (zh) * 2020-12-24 2021-03-26 上海贝岭股份有限公司 基准电流源及包含基准电流源的芯片

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010009423A (ja) * 2008-06-27 2010-01-14 Nec Electronics Corp 基準電圧発生回路
TW201116965A (en) * 2009-11-02 2011-05-16 Nanya Technology Corp Temperature and process driven reference voltage generation circuit
US8026709B2 (en) * 2007-12-05 2011-09-27 Industrial Technology Research Institute Voltage generating apparatus
CN101510108B (zh) * 2008-02-12 2012-02-22 精工爱普生株式会社 基准电压生成电路、集成电路装置以及信号处理装置
TW201222194A (en) * 2010-11-19 2012-06-01 Novatek Microelectronics Corp Reference voltage generation circuit and method
WO2012160734A1 (ja) * 2011-05-20 2012-11-29 パナソニック株式会社 基準電圧生成回路および基準電圧源
US20130033305A1 (en) * 2011-08-02 2013-02-07 Renesas Electronics Corporation Reference voltage generating circuit

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2842317B1 (fr) * 2002-07-09 2004-10-01 Atmel Nantes Sa Source de tension de reference, capteur de temperature, detecteur de seuil de temperature, puce et systeme correspondant
US7286002B1 (en) * 2003-12-05 2007-10-23 Cypress Semiconductor Corporation Circuit and method for startup of a band-gap reference circuit
US7224210B2 (en) 2004-06-25 2007-05-29 Silicon Laboratories Inc. Voltage reference generator circuit subtracting CTAT current from PTAT current
US20070052473A1 (en) 2005-09-02 2007-03-08 Standard Microsystems Corporation Perfectly curvature corrected bandgap reference
GB2442494A (en) * 2006-10-06 2008-04-09 Wolfson Microelectronics Plc Voltage reference start-up circuit
JP2009098802A (ja) * 2007-10-15 2009-05-07 Toshiba Corp 基準電圧発生回路
US8149047B2 (en) * 2008-03-20 2012-04-03 Mediatek Inc. Bandgap reference circuit with low operating voltage
TWI378227B (en) 2009-02-27 2012-12-01 Mstar Semiconductor Inc Ptat sensor and temperature sensing method thereof
TWI399631B (zh) * 2010-01-12 2013-06-21 Richtek Technology Corp 可快速啟動的低電壓能隙參考電壓產生器
CN102323848A (zh) * 2011-07-27 2012-01-18 江苏物联网研究发展中心 利用斩波技术消除失调影响的带隙基准电路

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8026709B2 (en) * 2007-12-05 2011-09-27 Industrial Technology Research Institute Voltage generating apparatus
CN101510108B (zh) * 2008-02-12 2012-02-22 精工爱普生株式会社 基准电压生成电路、集成电路装置以及信号处理装置
JP2010009423A (ja) * 2008-06-27 2010-01-14 Nec Electronics Corp 基準電圧発生回路
TW201116965A (en) * 2009-11-02 2011-05-16 Nanya Technology Corp Temperature and process driven reference voltage generation circuit
TW201222194A (en) * 2010-11-19 2012-06-01 Novatek Microelectronics Corp Reference voltage generation circuit and method
WO2012160734A1 (ja) * 2011-05-20 2012-11-29 パナソニック株式会社 基準電圧生成回路および基準電圧源
US20130033305A1 (en) * 2011-08-02 2013-02-07 Renesas Electronics Corporation Reference voltage generating circuit

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