TWI473773B - Glass substrate for electronic device and method for manufacturing electronic device - Google Patents

Description

電子裝置用玻璃基板及電子裝置之製造方法

本發明係關於被使用於顯示裝置等電子裝置之露出部的玻璃基板之製造方法，及那樣的電子裝置之製造方法。

於顯示裝置等之露出部，有必要設置防止破損或汙損的透明之覆蓋構件。此處，作為覆蓋構件，塑膠是最為簡易的，但與塑膠相比，視覺確認性、耐久性、耐酸性、耐熱性等都優異的玻璃之使用也被提出(專利文獻1)。此外，針對觸控面板一體型之液晶顯示器之觸控面板，替代聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)等膜材而使用玻璃，在製造步驟上的限制很少，且可活用前述之玻璃的優點這一點是優異的。

[專利文獻1]日本專利特開2007-241179號公報

然而，於電子裝置之露出部使用玻璃的場合，在電子裝置之製造時或使用時，必須要有使觸控面板或覆蓋玻璃不破損之萬全的對策。此外，防止由於反射而往玻璃面映入的對策也是重要的。

本發明係有鑑於前述之問題點而發明者，目的在於提供不會特別提高製造成本，物理上改善玻璃的脆性，可有效活用玻璃的長處之電子裝置用之玻璃基板，及提供電子裝置。

為達成前述目的，在相關於申請專利範圍第1項之玻璃基板之製造方法，具有於玻璃母材的表背面之表面側，設耐氟酸性之抗蝕層之抗蝕步驟(ST2)、藉由雷射光或切刀刃，由玻璃母材的表面側，形成不貫通玻璃母材的區劃線，把玻璃母材區劃為複數之使用區域的區劃步驟(ST3)、及蝕刻經過區劃步驟的玻璃母材，由背面側使玻璃母材薄化，同時使前述區劃線深化的蝕刻步驟(ST4)；由一枚玻璃母材製造複數枚之電子裝置用玻璃基板。

在此發明之蝕刻步驟，較佳者為使把背面側作為上面之玻璃母材保持於水平狀態實行蝕刻處理。此外，在蝕刻步驟，於玻璃母材的表背面，噴射化學研磨液者較佳。

在相關於申請專利範圍第2項之玻璃基板之製造方法，具有於玻璃母材的表背面之表面側，離散地設置耐氟酸性之抗蝕層，另一方面於玻璃母材的背面側，也在對應於表面抗蝕層的位置設耐氟酸性之背面抗蝕層之抗蝕步驟(ST11~13)、蝕刻玻璃母材之未設抗蝕層的部分，形成不貫通玻璃母材的區劃線，把玻璃母材區劃為複數之使用區域的區劃步驟(ST14)、及在剝離表面抗蝕層及背面抗蝕層的狀態，蝕刻玻璃母材之全體，使前述玻璃母材薄化，同時使前述區劃線深化的蝕刻步驟(ST16)；由一枚玻璃母材製造複數枚之電子裝置用玻璃基板。

在相關於申請專利範圍第3項之玻璃基板之製造方法，具有於玻璃母材的表背面之表面側，離散地設置耐氟酸性之抗蝕層，另一方面於玻璃母材的背面側，也在對應於表面抗蝕層的位置設耐氟酸性之背面抗蝕層之抗蝕步驟(ST21~23)、蝕刻玻璃母材之未設抗蝕層的部分，使玻璃母材分離為各玻璃基板之使用區域的分離步驟(ST24)、進而更蝕刻前述玻璃基板的端面，使玻璃端面之板厚中心區域變形為圓弧面之變形步驟(ST25)；由一枚玻璃母材製造複數枚之電子裝置用玻璃基板。

在相關於申請專利範圍第9項之電子裝置之製造方法，具有把前述玻璃基板，作為接於使用者的外覆玻璃而組入電子裝置的步驟。此處，接於使用者，係指包含直接接觸與間接接觸的概念，不管哪種場合，此覆蓋玻璃都有被人為的按壓的可能性。

此外，在相關於申請專利範圍第10項之電子裝置之製造方法，具有把前述玻璃基板，作為觸控面板一體型之顯示裝置的觸控面板之使用者側的構件而被組入電子裝置的步驟。又，此使用者側的構件，亦可人為地按壓。

前述之任一發明，都是由一枚玻璃母材製造複數枚之玻璃基板，但玻璃基板的周緣，並不是物理地被切斷，所以不會發生龜裂，機械強度被大幅改善。亦即，玻璃特別是存在於其周緣的龜裂常會成為破損的基點，在本發明製造的玻璃基板的周緣不存在龜裂，所以玻璃的脆性被大幅改善。

此外，在相關於申請專利範圍第1或2項之發明，設蝕刻步驟，使玻璃母材的背面，或者玻璃母材的表面及背面進行薄化，所以不僅玻璃基板的周緣，至少於其背面不會殘留龜裂。人為的外部壓力，係由具有防反射膜的玻璃基板的表面側來施加的，所以若殘存背面側的龜裂的話，以該處為基點玻璃有破裂之虞，但因為本發明的玻璃基板的背面沒有殘留龜裂，所以可以提高玻璃基板的物理強度。亦即，例如，使用於顯示裝置之覆蓋玻璃亦可發揮優異的強度。此外，作為使用於觸控面板的膜材的替代品，可以有效活用本發明的玻璃基板。

此外，在本發明，因為設蝕刻步驟，於區劃步驟即使於周緣部產生尖銳的角，該角也會在蝕刻步驟變圓被平滑化。因此，於其後的製造步驟，不管甚麼東西接觸到玻璃周緣的場合，都大幅減低了產生新的龜裂的可能性。

又，在本發明，於蝕刻步驟，沒有必要使區劃線貫通，但可以使區劃線貫通而提高玻璃基板的機械強度到其極限。另一方面，採行在區劃線未貫通的階段結束蝕刻步驟的實施態樣的場合，除去抗蝕層的剝離處理是容易且確實的。

亦即，玻璃母材，具有區劃線，且可作為全體一體地實行剝離處理，所以製造效率不會劣化。對此，分離為各個玻璃基板之後，除去覆膜層的場合，整齊排列各個玻璃基板的作業變成有必要。

在僅於玻璃母材的表面設抗蝕層的相關於請求項1的發明的場合，以使貼黏於玻璃母材的乾膜抗蝕層感光而形成抗蝕層為佳。另一方面，在玻璃母材的表面及背面設抗蝕層之相關於請求項2或3的發明的場合，不限於前述方法，亦可把玻璃母材浸漬於遮罩(masking)劑而遮罩住玻璃母材。

防反射膜，典型上，是藉由在薄膜表面的反射光與在薄膜背面的反射光的相位差而消滅反射波者，較佳者為SiO₂ 層、TiO₂ 層、SiO₂ 層、TiO₂ 層、與SiO₂ 層，藉由濺鍍處理而依此順序被層積於玻璃表面而被構成的。又，替代氧化鈦TiO₂ 層而設氧化銦錫層亦可，此外替代五層構造而成為SiO₂ 層、TiO₂ 層、SiO₂ 層、TiO₂ 層構成的四層構造亦可。

此外，前述玻璃母材，較佳者應該是鹼玻璃。鹼玻璃很廉價，所以作為電子裝置之覆蓋玻璃等是有效的，可使鹼板等發揮更優異的透過率。此外，不限於視覺確認性，對於包含耐酸性或耐熱性之耐久性也比鹼板等更為優異。

根據前述之本發明，可改善玻璃的脆性而製造玻璃基板，可實現有效活用玻璃長處的電子裝置。

以下，根據實施例詳細說明本發明。

<第1實施例>

圖1係例示相關於第一實施例之玻璃基板之製造方法之流程圖。此處，經過步驟ST1~ST6之程序而製造的玻璃基板，例如使用作為行動電話的液晶顯示器之覆蓋玻璃。此外，亦可使用作為構成觸控面板一體型的液晶顯示器的使用者側之玻璃基板。又，在觸控面板一體型之液晶顯示器，兩枚玻璃基板之一方，兼作為觸控面板的玻璃基板，所以作為對面於構成液晶顯示器的玻璃基板之使用者側的玻璃基板，在圖1的程序所製造的玻璃基板被活用。

以下，根據圖1進行說明。在此實施例，使用具有400×500mm程度之面積，薄型化為1mm以下(較佳者為0.7mm程度)之鹼玻璃GL。接著，首先，於玻璃母材GL的表背面之單面(例如表面側)形成防反射膜(ST1)。具體而言，係藉由濺鍍法，於玻璃母材GL，反覆層積複數次二氧化矽SiO₂ 層，與氧化鈦TiO₂ 層。

雖沒有特別限定，但較佳者如圖1(a)所示，將SiO₂ (Fa1層)、TiO₂ (Fb1層)、SiO₂ (Fa2層)、TiO₂ (Fb2層)、及SiO₂ (Fa3層)之五層依此順序成膜。接著，在此場合，形成為Fa1層為100~700、Fb1層為100~300、Fa2層為100~500、Fb2層為500~1500、Fa3層為100~1000程度之膜厚。

接著，以覆蓋防反射膜的方式，於玻璃母材GL的表面貼覆抗蝕乾膜(dry film resist)，照射紫外線形成耐氟酸性之抗蝕層RS(ST2)。又，圖1(a)，顯示玻璃母材GL與防反射膜與抗蝕層RS之層積關係。

接著，由抗蝕層RS的上面照射雷射光，使玻璃母材GL沿著區劃線變質(ST3)。根據雷射光照出之區劃線，將玻璃母材形成為不被貫通的深度，於步驟ST3的處理後，也維持玻璃母材的一體性。又，通常，藉由此區劃線，玻璃母材GL，被區劃為40mm×70mm程度之矩形狀，但區劃為約略圓形或其他任意形狀當然亦可。

此外，替代雷射光的照射，使用畫線機(scribe machine)亦可，在此場合，藉由切刀刃而形成外觀上是切入溝GV的區劃線(ST3’)。圖1(b)顯示被形成區劃線GV的玻璃母材，在此場合區劃線GV，也不貫通玻璃母材GL，維持玻璃母材GL的一體性。

其次，把經過步驟ST3或步驟ST3’的處理之玻璃母材GL，藉由含有氟酸的化學研磨液進行蝕刻(ST4)。作為化學研磨液，以含有氟酸1~10重量百分比、硫酸20~50重量百分比者較佳。氟酸的濃度，較佳者為1~5重量百分比，更佳者為1~3重量百分比。此外，此研磨液中之硫氟酸的濃度，較佳者為30~45重量百分比，更佳者為35~42重量百分比。

藉由此蝕刻處理，在玻璃母材GL之未以抗蝕層RS覆蓋的部分被蝕刻，所以區劃線GV會深化，同時玻璃母材GL也從背面側薄化。結果，於區劃線GV形成時，或其後之搬送時等，即使產生龜裂，也可以將其消滅。

蝕刻量是適宜設定的，只要玻璃母材GL的板厚有0.7mm程度的話，藉由經步驟ST4的處理，玻璃母材GL被薄化至0.6~0.5mm程度，結果，區劃線在事實上貫通了玻璃母材GL。薄化到此程度之玻璃母材，可以自由彎曲至90度以下的角度，但在本實施例，繼續薄化玻璃母材GL而使區劃線GV平滑面化，所以在由玻璃母材GL切出的玻璃基板的端面，不存在龜裂，可發揮優異的破裂強度。

然而，在步驟ST4的處理，使未以抗蝕層RS覆蓋的玻璃母材GL之背面側朝上，保持水平狀態而由玻璃母材GL的表面與背面，淋浴狀地噴灑化學研磨液為較佳。玻璃母材GL，例如被收容於專用的收容箱，但收容箱的下面形成為網格狀，所以可使化學研磨液直接接觸到區劃線GV。此外，區劃線GV係朝向下方開口，所以藉由蝕刻處理產生的反應生成物不會殘存附著於區劃線GV。

進而，採用這樣的構成的話，玻璃母材GL被保持於水平狀態，所以即使區劃線GV深化，由玻璃母材GL分離的玻璃基板，也不會散開地分離。另一方面，把玻璃母材浸漬於化學研磨槽的場合，受到化學研磨液的助長，玻璃基板容易由玻璃母材沿著區劃線破裂而變成散開。

如以上所述地進行結束了步驟ST4的蝕刻處理後，藉由玻璃抗蝕層RS完成顯示裝置用之覆蓋玻璃(ST5)。

<第二實施例>

圖2係例示相關於第二實施例之玻璃基板之製造方法之流程圖。此玻璃基板，也例如被活用作為顯示裝置的覆蓋玻璃。此外，亦可使用作為構成觸控面板一體型的液晶顯示器的使用者側之玻璃基板。

在此實施例，首先，也於玻璃母材GL的單面之單面形成防反射膜(ST10)。反射膜的構成，與第一實施例的場合相同，如圖2(a)所示，將SiO₂ (Fal層)、TiO₂ (Fb1層)、SiO₂ (Fa2層)、TiO₂ (Fb2層)、及SiO₂ (Fa3層)之五層依此順序成膜。

其次，於玻璃母材GL的表面與背面，黏貼感光性膜材Fi(ST11)。在實施例使用的感光性膜材Fi係如圖2(b)所示，係被層積透光性的基底膜1、感光層2、與剝離膜3而被構成的。接著，由此感光性膜材Fi剝掉剝離膜3後，藉由轉子在玻璃母材GL的表面與背面黏貼感光性膜材Fi。

接著，把玻璃母材GL全體區劃為40mm×70mm程度之複數使用區域，於玻璃母材GL覆蓋上光罩4。圖3係例示光罩4之平面圖，作為玻璃基板之使用區域4B的周緣部分，把線寬幅1mm~5mm程度之非曝光部4A(遮光部)設為矩形環狀。又，圖2(c)係顯示配置光罩4的狀態之剖面圖。光罩4之非曝光部4A，特定出蝕刻處理之研磨線(區劃線GV)。

接著，由光罩4之上照射紫外線，使感光層2之曝光部2B光硬化(ST12)。接著，以鹼溶液顯影此狀態之玻璃母材GL，除去感光層2之非曝光部2A(ST13)。藉由以上的處理，玻璃母材GL的表面與背面，除了非曝光部2A，都以耐氟酸性之抗蝕層2B覆蓋。圖4係顯示此狀態之平面圖，顯示未被蝕刻的抗蝕層2B，與被蝕刻的區劃線GV。

接著，把以抗蝕層2B覆蓋的玻璃母材GL浸漬入化學研磨槽，藉由化學研磨液進行蝕刻(一次蝕刻)(ST14)。作為化學研磨液，以含有氟酸1~10重量百分比、硫酸20~50重量百分比者較佳。氟酸的濃度，較佳者為1~5重量百分比，更佳者為1~3重量百分比。此外，此研磨液中之硫氟酸的濃度，較佳者為30~45重量百分比，更佳者為35~42重量百分比。

此外，在步驟ST14之蝕刻步驟，使玻璃母材GL直立，同時沿著玻璃母材GL的表面及背面使細微氣泡連續地上升為較佳。採用這樣的構成的話，於抗蝕層2B不存在的區劃線GV，可以防止溶出的玻璃成分(反應生成物)再次附著。在此實施例，區劃線GV細到1~5mm程度，所以若部防止反應生成物再附著的話，會有發生研磨速度出現部分參差不齊的結果，或有區劃線GV的蝕刻深度不能一定化之虞。

如此這般地進行，使區劃線GV深化，該部分之玻璃母材GL的板厚達到100~300μm程度的時間點，結束步驟ST14之一次蝕刻處理。又，圖2(e)，圖示一次蝕刻結束時之玻璃母材GL，於區劃線GV的上端，顯示被形成的邊角ED。又，此邊角，在研磨速度越快時，其角度越有接近90度的傾向。

接著，其次，把玻璃母材GL浸漬於剝離槽除去抗蝕層2B(ST15)。接著，將玻璃母材GL配置於適當的收納單元，於其表面與背面，淋浴狀地噴灑化學研磨液，執行完工蝕刻處理(ST16)。又，玻璃母材GL，於收納單元內係以水平姿勢被載置的，但在適當的時機反轉玻璃母材的表背面亦可。

無論如何，執行這樣的蝕刻處理的話，區劃線GV會更被深化，同時玻璃表面與背面也被蝕刻。結果，於一次蝕刻時(ST14)，於區劃線GV產生比較銳利的邊角ED的場合，該邊角ED也被平滑化。此外，玻璃表面與背面都被蝕刻，所以萬一於玻璃表背面殘存細微的龜裂，也可以將其消滅。

接著，在上下2條區劃線GV貫通的階段結束完工蝕刻處理。如此般，在本實施例，在形成區劃線GV的一次蝕刻(ST14)之後執行完工蝕刻(ST16)，所以藉由完工蝕刻而進行玻璃基板的分離處理，與滑面化處理，可以產生強固的玻璃基板。

此外，玻璃基板，最終被薄化至0.5mm程度或者更薄，所以可發揮與塑膠同等的可撓性。因此，例如，於顯示裝置之製造步驟，可有效發揮玻璃之以耐酸性或耐熱性為首之長處。進而此外作為覆蓋玻璃，發揮了優異的視覺確認性或耐久性。

又，接著完工蝕刻(ST16)，設與第三實施例同樣之追加蝕刻處理(ST25)的話，可以使玻璃基板的端面(由板厚中心O起-αt~+αt之範圍)，變形為圓弧面，可進而提高玻璃強度(參照圖5(b))。

圓弧面之曲率半徑R，對於板厚t之玻璃端面之全部(α=0.5)或大部份(0.5>α≧0.35)，較佳者為0.4t以上，更佳者為0.5t以上。其他追加蝕刻的內容，與第三實施例之二次蝕刻(ST25)相同，會變形為圓弧面的範圍(-αt~+αt)，或曲率半徑R的評估法也與第三實施例相同。

以上，針對實施例進行詳細說明，具體之記載內容並不特別限定本發明之範圍。特別是不限於使用供遮罩處理之感光性膜的實施例之製法，例如，第二實施例的場合，於貯留遮罩材的液槽浸漬玻璃母材GL而形成覆膜的方法亦適於使用。採用這樣的構成的話，可包含玻璃母材的周緣設置覆膜層。

<第三實施例>

此外，在第三實施例，係於剝離抗蝕層2B後，執行蝕刻處理(ST15、ST16)，但在殘留抗蝕層2B的狀態實行蝕刻處理亦可。但是，在此場合，玻璃母材GL不被薄化，所以預先藉由蝕刻處理使薄化為適宜的板厚(較佳者為0.4~0.6mm程度或更薄)為止比較好。

圖5係供說明此第三實施例之用的流程圖與模式圖。在第三實施例製造的玻璃基板，例如使用作為行動電話的液晶顯示器之覆蓋玻璃。此外，亦可使用作為構成觸控面板一體型的液晶顯示器的使用者側之玻璃基板。

在第三實施例，替代黏貼感光性膜，而藉由滴下法設感光膜(ST21)。在滴下法，把玻璃母材GL，以垂直狀態浸漬於塗佈液(感光劑)之浴槽，以對應於塗佈液的黏性的速度拉起玻璃母材GL，形成特定膜厚的感光膜。又，先於步驟ST21的處理，而於玻璃母材GL上設防反射膜亦可，不設亦可。接著，把玻璃母材GL之全體，於應區劃為複數的使用區域之玻璃母材GL覆蓋光罩4，由光罩4上照射紫外線，使感光層2之曝光部2B光硬化(ST22)。接著，以鹼溶液顯影此狀態之玻璃母材GL，除去感光層2之非曝光部2A(ST23)。

藉由以上的處理，玻璃母材GL的表面與背面，係以耐氟酸性之抗蝕層2B覆蓋。圖6係顯示未被蝕刻的抗蝕層2B，與被蝕刻的區劃線GV及開口窗HO。如圖所示，區劃線GV，區劃作為玻璃基板之使用區域而被形成為縱橫。此外，開口窗HO，係於作為玻璃基板之使用區域的內側，被形成為橢圓形。此開口窗HO，藉由步驟ST24之一次蝕刻處理而成為貫通穴。

接著，把以抗蝕層2B覆蓋的玻璃母材GL浸漬入化學研磨槽，藉由化學研磨液進行一次蝕刻(ST24)。此一次蝕刻，把區劃線GV或開口窗HO，蝕刻於玻璃母材GL的板厚方向，實行直到貫通玻璃母材GL。亦即，一次蝕刻結束時，玻璃母材GL藉由區劃線GV分離為複數個玻璃基板5‧‧‧5。

此一次蝕刻(ST24)，係針對各玻璃母材GL，使該區劃線GV之內側區域(在圖6之實施例係區分為25區)分別保持而被執行的。較佳者係將一枚玻璃母材GL收容於一個收容箱，將多數收容箱浸漬於化學研磨槽而被執行的。

此外，玻璃母材GL的研磨速度，較佳者為5μm/min以下，更佳者為3μm/min程度。這是因為研磨速度如果太快，在被蝕刻的區劃線GV，由玻璃母材溶出的玻璃成分(反應生成物)會再度附著，使玻璃端面的平坦性劣化。又，化學研磨液的組成，與前述之實施例的場合相同。

無論如何，一次蝕刻結束時，玻璃母材GL分離為複數個玻璃基板5‧‧‧5。接著，各玻璃基板5的端面，如圖5(b)所示，形成稍微尖銳的銳角。因此，此突出部PK，在玻璃基板5之使用時，必定會成為龜裂的基點。

因此，在第三實施例，一次蝕刻結束後，把保持複數玻璃基板5‧‧‧5的收容箱，移動至不同的化學研磨槽，進而蝕刻各玻璃及板5之端面(ST25)。又，二次蝕刻的研磨速度，較佳者為4μm/min以上，更佳者為5μm/min程度。

這樣的二次蝕刻的結果，區劃線GV或開口窗HO，進而被蝕刻，被形成於玻璃基板的端面的突出部PK，變形為曲率半徑R的圓弧狀。

圖5(c)，係針對二次蝕刻結束時之玻璃基板5，圖示其理想中的端面。又，玻璃端面變形為圓弧狀，是因為抗蝕層2B之終端部TE，由玻璃GL剝離，於圖示之水平方向上進行著蝕刻所致。換句話說，在第三實施例，終端部TE藉由蝕刻液而形成多少具有被剝離的程度之黏接力的抗蝕層2B。

但是，在實際的製造上，沒有必要使玻璃基板5的端面全體，都變形為完全的圓弧面，只要使突出部PF的銳角部分變形為圓弧狀即已足夠。亦即，在二次蝕刻(ST25)，以板厚t之玻璃基板5的板厚中心O為基準，把被形成於-αt~+αt之範圍變形為曲率半徑R的圓弧面即已足夠(參照圖5(d))。此處，0.35≦α≦0.5，藉由二次蝕刻(ST25)，玻璃基板5的端面之全部(α=0.5)或大部份(0.5>α≧0.35)，成為曲率半徑R之圓弧面。

又，即使稱為曲率半徑R之圓弧面，以顯微鏡觀察實際上的玻璃端面時，係稍有波浪的凹凸形狀。在此，於本說明書，把實際上玻璃端面的全部或大部份都在0.98R~1.02R的範圍內的場合，評估為玻璃端面的曲率半徑為R。圖5(e)，以實線顯示曲率半徑R之圓弧面，曲率半徑R₊ =1.02R之圓弧面與曲率半徑R_- =0.98R之圓弧面以虛線顯示。亦即，實際上玻璃端面的全部或大部份，在圖5(e)之虛線所示的區域內的場合，其玻璃端面之曲率半徑被評估為R。

然而，以二次蝕刻結束時之曲率半徑R，對於板厚t之玻璃端面之全部或大部份，較佳者為0.4t以上(R≧0.4t)，更佳者為成為0.5t以上(R≧0.5t)的方式設定研磨時間。又，考慮製造效率的話，以曲率半徑R成為0.4t≦R≦0.6t的方式設定研磨時間較佳。

如上述那樣結束二次蝕刻時，接著，把收容玻璃基板5的收容盒浸漬於剝離槽除去抗蝕層2B而完成玻璃基板5(ST26)。又，先於二次蝕刻處理而除去抗蝕層2B亦可，在此場合，可使玻璃基板進而薄化，使玻璃端面變形為圓弧面。

如以上所述，根據第三實施例，亦可製造克服了玻璃的脆性之玻璃基板，可有效發揮以耐酸性、或耐熱性為首之玻璃的長處。

1．．．基底膜

2．．．感光層

2B．．．抗蝕層(resist)

3．．．剝離膜

4．．．光罩

Fi．．．感光性膜材

GL．．．玻璃母材

RS．．．抗蝕層

GV．．．切入溝

圖1係例示玻璃基板之第一製造方法之流程圖。

圖2係例示玻璃基板之第二製造方法之流程圖。

圖3係例示光罩的構成之平面圖。

圖4係顯示設抗蝕層的玻璃基板之平面圖。

圖5係例示玻璃基板之第三製造方法之流程圖。

圖6係顯示設抗蝕層的玻璃基板之平面圖。

GL．．．玻璃母材

RS．．．抗蝕層

GV．．．切入溝

Claims (10)

1. 一種玻璃基板之製造方法，其特徵為：具有於玻璃母材的表背面之表面側，設耐氟酸性之抗蝕層之抗蝕步驟(ST2)、藉由雷射光或切刀刃，由玻璃母材的表面側，形成不貫通玻璃母材的區劃線，把玻璃母材區劃為複數之使用區域的區劃步驟(ST3)、及蝕刻經過區劃步驟的玻璃母材，由背面側使玻璃母材薄化，同時使前述區劃線深化的蝕刻步驟(ST4)；由一枚玻璃母材製造複數枚之電子裝置用玻璃基板。
2. 一種玻璃基板之製造方法，其特徵為：具有於玻璃母材的表背面之表面側，離散地設置耐氟酸性之表面抗蝕層，另一方面於玻璃母材的背面側，也在對應於表面抗蝕層的位置設耐氟酸性之背面抗蝕層之抗蝕步驟(ST11~13)、蝕刻玻璃母材之未設抗蝕層的部分，形成不貫通玻璃母材的區劃線，把玻璃母材區劃為複數之使用區域的區劃步驟(ST14)、及在剝離表面抗蝕層及背面抗蝕層的狀態，蝕刻玻璃母材之全體，使前述玻璃母材薄化，同時使前述區劃線深化的蝕刻步驟(ST16)；由一枚玻璃母材製造複數枚之電子裝置用玻璃基板。
3. 一種玻璃基板之製造方法，其特徵為：具有於玻璃母材的表背面之表面側，離散地設置耐氟酸性 之表面抗蝕層，另一方面於玻璃母材的背面側，也在對應於表面抗蝕層的位置設耐氟酸性之背面抗蝕層之抗蝕步驟(ST21~23)、蝕刻玻璃母材之未設抗蝕層的部分，使玻璃母材分離為各玻璃基板之使用區域的分離步驟(ST24)、及進而更蝕刻前述玻璃基板的端面，使玻璃端面之板厚中心區域變形為圓弧面之變形步驟(ST25)；由一枚玻璃母材製造複數枚之電子裝置用玻璃基板。
4. 如申請專利範圍第1~3項之任一項之玻璃基板之製造方法，其中先於前述抗蝕步驟，設有於玻璃母材的表面側全體形成防反射膜的成膜步驟。
5. 如申請專利範圍第2或3項之玻璃基板之製造方法，其中完成狀態之玻璃基板，玻璃端面之板厚中心區域變形為圓弧面，前述圓弧面之曲率半徑R，對玻璃基板的板厚t，為0.4t≦R≦0.6t。
6. 如申請專利範圍第5項之玻璃基板之製造方法，其中前述圓弧面，以板厚t之玻璃基板的板厚中心O為基準，被形成於-αt~+αt之範圍(0.35≦α≦0.5)。
7. 如申請專利範圍第4項之玻璃基板之製造方法，其中前述防反射膜，係SiO₂ 層、TiO₂ 層、SiO₂ 層、TiO₂ 層、與SiO₂ 層，藉由濺鍍處理而依此順序被層積於玻璃表面而被構成的。
8. 如申請專利範圍第1-3項之任一項之玻璃基板之製造方法，其中前述玻璃母材為鹼玻璃。
9. 一種電子裝置之製造方法，其特徵為：具有把以如申請專利範圍第1~8項之任一項之製造方法所製造之前述玻璃基板，作為使用者接觸的外覆玻璃而組入電子裝置的步驟。
10. 一種電子裝置之製造方法，其特徵為：具有把以如申請專利範圍第1~8項之任一項之製造方法所製造之前述玻璃基板，作為觸控面板一體型之顯示裝置的觸控面板之使用者側的構件而組入電子裝置的步驟。