TWI473190B - 具有高發射率塗層之大型真空腔室主體的電子束熔接 - Google Patents

Description

具有高發射率塗層之大型真空腔室主體的電子束熔接

此揭露之實施例一般與具有高發射率塗層以增加來自進入基板之熱傳遞之大型真空腔室主體有關，以及與經電子束熔接在一起之大面積真空腔室主體有關。

為將基板從大氣環境帶入真空環境，基板會通過一加載鎖定腔室(load lock chamber)；為了避免基本壓力改變，在從處理系統外部將基板置入加載鎖定腔室時，最好是使加載鎖定腔室通至大氣，並於基板置於其中後排空。在處理之前會通過加載鎖定腔室之基板包括有半導體晶圓、平板型顯示器基板、太陽能板基板、以及有機發光顯示器基板。

基板產量永遠是一項考量，業界總是在尋求增加基板產量及減少設施停工期的方式，如能越快處理基板，則每一小時即可處理更多的基板。對基板進行的處理會影響基板的產量，而處理之間所發生的事件也會影響基板的產量；舉例而言，將基板置於腔室中所耗費的時間量會影響基板的產量。因此，連加載鎖定腔室都會影響基板產量，因為上述加載鎖定腔室係保持於真空狀態以避免基本壓力改變。然而，當基板置入加載鎖定腔室時，加載鎖定腔室也會與大氣交界；因此，加載鎖定腔室也 會花費時間而從真空狀態變為排空狀態。故，加載鎖定腔室會影響基板產量。

因此，本領域中需要一種可增加基板產量的加載鎖定腔室。

本發明所述之實施例與一種已經熔接在一起的大型真空腔室主體有關，該腔室主體於其中之至少一表面上具有一高發射率塗層。由於是大型尺寸的腔室主體，腔室主體是藉由將數個部件熔接在一起而形成，而非以單一金屬部件來鍛造該主體。該等部件係於與該主體之彎處相隔之一位置處熔接在一起，該位置於排空期間係最大應力處，以確保可能是主體中最弱點的熔接不會失效。該腔室主體的至少一表面係塗覆有一高發射率塗層以助於來自進入之受熱基板的熱傳遞。該高發射率塗層可藉由減少降低基板溫度所需時間而增加基板產量。

在一實施例中，揭露了一種加載鎖定腔室主體；該腔室主體包含複數個部件，該等部件係耦接在一起以共同形成該腔室主體，其具有含四個彎處之一內部表面。該腔室主體另包含一第一部件、一第二部件、一第三部件與一第四部件。該第一部件包含：一第一部分及延伸通過其間之一第一開口，該第一部分具有大於一第一寬度之一第一長度，以及包含一第一凸緣，其於與該第一寬 度實質垂直的方向上自該第一部分延伸一第一距離。該第一凸緣係自該四個彎處中之一第一彎處延伸。該第一部件也包括一第二凸緣，其於與該第一寬度實質垂直的方向上自該第一部分延伸一第二距離，該第二凸緣係自該四個彎處中之一第二彎處延伸。該第二部件係耦接至該第一凸緣並於與該第一寬度實質垂直的方向上延伸。該第三部件係耦接至該第二凸緣並於與該第一寬度實質垂直且與該第二部件平行的方向上延伸。該第四部件係耦接至該第二部件與該第三部件。該第四部件包含：一第二部分及延伸通過其間之一第二開口，該第二部分具有大於一第二寬度之一第二長度；也包含一第三凸緣，其於與該第二寬度實質垂直的方向上自該第二部分延伸一第三距離。該第四部件另包含一第四凸緣，其於與該第二寬度實質垂直的方向上自該第二部分延伸一第四距離。

在另一實施例中，揭露了一種用於製造一加載鎖定腔室主體的方法，該腔室主體具有一外部表面以及含複數個彎處之一內部表面，該方法包含：置放一第一部件相鄰於一第二部件且以一間隙相隔開、輻照一電子束至該間隙中、以及將該第二部件熔接至該第一凸緣。該第一部件包含一第一部分，其具有一第一長度與小於該第一長度之一第一寬度。該第一部件亦包含一第一凸緣，其於與該第一寬度實質垂直的方向上自該第一部分延伸一第一距離，使得該第一凸緣與該第一部分接觸於所述複 數個彎處中之一第一彎處處。該第一凸緣與該第二部件係相隔一間隙。

在另一實施例中，揭露了一種加載鎖定腔室。該腔室包含：一頂部平板、相對於該頂部平板配置之一底部平板、以及耦接至該頂部平板與該底部平板之一第一側部平板。該腔室也包含一第二側部平板，其耦接至該頂部平板與該底部平板，且相對於該第一側部平板而配置。該腔室也包含一第一流量閥平板，其耦接至該頂部平板、該底部平板、該第一側部平板與該第二側部平板，且具有通過其間之一開口。該腔室也包含一第二流量閥平板，其耦接至該頂部平板、該底部平板、該第一側部平板與該第二側部平板；該第二流量閥平板係相對於該第一流量閥平板而配置且具有通過其間之一開口。該頂部平板、該底部平板、該第一與第二側部平板、以及該第一與第二流量閥平板共同圍繞一腔室空間。該腔室也包括一塗層，其配置於該頂部平板與該底部平板中至少其一上；該塗層具有於攝氏599度測得為0.19之一第一發射率。

本發明所揭露之實施例係與已經熔接在一起的大型真空腔室主體有關，該腔室主體於其中之至少一表面上具有一高發射率塗層。由於是大型尺寸的腔室主體，腔室 主體是藉由將數個部件熔接在一起而形成，而非以單一金屬部件來鍛造該主體。該等部件係於與該主體之彎處相隔之一位置處熔接在一起，該位置於排空期間係最大應力處，以確保可能是主體中最弱點的熔接不會失效。該腔室主體的至少一表面係塗覆有一高發射率塗層以助於來自進入之受熱基板的熱傳遞。該高發射率塗層可藉由減少降低基板溫度所需時間而增加基板產量。

以下所揭示的實施例是關於加州聖塔克萊應用材料公司之子公司AKT America,Inc.之三槽式加載鎖定腔室。本發明雖以三槽式加載鎖定腔室加以說明，應瞭解本發明也可實施於其他真空腔室，包括由其他製造商所生產者。

第1圖係根據一實施例之三槽式加載鎖定腔室100的截面圖。加載鎖定腔室100包括一腔室主體102，其圍繞三個獨立的腔室空間104、106與108。腔室空間104、106與108係彼此電絕緣、且彼此為大氣隔離。

腔室空間104具有一流量閥門118，其可開啟與關閉以使基板112進出大氣側140之腔室空間104。另一個流量閥門120係開啟與關閉以使基板112可以進出真空側138之腔室空間104。在第1圖所示之實施例中，在流量閥門120開啟時，機器人端效器114係位於真空側138之腔室空間104中。因為腔室空間104係對真空側138開啟，因此腔室空間104係處於真空。

由於腔室空間104處於真空，因而腔室空間104的上 壁130係偏轉至腔室空間104中，並遠離水平線「A」所示之正常位置。同樣地，腔室空間104的下壁132亦同樣偏轉至腔室空間104中，並遠離水平線「B」所示之正常位置。舉升銷110係位於其正常位置(亦即自腔室空間104之一水平底部表面延伸)，然應知舉升銷110也可與下壁132同時偏轉。

另一個腔室空間108具有一流量閥門126，其係開啟與關閉以使基板112從大氣側140進出腔室空間108。另一個流量閥門128係開啟及關閉以使基板112自真空側138進出腔室空間108。在第1圖所示之實施例中，腔室空間108係藉由關閉之流量閥門126、128而自大氣側140與真空側138密封；因此，腔室空間108係被抽氣至適當的真空程度。在此方式中，腔室壁134、136係偏轉至處理空間108中並遠離其正常位置(如水平線「C」與「D」所示者)。舉升銷110係位於其正常位置(亦即自腔室空間104之一水平底部表面延伸)，然應知舉升銷110也可與下壁136同時偏轉。

另一腔室空間106具有一流量閥門122，其係開啟及關閉以使基板112可進出大氣側140之腔室空間106。流量閥門122係以延伸至腔室空間106中之機器人端效器116開啟；由於流量閥門122係開啟於大氣側140，腔室空間106係處於大氣壓力。另一流量閥門124係開啟及關閉以使基板112可以進出真空側138之腔室空間104。由於腔室空間104、108中的排空條件，腔室空間 106的腔室壁132、134係偏轉遠離腔室空間106。

當腔室壁130、132、134、136相對於其正常位置而偏轉時，流量閥門118、120、122、124、126、128所密封之腔室壁142、144、146、148、150、152也會相對於其正常位置而移動。藉由在移動腔室壁142、144、146、148、150、152時一起移動流量閥門118、120、122、124、126、128，即可減少流量閥門118、120、122、124、126、128與腔室壁142、144、146、148、150、152之間的摩擦，並因而減少顆粒之產生。

第2圖係根據一實施例之加載鎖定腔室200的分解等角視圖。加載鎖定腔室200相當大；在一實施例中，加載鎖定腔室的大小可容置表面積約8平方公尺以上之基板。應知本發明之實施例係可應用於大小為可容置表面積小於約8平方公尺之基板的腔室。由於尺寸為大型之故，從一鑄錠鍛造加載鎖定腔室200會有困難；因此加載鎖定腔室200係從數個熔接在一起的部件所製成。

加載鎖定腔室200包括一頂部平板202、一底部平板204以及一中間區段206。中間區段206包含兩個末端部件208、210，其各具有通過其間之一開口212，以使基板進出加載鎖定腔室200。末端部件係藉由側部部件216、218而連接，側部部件216、218係藉由一熔接部214而耦接至末端部件208、210。

第3A圖係耦接在一起之加載鎖定腔室側壁的等角視圖，第3B圖係第3A圖之上視圖。加載鎖定腔室具有一 主體300，其具有末端部件302、30，各末端部件302、304具有一開口306、308，其大小使得基板可進出主體300所圍繞之處理區域。側部部件310、312係藉由熔接部314、316、318、320而熔接至末端部件302、304。

末端部件302、304係各由一單一塊材鍛造而得。如第3B圖所示，末端部件係回刻如箭頭「E」所示之一段距離，且具有經磨圓之彎處322，其至少部分與處理區域為界。由於末端部件302、304的雕刻，側部部件310、312係於與彎處322隔開之位置處與末端部件302、304為界。在一實施例中，末端部件302、304係回刻約半英吋至約一英吋。

由於處理區域為大型尺寸，當將真空引入處理區域、以及當處理區域對大氣排空時，部分的加載鎖定腔室會偏轉；彎處322將因此處於最大應力，而彎處可能會受到來自多個方向的張力。藉由將側部部件310、312與末端部件302、304接合位置隔開，接合區域或熔接部314、316、318、320較不會失效。由於接合部314、316、318、320、側部部件310、312以及末端部件302、304並非同時為單一材料部件，因此可預期熔接部314、316、318、320為主體300中的最弱點；故，將最弱點移動至與最大應力隔開的位置是有利的。

熔接部314、316、318、320是由電子束熔接形成，如TIG或MIG等電弧熔接並不適用於大型真空腔室所使用之厚型材料。電子束熔接具有比電弧熔接更高的能量密 度，且在最小變形量下可使熔接速度更快且更深。電子束熔接的小量變形可在熔接前對末端部件302、304及側部部件310、312進行較粗糙的加工(machining)；相較於精密拋光之表面而言，粗糙加工減少了加工成本，這是因為各部件302、304、310、312夠小，因而相較於從單一材料製造主體300之大型加工設施而言，其可使用較不昂貴的小型加工中心予以加工。

在一實施例中，末端部件302、304以及側部部件310、312包含相同材料。在另一實施例中，末端部件302、304以及側部部件310、312包含不同的材料。在一實施例中，此材料包含鋁；在另一實施例中，此材料包含電鍍鋁；在另一實施例中，此材料包含不銹鋼。

第4圖係根據一實施例之加載鎖定腔室的接合位置之等角視圖。末端部件402係藉由電子束熔接所形成之熔接部406而接合至側部部件404。末端部件402係從單片材料鍛造而得，並經雕刻而使至少部分與處理區域交界之彎處408具有一彎曲表面，熔接位置係置於從曲率半徑末端大於約八分之一英吋處。藉由將熔接部406與彎處408隔開，可降低熔接區域的應力集中，此外，也可減少熔接的深度。末端部件402具有如箭頭「F」所示之寬度，其大於如箭頭「G」所示之側部部件404的寬度。由於熔接部406與彎處408隔開，因此側部部件404在結構上可盡可能為薄。

第5A圖為將熔接在一起以形成加載鎖定腔室主體之 一部分的兩個部件的等角視圖。末端部件502最初是與側部部件504相隔一段距離，如箭頭「J」所示；在一實施例中，距離「J」係介於約四分之一英吋至約二分之一英吋之間。側部部件504係藉由電子束熔接而熔接至末端部件502。電子束係聚焦至末端部件502與側部部件504之間的間隙中(如間隙底部處之箭頭「H」所示)，並向上移動(如箭頭「I」所示)。如第5A圖所示電子束係從處理區域外部聚焦至間隙上。

第5B圖為第5A圖中所示之兩個部件熔接在一起後的等角視圖，而第5C圖為從另一角度所見之第5B圖的等角視圖。由第5B圖可知，由於電子束自外表面聚焦，側部部件504與末端部件的外表面502在邊緣508、510處具有一經粗糙化之熔接部506。如末端部件502與邊緣部件504的內表面上之邊緣512、514所示，未由電子束聚焦之其他表面係更為平滑及潔淨。

第十代腔室的大小係用於容納2880mm×3130mm之基板，其係相當大型。在如此大型的腔室中進行製造處理是困難且昂貴的；此外，製造這種腔室也是困難的。為增加產量，加載鎖定腔室係用於使基板自約攝氏250度至約攝氏300度間之溫度冷卻至約攝氏100度至約攝氏150度間之溫度，而加載鎖定腔室係排空達介於約45秒至約75秒間之一段時間，使得在加載鎖定腔室大氣側的機器人可以從加載鎖定腔室中移除基板。

由於高熱質與輻射熱傳之故，排空氣體(例如氮氣或 氬氣)本身的傳導/對流可能不足以使基板冷卻至適當溫度；換言之，加載鎖定腔室的表面發射率是冷卻基板的另一項因素。為處理發射率的問題，這些表面可加以電鍍、塗漆或經珠光處理。大部分的電鍍、珠光處理或塗漆設施都不足以容納如第十代腔室這般大型之腔室，因此，本發明中所述之高發射率塗層係一種受矚目之選擇。

真空塗層技術可用以吸收特定波長光。在一實施例中，此塗層係包含鋁。高發射率塗層使腔室的表面積比未塗覆表面增加2000倍，並控制發射率於寬光波長範圍。塗覆可直接於腔室的小部分上進行、或藉由鋪展具有感壓膠之鋁箔於會接觸腔室的表面上而進行。滾捲(roll)係原位塗覆於腔室的表面上，不需如電鍍、珠光處理或塗漆等表面處理，因此可於不增加運籌成本下實行；其整體成本可比電鍍更減少三分之一。施用鋁塗層在生態上也較潔淨且無有毒廢料。

高發射率塗層使基板在約45秒至約75秒的時間內、從約攝氏250度至約攝氏300度之溫度降溫至約攝氏100度至約攝氏150度之溫度，藉以減少冷卻時間。在一實施例中，高發射率塗層具有約0.7至約0.9之間的發射率。該高發射率塗層之厚度係介於約0.3微米至約14微米之間；在另一實施例中，此高發射率塗層之厚度係介於約5微米至約7微米之間；在另一實施例中，此高發射率塗層的厚度係介於約7微米至約14微米之間；在另一實施例中，此高發射率塗層的厚度係介於約6微米至 約14微米之間。在一實施例中，此高發射率塗層係含有多層。合適的高發射率塗層可購自以色列Acktar Advanced Coatings LTD.。

高發射率塗層的施用係藉由從捲軸簡單鋪展塗層材料並將塗層壓製到欲塗覆表面上、使塗層的黏著側黏著至欲塗覆表面而行。在一實施例中，高發射率塗層係介於約18公分寬至約22公分寬、以及介於約3.1公尺至約3.3公尺長。如果需要的話，高發射率塗層係施用至腔室的所有暴露表面上，只要塗層不干擾腔室的運作即可。

第6圖為根據一實施例之塗覆腔室表面的示意上視圖。第6圖中所示之平板600可為加載鎖定腔室在一環境中的頂部平板或底部平板、或加載鎖定腔室(包括如第1圖所示之三槽式加載鎖定腔室)的任何表面。頂部平面與底部平面各具有與處理區域交界之元件的最大暴露表面區域，側部部件與末端部件各小於頂部平板與末端平板。此外，末端平板具有通過其間之開口，其尺寸容許基板可進出處理區域；側部部件具有通過其間之開口，以將真空引入處理區域中。此外，側部部件中的開口使測量可在腔室內進行、或用以將氣體導入腔室。

在一實施例中，加載鎖定腔室的主體包含鋁；在另一實施例中，加載鎖定腔室的主體包含電鍍鋁。鋁跟電鍍鋁兩者都具高反射率及低發射率。鋁在攝氏25度時的發射係數為0.02、在攝氏100度時的發射係數為0.03、在攝氏500度時的發射係數為0.06。另一方面，電鍍鋁在 攝氏199度時的發射係數為0.11、在攝氏599度時的發射係數為0.19。鋁是最常用的反射性材料之一；平均而言，鋁的反射率高於90%。電鍍鋁雖不如鋁般具有高反射率，但其反射率仍高於50%。

當基板從移送室進入加載鎖定腔室時，其可能處於高於工廠介面溫度之較高溫度；因此，加載鎖定腔室係用以降低基板的溫度，然由於具有高反射率表面之故，基板的熱傳量可能不是非常好。高發射率塗層602係沉積於平板600的暴露表面上；高發射率塗層602具有低於約4%之反射率、以及高於約0.19之發射係數，因此，高發射率塗層602有助於熱傳遞。高發射率塗層602足以暴露至真空條件、而不干擾或污染通過加載鎖定腔室之基板。高發射率塗層602可為連續式或以間隙604分隔；高發射率塗層602實質上係延伸於整體寬度，如平板600的箭頭「K」、及如箭頭「L」之寬度所示。

第7圖為根據另一實施例之塗覆腔室表面(例如平板700)的等角視圖。如第7圖所示，基板支撐部702係橫越塗層704而與塗層704之細條帶垂直；基板支撐部702具有一或多個基板支撐銷706，其垂直延伸以支撐加載鎖定腔室中的基板。基板由具端效器之機器人帶入腔室中，該端效器係適配於基板支撐部702之間、並接著下降，直到使基板停置在基板支撐銷706上為止。

應知本發明所揭示之實施例係參照熔接及高發射率塗層之加載鎖定腔室而說明，而熔接及高發射率塗層也可 用於其他腔室中，例如移送室與處理腔室。此外，也可使用熔接來製造腔室，即使此腔室並未襯以高發射率塗層。類似地，腔室也可襯以一高發射率塗層，即使此腔室並未藉由本發明所述之熔接技術所製。在一實施例中，腔室同時包含高發射率塗層以及本發明所述之熔接概念。

藉由在腔室內之一或多個表面上塗覆高發射率塗層，基板的熱傳遞可以比暴露、裸露鋁或電鍍鋁表面更快的速率進行。此外，由於個別的部件是在與彎處隔開的位置處、以電子束熔接在一起，因此可以更具成本效益的方式來形成腔室主體，故不需要較大型的鍛造設備。

前述說明係針對發明實施例而行，然在不背離發明基本範疇下，亦可推得其他或進一步的實施例，且其範圍係由如附申請專利範圍予以限定。

100‧‧‧加載鎖定腔室

102‧‧‧腔室主體

104‧‧‧腔室空間

106‧‧‧腔室空間

108‧‧‧腔室空間

110‧‧‧舉升銷

112‧‧‧基板

114‧‧‧端效器

116‧‧‧端效器

118‧‧‧流量閥門

120‧‧‧流量閥門

122‧‧‧流量閥門

124‧‧‧流量閥門

126‧‧‧流量閥門

128‧‧‧流量閥門

130‧‧‧腔室壁

132‧‧‧腔室壁

134‧‧‧腔室壁

136‧‧‧腔室壁

138‧‧‧真空側

140‧‧‧大氣側

142‧‧‧腔室壁

144‧‧‧腔室壁

146‧‧‧腔室壁

148‧‧‧腔室壁

150‧‧‧腔室壁

152‧‧‧腔室壁

200‧‧‧加載鎖定腔室

202‧‧‧頂部平板

204‧‧‧底部平板

206‧‧‧中間區段

208‧‧‧末端部件

210‧‧‧末端部件

212‧‧‧開口

214‧‧‧熔接部

216‧‧‧側部部件

218‧‧‧側部部件

300‧‧‧主體

302‧‧‧末端部件

304‧‧‧末端部件

306‧‧‧開口

308‧‧‧開口

310‧‧‧側部部件

312‧‧‧側部部件

314‧‧‧熔接部

316‧‧‧熔接部

318‧‧‧熔接部

320‧‧‧熔接部

322‧‧‧彎處

402‧‧‧末端部件

404‧‧‧側部部件

406‧‧‧熔接部

408‧‧‧彎處

502‧‧‧末端部件

504‧‧‧側部部件

506‧‧‧熔接部

508‧‧‧邊緣

510‧‧‧邊緣

512‧‧‧邊緣

514‧‧‧邊緣

600‧‧‧平板

602‧‧‧塗層

604‧‧‧間隙

700‧‧‧平板

702‧‧‧基板支撐部

704‧‧‧塗層

706‧‧‧支撐銷

A-D‧‧‧線

E-L‧‧‧箭頭

為使實施例之上述特徵得以更詳細被瞭解，係已參照實施例而更具體說明以上所簡述之發明，其中部分實施例係繪示於如附圖式中。然應知如附圖式僅為說明本發明之典型實施例，而非用於限制其範疇，本發明亦允許其他等效實施例。

第1圖係根據本發明一實施例之三槽式加載鎖定腔室100的截面圖； 第2圖係根據一實施例之加載鎖定腔室的分解等角視圖；第3A圖係耦接在一起之加載鎖定腔室側壁的等角視圖；第3B圖係第3A圖之上視圖；第4圖係根據一實施例之加載鎖定腔室的接合位置之等角視圖；第5A圖為將熔接在一起以形成加載鎖定腔室主體之一部分的兩個部件的等角視圖；第5B圖為第5A圖中所示之兩個部件熔接在一起後的等角視圖；第5C圖為從另一角度所見之第5B圖的等角視圖；第6圖為根據一實施例之塗覆腔室表面的示意上視圖；第7圖為根據另一實施例之塗覆腔室表面的等角視圖。

為助於理解，盡可能使用相同的元件符號來表示各圖式中相同的元件。應知在一實施例中所揭示的元件也可用於其他實施例，其無須另行特定說明。

402．．．末端部件

404．．．側部部件

406．．．熔接部

408．．．彎處

Claims (19)

1. 一種真空腔室主體，其包含複數個部件，該等部件係耦接在一起以共同形成具有含四個彎處之一內部表面的該真空腔室主體，該真空腔室主體包含：一第一部件，包含：一第一部分及延伸通過其間之一第一開口，該第一部分具有大於一第一寬度之一第一長度；一第一凸緣，其於與該第一寬度實質垂直的一方向上自該第一部分延伸一第一距離，該第一凸緣係自該四個彎處中之一第一彎處延伸；以及一第二凸緣，其於與該第一寬度實質垂直的一方向上自該第一部分延伸一第二距離，該第二凸緣係自該四個彎處中之一第二彎處延伸；一第二部件，其耦接至該第一凸緣並於與該第一寬度實質垂直的一方向上延伸；一第三部件，其耦接至該第二凸緣並於與該第一寬度實質垂直且與該第二部件平行的一方向上延伸；一第四部件，其耦接至該第二部件與該第三部件，該第四部件包含：一第二部分及延伸通過其間之一第二開口，該第二部分具有大於一第二寬度之一第二長度；一第三凸緣，其於與該第二寬度實質垂直的一方向上自該第二部分延伸一第三距離；以及 一第四凸緣，其於與該第二寬度實質垂直的一方向上自該第二部分延伸一第四距離；一第一平板，其耦接至該第一部件、該第二部件、該第三部件與該第四部件；一第二平板，其耦接至該第一部件、該第二部件、該第三部件與該第四部件，使得該第一平板、該第二平板、該第一部件、該第二部件、該第三部件與該第四部件共同圍繞一腔室空間；以及一塗層，其配置於該第一平板與該第二平板中至少一者上，該塗層具有之一發射率係高於該第一部件、該第二部件、該第三部件與該第四部件中至少一者的該發射率。
2. 如申請專利範圍第1項所述之真空腔室主體，其中該第一凸緣具有小於該第一寬度之一寬度，且該第一凸緣的該寬度係與該第二部件的一寬度實質相等。
3. 如申請專利範圍第2項所述之真空腔室主體，其中該四個彎處中至少一個彎處係經磨圓。
4. 如申請專利範圍第3項所述之真空腔室主體，其中該塗層具有於攝氏599度測得為0.19之一發射率、以及低於約4%之一反射率。
5. 如申請專利範圍第4項所述之真空腔室主體，其中 該塗層包含鋁。
6. 一種用於製造一真空腔室主體的方法，該腔室主體具有一外部表面以及具有複數個彎處之一內部表面，該方法包含以下步驟：置放一第一部件於與一第二部件相鄰處，該第一部件包含：一第一部分，其具有一第一長度與小於該第一長度之一第一寬度；以及一第一凸緣，其於與該第一寬度實質垂直的一方向上自該第一部分延伸一第一距離，使得該第一凸緣與該第一部分接觸於該等複數個彎處中之一第一彎處，該第一凸緣與該第二部件相隔一間隙；輻照一電子束至該間隙中；以及將該第二部件熔接至該第一凸緣。
7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該第一凸緣與該第一部分包含一單一結構。
8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該電子束係自該外部表面輻照至該間隙中。
9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，更包含以下步驟：自該第一部件移除一第一部分材料以限定該第一凸緣。
10. 一種真空腔室，其包含：一頂部平板；一底部平板，其相對於該頂部平板而配置；一第一側部平板，其耦接至該頂部平板與該底部平板；一第二側部平板，其耦接至該頂部平板與該底部平板，且相對於該第一側部平板而配置；一第一流量閥平板，其耦接至該頂部平板、該底部平板、該第一側部平板與該第二側部平板，且具有通過其間之一開口；一第二流量閥平板，其耦接至該頂部平板、該底部平板、該第一側部平板與該第二側部平板，該第二流量閥平板係相對於該第一流量閥平板而配置且具有通過其間之一開口，該頂部平板、該底部平板、該第一與第二側部平板、以及該第一與第二流量閥平板共同圍繞一腔室空間；以及一塗層，其配置於該頂部平板與該底部平板中至少一者上，該塗層具有於攝氏599度測得為0.19之一第一發射率。
11. 如申請專利範圍第10項所述之真空腔室，其中該第一發射率係與該第一側部平板、該第二側部平板、該第一流量閥平板與該第二流量閥平板中至少一者的該發射率不同。
12. 如申請專利範圍第11項所述之真空腔室，其中該底部平板上具有一塗層，該塗層具有於攝氏599度測得為大於0.19之一發射率。
13. 如申請專利範圍第12項所述之真空腔室，其中該底部平板上之該塗層係非連續，因此存在一或多個間隙。
14. 如申請專利範圍第13項所述之真空腔室，更包含一或多個基板支撐部，其耦接至該底部平板並沿著與該一或多個間隙實質垂直之該底部平板延伸。
15. 如申請專利範圍第14項所述之真空腔室，更包含一或多個支撐銷，其耦接至該一或多個基板支撐部並自其鉛直延伸。
16. 如申請專利範圍第15項所述之真空腔室，其中該塗層具有一小於約4%之反射率。
17. 如申請專利範圍第16項所述之真空腔室，其中該第一流量閥平板包含：一第一部分及延伸通過其間之一第一開口，該第一部分具有大於一第一寬度之一第一長度；一第一凸緣，其於與該第一寬度實質垂直的一方向上自該第一部分延伸一第一距離，該第一凸緣係自 該四個彎處中之一第一彎處延伸；以及一第二凸緣，其於與該第一寬度實質垂直的一方向上自該第一部分延伸一第二距離，該第二凸緣係自該四個彎處中之一第二彎處延伸；其中該第二流量閥平板包含：一第二部分及延伸通過其間之一第二開口，該第二部分具有大於一第二寬度之一第二長度；一第三凸緣，其於與該第二寬度實質垂直的一方向上自該第二部分延伸一第三距離；以及一第四凸緣，其於與該第二寬度實質垂直的一方向上自該第二部分延伸一第四距離；且其中該第一側部平板係耦接至該第一凸緣並於與該第一寬度實質垂直之一方向中延伸，且其中該第二側部平板係耦接至該第二凸緣並於與該第一寬度實質垂直並與該第二部件平行之一方向中延伸。
18. 如申請專利範圍第17項所述之真空腔室，其中該第一凸緣具有小於該第一寬度之一寬度，且該第一凸緣的該寬度係與該第二側部平板的一寬度實質相等。
19. 如申請專利範圍第18項所述之真空腔室，其中該四個彎處中至少其中一個彎處係經磨圓。