KR102293803B1 - 반도체 챔버 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 챔버의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속 원재를 원하는 형상, 치수 등으로 가공하기 위해 상기 금속 원재에 판금, 절곡, 절삭, 천공하는 가공을 수행하여 반도체 제조 공정이 수행되는 반도체 챔버를 제조하는 반도체 챔버 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 챔버 제조 방법은, 금속 원재를 판금하는 판금 단계, 그리고 상기 판금 단계에 의해 판금된 금속 판재를 각기 다른 크기를 갖는 제1금속판재, 제2금속판재 및 제3금속판재로 절단시키는 절단 단계, 그리고 상기 절단 단계에 의해 절단된 상기 금속 판재의 일부분을 절곡시키는 절곡 단계, 그리고 상기 금속 판재에 홀을 천공하는 천공 단계, 그리고 상기 금속 판재를 연마시키는 연마 단계, 그리고 상기 금속 판재의 일측에 복수의 통기공을 형성시키는 통기공 형성 단계, 그리고 상기 제1금속판재를 서로 접합시켜 벽체를 형성시키는 벽체 형성 단계를 포함한다.

Description

반도체 챔버 제조 방법{MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR CHAMBER}
본 발명은 반도체 챔버의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속 원재를 원하는 형상, 치수 등으로 가공하기 위해 상기 금속 원재에 판금, 절곡, 절삭, 천공하는 가공을 수행하여 반도체 제조 공정이 수행되는 반도체 챔버를 제조하는 반도체 챔버 제조 방법에 관한 것이다.
현대 사회에는 라디오, 컴퓨터, 텔레비젼 등의 각종 전자 제품이 매우 다양하게 사용되고 있으며, 상기 전자 제품에는 필수적으로 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터 등의 반도체 소자가 포함된다. 위와 같이 현대 사회의 필수품인 반도체 소자는, 산화실리콘(모래)에서 고순도의 실리콘을 추출한 것을 단결정으로 성장시키고 이를 원판 모양으로 잘라서 웨이퍼를 만드는 과정, 상기 웨이퍼의 전체 표면에 막을 형성하고 필요한 부분을 제거하여 일정한 패턴을 형성하는 과정, 형성된 패턴에 따라 불순물 이온을 도핑하고 금속배선을 통하여 최초 설계된 회로를 구현하며 필요한 소자로 만들기 위한 패키지 공정 등이 포함된 일련의 웨이퍼 가공 과정을 통하여 제조된다.
위와 같은 반도체 제조 공정 중, 일부 공정은 필요한 장치가 구비된 챔버내에서 진행된다. 가령, 웨이퍼의 특정 부분 물질을 화학 반응을 통해 제거해 내는 식각(etching)공정이나, 화학 반응을 이용하여 웨이퍼상에 박막을 형성하는 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition)공정, 실리콘 단결정으로 된 웨이퍼의 특정한 영역에 전기전도특성을 부여하기 위하여 불순물을 첨가하는 이온주입공정 등은 모두 챔버 내에서 진행된다.
한편, 코로나19 팬데믹 사태가 지나간 이후 반도체 시장 전반에 대한 강한 수요가 이어지면서 반도체의 수요뿐만 아니라 이에 부대하여 반도체 챔버의 수요 또한 급증하고 있는 추세이다.
그러나 많은 뉴스, 매체에서도 다루고 있듯, 급증하고 있는 수요 분에 대한 공급량이 받쳐주지 못하는 상황이어서 생산성을 대폭 향상시킨 반도체 챔버의 제조 방법에 대한 개발이 절실한 실정이다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 반도체 챔버의 제조 방법에 대한 자동화를 실현하여 반도체 챔버 제조의 대량 생산을 도모할 수 있는 반도체 챔버 제조 방법의 제공을 목적으로 한다.
상기 과제의 해결을 목적으로 하는 본 발명에 따른 반도체 챔버 제조 방법은, 금속 원재를 판금하는 판금 단계, 그리고 상기 판금 단계에 의해 판금된 금속 판재를 각기 다른 크기를 갖는 제1금속판재, 제2금속판재 및 제3금속판재로 절단시키는 절단 단계, 그리고 상기 절단 단계에 의해 절단된 상기 금속 판재의 일부분을 절곡시키는 절곡 단계, 그리고 상기 금속 판재에 홀을 천공하는 천공 단계, 그리고 상기 금속 판재를 연마시키는 연마 단계, 그리고 상기 금속 판재의 일측에 복수의 통기공을 형성시키는 통기공 형성 단계, 그리고 상기 제1금속판재를 서로 접합시켜 벽체를 형성시키는 벽체 형성 단계를 포함한다.
또한 상기 통기공은 슬릿 형상을 갖는 슬릿홈 및 원형을 갖는 원형홈을 포함한다.
또한 상기 통기공은 NCT 가공, 레이저 가공 또는 둘 모두를 이용하여 형성된다.
또한 상기 접합은 볼팅 방식 및 용접 방식이 모두 사용되는 것으로 구성된다.
상기 구성, 단계 및 특징을 갖는 본 발명은 반도체 챔버의 제조 방법에 대한 자동화를 실현하여 반도체 챔버 제조의 대량 생산을 도모할 수 있다는 장점이 존재한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 챔버 제조 방법의 플로우 차트.
도 2는 금속 판재를 나타낸 도면.
도 3은 금속 판재에 형성된 공동을 나타낸 도면.
도 4는 벽체가 형성된 반도체 챔버를 나타낸 도면.
도 5는 절곡기를 나타낸 도면.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 구현예(態樣, aspect)(또는 실시예)들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 구현예(태양, 態樣, aspect)(또는 실시예)를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, ~포함하다~ 또는 ~이루어진다~ 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
본 명세서에서 기재한 ~제1~, ~제2~ 등은 서로 다른 구성 요소들임을 구분하기 위해서 지칭할 것일 뿐, 제조된 순서에 구애받지 않는 것이며, 발명의 상세한 설명과 청구범위에서 그 명칭이 일치하지 않을 수 있다.
본 발명은 반도체 챔버의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속 원재를 원하는 형상, 치수 등으로 가공하기 위해 상기 금속 원재에 판금, 절곡, 절삭, 천공하는 가공을 수행하여 반도체 제조 공정이 수행되는 반도체 챔버를 제조하는 반도체 챔버 제조 방법에 관한 것이다.
그리고 본 발명을 사용하여서 반도체 챔버 뿐만이 아니라 각 종 제어반 케이스, 컨트롤박스, 분전반 케이스, 수배전반 케이스 등 전력을 제어/공급/분기시키는 각 종 설비들의 케이스를 제조할 수 있음은 물론이다.
먼저, 본 발명에 따른 반도체 챔버 제조 방법은 크게 판금 단계, 절단 단계, 절곡 단계, 천공 단계, 연마 단계, 벽체 형성 단계, 격벽 형성 단계, 제3금속판재(300) 결합 단계를 포함한다.
그리고 본 발명에서 사용되는 금속 원재의 종류로 철, 알루미늄 등이 포함된 합금이 사용될 수 있으며, 특정 종류의 금속으로 한정하지 않는다.
그리고 금속 원재를 판금하는 판금 단계는 금속 원재를 얇고 넓은 판 형태의 철판 형상으로 가공시키는 단계를 의미하는데, 이는 물체의 소성을 이용해서 변형시켜 갖가지 모양을 만드는 가공법 중 하나이다.
상기 판금 단계를 사용하여 제1금속판재(100), 제2금속판재(200) 및 제3금속판재(300)의 모재(母材)에 해당하는 금속 판재를 생산하게 된다. 여기서 제1금속판재(100), 제2금속판재(200) 및 제3금속판재(300)의 모재에 해당하는 금속 판재라고 함은 금속 원재를 단순히 철판 형태로만 가공시킨 상태를 의미한다.
그리고 여기서 제1금속판재(100)는 벽체로 사용되는 구성을 의미하고, 제2금속판재(200)는 상기 벽체 내부에 형성된 수용 공간에 격벽을 형성시키기 위해 사용되는 구성을 의미하며, 제3금속판재(300)는 도어(D1)가 결합될 수 있도록 내측 모서리에 결합홈을 형성시키기 위해 벽체 내면에 결합되는 구성 또는 벽체 저면의 공간을 구획하기 위해 사용되는 구성을 의미한다. 단순히 크기순으로 나열하면 제1금속판재(100)가 제일 크고, 제2금속판재(200)가 그 다음으로, 제3금속판재(300)가 그 다음의 크기를 갖는다.
그리고 상기 판금 단계에서는 수치 제어 장치가 결합된 자동화 공작 기계가 사용될 수 있고, 이에 따라 판금 가공의 자동화가 실현될 수 있으며, 궁극적으로는 작업 능률을 향상시킬 수 있다는 장점이 존재한다.
그리고 이러한 금속 판재 등은 반도체 챔버 등의 설계에 따라 벽체를 형성하거나 내부에 장착되되 또 다른 부재와의 연결, 조립을 위해 절단 또는 절곡될 필요가 있으며, 본 발명은 상기 모재를 소정의 크기로 절단하는 절단 단계 및 절단된 모재의 일부분을 절곡시키는 절곡 단계를 포함한다.
상기 판금 단계에 의해 판금된 금속 모재를 각기 다른 크기를 갖는 복수의 중간재로 절단시키는 절단 단계는 레이저 가공을 통해 수행될 수 있다.
그리고 상기 절단 단계에 의해 절단된 제1중간재, 제2중간재 및 제3중간재의 일부분을 절곡시켜 각각 제1금속판재(100), 제2금속판재(200) 및 제3금속판재(300)로 형성시키는 절곡 단계는 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 금속 판재의 각 변에 수행될 수 있다.
그리고 상기 절곡 단계에 의해 형성된 절곡면(C)은 각 제1금속판재(100)를 접합시켜 벽체를 형성시키기 위한 접합면으로 사용될 수 있다.
그리고 상기 반도체 챔버는 상기 반도체 챔버의 수용 공간을 밀폐시키는 도어(D1)를 포함하되, 상기 도어(D1)의 각 변은 상기 수용 공간 측으로 절곡 형성될 수 있도록 상기 도어(D1)의 각 변을 절곡될 수 있다.
그리고 상기 절곡 단계에 의해 복수의 절곡면(C)이 형성되되, 상기 복수의 절곡면(C)은 서로 절곡되는 방향이 다른 절곡면(C)을 포함한다.
여기서 서로 절곡되는 방향이 다른 절곡면(C)을 포함한다고 함은 도 2에 도시된 바와 같이, 절곡면(C)이 또 다시 절곡 단계를 거쳐 절곡면(C)이 서로 이웃하게 배치되는 것을 의미한다.
상기한 바와 같이, 서로 절곡되는 방향이 다른 절곡면(C)이 포함되는 경우에는 상기 벽체의 저면에 상기 제3금속판재(300)를 접합시킬 때, 더 넓은 접합면을 획득할 수 있고, 또한 접합면 상에 홀(H1)을 천공하는 천공 단계를 수행시켜 볼팅 접합을 수행할 수도 있어 다양한 방식의 접합 방식을 선택적으로 채용할 수 있다는 장점이 존재하게 된다.
그리고 상기 절곡 단계는 도 5에 도시된 바와 같이, 해당 기술분야에서 통상적으로 사용되는 절곡기(M1)로 수행될 수 있다.
그리고 다른 부재와 볼트 체결하여 접합시키기 위해 복수의 홀(H1)을 천공하는 천공 단계를 포함한다. 구체적으로는 상기 제1금속판재(100), 제2금속판재(200) 및 제3금속판재(300)의 접합 부위에 홀(H1)을 천공하는 천공 단계를 포함하게 된다.
상기 홀(H1)을 천공시키기 위해서는 도 3에 도시된 바와 같이, NCT(Numerical Control Turret punch press)가 사용될 수 있다.
상기 NCT는 고속 CPU를 포함하는 수치제어장치를 포함함으로써 공구(Tool)에 대한 공작물(금속 판재 또는 금속 관재)의 이동량이 입력된 수치정보에 따라 자동으로 제어되는 방식이며, 다양한 직경의 홀(H1)을 일괄적으로 가공이 가능하도록 구성된 펀치 프레스이다.
그리고 엠보싱, 루버, 버링, 란스 등의 다양한 형상의 금형으로 상기 NCT를 이용한 천공 단계가 수행될 수 있다. 물론 상기한 금형 이외에도 다른 형상의 금형을 채용한 실시를 배제하는 것은 아니다.
그리고 상기 홀(H1)보다 더 큰 직경을 갖거나 더 복잡한 형상의 공동(H2)(Cavity)을 형성시키기 위해서는 NCT를 이용한 가공이 아닌 레이저 가공을 통해 수행되는 공동(H2) 형성 단계를 더 포함할 수 있다.
예시적으로 도 3에 도시된 바와 같이, 금속 판재 상에 형성된 사각형 형상 또는 원형 형상의 공동(H2)의 경우 레이저 가공을 통해 이들을 형성시키게 되는 것이다.
그리고 본 발명에 따라 제조되는 반도체 챔버 등에 수용되는 기기들의 경우에는 전력 변환의 기능을 수행하기 위하여 고속 스위칭 동작을 반복 수행함에 따라서 상당한 열이 발생하게 되므로 반도체 챔버는 정상적이면서 내구성을 유지하며 구동하기 위해서는 각 종 기기들에 의하여 발생한 열을 방출시키기 위해 통기공(H3)을 구비시킬 필요가 있다. 이에 상기 공동(H2)은 상기 통기공(H3)으로 사용될 수 있다.
그리고 상기 금속 판재의 일측에 복수의 통기공(H3)을 형성시키는 통기공(H3) 형성 단계에 의해 형성된 통기공(H3)은 도 4에 도시된 바와 같이, 슬릿 형상을 갖는 슬릿홈 및 원형을 갖는 원형홈을 포함한다.
이처럼 슬릿홈, 원형홈으로 상기 통기공(H3)의 형태를 달리하여 구성함으서 열을 방출시키는 기능을 효과적으로 수행할 수 있다는 장점이 존재하게 된다. 그리고 상기 통기공(H3)은 NCT 가공, 레이저 가공 또는 둘 모두를 이용하여 형성되는데 더 구체적으로는 슬릿홈의 경우 레이저 가공될 수 있다.
그리고 상기 제1금속판재(100), 제2금속판재(200) 및 제3금속판재(300)의 외면을 연마시키는 연마 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 연마 단계는 연삭 숫돌을 고속으로 회전시켜 상기 금속 판재의 요철 부분을 평탄하게 다듬어주는 연삭 가공 단계를 의미한다.
상기 연마 단계는 도 3에 도시된 바와 같이, 통상의 그라인더(G)로 수행될 수 있으며, 상기 그라인더(G)의 실시예로 일반 연삭용으로 축(軸) 등을 다듬질하는 원통연삭기, 내면을 연삭하는 내면연삭기, 평면을 비롯하여 내면/테이퍼면도 다듬질할 수 있는 평면연삭기, 가장 널리 사용되고 있는 원통의 외주(外周), 구멍의 내면을 연삭하는 만능연삭기 등이 사용될 수 있다.
그리고 상기 제1금속판재(100)를 서로 접합시켜 벽체를 형성하는 벽체 형성 단계를 포함한다. 상기 제1금속판재(100)끼리의 접합은 볼팅 접합이 사용되는데, 상기 절곡 단계에 의해 형성된 절곡면(C)을 접합면으로 하여 볼팅 접합이 이루어질 수 있다.
그리고 상기 제2금속판재(200)로 상기 벽체의 내측면에 접합시켜 상기 벽체에 형성된 수용 공간에 격벽을 형성시키는 격벽 형성 단계를 포함한다.
상기 격벽 형상 단계를 통해 상기 반도체 챔버 내의 수용 공간을 구획시키는 효과를 획득할 수 있게 된다. 예시적으로 상기 격벽은 상기 반도체 챔버 내의 수용 공간을 횡방향으로 구획할 수 있다.
그리고 상기 벽체 내부에 상기 제2금속판재(200)의 접합은 볼트 접합 방식, 용접 방식 등 다양한 방식이 채용될 수 있다.
그 다음으로 상기 수용 공간으로 반도체 챔버에 사용되는 기기들을 수용시킬 수 있도록 상기 벽체의 일면에 통공을 형성하는 통공 형성 단계를 포함하는데, 상기 통공 형성 단계 또한 전술한 바와 같이 레이저 가공을 통해 수행될 수 있다.
그리고 상기 벽체의 내부 일면과 상기 결합 부재를 결합시키기 위해서 전술한 바와 같이, 각 상기 벽체의 내부 일면과 상기 결합 부재에 NCT를 이용한 천공 단계를 수행하여 천공 단계에 의해 형성된 홀(H1)에 볼팅 결합을 수행시켜 결합을 완성시킬 수 있게 된다.
그리고 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제3금속판재(300)를 상기 반도체 챔버의 내부의 저면에 접합하여 상기 저면의 공간이 구획될 수 있게 된다. 그리고 상기 제3금속판재(300)가 접합됨으로서 상기 저면에는 안착 공간(D2)이 형성될 수 있게 된다. 상기 안착 공간(D2)상에는 반도체 챔버에 구비되는 각종 기기들이 안착될 수 있게 된다.
그리고 상기 제1금속판재(100), 제2금속판재(200) 및 제3금속판재(300) 간의 상기 접합은 볼팅 방식 및 용접 방식이 모두 채용될 수 있다.
이에 따른 이점은 다음과 같다. 먼저 볼팅 방식의 경우에는 볼팅 방식이 수행되기 위해서는 전술한 바와 같이 절곡면(C)을 형성시키기 위해 절곡 단계가 수행되어야 하고, 절곡면(C)에 볼트가 체결될 홀(H1)을 천공하는 천공 단계가 수행되어야하는데, 상기 절곡 단계는 자동 절곡기(M1)에 의해 그리고 천공 단계는 NCT에 의해 수행된다. 따라서 볼팅 방식의 경우에는 작업 속도가 상당히 빠르고, 일률적이며, 품질의 동일성을 보장할 수 있다는 장점이 존재하게 된다.
그리고 용접 방식의 경우에는 수동 용접시 용접자의 기능도에 따라 용접부의 강도가 좌우되는바 품질의 동일성은 보장되지 않을 수 있으나 이음 부분의 기밀 유지에 용이하고, 작업 공정수를 줄일 수 있다는 장점이 존재한다.
본 발명은 볼팅 방식의 장점 및 용접 방식의 장점을 모두 채용할 수 있도록 상기 접합은 볼팅 방식 및 용접 방식 모두를 포함하는 것이다.
한편, 반도체 챔버의 내부에는 저면에 각 종 금속 부재가 접합이 되어 있어 단차가 형성되어 있는바 염료, 방청제 등의 조성물(이하 코팅제조성물)이 고루고루 도포되기가 힘들다는 단점이 존재하게 된다. 이에 본 발명에 따른 도포 단계는 단차진 부분에도 코팅제조성물이 고르게 도포될 수 있도록 상부에 원통형의 손잡이(A1) 및 상기 손잡이(A1)의 하부에 결합되고 하면의 높이를 상이하게 조절시킬 수 있는 복수의 빗살(A2)을 포함하는 베이스(A3)를 구비하는 도포 장비로 수행될 수 있다.
종래 코팅제조성물의 도포를 위한 빗 또는 브러쉬의 경우에는 도포 대상(O)과 맞닿는 빗살(A2)이 높이가 전부 동일하여 단차진 형상을 갖는 도포 대상(0)을 쓸어나갈 때, 그 단차진 면과 맞닿는 면적이 적거나 일정하지가 않아 코팅제조성물이 고루고루 발리지 못하는 단점이 존재한다.
이에 따라 이하에서는 도 6에 도시된 바와 같이, 빗살(A2)의 높이를 조절함으로써 평면은 물론이거니와 단차진 면과 맞닿는 면적을 골고루 가져 어떤 면과 닿더라도 코팅제조성물을 고루고루 바를 수 있는 도포장비에 대해 설명하고자 한다. 그리고 도 6에는 도시되지는 않았지만 각 빗살(A2)의 측면에는 브러쉬가 구비되어 있다.
먼저 상기 도포장비는 상기 손잡이(A1)의 내부를 관통하는 상기 빗살(A2)의 높낮이를 조절하는 높이 조절 수단을 포함하는데, 상기 높이 조절 수단은 상기 손잡이(A1)의 상부로 돌출 구비되는 버튼부재(A13)를 포함하고 있어, 사용자가 버튼부재(A13)를 누르게 되면 복수의 빗살(A2) 서로가 단차를 만들게 되어 곡면과 맞닿는 부분을 최대로 만들 수 있게 되는 것이다. 이를 통해 궁극적으로는 도포 대상(O) 면에 코팅제조성물이 골고루 도포되는 결과를 가져올 수 있게 된다.
다양한 형상의 도포 대상(O) 면에 대응하기 위해 하면의 상태를 사용자가 버튼부재(A13)를 누르기 전과, 사용자가 버튼부재(A13)를 제1단으로 누른 상태와, 사용자가 버튼부재(A13)를 제2단으로 누른 상태 세 가지로 다르게 구성시킬 수 있다.
그 다음으로 상기 높이 조절 수단은 상기 손잡이(A1)의 상부로 돌출 구비되는 버튼부재(A13)를 포함하는 수직대(A11) 및 상기 수직대(A11)의 수직 방향으로의 출입에 따른 접촉으로 수평 방향으로 이동하는 수평대(A12)를 포함한다. 여기서 수직방향이라 함은 손잡이(A1)의 높이를 형성하는 높이방향을 의미하는 것이고, 수평방향이라 함은 이에 수직한 방향을 의미하는 것이다. 상기 수직대(A11)는 버튼부재(A13)의 하단에 결합되고, 상기 손잡이(A1)에 내장되는 승강부재(A113)를 포함한다. 상기 승강부재(A113)는 후술하겠지만 수평대(A12)와 접촉을 하게 되는 구성인데, 이러한 접촉에 의해 수평대(A12)를 수평방향으로 이동시키게 된다. 그리고 이러한 수평대(A12)의 수평방향으로의 이동으로 인하여 빗살(A2)을 하방으로 밀어냄으로써 복수의 빗살(A2) 사이에 단차가 형성되는 것이다. 그리고 상기 손잡이(A1)의 하부에 결합되고 하면에 복수의 빗살(A2)을 포함하는 베이스(A3)를 포함하며, 상기 빗살(A2)은 중앙의 중앙빗살(A21)을 기준으로 쌍으로 대칭적으로 구비되는 제1측방빗살(A22) 및 상기 제1측방빗살(A22)보다 바깥 측에 구비되는 제2측방빗살(A23)을 포함한다. 그리고 상기 수평대(A12)는 제1측방빗살(A22)과 맞닿고, 'ㅋ'자 형상을 갖되, 일 단부가 내측으로 갈수록 하향 경사를 갖는 경사부를 구비하고 수평방향으로 뻗어있는 수평유닛 및 상기 수평유닛에 수직방향으로 연장 형성된 수직유닛를 포함하는 제1수평대(A121)를 포함한다. 그리고 제1수평대(A121)는 상기 제1측방빗살(A22)의 상부와 접촉함으로써 상기 제1측방빗살(A22)의 높이를 조절하고, 제2수평대(A122)는 상기 제2측방빗살(A23)의 상부와 접촉함으로써 상기 제2측방빗살(A23)의 높이를 조절하게 된다. 그리고 이러한 수평대(A12)는 상기 베이스(A3)에 내장되어 상기 수직대(A11)의 수직이동에 따라 수평방향으로 이동을 하게 된다.
그리고 상기 수평유닛는 상기 수직유닛의 각기 다른 높이 상에 형성되고, 수평 방향으로 뻗어진 길이가 각기 다른 일 수평유닛(1211) 및 타 수평유닛(1212)를 포함하고, 상기 일 수평유닛(1211)은 상기 타 수평유닛(1212)보다 상부에 구비되고, 수평방향으로 뻗어진 길이는 상기 타 수평유닛(1212)보다 짧은 것을 특징으로 한다. 이에 따라 승강부재(A113)의 하단에 구비되어 상기 수평대(A12)와 접촉하는 누름부가 상기 경사부를 따라 용이하게 진입할 수 있게 되며, 상기 타 수평유닛(1212)가 내측 방향으로 더 길게 뻗어져 있기 때문에 상기 타 수평유닛(1212)와 맞닿았을 때 수평대(A12)가 외측으로 더 밀릴 수 있게 되는 것이다. 그리고 상기 승강부재(A113)는 외면에 외측으로 돌출 구비되는 돌기부재(A111)(A112)를 포함하고, 상기 돌기부재(A111)(A112)는 상기 승강부재의 하부에 구비되는 일 돌기부재(A111) 및 상기 일 돌기부재(A111)보다 상부에 구비되되 상기 일 돌기부재(A111)보다 수평방향 측으로 더 돌출된 타 돌기부재(A112)를 포함한다. 상기 돌기부재(A111)(A112)는 상기 승강부재(A113)가 승강하는 공간인 상기 수평대(A12)의 진입부로 진입하였을 때, 그 상부가 상기 수평유닛과 맞닿으면서 상기 승강부재(A113)의 탄성부재에 의한 복귀력으로 인해 복귀점으로 복귀하는 것을 방지할 수 있게 된다. 그리고 상기 돌기부재(A111)(A112)의 재질은 탄성을 갖는 고무 또는 우레탄 등으로 구성되는 것이 바람직한데, 이에 의해서 강제로 버튼부재(A13)를 밀어 올려 상기 수평대(A12)와 수직대(A11)를 복귀지점으로 복귀시키는 것이 가능해진다.
그 다음으로 상기 수평대(A12)는 상기 제1수평대(A121)의 외측으로 돌출 형성되는 제2수평대(A122)를 포함한다. 상기 제2수평대(A122)는 상기 제2측방빗살(A23)의 상면과 맞닿되, 하면에 외측으로 갈수록 상향 경사를 갖는 슬로프 및 상기 슬로프와 연결되어 단턱을 형성하는 단턱부를 포함한다. 그리고 상기 슬로프와 단턱부는 적어도 2개 이상 구비하여야 되는데, 이에 의해 제1측방빗살(A22)과 제2측방빗살(A23)은 각기 다른 단차를 형성시킬 수 있게 된다. 즉, 일 돌기부재(A111)만 진입부에 진입하여 일 수평유닛(1211)와 맞닿는 경우에는 상부 단턱부(P1)가 제2측방빗살(A23)과 맞닿는 경우이며, 일 돌기부재(A111)를 포함하여 타 돌기부재(A112)까지 진입부에 진입하여 타 돌기부재(A112)가 타 수평유닛(1212)와 맞닿는 경우에는 하부 단턱부(P2)가 제2측방빗살(A23)과 맞닿는 경우이다.
그리고 슬로프는 상부 단턱부(P1)보다 바깥쪽에 구비되는 상부 슬로프(G1) 및 상기 상부 단턱부(P1)와, 상기 하부 단턱부(P2) 사이에 구비되는 하부 슬로프(G2)를 포함한다. 그리고 상기 하부 단턱부(P2)가 상기 제2측방빗살(A23)과 맞닿는 경우에는 자명하게도 상기 상부 단턱부(P1)가 상기 제2측방빗살(A23)과 맞닿는 경우에 비하여 상기 제2측방빗살(A23)이 더 아래로 배치될 수 있게 되는 것이다. 즉, 곡률이 보다 큰 경우에는 상부 단턱부(P1)가 제2측방빗살(A23)과 맞닿는 제1단상태 보다는 하부 단턱부(P2)가 제2측방빗살(A23)과 맞닿는 제2단상태로 맞추어 도포를 수행하는 것이 바람직할 것이다.
그리고 상기 빗살(A2)은 빗살(A2)을 기준으로 외측으로 갈수록 하향 경사를 갖는 빗면을 상부에 구비하는데, 상기 제2측방빗살(A23)의 제2빗면(I2)의 길이는 상기 제1측방빗살(A22)의 제1빗면(I1)의 길이보다 길게 형성된다. 이는 전술한 바와 같이, 제1측방빗살(A22)과 제2측방빗살(A23) 사이에 다른 단차를 형성시키기 위함이다.
이상에서 첨부된 도면을 참조하여 설명한 본 발명은 통상의 기술자에 의하여 다양한 변형 및 변경이 가능하고, 이러한 변형 및 변경은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 제1금속판재 200: 제2금속판재
300: 제3금속판재
C: 절곡면
D1: 도어 D2: 안착 공간
G: 그라인더
H1: 홀 H2: 공동
H3: 통기공
M1: 절곡기

Claims (4)

  1. 반도체의 제조 공정이 수행되는 반도체 챔버를 제조하는 반도체 챔버 제조 방법에 있어서,
    금속 원재를 판금하는 판금 단계;
    상기 판금 단계에 의해 판금된 금속 판재를 각기 다른 크기를 갖는 제1금속판재, 제2금속판재 및 제3금속판재로 절단시키는 절단 단계;
    상기 절단 단계에 의해 절단된 상기 제1 내지 제3 금속 판재의 일부분을 절곡시키는 절곡 단계;
    상기 제1 내지 제3 금속 판재에 홀을 천공하는 천공 단계;
    상기 제1 내지 제3 금속 판재를 연마시키는 연마 단계;
    상기 제1 내지 제3 금속 판재의 일측에 복수의 통기공을 형성시키는 통기공 형성 단계; 및
    상기 제1 내지 제3 금속판재를 서로 접합시켜 벽체를 형성시키는 벽체 형성 단계;
    를 포함하고,
    상기 통기공은 슬릿 형상을 갖는 슬릿홈 및 원형을 갖는 원형홈을 포함하고, NCT 가공, 레이저 가공 또는 둘 모두를 이용하여 형성되며
    상기 접합은 볼팅 방식 및 용접 방식 모두를 이용하여 상기 제1 내지 제3 금속판재를 접합시키고,
    코팅제 조성물을 도포하는 도포 단계를 더 포함하고,
    상기 도포 단계는 상부에 원통형의 손잡이 및 상기 손잡이의 하부에 결합되고 하면에 복수의 빗살을 포함하는 베이스를 포함하는 도포 장비로 수행되고,
    상기 도포 장비는,
    상기 손잡이의 내부를 관통하고, 상기 빗살의 높낮이를 조절하는 높이 조절 수단을 포함하고,
    상기 높이 조절 수단은 상기 손잡이의 상부로 돌출 구비되는 버튼부재를 포함하는 수직대 및 상기 수직대의 수직 방향으로의 출입에 따른 접촉으로 수평 방향으로 이동하는 수평대를 포함하고,
    상기 빗살은 중앙의 빗살을 기준으로 쌍으로 대칭적으로 구비되는 제1측방빗살 및 제2측방빗살을 포함하고,
    상기 수평대는 상기 제1측방빗살의 상부와 접촉함으로써 상기 제1측방빗살의 높이를 조절하는 제1수평대 및 상기 제2측방빗살의 상부와 접촉함으로써 상기 제2측방빗살의 높이를 조절하는 제2수평대를 포함하고,
    상기 제2수평대는 상이한 높이를 갖는 복수의 단턱부를 포함하는 반도체 챔버 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102659797B1 (ko) * 2023-12-29 2024-04-23 주식회사 에스앤디코리아 반도체 제조용 저장탱크를 위한 레이저 가공 지능형 로봇

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020178562A1 (en) * 2001-06-05 2002-12-05 Shigeyuki Aoki Method of manufacturing a vacuum chamber
KR20060010125A (ko) * 2004-07-27 2006-02-02 (주)아이씨디 알루미늄 플라즈마 챔버 및 그 제조 방법
KR20070054302A (ko) * 2005-11-23 2007-05-29 주성엔지니어링(주) 진공 챔버
KR20100123885A (ko) * 2009-02-06 2010-11-25 가부시키가이샤 아루박 챔버 및 그 제조 방법
KR20110095336A (ko) * 2008-11-14 2011-08-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고 방사율 코팅을 갖는 대형 진공 챔버 몸체의 전자 빔 용접
KR20130135103A (ko) * 2012-05-30 2013-12-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 하우징 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180053965A (ko) * 2016-11-14 2018-05-24 (주)광림정공 진공 챔버
KR102171598B1 (ko) * 2019-06-11 2020-10-29 정무돈 정밀도가 향상된 챔버 프레임 제조 방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020178562A1 (en) * 2001-06-05 2002-12-05 Shigeyuki Aoki Method of manufacturing a vacuum chamber
KR20060010125A (ko) * 2004-07-27 2006-02-02 (주)아이씨디 알루미늄 플라즈마 챔버 및 그 제조 방법
KR20070054302A (ko) * 2005-11-23 2007-05-29 주성엔지니어링(주) 진공 챔버
KR20110095336A (ko) * 2008-11-14 2011-08-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고 방사율 코팅을 갖는 대형 진공 챔버 몸체의 전자 빔 용접
KR20100123885A (ko) * 2009-02-06 2010-11-25 가부시키가이샤 아루박 챔버 및 그 제조 방법
KR20130135103A (ko) * 2012-05-30 2013-12-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 하우징 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180053965A (ko) * 2016-11-14 2018-05-24 (주)광림정공 진공 챔버
KR102171598B1 (ko) * 2019-06-11 2020-10-29 정무돈 정밀도가 향상된 챔버 프레임 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102659797B1 (ko) * 2023-12-29 2024-04-23 주식회사 에스앤디코리아 반도체 제조용 저장탱크를 위한 레이저 가공 지능형 로봇

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