CN102422410A - 升降销及包括所述升降销的晶片处理装置 - Google Patents

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Abstract

在升降销和具有所述升降销的基底处理装置中，所述升降销包括本体和接触部件，所述本体插入基底位于其上的基座的穿孔并且以垂直于所述基座上表面的方向沿所述穿孔上下移动，所述接触部件紧固至所述本体的上部并且包括硬度小于所述基底的硬度的软材料。由此，所述升降销的接触部件与所述基底形成接触，而不会在所述基底的表面形成刮擦，藉此减小处理中的基底损坏。

Description

升降销及包括所述升降销的晶片处理装置
技术领域
本发明涉及升降销及包括所述升降销的晶片处理装置，尤其涉及向上提升半导体晶片的升降销及包括所述升降销的晶片处理装置。
背景技术
一般地，这样制造半导体存储器件，即，经由用于在晶片上形成电路图形的制造处理、用于检查电路图形之电特性并且探测电路图形之缺陷的芯片电特性筛选(EDS)处理、以及用于从晶片切割成各个芯片并且将各个芯片封装入单独的半导体器件中的封装处理。在封装处理中，各芯片密封在环氧树脂中，并且在密封芯片上安装引线框。
上述现有的半导体制造处理中，可通过一系列的单元处理在晶片上形成电路图形，诸如用于在晶片上形成薄层的淀积处理、用于在薄层上形成光刻胶图形的图形化处理、用于利用光刻胶图形在薄层上蚀刻出蚀刻掩模的蚀刻处理、以及从经蚀刻薄层去除光刻胶图形的去除处理。
由于可以相对较低的温度在晶片上形成小厚度的薄层，并且淀积效率没有显著的降级，因此等离子体淀积处理得以采用。例如，最广泛地使用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)处理在晶片上形成薄层。特别地，PECVD处理具有以相对较低的温度和高淀积率来形成薄层的优点。
现有的PECVD装置包括其中供给有供给气体的处理室、设在处理室中并且其上放置晶片的基座、使得源气体均匀地分散在晶片上的喷头、通过其将高频电供给至处理室内部以将源气体转换为等离子体的电极。
当完成淀积处理并且在晶片上形成薄层时，晶片与基座分离，并且被移出处理室。具体地，一般有多个升降销从基座垂直地弹出，并且使得晶片提升超过基座。由此，晶片与基座相互分离。
然而，由于升降销通常包括氧化铝(Al2O3)和阳极铝(Al)之类的硬度比Si晶片大得多的铝(Al)基材料，因此升降销经常损坏晶片的接触面。例如，当将晶片移出处理室时，晶片的背面经常会有划痕。
发明内容
技术问题
实施例提供了一种在处理装置中使得晶片上升的升降销，并且其使得硅晶片的背面上的刮擦损坏为最小。
其它实施例提供了使用上述升降销的晶片处理装置。
技术方案
根据本发明的实施例，提供了一种升降销，其在对基座上的晶片进行处理的装置中使得所述基底在所述基座上向上或向下移动。所述升降销包括本体，其插入所述基座的穿孔，并且以垂直于所述基座的上表面的方向沿所述穿孔上下移动；及接触部件，其紧固至所述本体的上部，并且包括硬度小于所述基底的硬度的软材料，接触部件与晶片形成接触不会在晶片表面形成刮擦。
一实施例中，所述接触部件包括氧化钇(Y2O3)。
一实施例中，所述本体的上部包括槽部，并且所述接触部件这样插入所述槽部，即，所述接触部件的上部从所述本体的上部凸出。
一实施例中，所述升降销还包括位于所述本体的槽部的内表面上的粘附部件，以使所述接触部件粘附至所述本体的槽部的内表面。
一实施例中，所述接触部件的中央底部包括储气槽，从而当所述接触部件插入所述本体的槽部时，所述本体的槽部中剩下的残余气体保持在所述储气槽中。例如，所述接触部件可以固定于所述本体的槽部中。
一实施例中，所述接触部件的侧壁设有第一螺纹，并且所述本体的槽部的内表面设有第二螺纹，从而所述接触部件通过螺纹连接紧固入所述本体的槽部。
一实施例中，所述升降销还包括夹在所述接触部件和所述本体之间的相变层，从而所述接触部件通过所述相变层的结合力紧固至所述本体。例如，所述接触部件包括氧化钇(Y2O3)，所述本体包括氧化铝(Al2O3)，并且所述相变层包括钇-铝石榴石(YAG)。
一实施例中，所述本体的上部包括凸部，并且所述接触部件包括所述凸部插入其中的槽。
具体地，所述凸部的侧壁上设有第三螺纹，并且所述槽的内表面上设有第四螺纹，从而所述本体的凸部通过螺纹连接插入所述接触部件的槽中。
这样，所述升降销还包括位于所述接触部件的槽的内表面上的粘附部件。
根据其它实施例，提供了一种使用上述升降销处理基底的装置。所述装置包括处理室，其中供给有用于处理所述基底的反应气体，并且其提供用于执行处理的空间；设在所述处理室中并且具有穿孔的基座，所述基底位于所述基座上；设在所述基座上方的电极，并且向所述电极施加电力，；及可移动地插入所述基座的穿孔中并且使得所述基底上升离开所述基座的升降销。经由所述电力而在处理室的空间内将所述反应气体转换为等离子体。所述升降销包括本体和接触部件，所述本体插入所述穿孔中并且以垂直于所述基座上表面的方向沿所述穿孔上下移动，所述接触部件固定至所述本体的上部并且包括硬度小于所述基底硬度的软材料，从而所述接触部件与所述基底形成接触，而不会在所述基底的表面形成刮擦。
有益效果
根据本发明的一些实施例，基底处理装置的升降销可包括硬度小于所述基底硅硬度的软材料，藉此使得晶片的背面上的刮擦损坏为最小。举例来说，由此可充分降低淀积处理中晶片背面损坏，藉此增加半导体器件的生产率。
附图说明
结合附图，参考下文的详细描述可更清楚地理解本发明的实施例。
图1为根据本发明实施例的在半导体基底上形成薄层的淀积装置的剖视图；
图2为图1所示的淀积装置的升降销的放大图；及
图3～8为图2所示升降销的放大图。
具体实施方式
参考示出某些示例实施例的附图，下文将更全面地描述各种示例实施例。然而本发明也可以许多不同的方式实施，并且不应解释为是本文所提及的示例实施例的限制。相反，提供这些示例实施例以便本公开是彻底和完整的，并且将本发明的范围完全传达给本领域的技术人员。附图中，清楚起见，可能扩大层和区域的尺寸和相对尺寸。
应理解，当元件或层称为“在另一个元件或层之上”、“连接到”或“耦合到”另一个元件或层时，其可直接地在其他元件或层之上、直接地连接到或耦合到其他元件或层，或者可以存在中间的元件或层。相反，当元件称为“直接在另一个元件或层之上”、“直接连接到”或“直接耦合到”另一个元件或层时，不存在中间的元件或层。本文中，类似的标号指代类似的元件号涉及全部相同元件。如本文中所使用的，用语“及/或”包括一或多个相关的所列项目的任何或所有组合。
应理解，尽管本文中使用第一、第二、第三等用语来描述多个元件、组件、区域、层及/或部分，但这些元件、组件、区域、层及/或部分并不受这些用语的限制。这些用语仅用于使一个元件、组件、区域、层或部分与另一个区域、层或部分区别开来。由此，下文所称之第一元件、组件、区域、层或部分也可称为第二元件、组件、区域、层或部分，而不脱离本发明的教导。
与空间相关的表述，如“在…下方”、“之下”、“下”、“之上”、“上”等，在本文中使用是为了容易地表述如图所示的一个元件或部件与一或多个另一元件或部件的关系。应理解，这些与空间相关的表述除图中所示方位之外，还意欲涵盖该设备在使用或工作中的不同方位。例如，若图中的该设备翻转，描述为在其它元件或部件“下方”或“之下”的设备则会确定为在其它元件或部件“之上”。由此，该示范性的表述“之下”可同时涵盖“之上”与“之下”两者。设备可为另外的朝向(旋转90度或其它朝向)，并且本文中所使用的这些与空间相关的表述亦作相应的解释。
本文中所使用的表述仅用于描述特定的实施例，并且并不意欲限制本发明。如本文中所述的，单数形式的冠词意欲包括复数形式，除非其上下文明示。还应理解，当本说明书中使用表述“包括”之时，明确说明了存在所描述的部件、整体、步骤、操作、元件及/或组件，但并不排除存在或附加有一个或多个其它部件、整体、步骤、操作、元件、组件及/或它们的组合。
对于本发明的实施例，本文中是参照本发明的理想化实施例(以及中间结构)的示意剖视图来描述的。照此，预期会产生例如因制造工艺及/或公差而造成形状上的变化。由此，本发明的实施例不应解释为将其限制成本文所示的特定区域形状，还应包括例如，因制造而导致的形状偏差。图中所示的区域的本质是示意性的，并且其形状并不意欲示出部件区域的精确形状，也不意欲限制本发明的范围。例如，示意为矩形的植入区域典型地具有圆形或曲线特征及/或其边缘处具有植入浓度的变化梯度而非植入区域到非植入区域的二元变化。类似地，植入形成的掩埋区域可以导致在掩埋区域与通过其发生植入的表面之间的区域内形成一些植入。因此，附图所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不意欲阐明器件区域的实际形状，并且不意欲限制本发明的范围。
除非另行详细说明，本文所使用的所有术语(包括科技术语)的意思与本技术领域的技术人员所通常理解的一致。还应理解，诸如一般字典中所定义的术语应解释为与相关技术领域中的意思一致，并且不应解释为理想化的或过度刻板的含义，除非在文中另有明确定义。
下文中，将结合附图对实施例进行详细说明。用于在晶片之类的半导体基底上形成薄层的淀积装置作为下文中的基底处理装置的一个例子。然而，该淀积装置仅仅是示例性实施例而不构成对其的限制。因此，本发明的本实施例中的升降销可以应用到各种基底处理装置上，诸如干蚀刻装置、平面化装置、和处于对装置基座上的基底进行处理的情况下的离子植入处理。
图1为根据本发明实施例的在半导体基底上形成薄层的淀积装置的剖视图。图2为图1所示的淀积装置的升降销的放大图。
参考图1和2，根据本发明实施例的淀积装置1000可包括处理室1000、基座200、气体供给器300、喷头400、电极500、及升降销600。
例如，处理室100可包括空间S，通过淀积处理，在空间S中的晶片W之类的含硅(Si)半导体基底上形成薄层。通过喷涂处理在处理室100的内表面涂上陶瓷材料，处理室的内表面由此形成对淀积处理中的等离子体的防护。
基座200设在处理室100中，并且晶片W设在基座200上。具体地，基座200包括其上放置有晶片W的支撑板210和从支撑板210的中部延伸至处理室100外部的管220。
例如，支撑板210包括将晶片W导向至支撑板顶面上之预定初始位置的导向件(未示)，以及将晶片加热至淀积温度的加热器(未示)。此外，支撑板210包括多个穿孔212。
管220穿通处理室100的底部，并且沿垂直方向II上下移动，支撑板210由此也可通过管220而上下移动。管220内可建有向加热器供给电流的电线。
气体供给器300可设在处理室100的上部，并且可经由气体供给器300将用于在晶片W上形成薄层的反应气体G供给入处理室100。由此，可将反应气体G供给至处理室100的上部，并且反应气体G可在处理室100的空间S中向下流动。反应气体G的例子包括氩(Ar)、硅烷(SiH4)、氮(N2)、氨(NH3)、氯(Cl2)、及氟(F)等。这些反应气体G可单独或组合使用。
喷头400连接至气体供给器300，并且将反应气体G供给至处理室100中的基座200上的晶片上。喷头400等间距设有多个喷孔410。由此，由气体供给器300供给的反应气体G经由喷头400的喷孔410均匀地分散到晶片W上。
电极500设在基座200上方。具体地，电极500位于处理室100的上部而处于喷头400上方，并且电连接至喷头400。本实施例中，向电极500施加射频(RF)电力。因此，也可将RF电力施加至喷头400。
通过RF电力将反应气体激活为等离子体，并且将反应气体淀积在晶片W上，以藉此在晶片W上形成薄层。基座200与周围接地，由此在淀积处理中向基座200施加接地电压。
升降销600这样设在基座200的支撑板210的穿孔212中，即，升降销600可垂直于支撑板210上下移动。晶片W可通过升降销600装入处理室100中，并且从处理室100中取出。具体地，在将晶片W装入处理室100的情况下，通过传送自动机构(未示)将晶片W传送到处理室100中的升降销600上，所述升降销600可提升至高于支撑板210。然后，升降销600向下移动至低于支撑板210表面的位置，晶片W由此装到处理室100中的支撑板210上。
相反，在完成淀积处理后将晶片从处理室100中取出的情况下，升降销600从支撑板210向上移动，藉此使得晶片W移至支撑板210的上方。然后，传送自动机构再次移入晶片W与支撑板210之间的间隙空间，晶片W由此再次由传送自动机构支撑。此后，在晶片W仍然由传送自动机构支撑的情况下，升降销600沿着穿孔212向下移动。传送自动机构将晶片W传送出处理室100。
实施例中，升降销600的上部可向上呈倒锥形，由此升降销600的上部的内径向上增大。因此，当支撑板210向上移动时，升降销600的上部由穿孔212的内表面支撑。
处理室100还可装有第一板700和第二板800，以用于操作升降销600。
例如，第一板700在支撑板210的下方固定至处理室100，并且包围管220。
第二板800设在支撑板210和第一板700之间，并且连接至升降销600的下部。当基座200向下移动时，第二板800由第一板700支撑，并且升降销600由此相对于支撑板210向上移动。
当基座200向上移动时，升降销600相对于支撑板210向下移动，并且升降销600的上部穿过穿孔212且由穿孔212的内侧壁支撑。此后，升降销600和第二板800与基座200一起向上移动。
此后，通过升降销600和第二板800如下地将晶片W装到基座200上或从其上取下。
基座200向下移动，并且升降销600相对于支撑板210向上移动。然后，将基底W传送入处理室100，并且通过自动传送机构将其装到升降销600上。
基座200向上移动，并且升降销600和晶片W由此相对于支撑板210向下移动。由此，在基座200向上移动的时候将晶片W放置在支撑板210上。当晶片W完全位于支撑板210上时，升降销600和第二板800随着基座200向上移动而一同移动至预定位置，藉此将晶片W定位在处理室100中的处理位置上。
完成晶片W上的淀积处理之后，基座200向下移动，并且第二板800位于第一板700上。然后，由于基座200的向下移动，升降销600相对于支撑板210向上移动。因此，晶片W与支撑板210分离。
当晶片W与支撑板210分离时，可将晶片W从支撑板210上取下，并且通过传送自动机构将其传送出处理室100。
在修改实施例中，升降销600可通过附加的驱动单元(未示)上下移动。这样，第二板800可连接至驱动单元，并且升降销600和第二板800都通过驱动单元进行移动，并且由此可根据驱动单元的操作将晶片W装入处理室中或从其中取出。
再一修改实施例中，可设置附加的升降销600(例如，三个或三个以上的升降销600)，以增进晶片W的稳定性。这样，支撑板210可包括分别与附加的升降销600相对应的附加穿孔212。
下文将参考图3～8详细描述升降销600的结构，所述图3～8为图2所示升降销的放大图。
参考图3和4，升降销600包括本体610和接触部件620。本体610的形状可形成为沿垂直方向延伸的杆形，并且其形状和尺寸与支撑板210的穿孔212相对应，由此，本体610可移动地插入穿孔212中。本体610包括较硬材料，其硬度大于晶片W的硅(Si)的硬度，由此在沿穿孔212移动的情况下具有足够的耐磨性。
例如，本体610包括阳极铝(Al)、氧化铝(Al2O3)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)中的一种，及其组合。具体地，氧化铝(Al2O3)的硬度可为约11.8Gpa～约16.0Gpa，其显著大于约10Gpa～10.5Gpa的硅(Si)硬度。
可在本体610的上部设置第一槽612，并且接触部件620位于本体610的第一槽612中。接触部件620与晶片W接触，并且支撑该晶片W。
例如，接触部件620可位于第一槽612中，并且这样从本体610的上表面凸出，即，接触部件620的上表面和侧壁暴露至处理室100的空间S，并且晶片W与接触部件620接触，如图3所示。
相反，接触部件620可这样设在第一槽612中，即，仅仅是接触部件620的上表面暴露至处理室100的空间S，由此，接触部件620的侧壁与第一槽612的内表面接触，并且晶片W仅与接触部件620接触，如图4所示。这样，可防止杂质堆积在接触部件620与本体610之间的边界面上。
接触部件620可包括较软的材料，其硬度小于晶片W的硅(Si)的硬度。例如，接触部件620可包括陶瓷基材料。具体地，接触部件620可包括硬度为约6Gpa～约6.5Gp的氧化钇(Y2O3)，其显著小于约10Gpa～10.5Gpa的硅(Si)硬度。
因此，由于升降销600的接触部件620的硬度比晶片W的硬度小得多，因此在晶片W与支撑板210通过升降销600的向上移动而相互分离时，可充分防止晶片W被升降销600刮擦。
此外，接触部件620的上表面的形状可形成为凸面，由此晶片W可与升降销600的接触部件620形成点接触，藉此在更大程度上防止对晶片W的刮擦。
本实施例中，氧化钇(Y2O3)与等离子体的反应率比其它陶瓷材料低得多，由此，较之其它陶瓷材料，氧化钇(Y2O3)与反应气体G的等离子体发生的化学反应小得多。由此，当接触部件620包括氧化钇(Y2O3)时，将反应气体淀积到晶片W上时可显著减少化学反应的副产品，藉此显著减少淀积处理产生的副产品对晶片W造成的污染。
具体地，当氧化铝(Al2O3)与反应气体G的氟(F)反应从而在晶片W的表面上产生氟化铝(AlF)副产品时，氧化钇(Y2O3)在相同的处理条件下与氟(F)几乎不发生反应，由此不会在晶片的表面产生氟化物副产品。
可被认为是标准故障(mark failure)的晶片W上的氟化铝(AlF)可导致后续处理中的光学部件的对准瑕疵。出于这些原因，位于穿孔212中的升降销600的本体610可包括氧化钇(Y2O3)，并且暴露至处理室100的空间S中的接触部件620可包括氧化钇(Y2O3)。
实施例中，第一槽612的内表面与接触部件620的侧壁之间可插有粘附部件630，以将接触部件620固定至本体610的第一槽612。粘附部件630的例子包括氧化铝(Al2O3)、氧化钇(Y2O3)、氮化铝(AlN)、及氧化硅(SiO2)。这些物质可单独或组合使用。
可在第一槽612的内表面涂上粘附膏之类的粘附材料。可将接触部件620插入具有粘附膏的第一槽612中，并且粘附膏可在接触部件612与第一槽612的内表面之间硬化。因此，接触部件620可粘附至第一槽中的粘附部件630，并且接触部件620由此固定至第一槽612的内表面。
第一槽612中留下的残留空气会阻止接触部件620插入本体610的第一槽612中。为了避免第一槽612中产生空气阻力，接触部件620可设有储气槽622。本实施例中，接触部件620的底面的中部可形成具有预定深度的槽，以在接触部件620的底部形成中央槽部，作为储气槽622。
由此，当接触部件620插入本体610的第一槽612中时，第一槽612中的残余空气可保持在储气槽622中，并且接触部件620由此紧密地插入第一槽612中。此外，储气槽622中的空气可在接触部件620插入第一槽612的时候用作接触部件620的气垫，藉此防止接触部件620对第一槽612的底部造成瞬间冲击。
因此，通过粘附部件630和经由气孔排出的残留空气，接触部件620可紧密地插入第一槽612中，而不会对第一槽612的底部造成任何瞬间冲击。
图5和6为示出图2所示升降销第一修改实施例的剖视图。
参考图5和图6，第一修改升降销640包括本体641和接触部件644。本体641的形状和尺寸与支撑板210的穿孔212相对应，由此可移动地插入穿孔212中。
本体641的上部包括第一槽642，并且接触部件655以这样的结构螺合地拧入第一槽642，即，接触部件644的上部645(其对应于与螺钉的头部)从本体641的上部凸出。
具体地，接触部件644的侧壁上设有第一螺纹646，并且本体641的第一槽642的内表面上设有与第一螺纹啮合的第二螺纹643。
还可在第一槽642的内面上涂有粘附部件647，以将接触部件644紧固至第一槽642。
例如，接触部件644可位于第一槽642中，并且这样从本体641的上表面凸出，即，接触部件644的上部645和侧壁暴露至处理室100的空间S，并且晶片W与接触部件644接触，如图5所示。
相反，接触部件644可这样设在第一槽642中，即，仅仅是接触部件644的上部645暴露至处理室100的空间S，由此，接触部件644的大部分侧壁与第一槽642的内侧壁螺合，如图6所示。
此外，上部645可进一步从接触部件644上取下，并且接触部件644除了上部645的其余部分可精确配合入第一槽642中。这样，由于第一螺纹和第二螺纹在边界区域相互紧密啮合，由此可防止杂质堆积在本体641与接触部件644之间的边界面上。
例如，接触部件644的上部645的直径可大于第一槽642的直径，并且当接触部件644拧紧入第一槽642中时，接触部件644的上部645由此可用作挡块。此外，接触部件644的上部645的形状可形成为凸曲面，由此晶片W可与接触部件644成点接触。
因此，接触部件644通过螺纹连接可拧紧入本体641的第一槽642中，并且由此可使得本体641和接触部件644在第一修改升降销640中足够牢靠地相互固定。因此，接触部件644与本体641相互分离的可能性很小，并且第一修改升降销640在淀积处理过程中断裂的可能性很小。
图7为示出图2所示升降销的第二修改实施例的剖视图。
参考图7，第二修改升降销650包括本体652和接触部件653。本体652的形状和尺寸与支撑板210的穿孔212相对应，由此可移动地插入穿孔212中。
本体652可包括平的上表面，并且接触部件653通过高温的热压缩处理连接至本体652的平表面上。本实施例中，本体652可包括氧化铝(Al2O3)，并且接触部件653可包括氧化钇(Y2O3)。
当在氧化铝本体652和氧化钇接触部件653上进行热压缩处理时，本体652的接触部和接触部件653可能发生部分熔化，并且本体652的上表面上可生成相变层654。即，由于热压缩处理而在本体652与接触部件653之间夹入相变层654。
当以约900℃以下的温度进行热压缩处理时，本体652的接触部和接触部件653难以熔化，而以约1,100℃以上的温度进行时，大部分的本体652和接触部件653都可能熔化掉。由此，可以约900℃～1,100℃的进行热压缩处理。
从而，相变层654因氧化钇(Y2O3)和氧化铝(Al2O3)的化学反应而包括钇-铝石榴石(YAG)。
因此，接触部件653因相变层654的结合力而固定至本体652。具体地，可在多个接触部件653和多个本体652上进行热压缩处理，由此可分别使得将多对接触部件653和本体652同时相互固定。此外，接触部件653的上部的形状可形成为凸曲面，由此晶片W可与接触部件653形成点接触。
图8为示出图2所示升降销的第三修改实施例的剖视图。
参考图8，第三修改升降销660包括本体662和接触部件665。本体662的形状和尺寸与支撑板210的穿孔212相对应，由此可移动地插入穿孔212中。
本体662的上部可包括凸部663，并且接触部件665可包括第二槽666，凸部663通过螺纹连接插入第二槽666中。
实施例中，凸部663的侧面设有第三螺纹664，并且第二槽666的内侧壁设有与第三螺纹啮合的第四螺纹667。由此，本体662的凸部663通过第三和第四螺纹的螺纹连接充分地紧固至接触部件665的第二槽中。
此外，接触部件665的第二槽666的内表面上还可涂有粘附部件668，以加强本体662和接触部件665的连结。例如，粘附部件668可包括陶瓷材料。
工业可利用性
根据本发明的实施例，升降销可分离为本体和与晶片接触的接触部件，并且仅接触部件包括较软的材料(其硬度小于晶片的硅的硬度)，以藉此防止在晶片上进行淀积处理时在晶片的表面形成刮擦损坏。
此外，仅接触部件包括与其它材料相比极其昂贵的氧化钇(Y2O3)。具体地，升降销的接触部件的形状可为足以支撑晶片的最小尺寸，并且升降销的本体可包括硬度高的不昂贵的材料，以降低升降销的制造成本。
再者，升降销的接触部件和本体可通过螺纹连接和粘附部件相互连结，以减少接触部件和本体的分离所造成的碎片。
前文仅为实施例的说明，而非其限制。尽管业已描述了一些实施例，本领域的技术人员可容易地认识到可对实施例作出许多修改，而不实质脱离本发明的具有新颖性的教导和优点。因此，意欲将所有这些修改包括在如权利要求书所限定的范围内。权利要求书中，结构加功能的句式意欲覆盖本文所描述的执行所述功能的结构，并且不仅包括结构上的等同物，还包括等同的结构。因此，应理解，前文仅为实施例的说明，而非所揭露至具体实施例的限制，并且意欲将所揭露至实施例的修改以及其它实施例包含在所附权利要求书的范围之内。

Claims (12)

1.一种升降销，其在对基座上的基底进行处理的装置中使得所述基底在所述基座上向上或向下移动，所述升降销包括：
本体，其插入所述基座的穿孔，并且以垂直于所述基座的上表面的方向沿所述穿孔上下移动；及
接触部件，其紧固至所述本体的上部，并且包括硬度小于所述基底的硬度的软材料。
2.如权利要求1所述的升降销，其中所述接触部件包括氧化钇(Y2O3)。
3.如权利要求1所述的升降销，其中所述本体的上部包括槽部，并且所述接触部件这样插入所述槽部，即，所述接触部件的上部从所述本体的上部凸出。
4.如权利要求3所述的升降销，还包括位于所述本体的槽部的内表面上的粘附部件，以使所述接触部件粘附至所述本体的槽部的内表面。
5.如权利要求3所述的升降销，其中所述接触部件的中央底部包括储气槽，从而当所述接触部件插入所述本体的槽部时，所述本体的槽部中剩下的残余气体保持在所述储气槽中。
6.如权利要求3所述的升降销，其中所述接触部件的侧壁设有第一螺纹，并且所述本体的槽部的内表面设有第二螺纹，从而所述接触部件通过螺纹连接紧固入所述本体的槽部。
7.如权利要求1所述的升降销，还包括夹在所述接触部件和所述本体之间的相变层，这样，所述接触部件通过所述相变层的结合力紧固至所述本体。
8.如权利要求7所述的升降销，其中在所述接触部件包括氧化钇(Y2O3)并且所述本体包括氧化铝(Al2O3)的条件下，所述相变层包括钇-铝石榴石(YAG)。
9.如权利要求1所述的升降销，其中所述本体的上部包括凸部，并且所述接触部件包括所述凸部插入其中的槽。
10.如权利要求9所述的升降销，其中所述凸部的侧壁上设有第三螺纹，并且所述槽的内表面上设有第四螺纹，从而所述本体的凸部通过螺纹连接插入所述接触部件的槽中。
11.如权利要求10所述的升降销，还包括位于所述接触部件的槽的内表面上的粘附部件。
12.一种处理基底的装置，包括：
处理室，其中供给有用于处理所述基底的反应气体，并且其提供用于执行处理的空间；
设在所述处理室中并且具有穿孔的基座，所述基底位于所述基座上；
设在所述基座上方的电极，并且向所述电极施加电力，经由所述电力而在所述处理室中将所述反应气体转换为等离子体；及
可移动地插入所述基座的穿孔中并且使得所述基底上升离开所述基座的升降销，所述升降销包括本体和接触部件，所述本体插入所述穿孔中并且以垂直于所述基座上表面的方向沿所述穿孔上下移动，所述接触部件固定至所述本体的上部并且包括硬度小于所述基底硬度的软材料。
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