KR101421112B1 - 정전분무 슬러리 증착 공정을 이용한 내플라즈마 부재의 제조방법 및 이를 이용한 리프트 핀의 제조방법 - Google Patents
정전분무 슬러리 증착 공정을 이용한 내플라즈마 부재의 제조방법 및 이를 이용한 리프트 핀의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101421112B1 KR101421112B1 KR1020120119555A KR20120119555A KR101421112B1 KR 101421112 B1 KR101421112 B1 KR 101421112B1 KR 1020120119555 A KR1020120119555 A KR 1020120119555A KR 20120119555 A KR20120119555 A KR 20120119555A KR 101421112 B1 KR101421112 B1 KR 101421112B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- alumina
- lift pin
- manufacturing
- wafer
- yttria
- Prior art date
Links
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000009718 spray deposition Methods 0.000 title 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 65
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000007590 electrostatic spraying Methods 0.000 claims abstract description 8
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 34
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 14
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 46
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 238000003826 uniaxial pressing Methods 0.000 description 3
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910017077 AlFx Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVXNKFYSHAUJIA-UHFFFAOYSA-N acetic acid;ethoxyethane Chemical compound CC(O)=O.CCOCC KVXNKFYSHAUJIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/87—Ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 알루미나 성형체에 내플라즈마성이 우수한 세라믹 층을 형성한 후 동시 소성 공정을 진행하여 종래 대기압 플라즈마 용사 코팅막보다 고밀도이고 내플라즈마성이 우수한 내플라즈마 부재를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 세라믹 분말을 포함하는 슬러리 조성물을 제조하는 단계, 상기 슬러리 조성물을 알루미나 가압 성형체 상에 정전 분무 방법으로 분무하여 세라믹 층을 코팅하는 단계 및 상기 세라믹 층이 코팅된 알루미나 가압 성형체를 동시 소결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 정전 분무 슬러리 공정을 이용한 내플라즈마 부재의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 알루미나 성형체에 내플라즈마성이 우수한 세라믹 층을 형성한 후 동시 소성 공정을 진행하여 종래 대기압 플라즈마 용사 코팅막보다 고밀도이고 내플라즈마성이 우수한 내플라즈마 부재를 제조하는 방법 및 이를 이용한 웨이퍼 처리 장치의 리프트 핀을 제조하는 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 등과 같은 집적회로 소자의 제조에서는 고밀도 플라즈마 환경의 식각 공정을 수행하므로 내플라즈마 부재를 구비한 식각 장치를 사용한다. 특히, 최근의 반도체 소자 제조용 장비는 소자패턴기술의 미세화로 선폭이 20 nm 이내가 되고, 고밀도 플라즈마 환경에서 사용을 위하여 희토류계 세라믹 재료들을 대기압 플라즈마 용사로 코팅하여 사용하거나 소결용 세라믹 재료를 사용하고 있다. 그러나, 플라즈마에 노출된 반도체 장비 내의 세라믹 및 메탈 부품에서 오염 입자가 발생하여 공정 수율을 감소시키는 것이 반도체 공정의 큰 문제로 대두되고 있고, 향우 반도체 공정의 경우에 웨이퍼 사이즈의 대구경화, 공정의 미세화가 심화될수록 보다 가속화될 것이다.
또한, 반도체 소자 제조에 있어서 실리콘 재질의 웨이퍼(wafer)에 박막을 증착하는 공정을 포함하는데, 상기 박막을 증착하는 공정으로 최근에는 저온에서 상기 박막의 두께를 얇게 하면서 증착률도 우수한 플라즈마 처리 방식이 널리 사용되고 있다. 대표적으로 플라즈마 강화 기상 증착장치(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition; 이하, PE-CVD)를 이용하고 있다.
상기 PE-CVD 장치는 반응 가스가 주입되는 반응 챔버, 상기 반응 챔버 내에 배치되어 상기 웨이퍼가 놓여지는 서셉터, 상기 반응 가스를 상기 웨이퍼에 균일하게 제공하기 위한 샤워 헤드 및 상기 반응 가스로부터 플라즈마를 형성하기 위하여 고주파 전원(RF)이 인가되는 고주파 전극을 포함한다. 이러한 PE-CVD 장치를 통하여 상기 웨이퍼에 박막을 증착하게 되면, 상기 웨이퍼는 상기 서셉터로부터 분리되어 상기 반응 챔버의 외부로 이송된다. 여기서, 상기 웨이퍼는 상기 서셉터에 수직 방향으로 이동이 가능하도록 삽입된 다수의 리프트 핀들을 통해 상기 서셉터로부터 이격 분리된다.
그러나, 상기 리프트 핀들은 실리콘 재질인 상기 웨이퍼보다 경도가 높은 알루미나(Al2O3) 또는 아노다이징(anodizing) 처리된 알루미늄(Al) 재질로 이루어져 있기 때문에, 공정 진행 시 웨이퍼 뒷면에 스크래치(Scratch) 문제를 야기하는 주원인으로 작용하고 있다. 또한 알루미나(Al2O3) 소재의 경우 공정 시 사용되는 플로린(Fluorine)계 가스와 반응하여 AlFx 부산물(By-product)이 형성되어 웨이퍼 접촉시 웨이퍼 뒷면에 마크(Mark) 스크래치를 남기는 현상을 초래하고 있는 실정이다.
이러한 마크(Mark) 문제 및 스크래치(Scratch) 현상들은 반도체의 후 공정인 포토(Photo) 공정 진행 시 광학 장비의 정렬(Align)에 영향을 주어 패턴(pattern)에 왜곡(Distortion) 문제를 일으키는 등 공정 시 웨이퍼 수율를 저하시키는 주요 요인으로 작용하고 있다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 반도체 공정 장비 중 플라즈마 에칭 공정에 사용되고, 반도체 칩의 생산수율에 직접적 영향을 미치는 부품을 알루미나 성형체에 정전 분무 슬러리 증착 공정을 통하여 세라믹층을 코팅한 후 동시 소결 공정을 통하여 우수한 내플라즈마 부재로 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
또한, 상기 내플라즈마 부재의 제조방법을 이용하여 웨이퍼 처리 장치 내의 리프트 핀을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위하여,
(a) 세라믹 분말을 포함하는 슬러리 조성물을 제조하는 단계;
(b) 상기 슬러리 조성물을 알루미나 가압 성형체 상에 정전 분무 방법으로 분무하여 세라믹 층을 코팅하는 단계; 및
(c) 상기 세라믹 층이 코팅된 알루미나 가압 성형체를 동시 소결하는 단계;를 포함하는 내플라즈마 부재의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 세라믹 분말은 이트리아(Y2O3), 지르코니아(ZrO2), YSZ(yittria stabilized zirconia), 실리콘 카바이드(SiC), 질화 규소(Si3N4) 및 질화 알루미늄(AlN) 중에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 슬러리 조성물은 알콜과 유기 용매의 혼합 용매와 상기 세라믹 분말과 폴리비닐부티랄을 혼합하여 제조한 것일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 정전 분무 방법은 상기 슬러리 조성물을 시린지 펌프를 이용하여 노즐로 이송한 후 분문하여 수행할 수 있으며, 상기 슬러리 유량은 1-20 mL/h으로 하고, 상기 알루미나 가압 성형체와 노즐간의 이격거리는 2-15 cm이며, 증착 시간은 5-100 분이고, 인가 전압은 2-20 kV일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 세라믹 층과 알루미나 가압 성형체를 동시 소결하는 온도는 1600-1700 ℃일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 알루미나 가압 성형체는 80-90 ㎛ 크기의 알루미나 분말을 30-50 MPa의 압력으로 가압 프레스하여 제조할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 세라믹 분말은 입자 크기가 10 nm - 1 ㎛일 수 있다.
본 발명은 상기 내플라즈마 부재의 제조방법을 이용한 리프트 핀의 제조방법에 있어서, 상기 내플라즈마 부재는 웨이퍼 처리 장치의 리프트 핀이고, 상기 (a) 단계의 알루미나 가압 성형체는 상기 리프트 핀의 몸통부이며, 상기 (b) 단계에서 코팅되는 세라믹 층은 웨이퍼를 지지하는 리프트 핀 상부에만 코팅되는 것을 특징으로 하는 리프트 핀의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 제조방법에 따라 제조된 리프트 핀 및 이를 포함하는 웨이퍼 처리 장치를 제공한다.
본 발명에 따르면 정전 분무 슬러리 증착 공정에 의해서 내플라즈마성이 우수한 이트리아 등의 세라믹 소결체를 제공할 수 있어 고밀도 플라즈마 공정이 요구되는 반도체 공정 장비의 부품에 활용할 수 있다.
또한, 본 발명에 따라 코팅된 세라믹 층은 세라믹 소결체로서의 물성을 나타내므로 종래 세라믹 층을 대기압 플라즈마 용사 코팅으로 형성시 세라믹 분말이 모재에 충돌하면서 발생되는 기공에 의한 파티클 발생과 아킹으로 인한 문제점을 해결할 수 있다.
또한, 알루미나 소결체를 완제품으로 가공한 후에 대기압 플라즈마 용사 코팅을 진행하는 것이 아니라 알루미나 성형체 상태에서 세라믹 층을 증착한 후에 동시 소결하여 이종 세라믹 소결체를 형성하므로 공정이 간단하고 공정 비용이 저렴한 장점을 갖는다.
또한, 종래의 대기압 플라즈마 용사 코팅법에 비하여 증착층의 수명이 연장되고, 파티클 제어, 수율 향상, 희토류 저감 등의 효과를 가져올 수 있다.
또한, 본 발명에 따라 제조된 웨이퍼 처리 장치의 리프트 핀은 종래 몸통부와 웨이퍼 지지부를 각각 체결하거나 접합하여 제조한 것이 아니라 몸통부 상에 세라믹 층인 웨이퍼 지지부를 증착하여 일체형으로 제조하여 지지부의 탈리를 방지할 수 있고, 지지부가 웨이퍼보다 경도가 낮은 세라믹 층으로 코팅되어 있어 웨이퍼에 가해지는 손상을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 내플라즈마 부재의 제조방법을 적용하기 위하여 구현된 정전 분무 슬러리 증착 공정 장비를 나타낸 개념도이다.
도 2는 본 발명에 따른 내플라즈마 부재의 제조공정 순서도이다.
도 3은 본 발명에 따른 내플라즈마 부재의 제조공정에 따른 증착 구조를 나타낸 개념도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 이트리아 소결체가 증착된 알루미나 소결체(이종 세라믹 소결체)의 단면에 대한 주사전자현미경 사진이다.
도 5는 본 발명에 따라 제조된 내플라즈마 부재에 대한 부식특성을 평가한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 내플라즈마 부재의 제조방법에 의해서 제조될 수 있는 웨이퍼 처리 장치 내의 리프트 핀 및 이를 포함하는 웨이퍼 처리 장치의 구조도이다.
도 7은 본 발명에 따른 리프트 핀의 제조공정 순서도이다.
도 8은 본 발명에 따라 제조된 리프트 핀의 나타낸 개념도이다.
도 2는 본 발명에 따른 내플라즈마 부재의 제조공정 순서도이다.
도 3은 본 발명에 따른 내플라즈마 부재의 제조공정에 따른 증착 구조를 나타낸 개념도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 이트리아 소결체가 증착된 알루미나 소결체(이종 세라믹 소결체)의 단면에 대한 주사전자현미경 사진이다.
도 5는 본 발명에 따라 제조된 내플라즈마 부재에 대한 부식특성을 평가한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 내플라즈마 부재의 제조방법에 의해서 제조될 수 있는 웨이퍼 처리 장치 내의 리프트 핀 및 이를 포함하는 웨이퍼 처리 장치의 구조도이다.
도 7은 본 발명에 따른 리프트 핀의 제조공정 순서도이다.
도 8은 본 발명에 따라 제조된 리프트 핀의 나타낸 개념도이다.
이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명은 정전 분무 슬러리 증착 공정을 이용하여 반도체 공정 장비 중 에칭 공정에 사용되는 부품을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 알루미나 성형체에 내플라즈마성이 우수한 세라믹 층을 코팅한 후에 동시 소성을 진행하여 고밀도의 이종 세라믹 소결체를 제조하는 것을 특징으로 한다.
즉, 알루미나 가압 성형체를 제조하고, 알루미나와 상이한 이종의 세라믹을 정전 분무 슬러리 공정으로 증착한 후에 동시 소성을 진행하여 알루미나 소결체 상에 이트리아 소결체가 고밀도로 형성된 이종 세라믹체를 제조한다.
본 발명에 따른 내플라즈마 부재의 제조방법은 하기의 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
(a) 세라믹 분말을 포함하는 슬러리 조성물을 제조하는 단계,
(b) 상기 슬러리 조성물을 알루미나 가압 성형체 상에 정전 분무 방법으로 분무하여 세라믹 층을 코팅하는 단계,
(c) 상기 세라믹 층이 코팅된 알루미나 가압 성형체를 동시 소결하는 단계.
상기 (a) 단계에서 제조되는 슬러리 조성물은 이후 정전 분무 과정에서 액적의 크기를 보다 작게 하여 치밀한 세라믹 층을 형성하기 위하여, 우수한 분산성 확보가 요구된다. 따라서, 세라믹 분말을 유기 용매에 분산시 바인더 및 분산제의 역할을 동시에 수행하는 폴리비닐부티랄을 첨가하여 혼합한다.
또한, 이후 소결과정에서 빠른 휘발을 위하여 유기용매에 일정비로 알콜이 혼합된 혼합용매를 사용한다. 알콜로는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 저급 알콜을 사용하고, 유기용매로는 폴리비닐부티랄의 용해를 위하여 톨루엔, 벤젠, 클로로포름, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 에틸에테르아세테이트, 벤질알코올 등을 사용하고, 혼합비는 유기용매와 알콜을 7:3으로 혼합하는 것이 바람직하다.
상기 (b) 단계에서 정전 분무 방법으로 알루미나 가압체에 세라믹층을 코팅하는 방법은 하기 도 1에 나타낸 장치를 이용한다.
알루미나 가압 성형체를 기판 홀더(3)에 장착하고, 상기 슬러리 조성물을 시린지 펌프(1)에 투입한 후, 시린지 펌프(1)에 연결된 노즐(2)을 사용하고, 전압 인가 장치(5)를 이용하여 고전압을 인가하여 상기 슬러리 조성물을 액적 형태로 분무하여 알루미나 가압 성형체 상에 세라믹층을 형성한다.
이때, 상기 슬러리 유량은 1-20 mL/h으로 하고, 상기 알루미나 가압 성형체와 노즐간의 이격거리는 2-15 cm로 하고, 증착 시간은 5-100 분이고, 인가 전압은 2-20 kV로 하여 수행한다.
상기 (c) 단계에서 세라믹이 코팅된 알루미나 가압 성형체의 동시 소결온도는 1600-1700 ℃일 수 있고, 보다 바람직하게는 1650 ℃일 수 있다. 1600 ℃ 이하인 경우에는 세라믹층이 충분한 밀도를 보여주지 못하고 알루미나 소결체와의 계면에서 분리되는 현상이 발생한다. 또한, 1700 ℃ 이상인 경우에는 입성장이 과하게 진행되어 강도값이 떨어지고 수축율을 제어하기가 곤란한 문제점이 발생한다.
본 발명에 있어서, 세라믹 분말은 이트리아(Y2O3), 지르코니아(ZrO2), YSZ(yittria stabilized zirconia), 실리콘 카바이드(SiC), 질화 규소(Si3N4) 및 질화 알루미늄(AlN) 중에서 선택되는 1종 이상일 수 있으며, 입자 크기는 10 nm - 1 ㎛일 수 있다. 10 nm 보다 작은 경우에는 분산이 용이하지 않으며, 1 ㎛ 이상일 경우에는 세라믹 층 코팅 후에 동시소결시 알루미나 가압 성형체와 세라믹 층의 계면에서 입성장 차이 속도에 따라 계면 분리 현상이 심해진다.
본 발명은 상기 내플라즈마 부재의 제조방법에 있어서, 상기 내플라즈마 부재가 리프트 핀인 것을 특징으로 하는 내플라즈마 부재의 제조방법을 제공한다.
즉, 본 발명은 상기 내플라즈마 부재의 제조방법에 있어서, 상기 내플라즈마 부재는 웨이퍼 처리 장치의 리프트 핀이고, 상기 (a) 단계의 알루미나 가압 성형체는 상기 리프트 핀의 몸통부이며, 상기 (b) 단계에서 코팅되는 세라믹 층은 웨이퍼를 지지하는 리프트 핀 상부에만 코팅되는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 부재의 제조방법을 제공한다.
웨이퍼 처리장치를 통하여 웨이퍼에 박막을 증착하게 되면, 웨이퍼는 서셉터로부터 분리되어 여러 반응 챔버의 외부로 이송된다. 여기서 증착된 웨이퍼는 장비 내 수직 방향으로 이동이 가능하도록 삽입된 다수의 리프트 핀들을 통해서 서셉터로부터 이격 분리된다.
일반적으로 상기 리프트 핀들은 실리콘 재질인 상기 웨이퍼보다 경도가 높은 알루미나 또는 아노다이징(anodizing) 처리된 알루미늄(Al) 재질로 이루어져 있기 때문에, 상기 웨이퍼를 지지하는 지지면에 스크래치(scratch) 불량을 발생시킬 수 있는 문제점이 있다.
따라서, 리프트 핀에서 웨이퍼를 지지하는 부분만을 따라 실리콘 웨이퍼보다 경도가 낮은 세라믹 물질로 제작하여 리프트 핀의 몸통부에 체결하거나 접착하는 방식으로 개선하고 있으나, 세라믹층이 탈리되는 문제점이 여전히 있다.
본 발명은 리프트 핀의 몸통부와 그 위의 웨이퍼 지지부에 세라믹층이 코팅된 리프트 핀을 일체형으로 제조할 수 있어 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있다.
이하, 바람직한 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이들 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이에 의하여 제한되지 않고, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
<실시예>
실시예 1. 이트리아가 코팅된 내플라즈마 부재의 제조
(1) 이트리아 나노 분말 슬러리의 제조
슬러리 혼합기 내부에 이소프로필 알콜/톨루엔(7:3) 50 mL, 폴리비닐부티랄(PVB) 0.2 g을 첨가하여 300 분 동안 혼합시켰다. 이후, 폴리비닐부티랄이 용매에 잘 용해된 상태에서 50 nm 크기의 이트리아 나노분말 4 g을 첨가하고, 마그네틱 바를 이용하여 균일하게 혼합하여 이트리아 나노 분말 슬러리를 제조하였다.
(2) 알루미나 성형체 제조
순도 99.7% 이상, 평균입도는 80-90 ㎛인 알루미나 분말을 30 mm 금형몰드에 5 g을 칭량하여 장입한 후 일축가압 프레스를 이용하여 약 40 MPa의 압력을 가하여 알루미나 성형체를 제조하였다.
(3) 정전분무 슬러리 증착 공정을 이용한 알루미나 성형체 상에 이트리아 증착
상기 이트리아 나노 분말 슬러리를 시린지 펌프를 이용하여 내경 0.03 mm 및 외경 0.64 mm 스테인리스 노즐로 이송하였고, 시린지 펌프로부터의 슬러리 공급 유량을 10 mL/h로 공급하고, 이때 노즐에 인가된 DC 전압은 12 kV, 알루미나 성형체와 노즐 거리는 7 cm로 유지하였다. 이때 알루미나 성형체에 증착하는 시간은 30 분으로 고정하여 분사하였다.
(4) 알루미나 성형체 및 이트리아 층의 동시 소결
알루미나 성형체에 정전분무 슬러리 증착 공정을 통하여 이트리아 나노 분말 슬러리를 증착한 후, 일반 대기 분위기 산화로를 이용하여 1650 ℃에서 2 시간 동안 동시소결을 진행하여 알루미나 소결체 위에 계면이 보이지 않는 안정적인 이트리아 소결체인 이종 세라믹을 제조하였다.
실시예 2 내지 6.
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하고, 다만 상기 실시예 1-(3) 및 1-(4)에서의 증착 시간과 소결온도를 달리하여 제조하였고, 증착시간 및 소결온도는 하기 [표 1]에 나타내었다.
비교예 1 내지 4.
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하고, 다만 1.5 ㎛ 크기의 이트리아 나노 분말을 사용하였으며, 상기 실시예 1-(3) 및 1-(4)에서의 증착 시간과 소결온도를 달리하여 제조하였고, 증착시간 및 소결온도는 하기 [표 1]에 나타내었다.
실험예 1.
상기 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4에 따라 제조된 내플라즈마 부재(이종 세라믹)에 대해서 주사전자현미경 사진으로 파단면을 확인하여 계면 상태를 분석하였고, 그 결과를 하기 [표 1]에 나타내었다.
실험예 2.
상기 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4에 따라 제조된 내플라즈마 부재(이종 세라믹)에 대해서 소결 후의 상대 밀도 및 수축율을 조사하였고, 그 결과를 하기 [표 1]에 나타내었다. 밀도의 측정 방법은 일반적인 방법인 아르키메데스 방법을 사용하였고 수축율의 경우에는 성형체 상태에서의 사이즈(두께, 길이 등) 측정치와 소결한 후의 측정치를 비교하여 그 결과를 나타내었다.
| 구분 | Y2O3 입자크기 |
유량 (mL/h) |
이격 거리 (cm) |
증착시간 (분) |
소결온도 / 시간 (℃/h) |
계면 상태 |
수축율 (%) |
상대 밀도 (%) |
| 비교예1 | 1.5 ㎛ | 10 | 7 | 30 | 1500 / 2 | 분리 | 12.5 | 94.3 |
| 비교예2 | 1.5 ㎛ | 10 | 7 | 30 | 1550 / 2 | 분리 | 13.0 | 95.4 |
| 비교예3 | 1.5 ㎛ | 10 | 7 | 30 | 1600 / 2 | 분리 | 14.7 | 96.2 |
| 비교예4 | 1.5 ㎛ | 10 | 7 | 30 | 1650 / 2 | 분리 | 15.1 | 98.5 |
| 실시예1 | 50 ㎚ | 10 | 7 | 30 | 1650 / 2 | 분리 현상 없음 |
16.5 | 99.2 |
| 실시예2 | 50 ㎚ | 10 | 7 | 30 | 1550 / 2 | 약간 분리 |
14.9 | 98 |
| 실시예3 | 50 ㎚ | 10 | 7 | 30 | 1600 / 2 | 약간 분리 |
15.8 | 98.7 |
| 실시예4 | 50 ㎚ | 10 | 7 | 45 | 1650 / 2 | 분리 현상 없음 |
16.5 | 99.2 |
| 실시예5 | 50 ㎚ | 10 | 7 | 50 | 1650 / 2 | 분리 현상 없음 |
16.4 | 99.2 |
| 실시예6 | 50 ㎚ | 10 | 7 | 60 | 1650 / 2 | 분리 현상 없음 |
16.3 | 99.2 |
하기 도 4는 상기 실시예 1에 따라 정전분무 슬러리 증착 공정을 통하여 제조된 알루미나 소결체 위에 증착된 이트리아 소결체의 단면에 대한 주사전자현미경 사진이다.
하기 도 4는 상기 실시예 1에 따른 소결체의 미세구조를 보여주는 것으로서, 좌측 이미지는 소결체의 중앙부, 우축 이미지는 소결체의 가장자리에 대한 파단면을 보여주는 것으로서, 하기 도 4를 참조하면 알루미나 소결체 상에 이트리아 층이 안정적으로 증착되어 계면분리 현상 없이 접합강도가 우수한 이종 세라믹(알루미나/이트리아)이 형성되었음을 알 수 있다. 또한, 밀도 및 수축율에 있어서 상대밀도 99% 이상을 보여주고, 수축율 역시 15-16%을 나타내었다.
실험예 3.
상기 실시예 1(본 발명에 따른 이트리아 소결체, 시료 2), 이트리아 벌크(bulk) 소결체(시료 1), 대기압 플라즈마로 코팅된 이트리아(시료 3), 알루미나 벌크 소결체(시료 4), 대기압 플라즈마로 코팅된 알루미나(시료 5), 실리콘 카바이드(SiC)(시료 6) 및 석영(시료 7)에 대해서 플라즈마 장비를 이용하여 가스 flow rate를 CF4/Ar/O2=100/100/10 sccm으로 하고 RF power 1500 W에서 에칭 테스트를 실시한 결과를 하기 도 5에 나타내었다. 하기 도 5를 참조하면 본 발명에 따른 이트리아 소결체의 경우 이트리아 벌크 소결체와 거의 동일한 두께를 나타내었다. 즉, 내플라즈마성이 가장 우수한 이트리아 벌크 소결체와 동일한 효과를 나타냄을 알 수 있다.
시료 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 것이고, 나머지 시료 1, 3, 4, 5, 6, 7 모두 현재 반도체 공정 중에 사용되고 있는 제품을 구하여 테스트 시편에 맞게 가공하였다.
구체적으로 시료 1은 이트리아 분말을 이용하여 일축가압 또는 CIP 성형 후 1650 ℃에서 소결한 이트리아 소결체이고, 시료 3은 대기압 플라즈마로 코팅된 이트리아로서, 알루미나 소결체 위에 내플라즈마성이 우수한 이트리아 분말을 대기압에서 플라즈마 건에 용사용 분말로 제조된 이트리아 분말을 투입하여 대기압에서 녹인 후 분사하여 코팅한 제품이며, 시료 4는 알루미나 분말을 이용하여 일축가압 또는 CIP 성형한 후 1650 ℃에서 소결한 알루미나 소결체이고, 시료 5는 대기압 플라즈마로 코팅된 알루미나로서, 알루미나 소결체 위에 알루미나 분말을 대기압에서 플라즈마 건에 용사용 분말로 제조된 알루미나 분말을 투입하여 대기압에서 녹인 후 분사하여 코팅한 제품이고, 시료 6은 실리콘 카바이드 분말을 이용해서 일축가압 또는 1800 ℃에서 반응소결을 이용하여 소결한 실리콘 카바이드 제품이며, 시료 7은 쿼츠(석영)이다.
실시예 7. 웨이퍼가 접촉하는 웨이퍼 지지 부분에 이트리아가 코팅된 리프트 핀의 제조
(1) 이트리아 나노 분말 슬러리의 제조
슬러리 혼합기 내부에 이소프로필 알콜/톨루엔(7:3) 50 mL, 폴리비닐부티랄(PVB) 0.2 g을 첨가하여 300 분 동안 혼합시켰다. 이후, 폴리비닐부티랄이 용매에 잘 용해된 상태에서 50 nm 크기의 이트리아 나노분말 4 g을 첨가하고, 마그네틱 바를 이용하여 균일하게 혼합하여 이트리아 나노 분말 슬러리를 제조하였다.
(2) 알루미나 리프트 핀 성형체의 제조
리프트 핀은 현재 반도체 장비 내에서 사용되고 있는 것과 동일하게 순도 99.7% 이상의 알루미나 분말을 이용하여 제조하였으며, 성형체의 사이즈는 100 mm × 20 Φ로 제조하였다.
(3) 정전분무 슬러리 증착 공정
상기 알루미나 리프트 핀 성형체의 웨이퍼 지지면 부위를 마스킹 하여 지지면 부위에만 이트리아 나노분말 슬러리 조성물을 시린지 펌프를 이용하여 내경 0.03 mm 및 외경 0.64 mm 스테인리스 노즐로 이송하였고, 시린지 펌프로부터의 슬러리 공급 유량을 10 mL/h로 공급하고, 이때 노즐에 인가된 DC 전압은 12 kV, 알루미나 리프트 핀 성형체와 노즐 거리는 7 cm로 유지하였다. 이때, 알루미나 리프트 핀 성형체에 증착하는 시간은 40분으로 고정하여 분사하였다.
(4) 알루미나 리프트 핀 성형체 및 이트리아 층의 동시 소결
알루미나 리프트 핀 성형체에 정전분무 슬러리 증착 공정을 통하여 이트리아 나노 분말 슬러리를 증착한 후, 일반 대기 분위기 산화로를 이용하여 1650 ℃에서 2 시간 동안 동시소결을 진행하여 알루미나 리프트 핀 소결체 위에 계면이 보이지 않는 안정적인 이트리아 소결체인 이종 세라믹을 제조하였다. 따라서, 리프트 핀의 몸통부는 알루미나 소결체의 재질로 형성되고, 리프트 핀 상부의 웨이퍼 지지면 부위는 웨이퍼보다 경도가 낮은 이트리아 재질로 코팅되어 있는 리프트 핀을 제조하였다.
본 발명에 따른 리프트 핀의 몸통부 재질인 알루미나 소결체, 웨이퍼 지지부의 이트리아 소결체 및 실리콘 웨이퍼의 경도 물성 데이터는 아래 [표 2]와 같다.
| 구분 | Silicon (Wafer) | Al2O3 | Y2O3 |
| Flexural Strength (MPa) | - | 380 | 150 |
| Hardness (GPa) | 10.0 ~ 10.5 | 11.8 ~ 16.0 | 6.0 ~ 6.5 |
웨이퍼 처리 장치에서 리프트 핀은 웨이퍼가 놓여지는 서셉터의 관통홀에 수직 방향으로 이동이 가능하도록 삽입되어지며, 리프트 핀이 상승할 경우에 웨이퍼를 지지하게 된다. 상기와 같이 본 발명에 따른 리프트 핀은 상부의 웨이퍼를 지지하는 부분이 웨이퍼보다 경도가 낮은 이트리아 층(세라믹 층)으로 코팅되어 있어 웨이퍼가 리프트 핀에 의해서 발생하는 스크래치 불량을 방지할 수 있다.
Claims (9)
- (a) 세라믹 분말을 포함하는 슬러리 조성물을 제조하는 단계;
(b) 상기 슬러리 조성물을 알루미나 가압 성형체 상에 정전 분무 방법으로 분무하여 세라믹 층을 코팅하는 단계; 및
(c) 상기 세라믹 층이 코팅된 알루미나 가압 성형체를 1,600 내지 1,700 ℃에서 동시 소결하는 단계;를 포함하고,
상기 세라믹 분말은 이트리아(Y2O3), 지르코니아(ZrO2), YSZ(yittria stabilized zirconia), 실리콘 카바이드(SiC), 질화 규소(Si3N4) 및 질화 알루미늄(AlN) 중에서 선택되는 1종 이상이고,
상기 세라믹 분말은 입자 크기가 10 nm 내지 1 ㎛인 것을 특징으로 하는 내플라즈마 부재의 제조방법. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 슬러리 조성물은 알콜과 유기 용매의 혼합 용매에 상기 세라믹 분말과 폴리비닐부티랄을 혼합하여 제조한 것을 특징으로 하는 내플라즈마 부재의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 정전 분무 방법은 상기 슬러리 조성물을 시린지 펌프를 이용하여 노즐로 이송한 후 분무하여 수행하고,
상기 슬러리 유량은 1-20 mL/h으로 하고, 상기 알루미나 가압 성형체와 노즐간의 이격거리는 2-15 cm이며, 증착 시간은 5-100 분이고, 인가 전압은 2-20 kV인 것을 특징으로 하는 내플라즈마 부재의 제조방법. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 알루미나 가압 성형체는 80-90 ㎛ 크기의 알루미나 분말을 30-50 MPa의 압력으로 가압 프레스하여 제조한 것을 특징으로 하는 내플라즈마 부재의 제조방법. - 삭제
- 제1항, 제3항 내지 제4항 및 제6항 중 어느 한 항에 따른 내플라즈마 부재의 제조방법을 이용한 리프트 핀의 제조방법에 있어서,
상기 내플라즈마 부재는 웨이퍼 처리 장치의 리프트 핀이고,
상기 (b) 단계의 알루미나 가압 성형체는 상기 리프트 핀의 몸통부이며, 상기 (b) 단계에서 코팅되는 세라믹 층은 웨이퍼를 지지하는 리프트 핀 상부에만 코팅되는 것을 특징으로 하는 리프트 핀의 제조방법. - 제8항의 제조방법에 따라 제조된 리프트 핀.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120119555A KR101421112B1 (ko) | 2012-10-26 | 2012-10-26 | 정전분무 슬러리 증착 공정을 이용한 내플라즈마 부재의 제조방법 및 이를 이용한 리프트 핀의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120119555A KR101421112B1 (ko) | 2012-10-26 | 2012-10-26 | 정전분무 슬러리 증착 공정을 이용한 내플라즈마 부재의 제조방법 및 이를 이용한 리프트 핀의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140053525A KR20140053525A (ko) | 2014-05-08 |
| KR101421112B1 true KR101421112B1 (ko) | 2014-07-21 |
Family
ID=50886125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120119555A KR101421112B1 (ko) | 2012-10-26 | 2012-10-26 | 정전분무 슬러리 증착 공정을 이용한 내플라즈마 부재의 제조방법 및 이를 이용한 리프트 핀의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101421112B1 (ko) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090036292A1 (en) * | 2007-08-02 | 2009-02-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma-resistant ceramics with controlled electrical resistivity |
| KR20100100269A (ko) * | 2009-03-06 | 2010-09-15 | 주식회사 코미코 | 리프트 핀 및 이를 포함하는 웨이퍼 처리 장치 |
| KR20120054513A (ko) * | 2010-11-19 | 2012-05-30 | 한양대학교 산학협력단 | 볼 형태의 다공질 세라믹 과립의 제조방법 |
-
2012
- 2012-10-26 KR KR1020120119555A patent/KR101421112B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090036292A1 (en) * | 2007-08-02 | 2009-02-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma-resistant ceramics with controlled electrical resistivity |
| KR20100100269A (ko) * | 2009-03-06 | 2010-09-15 | 주식회사 코미코 | 리프트 핀 및 이를 포함하는 웨이퍼 처리 장치 |
| KR20120054513A (ko) * | 2010-11-19 | 2012-05-30 | 한양대학교 산학협력단 | 볼 형태의 다공질 세라믹 과립의 제조방법 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| J. Korean Ind. Eng. Chem., Vol. 19, No. 1, 2008, pp. 117-121 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140053525A (ko) | 2014-05-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102095159B1 (ko) | 반도체 소자를 제조하는 장비에 사용되는 세라믹 부품 및 그 제조 방법 | |
| US11667577B2 (en) | Y2O3—ZrO2 erosion resistant material for chamber components in plasma environments | |
| CN105980331B (zh) | 电介质材料及静电卡盘装置 | |
| KR20060049532A (ko) | 금속부재 내장 소결체의 제조 방법 | |
| EP3919463A1 (en) | Plasma resistant ceramic body formed from multiple pieces | |
| KR101692219B1 (ko) | 진공척용 복합체 및 그 제조방법 | |
| KR101421112B1 (ko) | 정전분무 슬러리 증착 공정을 이용한 내플라즈마 부재의 제조방법 및 이를 이용한 리프트 핀의 제조방법 | |
| KR101419707B1 (ko) | 정전분무 슬러리 증착 공정을 이용한 내플라즈마 세라믹층 형성방법 및 이를 이용한 리프트 핀의 제조방법 | |
| KR102419533B1 (ko) | 파티클 발생 최소화에 유리한 치밀한 보론카바이드 재질의 반도체 제조공정용 엣지링 및 그 제조방법 | |
| KR101475860B1 (ko) | 직접접합에 의한 동시 소성이 가능한 세라믹 정전척 및 그 제조방법 | |
| KR20230042679A (ko) | 복합 소결체 및 복합 소결체의 제조 방법 | |
| US20090284893A1 (en) | Electrostatic chuck | |
| KR102687816B1 (ko) | 반도체 제조공정용 엣지링 제조방법 | |
| KR20150082148A (ko) | 정전분무 슬러리 증착 공정을 이용한 경도가 우수한 내플라즈마 부재의 제조방법 | |
| JP2015147722A (ja) | 積層体、積層体の製造方法及び粉末の製造方法 | |
| KR20090093819A (ko) | 플라즈마 처리 장치에 이용되는 소결체 및 부재 | |
| KR20140110188A (ko) | 정전분무 슬러리 증착 공정을 이용한 경도가 우수한 내플라즈마 부재의 제조방법 | |
| KR20220066778A (ko) | 저온소결 이트리아 세라믹스 및 그 제조방법 | |
| KR100961279B1 (ko) | 도포법을 이용한 플라즈마처리 용기 내부재의 제조방법과그 방법으로 제조된 내부재 | |
| KR20210134113A (ko) | 세라믹 성형체 및 그 제조 방법 | |
| KR101782032B1 (ko) | 플라즈마에 의한 부식 방지용 세라믹 소결체의 제조방법 및 이를 통해 제조된 세라믹 소결체 | |
| KR102659099B1 (ko) | 이트륨계 복합 소결체를 포함하는 반도체 제조용 플라즈마 식각 장치 부품 및 그 제조방법 | |
| US20230212083A1 (en) | Method for manufacturing ceramic susceptor | |
| NL2036260B1 (en) | Sintered body and component part including same | |
| WO2022250394A1 (ko) | 정전 척, 이를 포함하는 정전 척 히터 및 반도체 유지장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170629 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180702 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190624 Year of fee payment: 6 |