TWI624903B - 在雜訊環境中之現場溫度測量 - Google Patents
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Abstract
本文揭示用於處理基板之方法及設備。該設備為雙功能處理腔室，該雙功能處理腔室可在基板上執行材料製程及熱製程兩者。該腔室具有環形輻射源，該環形輻射源安置於腔室之處理位置與傳送位置之間。當將基板支撐件下降至低於該輻射源平面以承擔基板之輻射加熱時，升舉銷具有足夠的長度以將基板維持在處理位置處。一或更多個升舉銷具有安置於升舉銷中之光管，以在該升舉銷接觸基板表面時收集由基板發出或傳輸之輻射。
Description
本文所揭示之實施例係關於半導體處理。更特定而言，本文所揭示之實施例係關於熱處理期間用於測量溫度之設備及方法。
熱處理在半導體製造中很常見。半導體基板經常在材料製程(諸如沉積、佈植或蝕刻)之後經受熱處理。通常測量經歷熱製程之基板的溫度。在一些該等製程中，腔室中之熱源產生大量的熱能，該熱能可能壓過基板發出之熱能。因此，持續地需要用於在熱處理期間測量基板溫度的方法及設備。
本文揭示用於處理基板之方法及設備。該設備為雙功能處理腔室，該雙功能處理腔室可在基板上執行材料製程及熱製程兩者。該腔室具有環形輻射源，該環形輻射源安置於腔室之處理位置與傳送位置之間。當將基板支撐件下降至低於該輻射源平面以承擔該基板之輻射加熱時，升舉銷具有
足夠的長度以將基板維持在處理位置處。一或更多個升舉銷具有安置於升舉銷中之光管，以在該升舉銷接觸基板表面時收集由基板發出或傳輸之輻射。
光管藉由接觸基板表面的頂端屏蔽來自腔室中之熱雜訊。光管可藉由導管(諸如光纖)耦接至熱感測器。
一種使用該光管偵測雜訊環境中基板熱狀態的方法可包括以下步驟：感測以隨基板之熱狀態變化之不同強度傳輸之輻射波長，及感測以獨立於基板之熱狀態之強度傳輸之輻射波長，及比較該兩種訊號。
100‧‧‧腔室
102‧‧‧蓋部分
104‧‧‧壁/側壁
106‧‧‧基板支撐件
108‧‧‧入口
110‧‧‧抽汲排出口
112‧‧‧輻射源組件/輻射能組件
114‧‧‧升舉銷
116‧‧‧基板接收表面
118‧‧‧屏蔽環
120‧‧‧熱感測器
122‧‧‧排出口
124‧‧‧傳輸位置
126‧‧‧輻射源平面
128‧‧‧熱處理位置
130‧‧‧導管
132‧‧‧軸
134‧‧‧下體積
136‧‧‧上體積
138‧‧‧內部體積
140‧‧‧底壁
142‧‧‧周邊
144‧‧‧內延
146‧‧‧外延
148‧‧‧邊緣
150‧‧‧突出部分
154‧‧‧縫隙
156‧‧‧導管
158‧‧‧導體
160‧‧‧處理位置
162‧‧‧致動器
164‧‧‧槽口
166‧‧‧蓋環/阻障層
168‧‧‧基板
170‧‧‧表面
172‧‧‧基板表面/背面
202‧‧‧主體
204‧‧‧頂端
206‧‧‧基座
208‧‧‧光管
210‧‧‧螺紋耦合件
212‧‧‧安裝台
214‧‧‧面密封件
216‧‧‧基座端
218‧‧‧肩
220‧‧‧開口
222‧‧‧導管
224‧‧‧抗壓密封件
226‧‧‧旋轉耦合件
228‧‧‧接觸表面
230‧‧‧凹槽
300‧‧‧頂端
302‧‧‧升舉銷
304‧‧‧螺紋端
306‧‧‧螺紋夾具
308‧‧‧覆蓋件
310‧‧‧絕緣體
312‧‧‧突出部分
314‧‧‧內部延伸
316‧‧‧壓縮環
318‧‧‧部分
d‧‧‧距離
以上簡短總結的本發明之更特定描述可參閱實施例獲得，其中一部分實施例在附加圖式中圖示，以便可詳細瞭解上文所述之本發明之特徵。然而應注意，附加圖式僅圖示本發明之典型實施例，且因為本發明可允許其他同等有效之實施例，所以該等圖式並不欲視為本發明之範疇的限制。
第1圖為根據一實施例之腔室的橫截面示意圖。
第2A圖為根據另一實施例之光管之橫截面圖。
第2B圖為第2A圖之光管的特寫圖。
第3圖為根據另一實施例之光管之橫截面圖。
為便於瞭解，相同元件符號儘可能用於指定諸圖共有之相同元件。可設想，在一實施例中所揭示的元件可有利地用於其它實施例，而無需特定敘述。
腔室經設置用於在基板之第一側面上沉積材料，及
在基板之第二側面上輻射，該第二側面與基板之第一側面相對。該腔室為雙功能腔室，該雙功能腔室能夠在不將基板自腔室移除的情況下，在基板上執行材料製程及熱製程兩者，因此除去了將基板從沉積腔室傳輸至退火腔室所需的時間。該腔室具有：輻射能組件，該輻射能組件定位於腔室之周邊區域且界定在腔室之處理位置及傳輸位置之間的輻射源平面；反射體，安置於輻射能組件周圍；及氣源，安置於處理位置之上。第1圖為根據一實施例之腔室100的橫截面示意圖。腔室100具有壁104及蓋部分102，壁104及蓋部分102封閉腔室之內部體積138。基板支撐件106將內部體積138分為上體積136及下體積134。處理氣體經由在蓋部分102中形成的入口108進入腔室之上體積136，且安置於基板支撐件106之基板接收表面116上的基板在腔室100之處理位置160處經曝露於該等處理氣體。處理氣體流經基板支撐件106之基板接收表面116，環繞基板支撐件106之周邊部分流動，且經由抽汲排出口110排出腔室100。
基板支撐件106之軸132穿透腔室之底壁140，且軸132包括導管130，導管130提供冷卻氣源(未圖示)與基板接收表面116之間的流體連通。基板支撐件106經垂直致動，以使安置於基板支撐件106之基板接收表面116上之基板在腔室之處理位置160與傳輸位置124之間移動。傳輸位置124界定基板之位置，在該位置處基板處理設備(未圖示)可操作基板穿過排出口122。
輻射源組件112安置於腔室100之周邊142，且輻
射源組件112界定位於處理位置160與傳輸位置124之間的輻射源平面126。複數個升舉銷114經安置穿過基板支撐件106之基板接收表面116，且升舉銷114經致動以在基板支撐件106縮回輻射源平面126之下方時保持基板接近處理位置160。進而，基板曝露於來自輻射源組件112之輻射。在一態樣中，藉由致動該等升舉銷，基板可定位於不同於處理位置160之熱處理位置128處，處理位置160可為材料處理位置。
輻射源組件112通常環繞基板支撐件106。輻射源組件112之內延144位於距基板支撐件106之外延146徑向距離「d」處。距離「d」經選擇以產生基板之選定的輻射度，該基板位於或接近於處理位置160。藉由變化輻射源組件112與基板支撐件106之外延146之間的距離「d」，可調整影響基板之輻射量及強度。對於經設置以處理300mm晶圓之腔室，在輻射源組件112之各點處的距離「d」通常實質上恆定，且距離「d」在約0.001cm(亦即10μm)與約5cm之間，例如在約1cm與約3cm之間。根據任何所要的設計，在腔室100之不同位置處，距離「d」亦可不同。例如，在輻射能組件112之延伸周圍之不同點處，距離「d」可不同。
屏蔽環118(可為金屬或陶瓷)經安置於基板接收表面116之邊緣148周圍。屏蔽環118實質上覆蓋基板支撐件106之外延146，以防止在外延146上沉積。屏蔽環118停置在突出部分150上，突出部分150在基板接收表面116之外延146中形成。大多數情況下，安置於基板接收表面116上的基板接觸屏蔽環118。在替代實施例中，基板之外徑可小
於屏蔽環118之內徑，使得基板不接觸屏蔽環118。
在操作中，基板支撐件106在腔室100內垂直地移動，在處理之不同階段延伸且縮回至各個位置。基板支撐件完全縮回至傳輸位置時，基板接收表面116經定位接近於傳輸位置124，以允許基板處理機構(未圖示)沉積且擷取基板。升舉銷114藉由制動器162延伸，以將基板舉起至基板接收表面116之上。藉由耦接至制動器162之馬達(未圖示)，制動器162獨立於基板支撐件106移動。當基板支撐件106從傳輸位置升起時，升舉銷114縮回，以便基板接收表面116嚙合基板。
基板接收表面116可併入靜電夾盤，該靜電夾盤通常為安置於絕緣基板接收表面116中之導體158。導體158可為板材、導線網格或單一路徑導線(該單一路徑導線曲折地通過基板接收表面116)。電力通常經由導管156耦合至導體158，導管156經安置穿過基板支撐件之軸132。隨著基板接收表面116嚙合該基板，靜電夾盤可經通電以將基板固定於基板支撐件106上。亦可在彼時經由導管130建立冷卻氣體。
在將基板定位於基板支撐件106上的情況下，基板支撐件106向處理位置128及160移動基板。在屏蔽環118停置於突出部分150上的情況下，當基板支撐件106向處理位置160升起時，基板支撐件106經過輻射源組件112。當基板接收表面116到達處理位置160時，基板可經受材料製程，該材料製程諸如沉積、佈植或蝕刻。屏蔽環118可具有用於
嚙合蓋環166之槽口164，蓋環166可為金屬或陶瓷，槽口164自屏蔽環118向外朝向蓋部分102延伸。蓋環166及槽口164藉由控制自上體積136流動經過蓋環166進入下體積134之氣體來改良屏蔽環118之功能。槽口164及阻障層166為任選的。當基板支撐件106向處理位置160及128移動時，屏蔽環118嚙合蓋環166。當基板支撐件106自處理位置160向處理位置128移動時，蓋環與屏蔽環118及基板支撐件106一起移動。
在一些實施例中，可提供邊緣支撐件，該邊緣支撐件在輻射源組件112與傳輸位置124之間的一點處自側壁104向內延伸。邊緣支撐件(未圖示)可經設置以在基板支撐件106向傳輸位置124移動時嚙合屏蔽環118。在該一實施例中，突出部分150之外徑小於屏蔽環118之外徑，使得屏蔽環118之一部分延伸超過基板支撐件106之外延146。該設置使得能夠自基板支撐件106移除屏蔽環118，以改良在傳輸位置124處對基板接收表面116之存取。
在處理位置160處完成處理後，基板支撐件106可經定位用於基板之背面熱處理。藉由中斷對導體158施加的電力(或在真空夾盤實施例中，藉由中斷對基板接收表面之真空)，可使基板之任何夾持脫離，基板支撐件106縮回，且升舉銷114經致動進入延伸位置。此舉使基板自基板接收表面116脫離，且在基板支撐件106縮回至輻射源平面126之下的熱處理位置時，此舉使基板維持在處理位置160。進而，基板背面曝露於來自輻射源組件112之輻射。若需要，
藉由致動升舉銷，可將基板移動至不同於處理位置160之熱處理位置128。在該等實施例中，該處理位置160可為材料處理位置。應注意，若需要，視特定實施例需要之能量曝露而定，熱處理位置可位於材料處理位置之上或之下。第1圖圖示之基板168位於熱處理位置。
在熱處理期間，對輻射源組件112施加電力，且能量自輻射源組件112向基板168輻射。以此方式輻射基板168之「背面」，該「背面」意謂與表面170相對之基板表面172，材料製程係在表面170上執行。此外提供整合材料及熱處理腔室，以此方式輻射基板168之背面172可藉由輻射基板168之較少反射表面改良該熱製程之能量效率。在一些實施例中，在基板168上執行的材料製程可在表面170上形成減少能量吸收之反射層或部分層。輻射背面172避免了增加的反射性。此外，表面170的反射性可反射來自輻射源組件112之輻射，該輻射穿過基板168，穿回基板168用於進一步的效率改良。
在一些實施例中，熱處理期間之基板168的位置可經調變以改良基板168上輻射的均勻性。藉由致動升舉銷114，基板168可自熱處理位置128進一步循環地上下移動，以將輻射圖案中任何不均勻移動至背面172之多個位置上，因此降低基板處理中不均勻及/或基板彎曲之影響。自熱處理位置128之背面172的最大偏差可表示為與基板之厚度比。高度比可在約0.1與約100個基板厚度之間變化。
如第1圖所示，當基板支撐件106在熱處理位置處
時，藉由穿過輻射源組件112與屏蔽環118之間的縫隙154之視線，熱感測器120感測基板168(基板168定位於延伸之升舉銷114上的基板接收表面116之上)之熱狀況。在省略屏蔽環118之實施例中，縫隙154將位於輻射源組件112與基板支撐件106之外延146之間。因此，熱處理位置可藉由輻射源組件112與屏蔽環118之間或基板支撐件106之外延146與輻射源組件112之內延144之間的所要縫隙154來界定。
熱處理完成後，基板通常藉由縮回升舉銷114與基板接收表面116重新嚙合。可重新應用夾持，且重新建立冷卻氣體以冷卻該基板。若需要，可隨後將基板支撐件106移動至用於進一步處理位置中，或將基板支撐件106移回用於擷取基板之傳輸位置。當基板支撐件106定位在傳輸位置處時，藉由延伸升舉銷114存取該基板，以便機器人刀刃可插入基板與基板接收表面116之間。
基板接收表面116可為反射性的。在一實施例中，提供介電鏡表面。在其他實施例中，將諸如銀之反射金屬應用於陶瓷材料之上或透明材料之下。反射材料可以保角方式延伸進入流體流動凹槽。例如，若需要，可將反射襯裡應用至該流體流動凹槽。若需要，任何已知的保角製程可用於形成保角反射表面。在另一實施例中，反射材料僅可應用於流體流動凹槽，例如藉由保角地沉積反射材料及自凹槽之間的平坦平面移除(藉由諸如拋光之物理手段或藉由諸如蝕刻之化學手段)反射材料。
反射基板接收表面116可經設置以有選擇地反射可能由基板168所吸收之輻射。例如，在一實施例中，可使用介電鏡，該介電鏡經設置以反射波長在約0.2μm與約1.0μm之間的輻射。藉由在基板接收表面116上形成具有不同折射率之交替層可形成介電鏡。
應注意，基板不必定位於用於材料(亦即沉積或佈植)及熱處理之同一位置。在以上描述中，據建議在材料及熱處理期間，處理位置160為同一位置，但對此並不做要求。例如，熱處理位置可不同於材料處理位置。基板可自材料處理位置升起至熱處理位置，或自材料處理位置下降至熱處理位置。相對於材料處理位置之熱處理位置的位置通常視輻射源之設計及材料製程的需要而定。
在一實施例中，腔室100可為PVD腔室。在該實施例中，腔室100之蓋部分102將包括如此項技術中已知的濺射靶、磁控管及氣體饋送系統。在一替代實施例中，腔室100可為CVD腔室、PECVD腔室或蝕刻腔室，如此項技術中已知，腔室100具有安置於蓋部分102中的噴淋頭或噴淋頭電極。在另一實施例中，如此項技術中已知，腔室100可為具有感應電漿源之P3i腔室，該感應電漿源安置於蓋部分102中或耦接至蓋部分102。輻射源組件(諸如輻射源組件112)可用於整合熱處理意欲之任何處理腔室中。
上文關於第1圖至第2B圖描述之腔室100為雙功能腔室，該雙功能腔室在單一腔室中之基板上執行材料製程及熱製程。該雙功能腔室適用於以在材料製程後進行熱製程為
特徵的製程。該等製程包括但不僅限於金屬沉積與重流、矽化、沉積(CVD、ALD、PECVD、磊晶法)與退火、佈植與退火以及電漿氮化與再氧化。藉由將實質上如上所述之周邊輻射源耦接至執行材料製程之腔室，該等製程可在單一腔室中執行。
藉由將光管安置於一個升舉銷中及將光管耦接至熱輻射感測器(諸如高溫計)而經由非接觸手段完成基板溫度的測量。第2A圖為如此設置之升舉銷114之詳細圖式。升舉銷114具有主體202及基座206，主體202具有頂端204。光管208安置於升舉銷114之主體202內。基座206可具有耦接至螺紋安裝台212之螺紋耦合件210。螺紋安裝台212可附接於第1圖之致動器162。光管具有基座端216，基座端216延伸進入升舉銷114之基座206，且進入安裝台212中。面密封件214安裝於光管之基座端216周圍，且鄰接於安裝台212中之開口220的肩218。導管222(諸如光纖纜線，例如200μm之光纖束)經由開口220在光管208之基座端216處耦接至光管208。抗壓密封件224定位於光管208之基座端216周圍，鄰近於面密封件214。抗壓密封件224經定位，以在升舉銷114附接於安裝台212時，由基座206壓縮抗壓密封件224。抗壓密封件224之壓縮對面密封件214施加力，促進面密封件214與肩218相抵，以密封開口220。抗壓密封件224之壓縮亦促使抗壓密封件224與光管208相抵，以提供圍繞光管208之徑向密封。面密封件214可為雙重密封件，該雙重密封件具有位於抗壓密封件224與肩218之間的兩個密封
構件。
升舉銷114之頂端204具有旋轉耦合件226，旋轉耦合件226安置於升舉銷114之頂端204與光管208之間。第2B圖為安置於頂端204內部之旋轉耦合件226之詳細圖式。旋轉耦合件226延伸超過頂端204及光管208，以防止基板與頂端204或基板與光管208之間的接觸。旋轉耦合件226在頂端204內自由地旋轉，以便若基板表面旋轉或彎曲，旋轉耦合件226之接觸表面228可沿接觸表面228之全部範圍保持與基板表面完全接觸。接觸表面228防止存在於腔室中的環境熱輻射進入光管208，以便實質上光管208接收之輻射僅為由基板發出的輻射。
旋轉耦合件226之接觸表面228為波狀外形的，以提供光阱。形成於接觸表面228中之凹槽230減少旋轉耦合件226之接觸表面228與基板表面之間的並行性，此舉經由接觸表面228與基板表面之間的介面減少光的反射透射。凹槽230提供接觸表面228之非並行部分，以經由介面干擾光的反射傳播，減少圍繞旋轉耦合件226及進入光管208中之輻射的入侵。
升舉銷202可為導熱材料，以為安置於升舉銷內部之光管208提供熱屏蔽。可使用諸如銅之金屬。
第3圖為根據另一實施例用於腔室100中之升舉銷302之頂端300的橫截面圖。升舉銷302內安置有光管208。頂端300為「盲」頂端，因為光管208之端部由覆蓋件308所覆蓋，覆蓋件308減少光管208周圍之熱雜訊。覆蓋件308
具有自光管208向外徑向伸出之突出部分312，且覆蓋件308嚙合螺紋夾具306之內部延伸314。螺紋夾具306之螺紋進而嚙合升舉銷302之螺紋端304。壓縮環316可用於突出部分312與延伸314之間。絕緣體310安置於光管208之部分318的周圍，該絕緣體310伸出至升舉銷302之端部的上方。絕緣體可為具有低導熱性之材料(諸如石英)，以防止熱雜訊之侵入穿過側面進入光管。覆蓋件308通常為導熱材料(例如，如同鎢之金屬)，以促進光管208吸收來自與覆蓋件308接觸之基板的熱能。升舉銷302通常具有如第2A圖之升舉銷之相同基座構造，在該構造中，光管208光學地耦接至用於將訊號傳輸至熱感測器之導管222。
經設置以感測從基板發出之熱之腔室(諸如具有升舉銷114之腔室100)可用於感測在具有高位準熱雜訊之環境中之基板的溫度。可確定第一訊號，該第一訊號含有關於基板熱狀態及來自環境之熱雜訊的資訊。亦可確定第二訊號，該第二訊號僅含有(或實質上含有)來自環境的熱雜訊。比較第一訊號與第二訊號顯示一複合訊號，該複合訊號含有關於基板之熱狀態的具有很少雜訊之資訊。在一些實施例中，第一訊號為與溫度成反比變化之透射率訊號。在以相對不透明的基板為特徵且其中少量輻射藉由基板傳輸至光管中之實施例中，來自腔室之熱雜訊相對較低，且直接基板發射可用於感測低位準下(諸如200℃)之基板溫度。在基板較為透明的實施例中，來自腔室之熱雜訊藉由基板傳輸至光管中，且具有類似波長的直接基板發射可被壓過。在該等實施例中，
僅由腔室發出，而非由基板發出之波長可用作環境熱雜訊之測度。已知當溫度上升時，諸如矽之材料的透射率在一些波長(尤其較長的波長)下縮減，因此可使用一波長監控基板之透射率，而以第二波長(諸如較短的波長)監控熱雜訊，在該第二波長處，基板在所有的溫度下均為透明的，且可比較兩種訊號以決定基板之溫度。
在一實施例中，如本文所述之經設置具有光管之升舉銷用於收集兩種不同波長之熱輻射，一波長基於基板(具有在該波長下之溫度)之透射率的變化選擇，且另一波長以腔室中之熱雜訊為特徵，該熱雜訊在所有論述之溫度下傳輸。第一波長可為長波長，諸如約1200nm以上之波長，例如約1280nm或1550nm之波長，且第二波長可為較短的波長，諸如小於約1100nm之波長，例如約920nm之波長。在該實施例中，該基板在所有論述之溫度下對第二波長為透明的，而第一波長之透射隨溫度變化。在第二波長處偵測之輻射強度用作腔室中之輻射位準的指示，且使用輻射源之已知發射特徵將該輻射強度自在第一波長處偵測的輻射強度中減去。所得訊號指示由基板透射之輻射。透射強度可與基板溫度有關，以便在透射強度變化時可決定溫度。在該實施例中，溫度將與該輻射訊號強度負相關。
儘管以上內容係針對本發明之實施例，但在不脫離本發明之基本範疇之情況下，可設計本發明之其他及另外的實施例。
Claims (28)
- 一種用於一半導體處理腔室之升舉銷，該升舉銷包含一光管及一旋轉耦合件，該旋轉耦合件安置於該升舉銷之一接觸端中，其中：該旋轉耦合件具有一接觸表面，該接觸表面具有一光阱；該光阱包含位於該接觸表面中之一凹槽；及該旋轉耦合件安置於該光管與該升舉銷之一頂端之間。
- 如請求項1所述之升舉銷，其中該旋轉耦合件伸出超過該光管及該頂端。
- 如請求項1所述之升舉銷，其中該旋轉耦合件可旋轉。
- 一種用於一半導體處理腔室之升舉銷，該升舉銷包含一光管及該光管之一端上的一覆蓋件，該光管與該升舉銷之一主體一起安置。
- 如請求項4所述之升舉銷，該升舉銷進一步包含一螺紋夾具，其中該覆蓋件具有嚙合該螺紋夾具之一突出部分。
- 如請求項5所述之升舉銷，其中該突出部分自該光管向外徑向伸出。
- 如請求項6所述之升舉銷，其中該螺紋夾具具有嚙合該 升舉銷之一螺紋端之螺紋。
- 如請求項7所述之升舉銷，該升舉銷進一步包含一絕緣體，該絕緣體安置於該光管之一部分周圍，該絕緣體伸出至該升舉銷之該螺紋端的上方。
- 如請求項8所述之升舉銷，其中該覆蓋件為一導熱材料。
- 如請求項9所述之升舉銷，其中該覆蓋件為金屬，且該絕緣體為石英。
- 一種測量一基板之一熱狀態之方法，該方法包含以下步驟：測量該基板傳輸之一第一輻射強度；測量該基板傳輸之一第二輻射強度；使該第二輻射強度與該基板之環境中之一位準的熱雜訊相關聯；將該位準之熱雜訊與該第一輻射強度相比較，以給出一熱狀態訊號；以及使該熱狀態訊號與該基板之該熱狀態相關聯。
- 如請求項11所述之方法，其中該第一輻射具有大於約1200nm之一波長，且該第二輻射具有小於約1100nm之一波長。
- 如請求項12所述之方法，其中將該位準之熱雜訊與該第一輻射強度相比較之步驟包含以下步驟：從該第一輻射強度中減去該位準之熱雜訊。
- 一種用於在一半導體處理腔室中支撐一基板之升舉銷，該升舉銷包含一光管及一旋轉耦合件，該旋轉耦合件安置於該升舉銷之一端中，其中該旋轉耦合件具有波狀外形的一基板接觸表面。
- 如請求項14所述之升舉銷，其中該基板接觸表面形成一光阱。
- 如請求項15所述之升舉銷，其中該光阱包含位於該基板接觸表面中之一凹槽。
- 如請求項16所述之升舉銷，其中該旋轉耦合件安置於該光管與該升舉銷之一頂端之間。
- 如請求項17所述之升舉銷，其中該旋轉耦合件伸出超過該光管及該頂端。
- 如請求項15所述之升舉銷，其中該光阱包含該旋轉耦合件之一彎曲表面。
- 如請求項14所述之升舉銷，其中該旋轉耦合件可旋轉。
- 如請求項14所述之升舉銷，其中該旋轉耦合件包含一導熱材料。
- 如請求項21所述之升舉銷，其中該導熱材料為一金屬。
- 如請求項14所述之升舉銷，其中該基板接觸表面以一凹槽而呈波狀外形。
- 如請求項23所述之升舉銷，其中該凹槽減少該基板接觸表面與該基板之一表面之間的並行性。
- 如請求項23所述之升舉銷，其中該凹槽經由該基板接觸表面與該基板之一表面之間的一介面減少光的反射透射。
- 如請求項14所述之升舉銷，其中該基板接觸表面具有相對於該基板之一表面的一非並行部分。
- 如請求項26所述之升舉銷，其中該非並行部分經由該基板接觸表面與該基板之該表面之間的一介面干擾光的反射傳播。
- 如請求項26所述之升舉銷，其中該非並行部分減少圍繞該旋轉耦合件及進入該光管中之輻射的入侵。
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