CN108063082A - 基板干法刻蚀装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种基板干法刻蚀装置，包括上电极板、下电极板和若干支撑凸起件；上电极板和下电极板相对且间隔设置；下电极板上开设有若干活动孔和若干气孔，各气孔贯穿下电极板的两个相背的表面，各活动孔开设于下电极板朝向上电极板的一面；每一支撑凸起件活动插设于一活动孔内，各活动孔的宽度相同，且各活动孔的截面的形状相同，每一支撑凸起件与对应的活动孔的侧壁抵接；各支撑凸起件凸起于下电极板的表面的最大高度相同。通过调整支撑凸起件凸起于下电极板表面的高度，使得凸起至最大高度的支撑凸起件抵接于大板上的空闲区，避免支撑凸起件抵接于大板上的像素区，从而有效避免基板在刻蚀过程中产生不良的斑点，使得基板的刻蚀效果更佳。

Description

基板干法刻蚀装置

技术领域

本发明涉及有机发光显示制造技术领域，特别是涉及基板干法刻蚀装置。

背景技术

干法刻蚀(Dry Etching)是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术，在半导体工艺和薄膜晶体管液晶显示器以及OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器制造工艺有着广泛应用。在有机发光二极管LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅)阵列基板的制作过程中，通常利用干法刻蚀去除基板表面的薄膜而形成所需电路图形。干法刻蚀过程中，高频电压将反应气体部分电离为等离子体，相互配合的上部电极和下部电极之间形成电场，等离子体在电场作用下，对放置在下部电极上的基板上的薄膜进行刻蚀。

在实际生产的干法刻蚀过程中，放置在下部电极上的基板由于温度较高，需要注入氦气对基板进行冷却，使得基板及时降温才能取得较佳的刻蚀效果。在现有技术中，下部电极用于支撑基板，下部电极设置有若干支撑凸起和若干气孔，支撑凸起用于抵接于基板，支撑基板，气孔用于注入氮气。借助这些支撑凸起对基板进行支撑，氦气通过该气孔对放置在下部电极上的基板下表面进行吹拂，从而实现对基板的冷却。

然而在支撑凸起与基板接触的位置相较于基板上其他未与支撑凸起接触的位置冷却效果有所差异，在支撑凸起与基板下表面抵接的位置上容易产生不良斑(Mura)，使得基板产生缺陷。

发明内容

基于此，有必要提供一种基板干法刻蚀装置。

一种基板干法刻蚀装置，包括：上电极板、下电极板和若干支撑凸起件；

所述上电极板和所述下电极板相对且间隔设置；

所述下电极板上开设有若干活动孔和若干气孔，各所述气孔贯穿所述下电极板的两个相背的表面，各所述活动孔开设于所述下电极板朝向所述上电极板的一面；

每一所述支撑凸起件活动插设于一所述活动孔内，各所述活动孔的宽度相同，且各所述活动孔的截面的形状相同，每一所述支撑凸起件与对应的所述活动孔的侧壁抵接；

各所述支撑凸起件凸起于所述下电极板的表面的最大高度相同。

在其中一个实施例中，各所述活动孔呈阵列开设于所述下电极板上。

在其中一个实施例中，各所述活动孔等距开设于所述下电极板上。

在其中一个实施例中，各所述气孔等距开设于所述下电极板上。

在其中一个实施例中，各所述气孔与各所述活动孔相互交错设置。

在其中一个实施例中，各所述支撑凸起件具有圆形截面。

在其中一个实施例中，各所述支撑凸起件具有矩形截面。

在其中一个实施例中，各所述支撑凸起件具有多边形截面。

在其中一个实施例中，各所述支撑凸起件凸起于所述下电极板的表面的最小高度相同。

在其中一个实施例中，各所述支撑凸起件的长度相等。

上述基板干法刻蚀装置，通过调节支撑凸起件在活动孔内的深度，从而调整支撑凸起件凸起于下电极板表面的高度，使得凸起至最大高度的支撑凸起件抵接于大板上的空闲区，避免支撑凸起件抵接于大板上的像素区，从而有效避免基板在刻蚀过程中产生不良的斑点，使得基板的刻蚀效果更佳。

附图说明

图1为一个实施例的基板干法刻蚀装置的局部剖面结构示意图；

图2为一个实施例的下电极板的一方向结构示意图；

图3为一个实施例的大板的一方向结构示意图；

图4另一个实施例的下电极板的局部剖面结构示意图；

图5为另一个实施例的基板干法刻蚀装置的局部剖面结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

例如，一种基板干法刻蚀装置，包括上电极板、下电极板和若干支撑凸起件；所述上电极板和所述下电极板相对且间隔设置；所述下电极板上开设有若干活动孔和若干气孔，各所述气孔贯穿所述下电极板的两个相背的表面，各所述活动孔开设于所述下电极板朝向所述上电极板的一面；每一所述支撑凸起件活动插设于一所述活动孔内，各所述活动孔的宽度相同，且各所述活动孔的截面的形状相同，每一所述支撑凸起件与对应的所述活动孔的侧壁抵接；各所述支撑凸起件凸起于所述下电极板的表面的最大高度相同。

上述实施例中，通过调节支撑凸起件在活动孔内的深度，从而调整支撑凸起件凸起于下电极板表面的高度，使得凸起至最大高度的支撑凸起件抵接于大板上的空闲区，避免支撑凸起件抵接于大板上的像素区，从而有效避免基板在刻蚀过程中产生不良的斑点，使得基板的刻蚀效果更佳。

在一个实施例中，如图1和图2所示，提供一种基板干法刻蚀装置10，包括：上电极板100、下电极板200和若干支撑凸起件300；所述上电极板100和所述下电极板200相对且间隔设置；所述下电极板200上开设有若干活动孔220和若干气孔210，各所述气孔210贯穿所述下电极板200的两个相背的表面，各所述活动孔220开设于所述下电极板200朝向所述上电极板100的一面；每一所述支撑凸起件300活动插设于一所述活动孔220内，各所述活动孔220的宽度相同，且各所述活动孔220的截面的形状相同，每一所述支撑凸起件300与对应的所述活动孔220的侧壁抵接；各所述支撑凸起件300凸起于所述下电极板200的表面的最大高度相同。

具体地，上电极板100也可称为上部电极，下电极板200也可称为下部电极，上电极板100和下电极板200相对且间隔设置，上电极板100和下电极板200通电后，两者之间形成电场，大板700放置在上电极板100和下电极板200之间，等离子体在电场作用下对大板上的膜层进行轰击刻蚀。

如图3所示，该大板700为玻璃大板，该大板也可称为母板，大板700包括多个显示单元710和包覆于各显示单元710外侧的空闲区720，每一个显示单元即为一个像素区，该像素区用于发光显示，该空闲区不蒸镀像素。当大板完成各膜层的蒸镀和刻蚀后，将被切割多个基板，每一个基板包括一个显示单元，而空闲区720则被切割丢弃。由于空闲区720不用于显示，因此，该空闲去上形成的不良斑点将不会影响像素区，也就是说不会影响最终的成品。

气孔210用于通入氮气，使得氮气能够吹向大板，为大板冷却降温。例如，各所述气孔210分别通过气管与氮气存储罐连通，这样，氮气存储罐中的氮气可以通过气管和气孔210吹向下电极板200上的大板。

该下电极板200用于支撑大板，具体地，下电极板200上的支撑凸起件300用于支撑大板，由于各支撑凸起件300活动插设于活动孔220内，这样，根据大板上空闲区的位置，调整各支撑凸起件300在活动孔220内的位置，从而调整各支撑凸起件300凸起于下电极板200表面的高度，使得凸起至最大高度的支撑凸起件300均抵接于大板上的空闲区，通过对空闲区的支撑实现对大板的支撑，而像素区对应的支撑凸起件300则不抵接于大板的像素区，这样，在刻蚀过程中，由于像素区没有抵接于支撑凸起件300，支撑凸起件300与大板的抵接位置位于空闲去内，使得不良斑点形成于空闲区，有效避免了像素区内形成不良斑点，从而使得基板的刻蚀效果更佳。

值得一提的是，各支撑凸起件300均可以沿着活动孔220的深度方向运动，各支撑凸起件300凸起于下电极板200的表面的高度可以调整，这样，将对齐于大板上的空闲区的各支撑凸起件300调整至最大高度，并且对齐于大板上的空闲区的各支撑凸起件300的凸起最大高度相同，也就是说，对齐于大板上的空闲区的各支撑凸起件300的顶端处于同一平面上，这样，能够均衡低对大板提供支撑力，使得大板得到平衡，而对齐于大板上的像素区的各支撑凸起件300的高度可以相等，也可以不相等，对齐于大板上的像素区的各支撑凸起件300与大板间隔设置，也就是对齐于大板上的像素区的各支撑凸起件300不抵接于大板，这样，能够避免像素区由于冷却效果差异而导致产生不良斑点，使得不良斑点仅形成于空闲区。

此外，如图1所示，每一所述支撑凸起件300与对应的所述活动孔220的侧壁抵接，也就是说，支撑凸起件300在活动孔220内活动时，支撑凸起件300的侧面将受到活动孔220的侧壁的支撑，例如，支撑凸起件300沿着活动孔220的深度方向运动，而活动孔220的侧壁对支撑凸起件300的抵接，从横向上为支撑凸起件300提供支撑，限制支撑凸起件300在横向上的偏移，避免支撑凸起件300在垂直于深度方向上的偏移，使得支撑凸起件300运动更为平稳，并且在对大板支撑的过程中，有效避免支撑凸起件300的偏移或者倾斜，使得对大板的支撑效果更佳。

值得一提的是，为了适应不同的规格型号的大板，例如，根据大板的形状对各支撑凸起件300的高度进行调节，例如，根据大板的像素区和空闲区的分布调整各支撑凸起件300的凸起高度，这样，可以适应不同规格型号的大板，各支撑凸起件300均抵接于大板的空闲区，而不抵接于像素区。

应该理解的是，大板一般的形状为矩形，而切割后形成的基板也是矩形，因此，为了更好地对齐于像素区之间的空闲区，在一个实施例中，各所述活动孔220呈阵列开设于所述下电极板200上。这样，部分活动孔220能够准确对齐于矩形像素区外侧的空闲区，使得至少有部分支撑凸起件300能够对空闲区进行支撑，从而使得刻蚀效果更佳。

为了使得大板能够均匀受力，使得大板受力更为均衡，在刻蚀过程中能够保持平整，例如，请参见图2，各所述活动孔220等距开设于所述下电极板200上。例如，呈矩形阵列设置的各所述活动孔220的行距相等，例如，呈矩形阵列设置的各所述活动孔220的列距相等，由于各活动孔220等距设置，使得支撑于空闲区的各支撑凸起件300能够均匀地对空闲区施加支撑力，使得板能够均匀受力，使得大板受力更为均衡，在刻蚀过程中能够保持平整。

为了使得对大板的冷却效果更佳，使得大板得到均匀冷却，例如，如图2所示，各所述气孔210等距开设于所述下电极板200上。例如，各所述气孔210呈阵列开设于所述下电极板200上。例如，各所述气孔210呈矩形阵列开设于所述下电极板200上。这样，由于气孔210均匀开设于下电极板200上，因此，使得氮气能够均匀地吹向大板，使得大板各位置上均可以得到均匀的氮气的降温，进而大板得到均匀冷却，使得对大板的冷却效果更佳。

为了使得大板的冷却更为均匀，例如，各所述气孔210的宽度相同，例如，各气孔210具有圆形截面，即气孔210的横截面为圆形，气孔210为圆柱体形状，各气孔210的孔径相等，这样，由于各气孔210的孔径相等，使得各气孔210的注入的氮气量相等，有利于使得大板的冷却更为均匀。

为了使得气孔210与活动孔220分别能够等距设置，使得冷却效果以及支撑效果更佳，在一个实施例中，如图2所示，各所述气孔210与各所述活动孔220相互交错设置。例如，每一行气孔210与每一行活动孔220错开，例如，每一列气孔210与每一列活动孔220错开，例如，每两行活动孔220之间开设一行气孔210，例如，每两列活动孔220之间开设一列气孔210，例如，每两行气孔210之间开设一行活动孔220，例如，每两列气孔210之间开设一列活动孔220，这样，通过气孔210与活动孔220的交错设置，使得气孔210之间能够等距设置，而活动孔220之间也能够等距设置，进而使得大板得到均匀地冷却，同时使得大板能够得到均衡的支撑力，使得大板刻蚀效果更佳。

值得一提的是，为了使得该支撑凸起件300能够抵接于活动孔220的侧壁，例如，各支撑凸起件300与对应的活动孔220具有相同的截面形状，例如，各支撑凸起件300的截面形状与活动孔220的截面形状相同，例如，各支撑凸起件300的宽度与活动孔220的宽度相等，这样，能够使得各支撑凸起件300能够平稳低在各活动孔220中运动，使得对大板的支撑效果更佳。

为了使得支撑凸起件300可以与活动孔220更为匹配，例如，如图2所示，各所述支撑凸起件300具有圆形截面，即支撑凸起件300的横向截面为圆形，例如，各所述活动孔220具有圆形截面，即活动孔220的横向截面为圆形。

例如，各所述支撑凸起件具有矩形截面，例如，各所述活动孔具有矩形截面。例如，各所述支撑凸起件具有方形截面，例如，各所述活动孔具有方形截面。例如，各所述支撑凸起件具有多边形截面，例如，各所述活动孔具有多边形截面。例如，各所述支撑凸起件具有六边形截面，例如，各所述活动孔具有六边形截面。例如，各所述支撑凸起件具有八边形截面，例如，各所述活动孔具有八边形截面。在其他实施例中，支撑凸起件的截面还可以是其他形状，而活动孔则为与支撑凸起件的截面形状相同，本文中不累赘描述。

为了使得各支撑凸起件300能够为大板提供均衡的支撑力，例如，各所述支撑凸起件300的长度相等，例如，各所述活动孔220的深度相等，这样，有利于各支撑凸起件300在活动孔220内升起时具有相同的凸起高度，使得各所述支撑件能够对大板提供更为均衡的支撑力。

为了避免支撑凸起件300抵接于大板的像素区，使得像素区的冷却效果更佳，在一个实施例中，各所述支撑凸起件300凸起于所述下电极板200的表面的最小高度相同。例如，各所述支撑凸起件300凸起于所述下电极板200的表面的最小高度为零，例如，各所述支撑凸起件300处于升起的最小高度时，所述支撑凸起件300的顶端与所述下电极板200朝向上电极板100的一面平齐，能够使得对齐像素区的各所述支撑凸起件300能够充分远离大板的像素区，避免对氮气的冷却造成影响，使得像素区能够更好地冷却，使得像素区的刻蚀效果更佳。

在上述实施例中，各支撑凸起件300的凸起的最大高度相等，且凸起的最小高度相等，使得支撑凸起件300抵接于大板的空闲区的一端的处于同一平面，并且对齐大板的像素区的各支撑凸起件300均与下电极板200朝向上电极板100的一面平齐，而各所述支撑凸起件300的长度相等，使得对齐于空闲区的各支撑凸起件300能够更好低支撑大板，而对齐于像素区的各支撑凸起件300能够避免对冷却造成影响，从而使得大板的刻蚀效果更佳。

为了实现各支撑凸起件300在活动孔220内的升起，例如，如图4所示，各所述活动孔220开设于所述下电极板200朝向所述上电极板100的一面，并且各所述活动孔220不贯穿下电极板200背向上电极板100的一面，也就是说，该活动孔220为不通透孔，该活动孔220为凹陷设置于下电极板200朝向所述上电极板100的一面，每一活动孔220的底部设置有一升降驱动器400，每一升降驱动器400与一所述支撑凸起件300驱动连接，这样，通过升降驱动器400的驱动，使得各支撑凸起件300能够在活动孔220内运动，实现升降，例如，基板干法刻蚀装置10还包括控制器(图未示)，该控制器与各所述升降驱动器400电连接，该控制器用于控制各所述升降驱动器400的工作，进而实现对各支撑凸起件300的高度的调整。

值得一提的，该升降驱动器400可采用现有技术实现，例如，如图4所示，该每一升降驱动器400包括微型电机410和丝杆420，每一微型电机410通过一丝杆420与一支撑凸起件300驱动连接。在其他实施例中，升降驱动器400还可以采用其他现有方式实现，本实施例中不累赘描述。这样，通过各活动孔220的底部设置升降驱动器400，使得升降驱动器400能够更好地驱动各支撑凸起件300的升降，使得支撑凸起件300能够平稳运动，能够适应不同规格型号的大板，有效避免大板的像素区产生不良斑点，使得大板的刻蚀效果更佳。

为了实现对各支撑凸起件300的驱动，在一个所述实施例中，如图5所示，各所述活动孔220贯穿所述下电极板200的两个相背的表面，即各所述活动孔220开设于所述下电极板200朝向所述上电极板100的一面，并且各所述活动孔220贯穿下电极板200背向上电极板100的一面，本实施例中，还包括一支撑板500，支撑板500设置于下电极板200背向上电极板100的一侧，支撑板500与下电极板200间隔设置，该支撑板500通过支撑架510与下电极板200固定连接，支撑板500上设置有若干升降驱动器400，每一升降驱动器400对齐于一活动孔220，每一升降驱动器400与一所述支撑凸起件300驱动连接，每一支撑凸起件300活动插设于一活动孔220内，各支撑凸起件300用于在各升降驱动器400的驱动下在活动孔220内运动，并且活动凸起于下电极板200朝向上电极板100的一面，例如，本实施例中，基板干法刻蚀装置10还包括控制器，该控制器与各所述升降驱动器400电连接，该控制器用于控制各所述升降驱动器400的工作，进而实现对各支撑凸起件300的高度的调整。

这样，通过将升降驱动器400设置在支撑板500上，使得升降驱动器400更为容易不止，且有利于升降驱动器400与控制器的连接，使得基板干法刻蚀装置10的结构更为简单，便于部署。

下面结合一个具体的实施例作进一步阐述：

本实施例中，大板包括若干像素区和包围于像素区外的空闲区，通过控制各升降驱动器，使得对齐于像素区的各支撑凸起件缩入活动孔内，使得对齐于像素区的各支撑凸起件的顶端与下电极板的表面平齐，驱动对齐于空闲区的各支撑凸起件从活动孔内升起，并升起至统一的最大高度，对齐于空闲区的各支撑凸起件抵接于空闲区，对大板进行支撑。从而避免支撑凸起件抵接于大板上的像素区，从而有效避免基板在刻蚀过程中产生不良的斑点，使得基板的刻蚀效果更佳。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种基板干法刻蚀装置，其特征在于，包括上电极板、下电极板和若干支撑凸起件；

所述上电极板和所述下电极板相对且间隔设置；

所述下电极板上开设有若干活动孔和若干气孔，各所述气孔贯穿所述下电极板的两个相背的表面，各所述活动孔开设于所述下电极板朝向所述上电极板的一面；

每一所述支撑凸起件活动插设于一所述活动孔内，各所述活动孔的宽度相同，且各所述活动孔的截面的形状相同，每一所述支撑凸起件与对应的所述活动孔的侧壁抵接；

各所述支撑凸起件凸起于所述下电极板的表面的最大高度相同。

2.根据权利要求1所述的基板干法刻蚀装置，其特征在于，各所述活动孔呈阵列开设于所述下电极板上。

3.根据权利要求1所述的基板干法刻蚀装置，其特征在于，各所述活动孔等距开设于所述下电极板上。

4.根据权利要求1所述的基板干法刻蚀装置，其特征在于，各所述气孔等距开设于所述下电极板上。

5.根据权利要求1所述的基板干法刻蚀装置，其特征在于，各所述气孔与各所述活动孔相互交错设置。

6.根据权利要求1所述的基板干法刻蚀装置，其特征在于，各所述支撑凸起件具有圆形截面。

7.根据权利要求1所述的基板干法刻蚀装置，其特征在于，各所述支撑凸起件具有矩形截面。

8.根据权利要求1所述的基板干法刻蚀装置，其特征在于，各所述支撑凸起件具有多边形截面。

9.根据权利要求1所述的基板干法刻蚀装置，其特征在于，各所述支撑凸起件凸起于所述下电极板的表面的最小高度相同。

10.根据权利要求1所述的基板干法刻蚀装置，其特征在于，各所述支撑凸起件的长度相等。