JPH07216550A - 基板冷却装置 - Google Patents
基板冷却装置Info
- Publication number
- JPH07216550A JPH07216550A JP3417894A JP3417894A JPH07216550A JP H07216550 A JPH07216550 A JP H07216550A JP 3417894 A JP3417894 A JP 3417894A JP 3417894 A JP3417894 A JP 3417894A JP H07216550 A JPH07216550 A JP H07216550A
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- JP
- Japan
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- substrate
- cooling
- chamber
- cooled
- radiation
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】機構が簡単で而も基板の汚染のない基板冷却装
置を提供しようとするものである。 【構成】支持される基板９と平行に金属板を設け、該金
属板の前記基板と対峙する面に輻射吸熱層１９を形成
し、基板からの輻射熱を輻射吸熱層に吸収し、該吸収さ
れた熱は金属板に熱伝達され、該金属板を介して排熱さ
れる。
置を提供しようとするものである。 【構成】支持される基板９と平行に金属板を設け、該金
属板の前記基板と対峙する面に輻射吸熱層１９を形成
し、基板からの輻射熱を輻射吸熱層に吸収し、該吸収さ
れた熱は金属板に熱伝達され、該金属板を介して排熱さ
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置を構成す
る装置の１つである基板冷却装置、詳しくは処理後の加
熱された基板を冷却する為の基板冷却装置に関するもの
である。
る装置の１つである基板冷却装置、詳しくは処理後の加
熱された基板を冷却する為の基板冷却装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】先ず、図３に於いて枚葉式半導体製造装
置の概略を説明する。
置の概略を説明する。
【０００３】搬送室１の周囲にロード側カセット室２、
冷却室３、基板処理室４、アンロード側カセット室（図
示せず）がゲートバルブ（図示せず）を介して連設さ
れ、前記ロード側カセット室２には外部より未処理基板
を装填したカセット５が搬入され、更に前記アンロード
側カセット室に収納されたカセット５に処理済みの基板
が装填されると、該カセット５は前記アンロード側カセ
ット室より外部へ搬出される。
冷却室３、基板処理室４、アンロード側カセット室（図
示せず）がゲートバルブ（図示せず）を介して連設さ
れ、前記ロード側カセット室２には外部より未処理基板
を装填したカセット５が搬入され、更に前記アンロード
側カセット室に収納されたカセット５に処理済みの基板
が装填されると、該カセット５は前記アンロード側カセ
ット室より外部へ搬出される。
【０００４】前記搬送室１内には基板を１枚ずつ搬送す
る為の基板搬送ロボット６が設けられており、該基板搬
送ロボット６は基板をロード側カセット室２から基板処
理室４に、基板処理室４から冷却室３に、冷却室３から
アンロード側カセット室（図示せず）へと搬送するもの
である。
る為の基板搬送ロボット６が設けられており、該基板搬
送ロボット６は基板をロード側カセット室２から基板処
理室４に、基板処理室４から冷却室３に、冷却室３から
アンロード側カセット室（図示せず）へと搬送するもの
である。
【０００５】前記基板処理室４は減圧反応ガス雰囲気で
基板を加熱し、基板表面に薄膜を生成し、或はエッチン
グするものである。又、処理済みの基板は前記した様
に、アンロード側カセット室に搬送され、カセット５に
装填されるが、該カセット５が合成樹脂性であるので、
処理直後の高温の基板をカセット５に装填すると、カセ
ット５を溶かしてしまう。その為、処理後の基板は一
旦、前記冷却室３に搬入され、該冷却室３に於いて所要
の温度迄冷却される。
基板を加熱し、基板表面に薄膜を生成し、或はエッチン
グするものである。又、処理済みの基板は前記した様
に、アンロード側カセット室に搬送され、カセット５に
装填されるが、該カセット５が合成樹脂性であるので、
処理直後の高温の基板をカセット５に装填すると、カセ
ット５を溶かしてしまう。その為、処理後の基板は一
旦、前記冷却室３に搬入され、該冷却室３に於いて所要
の温度迄冷却される。
【０００６】上記した様に、処理済みの基板は順次冷却
室３に搬送され、該冷却室３で所要温度迄冷却される
が、冷却室３での冷却時間が基板処理室４での処理時間
より長くなると、処理工程から冷却工程に至る間で待機
時間が生じ、半導体製造装置としての処理能力が低下し
てしまう。従って、冷却は効率よく短時間で行われなけ
ればならない。
室３に搬送され、該冷却室３で所要温度迄冷却される
が、冷却室３での冷却時間が基板処理室４での処理時間
より長くなると、処理工程から冷却工程に至る間で待機
時間が生じ、半導体製造装置としての処理能力が低下し
てしまう。従って、冷却は効率よく短時間で行われなけ
ればならない。
【０００７】図４に於いて従来の基板冷却装置を説明す
る。
る。
【０００８】搬送室１と冷却室３とはゲートバルブ７を
介して気密に連設されている。前記冷却室３の底部には
冷却板８が設けられ、該冷却板８は流通する冷却水１２
により冷却される。基板９は前記冷却板８の上面に載置
され、又冷却板８に設けられたクランプ機構１０により
基板９が冷却板８に固定密着される。
介して気密に連設されている。前記冷却室３の底部には
冷却板８が設けられ、該冷却板８は流通する冷却水１２
により冷却される。基板９は前記冷却板８の上面に載置
され、又冷却板８に設けられたクランプ機構１０により
基板９が冷却板８に固定密着される。
【０００９】該冷却板８の基板載置面の中心からは放射
状に冷却ガス１３が流出する様になっており、基板９の
熱は熱伝導により冷却板８へ、又基板載置面から流出す
る冷却ガス１３を熱媒体として冷却板８へ伝達され、基
板９が冷却される。冷却室３内に流入した冷却ガス１３
は排気管１４より排気される。
状に冷却ガス１３が流出する様になっており、基板９の
熱は熱伝導により冷却板８へ、又基板載置面から流出す
る冷却ガス１３を熱媒体として冷却板８へ伝達され、基
板９が冷却される。冷却室３内に流入した冷却ガス１３
は排気管１４より排気される。
【００１０】前記冷却室３は冷却板８を貫通して昇降す
る基板支持ピン１１を有しており、前記基板搬送ロボッ
ト６と冷却板８間で基板９の授受を行う場合は、前記ク
ランプ機構１０がクランプ解除し、基板支持ピン１１を
上昇させ、基板９を冷却板８から浮かせる。
る基板支持ピン１１を有しており、前記基板搬送ロボッ
ト６と冷却板８間で基板９の授受を行う場合は、前記ク
ランプ機構１０がクランプ解除し、基板支持ピン１１を
上昇させ、基板９を冷却板８から浮かせる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の基板冷
却装置では、基板９を冷却板８に密着させる為にクラン
プ機構１０が必要である。又、基板冷却の為、冷却板８
内部に冷却水１２を流通させ、更に冷却の熱媒体として
冷却ガスを用いている為、冷却ガスの供給ライン、排気
ラインを必要とし、或は冷却ガスが搬送室１に流入しな
い様に、前記ゲートバルブ７による搬送室１と冷却室３
間での雰囲気遮断を必要とする。更に又、基板９の授受
の為、基板支持ピン１１の昇降機構が必要となる等、構
造が複雑であり、構成部品の数も多く、製作コストが高
いという問題があり、更に冷却板８上に直接基板９を載
置する為基板を汚染するという問題があった。
却装置では、基板９を冷却板８に密着させる為にクラン
プ機構１０が必要である。又、基板冷却の為、冷却板８
内部に冷却水１２を流通させ、更に冷却の熱媒体として
冷却ガスを用いている為、冷却ガスの供給ライン、排気
ラインを必要とし、或は冷却ガスが搬送室１に流入しな
い様に、前記ゲートバルブ７による搬送室１と冷却室３
間での雰囲気遮断を必要とする。更に又、基板９の授受
の為、基板支持ピン１１の昇降機構が必要となる等、構
造が複雑であり、構成部品の数も多く、製作コストが高
いという問題があり、更に冷却板８上に直接基板９を載
置する為基板を汚染するという問題があった。
【００１２】本発明は斯かる実情に鑑み、機構が簡単で
而も基板の汚染のない基板冷却装置を提供しようとする
ものである。
而も基板の汚染のない基板冷却装置を提供しようとする
ものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、支持される基
板と平行に金属板を設け、該金属板の前記基板と対峙す
る面に輻射吸熱層を形成したことを特徴とするものであ
る。
板と平行に金属板を設け、該金属板の前記基板と対峙す
る面に輻射吸熱層を形成したことを特徴とするものであ
る。
【００１４】
【作用】基板から発せられる輻射熱は輻射吸熱層に吸収
され、該吸収された熱は金属板に熱伝達され、該金属板
を介して排熱される。基板の温度は熱放射により低下す
る。
され、該吸収された熱は金属板に熱伝達され、該金属板
を介して排熱される。基板の温度は熱放射により低下す
る。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１６】図１に於いて第１の実施例を説明する。
尚、図１中、図４中で示したものと同一のものには同符
号を付してある。
尚、図１中、図４中で示したものと同一のものには同符
号を付してある。
【００１７】冷却室容器１５を搬送室１に気密に連設
し、前記冷却室容器１５に基板搬入搬出口１６を設け、
該基板搬入搬出口１６を前記搬送室１の基板搬入搬出口
１７に合致させる。前記冷却室容器１５の上端には蓋１
８を気密に設け、前記冷却室容器１５との間で気密な冷
却空間を形成する。前記冷却室容器１５、前記蓋１８の
材質は熱伝導率の高い金属、アルミニウム、アルミニウ
ム合金、銅、銅合金等の金属を使用する。
し、前記冷却室容器１５に基板搬入搬出口１６を設け、
該基板搬入搬出口１６を前記搬送室１の基板搬入搬出口
１７に合致させる。前記冷却室容器１５の上端には蓋１
８を気密に設け、前記冷却室容器１５との間で気密な冷
却空間を形成する。前記冷却室容器１５、前記蓋１８の
材質は熱伝導率の高い金属、アルミニウム、アルミニウ
ム合金、銅、銅合金等の金属を使用する。
【００１８】前記冷却室容器１５の底面、前記蓋１８の
天井面に熱放射率の高い物質（セラミック、銀、銅等の
金属粉末、黒鉛等の黒色体）をコーティング等して形成
し、輻射吸熱層１９を形成する。前記冷却室容器１５の
底板に冷却水路２０を設け、前記蓋１８に冷却水路２１
を設け、前記冷却水路２０、冷却水路２１と図示しない
冷却水源とを接続し、前記冷却室容器１５の底板、前記
蓋１８を金属製の冷却板として構成する。
天井面に熱放射率の高い物質（セラミック、銀、銅等の
金属粉末、黒鉛等の黒色体）をコーティング等して形成
し、輻射吸熱層１９を形成する。前記冷却室容器１５の
底板に冷却水路２０を設け、前記蓋１８に冷却水路２１
を設け、前記冷却水路２０、冷却水路２１と図示しない
冷却水源とを接続し、前記冷却室容器１５の底板、前記
蓋１８を金属製の冷却板として構成する。
【００１９】前記冷却室容器１５の底面より、少なくと
も３本の石英性の基板支持ピン２２を立設し、該基板支
持ピン２２により基板９を前記天井面、底面と平行に支
持可能とする。
も３本の石英性の基板支持ピン２２を立設し、該基板支
持ピン２２により基板９を前記天井面、底面と平行に支
持可能とする。
【００２０】前記基板処理室４で処理された基板９を基
板搬送ロボット６により冷却室３内に搬入し、前記基板
支持ピン２２に載置する。前記基板９から発せられる輻
射熱（電磁波）は前記輻射吸熱層１９に効率よく吸収さ
れ、更に前記蓋１８、冷却室容器１５に伝達され、前記
冷却水路２０、冷却水路２１を循環する冷却水により前
記蓋１８、冷却室容器１５から排熱する。而して、前記
基板９からの熱放射により基板９の冷却が行われる。
板搬送ロボット６により冷却室３内に搬入し、前記基板
支持ピン２２に載置する。前記基板９から発せられる輻
射熱（電磁波）は前記輻射吸熱層１９に効率よく吸収さ
れ、更に前記蓋１８、冷却室容器１５に伝達され、前記
冷却水路２０、冷却水路２１を循環する冷却水により前
記蓋１８、冷却室容器１５から排熱する。而して、前記
基板９からの熱放射により基板９の冷却が行われる。
【００２１】而して、冷却ガス等の熱媒体を必要とする
ことなく、真空雰囲気下で基板９の冷却が可能となる。
ことなく、真空雰囲気下で基板９の冷却が可能となる。
【００２２】図２に於いて他の実施例を説明する。
【００２３】冷却室３内部に上下一対の上冷却板２３，
下冷却板２４を設ける。該上冷却板２３、下冷却板２４
の相対峙する面には前記輻射吸熱層１９をコーティング
し、又上冷却板２３、下冷却板２４にはそれぞれ冷却水
路２５、冷却水路２６を設け、両冷却水路２５，２６は
図示しない冷却水源に接続する。前記下冷却板２４より
基板支持ピン２２を立設し、基板９を上下冷却板と平行
に支持可能とする。
下冷却板２４を設ける。該上冷却板２３、下冷却板２４
の相対峙する面には前記輻射吸熱層１９をコーティング
し、又上冷却板２３、下冷却板２４にはそれぞれ冷却水
路２５、冷却水路２６を設け、両冷却水路２５，２６は
図示しない冷却水源に接続する。前記下冷却板２４より
基板支持ピン２２を立設し、基板９を上下冷却板と平行
に支持可能とする。
【００２４】而して、処理後の基板９を前記基板支持ピ
ン２２に支持することで、前述した実施例同様、基板９
からの放射熱を効率よく吸収して基板９を冷却する。
ン２２に支持することで、前述した実施例同様、基板９
からの放射熱を効率よく吸収して基板９を冷却する。
【００２５】尚、上冷却板２３、下冷却板２４の材質に
は、前記実施例同様、熱伝導率の高い金属を使用するこ
とは言う迄もない。更に、該他の実施例に於いて上冷却
板２３、下冷却板２４を一体に形成したが、個別に設け
てもよいことは言う迄もない。
は、前記実施例同様、熱伝導率の高い金属を使用するこ
とは言う迄もない。更に、該他の実施例に於いて上冷却
板２３、下冷却板２４を一体に形成したが、個別に設け
てもよいことは言う迄もない。
【００２６】尚、上記実施例では金属板の冷却に水を用
いたが、水以外の流体であっても勿論よい。
いたが、水以外の流体であっても勿論よい。
【００２７】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、冷却ガ
ス等を使用せず真空雰囲気で基板の冷却を行うので、搬
送室と冷却室との間でゲート弁を設ける必要がなく、又
冷却板に密着させないので基板の昇降機構を設ける必要
がなく、構造が著しく簡素化でき、製作コストを低減で
き、更に基板と冷却板が接触しないので基板の汚染を防
止することができる等種々の優れた効果を発揮する。
ス等を使用せず真空雰囲気で基板の冷却を行うので、搬
送室と冷却室との間でゲート弁を設ける必要がなく、又
冷却板に密着させないので基板の昇降機構を設ける必要
がなく、構造が著しく簡素化でき、製作コストを低減で
き、更に基板と冷却板が接触しないので基板の汚染を防
止することができる等種々の優れた効果を発揮する。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図３】半導体製造装置の概略構成を示す説明図であ
る。
る。
【図４】従来例を示す断面図である。
１ 搬送室 ３ 冷却室 ９ 基板 １５ 冷却室容器 １８ 蓋 １９ 輻射吸熱層 ２０ 冷却水路 ２１ 冷却水路 ２２ 基板支持ピン ２３ 上冷却板 ２４ 下冷却板 ２５ 冷却水路 ２６ 冷却水路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ａ
Claims (5)
- 【請求項１】 支持される基板と平行に金属板を設け、
該金属板の前記基板と対峙する面に輻射吸熱層を形成し
たことを特徴とする基板冷却装置。 - 【請求項２】 金属板に冷却路を設け、該冷却路に冷却
流体を流通させた請求項１の基板冷却装置。 - 【請求項３】 金属板が冷却室を形成する天井、底板で
ある請求項１の基板冷却装置。 - 【請求項４】 金属板を冷却室内に更に設けた請求項１
の基板冷却装置。 - 【請求項５】 基板を固定的に立設した基板支持ピンで
支持する請求項１の基板冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3417894A JPH07216550A (ja) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 基板冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3417894A JPH07216550A (ja) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 基板冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07216550A true JPH07216550A (ja) | 1995-08-15 |
Family
ID=12406960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3417894A Pending JPH07216550A (ja) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 基板冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07216550A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001284280A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式熱処理装置 |
| US6954258B2 (en) | 2001-08-20 | 2005-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Positioning apparatus |
| US7239804B2 (en) | 2004-03-23 | 2007-07-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Cooling device, and apparatus and method for manufacturing image display panel using cooling device |
| US7383875B2 (en) | 2003-07-09 | 2008-06-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Heating/cooling method, manufacturing method of image displaying apparatus, heating/cooling apparatus, and heating/cooling processing apparatus |
| US7521268B2 (en) * | 2004-09-14 | 2009-04-21 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Method and apparatus for manufacturing display |
| KR20110095336A (ko) * | 2008-11-14 | 2011-08-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고 방사율 코팅을 갖는 대형 진공 챔버 몸체의 전자 빔 용접 |
| JP2013044044A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-04 | Ihi Corp | アレイアンテナ式のｃｖｄプラズマ装置 |
| JP2013087292A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Ihi Corp | アレイアンテナ式のｃｖｄプラズマ装置 |
| KR101403327B1 (ko) * | 2011-12-30 | 2014-06-09 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 기판 처리장치 및 방법 |
| CN113728422A (zh) * | 2020-03-24 | 2021-11-30 | 株式会社日立高新技术 | 真空处理装置 |
-
1994
- 1994-02-07 JP JP3417894A patent/JPH07216550A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2012508981A (ja) * | 2008-11-14 | 2012-04-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 高放射率コーティング材を有する大型の真空チャンバ本体の電子ビーム溶接 |
| US8915389B2 (en) | 2008-11-14 | 2014-12-23 | Applied Materials, Inc. | Electron beam welding of large vacuum chamber body having a high emissivity coating |
| CN106206386A (zh) * | 2008-11-14 | 2016-12-07 | 应用材料公司 | 具有高发射率涂层的大型真空腔室主体的电子束熔接 |
| JP2013044044A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-04 | Ihi Corp | アレイアンテナ式のｃｖｄプラズマ装置 |
| JP2013087292A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Ihi Corp | アレイアンテナ式のｃｖｄプラズマ装置 |
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| CN113728422A (zh) * | 2020-03-24 | 2021-11-30 | 株式会社日立高新技术 | 真空处理装置 |
| CN113728422B (zh) * | 2020-03-24 | 2024-01-09 | 株式会社日立高新技术 | 真空处理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040420 |