TWI470364B

TWI470364B - 微影裝置及操作裝置之方法

Info

Publication number: TWI470364B
Application number: TW98112350A
Authority: TW
Inventors: Robert Douglas Watso; Dommelen Youri Johannes Laurentius Maria Van; Johannes Henricus Wilhelmus Jacobs; Hans Jansen; Martinus Hendrikus Antonius Leenders; Jeroen Johannes Sophia Maria Mertens; Peter Paul Steijaert; Jong Anthonius Martinus Cornelis Petrus De; De Winkel Jimmy Matheus Wilhelmus Van; Paz Sena Joao Paulo Da; Der Lee Maurice Martinus Johannes Van; Lier Henricus Martinus Dorotheus Van; Gheorghe Tanasa
Original assignee: Asml Netherlands Bv
Priority date: 2008-04-24
Filing date: 2009-04-14
Publication date: 2015-01-21
Also published as: TW200951635A; KR20090112604A; US10175585B2; CN101571677A; US20150055102A1; KR101056172B1; US8823918B2; KR20110073393A; KR101245659B1; NL1036709A1; CN101571677B; US20090284715A1; JP5102247B2; JP2009267404A

Description

微影裝置及操作裝置之方法

本發明係關於一種浸沒微影裝置及一種操作浸沒微影裝置之方法。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。

已提議將微影投影裝置中之基板浸沒於具有相對較高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。在一實施例中，液體為蒸餾水，但可使用另一液體。將參考液體而描述本發明之一實施例。然而，另一流體可為適當的，尤其為潤濕流體、不可壓縮流體及/或具有高於空氣之折射率(理想地為高於水之折射率)之流體。排除氣體之流體為尤其理想的。因為曝光輻射在液體中將具有較短波長，所以此情形之要點係使能夠進行較小特徵之成像。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加焦點深度。)已提議其他浸沒液體，包括在內部懸浮有固體微粒(例如，石英)之水，或具有奈米微粒懸浮液(例如，具有高達10nm之最大尺寸之微粒)之液體。懸浮微粒可能具有或可能不具有與在內部懸浮有該等懸浮微粒之液體類似或相同的折射率。可能適當的其他液體包括烴，諸如，芳族烴、氟代烴及/或水溶液。

將基板或基板及基板台浸漬於液體浴中(例如，見美國專利第US 4,509,852號)意謂在掃描曝光期間存在必須被加速之大量液體。此需要額外或更強大之馬達，且液體中之紊流可導致不良且不可預測之效應。

所提議之配置中之一者係使液體供應系統使用液體限制系統而僅在基板之區域化區域上及在投影系統之最終元件與基板之間提供液體(基板通常具有比投影系統之最終元件大的表面區域)。已提議針對此進行配置之一方式係揭示於PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中。如圖2及圖3所說明，液體係藉由至少一入口IN而供應至基板上(較佳地沿著基板相對於最終元件之移動方向)。液體在投影系統下穿過之後係藉由至少一出口OUT而移除。亦即，隨著在-X方向上於元件下方掃描基板，在元件之+X側處供應液體且在-X側處吸取液體。圖2示意性地展示液體係經由入口IN而被供應且在元件之另一側上係藉由連接至低壓源之出口OUT而被吸取的配置。在圖2之說明中，沿著基板相對於最終元件之移動方向供應液體，但並非需要為此狀況。圍繞最終元件所定位之入口及出口之各種定向及數目為可能的，圖3中說明一實例，其中圍繞最終元件以規則圖案而提供在任一側上入口與出口之四個集合。

圖4中展示具有區域化液體供應系統之另一浸沒微影解決方案。液體係藉由在投影系統PL之任一側上之兩個凹槽入口IN而供應，且係藉由自入口IN徑向地向外所配置之複數個離散出口OUT而移除。可在中心具有孔之板中配置入口IN及OUT，且投影光束係經由該孔而投影。液體係藉由在投影系統PL之一側上之一個凹槽入口IN而供應，且係藉由在投影系統PL之另一側上之複數個離散出口OUT而移除，從而導致液體薄膜在投影系統PL與基板W之間流動。對將使用入口IN與出口OUT之哪一組合的選擇可視基板W之移動方向而定(入口IN與出口OUT之其他組合為無效的)。

已提議之另一配置係提供具有液體限制部件之液體供應系統，液體限制部件沿著投影系統之最終元件與基板台之間的空間之邊界的至少一部分延伸。圖5中說明此配置。液體限制部件相對於投影系統在XY平面中大體上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在液體限制部件與基板之表面之間形成密封件。在一實施例中，密封件係形成於液體限制結構與基板之表面之間，且可能為諸如氣體密封件之無接觸密封件。全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。

在全文各自以引用之方式併入的歐洲專利申請公開案第EP 1420300號及美國專利申請公開案第US 2004-0136494號中，揭示複式平台或雙平台浸沒微影裝置之觀念。此裝置具備用於支撐基板之兩個台。在無浸沒液體之情況下藉由第一位置處之台而進行調平量測，且在存在浸沒液體之情況下藉由第二位置處之台而進行曝光。或者，裝置僅具有一個台。

PCT專利申請公開案第WO 2005/064405號揭示一種全濕配置，其中浸沒液體未經限制。在此系統中，基板之整個頂部表面係覆蓋於液體中。此可為有利的，因為基板之整個頂部表面接著曝露於大體上相同條件。此具有用於基板之溫度控制及處理的優點。在WO 2005/064405中，液體供應系統將液體提供至投影系統之最終元件與基板之間的間隙。允許該液體洩漏於基板之剩餘部分上。基板台之邊緣處的障壁防止液體逃逸，使得其可以受控方式而自基板台之頂部表面移除。儘管此系統改良基板之溫度控制及處理，但仍可能發生浸沒液體之蒸發。幫助減輕該問題之一方式係描述於美國專利申請公開案第US 2006/0119809號中。提供一部件，其在所有位置中覆蓋基板W且經配置以具有在其與基板及/或固持基板之基板台之頂部表面之間延伸的浸沒液體。

浸沒微影機器所遇到之一問題為污染微粒在浸沒系統內及在基板之表面上發生。浸沒系統中微粒之存在可導致在曝光過程期間發生缺陷，例如，在微粒存在於投影系統與經曝光之基板之間的情況下。污染物可有害地影響(例如)流體限制系統之效能。因此，需要減少浸沒系統中微粒之存在。因此，需要浸沒微影術中之清潔系統。清潔可由於某些清潔流體與透鏡及其他光學塗層之不相容性而有問題。

基板台上液體之存在將導致熱偏差。若此熱偏差規則地發生(例如，基板台上之浸沒系統之相同路徑發生)，則可對此進行預期及/或補償。然而，導致液體供應系統在特定位置花費比通常多之時間(例如，在清潔期間或當等待準備下一基板時)的異常事件可導致基板台之不規則熱膨脹/收縮效應。此等不規則膨脹/收縮熱收縮效應可導致成像缺陷，尤其導致疊置誤差。

需要提供一種用於清潔浸沒微影裝置之一部分的系統。此外，需要提供一種減少或最小化歸因於液體供應系統在特定位置處相對於基板台之延長定位而引入之誤差的方式。

根據本發明之一態樣，提供一種浸沒微影裝置，其包含：入口，其用於將清潔流體引入至空間中，待清潔表面至少部分地界定空間；及液體密封件，其用於在空間之至少一部分周圍進行密封以阻止環繞空間之流體進入空間。

根據本發明之一態樣，提供一種浸沒微影裝置，其包含：基板台，其用於支撐基板；流體處置結構，其用於將液體提供至投影系統與基板及/或基板台之間的空間，其中基板台包含頂部表面之與基板台之剩餘部分熱隔絕之熱隔絕區域，熱隔絕區域係緊鄰於基板台之邊緣，該邊緣在基板台自投影系統下之移動期間在流體處置結構下穿過。

根據本發明之一態樣，提供一種浸沒微影裝置，其包含：流體處置結構，其用於將液體提供至投影系統與基板及/或基板台之間的空間；清潔台，其包含表面；入口，其用於在流體處置結構與表面之間提供清潔流體；及密封件，其係自入口徑向地向內，其用於在流體處置結構與表面之間進行密封以阻止清潔流體傳遞至投影系統。

根據本發明之一態樣，提供一種用於浸沒微影裝置之清潔台，浸沒微影裝置包含用於將液體提供至投影系統與基板及/或基板台之間的空間的流體處置結構，清潔台包含：表面；入口，其用於在流體處置結構與表面之間提供清潔流體；及密封件，其係自入口徑向地向內，其用於在流體處置結構與表面之間進行密封以阻止清潔流體傳遞至投影系統。

根據本發明之一態樣，提供一種使用浸沒微影裝置之器件製造方法，方法包含：經由入口而將清潔流體引入至空間中，空間係至少部分地由待清潔表面界定；及在空間之至少一部分周圍密封液體密封件以阻止環繞空間之流體進入空間。

根據本發明之一態樣，提供一種器件製造方法，方法包含：將基板支撐於包含熱隔絕區域之基板台上；自流體處置結構向投影系統與基板及/或基板台之間的空間提供液體，熱隔絕區域為頂部表面之與基板台之剩餘部分熱隔絕的部分；及在基板台自投影系統下之移動期間使熱隔絕區域在流體處置結構下穿過，其中熱隔絕區域係緊鄰於基板台之邊緣而定位。

根據本發明之一態樣，提供一種使用浸沒微影裝置之器件製造方法，方法包含：自流體處置結構向投影系統與基板及/或基板台之間的空間提供液體；自入口向流體處置結構與清潔台之表面之間提供清潔流體；及使用自入口徑向地向內所置放之密封件而在流體處置結構與表面之間進行密封，以阻止清潔流體傳遞至投影系統。

現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，相應參考符號指示相應部分。

圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。裝置包含：

-照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；

-支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至第一定位器PM，第一定位器PM經組態以根據某些參數而準確地定位圖案化器件；

-基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至第二定位器PW，第二定位器PW經組態以根據某些參數而準確地定位基板；及

-投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。

照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。

支撐結構MT固持圖案化器件。支撐結構MT以視圖案化器件之定向、微影裝置之設計及諸如圖案化器件是否固持於真空環境中之其他條件而定的方式來固持圖案化器件。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構MT可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語「主光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。

本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可能不精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。

圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在由鏡面矩陣所反射之輻射光束中賦予圖案。

本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統。投影係統之類型可包括：折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合。投影系統之選擇或組合係適於所使用之曝光輻射或諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文中術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。

如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。

微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上圖案化器件台)的類型。在此等「多平台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。

參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為獨立實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束係借助於包含(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱為輻射系統。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常，可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱為σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且由圖案化器件圖案化。在橫穿圖案化器件MA後，輻射光束B穿過投影系統PS。投影系統將光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，例如，在自光罩庫以機械方式擷取之後或在掃描期間，可使用第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)以相對於輻射光束B之路徑而準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可借助於形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗定位)及短衝程模組(精定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA與基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在圖案化器件MA上提供一個以上晶粒的情況下，圖案化器件對準標記可位於晶粒之間。

所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單重靜態曝光)。接著使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單重靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。

在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單重動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單重動態曝光中目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。

在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。可易於將此操作模式應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。

亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。

用於在投影系統PS之最終元件與基板之間提供液體的配置為所謂的區域化浸沒系統。在此系統中，使用液體處置系統，其中液體係僅提供至基板之區域化區域。由液體所填充之空間在平面圖中小於基板之頂部表面，且在基板W在填充有液體之區域下方移動時，該區域相對於投影系統PS保持大體上靜止。圖2至圖5中說明四種不同類型之區域化液體供應系統。上文描述圖2至圖4所揭示之液體供應系統。

圖5示意性地描繪具有障壁部件12之區域化液體供應系統。障壁部件沿著投影系統之最終元件與基板台WT或基板W之間的空間之邊界的至少一部分延伸。(請注意，在以下本文中對基板W之表面的參考另外或在替代例中亦指代基板台之表面，除非另有明確敍述。)障壁部件12相對於投影系統在XY平面中大體上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在一實施例中，密封件係形成於障壁部件與基板W之表面之間，且可能為諸如流體密封件(理想地為氣體密封件)之無接觸密封件。

障壁部件12至少部分地使液體包含於投影系統PL之最終元件與基板W之間的空間11中。至基板W之無接觸密封件16可圍繞投影系統之影像場而形成，使得液體限制於基板W之表面與投影系統PL之最終元件之間的空間內。空間係至少部分地由定位於投影系統PL之最終元件下方且環繞投影系統PL之最終元件的障壁部件12形成。藉由液體入口13而將液體帶入投影系統下方之空間中及障壁部件12內。液體可藉由液體出口13而移除。障壁部件12可延伸至略微高於投影系統之最終元件。液體位準上升至高於最終元件，使得提供液體緩衝。在一實施例中，障壁部件12具有在上部末端處緊密地符合投影系統或其最終元件之形狀且可(例如)為圓形的內部周邊。在底部處，內部周邊緊密地符合影像場之形狀(例如，矩形)，但並非需要為此狀況。

在一實施例中，液體係藉由氣體密封件16而包含於空間11中，氣體密封件16在使用期間形成於障壁部件12之底部與基板W之表面之間。氣體密封件係由氣體形成，例如空氣或合成空氣，但在一實施例中為N₂ 或另一惰性氣體。氣體密封件中之氣體係在壓力下經由入口15而提供至障壁部件12與基板W之間的間隙。氣體係經由出口14而被提取。氣體入口15上之過壓力、出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置成使得存在限制液體之向內高速氣體流動16。氣體對障壁部件12與基板W之間的液體的力使液體包含於空間11中。入口/出口可為環繞空間11之環形凹槽。環形凹槽可為連續或不連續的。氣體流動16對於使液體包含於空間11中為有效的。此系統係揭示於美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中。

其他配置係可能的，且自以下描述將清楚看出，本發明之一實施例可使用任何類型之區域化液體供應系統作為液體供應系統。

一或多個區域化液體供應系統在液體供應系統之一部分與基板W之間進行密封。密封件可由液體供應系統之該部分與基板W之間的液體彎液面界定。液體供應系統之該部分與基板W的相對移動可能導致密封件(例如，彎液面)之破裂，且藉此導致液體洩漏。該問題在高掃描速度下可能更顯著。增加之掃描速度為理想的，因為產量增加。

圖6說明作為液體供應系統之一部分的障壁部件12。障壁部件12圍繞投影系統PS之最終元件之周邊(例如，圓周)而延伸，使得障壁部件(其有時被稱為密封部件)在總體形狀上為(例如)大體上環形。投影系統PS可能不為圓形，且障壁部件12之外部邊緣亦可能不為圓形，使得障壁部件不必為環狀。障壁亦可為其他形狀，只要其具有投影光束可自投影系統PS之最終元件傳出所穿過的開口即可。開口可經中心定位。因此，在曝光期間，投影光束可穿過障壁部件之開口中所含有之液體且傳遞至基板W上。障壁部件12可能為(例如)大體上矩形，且可能未必為與處於障壁部件12之高度的投影系統PS之最終部件相同的形狀。

障壁部件12之功能至少部分地係將液體維持或限制於投影系統PS與基板W之間的空間中，使得投影光束可穿過液體。由於存在障壁部件12而簡單地含有液體頂部位準。維持空間中之液體位準，使得液體不會溢出障壁部件12之頂部。

浸沒液體係藉由障壁部件12而提供至空間11(因此，障壁部件可被視為流體處置結構)。用於浸沒液體之通路或流動路徑穿過障壁部件12。流動路徑之一部分係由腔室26構成。腔室26具有兩個側壁28、22。液體穿過第一側壁28而進入腔室26，且接著穿過第二側壁22而進入空間11。複數個出口20將液體提供至空間11。液體在進入空間11之前穿過分別在板28、22中之通孔29、20。通孔20、29之位置可為隨機的。

密封件係提供於障壁部件12之底部與基板W之間(此特徵指示障壁部件可為流體處置結構)。在圖6中，密封器件經組態以提供無接觸密封件且係由若干組件組成。自投影系統PS之光軸徑向地向外，提供(可選)流動板50，其延伸至空間中(但不延伸至投影光束之路徑中)，此幫助維持浸沒液體跨越空間而大體上平行地流出出口20。流動控制板在其中具有通孔55以降低對在障壁部件12之光軸之方向上相對於投影系統PS及/或基板W之移動的阻抗。

自障壁部件12之底部表面上之流動控制板50徑向地向外的可為入口180。入口180可在朝向基板之方向上提供液體。在成像期間，此可有用於藉由以液體來填充基板W與基板台WT之間的間隙而防止浸沒液體中之氣泡形成。

自入口180徑向地向外的可為提取器總成70，其用以自障壁部件12與基板W及/或基板台WT之間提取液體。提取器70將在下文進行更詳細地描述且形成在障壁部件12與基板W之間所形成之無接觸密封件的一部分。提取器可作為單相提取器或作為雙相提取器而操作。

自提取器總成70徑向地向外的可為凹座80。凹座係經由入口82而連接至氣氛。凹座係經由出口84而連接至低壓源。入口82可相對於出口84徑向地向外定位。自凹座80徑向地向外的可為氣體刀90。提取器、凹座及氣體刀之配置係詳細地揭示於美國專利申請公開案第US 2006/0158627號中。然而，在該文獻中，提取器總成之配置不同。

提取器總成70包含液體移除器件或提取器或出口，諸如，美國專利申請公開案第US 2006-0038968號中所揭示之液體移除器件或提取器或出口，該專利申請公開案之全部內容係以引用之方式併入本文中。可使用任何類型之液體提取器。在一實施例中，液體移除器件70包含被覆蓋於多孔材料110中之入口，多孔材料110用以將液體與氣體分離以使能夠進行單液相液體提取。將多孔材料110下游之腔室120維持於稍微負壓下，且以液體來填充腔室120。腔室120中之負壓係使得多孔材料中之孔中所形成的彎液面防止將周圍氣體牽引至液體移除器件70之腔室120中。然而，當多孔表面110與液體進行接觸時，不存在彎液面以限制流動且液體可自由地流動至液體移除器件70之腔室120中。多孔表面110沿著障壁部件12(以及在空間周圍)徑向地向內延伸。經由多孔表面110之提取速率根據多孔材料110有多少被液體覆蓋而變化。

多孔材料110具有大量小孔，每一小孔具有一尺寸(例如，寬度)，諸如，在5至50μm之範圍內的直徑d_hole 。多孔材料可維持於液體待移除之表面(例如，基板W之表面)上方50至300μm之範圍內的高度。在一實施例中，多孔材料110對浸沒液體(例如，水)為至少稍微親水性的，亦即，具有小於90°、理想地小於85°或理想地小於80°之接觸角。

可能並不始終有可能防止氣體被牽引至液體移除器件中，但多孔材料110將防止可導致振動之較大不均勻流動。藉由電鑄、光蝕刻及/或雷射切割而製成之微篩可用作多孔材料110。適當的篩係由Netherlands之Eerbeek的Stork Veco B.V.製造。亦可使用其他多孔板或多孔材料固體區塊，其限制條件為：微孔尺寸適合於維持具有將在使用中經歷之壓差的彎液面。

在基板W之掃描期間(在此期間，基板在障壁部件12及投影系統PS下移動)，可藉由移動基板所施加之拖曳力而將在基板W與障壁部件12之間延伸的彎液面115牽引朝向或遠離光軸。此可導致液體損失，其可導致：液體之蒸發、基板之冷卻，及繼起之收縮及如上文所描述之疊置誤差。又或或者，可由於液體小液滴與抗蝕劑光化學之間的相互作用而留下液體污點。

雖然圖6中未特定地說明，但液體供應系統具有用以處理液體位準之變化的配置。此係使得在投影系統PS與障壁部件12之間積累之液體可經處理且不會溢出。此液體積累可能在下文所描述之障壁部件12相對於投影系統PS之相對移動期間發生。處理此液體之一方式係提供障壁部件12，使得其極大，使得在障壁部件12相對於投影系統PS之移動期間在障壁部件12之周邊(例如，圓周)上幾乎無任何壓力梯度。在一替代或額外配置中，可使用(例如)諸如類似於提取器70之單相提取器的提取器而自障壁部件12之頂部移除液體。一替代或額外特徵為疏液性或疏水性塗層。塗層可形成在環繞開口之障壁部件12之頂部周圍及/或在投影系統PS之最後光學元件周圍的帶狀物。塗層可自投影系統之光軸徑向地向外。疏液性或疏水性塗層幫助保持空間中之浸沒液體。

在(例如)提供兩個基板台或平台(其中每一者載運一基板)之裝置中，在自投影系統下方之一基板台至投影系統下方之另一基板台的調換期間存在困難。此係因為：若在調換台之前移除來自液體供應系統之液體，則乾燥污點可出現於投影系統之最終元件上。已提議之對此問題之可能解決方案係提供擋板部件，諸如，虛設基板，其在基板台之調換期間可定位於投影系統下。以此方式，液體供應系統可在基板調換期間保持接通且無乾燥污點可形成。此虛設基板係描述於(例如)歐洲專利申請公開案第EP-1,420,299號中。在另一形式之擋板部件中，使第二基板台接近於第一基板台。兩個基板台係在投影系統下同時移動。若兩個基板台之間的間隙較小(或在其下方至少具有排洩口)，則液體損失應最小。在某些情況下，基板台WT使其頂部表面延伸一突起，該突起可旋轉或可縮回，如以吊橋之形式。此配置係揭示於美國專利申請公開案第US 2007-0216881號中。在此形式之擋板部件之變化中，第二台不為第二基板台，但其表面在基板調換期間充當擋板部件。此台可用於量測且可被稱為量測台。當基板可用於(例如)曝光時，第一或第二基板台係在投影系統下返回移動。應瞭解，擋板部件可另外或在替代例中用於單一基板台裝置中，以便在(例如)基板台上之基板調換期間保持投影系統PS與液體接觸。

諸如圖5及圖6之液體處置系統的液體處置系統之困難在於：浸沒系統(尤其為障壁部件12之下側)可變得受污染。此可導致浸沒液體與多孔部件110之表面的表面接觸角之改變(增加)及/或多孔部件110之孔的阻塞。多孔部件之自親液性至疏液性性質之改變可導致提取器70之效能損失。舉例而言，可能提取比通常情況多之氣體。若提取器70之效能降低，則液體可能自空間11洩漏且留在基板表面上。此為不良的。另外或或者，污染物可能留在基板W之頂部表面或基板台WT之頂部表面上。此亦為不良的，因為此污染物可進入浸沒液體。下文描述可清潔此類型之污染物的若干方式。

微粒污染物可包括薄層、小球及/或長絲。通常，此微粒污染物為光阻及/或面塗層材料。

可在浸沒罩或液體限制系統或液體供應系統中如何使用單相提取器之另外實例可(例如)在歐洲專利申請公開案第EP 1,628,163號及美國專利申請公開案第US 2006-0158627號中被找到。在大多數應用中，多孔部件將在液體供應系統之下側上，且基板W可在投影系統PS下移動之最大速度係至少部分地由液體經由多孔部件110之移除效率判定。

單相提取器亦可用於兩相模式中，其中提取液體及氣體兩者(例如，50%氣體、50%液體)。術語單相提取器在本文中不意欲僅被解釋為提取一相之提取器，而更一般化地被解釋為併有提取氣體及/或液體所穿過之多孔部件的提取器。在一實施例中，可能不存在氣體刀(亦即，氣體供應環33)。

上文所提及之單相提取器可用於液體供應系統中，液體供應系統將液體僅供應至基板之頂部表面的區域化區域。此外，此提取器可用於其他類型之浸沒裝置中。提取器可用於除了水以外之浸沒液體。提取器可用於所謂的「洩漏密封」液體供應系統中。在此液體供應系統中，將液體提供至投影系統之最終元件與基板之間的空間。允許該液體自該空間徑向地向外洩漏。舉例而言，視狀況而定，使用浸沒罩或液體限制系統或液體供應系統，其在其自身與基板或基板台之頂部表面之間不形成密封件。浸沒液體僅可在「洩漏密封」裝置中自基板徑向地向外被擷取。關於單相提取器而進行之註釋可應用於其他類型之提取器，例如，不具有多孔部件之提取器。此提取器可用作用於提取液體及氣體兩者之兩相提取器。

下文將關於經最佳化以用於供應浸沒液體之浸沒系統而描述本發明之一實施例。然而，本發明之一實施例同等地可應用於使用供應除了液體以外之流體作為浸沒媒介之流體供應系統的浸沒系統。

本發明之一實施例係尤其針對在線清潔。亦即，在微影投影裝置中進行清潔。理想地，可在兩個基板之成像之間或在第一批基板與第二批基板之成像之間進行清潔。此比需要離線執行清潔之情況更具時間效率。然而，本發明之一實施例可應用於離線配置中。

在線清潔之困難在於：適於清潔一組件之溶劑可能損壞另一組件。舉例而言，適於清潔液體處置系統之下側及尤其為提取器70的溶劑可能對投影系統PS有害。舉例而言，丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)尤其適於自提取器清潔有機物質。然而，可應用於投影系統PS以便使投影系統與浸沒液體相容之側密封件及塗層可對與PGMEA之接觸敏感。

圖7a至圖7c中說明本發明之第一實施例。提供清潔台200。清潔台包含表面205。在一實施例中，表面205形成於主表面中之凹座210中。主表面可為基板台WT之頂部表面。在凹座210中提供表面205為有利的，因為清潔流體溢出至另一組件上之風險降低。

表面205具備用於將清潔流體提供至待清潔表面之入口220。在一實施例中，待清潔表面為液體處置系統之障壁部件12之下側的一部分，如圖7c所說明。因此，入口220在液體處置系統與表面205之間提供清潔流體。凹座經成形以接納障壁部件12之下表面。在使用中，障壁部件12係配置於投影系統PS之光軸周圍。因此，清潔台200之以下描述係相對於投影系統PS之光軸而進行描述。然而，清潔台可經另外組態及建構以清潔不同成形組件之表面，該組件可能未經徑向地配置。

密封件230係相對於光軸而自入口220徑向地向內定位。密封件230係用於在表面205與待清潔表面(例如，障壁部件12)之間自入口220徑向地向內密封。密封件230在障壁部件12之底部表面之內部邊緣與提取器70之間進行密封。密封件230藉此防止清潔流體徑向地向內洩漏經過密封件230。如圖7c中可見，此意謂防止清潔流體到達投影系統PS。

在表面205中自入口220徑向地向外界定出口240。出口240係在表面205中用於自表面205移除清潔流體。因此，將存在清潔流體自入口220至出口240之徑向向外流動。此係理想地使得清潔液體流動遠離投影系統PS。視需要，可存在自出口240徑向地向外之另一密封件。該另一密封件將類似於密封件230。

密封件230可呈環之形式，諸如，環形環或O形環。或者或另外，密封件230可呈自表面205之突出物的形式。在後者狀況下，可能需要在待清潔表面(例如，障壁部件12)之下表面上提供一特徵以抵靠突出物而形成密封件。舉例而言，突出物可抵靠障壁部件12之負壓源之出口。負壓源之出口可為已經存在於障壁部件12之底部表面上的組件或可為僅為此目的而提供之埠。

如圖7a(其為圖7b之橫截面圖之平面圖)中可見，入口220、出口240及密封件230均為環形且尤其為圓形。其他形狀可為可能的。形狀係使得其可在平面圖中匹配於待清潔表面(例如，液體處置系統)之形狀。

若圖6之液體處置系統係由圖7之實施例清潔，則密封件230將自多孔部件110徑向地向內鄰接抵靠障壁部件12之下側。舉例而言，密封件230可自通孔55徑向地向外鄰接至流動控制板50上。

如圖7b中最清楚地所說明，自密封件230徑向地向內提供另一入口250。另一入口250可將流體提供至由投影系統PS所界限之空間。流體可在過壓力下被提供。過壓力可幫助維持密封件230之完整性。第二入口250可(例如)將氣體提供至投影系統PS下方之空間中。

雖然圖7a至圖7c中之入口及出口經說明為連續的，但未必為此狀況。每一入口及出口可為連續或不連續的，例如，呈複數個離散入口/出口之形式。不連續配置可使得入口或出口在平面圖中匹配於待清潔表面(例如，液體處置系統)之特徵的形狀。

應瞭解，若清潔台200係提供於凹座210中，則可能需要在Z方向(投影系統PS之光軸之方向)上之某移動，以便嚙合待清潔表面(例如，液體處置系統)之底部與密封件230。在Z方向上之此移動可藉由向上移動基板台WT或藉由向下移動待清潔表面(例如，障壁部件12)而完成。在一實施例中，密封件230之頂部表面係與台WT之頂部表面齊平或低於該頂部表面。此可幫助防止意外碰撞。

可提供控制器或軟體以用於在清潔期間控制裝置。舉例而言，控制器或軟體可處理在Z方向上之移動且控制經由表面205中之入口及出口的流體流動。

應瞭解，有可能使入口220、250及出口240中之某些或全部定位於待清潔表面(例如，液體處置系統)自身中而非表面205中。在該狀況下，入口及出口可(例如)在成像期間具有其他功能。或者或另外，入口或出口可僅在清潔期間操作。

圖8a及圖8b說明另外實施例，其除了下文所描述之外與圖7之實施例相同。應瞭解，為了使用圖7之清潔台200，基板台WT應在投影系統PS下靜止。此在裝置之產量整體上降低方面可為有害的。如上文所描述，在基板調換期間，可移動擋板部件(諸如，虛設基板)有時附接至液體處置系統之底部，以便可跨越空間11而維持流體流動，藉此避免投影系統PS之最終元件上的乾燥污點。在圖8a及圖8b之實施例中，已修改虛設基板300，以便允許清潔液體處置系統之下側(及尤其為提取體70之多孔部件110)。此可在(例如)藉由將第一基板台與投影系統PS下之第二基板台調換而交換基板時在基板調換期間發生。在另一實施例中，在一基板係由另一基板替換時，擋板部件可固持於投影系統下方。

如圖8a中可見，在基板調換期間虛設基板300照常附接至液體處置系統或障壁部件12。此可藉由(例如)使用電磁學之附接機構或更通常地藉由在虛設基板300與障壁部件12之底部之間形成負壓而進行。此可藉由關閉氣體刀90且向出口84施加負壓而進行。可使用將虛設基板300附接至障壁部件之下側的任何其他構件。

在虛設基板300上提供兩個密封件310、320。此等密封件密封多孔部件110之任一側。接著可將清潔流體引入於多孔部件110、密封件310、320與虛設基板300之間的間隙中。密封件310、320可提供於障壁部件12之下表面上之另一特徵80、90的任一側。可提供密封件，使得可引入清潔流體之間隙部分地由障壁部件12之定位有兩個或兩個以上特徵70、80、110之下表面界定。障壁部件12之大體上整個下表面可界定間隙之表面。

可(例如)經由障壁部件12之底部表面中之入口180而引入清潔流體。在此狀況下，內部密封件310將需要自該入口180徑向地向內定位。入口180可經提供以僅用於在清潔操作期間使用。或者，可經由虛設基板300中之入口而提供清潔流體。

因此，清潔流體流動經提供成流出入口180、進入液體處置系統與虛設基板W之間的由密封件310、310所界限之空間，且經由多孔部件110而流出。以此方式，可清潔多孔部件110之底部表面。有利地，此清潔可在(例如)第一基板台與投影系統下之第二基板台調換時發生。藉由清潔操作而引入之任何熱負載可隔絕於虛設基板300而非基板台。若虛設基板300係安裝於基板台WT之熱隔絕島或區域上，則此為有利的，因為其可防止在虛設基板300置放回於基板台WT上之後將熱負載施加至基板台WT。將參見圖11而更詳細地描述熱隔絕島之實施例。

在圖8a之實施例中，將兩個密封件310、320說明為O形環型密封件。然而，不同類型之密封件可為可能的。在圖8b之實施例中，在基板300上提供突出物340、350，且此等突出物充當密封件。

圖8b之實施例以與圖8a之實施例相同之方式而工作。差異在於：圖8a之應用於虛設基板300之密封件310、320係由圖8b實施例中之虛設基板300之表面輪廓的變化替換。如同圖8a實施例，可經由虛設基板300中之入口而提供清潔流體。突出物340、350可相對於障壁部件12而定位，使得障壁部件之特徵80、90、110中之一或多者或障壁部件12之整個下表面可位於障壁部件12之下表面之界定間隙的部分中。一或多個特徵80、90、110可位於障壁部件12上之突出物340、350之間。

如自圖8b可見，多孔部件110與虛設基板300之頂部表面之間的間隙大於液體處置系統之底部表面與虛設基板300之自密封件350徑向地向外之頂部表面之間的間隙。舉例而言，第一間隙可為大約500至50μm，理想地為150μm，而第二間隙可為大約20μm或更小。此經進行以使得在清潔期間存在用於多孔部件110下之較大流體流動之空間。舉例而言，每分鐘約0.1與1公升之間的流體流動係可能的。另一方面，在凹座80下具有小間隙意謂可向出口84施加比否則將為必要之負壓小的負壓，以便抵靠液體處置系統而固持虛設基板300。

在圖8a及圖8b之兩種狀況下，密封件310、320、340、350可為大約1mm寬。

當然，應瞭解，圖8a及圖8b之虛設基板300可實際上形成於基板台WT上且藉此不可自基板台WT移除，如同虛設基板之狀況。在該狀況下，清潔機構將以相同方式而工作。然而，可能不必以相同方式來控制氣體刀90及凹座80，因為液體處置系統與虛設基板300之間的吸引力可能不再為必要的。尤其在此實施例中，可經由定位於兩個密封件310、320、340、350之間的基板台WT中之入口而提供清潔流體。如同圖7之實施例，可提供控制器或軟體以利用上文所描述之方式來操作清潔台。

在圖8a及圖8b之實施例中，若所使用之清潔流體對投影系統PS無害，則可能不存在徑向最內密封件310、340。在該狀況下，可經由孔20而非入口180而提供清潔流體。應瞭解，在此配置中，入口180可能不存在於液體處置系統中。此對於清潔浸沒系統之其他部分可能為理想的，例如，障壁部件12之徑向向內引導表面及投影系統PS之最終光學元件之表面。

在兩個實施例中，有可能在與執行清潔的同時經由入口20而提供浸沒液體。因此，可保持虛設基板300在基板調換期間維持投影系統之最終元件潤濕的功能。

如同圖7之實施例，有可能在自內部密封件310、340徑向地向內與徑向地向外之位置之間提供小壓力差，以改良該密封件之效能。此可(例如)藉由與投影系統PS下方之區域相比將密封件310與320之間的區域置於負壓下而達成。或者或另外，過壓力可產生於投影系統PS下之區域中。此可(例如)藉由在障壁部件12與投影系統PS之間使用彈性部件而達成，如2007年11月28日申請之美國專利申請案第US 60/996,654號中所描述。在所有上述實施例中，藉由使用閥來控制清潔流體流動。若入口用作雙重目的，則可存在切換閥。

圖7及圖8之實施例可用於任何清潔流體。清潔流體包括超純水、肥皂、清潔溶劑及/或濃度至少大於0.1%之試劑(諸如，PGMEA)。PGMEA係理想地以約100%之濃度而被使用。若PGMEA與水混合，則此可能不良地導致發泡。在清潔之後，可能必須沖洗以移除清潔試劑。舉例而言，可能必須進行沖洗，直至存在小於十億分之一的濃度的清潔試劑為止。典型肥皂可為由Tokyo Ohka Koyo Co.,Ltd.所製造之TLDK-A001或TLDK-A001-C4。儘管此溶劑可傾向於發泡，但其與投影系統PS上所使用之疏液性(例如，疏水性)塗層相容。清潔流體可為肥皂與溶劑之混合物。

圖9說明清潔台400，其經設計以用於否則將遭受發泡之清潔溶劑。PGMEA為可遭受發泡困難之有機溶劑。發泡困難傾向於在清潔溶劑與流體(尤其為氣體)之間的界面處發生。因此，在圖9之實施例中，提供入口410以將清潔溶劑提供至空間411。為了密封空間411以免與周圍流體接觸，提供液體密封件420以圍繞空間411之至少一部分而進行密封。周圍流體可為液體及/或氣體，尤其為氣體氣氛。以此方式，避免空間411中之清潔流體與環繞待清潔表面之氣體的接觸。密封件420可延伸跨越100與250μm之間的間隙。

圖9之實施例說明清潔台400可如何清潔基板台WT之頂部表面。以下描述為徑向組態。然而，此意欲促進描述簡易性且不意欲為限制性的。該描述可應用於任何類型之以與所描述之方式類似之方式而操作的清潔台配置，而無論其是否具有徑向組態。

提供部件402，其可相對於基板台WT之表面而移動，使得可清潔基板台WT之全部頂部表面。該部件具備入口410，入口410向部件402與基板台WT之間的空間411提供液體。出口412係提供於空間411之另一側上以自空間411移除清潔流體。因此，可達成自入口410至出口412之清潔流體流動。自入口及出口徑向地向外的為液體密封件420。液體密封件包含入口422及出口424。出口424可相對於空間411而自入口422徑向地向外定位。然而，可交換出口424與入口422之徑向位置。產生自入口422至出口424之液體流動。舉例而言，液體可為超純水。以此方式，清潔流體與液體密封件420之液體接觸，但不與來自周圍氣體氣氛之任何氣體接觸。藉此可避免發泡。此外，來自密封件420之液體幫助熱調節表面以幫助在清潔期間維持表面之大體上恆定溫度。

如圖9所說明，加速器450可提供於空間411中或在空間411中可操作以輔助清潔。加速器450可為攪動構件。攪動構件可為攪動空間411中之清潔流體的任何器件或系統。攪動構件可包括(但不限於)磁性攪拌器。加速器450可包括(但不限於)加熱器、電磁輻射源(例如，UV輻射，理想地來自185nm汞燈)或音波換能器(例如，超音波或超高頻音波換能器)。可存在此等加速器之組合。上文所提及之類型之加速器可存在於任何實施例中。

向液體密封件420提供超純水之優點在於：可避免基板台WT之頂部表面上的乾燥污點。此係因為超純水流動有效地移除清潔溶劑。藉由保持清潔溶劑遠離液體密封件420之液體與氣氛之周圍氣體之間的彎液面，彎液面之表面張力將保持大體上恆定，使得可避免彎液面不穩定性。自入口422向外具有出口424可幫助防止夾帶於液體密封件中之清潔流體到達液體密封件420之徑向向外彎液面。彎液面不穩定性可能不良地導致液體損失。

儘管已將此實施例說明為提供部件420以清潔基板台之頂部表面，但相同原理可用以清潔另一表面。可在基板台WT中提供一或兩個入口410、422及/或一或兩個出口412、424。此將為適當的，以便(例如)以類似於圖7所說明之方式的方式而清潔液體處置系統之下表面。另外，可在液體處置系統自身中提供入口及出口，使得障壁部件12充當清潔台400。任何此等實施例均使用液體密封件來至少圍繞清潔流體經引入至之空間的一部分而進行密封。以此方式，阻止環繞空間之氣體進入空間且可減少發泡之發生。

可使用清潔台400進行清潔(或可使用任何其他所描述實施例之原理進行清潔)之其他表面為基板台WT上之組件。此等可包括感測器610(圖12所說明)中之任一者及任何密封件(例如，基板台WT之頂部表面與安裝於基板台WT上之物件(例如，諸如圖11所說明之蓋罩530)之間的密封件)。此等特徵可收集諸如抗蝕劑及面塗層片狀物之碎片。

圖10說明可由清潔台400清潔之三個另外特定特徵。此等為第一排洩口10及第二排洩口17以及基板支撐區域30。經由使用，可見此等特徵之表面改變與浸沒流體之接觸角，從而使其效能降級。清潔此等特徵可再次改良效能。特徵之解釋如下。

間隙5存在於基板W之邊緣與基板台WT之邊緣之間。間隙5處於在成像期間基板所置放之凹座之外部區域或邊緣。基板W可支撐於基板台WT之基板支撐區域30上。在使用區域化區域液體供應系統之浸沒微影機器中，當成像基板W之邊緣時(或在諸如當基板W如上文所描述首先在投影系統PS下移動時之其他時間)，基板W之邊緣與基板台WT之邊緣之間的間隙5將在(例如)填充有液體之空間11下穿過。此可導致來自空間11之液體進入間隙。在其他液體供應系統中，液體可在任何時間進入間隙5。

為了處理進入該間隙之液體，可在基板W之邊緣處提供至少一排洩口10、17以移除進入間隙5之任何液體。在圖10之實施例中，說明兩個排洩口10、17，但可存在僅一個排洩口或可存在兩個以上排洩口。排洩口10、17為(例如)環形，使得環繞基板W之整個周邊。排洩口之開口可為連續或不連續的。

第一排洩口10之主要功能係幫助防止氣體氣泡進入液體處置系統12之液體11。任何此等氣泡均可有害地影響基板W之成像。可提供第二排洩口17以防止自間隙5到達基板W下方之任何液體防止基板W在成像之後自基板台WT之有效釋放。基板W係藉由包含複數個突出物32之圓丘台30而固持於基板支撐台上。由圓丘台30施加於基板W與基板台WT之間的負壓幫助確保基板W穩固地固持於適當位置。然而，若液體到達基板W與圓丘台30之間，則此可導致困難，尤其在卸載基板W時。在圓丘台30下提供第二排洩口17會幫助減少或消除可能歸因於在基板W下方到達之液體而發生的問題。

第一排洩口10藉由負壓而移除液體。亦即，第一排洩口10經由出口142而連接至負壓源。此負壓源有效地移除進入排洩口之任何液體。負壓源對於經由排洩口10而自基板台WT上方之間隙5外部牽引進氣體且經由出口142而牽引出氣體為有效的。可採取措施以僅在存在液體進入間隙5之可能性時將出口142連接至負壓源。

第一排洩口10之精確幾何形狀係不重要的。通常，第一排洩口10包含入口100，其使腔室140與間隙5進行流體連通。腔室140可為(例如)環形。出口142與腔室140進行流體連通。其他幾何形狀可為可能的，包括另外腔室。腔室有用於幫助減幅壓力變化且藉此減少振動。經由入口110(其可為連續凹槽或複數個個別通孔)而牽引氣體及/或液體可導致已進入間隙5之液體之蒸發。液體之蒸發導致區域化冷卻。區域化冷卻可導致周圍基板台WT之機械收縮，其又可導致疊置誤差。

現將描述第二排洩口17。第二排洩口17之出口95固持於負壓(例如，0.6巴)，其略微大於圓丘台30之負壓(例如，0.5巴)。此幫助確保存在自圓丘台30以及自間隙5至出口95之氣體流動。在一實施例中，第二排洩口17可固持於過壓力。在此狀況下，存在自出口95朝向間隙5之氣體流動。在與毛細管壓力組合之情況下，此可用以減少或防止浸沒液體到達圓丘台30上。

如可見，在基板W下方提供兩個突出物91及92。徑向外部突出物91為所謂的「濕式密封件」且可能具有在其與基板W之底部表面之間傳遞之浸沒液體。徑向內部突出物92為乾式密封件，且僅氣體可能在其與基板W之間傳遞。

在兩個突出物91、92之間的為通向腔室94之通道93。腔室94與連接至負壓源之出口95進行流體連通。此第二排洩口17及第一排洩口10之更多細節可在2007年6月1日申請之美國專利申請案第US 11/806,662號中被找到。

如上文所提及，若液體處置系統在基板台WT上之給定位置處花費一時間週期(例如，在清潔期間或在等待下一基板台準備好基板調換時)，意外之熱負載可能施加至基板台WT。此可導致疊置誤差。用以減輕此困難之方式係在基板台WT上提供熱隔絕島或區域。因此，在本發明之一實施例中，任何清潔台均可定位於熱隔絕島上以避免熱膨脹/收縮之困難。

圖11以橫截面展示基板台WT中之此熱隔絕島。熱隔絕島500包含部件502，其與基板台WT之剩餘部分分離。氣體(例如，空氣)間隙510定位於部件502與基板台WT之剩餘部分之間。亦即，部件502位於基板台WT之頂部表面中之凹座中且藉由絕緣腳520而支撐於基板台WT上。可(例如)存在支撐部件502之三個絕緣腳520。間隙510可在底部處為約1mm且在側處為約0.75mm。在最頂部處，間隙可甚至更小。此係使得基板台WT與部件502之間的間隙可由蓋罩530(例如，貼紙)橋接，使得當基板台WT相對於液體處置系統而移動以在部件502上定位液體處置系統時，液體不能穿透至間隙510中。亦即，在液體處置系統自基板台WT上至部件502上之轉移時。

溫度感測器540量測部件502之溫度。使用加熱器550來控制熱隔絕島500之溫度。感測器540與加熱器550之操作可將熱隔絕島500維持於大體上恆定溫度。為此目的，可提供控制器或軟體。如圖11所說明，可在部件502中提供若干腔室560或單一環形腔室560。腔室560係填充有氣體(例如，空氣)。此特徵可甚至更多地將部件502與台WT熱隔絕。其可藉由減少部件502之熱質量而減少部件502之熱容量，因此，部件502快速地到達浸沒液體之溫度而不影響浸沒液體之溫度，且使得部件502可快速地回應於加熱器550。

若基板台WT經設計成使得基板台在基板調換期間一齊穿過投影系統下方，使得由於基板台中之一者或另一者或兩者之存在而使液體包含於液體處置系統中，則需要具有定位於每一基板台上之熱隔絕島500。此允許在準備下一基板台時有延遲之情況下液體處置系統在調換之前定位於熱隔絕島上。因為無論如何在等待下一基板台時均需要將液體處置系統定位於此處，所以此給出執行清潔而無產量損失之良好機會。因此，清潔台可位於熱隔絕島500處或上。

圖12以平面圖展示此基板台WT。此基板台WT可包括諸如用於基板調換之突出物或橋接器602(諸如，可旋轉或可縮回橋接器)的擋板表面，如美國專利申請公開案第US 2007-0216881號中所描述。如可見，基板台WT具有用於在其上定位基板W之中心截面600。存在各種感測器610。此留出用於熱隔絕島500之位置的四個潛在區域。此等區域係大體上在每一邊緣之中間。用於熱隔絕島500之最佳位置係在將進行基板調換之邊緣上。如圖12所說明，底部邊緣620為所說明之基板台WT將與下一基板台WT銜接之側。因此，熱隔絕島500定位於該邊緣之中間。在一實施例中，熱島500可在沿著基板台WT之邊緣的另一位置處具有最佳位置。在一實施例中，最佳位置可位於基板台WT之隅角。

熱隔絕島在此位置之定位可增加產量。可達成產量增加，因為基板台WT可在準備好調換之位置等待。一旦下一基板台處於待平移至投影系統PL下方之位置的適當位置，便發生調換。當發生調換時，基板台WT被位移一最佳短距離，理想地為在基板台之間轉移投影系統所可能之最短距離，從而保持投影系統與橋接器602之擋板表面或基板台WT中之一者或其兩者之間的浸沒液體。

用於熱隔絕島之類似最佳位置可在擋板部件上以獨立台之形式被使用，諸如，不支撐基板之量測台。在量測台上用於熱隔絕島之最佳位置可最佳地最小化用於在基板調換期間在投影系統下方之台轉移的時間及位移。此位置可在台之邊緣上。該位置可處於沿著台之邊緣的位置。該位置可理想地大體上處於量測台之邊緣之中間。或者或另外，熱隔絕島可大體上處於量測台之隅角。

若清潔台係提供於基板台WT上，則隔絕島500之位置為用於其之最佳位置。清潔台可提供於量測台上，理想地在熱隔絕島500上。清潔台之位置可經最佳化以幫助最小化基板台之用以在基板台調換期間在投影系統PS下方置放基板台WT的時間及移動，及/或基板台之用以在曝光存在於基板台WT上之基板W之後及/或之前在投影系統下定位清潔台的時間及移動。

圖7a、圖7b、圖7c、圖8a、圖8b及圖9之所有實施例均提供自待清潔表面之上方、下方或側之外部環境所密封的空間。亦即，待清潔表面形成空間之邊界的一部分。以上描述可經由開口而向彼等空間提供清潔液體。在一實施例中，另外或或者，可以噴霧(例如，兩相流，理想地為氣溶膠噴霧)之形成而向待清潔表面提供清潔液體。因為空間經大體上密封，所以噴霧之小液滴係大體上包含於空間內，使得其不會污染除了待清潔表面以外之表面及界定空間之任何其他表面。接著可以與上文所描述相同之方式而收集來自噴霧之液體。2007年12月18日申請之美國專利申請案第61/006,092號及美國專利申請公開案第US 2006-0132731 A1號揭示在經限制空間中之氣溶膠噴霧清潔，且該申請案中關於氣溶膠噴霧清潔所描述之原理可同等地應用於本發明之一實施例中。詳言之，進入圖7a、圖7b、圖7c、圖8a、圖8b及圖9之實施例之空間中的入口可為氣溶膠噴霧孔口。在一實施例中，清潔液體可改變為或另外包括清潔氣體(諸如，臭氧)或電漿或氧化劑(視需要，使用UV輻射)，諸如，溶解之O₃ 、1% H₂ O₂ 。氣態及電漿清潔試劑係描述於2008年2月7日申請之美國專利申請公開案第US 2006-0132731 A1號及美國專利申請案第61/006,951號中，且其中所描述之清潔方法及試劑可用於本發明之一實施例中。氧化劑清潔試劑係描述於2007年9月27日申請之美國專利申請案第11/862,817號中，且其中所描述之清潔方法及試劑可用於本發明之一實施例中。引導UV輻射以用於需要此照明之彼等氧化方法可藉由使用具有在待清潔表面附近之開口的光纖而達成，如2008年1月25日申請之美國專利申請案第61/006,661號中所描述。該開口可定位於如下位置：在該位置中，難以(例如)在障壁部件12中直接照明、直接照明清潔台之凹座210、直接照明虛設基板300、在兩個突出物340、350之間所界定之凹座內直接照明，或直接照明清潔台400之表面。

儘管在本文中可對IC製造中微影裝置之使用進行特定參考，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之情形中，本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用均可被視為分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。本文所提及之基板可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且對經曝光抗蝕劑進行顯影之工具)、計量工具及/或檢查工具中進行處理。在適用時，本文之揭示可應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板可指代已經含有多個經處理層之基板。

本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)。

術語「透鏡」在情形允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或組合，包括折射及反射光學組件。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以不同於所描述之方式的方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。

上文所描述之控制器可具有任何適當組態以用於接收、處理及發送信號。舉例而言，每一控制器可包括一或多個處理器以用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令的電腦程式。控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以接納此媒體之硬體。

本發明之一或多個實施例可應用於任何浸沒微影裝置，特別地(但不獨佔式地)為以上所提及之彼等類型，而無論浸沒液體是以浴之形式被提供、僅提供於基板之區域化表面區域上，還是在基板及/或基板台上未經限制。在未經限制配置中，浸沒液體可在基板及/或基板台之表面上流動，使得基板台及/或基板之大體上整個未經覆蓋表面潤濕。在此未經限制浸沒系統中，液體供應系統可能不限制浸沒液體，或其可能提供一定比例之浸沒液體限制，但未提供浸沒液體之大體上完整限制。

應廣泛地解釋如本文所預期之液體供應系統。在某些實施例中，液體供應系統可為將液體提供至投影系統與基板及/或基板台之間的空間之機構或結構之組合。其可包含一或多個結構、一或多個液體入口、一或多個氣體入口、一或多個氣體出口及/或將液體提供至空間之一或多個液體出口之組合。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之一部分，或空間之表面可完全覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視需要進一步包括一或多個元件以控制液體之位置、量、品質、形狀、流動速率或任何其他特徵。

此外，儘管已在某些實施例及實例的情形中揭示本發明，但熟習此項技術者應理解，本發明可超出特定所揭示實施例而延伸至其他替代實施例及/或對本發明以及其明顯修改及均等物之使用。另外，雖然已詳細地展示及描述本發明之許多變化，但熟習此項技術者將基於本揭示案而易於瞭解在本發明之範疇內的其他修改。舉例而言，預期可進行實施例之特定特徵及態樣的各種組合或子組合，且其仍屬於本發明之範疇。因此，應理解，可將所揭示實施例之各種特徵及態樣彼此組合或彼此取代，以便形成本發明之變化模式。舉例而言，存在於圖7及圖8中之密封件(230、310、320、340、350)之特徵可在此等圖以及圖9中以任何可工作組合而存在。可經由障壁部件12、清潔台400、諸如圖7所示之凹座219中之基板台WT及/或諸如虛設基板300之擋板部件中的開口110、120、180、220、240、250、410、412、422及424而提供及移除浸沒液體及/或清潔流體。熱隔絕區域500可位於凹座210中。凹座210可經定尺寸以接受用於清潔及/或儲存之清潔台400。由密封件340、350所形成之空間可形成於清潔台400之下表面中。因此，意欲使本文所揭示之本發明之範疇不應受上文所描述之特定所揭示實施例之限制，而應僅藉由對隨附申請專利範圍之公正閱讀而判定。

1.一種浸沒微影裝置，其包含：一入口，其經組態以將一清潔流體引入至一空間中，一待清潔表面至少部分地界定該空間；及一液體密封件，其經組態以在該空間之至少一部分周圍進行密封以阻止環繞該空間之流體進入該空間。

2.如條款1之浸沒微影裝置，其進一步包含一出口，該出口經組態以允許清潔流體離開該空間。

3.如條款1或2之浸沒微影裝置，其中該液體密封件包含一用於供應液體之入口及一用於移除液體之出口。

4.如條款3之浸沒微影裝置，其中用於供應液體之該入口與用於移除液體之該出口相比更接近於該空間。

5.如條款3或4之浸沒微影裝置，其中用於供應液體之該入口及用於移除液體之該出口在平面圖中環繞該空間。

6.如前述條款中任一項之浸沒微影裝置，其中經組態以引入清潔流體之該入口及該液體密封件之一特徵係形成於具有至少部分地界定該空間之一表面之一流體處置結構中。

7.如前述條款中任一項之浸沒微影裝置，其中該待清潔表面為一基板台之一頂部表面。

8.如前述條款中任一項之浸沒微影裝置，其進一步包含可在該空間中操作之一清潔加速器器件。

9.如條款8之浸沒微影裝置，其中該清潔加速器器件包含(i)一攪拌器，或(ii)一加熱器，或(iii)一紫外線輻射源，或(iv)一音波換能器，或(v)選自(i)-(iv)之任何組合。

10.如前述條款中任一項之浸沒微影裝置，其中清潔流體為一可發泡清潔流體。

11.如條款10之浸沒微影裝置，其中該可發泡清潔流體為PGMEA。

12.如前述條款中任一項之浸沒微影裝置，其中該密封件經組態以使用超純水。

13.如前述條款中任一項之浸沒微影裝置，其中經組態以引入清潔流體之該入口及該液體密封件係在一流體處置結構上。

14.如前述條款中任一項之浸沒微影裝置，其中經組態以引入清潔流體之該入口及該液體密封件之一特徵位於一基板台上。

15.如條款14之浸沒微影裝置，其中經組態以引入清潔流體之該入口及該液體密封件之該特徵係在該基板台之一熱隔絕島上。

16.如前述條款中任一項之浸沒微影裝置，其中該待清潔表面係在一流體處置結構上。

17.如前述條款中任一項之浸沒微影裝置，其中經組態以引入清潔流體之該入口及該液體密封件之一特徵係與一基板台分離。

18.一種浸沒微影裝置，其包含：一基板台，其經組態以固持一基板；及一流體處置結構，其經組態以將液體提供至一投影系統與該基板及/或基板台之間的一空間，其中該基板台包含一頂部表面之與該基板台之剩餘部分熱隔絕之一熱隔絕區域，該熱隔絕區域係緊鄰於該基板台之一邊緣，該邊緣在該基板台自該投影系統下之移動期間在該流體處置結構下穿過。

19.如條款18之浸沒微影裝置，其中該熱隔絕區域在平面圖中具有大於該流體處置結構施加液體所到達之一區域的一尺寸。

20.如條款18或19之浸沒微影裝置，其進一步包含位於該熱隔絕區域上之一清潔台。

21.一種浸沒微影裝置，其包含：一流體處置結構，其經組態以將液體提供至一投影系統與一基板及/或基板台之間的一空間；一清潔台，其包含一表面；一入口，其經組態以在該流體處置結構與該表面之間提供清潔流體；及一密封件，其係自該入口徑向地向內，其經組態以在該流體處置結構與該表面之間進行密封以阻止清潔流體傳遞至該投影系統。

22.如條款21之浸沒微影裝置，其中該密封件為一實體密封件。

23.如條款22之浸沒微影裝置，其中該實體密封件為一突出物。

24.如條款22之浸沒微影裝置，其中該實體密封件為一環。

25.如條款21至24中任一項之浸沒微影裝置，其中該入口係界定於該表面中。

26.如條款21至25中任一項之浸沒微影裝置，其進一步包含經組態以移除清潔流體之一出口，該出口係界定於該表面中。

27.如條款21至26中任一項之浸沒微影裝置，其進一步包含經組態以在該投影系統下增加一壓力之一另一入口。

28.如條款27之浸沒微影裝置，其中該另一入口係界定於該基板台中。

29.如條款21至26中任一項之浸沒微影裝置，其中該表面為可自該基板台移除之一可移動擋板部件之一表面。

30.如條款29之浸沒微影裝置，其中該流體處置結構包含一入口，該入口連接至一負壓以將該可移動擋板部件附接至該流體處置結構。

31.如條款21至30中任一項之浸沒微影裝置，其中該密封件經組態以在該流體處置結構之一底部表面之一內部邊緣與該流體處置結構之該底部中之一提取器之間進行密封。

32.如條款21至31中任一項之浸沒微影裝置，其進一步包含一另一密封件，該另一密封件係自該密封件徑向地向外。

33.如條款21至32中任一項之浸沒微影裝置，其中該入口係界定於該流體處置結構中。

34.如條款21至33中任一項之浸沒微影裝置，其進一步包含一另一入口，該另一入口經組態以將一液體提供至由該投影系統所界限之一空間。

35.如條款34之浸沒微影裝置，其中該另一入口係界定於該流體處置結構中。

36.如條款21至35中任一項之浸沒微影裝置，其中界定於該表面中的為經組態以接受該流體處置結構之一凹座。

37.如條款21至36中任一項之浸沒微影裝置，其中該表面為一基板台之一表面。

38.一種用於一浸沒微影裝置之清潔台，該浸沒微影裝置包含經組態以將液體提供至一投影系統與一基板及/或基板台之間的一空間的一流體處置結構，該清潔台包含：一表面；一入口，其經組態以在該流體處置結構與該表面之間提供清潔流體；及一密封件，其係自該入口徑向地向內，其經組態以在該流體處置結構與該表面之間進行密封以阻止清潔流體傳遞至該投影系統。

39.一種使用一浸沒微影裝置之器件製造方法，該方法包含：經由一入口而將清潔流體引入至一空間中，該空間係至少部分地由一待清潔表面界定；及在該空間之至少一部分周圍密封一液體密封件以阻止環繞該空間之流體進入該空間。

40.一種器件製造方法，該方法包含：將一基板支撐於包含一熱隔絕區域之一基板台上；自一流體處置結構向一投影系統與該基板及/或基板台之間的一空間提供液體，該熱隔絕區域為一頂部表面之與該基板台之剩餘部分熱隔絕的部分；及在該基板台自該投影系統下之移動期間使該熱隔絕區域在該流體處置結構下穿過，其中該熱隔絕區域係緊鄰於該基板台之一邊緣而定位。

41.一種使用一浸沒微影裝置之器件製造方法，該方法包含：自一流體處置結構向一投影系統與一基板及/或基板台之間的一空間提供液體；自一入口向該流體處置結構與一清潔台之一表面之間提供清潔流體；及使用自該入口徑向地向內所置放之一密封件而在該流體處置結構與該表面之間進行密封，以阻止清潔流體傳遞至該投影系統。

上文之描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的係，可在不脫離下文所陳述之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

5．．．間隙

10．．．第一排洩口

11．．．空間

12．．．障壁部件

13．．．液體入口/液體出口

14．．．出口

15．．．入口/氣體入口

16．．．氣體密封件/氣體流動

17．．．第二排洩口

20．．．出口/通孔

22．．．第二側壁

26．．．腔室

28．．．第一側壁

29．．．通孔

30．．．基板支撐區域/圓丘台

32．．．突出物

50．．．流動控制板

55．．．通孔

70．．．提取器總成/液體移除器件/提取器

80．．．凹座

82．．．入口

84．．．出口

90．．．氣體刀

91．．．突出物

92．．．突出物

93．．．通道

94．．．腔室

95．．．出口

100．．．入口

110．．．多孔材料/多孔表面/多孔部件

115．．．彎液面

120．．．腔室

140．．．腔室

142．．．出口

180．．．入口

200．．．清潔台

205．．．表面

210．．．凹座

220．．．入口

230．．．密封件

240．．．出口

250．．．另一入口/第二入口

300．．．虛設基板

310．．．密封件

320．．．密封件

340．．．突出物

350．．．突出物

400．．．清潔台

402．．．部件

410．．．入口

411．．．空間

412．．．出口

420．．．液體密封件/密封件

422．．．入口

424．．．出口

450．．．加速器

500．．．熱隔絕島/熱隔絕區域

502．．．部件

510．．．氣體間隙/間隙

520．．．絕緣腳

530．．．蓋罩

540．．．溫度感測器

550．．．加熱器

560．．．腔室

600．．．中心截面

610．．．感測器

620．．．底部邊緣

AD．．．調整器

B．．．輻射光束

BD．．．光束傳送系統

CO．．．聚光器

IF．．．位置感測器

IN．．．入口/積光器

IL．．．照明系統/照明器

M1．．．圖案化器件對準標記

M2．．．圖案化器件對準標記

MA．．．圖案化器件

MT．．．支撐結構

P1．．．基板對準標記

P2．．．基板對準標記

PM．．．第一定位器

PS．．．投影系統

PW．．．第二定位器

SO．．．輻射源

W．．．基板

WT．．．基板台

圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；

圖2及圖3描繪作為用於在微影投影裝置中使用之液體供應系統的流體處置結構；

圖4描繪用於在微影投影裝置中使用之另一液體供應系統；

圖5以橫截面描繪可在本發明之一實施例中用作液體供應系統之障壁部件；

圖6以橫截面說明可用於本發明之一實施例中之另一障壁部件；

圖7a及圖7b分別以平面圖及橫截面說明基板台上之清潔台；

圖7c說明在使用中圖7b之清潔台；

圖8a及圖8b以橫截面說明用於清潔障壁部件12之提取器之在使用中之清潔台的實施例；

圖9以橫截面說明經最佳化以避免清潔流體之發泡之清潔台的實施例；

圖10以橫截面說明基板台之緊鄰於基板之邊緣的區域；

圖11以橫截面說明基板台之熱隔絕部分；及

圖12以平面圖說明基板台之頂部表面。