TWI469942B - 含有在退火窯當下或臨進之前以氯化鋁作表面處理之製造玻璃的方法 - Google Patents

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Description

含有在退火窯當下或臨進之前以氯化鋁作表面處理之製造玻璃的方法
本案為美國專利申請案第11/492,204號,申請日2006年7月25日之連續部分(CIP),該案全文揭示以引用方式併入此處。
本發明係關於一種製造以蘇打-石灰-二氧化矽為主之玻璃之方法。於本發明之若干具體實施例中,於玻璃製造程序中,於玻璃板成形且漂浮於熔融材料(例如錫浴)上之階段後,於進入退火窯當下或恰在進入之前,該玻璃之一主面使用氯化鋁(例如AlCl3 )處理。於壓花生產線製程(與浮面製程相對)中,氯化鋁處理也可於進入退火窯當下或恰在進入之前進行。於浮面或壓花生產線玻璃製造程序中,於進入退火窯當下或恰在進入之前進行氯化鋁處理之優點在於其允許處理於期望之玻璃溫度進行,且允許於退火窯中或附近之通風功能以有效方式去除處理的副產物。藉此方式製造之玻璃例如或非限制性可用於玻璃窗用途、太陽能電池用途、家具玻璃用途、及/或展示窗玻璃用途。
發明背景
於習知浮面生產線玻璃製法中,玻璃批料於窯爐或熔窯加熱而形成玻璃熔化液。玻璃熔化液傾倒至熔融材料諸如錫之浴槽(錫浴)上,此處玻璃熔化液成形且連續冷卻來形成浮面玻璃帶。然後浮面玻璃帶前進送至退火窯用於進一步加工處理,然後可經切割來形成固體玻璃物件諸如平坦 玻璃板。用於浮面玻璃,玻璃批料經常包含蘇打、石灰及二氧化矽來形成以蘇打-石灰-二氧化矽為主之扁平玻璃。
不幸習知浮面玻璃(經塗覆或未經塗覆)對於從玻璃向外擴散至表面且可能於塗覆層例如設置於玻璃上之低E塗覆層之強鹼諸如鈉(Na)所造成的損害敏感。於未經塗覆之玻璃上,當達到表面時鈉可與水等反應而於玻璃表面上產生目測可見之玷染或污漬。此外,鈉擴散入玻璃上之塗覆層可能損傷塗覆層,因而導致缺陷的經塗覆物件諸如IG(絕緣玻璃)窗單元或其它類型之窗。
大部分平板顯示器係建立在昂貴之玻璃基材上,諸如垂伸融化硼矽酸玻璃或經拋光之硼矽酸玻璃。此型玻璃具有低鈉(Na及/或Na2 O)含量。但硼矽酸玻璃之來源材料成本比習知以蘇打-石灰-二氧化矽為主之浮面玻璃之成本遠更高。但習知浮面玻璃有較低製造成本但鈉含量較高。於典型用於顯示面板製造之高溫處理期間(例如200-600℃)及/或於顯示器之使用壽命期間,鈉可能從浮面玻璃基材擴散而造成顯示效能的降級。舉例言之,於a-Si(非晶矽)TFT顯示器諸如用於電視機、監視器、行動電話等之TFT顯示器中,鈉遷移入TFT及/或顯示器媒體材料,可能導致TFT及/或顯示器媒體之顯著降級,因而導致顯示特性的降級。
使用習知以蘇打-石灰-二氧化矽為主之浮面玻璃之另一項問題為熱膨脹係數(CTE)比硼矽酸玻璃更高(8.5相對於3.7ppm/℃)。為了於顯示器基材上之薄膜製作圖案,經常期望具有低CTE。
許多平板顯示器使用兩片玻璃基材例如一片TFT基材及一片彩色濾光片基材,典型具有同類型的玻璃。於顯示器面板成品中之玻璃基材成本於某些情況下約占總面板成本之10-20%。另一方面,習知浮面玻璃成本比多種平板顯示器用途中所使用之硼矽酸玻璃之成本低一次冪幅度。技藝界需要降低玻璃基材成本至顯示器用途可接受的程度,如此降低總顯示器成本。
已知使用諸如鋁之材料處理玻璃表面(例如參考核發給Hessenkemper之JP 60-176952及WO 2004/096724,二案皆以引用方式併入此處)。但此等處理未能以與浮面玻璃製法符合一致之有效方式進行。
有鑑於此,顯然技藝界需要有一種以更有效之方式製造平板玻璃之方法,亦即透過浮面製法或壓花生產線法包括以更有效方式處理玻璃讓玻璃更為耐用之技術。
發明概要
本發明係關於一種製造以蘇打-石灰-二氧化矽為主之玻璃之方法。於本發明之不同的具體實施例中,玻璃可使用浮面法或壓花線法製造。於本發明之若干具體實施例中,以蘇打-石灰-二氧化矽為主之玻璃包含一基礎玻璃部分其包括:SiO2 67-75%,Na2 O 10-20%,CaO 5-15%,Al2 O3 0-7%,MgO 0-7%,及K2 O 0-7%。任選地,玻璃可進一步包括一種或多種著色劑諸如鐵、硒、鈷、鉺等。
於本發明之若干具體實施例中,以蘇打-石灰-二氧化矽 為主之浮面玻璃基材經改性來符合顯示器玻璃之需求。於若干具體實施例中,以蘇打-石灰-二氧化矽為主之浮面玻璃表面經處理來防止或大為減少鈉擴散入顯示器結構及顯示裝置。
於本發明之若干具體實施例中,玻璃主面於進入退火窯當下或恰在進入之前使用氯化鋁(AlCl3 )處理。於浮面製法中,退火窯係位在熔融浴(例如錫浴)後方而於壓花線製法中,退火窯係位於壓花輥輪後方(亦即退火窯係恰位在玻璃成形階段後方)。氯化鋁可以包括AlCl3 提供於溶劑諸如甲醇或若干其它醇類等之混合物之形式使用。於浮面或壓花生產線玻璃製造程序中,於進入退火窯當下或恰在進入之前進行氯化鋁處理之優點在於其允許處理於期望之玻璃溫度進行,利用存在於退火窯中之過量氧氣協助燒掉溶劑,且允許於退火窯中或附近之通風功能以有效方式去除處理的副產物。如此,於若干實施例中之非限制性情況下,可避免於退火窯之後使用相對應加熱之鋁處理步驟,本方法可避免退火窯之後之額外通風步驟。藉此方式製造之玻璃例如但非限制性可用於玻璃窗用途、太陽能電池用途、家具玻璃用途用於支載薄膜電晶體(TFT)之玻璃及/或顯示器玻璃用途。
於若干具體實施例中,玻璃係設計用於平板顯示器諸如PDP、LCD及/或OLED。藉鈉封阻表面處理而大減由玻璃基材擴散之鈉,藉此允許於玻璃基材上之TFT(例如a-SiTFT、poly-Si TFT等)及/或其它電子裝置之製造,而未造成 顯示器特性之顯著降級。根據本發明之若干具體實施例之玻璃可用於某些顯示器用途之一片基材或兩片基材。
於本發明之若干具體實施例中,提供一種製造以蘇打-石灰-二氧化矽為主之玻璃之方法,該方法包含:於一窯爐提供玻璃原料來形成玻璃熔化液;將由該玻璃熔化液所形成之一玻璃條帶前進送至一退火窯,玻璃條帶於該處經退火;以及當該玻璃條帶於由約540℃至850℃之溫度時,於進入退火窯當下或恰在進入之前,使用氯化鋁處理該玻璃條帶之至少一個主面。
於本發明之其它具體實施例中,提供一種製造以蘇打-石灰-二氧化矽為主之玻璃之裝置,該裝置包含:一窯爐,玻璃原料係導入該窯爐中而形成玻璃熔化液;一退火窯,由該玻璃熔化液所形成之一玻璃條帶係於該退火窯中退火;以及當玻璃條帶係於由約580℃至850℃之溫度時,於進入退火窯當下或恰在進入之前,使用氯化鋁處理該玻璃條帶之至少一個主面之裝置。
此處所述玻璃可根據如浮面生產線所製造之玻璃厚度製造。另外,於浮面處理後,如此於某些顯示器用途於氯化鋁處理後,玻璃可拋光至較小厚度。例如,具有厚度約1.6毫米之起始基材可拋光至約0.6-1.2毫米(更佳由約0.7-1.1毫米)厚度用於某些顯示器用途。至於另一個實例,始於1.1毫米厚度之玻璃基材可被拋光至0.7毫米厚度。處理後拋光係於與使用氯化鋁處理之該表面相對之玻璃表面上進行,因此不會干擾於該玻璃之已經處理之表面上的鋁含 量。
圖式簡單說明
第1圖為示意圖顯示根據本發明之具體實施例,使用浮面程序之一種玻璃製造方法。
第2圖為閘極-源極電壓(V)相對於汲極-源極電流(A)之線圖,顯示根據本發明之具體實施例所製成之於以蘇打-石灰-二氧化矽為主之浮面玻璃上之a-Si TFT之特性。
較佳實施例之詳細說明
本發明係關於一種使用浮面程序及/或壓花線程序中之一者或二者製造以蘇打-石灰-二氧化矽為主之玻璃之方法。於本發明之若干具體實施例中,玻璃主面於進入退火窯當下或恰在進入之前使用氯化鋁(AlCl3 )處理。於浮面製法中,退火窯係位在熔融浴(例如錫浴)後方,此處玻璃漂浮於熔融浴上;而於壓花線程序中,退火窯係位於壓花輥後方,於玻璃之一個或兩個主面形成圖案(亦即退火窯係恰位於玻璃成形階段後方)。於進入退火窯當下或恰在進入之前,氯化鋁處理之優點在於允許處理於期望之玻璃溫度進行,利用存在於退火窯中之過量氧氣協助燒掉與氯化鋁混合之溶劑,且允許於退火窯內或附近之通風功能以有效方式去除處理之副產物。注意處理可於其它氣體氣氛(例如以氮為主之氣氛)下進行。如此,於多個實例之非限制性情況下可免除退火窯之後之額外通風步驟,如同退火窯之後帶有相對應加熱之鋁處理步驟。
於若干具體實施例中,玻璃係設計用於平板顯示器諸如PDP、LCD及/或OLED。藉鈉封阻表面處理而大減由玻璃基材擴散之鈉,藉此允許於玻璃基材上之TFT及/或其它電子裝置之製造,而未造成顯示器特性之顯著降級。
根據本發明之若干實施例之以蘇打-石灰-二氧化矽為主之玻璃實例,以重量百分比基準,包括下列基本成分:
其它次要成分包括多種精製助劑諸如鹽餅、結晶水等也可含括於基礎玻璃。例如於若干實施例中,此處玻璃可由批次原料二氧化矽砂、蘇打灰、白雲石、石灰石、使用鹽餅(SO3 )作為精製劑(或當然如前文討論之氧化硼)製造。還原劑及氧化劑也可用於某些情況。於某些情況下,此處以蘇打-石灰-二氧化矽為主之玻璃以重量計包括約10-15% Na2 O及約6-12% CaO。除了前文討論之基礎玻璃材料外,玻璃批料及/或玻璃成品可包括著色劑部分,包括諸如鐵、 鉺、鈷、硒及/或等材料。於本發明之若干具體實施例中,玻璃中之總鐵含量係由約0.05%至1.2%,且更佳由約0.3%至0.8%。於某些透明高度透光性玻璃之情況下總鐵含量係由約0.005%至0.025%。存在於玻璃及如此存在於其著色劑部分之鐵總量根據標準規範於此處係以Fe2 O3 表示。但如此並非暗示全部鐵實際上係呈Fe2 O3 之形式。同理,呈亞鐵狀態之鐵含量於此處係以FeO報告,但玻璃中之亞鐵狀態之鐵可能並非全部皆呈FeO形式。
阻斷或大減鈉遷移之技術包括於高溫使用氯化鋁進行表面處理。考慮如下反應式例如:AlCl3 +Na+ +H2 O→Al3 +NaCl(例如非化學計算量)。Al3 (+)整合入玻璃網絡內,可能穩定玻璃呈鈉長石狀相→Na[AlSi3 O8 ]。富鋁紅柱石相3AlCl3 x2SiO2 甚至更安定。於若干具體實施例中,鈉長石相及富鋁紅柱石相可製作成並存於玻璃基材之玻璃網絡。
於若干具體實施例中,氧化鋁(例如AlCl3 )層形成於玻璃基材表面。浮面玻璃與氯化鋁之反應於某些情況下可如下進行。氯化鋁蒸氣可提供於浮面生產線之錫浴出口或出口附近,及/或氯化鋁/乙醇(或甲醇替代乙醇或增加甲醇)混合物可於錫浴出口或出口附近直接噴灑於熱玻璃帶上。如此,於浮面玻璃製程中,處理可於進入退火窯當下或恰在進入之前進行。
第1圖為根據本發明之具體實施例使用浮面法製造玻璃之方法之示意圖。玻璃批料原料(例如矽砂、蘇打灰、白 雲石、石灰石等)提供且於窯爐或熔窯1內加熱而形成玻璃熔化液。於階段3,玻璃熔化液傾倒至熔融材料浴諸如錫(錫浴)上,此處玻璃熔化液成形且連續冷卻而形成浮面玻璃帶。浮面玻璃帶朝向退火窯5前進用於緩慢冷卻。任選地,於進入退火窯5之前玻璃板之側緣部可於趁熱之條件下修整。玻璃板典型係於至少約540℃,更佳至少約580℃且可能於由540℃(或580℃)至800℃之範圍之溫度到達退火窯起點。於退火過程中,玻璃板條帶溫度從退火溫度(例如約538-560℃)徐緩冷卻至約495-560℃之應變溫度,此種溫度範圍可稱作為退火範圍。雖然此種溫度範圍對退火而言為較佳,但於若干情況下也可使用不同溫度。於本發明之不同實施例中,於退火期間連續玻璃板可由輥輪或氣體所支載。
於5退火後,連續玻璃板繼續移動而於7進行進一步加工處理,諸如切割、冷卻、塗覆及/或等中之一者或多者。於若干具體實施例中,於氯化鋁處理玻璃之第一主面10之後,玻璃於處理7期間接受與接受該項處理之第一主面相對之玻璃之第二主面之拋光處理,來縮小用於顯示器用途之玻璃厚度。例如,具有厚度由約1.3毫米至1.8毫米(例如約1.5至1.7毫米,或約1.6毫米)之起始經表面處理之玻璃基材可被拋光至約0.6-1.2毫米(更佳約0.7-1.1毫米)之玻璃厚度來用於某些顯示器用途諸如LCD、OLED、PDP等。至於另一個實例,始於11毫米厚度之玻璃基材可拋光至0.7毫米厚度。後處理拋光係於與使用氯化鋁處理之該表面相對之玻 璃表面上進行,故不會干擾玻璃之已處理的表面之鋁含量。
於本發明之若干具體實施例中,玻璃之一主面(例如玻璃之與熔融浴槽相對之上表面)於進入退火窯5當下或恰在進入之前使用氯化鋁處理(例如AlCl3 或若干其它化學計算學)處理。如第1圖所示,於浮面製法中,退火窯5係位於熔融浴(例如錫浴)3後方,此處玻璃漂浮於熔融浴上。於進入退火窯5當下或恰在進入之前的氯化鋁處理10之優點在於允許處理於期望之玻璃溫度進行,且允許於退火窯內或附近之通風功能以有效方式去除處理的副產物。如此,於若干實例之非限制性情況下可免除如同於退火窯後使用相對應加熱之鋁處理步驟之於退火窯之後的額外通風步驟。
於氯化鋁處理10中,氯化鋁可於溶劑如醇提供。於若干具體實施例中,氯化鋁可於溶劑諸如甲醇等提供。替代甲醇或額外,可使用乙醇、異丙醇、水等作為提供氯化鋁於其中之溶劑。例如,於若干具體實施例中,氯化鋁處理可為或包括AlCl3 x6H2 O等。氯化鋁與溶劑之混合物可以任一種適當方式施用至玻璃主面。例如,於若干具體實施例中,氯化鋁與溶劑之混合物可藉位於玻璃條帶上方之氣體/空氣燃燒器朝向玻璃主面噴霧來施加處理(例如透過燃燒CVD或稱作為CCVD)處理。氯化鋁與溶劑之混合物可呈液相或氣相施用至燃燒器。另外,氯化鋁與溶劑之混合物可呈液體形式噴霧或藉氣化至玻璃主面上而於處理10期間施用至玻璃表面。於富含過量氧氣之退火窯中,溶劑迅速被燒掉且經由退火窯之通風口去除。
施用氯化鋁至玻璃主面(例如頂面)之目的範例係減少來自玻璃之鈉滲濾或其它鹼金屬滲濾。於玻璃表面上之氯化鋁造成Cl(來自於AlCl3 與玻璃中之鹼金屬元素(例如Na及/或K)及/或鹼土金屬元素(例如Ca及/或Mg)產生化學反應。例如,玻璃基體中之Na2 O於來自於AlCl3 之Cl2 反應而形成NaCl (NaCl→Na+Cl),氧可呈醯氯等形式被去除;此外,氯化氫及/或水可於氣相形式去除。以類似方式,玻璃基體之K2 O與Cl2 (來自於AlCl3 )反應形成KCl。舉另一個實例,玻璃之CaO與Cl2 (來自於AlCl3 )反應而形成CaCl2 。再度,氯化氫被燒掉及於退火窯或退火窯附近藉通風口去除。如此,須了解使用氯化鋁諸如AlCl3 處理玻璃表面為從玻璃表面區域至玻璃內部的某種深度移除或減少鹼金屬元素及鹼土金屬元素之有效技術,藉此減少鹼金屬元素及/或鹼土金屬元素滲濾出玻璃外且玷染玻璃表面及/或損壞玻璃上之塗覆層(例如於加熱處理例如加熱回火期間)之能力。如此,玻璃表面部分比較玻璃板其餘部分諸如朝向玻璃板中央,前者含較少量鹼金屬及/或鹼土金屬元素(及較大量AlCl3 及SiO2 ),藉此改良玻璃之耐用性及改良其耐玷染性。
此外,來自於氯化鋁之鋁容易結合入玻璃表面區域,與玻璃基體元素形成鍵結。優異之處在於當來自於玻璃之蘇打與氯反應時,於玻璃基體內留下懸宕的氧鍵結,鋁可與此等懸宕的氧鍵結反應,藉此強化玻璃網絡及改良強度/耐用性。於玻璃中之矽及鋁可透過玻璃中之氧形成鍵結, 因此於若干具體實施例中,於表面上形成鈉長石結構。如此,玻璃表面區域富含鋁及矽,因而改良玻璃之強度及耐用性。
如前文說明,於氯化鋁處理10中,氯化鋁可於溶劑諸如醇(例如甲醇)內提供因而組成混合物。於若干實施例中,氯化鋁也可於水中提供組成混合物。混合物較佳含約1-25% AlCl3 (更佳約2-20%,又更佳約3-15%,及最佳約5-10% AlCl3 ),於本發明之若干具體實施例中,差額係由溶劑或水所組成。於混合物中溶劑:AlCl3 之重量比較佳係由約1:8至1:40,更佳係由約1:10至1:20(此處以甲醇做為溶劑實例)。發現此等比例可獲得最佳施用及處理結果。
發現施加氯化鋁處理之玻璃溫度範圍重要。特別,玻璃須夠熱來接受處理,促進氯化鋁與玻璃之元素間之良好反應,但玻璃又必須夠冷,因而腐蝕性處理副產物諸如氯化氫不會對其製造組件或玻璃本身造成顯著傷害。發現期望於處理10期間於玻璃處於由約550℃至900℃,更佳由約580℃至850℃,及最佳由約590℃至800℃之溫度將氯化鋁施用至玻璃表面。
於壓花玻璃生產線中,由於前文討論之優異理由故,氯化鋁處理10仍然係於進入退火窯當下或恰在進入之前進行。但於壓花生產線中未使用錫浴,取而代之,如美國專利案第6,796,146號所述,玻璃係藉一根或多根輥輪成形,該案全文以引用方式併入此處。
非晶矽TFT係於根據本發明處理之以蘇打-石灰-二氧 化矽為主之玻璃表面上製造,其特徵顯示於第2圖。特定言之,第2圖為閘極-源極電壓(V)相對於汲極-源極電流(A)之線圖,顯示根據本發明之具體實施例所製成之於以蘇打-石灰-二氧化矽為主之浮面玻璃上之a-Si TFT之特性。TFT係以通道寬/長比為50微米/10微米,源極-汲極電壓為10伏特為其特徵。所得測量值證實TFT之特性包括場效遷移率、臨界值電壓、次臨界值斜率及OFF電流係類似於硼矽酸玻璃上所得之特性。TFT接受於200℃儲存100小時之加速壽命測試;觀察得只有微小變化,類似於硼矽酸玻璃上之TFT之情況。TFT也與閘極接受30伏特之偏壓應力2小時時間;臨界值電壓及遷移率之變化小,此點與於參考硼矽酸玻璃上之TFT類似。
於本發明之若干具體實施例中,以蘇打-石灰-二氧化矽為主之玻璃之CTE可藉數種方法中之一種或多種減少。玻璃可於約500-550℃預先收縮(預先退火),隨後CTE係類似於硼矽酸玻璃之CTE。此外,可改變玻璃組成來解決CTE。
此處所述玻璃可根據如浮面生產線所製造之玻璃厚度製造。另外,可於浮面製法之後如此於用於某些顯示器用途於氯化鋁處理之後,將玻璃拋光至較薄厚度。舉例言之,用於某些顯示器用途,具有厚度約1.6毫米之起始基材可拋光至約0.6-1.2毫米(更佳約0.7-1.1毫米)。至於另一實例,始於1.1毫米厚度之玻璃基材可拋光至0.7毫米厚度。後處理拋光係於與使用氯化鋁處理之該表面相對之玻璃表面上進行,因而不會干擾玻璃之已經處理表面之鋁含量。熟諳技 藝人士一旦了解前文揭示,則多種其它特徵、修改及改良將顯然易明。如此此等特徵、修改及改良被視為屬於本發明之一部分,其範圍係由如下申請專利範圍確定。
1‧‧‧窯爐
3‧‧‧錫浴
5‧‧‧退火窯
7‧‧‧玻璃加工處理
10‧‧‧於A及/或於B之氯化鋁處理
第1圖為示意圖顯示根據本發明之具體實施例,使用浮面程序之一種玻璃製造方法。
第2圖為閘極-源極電壓(V)相對於汲極-源極電流(A)之線圖,顯示根據本發明之具體實施例所製成之於以蘇打-石灰-二氧化矽為主之浮面玻璃上之a-Si TFT之特性。
1‧‧‧窯爐
3‧‧‧錫浴
5‧‧‧退火窯
7‧‧‧玻璃加工處理
10‧‧‧於A及/或於B之氯化鋁處理

Claims (9)

  1. 一種製造以蘇打-石灰-二氧化矽為主之玻璃之方法,該方法包含:於一窯爐提供包含鈉、二氧化矽及鈣之玻璃原料來形成玻璃熔化液;於約500-550℃之溫度預先退火一由該玻璃熔化液形成的玻璃條帶,以改變其熱膨脹係數(CTE);使該經預先退火的玻璃條帶前進送至一退火窯,玻璃條帶係於該處退火;以及當該玻璃條帶於由約580℃至850℃之溫度時,於進入退火窯當下或恰在進入之前,使用氯化鋁處理該經預先退火的玻璃條帶之至少第一主面,以自該經預先退火的玻璃條帶製造以蘇打-石灰-二氧化矽為主的玻璃,該退火窯係維持一具有過量氧氣的環境。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該處理包含施用氯化鋁與至少一種溶劑之混合物至該玻璃條帶之表面,其中於該混合物中之溶劑:氯化鋁之重量比係由約1:8至1:40。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該處理包含施用氯化鋁與至少一種溶劑之混合物至該玻璃條帶之表面,其中於該混合物中之溶劑:氯化鋁之重量比係由約1:10至1:20。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該處理包含施用氯化鋁與至少一種溶劑之混合物至該玻璃條帶之表面,其 中該混合物為由約1%至25% AlCl3
  5. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該處理包含施用氯化鋁與至少一種溶劑之混合物至該玻璃條帶之表面,其中該混合物為由約2%至20% AlCl3
  6. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該處理包含施用氯化鋁與至少一種溶劑之混合物至該玻璃條帶之表面,其中該混合物為由約3%至15% AlCl3
  7. 如申請專利範圍第4項之方法,其中該溶劑包含甲醇、乙醇、及異丙醇中之一者或多者。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法,進一步包含於該第一主面之處理後,拋光該玻璃之與接受該處理之第一主面相對之一第二主面,俾便縮小該用於顯示器用途的玻璃之厚度。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法,其中該拋光包含將一玻璃基材由約1.3毫米至1.8毫米之起始厚度減薄至由約0.6毫米至1.2毫米之成品厚度。
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