TWI469693B - 用以處理電漿束縛之低電場設備 - Google Patents

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Description

用以處理電漿束縛之低電場設備
本發明係關於一種用以處理電漿束縛之低電場設備。
電漿處理之進展促進了半導體產業的成長。於電漿處理期間，可產生電漿以處理基板。然而，電漿容易擴展超出晶圓部。 因此，若無法束縛電漿可能造成基板處理不能被控制，進而產生不符標準的裝置及/或瑕疵裝置。
為了幫助討論，圖1A顯示一電漿處理系統100。電漿處理系統100可為單頻、雙頻(DFC)或三頻射頻的電容放電系統。於一實施例中，射頻(RF)可包括但不限於2、27及60MHz。電漿處理系統100可包括上部電極102，該上部電極102通常接地且電壓電位為零。且，電漿處理系統100可包括靜電夾盤104，該靜電夾盤104可作用為下部電極。
在此考慮例如欲處理基板120之情形。於電漿處理期間，可對於靜電夾盤104施加射頻功率116。射頻功率116可與氣體118交互作用，而在靜電夾盤104與接地的上部電極102之間激起電漿106。電漿106可用來蝕刻及/或沉積材料在基板120上以製作電子裝置。
電漿106容易擴展超出晶圓部(例如介於上部電極102及靜電夾盤104的部分以外)。如果電漿擴展超出晶圓部，則電漿密度減少且電漿處理可能偏移到晶圓部外部，而造成基板處理不受控制。由於電漿106在晶圓部中的控制是最好的，因此製造商嘗試束縛電漿。於一實施例中，蘭姆研究公司(Lam Research Corporation)嘗試束縛電漿，係藉由採用束縛環，將電漿機械性地束縛。
電漿處理系統100顯示多數束縛環(112a、112b、112c、112d及112e)，該等多數束縛環可為位在處理室中之1組平行環，用於避免電漿在外部形成。如此處所述，外部指介於束縛環及反應器 壁間的區域。通常，束縛環可由介電材料，例如石英，所構成。
然而，當電場高到足以與氣體118交互作用而在外部激起電漿，束縛環可能不足以束縛電漿。於一實施例中，電漿106可具一電壓電位(Vp )，為電漿相對於接地之自感應電位。電場可能由於介於電漿106之電壓電位(例如電漿緣108)與反應器壁114之電壓電位間的差異而感應，反應器壁114之電壓電位通常接地且電壓電位為零。因此，若此差異足夠高，可能產生強電場110，而造成在外部激起電漿。
由於介在電漿緣108之電壓電位與反應器壁114之電壓電位間的電壓差異所感應的電場幅值，可以方程式1表達：
於方程式1中，電場幅值(E)可與介在電漿緣108之電壓電位(Vp )及反應器壁114之電壓電位(Vw )間的電位差異成比例。已知反應器壁可能接地，因此反應器壁114之電壓電位(Vw )可能等於零。因此，電場幅值(E)可等於將電漿緣108之電壓電位(Vp )除以介於電漿緣108與反應器壁114間之距離(d)。
如方程式1所示，如果於電漿緣108之電壓電位(Vp )增加，或距離(d)(亦即介於電漿緣與反應器壁間之距離)減少，則電場(E)可能變高。電場之增加可能導致電漿到達外部，而造成不欲之電漿不受束縛。
為了爭取競爭力，製造商嘗試增加電漿處理效率。於一實施例中，製造商想藉由增加蝕刻速率而增加蝕刻處理當中的效率。為了增加蝕刻速率，採用較高的射頻功率來增加電漿密度。然而，從方程式1可看出，較高的射頻功率會造成較高電漿電位(亦即電漿緣之電壓電位)，而造成產生較強電場。因此，射頻功率的增加可能造成具足夠在束縛環部激起電漿之電場幅值。於另一實施例，製造商欲藉由於既定射頻功率下之較高氣體流速，以增加蝕刻速率，來增加處理效率及控制。然而，較高的氣體流速亦可能 增加氣體壓力，且因此增加電漿到達外部之可能性。由於可能在外部產生電場，使得基板處理受限於採用之射頻功率及/或氣體流速。
此外，製造商可藉由處理較大基板以能在單次處理週期中得到更多裝置，以維持競爭力。然而，基板尺寸之增加，可能會使電漿緣108與反應器壁114間的距離(d)減小。從方程式1中可看出，距離(d)之減少可能使電場(E)增加，因而造成電漿激起於外部的可能性增加。
圖1B顯示圖1A之等效電路模型。於電漿處理期間，可施加射頻功率116給靜電夾盤104。因為上部電極102接地，因此一大部分的射頻電流會經由上部電極102而返回接地。於電漿緣，射頻電流會經由3種不同的路徑返回接地。射頻電流可藉由與上部電極延伸部182及一下部電極延伸部180，各表示為電容器21及22，進行電容耦合而返回接地(例如反應器壁)。其餘的射頻電流可藉由流經束縛環而返回接地，如電容器23所示。
有些製造商嘗試藉由減少電容器23形成的電容來減4電場。 電容可藉由增加介於電漿緣108及反應器壁114間的距離(d)而減少。然而，增加距離(d)可能需要增加反應器尺寸。增加反應器尺寸可能需要改造其他的工具零件。與改變反應器及其零件相關的成本可能所費不眥。
先前技術的電漿束縛設備中，束縛環可用來避免電漿擴展於外部。然而，對於製造商嘗試藉由增加處理效率及控制(例如增加射頻功率、增加氣體流速及增加基板尺寸)來增加競爭力的想法，束縛環可能並非有效的電漿束縛機構，因為隨電場增加會使得激起於外部的電漿電位增加。而且，先前技術利用增加反應器尺寸來減少電場的作法，為一種昂貴的選擇，且並不能對於電流電漿處理系統所有者提供一解決方案。
本發明於一實施形態，係關於一種在具室壁之電漿處理室中處理基板之方法。本方法包括提供一電極設備，其具一圓柱電極，該圓柱電極經介電襯套包覆並且耦合於室壁。本方法尚包括提供一電感性電路設備，耦合於圓柱電極及室壁之間。本方法尚包括，於電漿處理室中產生一電漿以處理基板，該電極設備係放置於電漿處理室中。
以上概要內容為本發明所揭露之許多實施形態其中之一，並非意欲用來限制本發明範圍，本發明係以申請專利範圍為準。本發明之這些及其他特徵，將於以下敘述及附圖而更詳細敘述。
本發明將參照附圖及一些實施形態更詳細敘述。於以下敘述中，為提供對本發明更完整的了解，將會提出一些特定的細節。然對於熟悉此項技術領域之人士而言，在沒有此些特定細節當中一部分或全部之下實施本發明為顯明的。於其他例中，為了不必要地模糊本發明，一些已為人周知的處理步驟及/或結構並未詳述。
以下所述各種實施形態包括方法及技術。應瞭解到本發明亦可涵蓋製造的物品，包括電腦可讀之媒體，其上儲存有用於實施本發明實施形態的電腦可讀之指令。電腦可讀之媒體可包括，例如用於儲存電腦可讀碼之半導體、磁性、光磁、光學或其他形式的電腦可讀之媒體。再者，本發明亦可涵蓋用於實施本發明之設備。此種設備可包括專用及/或可程式的電路，來實施關於本發明實施形態的任務。此種設備，可包括一般用途的電腦及/或當適當經程式化之專用電腦裝置，且可包括適用於本發明相關實施形態之電腦/電腦裝置與專用/可程式的電路之組合。
依照本發明之一態樣，本案發明人瞭解到，可藉由減少在外部之電壓電位差異，達成電場之降低。減小電壓電位差異，可藉由減小電漿之電壓電位，或增加反應器壁之電壓電位來達成。由於減小電漿之電壓電位，可能會減低基板處理效率，因此可能需 要增加反應器壁之電壓電位，以便增加電壓電位差異。因此，本案發明人在此瞭解到可能需採用使電容減小的機制(或增加阻抗)，以便增加反應器壁部之電壓電位。
依照本發明之實施形態，提供一種低電場設備，用於束縛電漿於電漿處理室。本發明之實施形態能使一種低電場設備包含一介電襯套電極設備。本發明之實施形態，尚能使該介電襯套電極設備電耦合於1組可調式感應線圈，以減小電場。
於本發明之一實施形態，低電場設備可包括：一經修飾的反應器壁，其經過附著介電襯套電極設備之修飾。介電襯套設備可包括：一電極，包覆於介電襯套內。於一實施形態，該電極為圓柱形。
利用放置於電漿緣及反應器壁間的介電襯套電極設備，可依據電漿緣及介電襯套電極設備間的電壓電位差異來計算電場。於一實施形態，可藉由對於電極導入感應電壓(Vi )，而將形成於外部的電場降低。為了於電極產生感應電壓(Vi )，可將電極電連接於一電感性電路系統。
於一實施形態，電感性電路系統可包括1組可調式感應線圈。調整的內容，可包括：調整線圈尺寸、線圈圈數、線圈材料、線圈幾何形狀等。於一實施形態，該組可調式感應線圈可包括成列的1個以上感應線圈。於另一實施形態，該組可調式感應線圈可包括1組可變感應線圈，能夠匹配施加於靜電夾盤之射頻功率的頻率。
藉由修飾反應器壁，使得將產生於外部之電場成為電漿緣之電壓電位以及電極之感應電壓電位的函數。由於電極之感應電壓電位為電感之函數，而電感為施加於靜電夾盤之射頻功率頻率之函數，因此電極之感應電壓電位及電漿緣之電壓電位會變得相近，而減小了電壓電位差異。結果，使電場強度減小，且電漿不受束縛之可能性實質上減低或消除，而使得製造商於於電漿處理期間能採用較寬的處理條件並處理較大基板。
本發明之特徵及優點，將於以下參照圖式及討論更為明瞭。
圖2A顯示於本發明之一實施形態中，介電襯套電極設備與電 感性電路系統連接的簡單剖面圖。電漿處理系統200可包括上部電極220，其通常接地且電壓電位為零。並且，電漿處理系統200可包括靜電夾盤222，該靜電夾盤222作用為下部電極。
考慮以下情形，例如基板224，可為矽晶圓，正要被處理。於電漿處理期間，可對靜電夾盤222施加射頻功率226。射頻功率226可與氣體交互作用，而在靜電夾盤222與接地的上部電極220之間激起電漿202。可採用電漿202來蝕刻及/或沉積材料在基板224上以製作電子裝置。於電漿處理期間，可將電壓電位(Vp )之電漿202以1組介電束縛環(204a、204b、204c、204d及204e)束縛。如前所述，電漿202容易因為氣體與外部的電場交互作用而擴展超出晶圓部(例如上部電極220與靜電夾盤222間的部分以外)。
為了避免電漿不受束縛之可能性，提供一低電場設備。該低電場設備可包括：一經修飾之反應器壁218，經過附著於一介電襯套電極設備206的修飾。於一實施形態，介電襯套電極設備206可為圓柱狀。可將介電襯套電極設備206附著於經修飾的反應器壁218。於一實施形態，該附著係將介電襯套電極設備206與經修飾的反應器壁218之間進行機械性結合。於另一實施形態，介電襯套電極設備206可經由1組介電固定件(例如介電螺栓)而附著於經修飾的反應器壁218。
於一實施形態，介電襯套電極設備206可包括圓柱電極210。於一實施形態，該圓柱電極210厚度為1mm以下。電極尺寸與減少電極在反應室中所佔空間相關。並且，圓柱電極210可由導電材料構成，例如包括鋁的材料。雖圓柱電極210可以與射頻功率226交互作用以於圓柱電極210產生電壓電位，但阻抗可能相當低，且所產生之電壓電位可能不足以使電場顯著地降低。
為了增加阻抗，可在圓柱電極210及經修飾的反應器壁218間實施電感性電路系統。如圖2B所示，電感性電路系統212與介於圓柱電極210及反應器壁218間之電容250並聯。得到之電子電路等效於並聯LC電路。此種電路之射頻阻抗曲線，可隨圖4 所示射頻頻率而變化。於一實施形態中，電感性電路系統212可包括1組感應線圈，其經由電連接208而電連接於圓柱電極210。於一實施形態，電感性電路系統212為可調的。電感性電路系統212之電感，可藉由調整線圈尺寸、線圈圈數、線圈材料、線圈幾何形狀等來調整。並聯LC電路之阻抗亦為電感性電路系統212與電容器250兩者的函數。因此，並聯LC電路之阻抗可藉由調整電感性電路系統212來變化。
於一實施形態中，電感性電路系統212可以與一非必要的電阻器214串聯。電感性電路系統212及電阻器214可位在反應器外。於一實施形態中，可採用電阻器214以限制為頻率函數之阻抗突然變化。於一實施例中。電阻器214會使共振曲線寬廣化(參見 圖4)，使得隨頻率稍微改變，阻抗發生平緩的變化。因此，電阻器214能提供電感性電路系統更穩定的阻抗值。
因為加入了電感性電路系統，阻抗可顯著增加，並隨之增加圓柱電極210之電壓電位。結果，在外部之電場(亦即，在電漿202緣及束縛環)顯著地減少。然而，隨圓柱電極210之電壓電位增加，在圓柱電極210與經修飾的反應器壁218之間形成第2電場，且第2電場可能與氣體交互作用而激起電漿。
為了避免電漿形成於圓柱電極210與經修飾的反應器壁218之間，可採用介電襯套216。於一實施形態中，圓柱電極210可包覆於介電襯套216中，而避免氣體流到介於圓柱電極210與經修飾反應器壁218之間的部分並且與第2電場交互作用。於一實施形態，介電襯套216可由與電漿處理相容的介電材料構成。介電材料之例，包括但不限於：Kapton、石英、聚醚醚酮(PEEK)、鐵氟龍(Teflon)、矽酮(silicone)，及可相容於半導體處理條件之塑膠。
於一實施形態中，為了避免電漿形成於圓柱電極210緣(例如區域228及區域230)，介電襯套216的寬度必需寬於圓柱電極210之寬度。換言之，介電襯套216之頂緣可擴展超出圓柱電極210之頂緣，且介電襯套216之底緣可以擴展超出圓柱電極210之底 緣。由於導電圓柱電極210可包覆於介電襯套216內，因此可避免導電圓柱電極210與氣體交互作用而在區域228及230內激起電漿。
為了更佳地說明本發明的低電場設備實施，於圖2B中顯示一實施形態，說明介電襯套電極設備耦合於1組感應線圈之情形。當介電襯套電極設備206(包括圓柱電極210及介電襯套216)附著於經修飾反應器壁218，經修飾反應器壁218可接地，則可形成電容器250。於經修飾反應器壁218與介電襯套電極設備206之間的電耦合，會得到在圓柱電極210相當低的阻抗。於圓柱電極210之感應電壓(Vi )可以是相當不顯著的。於一實施形態中，由於在基板處理期間施加於靜電夾盤之相同射頻功率會產生電壓電位，因此不需採用外部射頻功率。當電感性電路系統212電連接於經修飾的反應器壁218，圓柱電極210之電壓電位增加。同時，在區域252(介於圓柱電極210及經修飾反應器壁218之間)產生第2電場。為了避免在區域252激起電漿，可加介電襯套216以避免氣體流入區域252。
如圖2A及2B所示，本發明之低電場設備可對於降低電場提供簡單且廉價的解決方案。藉由採用與基板處理期間施用於靜電夾盤相同的射頻功率，帶有介電襯套電極設備之反應器壁可具利用於減少形成在外部之電場的電壓電位。因此，可實質上地減少在外部激起電漿的電位。
於一實施形態，電感性電路系統可以單一或一列感應線圈之形式實施。圖3A顯示單一電感性電路系統，圖3B顯示可變電感性電路系統。
圖3A顯示電漿對接地電耦合之經修飾等效電路模型簡化圖，於電漿處理期間，可施用射頻功率306於靜電夾盤308。由於上部電極304接地，一大部分射頻電流會經由上部電極304返回接地。於電漿緣，射頻電流經由3種不同路徑返回接地。射頻電流可藉由與上部電極延伸部及一下部電極延伸部電容耦合而回到 接地(例如反應器壁)，上部電極延伸部及一下部電極延伸部各以電容器21及22表示。其餘的射頻電流可藉由流經以電容器23表示之束縛環而返回接地。
於一實施形態，經修飾之等效電路模式，可包括1組可調式感應線圈316(L)及一非必要的電阻器318(R)，該等可與束縛環(以電容器23表示)串聯。於另一實施形態，反應器壁322可經附著介電襯套電極設備而修飾。因此，該經修飾的等效電路模型，可包括一電容器C320，該電容器係發生在介電襯套電極設備及反應器壁322之間的電容。
圖3B顯示一實施形態中，簡化的可變電感性電路系統。電容器C350代表介於圓柱電極與接地間的電容。於一實施形態，該可變電感性電路系統可藉由使多數感應線圈匹配於多數射頻頻率(例如f1、f2、f3等)形成，該多數射頻頻率可為目前施加於靜電夾盤之射頻頻率。例如，感應線圈352可表示匹配於第1射頻頻率(f1)之第1感應線圈。感應線圈354可表示匹配於第2射頻頻率(f2)之第2感應線圈。感應線圈356表示匹配於第3射頻頻率(f3)之第3感應線圈。於一實施形態，在多數感應線圈間之切換，可藉由操作多數開關(358、360及362)實施。於一實施形態中，各電感值之選擇，可為使一感應線圈及一電容器形成之並聯LC電路中的各共振頻率大約等於施加於靜電夾盤之射頻頻率。於一實施例中，f1射頻頻率施加於靜電夾盤。電感值之選擇，可為使例如第1感應線圈352及電容器350形成之第1並聯LC電路的共振頻率，約等於f1之值。
於習知技術中，製造商可能藉由採用單頻、雙頻或三頻射頻功率發射來增加射頻功率。增加射頻功率可能造成在外部的較高電場，造成電漿不受束縛。於一實施形態中，電感性電路系統可容匹配阻抗至採用之一特定射頻頻率，造成在介電襯套電極設備之圓柱電極產生感應電壓電位314。
電感(L)值可經調整以最大化並聯LC電路之阻抗，該阻抗係 由並聯於圓柱電極至接地電容(C)之電感性電路系統形成。電感(L)值可利用方程式2計算：
依照方程式2，電感(L)可為圓柱電極對接地電容之函數，及共振頻率之函數。共振頻率為已知值，已知共振頻率等於施加於靜電夾盤之射頻頻率其中之一。而且圓柱電極對接地電容(C)為固定值，且代表圓柱電極及反應器壁間的電容。
藉由調整電感(L)，於圓柱電極之電壓電位(Vi )可相對於電漿之電壓電位(Vp )，實質上地增加。如方程式3所示，增加相對於電壓電位(Vp )之電壓電位(Vi )，會造成電壓電位差異減小。結果，於束縛環部之電場降低。因此，電漿在外部被激起之可能性顯著減小，且電漿可以被束縛在晶圓部內。
圖4顯示本發明一實施形態中，並聯LC電路400之共振曲線。並聯LC電路400之共振曲線表示阻抗ZLC 402及一頻率404之間的圖形關係。換言之，阻抗ZLC 402為頻率404之函數。為了決定電感(L)值，於一實施形態中，可挑選阻抗ZLC 為最高(例如點408)之值。可挑選最高阻抗值以增加於圓柱電極之電壓電位。應用方程式2，可以算出最匹配電流射頻頻率之電感(L)值。一旦決定電感(L)值，可決定採用的感應線圈形式。於一實施例中，電感(L)值可決定線圈尺寸、線圈圈數、線圈材料、線圈幾何形狀等。
於一實施形態中，可藉由加入電阻器於並聯LC電路中，使共振曲線之寬度401寬化及共振曲線的陡度緩和。於一實施例中，共振曲線以頻率之函數反映較為漸變的阻抗變化。雖然並聯LC電路與1個以上電阻器產生之最高阻抗，可能小於不具電阻器之並聯電路產生者，電阻器可確實地對於電感性電路系統在共振頻率附近提供較安定的阻抗值。
從以上所述可知，本發明之實施形態，由於可實質上減小電場而降低在外部生成電漿的風險，因此能使製造商增加處理條件寬度。藉著控制電場，可增加射頻功率及/或氣體流速以在不造成電漿不受束縛下，增進電漿密度。有利地，低電場設備，因為材料容易取得且相當便宜，為有利成本降低的解決方案。而且，低電場設備可在不增加電漿機構尺寸的情形下實施。替代地，低電場設備可以套組的形式，以相容於電流電漿機構之方式提供，因此能使機構的擁有者翻新改進電漿機構而不必實質上地增加成本。
雖然本發明藉由數個較佳實施形態說明了，但是在本發明範圍內，仍有變體、變化物及均等物。而且，此處提供的發明名稱、發明內容及摘要係為求便利，並不應用於限制此處申請專利範圍的範圍。應注意到，本發明及設備有許多替代的實施方式。於一實施例中，介電襯套不需於上述1個以上實施形態中所述的附著於反應器壁。而是，可在介電襯套與反應器壁(例如室壁)間存在空間，條件是介電襯套與反應器壁間的空間不致令電漿產生於此空間。再者，介電襯套可由多部分的不同材料構成。雖此處已提供多種實施例，但是這些實施例僅是說明用而不是限制本發明。再者，於此應用例中，1組“n”代表零或更多項目。因此，在以下附屬的申請專利範圍中之解釋包含本發明真實精神及範圍內的所有變體、變化物及均等物。
21‧‧‧電容器
22‧‧‧電容器
23‧‧‧電容器
100‧‧‧電漿處理系統
102‧‧‧上部電極
104‧‧‧靜電夾盤
106‧‧‧電漿
108‧‧‧電漿緣
110‧‧‧電場
112a、112b、112c、112d、112e‧‧‧束縛環
114‧‧‧反應器壁
116‧‧‧射頻功率
118‧‧‧氣體
120‧‧‧基板
180‧‧‧下部電極延伸部
182‧‧‧上部電極延伸部
200‧‧‧電漿處理系統
202‧‧‧電漿
204a、204b、204c、204d、204e‧‧‧介電束縛環
206‧‧‧介電襯套電極設備
208‧‧‧電連接
210‧‧‧圓柱電極
212‧‧‧電感性電路系統
214‧‧‧電阻器
216‧‧‧反應器壁
218‧‧‧反應器壁
220‧‧‧上部電極
222‧‧‧靜電夾盤
224‧‧‧基板
226‧‧‧射頻功率
228‧‧‧區域
250‧‧‧電容
252‧‧‧區域
304‧‧‧上部電極
306‧‧‧射頻功率
308‧‧‧靜電夾盤
314‧‧‧感應電壓電位
316(L)‧‧‧感應線圈
318(R)‧‧‧電阻器
322‧‧‧反應器壁
350‧‧‧電容器
352‧‧‧感應線圈
354‧‧‧感應線圈
356‧‧‧感應線圈
358、360及362‧‧‧開關
400‧‧‧LC電路
401‧‧‧寬度
402‧‧‧阻抗ZLC
404‧‧‧頻率
408‧‧‧點
C320‧‧‧電容器
附圖係作為舉例解說之用，並非用來限制本發明，其中，同樣的參考符號代表類似的元件： 圖1A顯示一電漿處理系統。
圖1B顯示圖1A之等效電路模型。
圖2A顯示本發明實施形態中，與感應電流系統耦合之介電襯套電極設備的簡單剖面圖。
圖2B顯示顯示於一實施形態中，與1組感應線圈耦合之介電襯套電極設備。
圖3A顯示簡化之電漿對接地耦合之一經修飾等效電路模型。
圖3B顯示於一實施形態中，簡化之可變電感性電路系統。
圖4顯示本發明一實施形態中，並聯LC電路之共振曲線。
200‧‧‧電漿處理系統
202‧‧‧電漿
204a、204b、204c、204d、204e‧‧‧介電束縛環
206‧‧‧介電襯套電極設備
208‧‧‧電連接
210‧‧‧圓柱電極
212‧‧‧電感性電路系統
214‧‧‧電阻器
216‧‧‧反應器壁
218‧‧‧反應器壁
220‧‧‧上部電極
222‧‧‧靜電夾盤
224‧‧‧基板
226‧‧‧射頻功率
228‧‧‧區域

Claims (20)

  1. 一種基板處理方法，用以在具有一室壁之一電漿處理室中處理一基板，包含：設置一電極設備，該電極設備具有包覆於一介電襯套中的一圓柱電極，該介電襯套與該室壁耦合；設置一電感性電路設備，該電感性電路設備耦合於該圓柱電極與該室壁之間；及於該電極設備配置於該電漿處理室內之期間，在該電漿處理室中產生電漿以處理該基板。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中該室壁耦合於接地。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中該電感性電路設備包括多數並聯連接的電感器。
  4. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中該電感性電路設備包括串聯連接於一電阻器之至少一電感器。
  5. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中該介電襯套結合於該室壁。
  6. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中該介電襯套使用至少1個非導電性扣具耦合於該室壁。
  7. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中該電極係由包括鋁之材料形成。
  8. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中該電漿處理室為一電容耦合之電漿處理室。
  9. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中該介電襯套由一介電材料形成，該介電材料係選擇成使其相容於使用該電漿以處理基板之處理。
  10. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中該電感性電路設備包括至少1個可變電感器。
  11. 一種電漿處理系統，具一電漿處理室，用於使用電漿以處理基 板，該電漿處理室具有室壁，該電漿處理系統包含：一電極設備，具一圓柱電極，該圓柱電極包覆於一介電襯套中，該介電襯套與該室壁耦合；一電感性電路設備，該電感性電路設備耦合於該圓柱電極與接地之間；及一下部電極，耦合於一射頻電源，用來在該電極設備配置於該電漿處理室時，產生該電漿並且處理該基板。
  12. 如申請專利範圍第11項之電漿處理系統，其中該室壁耦合於該接地。
  13. 如申請專利範圍第12項之電漿處理系統，其中該電感性電路設備包括多數並聯耦合的電感器。
  14. 如申請專利範圍第12項之電漿處理系統，其中該電感性電路設備包括串聯連接於一電阻器之至少一電感器。
  15. 如申請專利範圍第12項之電漿處理系統，其中該介電襯套結合於該室壁。
  16. 如申請專利範圍第12項之電漿處理系統，其中該介電襯套係使用至少1個非導電性扣具耦合於該室壁。
  17. 如申請專利範圍第12項之電漿處理系統，其中該電極由包括鋁之材料形成。
  18. 如申請專利範圍第12項之電漿處理系統，其中該電漿處理室為一電容耦合之電漿處理室。
  19. 如申請專利範圍第12項之電漿處理系統，其中該介電襯套由一介電材料形成，該介電材料係選擇成使其相容於使用該電漿處理基板之處理。
  20. 如申請專利範圍第12項之電漿處理系統，其中該電感性電路設備包括至少1個可變電感器。
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