TWI468819B - 液晶顯示裝置及其電子機器 - Google Patents

Description

液晶顯示裝置及其電子機器

本發明係有關於液晶顯示裝置及其電子機器。

具有配置為行與列矩陣狀的複數畫素的顯示裝置中，各畫素設置於信號線(也稱為源極線)與掃描線(也稱為閘極線)的交叉領域上。各畫素具備形成於透明基板上的畫素電極以及形成於與此相對的透明基板上的對向電極。對向電極連接至定電壓源，因為共通連接至全部畫素所以也稱為共通電極。特定的行或列的畫素會透過閘極線而被選擇，此時該行或列的畫素的畫素電極連接至源極線而被施加信號電壓。藉此，畫素電極與共通電極之間產生電位差，驅動設置於其間的顯示元件。例如顯示元件為液晶的情況下，液晶分子的配向因應畫素電極與共通電極之間產生的電位差而變化，再藉由透過或反射光量的變化來進行顯示。

各畫素一般在畫素電極與源極線之間設置有會回應閘極線上的掃描信號而導通的薄膜電晶體(TFT)。即使TFT處於非導通狀態，由於光的照射或溫度變化等原因，也有可能發生由畫素電極流往源極線的漏電流。這會導致閃爍或干擾等的問題。

為了避免發生此問題，常見的方式是將設置於各畫素內用以保持畫素電極與共通電極之間所產生的電位差的保持電容的容量增大。例如，特開2008-009380號公報(專利文獻1)中揭露了以改善製程的方式來增大保持電容的容量，藉此抑制閃爍或干擾等不良顯示的發生的技術。

[專利文獻1]特開2008-009380號公報

為了要抑制閃爍及干擾並且改善溫度特性，保持電容的尺寸是越大越好，但保持電容的尺寸增大會導致畫素的開口率下降。而要避免開口率下降，就會使得解析度，也就是PPI(pixel number per inch)下降。

本發明有鑑於上述的問題，係提出一種能夠確保高開口率並同時實現高解析度的液晶顯示裝置及其電子機器。

為了達成上述目的，本發明提供一種液晶顯示裝置，包括：第1透明基板；第2透明基板，與該第1透明基板相對；絕緣層，形成於該第2透明基板上；複數的畫素電極，以矩陣狀配置於該絕緣層上；對向電極，形成於該第1透明基板，與該畫素電極相對，具有既定電位；液晶層，存在於該畫素電極與該對向電極之間；畫素電路，形成於該第2透明基板的上側面，對各個該畫素電極施加電壓；以及至少一平行電極，在該絕緣層內平行該畫素電極。

利用上述的構造，可以在液晶顯示裝置中確保高開口率並同時實現高解析度。

在實施例中，該液晶顯示裝置在該絕緣層內具有平行該畫素電極的一組平行電極，該一組平行電極之間形成電容，用以保持該畫素電極與該對向電極之間的電位差。

在實施例中，該至少一平行電極與該畫素電極之間形成電容，用以保持該畫素電極與該對向電極之間的電位差。此時該至少一平行電極可以橫跨該複數的畫素電極，在該絕緣層內部延伸。該至少一平行電極可以具有與該對向電極的電位相同的電位。該至少一平行電極可以由透明電極材料組成。

在實施例中，該畫素電路可以具有記憶體、感測器、導電線、導電性層間導孔、及信號處理器中至少一者。該記憶體可以具有DRAM或SRAM。

在實施例中，該液晶顯示裝置可以是反射型液晶顯示裝置，更包括：反射體，形成於各個該複數的畫素電極的全體或一部分之上。在此實施例，該液晶層能夠回應各個該複數的畫素電極與該對向電極之間的電位差，控制被該反射體反射的外界光量。

在實施例中，該液晶顯示裝置可以是透過型液晶顯示裝置，更包括：背光源，將光由該第2透明基板的下側面往上側面照射。在此實施例，該液晶層能夠回應各個該複數的畫素電極與該對向電極之間的電位差，控制通過該液晶層的來自該背光源的光量。

在實施例中，該液晶顯示裝置可以是半透過型液晶顯示裝置，更包括：背光源，將光由該第2透明基板的下側面往上側面照射；以及反射體，形成於各個該複數的畫素電極的一部分之上，覆蓋該畫素電路。在此實施例，該液晶層回應各個該複數的畫素電極與該對向電極之間的電位差，控制通過該液晶層的來自該背光源的光量以及被該反射體反射的外界光量。

本發明實施例的液晶顯示裝置可以使用於提供使用者影像的電子機器。電子機器可以是電視機、桌上型或筆記型電腦、行動電話、數位相機、PDA、車上導航裝置、攜帶型遊戲機、電子看板等。

根據本發明揭露的實施例，可提供一種能夠確保高開口率並同時實現高解析度的液晶顯示裝置及其電子機器。

本發明的實施例將配合圖式說明如下。

第1圖係表示本發明實施例的液晶顯示裝置的架構圖。第1圖的顯示裝置10具有顯示面板11、源極驅動器12、閘極驅動器13、控制器14。

顯示面板11具有配置為行與列的矩陣狀複數的畫素P₁₁ ～P_nm (m、n為整數)。顯示面板11更具備配置於每個畫素行的複數源極線15-1～15-m、與源極線15-1～15-m正交並且設置於每個畫素列的複數閘極線16-1～16-n。

源極驅動器12為根據影像資料信號來驅動源極線15-1～15-m的信號線驅動電路，透過源極線15-1～15-m對畫素P₁₁ ～P_nm 各自施加信號電壓。閘極驅動器13為依序驅動閘極線16-1～16-n的掃描線驅動電路，透過閘極線16-1～16-n控制畫素P₁₁ ～P_nm 各自的信號電壓施加。閘極驅動器13以交錯掃描或或循序掃描的方式選擇某個列的畫素，使該被選擇的列的畫素透過源極線被施加信號電壓。例如液晶顯示裝置中，利用信號電壓的施加產生的液晶分子的配向變化，使得背光或外界光(反射光)偏振並顯示畫面。

控制器14同步源極驅動器12及閘極驅動器13，並控制上述裝置的動作。

第2圖係表示液晶顯示裝置一般的畫素架構的電路圖。

畫素P_ji (i及j為整數，1≦i≦m且1≦j≦n)配置於該畫素所屬的第i行源極線15-i與於該畫素所屬的第j列閘極線16-j的交叉領域。畫素列上更設置有與閘極線16-j平行的CS線17-j。

畫素P_ji 具有畫素電極20、開關元件21、液晶顯示元件22、保持電容23、共通電極24。為了簡單明瞭，在第2圖中，液晶顯示元件22以連接於畫素電極20與共通電極24之間的電容來表示。共通電極24為全部的畫素P₁₁ ～P_nm 共通的電極，連接至定電壓源，具有既定的電位。

開關元件21配置於畫素電極20與源極線15-i之間，其控制端子連接至閘極線16-j。開關元件21因應閘極線16-j上的掃描信號而導通，使畫素電極20連接至源極線15-i。藉此源極線15-i上信號電壓施加於畫素電極20。開關元件21一般來說會使用薄膜電晶體(TFT)。第2圖中，開關元件21以N型TFT來表示，掃描信號為高位準時導通。

保持電容23配置於畫素電極20與CS線17-j之間，用以維持開關元件21變為非導通狀態(OFF狀態)後到下一次導通(ON)為止的期間畫素電極20與共通電極24之間所存在的電位差。視情況，保持電容23也可以不連接至CS線17-j而連接至共通電極24。

第3圖係表示畫素具有第2圖所示的電路架構時習知技術的畫素構造例。

第3a圖係由上方看畫素的視圖。源極線15-i及鄰接的源極線15-(i+1)在縱方向上延伸，閘極線16-j與其交叉在橫方向上延伸。圖中的斜線部份表示閘極線16-j及CS線17-j。閘極線16-j及CS線17-j的下方設置了開關元件21的導通路徑305及電容電極306。導通路徑305與由閘極線16-j往畫素領域延伸的閘極電極一起形成開關元件21。電容電極306與CS線17-j一起做為保持電容23的平行電極來作用。畫素部份31形成了包括開關元件21及保持電容23的畫素電路，來自設置於顯示器背面的背光源的光無法透過。因此部份31設置反射體反射外界光來進行顯示，作為反射型顯示領域使用。畫素剩餘的部份32不形成畫素電路，作為能使背光源的光透過來進行顯示的透過型顯示領域使用。像這樣同時設置反射型顯示領域及透過型顯示領域的液晶顯示裝置稱為半透過型液晶顯示裝置，在暗處可使用背光源的透過光，在亮處可使用外界的反射光，能夠確保視覺可辨認性並抑制電力消耗。

第3b圖係第3a圖所示的畫素以線A-A’切開的剖面圖。畫素具有第1透明基板301、上側面與第1透明基板的下側面相對的第2透明基板302、在第1透明基板301與第2透明基板302之間封入液晶而形成的液晶層303、形成於第2透明基板302上的絕緣層304。而第1透明基板301的上側面及第2透明基板302的下側面分別設有偏光板311及312，使透過的光偏光。

畫素電極20形成於絕緣層304上。共通電極24設置於第1透明基板301的下側面，透過液晶層303與畫素電極20相對。畫素電極20及共通電極24為光可透過的透明電極，例如由氧化銦錫(ITO)所構成。

第2透明基板302的上側面形成有開關元件21的導通路徑(也就是TFT通道)305及電容電極306。TFT通道305及電容電極306是由例如多晶矽所形成。閘極電極16-j延伸於TFT通道305上，與TFT通道305一起形成開關元件21。CS線17-j在絕緣層304中距離電容電極306一定的間隔並且與電容電極306平行地延伸，與電容電極306一起形成保持電容23。

閘極電極16-j及CS線17-j可以是例如金屬材料等無法透光的材料所構成。因此，形成開關元件21及保持電容23的領域藉由設置反射體308反射外界光來進行顯示，做為反射型顯示領域31。反射體308設置在畫素電極20上並位於開關元件21及保持電容23的正上方。反射體308如圖中箭頭309所示，反射入射畫素內的外界光。

沒有形成開關元件21及保持電容23的領域如圖中箭頭310所示，使來自背光源300的光透過來進行顯示，做為透過型顯示領域32。

第3圖所示的畫素構造中，要將保持電容23的尺寸增大的情況下，1畫素中反射型顯示領域31的面積會變大，相反地，透過型顯示領域32的面積會變小。也就是說，開口率變小。而要維持開口率的情況下，則會使解析度下降。

第4圖係畫素具有第2圖所示的電路架構時根據本發明的畫素構造。

第4a圖係由上方看畫素的視圖。源極線15-i及鄰接的源極線15-(i+1)在縱方向上延伸，閘極線16-j與其交叉在橫方向上延伸。圖中的斜線部份表示閘極線16-j。閘極線16-j的下方設置了開關元件21的導通路徑305。導通路徑305與由閘極線16-j往畫素領域延伸的閘極電極形成開關元件21。閘極線16-j上設置有形成保持電容23的平行電極，也就是電容電極307a與307b。畫素的部份31’形成了包括開關元件21及保持電容23的畫素電路，來自設置於顯示器背面的背光源的光無法透過。因此設置反射體反射外界光來進行顯示，作為反射型顯示領域使用。畫素剩餘的部份32’不形成畫素電路，作為能使背光源的光透過來進行顯示的透過型顯示領域使用。

第4b圖係第4a圖所示的畫素以線B-B’切開的剖面圖。畫素具有第1透明基板301、上側面與第1透明基板的下側面相對的第2透明基板302、在第1透明基板301與第2透明基板302之間封入液晶而形成的液晶層303、形成於第2透明基板302上的絕緣層304。而第1透明基板301的上側面及第2透明基板302的下側面分別設有偏光板311及312，使透過的光偏光。

畫素電極20形成於絕緣層304上。共通電極24設置於第1透明基板301的下側面，透過液晶層303與畫素電極20相對。畫素電極20及共通電極24為光可透過的透明電極，例如由氧化銦錫(ITO)所構成。

第2透明基板302的上側面形成有開關元件21的導通路徑(也就是TFT通道)305。閘極電極16-j延伸於TFT通道305上，與TFT通道305一起形成開關元件21。

2個電容電極307a及307b在絕緣層304中互相保持一定的距離平行延伸，並且位於畫素電極20的正下方及開關元件21的正上方。如此一來電容電極307a及307b形成保持電容23。而電容電極307a及307b的其中之一可以是第2圖所示的CS線17-j。

在這個例子中，閘極電極16-j及電容電極307a及307b可以是例如金屬材料等無法透光的材料所構成。因此，形成開關元件21及保持電容23的領域藉由設置反射體308反射外界光來進行顯示，做為反射型顯示領域31’。反射體308設置在畫素電極20上並位於開關元件21及保持電容23的正上方。反射體308如圖中箭頭309所示，反射入射畫素內的外界光。

沒有形成開關元件21及保持電容23的領域如圖中箭頭310所示，使來自背光源300的光透過來進行顯示，做為透過型顯示領域32’。

第4圖所示的畫素構造中，利用顯示面板的厚度方向來形成保持電容23，比起第3圖所示的畫素構造，1畫素中反射型顯示領域31’的面積減小，相反地，透過型顯示領域32’的面積增大。也就是說，開口率變大，使解析度能夠提高。

第5圖係表示本發明實施例的畫素架構的第2例。第5圖所示的畫素構造中，電容電極307只設置1個。然而電容電極307距離畫素電極20的正下方一定的間隔而設置，與畫素電極20一起形成保持電容23。而電容電極307可以是第2圖所示的CS線17-j。

第6圖係表示本發明實施例的畫素架構的第3例。第6圖所示的畫素構造中，電容電極307’在不只反射型顯示領域31’還延伸至透過型顯示領域32’。但是電容電極307’必須是光能夠透過的透明電極。例如，透明電極307’可由ITO形成。

透明電極307’在第6圖所示的例子中，雖延伸至畫素電極20的外側領域，但實際上只要存在畫素電極20的正下方即可。然而在垂直配向型液晶顯示裝置中，透明電極307’橫跨設置於顯示面板的全部畫素電極20，也就是第2基板302的畫素顯示領域的全面來形成，能夠處置垂直配向型液晶顯示裝置所特有的區塊的問題。所謂區塊是指在白色的顯示狀態下使用者用手指按壓顯示面板等使顯示面板受到局部的壓力時，該部份所發生的影像顯示不均勻。這起因於垂直配向型液晶顯示裝置的構造，具體來說，因為相鄰的畫素電極之間的周遭電場不存在明確的邊界或界線，使得這些電場連續並且互相影響。

例如日本專利第4410276號中揭露了一種用來解決垂直配向型液晶顯示裝置中區塊問題的方法。在專利第4410276號說明書中，該解決區塊的方法是在配置有畫素電極的透明基板的下方透過絕緣層形成下部電極並且給予此下部電極與共通電極的電位相同的電位，使相互鄰接的畫素電極之間配置有電場的邊界。相互鄰接的畫素電極之間存在有物理間隙，在此間隙中共通電極與下部電極之間形成有等電位面。1個畫素電極與共通電極之間的電場不會由該畫素電極周圍的等電位面往外部延伸，如此一來，等電位面的效果相當於互相鄰接的畫素電極之間的電場邊界。

本發明的實施例中，透明電極307’的形成橫跨包含畫素電極20正下方的第2透明基板302的畫素顯示領域全體，因此能實現專利第4410276號說明書所揭露的下部電極的功能。在這個情況下，透明電極307’必須要具有與共通電極的電位相同的電位。

目前為止雖以半透過型液晶顯示裝置為例來說明，但本發明的實施例可以適用於透過型液晶顯示裝置與反射型液晶顯示裝置任一者。本發明的實施例無論使用於哪一種形式的液晶顯示裝置都能確保高開口率且實現高解析度。

利用本發明的實施例，不需損失開口率及解析度，就能將記憶體、感測器、導電線、導電性的層間導孔及/或信號處理器等附加的電路組進畫素中。關於此點，以下使用MIP(Memory in Pixel)電路組進畫素的情況為例來說明。

MIP技術是指在將記憶體設置於每個畫素，當顯示靜止畫面時使儲存於記憶體的資料寫入畫素，藉此停止驅動器的驅動來減少電力消耗。MIP技術特別適用於不使用背光源所以電力消耗小且常被以電池驅動的行動裝置所利用的反射型液晶顯示裝置。例如行動電話使用時的大部分時間都是等待狀態，此期間顯示部的大部分或全體一般都顯示靜止畫面，因此能夠使用MIP技術來抑制電池消耗。

一般來說，MIP技術中保持資料的記憶體電路會採用DRAM(Dynamic Random Access Memory)或SRAM(Static Random Access Memory)。SRAM是以電晶體的順序電路所構成，另一方面，DRAM以電晶體及電容各一個所構成，因此以電路面積的縮小化及畫素間距的狹小化這點來看的話，DRAM較有優勢。然而DRAM要保持儲存於電容的微小電荷必須要有刷新動作。

第7圖係表示具有DRAM構成的MIP電路的畫素架構的電路圖。

畫素P’_ji 除了畫素電極20、開關元件21、液晶顯示元件22、保持電容23及共通電極24，更包括記憶體電路70。記憶體電路70具有第2、第3、第4開關元件71～73及取樣電容74。例如第2、第3、第4開關71～73元件可為TFT。取樣電容74的一個端子連接源極線15-i，另一端子透過第2開關元件71連接至畫素電極20。

畫素P’_ji 更有取樣線18-j及刷新線19-j通過。取樣線及刷新線設置於每個畫素列或行，在本例當中因為畫素是以列為單位被選擇，故設置於每個畫素列。

第2開關元件71的控制端子連接取樣線18-j。第3開關元件72及第4開關元件73串聯連接，插入畫素電極20與源極線15-i之間。第3開關元件72的控制端子連接於取樣電容74與第2開關元件71之間。第4開關元件73的控制端子連接於刷新線19-j。取樣電容74、第2及第3開關元件71、72形成DRAM。

接著，假設具備第7圖所示的畫素電路之本發明實施例的液晶顯示裝置是在往畫素電極的施加電壓關閉時，液晶分子會呈現垂直配向且畫面呈現黑色的常黑型垂直配向型液晶顯示裝置，現在說明在白色顯示狀態下的反轉驅動動作。第8圖係用來說明第7圖所示的畫素電路動作的一例的時序圖。

在初期狀態(～T₁₁ )，畫素電極20的電位(以下稱「畫素電壓」)V₂₀ 為高位準(例如5V)，共通電極24(及CS線17-j)的電位(以下稱「共通電壓」)V₂₄ 為低位準(例如0V)。此時第1、第2、第3、第4開關元件21、71～73為關閉狀態。

在時間T₁₁ ，為了取樣現在的畫素電壓V₂₀ ，取樣線上的電位V_18-j 被例如控制器14驅動為高位準，第2開關元件71開啟。藉此第2開關元件71與取樣電容74之間的電位(以下稱「取樣電壓」)V₇₄ 表示相當於高位準的電壓。取樣線上的電位V_18-j 之後雖在時間T₁₂ 被驅動至低電位，但取樣電壓V₇₄ 會因為電容74的作用而維持在高電位。

在持續期間T₁₃ ～T₁₄ 為了預充顯示元件22及保持電容23，閘極線上的電位V_16-j 被閘極驅動器13驅動為高位準，同時源極線上的電位V_15-i 被源極驅動器12驅動為高位準。藉此第1開關元件21開啟，畫素電極20連接至源極線15-i。在預充期間的開始時T₁₃ ，共通電壓V₂₄ 被驅動至高位準。

預充期間結束時T₁₄ 閘極線上的電位V_16-j 被閘極驅動器13驅動為低位準，第1開關元件21關閉。接著源極線上的電位V_15-i 被源極驅動器12驅動為低位準，共通電壓V₂₄ 維持在高位準。

之後，在時間T₁₅ ，刷新線上的電位V_19-j 被例如控制器14驅動至高位準，第4開關元件73開啟。藉此第3開關元件72的導通端子(源極端子)的電位因為透過第4開關元件73連接至源極線15-i而呈現低位準。因為存在於第3開關元件72的控制端子的取樣電壓V₇₄ 此時為高位準，第3開關元件72開啟。因此，畫素電極20透過第3開關元件72及第4開關元件73連接至源極線15-i，畫素電壓V₂₀ 呈現低位準。刷新線上的電位V_19-j 在時間T₁₆ 再被驅動至低位準，第4開關元件73關閉。

最後，畫素電壓V₂₀ 及共通電壓V₂₄ 分別由初期狀態反轉，高/低位準交換。因此顯示元件22的兩端電壓為-5V，符號因此反轉。

在此狀態，在下一個取樣時間T₂₁ ，為了取樣現在的畫素電壓V₂₀ ，取樣線上的電位V_18-j 被例如控制器14驅動為高位準，第2開關元件71開啟。藉此取樣電壓V₇₄ 因連接至畫素電極20而表示相當於低位準的電壓。之後取樣線上的電位V_18-j 被驅動至低電位。

在持續期間T₂₃ ～T₂₄ 為了預充顯示元件22及保持電容23，閘極線上的電位V_16-j 被閘極驅動器13驅動為高位準，同時源極線上的電位V_15-i 被源極驅動器12驅動為高位準。藉此第1開關元件21開啟，畫素電極20連接至源極線15-i。因此畫素電壓V₂₀ 被驅動至高位準。而在預充期間的開始時T₂₃ ，共通電壓V₂₄ 被驅動至高位準。

預充期間結束時T₂₄ 閘極線上的電位V_16-j 被閘極驅動器13驅動為低位準，第1開關元件21關閉。接著源極線上的電位V_15-i 被源極驅動器12驅動為低位準。

之後，在時間T₂₅ ，刷新線上的電位V_19-j 被例如控制器14驅動至高位準，第4開關元件73開啟。藉此第3開關元件72的導通端子(源極端子)的電位因為透過第4開關元件73連接至源極線15-i而呈現低位準。然而因為存在於第3開關元件72的控制端子的取樣電壓V₇₄ 在此時為低位準，第3開關元件72維持關閉。因為第3開關元件72關閉，畫素電極20不會連接至源極線15-i，畫素電壓V₂₀ 維持高位準。刷新線上的電位V_19-j 在時間T₂₆ 再被驅動至低位準，第4開關元件73關閉。

最後，畫素電壓V_pix 及共通電壓V_com 分別再次反轉，高/低位準交換，回到初期狀態。因此顯示元件22的兩端電壓為+5V，符號因此再次反轉。

比較第2圖及第7圖中分別表示的畫素構造，可知畫素電路具有MIP電路會佔較大的規模。為了獲得最大限度的開口率，MIP電路一般形成在與反射體重疊的下側透明基板(例如第3圖的第2透明基板302)上的領域。參照第3圖可知習知技術的畫素構造下，要保持一定程度的開口率將MIP電路組進畫素中的情況下，要用來形成保持電容23的第2透明基板302上的空間受到限制。然而因為閃爍或干擾等問題，保持電容23的尺寸不能縮小。如此一來開口率必然縮小，而要維持開口率的情況下，解析度會下降。而本發明適用於將MIP電路等附加電路組進畫素的情況。根據參照第4至第6圖所說明的本發明實施例，因為能在習知技術要用來形成保持電容23的第2透明基板302上的空間形成MIP電路，所以可以不損失開口率及解析度導入記憶體機能。

第9圖係表示第7圖所示具有MIP電路的畫素構造在使用本發明與不使用本發明的情況下各自的開口率與PPI之間的關係的圖表。第9圖中，縱軸表示開口率(單位為百分比(%))，橫軸表示PPI。而在此所謂的開口率是畫素在具有反射型顯示領域與透過型領域的情況下透過型顯示領域佔畫素全體的比例。

第1線91是使用本發明的情況，也就是表示第4-第6圖所示利用顯示面板厚度方向來形成保持電容的情況下開口率與PPI的關係。第2線92是不使用本發明的情況，也就是表示第3圖所示包括保持電容的畫素電路形成在下側透明基板上的習知技術下開口率與PPI的關係。

由第9圖可知，不管在哪一種情況下，開口率越大PPI就越小，但使用本發明時，在相同的PPI下會有較大的開口率，或是在相同的開口率下會有較大的PPI。如此一來，根據本發明實施例，能夠確保高開口率並同時實現高解析度。

第10圖係具備本發明實施例的液晶顯示裝置的電子機器的例子。第10圖的電子機器100雖以筆記型電腦表示，但也可以是電視機、桌上型電腦、行動電話、數位相機、PDA、車上導航裝置、攜帶型遊戲機、或電子看板等電子機器。

筆記型電腦100具有顯示裝置110，顯示裝置110具備能將資訊以影像顯示的顯示面板。顯示裝置110的顯示面板具有第4圖至第6圖所示的構造的畫素的矩陣配置。例如顯示裝置110可具有觸碰面板功能，此情況下，觸碰感測用的感測電路會組進各畫素。具體來說，感測電路形成於與反射體重疊的下側透明基板(例如第2透明基板302)上的領域。

以上雖說明了實施本發明的最佳實施例，但本發明並不限於上述的最佳實施例。在不偏離本發明主旨的範圍內可做適當的變更。

10、110．．．顯示裝置

11．．．顯示面板

12．．．源極驅動器

13．．．閘極驅動器

14．．．控制器

15-1~15-m、15-i、15-(i+1)．．．源極線

16-1~16-n、16-j．．．閘極線(閘集電極)

17-j．．．CS線

18-j．．．取樣線

19-j．．．刷新線

100．．．電子機器

20．．．畫素電極

21、71~73．．．開關元件

22．．．液晶顯示元件

23．．．保持電容

24．．．共通電極(對向電極)

31、31’．．．反射型顯示領域

32、32’．．．透過型顯示領域

300．．．背光源

301．．．第1透明基板

302．．．第2透明基板

303．．．液晶層

304．．．絕緣層

305．．．TFT通道

306、307、307’、307a、307b．．．電容電極

308．．．反射體

309．．．外界光

310．．．背光

311、312．．．偏光板

70．．．記憶體電路

74．．．取樣電容

P₁₁ ～P_nm 、P_ji 、P’_ji ．．．畫素

第1圖係表示本發明實施例的顯示裝置的架構圖。

第2圖係表示液晶顯示裝置一般的畫素架構的電路圖。

第3圖係表示畫素具有第2圖所示的電路架構時習知技術的畫素構造例。第3a圖係由上方看畫素的視圖；第3b圖係第3a圖所示的畫素以線A-A’切開的剖面圖。

第4圖係畫素具有第2圖所示的電路架構時根據本發明的畫素構造。第4a圖係由上方看畫素的視圖；第4b圖係第4a圖所示的畫素以線B-B’切開的剖面圖。

第5圖係表示本發明實施例的畫素架構的第2例。

第6圖係表示本發明實施例的畫素架構的第3例。

第7圖係表示具有DRAM構成的MIP電路的畫素架構的電路圖。

第8圖係用來說明第7圖所示的畫素電路動作的一例的時序圖。

第9圖係表示具有第7圖的電路構造的畫素在使用本發明與不使用本發明的情況下各自的開口率與PPI之間的關係的圖表。

第10圖係具備本發明實施例的液晶顯示裝置的電子機器的例子。

16-j．．．閘極線(閘集電極)

20．．．畫素電極

24．．．共通電極(對向電極)

31’．．．反射型顯示領域

32’．．．透過型顯示領域

300．．．背光源

301．．．第1透明基板

302．．．第2透明基板

303．．．液晶層

304．．．絕緣層

305．．．TFT通道

307’．．．電容電極

308．．．反射體

309．．．外界光

310．．．背光

311、312．．．偏光板

Claims (7)

1. 一種液晶顯示裝置，包括：第1透明基板；第2透明基板，與該第1透明基板相對；絕緣層，形成於該第2透明基板上；複數的畫素電極，以矩陣狀配置於該絕緣層上；對向電極，形成於該第1透明基板，與該畫素電極相對，具有既定電位；液晶層，存在於該畫素電極與該對向電極之間；畫素電路，形成於該第2透明基板的上側面，對各個該畫素電極施加電壓；以及兩平行電極，在該絕緣層內平行該畫素電極設置，且位於該畫素電極與該畫素電路之間，該兩平行電極之間形成一保持電容以保持該畫素電極與該對向電極之間的電位差。
2. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該畫素電路具有記憶體、感測器、導電線、導電性層間導孔、及信號處理器中至少一者。
3. 如申請專利範圍第2項所述之液晶顯示裝置，其中該記憶體具有DRAM或SRAM。
4. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，更包括：反射體，形成於各個該複數的畫素電極的全體或一部分之上，其中該液晶層回應各個該複數的畫素電極與該對向電 極之間的電位差，控制被該反射體反射的外界光量。
5. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，更包括：背光源，將光由該第2透明基板的下側面往上側面照射，其中該液晶層回應各個該複數的畫素電極與該對向電極之間的電位差，控制通過該液晶層的來自該背光源的光量。
6. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，更包括：背光源，將光由該第2透明基板的下側面往上側面照射；以及反射體，形成於各個該複數的畫素電極的一部分之上，覆蓋該畫素電路，其中該液晶層回應各個該複數的畫素電極與該對向電極之間的電位差，控制通過該液晶層的來自該背光源的光量以及被該反射體反射的外界光量。
7. 一種電子機器，包括申請專利範圍第1項所述的液晶顯示裝置。