TWI467049B - 金屬薄膜形成方法及導電性粒子 - Google Patents

金屬薄膜形成方法及導電性粒子 Download PDF

Info

Publication number
TWI467049B
TWI467049B TW97140445A TW97140445A TWI467049B TW I467049 B TWI467049 B TW I467049B TW 97140445 A TW97140445 A TW 97140445A TW 97140445 A TW97140445 A TW 97140445A TW I467049 B TWI467049 B TW I467049B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
conductive particles
metal
thin film
metal thin
silver
Prior art date
Application number
TW97140445A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200936807A (en
Inventor
Hidekatsu Kuroda
Original Assignee
Ube Nitto Kasei Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ube Nitto Kasei Co filed Critical Ube Nitto Kasei Co
Publication of TW200936807A publication Critical patent/TW200936807A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI467049B publication Critical patent/TWI467049B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/42—Coating with noble metals
    • C23C18/44—Coating with noble metals using reducing agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1635—Composition of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C23C18/1875—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment only one step pretreatment
    • C23C18/1879—Use of metal, e.g. activation, sensitisation with noble metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28—Sensitising or activating
    • C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Description

金屬薄膜形成方法及導電性粒子
本發明係關於可利用於例如導電材料、電磁波阻隔材料等之導電性粒子，及於非導電性粒子上形成金屬薄膜之方法。
作為於非導電性粒子上形成金屬薄膜之技術，已知有無電解電鍍之方法可行。為促進無電解電鍍之反應，於非導電性粒子之表面一般係施予使無電解電鍍起始之觸媒附著之前處理。於此前處理係例如使非導電性粒子接觸氯化亞錫之水溶液後，再使其與氯化鈀之水溶液接觸。藉此，因非導電性粒子之表面所吸著之錫離子之還原作用，鈀膠體(palladium colloid)將吸著於非導電性粒子之表面。鈀膠體係作為使無電解電鍍起始之觸媒而作用。此外，無電解電鍍液係包含金屬鹽、金屬錯合劑、pH調整劑、還原劑等。另外，於進行上述前處理之無電解電鍍時，金屬薄膜之厚度極不一致，有無法形成連續性薄膜之問題。
例如日本特公平6-96771號公報中有提出一種為均質、且具有強力固定覆蓋力之金屬電鍍粉末。此文獻中所揭示之金屬電鍍粉末係經由保持於芯材表面之貴金屬離子所為之觸媒化步驟，及之後於芯材上進行無電解電鍍之無電解電鍍處理所獲得。於觸媒化步驟中，於貴金屬離子捕捉有機質或無機質之芯材後，將該貴金屬離子還原使該芯材得以保有貴金屬。於無電解電鍍中，無電解電鍍液係由至少2種溶液構成，並分別將此等溶液同時添加以進行無電解電鍍。
此外，於日本特開2007-242307號公報或特開2004-14409號公報中係揭示了以置換電鍍作為於非導電性粒子上形成貴金屬薄膜之技術。作為一般之置換電鍍方法，係藉由無電解鎳電鍍形成基層，再將鎳置換成貴金屬。於無電解鎳電鍍中，通常因適當地調整電鍍液之pH值而添加次亞磷酸鈉(Sodium hypophosphite monohydrate)、檸檬酸(citric acid)等。另一方面，於置換電鍍中，通常為控制貴金屬薄膜之結晶構造，會添加鈷，使電鍍液中鈷濃度成為數百ppm。以置換電鍍所製造之金屬薄膜包含較銀及金具有更高電阻值之鎳、作為不純物之磷、鈷等。
金及銀為導電率高之貴金屬已為人所知。銀不但比金有更高之導電率，亦更便宜。因此，以非導電粒子及其表面具有由銀所組成之金屬薄膜之導電性粒子係有高度利用價值。另外，藉置換電鍍形成銀所組成之金屬薄膜時，將會形成作為基層之鎳層及銀層之至少包含二層之金屬薄膜。此等由複數層所組成之金屬薄膜對於成本而言相當不利。對於非導電性粒子，亦有例如藉由於施予使用耦合劑(coupling agent)之前處理後進行無電解電鍍，以使由銀所組成之金屬薄膜形成之方法。另外，若對於微米級之非導電粒子施予前處理，將無法於非導電性粒子上形成由銀組成之金屬薄膜，或僅能形成不連續之金屬薄膜。因此，對於微米級之非導電性粒子，形成單層銀所組成之金屬薄膜之技術實用性仍然有待加強。
本發明之發明者們對於微米級之非導電型粒子，係研究出可連續形成單層由銀所組成之金屬薄膜之技術。本發明之目的為提供一種使由銀所組成之金屬薄膜容易形成之金屬薄膜形成方法。此外，本發明之目的係提供一種具有優良導電性且低成本之導電性粒子。
為解決上述問題，於本發明之第一態樣中係提供一種於0.5μm~50μm之非導電性粒子上，以無電解電鍍形成金屬薄膜之金屬薄膜形成方法。無電解電鍍為於非導電性粒子上實施附著金屬核之前處理之同時，於具有硫醇基之矽烷化合物之存在下，使由銀所組成之金屬薄膜形成。
為解決上述問題，於本發明之第二態樣中係提供一種藉由於非導電性粒子之全體表面形成之金屬薄膜，賦予其導電性之導電性粒子。非導電性粒子之粒徑為0.5μm~50μm之範圍。此外，金屬薄膜係由單層之銀所構成。
以下將詳細說明本發明具體化之實施態樣。
<金屬薄膜形成方法>
本實施態樣之金屬薄膜形成方法為藉由無電解電鍍於粒徑為0.5μm~50μm之非導電性粒子上形成金屬薄膜之方法。無電解電鍍係於非導電性粒子上實施使金屬核附著之前處理之同時，於具有硫醇基之矽烷化合物之存在下，形成由銀所組成之金屬薄膜。
非導電性粒子為形成金屬薄膜之基材。作為非導電性粒子之材質，可列舉如選自二氧化矽、陶土(ceramics)、玻璃、樹脂類中至少一種。作為二氧化矽，可列舉如完全結晶化之乾式二氧化矽(方石英,cristobalite)、水分散型二氧化矽(膠體化二氧化矽,colloidal silica)等。作為陶土，可列舉如礬土(alumina)、藍寶石(sapphire)、富鋁紅柱石(mulite)、二氧化鈦(titania)、碳化矽、氮化矽、氮化鋁、氧化鋯(zirconia)等。作為玻璃，可列舉例如BK7、SF11、LaSFN9等各種肖特玻璃(schott glass)、光學冕玻璃(optical crown glass)、蘇打玻璃(soda glass)、低膨脹硼矽玻璃(borosilicate glass)等。作為樹脂類，可列舉如二氧化矽樹脂、酚系樹脂、天然變性酚系樹脂、環氧樹脂、聚乙烯醇系樹脂、纖維系(cellulose)樹脂，或聚烯烴系樹脂、苯乙烯系樹脂、丙乙烯系樹脂等之變性物或經電暈放電(corona discharge)之表面處理物等。作為非導電性粒子，由粒徑不平均度小之觀點而言，以選自二氧化矽、陶土或玻璃中至少一種為佳，更佳可列舉二氧化矽。作為非導電性粒子之形狀，可列舉如球狀、棒狀、板狀、針狀、中空狀等。若考慮非導電性粒子之分散性或獲得之導電性粒子之分散性等等，非導電性粒子之形狀以球狀為佳。
非導電性粒子之粒徑為0.5μm~100μm之範圍。非導電性粒子之粒徑係由掃描式電子顯微鏡之照片測定。為此金屬薄膜形成方法所使用之非導電性粒子之平均粒徑以1μm~50μm為佳，以1μm~20μm為更佳。
特別是，若是用於液晶顯示裝置用元件，有預先使非導電性粒子之粒徑一致之必要。於此情況下，非導電性粒子之粒徑分布，以以下所示之通式求得之CV值為10%以下為佳，以5%以下為更佳。
CV值(%)={[粒徑之標準誤差(μm)]/[平均粒徑(μm)]}x 100
無電解電鍍係於非導電性粒子上附著金屬核之前處理後實施。作為藉由前處理所附著之金屬核之金屬，由不會賦予成為金屬薄膜之銀之導電性不良影響、使金屬薄膜得以安定地形成之觀點而言，以金或銀為佳。作為前處理，例如使含有矽烷耦合劑、加水分解觸媒及金屬鹽之處理液與非導電性粒子接觸，之後，藉由還原劑將金屬鹽之金屬析出，使金屬核得以附著至非導電性粒子為佳。藉此，可藉由無電解電鍍使金屬薄膜平均地形成。此時，作為矽烷耦合劑，係使用具有對於金屬鹽之金屬可形成螯合物(chelate)之官能基之矽烷耦合劑。
作為對於金屬鹽之金屬形成螯合物之官能基，可列舉極性基或親水性基。具體而言，以選自氮原子、硫原子及氧原子之原子中至少一種以上之原子之官能基為佳。作為該等官能基，可列舉選自-SH、-CN、-NH2 、-SO2 OH、-SOOH、-OPO(OH)2 、-COOH之群中至少一種以上之官能基。此等官能基亦可形成鹽。若官能基為-OH、-SH、-SO2 OH、-SOOH、-OPO(OH)2 、-COOH等酸性基時，作為該鹽，可列舉鈉、鉀、鋰等鹼金屬鹽，或銨鹽等。另一方面，若為-NH2 等鹼性基時，作為該鹽，可列舉氯酸、硫酸、硝酸等無機酸鹽，及甲酸(formic acid)、醋酸、丙酸(pripionic acid)、三氟醋酸(trifluoroacetic acid)等有機酸鹽。
矽烷耦合劑為具有藉由加水分解產生矽醇基之加水分解性官能基之化合物。作為加水分解性官能基，可列舉如與Si原子直接結合之烷氧基(-OR)等。作為構成上述烷氧基之R，以炭數為1~6之直鍊狀、分枝狀、環狀中任一種烷基為佳，具體而言，可列舉甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、戊基、己基、環戊基、環己基等。
作為矽烷耦合劑之具體例，可列舉如3-胺丙烷基三甲氧基矽烷(3-aminopropyl trimethoxysilane,APTMS)、3-胺丙烷基三乙氧基矽烷(3-aminopropyl triethoxysilane,APTES)、N-2-(胺乙烷基)-3-胺丙烷基三甲氧基矽烷(N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyl trimethoxysilane)、N-2-(胺乙烷基)-3-胺丙烷基三乙氧基矽烷(N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyl triethoxysilane)等。作為矽烷耦合劑，從成本及易於處理之觀點而言，以3-胺丙烷基三甲氧基矽烷(3-aminopropyl trimethoxysilane,APTMS)為特佳。
加水分解觸媒係促進上述加水分解性官能基之加水分解。作為加水分解觸媒，可列舉例如無水醋酸、冰醋酸、丙酸、檸檬酸、甲酸、草酸等有機酸，醋酸烷基鋁(aluminium alkyl acetate)等鋁螫合化合物(aluminium chelates)，氨水等無基鹼性化合物等。其中，若考慮與作為3-胺丙烷基三甲氧基矽烷之矽烷耦合劑之良好反應性及成本，以氨水為佳。
對於1莫耳之矽烷耦合劑之加水分解觸媒之使用量，以0.5~5.0莫耳為佳，以1.5~2.5莫耳為更佳。此外，對於1莫耳之矽烷耦合劑之金屬鹽之使用量，以0.005~0.05莫耳為佳，以0.015~0.025莫耳為更佳。更進一步地，對於1莫耳之金屬鹽之還原劑之使用量，以0.025~0.25莫耳為佳，以0.075~0.125莫耳為更佳。
作為前處理之處理液，可列舉水或水性溶媒。水性溶媒為水與有機溶媒之混合溶媒。作為有機溶媒，可列舉如甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等低級醇類，或丙酮等酮類。此等有機溶媒可單獨使用，或組合使用複數種。
無電解電鍍係於具有硫醇基之矽烷化合物之存在下，形成由銀所組成之金屬薄膜。具有硫醇基之矽烷化合物係如下列通式(1)所示。
Xm (Y)3-m Si(CH2 )n SH...(1)
(於通式(1)中，X為碳數為1~6之烷基、Y為碳數為1~6之烷氧基、m為0或1、n為1~5之整數)
X所示之烷基為直鏈狀、分歧狀及環狀中任一烷基，例如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、戊基、己基、環戊基、環己基等。Y所示之烷氧基係以-OR表示，作為構成該烷氧基之R為直鏈狀、分歧狀及環狀中任一烷基，例如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、戊基、己基、環戊基、環己基等。作為通式(1)所示之硫醇基(mercaptans)化合物，從可安定地形成金屬薄膜之觀點而言，以3-硫醇丙基三乙氧基矽烷(3-mercaptopropyl triethoxysilane)為佳。
銀除了具有較金高之導電率以外，亦相當便宜。因此，其作為具有非導電性粒子與其表面之由銀所組成之金屬薄膜係有高度利用價值。作為無電解電鍍，係適用使用金屬鹽、還原劑等周知之無電解電鍍法。作為還原劑，係使用如四氫硼酸鈉(sodium tetrahydroborate)等氫化硼酸鹽(硼氫化鈉等鹼金屬氫化硼酸鹽類、硼氫化銨類等)，聯氨(hydrazine)系化合物類、次氯酸鹽等無機系還原劑，甲醛、檸檬酸、檸檬酸鈉等有機系還原劑。此等還原劑可單獨使用，亦可組合兩種以上使用。作為無電解電鍍，以兼顧優良反應安定性及將雜質在可能範圍中降至最低之觀點而言，以使用銀鏡反應為佳。銀鏡反應係將銀之氨錯合物(ammine complex)以還原劑予以還原而析出銀之反應。具體而言，其係藉由於硝酸銀之氨水溶液中添加福馬林等還原劑，使銀得以析出於非導電性粒子之表面。
無電解電鍍係於具有硫醇基之矽烷化合物與水之混合液與非導電性粒子接觸後開始為佳。藉此，矽烷化合物可安定地作用。此外，考慮矽烷化合物之溶解性，亦可將與水相容之有機溶媒與水混合。使用此方式製成之混合液之無電解電鍍之溫度條件、反應時間等等，係對應無電解電鍍中之通常做法設定。
對於1莫耳之具有硫醇基之矽烷化合物之金屬鹽之使用量，以0.005~0.05莫耳為佳，以0.015~0.025莫耳為更佳。更進一步地，對於1莫耳之金屬鹽之還原劑使用量，以0.025~0.25莫耳為佳，以0.075~0.125莫耳為更佳。
藉由本發明之金屬薄膜形成方法所獲得之金屬薄膜，具有較金屬之塊材或以習知之無電解電鍍法所形成之金屬薄膜低之密度。詳細而言，本發明之金屬薄膜相對於金屬之塊材之密度比((10.5g/cm3 )x100)，雖然稍有不平均，大致為50%~85%之範圍，更具體而言，為50%~70%。因此，例如於將含有金屬被覆層之基材配置於相面對之電極間、使兩電極接近而壓縮基材之情況下，因金屬薄膜之密度低，將容易變形。結果，電極與金屬薄膜之接地面積將增大，提升經由金屬薄膜導通兩電極間之可靠性。
<導電性粒子>
非導電性粒子之表面全體係形成有金屬薄膜。導電性粒子係因該金屬薄膜被賦予導電性。非導電性粒子之粒徑為0.5μm~50μm之範圍。金屬薄膜係由單層之銀所組成。
金屬薄膜係由連續之銀微粒子之集合體所組成。亦即，金屬薄膜係由細密排列之銀微粒子所組成之連續性薄膜。所謂連續銀微粒子之集合體係指利用掃描式顯微鏡以5000倍~10000倍之倍率觀察之情況下，以無法觀測出不連續之金屬薄膜之程度般細密排列之集合體。金屬薄膜之厚度從獲得安定導電性之觀點而言，以50nm以上為佳。
於本實施例中之金屬薄膜，在螢光X光分析中，作為非導電性粒子所含之元素之外之元素，以僅檢驗出金、銀及硫為佳。藉此可提高金屬薄膜之純度，可獲得安定之電性。導電性粒子之平均粒徑，以適合作為液晶顯示元件用材料或異向性導電材料之觀點而言，以0.5μm~100μm之範圍為佳，更佳為1μm~20μm之範圍。藉此獲得之導電性粒子係適合用於例如除了液晶顯示元件之封合劑外，亦適合用於各種異向導電性材料。
藉由以上詳述之本實施態樣可獲得以下之效果。
(1)作為金屬薄膜形成方法之無電解電鍍係於實施使金屬核附著於非導電性粒子上之前處理之同時，於具有硫醇基之矽烷化合物之存在下形成由銀所組成之金屬薄膜。因此，即使於將微米尺寸之非導電性粒子形成金屬薄膜之情況下，仍可輕易地構成單層之銀。
(2)於具有硫醇基之矽烷化合物與水之混合液接觸非導電性粒子後，開始無電解電鍍。藉此可提高矽烷化合物之作用，安定地形成金屬薄膜。
(3)例如，使用3-硫醇丙基三乙氧基矽烷作為具有硫醇基之矽烷化合物，藉由銀鏡反應實施無電解電鍍，可提高金屬薄膜之表面平均性。
(4)無電解電鍍之前處理以使含有矽烷耦合劑、加水分解觸媒及金屬鹽之處理液與非導電性粒子接觸，之後，藉由還原劑將金屬鹽中之金屬析出，使金屬核附著至非導電性粒子上之處理為佳。藉此，金屬核可平均地附著於非導電性粒子上，更進一步提高金屬薄膜之表面平均性。
(5)金屬核之金屬為金或銀。藉此，將難以對於形成金屬薄膜之銀之導電性產生不良影響，可安定地形成金屬薄膜。
(6)構成導電性粒子之金屬薄膜係由單層之銀所組成。因此可提供具有優良之導電性、且低成本之導電性粒子。此等導電性粒子因具有安定之導電性及優越之電性，適合用於例如液晶顯示元件之封合劑、異向導電性材料等。
(7)於導電性粒子之螢光X光分析中，作為非導電性粒子所含元素之外之元素，以僅檢出金、銀及硫為佳，於此情況下，導電性粒子之電性得以確實地發揮。
(8)置換電鍍為於非導電性粒子上形成貴金屬薄膜之技術之一，其係於無電解鎳電鍍形成基層，再將鎳置換成貴金屬之方法。但於高溫、高濕度之條件下，鎳之耐腐蝕性不安定。另一方面，二氧化矽、陶瓷、玻璃等較樹脂類而言對於熱或溼度則非常安定。因此，藉由使用二氧化矽、陶瓷、玻璃作為構成本發明之導電性粒子之非導電粒子，可提升對於熱或溼度之安定性。藉此可提供適合用於熱安定性為必要之導電性粒子。
另外，上述實施態樣亦可如下述予以變更。
‧於本實施態樣中，由銀所組成之金屬薄膜雖為以單層構成，亦可藉由複數之層構成。此外，由銀所組成之金屬薄膜可藉由1次無電解電鍍形成，亦可藉由複數次無電解電鍍形成。
(實施例)
(A)前處理
於500mL之三角燒瓶中放入10g之二氧化矽粒子(平均粒徑：6.40μm，CV值：0.96%，藉由掃描式電子顯微鏡照片測定70個粒子之粒徑所獲得)，加入63g之異丙醇(IPA)，進行10分鐘之超音波處理。再加入63g之甲醇以電磁攪拌器攪拌10分鐘，加入50g之25%氨水溶液、於30℃之油槽中攪拌10分鐘，以調製成A液。
將0.23g之氯金酸(HAuCl4 .4H2 0)加入50mL之甲醇中，以電磁攪拌器攪拌10分鐘後，藉由進一步加入4.5mL之3-氨基丙基三甲氧基甲矽烷(3-aminopropyltrimethoxysilane)，予以攪拌10分鐘，以調製成B液。
將0.107g之硼氫化鈉(sodium tetrahydroborate,NaBH4 )加入50mL之甲醇，藉由以電磁攪拌器攪拌10分鐘，以調製成C液。
將B液加入A液中，以30℃攪拌5分鐘後，於緩緩滴入C液時，反應物將變化成紅色。於C液滴入後，將油槽加熱至65℃並攪拌3小時。停止攪拌並進行三次甲醇萃取後，藉由吸引過濾採收形成有金屬核之二氧化矽粒子，以70℃之乾燥烤箱(oven)予以乾燥3小時，所獲得之粒子呈紅色。
第一圖係顯示二氧化矽粒子之掃描式電子顯微鏡之照片。此外，第二圖為形成有金屬核之二氧化矽粒子之掃描式電子顯微鏡照片。參照第二圖，二氧化矽粒子之全體表面係附著有平均之金超微粒子。藉由掃描式電子顯微鏡測定70個粒子之平均粒徑之同時，亦求出顯示粒徑分布程度之CV值。該結果係顯示於表1。
(B)金屬薄膜之形成
於1g之前述「(A)前處理」中所獲得之粒子中加入200mL之水，以超音波處理10分鐘後，加入0.015mL之3-硫醇丙基三乙氧基矽烷(3-mercaptopropyl triethoxysilane)，以電磁攪拌器攪拌5分鐘。再加入0.65g之硝酸銀，更進一步攪拌10分鐘。接著於加入13mL之25%之氨水溶液後，添加20mL之0.24mmol/L之福馬林溶液攪拌5分鐘。以吸引過濾採收沉澱之覆有銀層之二氧化矽粒子，以甲醇洗淨後，於70℃之乾燥烤箱中乾燥3小時。
第三圖係顯示形成有金屬薄膜之二氧化矽粒子之掃描式電子顯微鏡照片。參照第三圖，二氧化矽粒子之全體表面係形成有金屬薄膜。
以掃描式電子顯微鏡測定70個粒子之平均粒徑，並求出顯示粒徑分布程度之CV值。該結果係顯示於表2。
金屬薄膜之厚度為0.11μm。
<於樹脂中之分散性評量>
將10g之樹脂(商品名：STRUCT BOND)以混煉機攪拌1分鍾。於此樹脂中加入0.2g之實施例1之導電性粒子並攪拌1分鐘。將混合有導電性粒子之樹脂塗抹至或玻片上，覆蓋蓋玻片後以光學顯微鏡觀察。光學顯微鏡之照片係顯示於第四圖。
藉由光學顯微鏡之觀察，於302個粒子中，僅產生4個(1.32%)有2個以上之粒子互相粘著之狀況，可知其於樹脂中之分散性為非常良好。
<螢光X光分析>
於實施例1中所獲得之導電性粒子係使用全自動螢光X光分析裝置(SPECTORIES公司製、PW2400型、燈管：RH、測定元素：Na~U、照射面積：25mmφ)進行定性分析。首先，採集約2g之導電性粒子，使其均勻覆蓋於6μm之聚丙烯製膜片上。接著，將該膜片載置於全自動螢光X光分析裝置上，以氦氣置換測定部。藉由於可檢出Na~U元素之螢光X光之波長範圍進行掃描來測定元素。結果檢出之元素僅有硫、銀及金三種，並無檢測出此三種元素之外之元素。螢光X光分析圖係於第五圖至第七圖中顯示。另外，第五圖為顯示檢出銀之螢光X光分析圖，第六圖為顯示檢出金之螢光X光分析圖，而第七圖為顯示檢出硫之螢光X光分析圖。
<電阻值之測定>
使用微小壓縮測試機(島津製作所製)，測定20個實施例1之導電性粒子之電阻值並求得其平均值。獲得之結果係與標準誤差值一同表示於表3。
(實施例2)
除了使用二氧化矽粒子(平均粒徑：4.22μm、CV：1.13%)以外，使用與實施例1同樣之方式製成覆蓋有銀層之二氧化矽粒子。
<耐濕熱評量>
對於獲得之導電性粒子，使用恆濕恆溫器(espec公司製)，於60℃、90% RH、240h之條件下進行濕熱試驗。第八圖係顯示於濕熱試驗前之導電性粒子之掃描式電子顯微鏡照片。第九圖則是於濕熱試驗後之導電性粒子之掃描式電子顯微鏡照片。經比較第八圖及第九圖後，於濕熱試驗前後之銀層狀態並無觀察到變化。
於濕熱試驗之前後測定50個導電性粒子之電阻值，分別求得檢測出電阻值之導電性粒子之個數與平均電阻值，所獲得之結果係於表4中顯示。
從表4之結果可知，於濕熱試驗前後無檢測出電阻值之粒子之個數差僅為4個。
(實施例3)
於1g之實施例1「(A)前處理」中所獲得之粒子中加入200mL之水，以超音波處理10分鐘後，加入0.015mL之3-硫醇丙基甲基二甲氧基矽烷(3-mercaptopropylmethyl dimethoxysilane)，以電磁攪拌器攪拌5分鐘。再加入0.65g之硝酸銀，更進一步攪拌10分鐘。接著於加入13mL之25%之氨水溶液後，添加20mL之0.24mmol/L之福馬林溶液攪拌5分鐘。以吸引過濾採收沉澱之覆有銀層之二氧化矽粒子，以甲醇洗淨後，於70℃之乾燥烤箱中乾燥3小時。第十圖係顯示形成有金屬薄膜之二氧化矽粒子之掃描式電子顯微鏡照片。參照第十圖，二氧化矽粒子之全體表面幾乎均形成有金屬薄膜。
(實施例4)
於1g之實施例1「(A)前處理」中所獲得之粒子中加入200mL之水，以超音波處理10分鐘後，加入0.015mL之3-硫醇丙基三甲氧基矽烷(3-mercaptopropyl trimethoxysilane)，以電磁攪拌器攪拌5分鐘。再加入0.65g之硝酸銀，更進一步攪拌10分鐘。接著於加入13mL之25%之氨水溶液後，添加20mL之0.24mmol/L之福馬林溶液攪拌5分鐘。以吸引過濾採收沉澱之覆有銀層之二氧化矽粒子，以甲醇洗淨後，於70℃之乾燥烤箱中乾燥3小時。
第十一圖係顯示形成有金屬薄膜之二氧化矽粒子之掃描式電子顯微鏡照片。參照第十一圖，二氧化矽粒子之全體表面幾乎均形成有金屬薄膜。
(比較例1)
於1g之實施例1「(A)前處理」中所獲得之粒子中加入200mL之水，以超音波處理10分鐘後，加入0.65g之硝酸銀攪拌10分鐘。接著於加入13mL之25%之氨水溶液後，添加20mL之0.24mmol/L之福馬林溶液攪拌5分鐘。以吸引過濾採收沉澱之覆有銀層之二氧化矽粒子，以甲醇洗淨後，於70℃之乾燥烤箱中乾燥3小時。
第十二圖係顯示形成有金屬薄膜之導電性粒子之掃描式電子顯微鏡照片。參照第十二圖，非導電性粒子之表面有一部分並無形成金屬薄膜。
(比較例2)
(A)表面處理
於500mL之三角燒瓶中放入10g之作為非導電性粒子之二氧化矽粒子(平均粒徑：6.40μm，以COULTER公司製之MULTISIZER II測定)，加入63g之異丙醇(IPA)，以電磁攪拌器攪拌10分鐘，再藉由加入50g之25%氨水溶液、於30℃之油槽中攪拌10分鐘，以調製成A液。
於A液中加入4.5mL之3-硫醇丙基三乙氧基矽烷(3-mercaptopropyl triethoxysilane)，於油槽中加溫至65℃並攪拌3小時。停止攪拌並進行三次甲醇萃取後，藉由吸引過濾採收以硫醇進行表面處理後之二氧化矽粒子，以70℃之乾燥烤箱予以乾燥3小時。
(B)金屬薄膜之形成
將1g由(A)表面處理所獲得之粒子中加入200mL之水，以超音波處理10分鐘後，加入0.65g之硝酸銀攪拌10分鐘。接著於加入13mL之25%之氨水溶液後，添加20mL之0.24mmol/L之福馬林溶液攪拌5分鐘。以吸引過濾採收沉澱之覆有銀層之二氧化矽粒子，以甲醇洗淨後，於70℃之乾燥烤箱中乾燥3小時。
第十三圖係顯示形成有金屬薄膜之導電性粒子之掃描式電子顯微鏡照片。參照第十三圖，二氧化矽粒子之表面並無銀之覆蓋。
(比較例3)
於樹脂粒子上藉由無電解鎳鍍形成底層，並對於藉由將鎳與金置換之置換金電鍍所獲得之導電性粒子(平均粒徑：3.55μm、CV值：4.50%)進行與上述同條件下之耐濕熱評量。第十四圖係顯示濕熱試驗前之掃描式電子顯微鏡照片，第十五圖係顯示於濕熱試驗後之掃描式電子顯微鏡照片。參照第十四圖及第十五圖，濕熱試驗後之金屬層之狀態較濕熱試驗前有大幅變化，其係變得十分粗糙。此一現象為鎳之氧化所導致之腐蝕。
於濕熱試驗之前後測定50個導電性粒子之電阻值，分別求得檢測出電阻值之導電性粒子之個數與平均電阻值，所獲得之結果係於表5中顯示。
從表5之結果可知，於濕熱試驗前後無檢測出電阻值之粒子之個數差為39個，於試驗後之檢出率僅10%(5/50個)。
(比較例4)
於二氧化矽粒子(平均粒徑：6.42μm、CV值：0.70%)上藉由無電解鎳鍍形成底層，並對於藉由將鎳與金置換之置換金電鍍所獲得之導電性粒子(平均粒徑：6.75μm、CV值：0.77%)進行與上述同條件下之耐濕熱評量。第十六圖係顯示濕熱試驗前之掃描式電子顯微鏡照片，第十七圖係顯示於濕熱試驗後之掃描式電子顯微鏡照片。參照第十六圖及第十七圖，濕熱試驗後之金屬層之狀態較濕熱試驗前有大幅變化，其係變得十分粗糙。此一現象為鎳之氧化所導致之腐蝕。
於濕熱試驗之前後測定50個導電性粒子之電阻值，分別求得檢測出電阻值之導電性粒子之個數與平均電阻值，所獲得之結果係於表6中顯示。
從表6之結果可知，於濕熱試驗前後無檢測出電阻值之粒子之個數差為40個，於試驗後之檢出率僅12%(6/50個)。
(比較例5)
於1g之實施例1「(A)前處理」中所獲得之粒子中加入200mL之水，以超音波處理10分鐘後，加入0.020mL之2-硫醇乙醇(2-mercaptoethanol)，以電磁攪拌器攪拌5分鐘。接著加入0.65g之硝酸銀並再攪拌10分鐘，於加入13mL之25%之氨水溶液後，添加20mL之0.24mmol/L之福馬林溶液攪拌5分鐘。以吸引過濾採收沉澱之覆有銀層之二氧化矽粒子，以甲醇洗淨後，於70℃之乾燥烤箱中乾燥3小時。
第十八圖係顯示形成有金屬薄膜之導電性粒子之掃描式電子顯微鏡照片。參照第十八圖，二氧化矽粒子之表面並無覆蓋銀膜。
(比較例6)
於1g之實施例1「(A)前處理」中所獲得之粒子中加入200mL之水，以超音波處理10分鐘後，加入0.015mL之2-硫醇乙基辛烷(2-mercaptoethyl octane,2-MEO)，以電磁攪拌器攪拌10分鐘。接著加入0.65g之硝酸銀並再攪拌10分鐘，於加入13mL之25%之氨水溶液後，添加20mL之0.24mmol/L之福馬林溶液攪拌5分鐘。以吸引過濾採收沉澱之覆有銀層之二氧化矽粒子，以甲醇洗淨後，於70℃之乾燥烤箱中乾燥3小時。
第十九圖係顯示形成有金屬薄膜之導電性粒子之掃描式電子顯微鏡照片。參照第十九圖，二氧化矽粒子之表面並無覆蓋銀膜。
(比較例7)
於1g之實施例1「(A)前處理」中所獲得之粒子中加入200mL之水，以超音波處理10分鐘後，加入0.013g之三水合硫醇醋酸鈣(calcium mercaptoacetate)，以電磁攪拌器攪拌5分鐘。接著加入0.65g之硝酸銀並再攪拌10分鐘，於加入13mL之25%之氨水溶液後，添加20mL之0.24mmol/L之福馬林溶液攪拌5分鐘。以吸引過濾採收沉澱之覆有銀層之二氧化矽粒子，以甲醇洗淨後，於70℃之乾燥烤箱中乾燥3小時。
第二十圖係顯示形成有金屬薄膜之導電性粒子之掃描式電子顯微鏡照片。參照第二十圖，二氧化矽粒子之表面有一部分並無覆蓋銀膜。
(比較例8)
於1g之實施例1「(A)前處理」中所獲得之粒子中加入200mL之水，以超音波處理10分鐘後，加入0.015mL之3-胺丙烷基三甲氧基矽烷(3-aminopropyl trimethoxysilane)，以電磁攪拌器攪拌5分鐘。接著加入0.65g之硝酸銀並再攪拌10分鐘，於加入13mL之25%之氨水溶液後，添加20mL之0.24mmol/L之福馬林溶液攪拌5分鐘。以吸引過濾採收沉澱之覆有銀層之二氧化矽粒子，以甲醇洗淨後，於70℃之乾燥烤箱中乾燥3小時。
第二十一圖係顯示形成有金屬薄膜之導電性粒子之掃描式電子顯微鏡照片。參照第二十一圖，非導電性粒子之表面有一部分並無形成金屬薄膜。
對於所獲得之導電性粒子進行於樹脂中之分散性評量。第二十二圖係分散性評量中所使用之光學顯微鏡照片。參照第二十二圖，可觀察出導電性粒子凝結之狀態，此一結果係顯示，其作為液晶顯示元件封合劑之單分散導電性粒子之產率相當低。
第一圖為實施例1中所使用之二氧化矽粒子之掃描式電子顯微鏡照片。
第二圖為於實施例1中施以前處理之非導電性粒子之掃描式電子顯微鏡照片。
第三圖為實施例1之導電性粒子之掃描式電子顯微鏡照片。
第四圖為顯示實施例1之導電性粒子於樹脂中之分散狀態之光學顯微鏡照片。
第五圖為顯示實施例1之導電性粒子中檢測出銀之螢光X光分析圖。
第六圖為顯示實施例1之導電性粒子中檢測出金之螢光X光分析圖。
第七圖為顯示實施例1之導電性粒子中檢測出硫之螢光X光分析圖。
第八圖為顯示實施例2之銀薄膜二氧化矽粒子於濕熱試驗前之狀態之掃描式電子顯微鏡照片。
第九圖為顯示實施例2之銀薄膜二氧化矽粒子於濕熱試驗後之狀態之掃描式電子顯微鏡照片。
第十圖為實施例3之導電性粒子之掃描式電子顯微鏡照片。
第十一圖為實施例4之導電性粒子之掃描式電子顯微鏡照片。
第十二圖為之比較例1之導電性粒子之掃描式電子顯微鏡照片。
第十三圖為比較例2之導電性粒子之掃描式電子顯微鏡照片。
第十四圖為比較例3之導電性粒子於濕熱試驗前之狀態之掃描式電子顯微鏡照片。
第十五圖為比較例3之導電性粒子於濕熱試驗後之狀態之掃描式電子顯微鏡照片。
第十六圖為比較例4之導電性粒子於濕熱試驗前之狀態之掃描式電子顯微鏡照片。
第十七圖為比較例4之導電性粒子於濕熱試驗後之狀態之掃描式電子顯微鏡照片。
第十八圖為比較例5之導電性粒子之掃描式電子顯微鏡照片。
第十九圖為比較例6之導電性粒子之掃描式電子顯微鏡照片。
第二十圖為比較例7之導電性粒子之掃描式電子顯微鏡照片。
第二十一圖為比較例8之導電性粒子之掃描式電子顯微鏡照片。
第二十二圖為顯示比較例8之導電性粒子於樹脂中之分散狀態之光學顯微鏡照片。

Claims (5)

  1. 一種於粒徑為0.5μm~100μm之非導電性粒子上，藉由無電解電鍍形成金屬薄膜之金屬薄膜形成方法，其特徵為：具備：使金屬核附著於前述非導電性粒子之表面的步驟，其係使含有矽烷偶合劑、加水分解觸媒及金屬鹽之處理液與前述非導電性粒子接觸後，藉由還原劑析出前述金屬鹽之金屬，使金屬核得以附著；使具有硫醇基之矽烷化合物與水之混合液與前述非導電性粒子接觸的步驟；及藉由無電解電鍍於前述非導電性粒子之表面析出由銀所組成之前述金屬薄膜的步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之金屬薄膜形成方法，其中前述具有硫醇基之矽烷化合物為3-硫醇丙基三乙氧基矽烷(3-mercaptopropyl triethoxysilane)。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之金屬薄膜形成方法，其中前述無電解電鍍係藉由銀鏡反應實施。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之金屬薄膜形成方法，其特徵為：前述矽烷偶合劑具有對於前述金屬鹽之金屬會形成螯合物(chelate)之官能基。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之金屬薄膜形成方法，其中前述金屬核之金屬為金或銀。
TW97140445A 2007-10-23 2008-10-22 金屬薄膜形成方法及導電性粒子 TWI467049B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007275794 2007-10-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200936807A TW200936807A (en) 2009-09-01
TWI467049B true TWI467049B (zh) 2015-01-01

Family

ID=40579476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW97140445A TWI467049B (zh) 2007-10-23 2008-10-22 金屬薄膜形成方法及導電性粒子

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5620678B2 (zh)
KR (1) KR101502995B1 (zh)
CN (1) CN101842515A (zh)
TW (1) TWI467049B (zh)
WO (1) WO2009054371A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011058050A (ja) * 2009-09-10 2011-03-24 Ricoh Co Ltd 複合金属ナノ粒子とその製造方法および複合金属ナノ粒子を含む多光子吸収材料または多光子吸収反応助剤
KR20120086354A (ko) * 2009-11-16 2012-08-02 바스프 에스이 금속 섬 코팅 및 합성 방법
JP5694671B2 (ja) * 2010-02-16 2015-04-01 公立大学法人首都大学東京 金属被覆粒子の製造方法
KR101539913B1 (ko) * 2010-08-20 2015-07-28 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 은 피복 구상 수지, 및 그 제조 방법, 그리고 은 피복 구상 수지를 함유하는 이방성 도전 접착제, 이방성 도전 필름, 및 도전 스페이서
DE102010062184B3 (de) * 2010-11-30 2012-04-19 Technische Universität Dresden Verfahren zur Metallbeschichtung von Nanopartikeln mittels stromloser Abscheidetechniken
CN102681262B (zh) * 2012-02-23 2016-02-24 京东方科技集团股份有限公司 一种掺杂在封框胶中的导电型隔垫物及其制备方法和应用
JP6290206B2 (ja) * 2013-06-18 2018-03-07 株式会社Ｊｃｕ 無電解金属めっきのブリッジ防止液およびこれを用いたプリント配線板の製造方法
WO2015107996A1 (ja) 2014-01-14 2015-07-23 東洋アルミニウム株式会社 複合導電性粒子、それを含む導電性樹脂組成物および導電性塗布物
CN111951996B (zh) * 2015-01-28 2023-06-30 三菱综合材料株式会社 导电性粘结剂、导电性薄膜、导电性间隔物及它们的制法
JP6665514B2 (ja) * 2015-01-28 2020-03-13 三菱マテリアル株式会社 銀被覆粒子の製造方法
KR102388958B1 (ko) * 2017-12-22 2022-04-22 엑카르트 게엠베하 전기 전도성 입자, 조성물, 물품 및 전기 전도성 입자를 제조하는 방법
JP2021019012A (ja) * 2019-07-17 2021-02-15 信越ポリマー株式会社 電磁波シールドフィルム、回路基板、及び回路基板の製造方法
CN114695896B (zh) * 2022-03-14 2023-07-18 电子科技大学 一种电子器件的自组装高阻隔薄膜封装方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005051151A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Seiko Epson Corp 導電層の製造方法、導電層を有する基板、および電子デバイス
JP2006169566A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Sk Kaken Co Ltd 着色粒子の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0642189B2 (ja) * 1987-09-07 1994-06-01 触媒化成工業株式会社 タッチパネル
JPH0696771B2 (ja) * 1988-03-24 1994-11-30 日本化学工業株式会社 無電解めっき粉末並びに導電性フィラーおよびその製造方法
JP3940638B2 (ja) * 2002-06-10 2007-07-04 積水化学工業株式会社 導電性微粒子及び導電性微粒子の製造方法
JP2004224942A (ja) * 2003-01-24 2004-08-12 Kinugawa Rubber Ind Co Ltd 異方導電性弾性体組成物およびその製造方法
JP2006040546A (ja) * 2004-07-22 2006-02-09 Sanyo Chem Ind Ltd 導電性微粒子
JP2007242307A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Sekisui Chem Co Ltd 導電性微粒子及び異方性導電材料

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005051151A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Seiko Epson Corp 導電層の製造方法、導電層を有する基板、および電子デバイス
JP2006169566A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Sk Kaken Co Ltd 着色粒子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101842515A (zh) 2010-09-22
JPWO2009054371A1 (ja) 2011-03-03
TW200936807A (en) 2009-09-01
JP5620678B2 (ja) 2014-11-05
WO2009054371A1 (ja) 2009-04-30
KR20100093518A (ko) 2010-08-25
KR101502995B1 (ko) 2015-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI467049B (zh) 金屬薄膜形成方法及導電性粒子
CN101517123B (zh) 包覆金属层的基材及其制造方法
JP5422563B2 (ja) 金属皮膜形成方法、導電性粒子及びその製造方法
JP2008133535A (ja) 金属ナノ粒子付着基材の製造方法、基材付着性金属ナノ粒子形成用組成物、金属層被覆基材の製造方法、無電解めっき前処理方法、無電解めっき前処理用組成物および無電解めっき品
JP4368855B2 (ja) 貴金属コロイド、貴金属微粒子、組成物および貴金属微粒子の製造方法
JP6031584B2 (ja) 金属微粒子分散複合体及び局在型表面プラズモン共鳴発生基板
US8697233B2 (en) Metal-coated lipid bilayer vesicles and process for producing same
TWI774656B (zh) 導電粒子、絕緣被覆導電粒子、異向導電性接著劑、連接結構體及導電粒子的製造方法
TWI721096B (zh) 導電粒子、絕緣被覆導電粒子、異向導電性接著劑、連接結構體及導電粒子的製造方法
JP5826688B2 (ja) 金属微粒子分散複合体及びその製造方法
US20140036268A1 (en) Composite substrate, lspr sensor including the same, method of using lspr sensor, and detection method using lspr sensor
JP2015068736A (ja) 表面増強分光基板
KR20000035984A (ko) 귀금속 염으로 핵형성되어 있는 기판, 이의 제조방법 및 이의용도
JP2013244463A (ja) 複合粒子分散液、複合体およびそれらの製造方法
Francis Production and Stabilisation of Copper Colloids